JP5283030B2 - らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス - Google Patents
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Description
しかしながら、この方法においても、触媒となる金属の粒径や化学状態を制御することが困難であり、ナノ炭素材料の構造を制御して合成することができない。このため、実用化の際に要求される、所望の構造の材料を作り分けて得ることはできず、結果的に収率が低下することは避けられなかった。
上記構成によれば、熱化学気相成長法を用い、かつ、ダイヤモンド粒子を金属触媒の下地として用い、ダイヤモンド触媒粒子とするので、触媒の径を制御しかつ均一に作製することができ、これによりナノ炭素材料の径の制御が可能となる。
上記構成によれば、電子放出素子材料を、ダイヤモンド粒子とらせん状ナノ炭素材料とを一体化した複合体としている。また、ダイヤモンド粒子を核として、粒状集合体が均一に形成されているため、電子放出特性、すなわち電子放出能ならびに均一性、信頼性が向上する。
ここで、ダイヤモンド粒子は、ナノ炭素材料を束ねる核として機能するが、ダイヤモンドは化学的に非常に安定な物質であるため、様々なプロセスにおいても高い耐性を持つことから、実用用途における特性に悪影響を及ぼすことはない。また、らせん構造を有するナノ炭素材料で構成されるため、最も一般的なナノ炭素材料であるカーボンナノチューブと異なり、中空構造を持たず構造的に密であるため、より高性能かつ高信頼性の電子放出特性を得ることができる。
らせん構造を有するナノ炭素材料の直径は、好ましくは、1〜100nmである。
ダイヤモンド粒子は、好ましくは、らせん構造を有するナノ炭素材料と同オーダーの粒径を有している。
基体上に接着性のある導電層を設けることで、電子放出素子材料となるナノ炭素材料複合体をペースト化せず、直接導電層上に固定することができる。これにより、ペースト化の際にエミッタとなるナノ炭素材料複合体に有機あるいは無機バインダーが介在又は残留することなく、電子放出特性の劣化をまねくことを避けることができる。つまり、導電層上に導電性接着層を設けることでバインダーフリーとし、より高性能、高信頼性の電子放出素子を得ることができる。
上記構成において、好ましくは、導電層は導電性接着層であるか又は第一の導電層と接
着性を有する第二の導電層とからなる。
らせん構造を有するナノ炭素材料の直径は、好ましくは、1〜100nmである。
ダイヤモンド粒子は、好ましくは、らせん構造を有するナノ炭素材料と同オーダーの粒径を有している。
本発明の電子デバイスでは、高性能、高歩留まりでかつロット間ならびに面内バラツキのない本発明の電子放出素子を用いることにより、対向側に蛍光体を配した、簡便な、いわゆる二極管の真空パネルを構成することによっても、輝度が高くかつ面内バラツキのない、高品質の面発光素子とすることができる。
最初に、本発明のらせん状ナノ炭素材料複合体について説明する。
図1は本発明のナノ炭素材料複合体の構成を示す模式断面図である。図1に示すように、本発明のらせん状ナノ炭素材料複合体1は、核となるダイヤモンド粒子2と、ダイヤモンド粒子2上に成長したらせん構造を有するナノ炭素材料3とからなるものである。図1では、らせん構造を有するナノ炭素材料3が直接ダイヤモンド粒子2上に存在する場合を示しているが、らせん構造を有するナノ炭素材料3が、金属あるいは酸化物をはじめとする金属化合物を介してダイヤモンド粒子2上に存在する場合もある。
図2は、本発明のらせん状ナノ炭素材料複合体の製造工程を示し、(a)はダイヤモンド粒子22に遷移金属触媒を担持したダイヤモンド触媒粒子24を、(b)は製造されたらせん状ナノ炭素材料複合体21を、模式的に示す図である。
図2(a)に示すように、本発明に用いるダイヤモンド粒子22は工業的に研磨用として市販されているものでよく、高い比表面積を有するもので、望ましくは、10m2/g以上のものを用いることにより、特に良好な反応効率並びに均一性を得ることができる。ダイヤモンド粒子22は、粒径範囲により分別されたものが市販されているので、粒径1μmより小さいナノサイズの粒径範囲を選定すれば、ナノダイヤモンド粒子として利用することができる。
触媒担体へ金属触媒を担持するには、所定量の金属塩、例えばパラジウムアセテートなどに所定量のダイヤモンド粒子22を加え、その後で過剰の水を蒸発させ、乾燥後400〜500℃の空気気流中で焼成して金属塩の分解と酸化を起こさせ、金属塩を酸化物に転換する。焼成温度はこれより低いと十分に硝酸塩などの不純物を除去できず、活性を発現しないか又は活性が低下するので好ましくない。焼成温度は550℃程度まで上昇させることもできる。それ以上の高温は、ダイヤモンドの一部が燃焼により消失する恐れがあり望ましくない。
次に、原料としての炭化水素気体、例えばエチレン又はアセチレンなどを400〜700℃に保持した触媒層上へ流して反応させる。この場合、炭化水素気体は不活性ガスに混合するか又は不活性ガスと切り替えて流すことができる。不活性ガスとしては、アルゴン(Ar)、窒素(N2)、ヘリウム(He)などのガスを用いればよい。反応管の形式は特に限定されるものでなく、固定床流通系でも流動床反応器を用いてもよい。
図3は、本発明の電子放出素子31の構成を模式的に示す断面図である。本発明の電子放出素子31は、例えば0.1〜10V/μmの強電界により電子を放出する素子である。電子放出素子31は、基体32と、基体32上に形成された接着性を有する導電層33と、接着性を有する導電層33上に配設されたらせん状ナノ炭素材料複合体34とからなる。即ち、電子放出素子31は、基体32上に形成された接着性導電層33上に、らせん状ナノ炭素材料複合体34を配して構成される。
図4に示す電子放出素子41は、基体42と、基体42上に形成された導電層43と、導電層43上に設けた導電性接着層47と、導電性接着層47上に設けたらせん状ナノ炭素材料複合体44と、から構成されている。らせん状ナノ炭素材料複合体44は、導電性接着層47に固着されている。この電子放出素子41が、図3に示す電子放出素子31と異なるのは、導電層43とらせん状ナノ炭素材料複合体44との間に導電性接着層47を介在させている点である。
ここで、導電層43が、らせん状ナノ炭素材料複合体44に対して電子を供給する電極として作用する点は図3に示す電子放出素子31と同様であるが、図3に示す場合と異なり、基体42上に形成される導電層43と、この導電層43上に形成される導電性接着層47との二層構造とすることで、次のような利点がある。即ち、導電層43が導電性接着層47より低抵抗のもの、例えば金属で形成されることで、導電層43を低抵抗でかつパターンニング性に自由度をもたらすことができる。導電性接着層47としてはカーボンテープなどを挙げることができる。この場合、導電性接着層47は、接着剤により形成された接着層47aとカーボン層47bと接着層47cとからなる。
実施例1のらせん状ナノ炭素材料複合体21を合成した。具体的には、粒径が5〜30nmのナノダイヤモンド粒子22を担体として、それらに触媒成分としてのパラジウムを金属として5重量%含むようにしたダイヤモンド触媒微粒子24を以下のようにして合成した。
最初に、ダイヤモンド粒子22と金属塩としてのパラジウムアセテート(アルドリッチ製、99.9%)とを、水とアセトンからなる溶媒に入れて混合し、80℃で14時間乾燥して過剰の水を蒸発させ、乾燥後400℃の空気気流中で3時間焼成し、パラジウム塩を酸化物としてダイヤモンド触媒微粒子24を得た。
ダイヤモンド触媒微粒子24からなる触媒層0.1gを、小型の固定床流通系反応管に充填し、触媒層を600℃で一定に保ち、原料ガスとしてエチレン及びアルゴンからなる混合ガスを50cm3/分の流速で60分間流して反応を行った。混合ガス中のエチレン分圧は40%以上とした。なお、反応温度は650℃でもよく、反応時間を30分〜5時間とすることで反応生成物が得られた。
先ず、ガラス基板上に第一の導電層43としてのクロム層を、スパッタ法により厚さ100nmとなるように成膜し、続いて、接着性を有する第二の導電層47としてのカーボンテープを固着した。このカーボンテープ上に、上記実施例1で回収したらせん状ナノ炭素材料複合体21を直接固着して、電子放出素子41を完成させた。
次に、実施例1及び2に対する比較例を示す。
ナノ炭素材料として市販されているクラスター状のカーボンナノチューブを用い、ペースト化した。具体的には、エチルセルロースをカルビトールに溶かし、ガラスフリットを加え、さらに市販のカーボンナノチューブを入れて十分混練してペーストとした。また、ガラス基板上に接着性のない導電層としてクロム層をスパッタ法により100nm厚で成膜し、上記作製したペーストを塗布した後に、空気中で焼成して脱溶剤処理及び脱有機バインダー処理を行い、真空中で焼成してガラスフリットを溶融して、市販のカーボンナノチューブを固着させ、比較例としてのエミッタを作製した。
図8から明らかなように、実施例2のらせん状ナノ炭素材料複合体からなるエミッタの電子放出特性では、電界強度が約1.5V/μmで急に立ち上がっていることが分かる。一方、比較例のエミッタの電子放出特性は、電界強度が2V/μmで急に立ち上がっていることが分かる。
上記結果から、実施例2のエミッタは、比較例よりも低電界から電子放出が生起し、しかも電流密度も大きいことが分かった。
2,22,35,45,58:ダイヤモンド粒子
3,23,36,46,59:らせん構造を有したナノ炭素材料
24:ダイヤモンド触媒粒子
31,41,51:電子放出素子
32,42,55:基体
33,43,56:導電層
47:第二の導電層
50:面発光素子
52:アノード電極
53:蛍光体
54:スペーサ
Claims (8)
- 基体と、
上記基体上に設けられた導電層と、
ダイヤモンド粒子の表面にパラジウムを介してらせん構造を有するナノ炭素材料が形成されてなるらせん状ナノ炭素材料複合体と、を含み、
上記らせん状ナノ炭素材料複合体が上記導電層上に設けられ、強電界により電子を放出することを特徴とする、電子デバイス。 - 前記導電層は導電性接着層であるか又は第一の導電層と接着性を有する第二の導電層とからなることを特徴とする、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記らせん構造を有するナノ炭素材料の直径は、1〜100nmであることを特徴とする、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記ダイヤモンド粒子は、前記らせん構造を有するナノ炭素材料と同オーダーの粒径を有していることを特徴とする、請求項1に記載の電子デバイス。
- 電子放出素子と蛍光体が形成されたアノード電極との間隙がスペーサを介して対向すると共に真空に保持されるように配置され、
上記電子放出素子は、基体と、該基体上に設けられた導電層と、ダイヤモンド粒子の表面にパラジウムを介してらせん構造を有するナノ炭素材料が形成されてなるらせん状ナノ炭素材料複合体と、を含み、
上記らせん状ナノ炭素材料複合体が上記導電層上に設けられ、強電界により電子を放出して上記蛍光体から面発光することを特徴とする、電子デバイス。 - 前記導電層は導電性接着層であるか又は第一の導電層と接着性を有する第二の導電層とからなることを特徴とする、請求項5に記載の電子デバイス。
- 前記らせん構造を有するナノ炭素材料の直径は、1〜100nmであることを特徴とする、請求項5に記載の電子デバイス。
- 前記ダイヤモンド粒子は、前記らせん構造を有するナノ炭素材料と同オーダーの粒径を有していることを特徴とする、請求項5に記載の電子デバイス。
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