KR20090113907A - 애노드 코팅을 구비한 전계 방출 소자 - Google Patents

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KR20090113907A
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아담 페니모어
데이비드 허버트 로치
랩-탁 앤드류 쳉
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

보호 재료가 애노드와 관련하여 사용되는 전계 방출 소자로서, 보호 재료가 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 군의 하나 이상의 구성원으로부터 선택되는 전계 방출 소자가 제공된다.
애노드, 코팅, 전계 방출 소자, 보호 재료, 탄소, 디스플레이

Description

애노드 코팅을 구비한 전계 방출 소자{FIELD EMISSION DEVICE WITH ANODE COATING}
본 출원은 모든 목적을 위해 본 명세서의 일부로서 전체적으로 참고로 포함된, 2007년2월 24일자로 출원된 미국 가출원 제60/903,259호의 이익을 청구한다.
본 발명은 보호 재료(들)가 애노드(anode)와 관련하여 사용되도록 제공되는 전계 방출 소자(field emission device)에 관한 것이다.
전계 방출 소자는 디스플레이 또는 조명 응용을 위한 가시광, 또는 분석 기기를 위한 x-선을 발생시킬 수 있다. 전형적인 전계 방출 소자는 애노드 및 캐소드(cathode)를 포함하며, 캐소드는 전형적으로 큰 전계 강화를 갖는 재료를 포함한다. 이러한 재료는 예를 들어 전압이 캐소드에 인가될 때 필요한 전계 강화를 달성하기 위해 원추형 또는 침상(acicular)일 수 있다.
전계 방출 소자의 캐소드에 통상적으로 채용되는 침상 재료는 탄소 나노튜브("CNT")이며, 이는 단일벽 또는 다중벽 튜브일 수 있다. CNT는 전계 방출 소자의 제조 목적을 위해 후막 페이스트(thick film paste) 내에 혼입되어 캐소드 구조체 상에 침착될 수 있다. 전계 방출 소자는 전형적으로 약 1.3×10-7 ㎪(1×10-6 Torr)의 부분 진공에서 작동되며, 이는 방출 재료에 의해 유리된 전자가 캐소드로부터 애노드로 이동될 수 있게 한다.
이러한 부분 진공에서는, 전자 방출 재료의 전계 방출을 열화시키기에 충분한 산소 또는 수증기가 존재할 수 있다. 열화는 주어진 전압에서 보다 낮은 방출 전류를 초래할 수 있거나, 동일한 방출 전류를 유지하기 위해 인가 전압을 시간에 따라 증가시킬 필요성을 초래할 수 있다. 열화는 애노드 표면의 전자 충격에 의해 형성되는 이온 및 라디칼의 존재로부터 그리고 다른 자유 반응성 가스의 존재로부터 기인하는 것으로 생각된다. 이들 이온, 라디칼 및 다른 반응성 가스는 전자 방출 재료와 반응함으로써 캐소드로부터의 전계 방출을 열화시키는 것으로 보인다. 소위 "스핀 팁(Spindt tip)"과 같은 금속이 캐소드에서 침상 방출 재료로서 사용될 때 유사한 문제점이 존재하는 것으로 여겨진다.
탄소 재료 및 중합체가 전계 방출 소자의 제조시 다양한 목적을 위해 앞서 사용되어 왔다. 예를 들어, 미국 특허 출원 제06/284,539호는 다이아몬드 유사(diamond-like) 코팅의 거칠기(asperity)로 인하여 전자 방출을 돕는, 전계 방출 소자의 애노드 상의 다이아몬드 유사 탄소의 코팅을 기재하고 있다. 미국 특허 출원 제06/197,428호는 전계 방출 소자의 애노드 상의 형광체를 둘러싸는 탄소 함유 블랙 매트릭스(black matrix)를 기재하고 있다.
중합체들이 전계 방출 소자의 애노드를 구성하는 데 앞서 사용되었던 경우에, 이들은 전형적으로 형광체 층의 후막 인쇄에, 패턴화된 애노드를 위한 포토레지스트에, 또는 알루미늄 박막을 형광체 상에 라미네이팅하기 위해 사용되었다. 그러나, 그러한 경우에, 전계 방출 소자의 밀봉 전에 애노드로부터 이들 중합체의 모든 잔류물을 소성(firing) 및 세정 단계를 통해 제거하기 위해 일반적으로 주의를 기울이게 된다.
결과적으로, 캐소드의 열화를 감소시킬 목적으로 애노드와 관련하여 사용될 수 있는 보호 재료(들)를 전계 방출 소자에서 선택 및 이용하기 위한 필요성이 남아 있다.
발명의 개요
일 실시 형태에서, 본 발명은 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌(fullerene), 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원을 포함하는 애노드를 포함하는 전계 방출 소자를 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 (a) 형광체 재료의 층, 및 (b) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원으로부터 만들어져 형광체 층 상에 배치되는 층을 포함하는 애노드를 포함하는 전계 방출 소자를 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 (a) 형광체 재료, 및 (b) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원의 혼합물로부터 만들어진 층을 포함하는 애노드를 포함하는 전계 방출 소자를 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 전술된 전계 방출 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 (a) 전계 방출 소자 내의 애노드로서 기재(substrate)를 제공하는 단계; 및 (b) (i) 형광체 재료, 및 (ii) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원의 혼합물로부터 형성되는 층을 기재 상에 코팅하는 단계에 의해 전계 방출 소자를 제조하는 방법을 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 (a) 전계 방출 소자 내의 애노드로서 기재를 제공하는 단계; (b) 형광체 재료로부터 형성되는 층을 기재 상에 코팅하는 단계; 및 (c) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원으로부터 형성되는 층을 형광체 층 상에 코팅하는 단계에 의해 전계 방출 소자를 제조하는 방법을 제공한다.
도 1은 실시예 1에서 시험된 소자에 대해 일정한 방출 전류를 유지하는 데 요구되는 인가 전압을 비교한 그래프.
도 2는 실시예 2에서 시험된 소자에 대해 일정한 방출 전류를 유지하는 데 요구되는 인가 전압을 비교한 그래프.
도 3은 실시예 2 및 실시예 3에서 시험된 소자들에 대해 일정한 방출 전류를 유지하는 데 요구되는 인가 전압을 비교한 그래프.
도 4는 실시예 4에서 시험된 소자에 대해 일정한 방출 전류를 유지하는 데 요구되는 인가 전압을 비교한 그래프.
전계 방출 소자의 애노드는 이에 충격을 가하는 방출된 전자를 수집하는 전기 전도체를 포함한다. 소자가 비디오 디스플레이인 경우, 애노드는 방출된 전자와 충돌시 광을 방출시키는 형광체 재료의 층을 또한 포함한다. 본 발명에서, 전계 방출 소자의 애노드는 본 명세서에 개시된 보호 재료(들) 중 하나 이상으로부터 만들어진 보호 층을 애노드의 일부로서 제공함으로써, 또는 그들 보호 재료(들) 중 하나 이상을 형광체와 혼합하여 형광체 층 내에 혼입시킴으로써 개선된다.
본 발명이 임의의 특정 작동 이론으로 한정되지는 않지만, 보호 재료(들)의 존재는 전자가 애노드 표면 상의 분자에 충격을 가할 때 애노드에서 생성되는 자유 라디칼 및 이온과 반응함으로써, 전자 방출 재료 및 이에 따라 궁극적으로는 전계 방출 소자 자체의 수명을 연장시키는 것으로 여겨진다. 이들 이온 및 라디칼의 주 공급원은 표면 흡착된 물을 포함하는 것으로 여겨진다. 애노드 또는 애노드 표면에서 보호 재료(들)와 반응한 후에, 이들 이온 및 라디칼은 더 이상 캐소드 상의 방출 재료와 자유롭게 반응하지 않아 이들의 전계 방출을 열화시키지 않는다. 애노드의 국부적인 가열은 소자에서 물 및 산소로부터 유래된 이온 및 라디칼과의 보호 재료(들)의 반응을 촉진시킬 수 있어서, 전자 방출 재료와 반응하여 이를 열화시킬 수 있는 가스를 소모시킬 수 있다. 따라서, 하나의 바람직한 실시 형태는 반응성 화학종이 보호 재료(들)와의 반응을 위해 보호 재료(들)에 용이하게 접근하게 하는 것을 포함하며, 이 목적은 예를 들어 애노드의 외부 층(즉, 캐소드에 가장 근접한 층)이, 전자 충돌 지점에 바로 위치되고 표면적이 최대가 되는 보호 재료(들)의 층("보호 층")일 때 달성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에서, 보호 층은 애노드의 표면을 보호 재료(들)로 코팅함으로써 형성될 수 있다. 보호 층을 만들 수 있는 보호 재료(들)는 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 군의 하나 이상의 구성원을 포함한다. 보호 층을 애노드 상에 제조하는 것은 다양한 코팅 기술들 중 임의의 것에 의해 달성될 수 있다. 코팅되는 보호 재료(들)는 예를 들어 용매에 현탁되고 나서, 스퍼터 코팅, 전자 빔 또는 열 증발, 승화 또는 화학 증착(CVD)과 같은 박막 기술을 이용하여 증착되거나, 전착되거나, 인쇄되거나, 분무되거나, 스핀 캐스팅될 수 있다. 코팅된 보호 층은 그의 보호 기능을 제공하기 위해서 반드시 균질하거나 그 아래의 임의의 층을 완전히 봉지할 필요는 없다.
본 발명의 다른 실시 형태에서, 예를 들어 전계 방출 소자가 디스플레이이고, 따라서 애노드가 형광체 층을 포함하는 경우에, 전술된 바와 같은 보호 재료(들)는 형광체 분말과 혼합되어 형광체 층의 일부분으로서 애노드에 적용될 수 있다. 대안적으로, 형광체 층은 종래에 행하여졌던 대로 적용될 수 있으며, 보호 층은 보호 재료(들)를 형광체 층 상에 코팅함으로써 형광체 층 상에 배치될 수 있다.
전술된 바와 같이, 보호 재료(들)는 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌 또는 탄소 나노튜브와 같은 다양한 형태의 탄소 또는 탄소 함유 재료를 포함할 수 있다. 비결정성 탄소는 어떠한 결정 구조도 갖지 않는 탄소이며, 약간의 단거리 질서(short-range order)가 관찰될 수는 있지만, 전반적으로는 원자 위치들의 장거리 패턴이 없다. 그러나, 비결정성 탄소는 흔히 흑연 또는 다이아몬드의 미세결정(crystallite)들을 함유하며, 이때 가변량의 비결정성 탄소가 그들을 함께 보유하여, 그들을 기술적으로 다결정성인 또는 나노결정성인 재료로 만든다. 본 명세서에 사용되는 비결정성 탄소는 또한 검댕(soot) 및 카본 블랙(carbon black)을 포함한다. 탄소의 가장 일반적인 동소체 중 하나인 흑연은 전형적으로 흡착된 공기 및 물을 사이에서 갖는 탄소 원자의 육각형 층들에 의해 특징지워진다. 탄소 원자의 평면 위 및 아래에서 파이(pi) 결합 전자의 비편재화(delocalization)로 인해 구조의 시트들 사이에 느슨한 층간 커플링(interlamellar coupling)이 존재한다. 흑연에서, 각각의 탄소 원자는 평면에서 3개의 다른 탄소 원자와의 공유 결합에서 그의 4개의 외각 에너지 준위 전자들 중 단지 3개만을 사용하며, 각각의 탄소 원자는 역시 화학 결합의 일부인 전자의 비편재화된 시스템에 하나의 전자를 제공한다.
다이아몬드 유사 탄소("DLC")는 천연 다이아몬드 특유의 특성들 중 몇몇을 나타내는 비결정성 탄소의 형태이다. DLC는 상당량의 sp3 혼성화된 탄소 원자를 함유하며, 2가지 결정성 다형(polytype)으로 발견될 수 있다. 보통의 것은 입방 격자로 배열된 탄소 원자들을 구비하는 반면, 아주 드문 것(론스달레이트(lonsdaleite))은 육각형 격자를 구비한다. 이들 다형을 나노스케일 구조 수준에서 여러 방식으로 혼합함으로써, 비결정성인 동시에 가요성이면서도 순전히 sp3 결합된 "다이아몬드"인 DLC 코팅이 만들어질 수 있다. DLC는 전형적으로 (예를 들어, 플라즈마에서, 스퍼터 증착에서, 그리고 이온 빔 증착에서) 고 에너지 전구 탄소(precursive carbon)가 비교적 저온의 표면 상에서 급속하게 냉각 또는 급냉되는 공정에 의해 생성된다. 그러한 경우에, 입방형 및 육각형 격자는 층과 원자 층이 서로 랜덤하게 상호 혼합될 수 있는데, 이는 원자가 재료의 제위치에 "고정되기(frozen)" 전에 결정성 기하학적 형상들 중 하나가 다른 하나를 희생하여 성장하는 데 이용가능한 시간이 없기 때문이다. sp3 결합은 결정체에서(즉, 장거리 질서를 갖는 고형체에서)뿐만 아니라, 원자가 랜덤 배열되는 비결정성 고형체에서도 일어날 수 있다. 이 경우에, 다수의 원자들에 걸쳐 연장되는 장거리 질서를 이루지 않고서 수 개의 개별적인 원자들 사이에서만 결합이 존재할 것이다. 만일 sp2 유형이 우세하다면, 필름은 보다 연질일 것이고, 만일 sp3 유형이 우세하다면, 필름은 보다 경질일 것이다.
풀러렌은 분자가 전적으로 탄소로 구성되고 중공 구체, 타원체 또는 튜브의 형태를 취하는 탄소의 동소체이다. 풀러렌은 연결된 육각형 고리들의 시트로 구성되는 흑연과 구조에 있어서 유사하지만, 풀러렌은 시트가 평탄하게 되는 것을 방지하는 오각형(또는 때때로 칠각형) 고리를 포함한다. 탄소 나노튜브는 그래핀(graphene) 시트를 권취함으로써 형성되는 실린더로서 생각될 수 있는 원통형 탄소 분자이며, 전형적으로 풀러렌 유형 구조의 반구체로 캡핑되는 적어도 하나의 말단을 구비한다. 나노튜브의 직경은 수 나노미터 정도이지만, 그들은 길이가 최대 수 센티미터일 수 있다. 2가지 주요 유형의 나노튜브, 즉 단일벽 나노튜브(single-walled nanotube, SWNT)와 다중벽 나노튜브(multi-walled nanotube, MWNT)가 있다. 탄소 나노튜브는 또한 튜브의 외부 측벽에 공유 부착되는 "배아(bud)"와 같은 풀러렌을 구비할 수 있다. 풀러렌과 탄소 나노튜브는 또한 모든 목적을 위해 본 명세서의 일부로서 전체적으로 참고로 포함된 미국 특허 출원 제11/205,452호에 기재되어 있다.
본 명세서에서 보호 재료로서 사용될 수 있는 (공)중합체(즉, 중합체 또는 공중합체)는 예를 들어 폴리비닐 알코올, 에틸 셀룰로오스, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌을 포함한 폴리올레핀, 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함한 폴리에스테르, 폴리메틸 메타크릴레이트를 포함한 아크릴/아크릴레이트 중합체, 폴리아미드, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 파릴렌, 다당류 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 적합한 (공)중합체는 물로부터 생성되는 것과 같은, 전계 방출 소자에서 발견되는 열화성 화학종(degradative species) 부류들과 반응하며 주로 탄소 골격을 갖고 실온에서 고형물인 다른 중합체를 포함한다. (공)중합체가 보호 재료로서 애노드에 적용될 때, 이는 스핀 코팅, 분무 코팅, 다양한 인쇄 기술 및 슬롯 다이 코팅에 의해 적용될 수 있다. 대안적으로, 다양한 (공)중합체가 승화 및 화학 증착(CVD)을 포함한 박막 기술을 이용하여 침착될 수 있다.
본 발명에서 보호 재료로서 사용되는 유기 코팅 재료는, 예를 들어 실온에서 고형물이고 전계 방출 소자 내에 존재하는 진공 내에서 완전히 증발되지 않게 하기에 충분히 낮은 증기압을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 적합한 유기 코팅 재료는, 예를 들어 25℃에서의 증기압이 약 1.3×10-7 ㎪(10-6 Torr) 미만일 수 있다. 본 발명에서 보호 재료로서 사용하기에 적합한 유기 코팅 재료의 예는 다환식 방향족(예를 들어, 페릴렌 또는 파이렌), 다환식 헤테로방향족, 포르피린, 프탈로시아닌 및 탄수화물을 포함한다. 이들과 같은 재료는 용매에 현탁된 다음에, 애노드 상에 스핀 캐스팅 또는 분무될 수 있다. 대안적으로, 이들 재료 중 몇몇은 승화 및 화학 증착(CVD)을 포함한 박막 기술을 이용하여 침착될 수 있다.
본 발명에 사용하기에 적합한 보호 재료 및 형광체 분말은 당업계에 공지된 공정에 의해 제조될 수 있거나, 또는 알파 아에사르(Alfa Aesar)(미국 매사추세츠주 워드 힐 소재), 시티 케미칼(City Chemical)(미국 코네티컷주 웨스트 헤이븐 소재), 피셔 사이언티픽(Fisher Scientific)(미국 뉴저지주 페어론 소재), 시그마-알드리치(Sigma-Aldrich)(미국 미주리주 세인트 루이스 소재) 또는 스탠포드 머티리얼스(Stanford Materials)(미국 캘리포니아주 알리소 비에조 소재)와 같은 공급처로부터 구매가능하다.
본 발명에서, 보호 재료(들)는 이전에 애노드에 적용되었던 임의의 다른 층의 상면을 포함한 애노드의 표면 상에 배치되는 보호 층을 보호 재료(들)로부터 형성함으로써, 또는 보호 재료(들)와 형광체 분말을 혼합하여 그러한 성분들의 혼합물로서 애노드의 표면으로서 적용되는 코팅 제형을 제조함으로써 이용될 수 있다. 코팅 혼합물은 또한 보호 재료(들)와, 형광체 분말에 더한 또는 형광체 분말 이외의 애노드에 적용되는 재료로부터 형성될 수 있다. 보호 재료(들)가 형광체 및/또는 다른 성분과 혼합되어 제조되고, 혼합물이 이어서 애노드의 표면에 코팅 제형으로서 적용될 때, 보호 재료(들)는 총 혼합물의 중량과 관련하여 혼합물의 약 5 내지 약 50 중량%, 또는 약 10 내지 약 40 중량%, 또는 약 15 내지 약 20 중량%를 구성할 수 있다.
보호 층, 또는 보호 재료(들)가 성분으로서 혼합된 층은 바람직하게는 애노드의 표면 상에 그리고 캐소드로부터 방출된 전자의 경로에 직접 위치될 것이며, 그러한 층의 표면은 바람직하게는 매끄럽고 조도(roughness) 또는 거칠기가 없을 것이다. 보호 재료(들)는, 우선적으로 열화성 화학종과 반응하여서 전자 방출 재료의 열화를 억제함으로써 캐소드 및 그에 따른 소자의 수명을 연장시키는 것으로 여겨진다.
일반적으로, 전계 방출 소자에서 방출체(emitter)의 열화 속도를 감소시키는 보호 재료의 효과는, 예를 들어 보다 많은 양의 보호 재료를 형광체 분말과 혼합하여 제공하여 혼합된 형광체 층을 형성함으로써, 소자를 보다 낮은 진공 수준에서 작동시킴으로써, 소자를 보다 낮은 방출 수준을 생성하도록 작동시킴으로써, 그리고 소자의 진공 챔버의 구성에서 캐소드와 애노드 사이에 보다 큰 간격을 사용함으로써 향상될 것이다.
전계 방출 소자에서, 전자 방출 재료는 캐소드 상에 배치되고, 통전시 애노드에 전자로 충격을 가한다. 전자 방출 재료는 탄소, 반도체, 금속 또는 이들의 혼합물과 같은 침상 물질일 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "침상"은 10 이상의 종횡비(aspect ratio)를 갖는 입자를 의미한다. 전형적으로, 유리 프릿(frit), 금속성 분말 또는 금속성 페인트 또는 이들의 혼합물이 전자 방출 재료를 캐소드 조립체의 기재에 부착시키는 데 사용된다.
전자 방출 재료로서 사용되는 침상 탄소는 다양한 유형의 것일 수 있지만, 탄소 나노튜브는 바람직한 침상 탄소이고, 단일벽 탄소 나노튜브가 특히 바람직하다. 탄소 함유 가스의 촉매 분해로부터 작은 금속 입자 위에 성장하는 탄소 섬유가 또한 침상 탄소로서 유용하며, 침상 탄소의 다른 예는 폴리아크릴로니트릴계(PAN계) 탄소 섬유 및 피치계 탄소 섬유이다.
전자 방출 재료를 기재에 부착시키는 데 다양한 공정이 사용될 수 있다. 부착 수단은 전계 방출 캐소드가 내부에 위치되는 장치의 제조 조건 그리고 그의 사용시의 주위 조건, 예를 들어 전형적으로는 진공 조건 및 최대 약 450℃의 온도 하에서 견뎌야 하고 그의 완전성을 유지하여야 한다. 바람직한 방법은 전자 방출 재료와 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트 또는 이들의 혼합물로 구성된 페이스트를 원하는 패턴으로 기재 상에 스크린 인쇄한 다음에, 건조된 패턴화된 페이스트를 소성하는 것이다. 보다 매우 다양한 응용에 대해서, 예를 들어 보다 세밀한 해상도를 요구하는 응용에 대해서, 바람직한 공정은 광 개시제 및 광 경화성 단량체를 추가로 포함하는 페이스트를 스크린 인쇄하는 단계, 건조된 페이스트를 광 패턴화하는 단계 및 패턴화된 페이스트를 소성하는 단계를 포함한다.
기재는 페이스트 조성물이 점착되는 임의의 재료일 수 있다. 페이스트가 비전도성이고 비전도성 기재가 사용되면, 전압을 전자 방출 재료에 인가하는 수단을 제공하고 캐소드 전극으로서 역할하는 전기 전도체의 필름이 필요할 것이다. 규소, 유리, 금속 또는 내화 재료, 예를 들어 알루미나가 기재로서 역할할 수 있다. 디스플레이 응용에 대해서, 바람직한 기재는 유리이고, 소다 석회 유리가 특히 바람직하다. 유리 상에서의 최적 전도도를 위해서, 은 페이스트가 공기 또는 질소, 바람직하게는 공기 중에서 500 내지 550℃에서 유리 상에 예비 소성될 수 있다. 이렇게 형성된 전도층은 이어서 방출체 페이스트로 중첩 인쇄될 수 있다.
스크린 인쇄에 사용되는 페이스트는 전형적으로 전자 방출 재료, 유기 매질, 용매, 계면활성제, 그리고 저 연화점 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트 또는 이들의 혼합물 중 어느 것을 함유한다. 매질 및 용매의 역할은 스크린 인쇄와 같은 전형적인 패턴화 공정을 위한 적절한 리올로지(rheology)를 가지고서 미립자 구성성분, 즉 고형물을 페이스트에 현탁 및 분산시키는 것이다. 셀룰로오스 수지, 예를 들어 에틸 셀룰로오스 및 다양한 분자량의 알키드 수지를 포함하는 그러한 목적을 위한 사용에 대해 공지된 많은 유기 매질이 있다. 부틸 카비톨, 부틸 카비톨 아세테이트, 다이부틸 카비톨, 다이부틸 프탈레이트 및 테르핀올이 유용한 용매의 예이다. 원하는 점도 및 휘발성 요건을 달성하도록 이들 및 다른 용매가 제형된다.
소성 온도에서 기재 및 전자 방출 재료에 점착되기에 충분하게 연화되는 유리 프릿이 또한 사용된다. 납 또는 비스무스 유리 프릿뿐만 아니라 칼슘 또는 아연 붕규산염과 같은 다른 저 연화점 유리가 사용될 수 있다. 보다 높은 전기 전도도를 갖는 스크린 인쇄가능한 조성물이 요구된다면, 페이스트는 또한 금속, 예를 들어 은 또는 금을 함유할 수 있다. 페이스트는 전형적으로 페이스트의 총 중량을 기준으로 약 40 중량% 내지 약 80 중량%의 고형물을 함유한다. 이들 고형물은 전자 방출 재료 및 유리 프릿 및/또는 금속성 성분을 포함한다. 인쇄된 재료의 점도 및 최종 두께를 조절하기 위해 조성물의 변형들이 사용될 수 있다.
방출체 페이스트는 전형적으로 저 연화점 유리 프릿, 금속성 분말 또는 금속성 페인트 또는 이들의 혼합물 중 어느 것, 용매, 계면활성제, 유기 매질, 및 전자 방출 재료의 혼합물을 3개의 롤로 밀링함으로써 제조된다. 페이스트 혼합물은 예를 들어 165 내지 400 메쉬 스테인레스강 스크린을 사용하여 스크린 인쇄될 수 있다. 페이스트는 연속적인 필름으로서, 또는 원하는 패턴의 형태로 침착될 수 있다. 기재가 유리일 때, 페이스트는 이어서 질소 중에서 약 10분 동안 약 350℃ 내지 약 550℃, 바람직하게는 약 450℃ 내지 525℃의 온도에서 소성된다. 분위기에 산소가 없다면, 보다 높은 소성 온도가 이를 견딜 수 있는 기재에 사용될 수 있다. 그러나, 페이스트의 유기 구성성분은 350 내지 450℃에서 효과적으로 휘발되어, 전자 방출 재료 및 유리 및/또는 금속성 전도체의 복합물의 층을 남기게 된다. 전자 방출 재료는 질소 중에서의 소성 동안에 어떠한 감지할 수 있을 정도의 산화나 다른 화학적 또는 물리적 변화도 겪지 않는 것으로 보인다.
스크린 인쇄된 페이스트를 광 패턴화하려면, 페이스트는 또한 예를 들어 적어도 하나의 중합성 에틸렌 기를 갖는 적어도 하나의 추가의 중합성 에틸렌계 불포화 화합물로 구성되는 광 경화성 단량체, 현상가능한 결합제, 및 광 개시제를 함유할 수 있다. 전형적으로, 탄소 나노튜브와 같은 전자 방출 재료, 은 및 유리 프릿으로부터 제조되는 페이스트는 페이스트의 총 중량을 기준으로 약 0.01 내지 6.0 중량%의 나노튜브, 미세 은 입자 형태의 약 40 내지 75 중량%의 은, 및 약 3 내지 15 중량%의 유리 프릿을 함유할 것이다.
소자의 애노드는 전기 전도층으로 코팅된 전극이다. 캐소드가 전술된 후막 페이스트 침착물의 픽셀의 어레이를 포함하는 디스플레이 장치에 전계 방출 소자가 사용될 때, 디스플레이 장치의 애노드는 입사하는 전자를 광으로 변환시키는 형광체를 포함할 수 있다. 애노드의 기재는 또한 생성된 광이 투과될 수 있게 투명하도록 선택될 것이다. 캐소드 조립체 및 애노드로부터, 캐소드 조립체 및 애노드가 스페이서에 의해 이격되어 있고 애노드와 캐소드 사이에 배기된 공간이 있는 밀봉된 유닛이 구성된다. 이러한 배기된 공간은 캐소드로부터 방출된 전자들이 가스 분자와의 단지 작은 충돌 횟수만을 가지면서 애노드로 이동될 수 있도록 부분 진공 하에 있을 필요가 있다. 흔히, 배기된 공간은 1.3×10-6 ㎪(10-5 Torr) 미만의 압력까지 배기된다.
그러한 전계 방출 소자는 다양한 전자 응용, 예를 들어 진공 전자 장치, 평판 컴퓨터 및 텔레비전 디스플레이, LCD 디스플레이용 백라이트 광원, 방출 게이트 증폭기(emission gate amplifier) 및 클라이스트론(klystron)에서 그리고 조명 장치에서 유용하다. 예를 들어, 전계 방출 전자 공급원, 즉 전계 방출 재료 또는 전계 방출체를 사용하는 캐소드와, 전계 방출체에 의해 방출된 전자에 의한 충격시 광을 방출시킬 수 있는 형광체를 구비하는 평판 디스플레이가 제안되었다. 그러한 디스플레이는 종래의 음극선관의 시각적 표시 이점과 다른 평판 디스플레이의 깊이, 중량 및 전력 소비 이점을 제공할 수 있다. 평판 디스플레이는 평탄하거나 만곡될 수 있다. 미국 특허 제4,857,799호 및 제5,015,912호는 텅스텐, 몰리브덴 또는 규소로 구성된 마이크로-팁 캐소드를 사용한 매트릭스 어드레스(matrix-addressed) 평판 디스플레이를 개시한다. 국제특허공개 WO 94-15352호, WO 94-15350호 및 WO 94-28571호는 캐소드가 비교적 평탄한 방출 표면을 구비하는 평판 디스플레이를 개시한다. 이들 장치는 또한 모든 목적을 위해 본 명세서의 일부로서 전체적으로 참고로 포함된 미국 특허 공개 제2002/0074932호에 기재되어 있다.
본 발명의 이로운 특성 및 효과는 후술되는 일련의 실시예(실시예 1 내지 실시예 4)에서 알 수 있다. 실시예가 기초로 하는 실시 형태는 단지 대표적이며, 본 발명을 예시하기 위한 이들 실시 형태의 선택은 이들 실시예에 기재되지 않은 재료, 배열, 구성요소, 성분 또는 구성이 본 발명의 실시에 적합하지 않거나, 또는 이들 실시예에 기재되지 않은 주제가 첨부된 청구의 범위 및 그 등가물의 범주로부터 배제됨을 나타내는 것은 아니다.
압력이 약 1.3×10-7 ㎪(1×10-6 Torr) 내지 약 1.3×10-9 ㎪(1×10-8 Torr) 범 위인 진공 챔버에서 전계 방출체의 샘플을 시험하였다. 샘플 내의 캐소드를 탄소 나노튜브를 포함한 후막 페이스트를 사용하여 제조하였다. 후막 페이스트를 관심대상의 전형적인 패턴을 가지고서 캐소드 상에 패턴화하였다. 이어서 패턴화된 캐소드를 질소 분위기에서 약 30분 동안 약 420℃에서 소성하였다. 소성되면, 패턴화된 전자 방출 필름을 파절시켜, 패널을 접착 테이프와 라미네이팅하고 테이프를 제거함으로써 전자 방출 재료를 노출시켰다. 이어서 두께 d = 640 ㎛의 스페이서를 캐소드 표면 상에 위치시켰으며, 관심대상의 애노드를 스페이서의 상부 상에 위치시켜 다이오드 전계 방출 소자를 생성한다.
이어서 각각의 샘플 전계 방출 소자를 각각의 소자의 애노드 및 캐소드에 대해 전기 접촉이 이루어지는 진공 시스템 내에 위치시켰다. 고전압 펄스 구형파(pulsed square wave)(VC)를 샘플의 캐소드에 인가하여 방출 전류를 형성하였다. 일정한 전류를 유지시키기 위해, DC 바이어스를 애노드에 인가한다(VA). 방출 전류의 열화는 총 인가 전계[(VA - VC)/d]의 증가율에 직접 대응한다. 방출체가 열화됨에 따라, 그들의 열화를 보상하기 위해 보다 큰 전계가 필요하며, 따라서 총 인가 전계의 증가율은 열화율에 직접 대응한다. 인가 전계의 보다 낮은 증가율은 보다 낮은 열화율 및 그에 따른 전계 방출 소자의 존속기간 또는 수명에서의 이점을 나타낸다.
실시예 1
도 1은 동일한 진공 챔버에서 동시에 진행된 2개의 상이한 전계 방출 소자 샘플로부터 일정한 방출 전류를 유지하는 데 요구되는 인가 전계를 나타낸다. 중실 흑색 정사각형의 곡선은 소성되지 않은 형광체 층을 구비한 샘플에 해당하고, 중공 원의 곡선은 소성된 형광체 층을 구비한 샘플에 해당한다. 소성된 형광체 층 및 소성되지 않은 형광체 층의 주요 차이점은, 소성되지 않은 형광체 층은 결합제가 휘발되는 전형적인 소성 작업에 소자가 처해지지 않기 때문에 결합제 재료(전형적으로 중합체, 이 경우에는 에틸 셀룰로오스)와의 혼합 상태로 유지되는 형광체 분말을 함유한다는 것이다. 소성된 형광체 층을 구비한 샘플에서, 형광체 층은 전술된 바와 같은 휘발 효과로 인해 어떠한 잔류 결합제도 함유하지 않는다.
초기에, 소성되지 않은 형광체 층을 구비한 샘플의 열화율(즉, 현재의 방출 전류를 유지하기 위해 필요한 인가 전압의 증가율)은 소성된 형광체 층을 구비한 샘플의 열화율보다 더 낮다. 이러한 열화율의 차이는 소성되지 않은 형광체 층에 함유된 잔류 결합제의 존재에 기인한다. 그러나, 사용 중, 결합제는 휘발되고, 이어서 열화율은 소성된 형광체 층이 서비스 시작시부터 결합제를 전혀 갖지 않은 소자의 열화율과 일치하도록 증가하기 시작한다. 이 실시예에서, 형광체 층 내의 형광체 분말과의 혼합을 위한 보호 재료의 첨가는 형광체 층을 소성하는 단계를 생략함으로써 형광체 층에 잔류 결합제 재료를 남겨두는 기술에 의해 제공되었다.
실시예 2
보호 재료로서의 탄소를 ITO(인듐 주석 산화물, 투명한 전도성 재료)로 제조된 애노드 상에 스퍼터 증착시켰다. 탄소 코팅은 22 ㎚의 두께였으며 특성이 비결정성이었다. 이러한 탄소 코팅된 애노드를 전계 방출 소자에 설치하였고, 그 소자 의 방출체의 열화율을 애노드가 어떠한 코팅도 없이 ITO로부터 제조된 소자와 비교하였다. 코팅된 애노드를 구비한 소자에서, 열화율은 도 2에 나타낸 바와 같이 코팅되지 않은 애노드를 구비한 소자의 열화율보다 현저히 더 낮았다. 그러나, 약 75시간 후에, 열화율은 증가하기 시작하였으며, 이러한 증가는 애노드가 광학 현미경에 의해 검사될 때 물리적으로 관찰될 수 있는 탄소 층의 소모에 기인하였다. 50 내지 70시간에서 ITO 단독 애노드의 하부 곡선에서의 약간의 감소는 애노드 상에 위치된 DC 바이어스의 전압 제한에 기인하였다.
실시예 3
애노드 상의 보호 탄소는 비결정성이거나 스퍼터 증착될 필요는 없다. 이 실시예에서, 아이소프로필 알코올 중에 흑연질 및 비결정성 탄소의 혼합물을 함유하는 구매가능한 흑연 페인트(네오루브 넘버 2(Neolube No.2), 미국 48061 미시간주 포트 휴런 소재의 휴런 인더스트리즈 인크.(Huron Industries Inc.))를 사용하여 스핀 코팅에 의해 ITO 애노드를 코팅하였다. 도 3은 그러한 애노드가 설치된 전계 방출 소자의 방출체 열화율이 실시예 2의 탄소 코팅된 애노드를 구비한 소자의 열화율과 유사하였음을 나타낸다. 동시에 진행된 코팅되지 않은 ITO 애노드를 구비한 소자는 실시예 2의 코팅되지 않은 애노드를 구비한 소자의 성능과 비견할만한 훨씬 큰 열화율을 나타내었다.
실시예 4
전계 방출 디스플레이 소자에서, 애노드는 흔히 형광체 및 이어서 알루미늄 층으로 코팅된 ITO 유리 기재이다. 알루미늄 층은, 애노드의 전방 외부로 투사되 는 광의 양을 최대화시키고 애노드의 전도도를 증가시키도록 작용한다. 이러한 구조를 갖는 종래의 소자는 몇몇 최악의 열화율을 나타내는 것으로 밝혀졌다.
도 4는 동시에 진행되었던 2개의 소자의 샘플에 대한 결과를 나타내는데, 이때 중실 정사각형을 갖는 곡선은 형광체로 코팅된 다음에 소성되고 100 ㎚의 알루미늄이 전자 빔 증착을 통해 증착된 ITO 애노드를 구비한 샘플에 해당한다. 중공 원을 갖는 곡선에 의해 나타내어진 소자의 애노드는 100 ㎚의 탄소의 층이 알루미늄 층의 상부 상에 스퍼터 코팅된 것을 제외하고는 동일하였다. 이러한 최종 탄소 층이 탄소 코팅된 애노드를 구비한 소자의 방출체의 열화율을 현저히 감소시키는 것을 볼 수 있다. 탄소 코팅된 애노드를 구비하지 않은 소자가 전압 한계치 도달시까지 급격히 열화되는 경우에, 탄소 코팅된 애노드를 구비한 소자는 훨씬 낮은 열화율로 열화되었다.
본 발명의 소자들의 소정의 특징부들이 다양한 그러한 특징부들을 함께 조합한 하나 이상의 특정 실시 형태와 관련하여 본 명세서에서 설명된다. 그러나, 본 발명의 범주는 임의의 특정 실시 형태 내의 소정의 특징부만의 설명에 의해 제한되지 않으며, 본 발명은 또한 (1) 임의의 설명된 실시 형태의 모든 특징부들보다 적은 하위 조합(subcombination)(그러한 하위 조합은 그 하위 조합을 형성하기 위하여 생략되는 특징부가 없음에 의해 특징지워질 수 있음); (2) 임의의 설명된 실시 형태의 조합 내에 개별적으로 포함된 각각의 특징부; 및 (3) 둘 이상의 설명된 실시 형태의 선택된 특징부만을, 선택적으로는 본 명세서의 어딘가 다른 곳에 개시된 다른 특징부와 함께, 그룹화하여 형성된 특징부들의 다른 조합을 포함한다.
본 명세서에서, 명백하게 달리 기술되거나 용법 관계에 의해 반대로 표시되지 않으면, 본 발명의 주제의 실시 형태가 소정의 특징부 또는 요소를 포함하거나, 함유하거나, 갖거나, 이로 이루어지거나 이에 의해 또는 이로 구성되는 것으로서 기술되거나 설명된 경우에, 명백하게 기술되거나 설명된 것들에 더하여 하나 이상의 특징부 또는 요소가 실시 형태에 존재할 수 있다. 그러나, 본 발명의 주제의 대안적 실시 형태는 소정의 특징부 또는 요소로 본질적으로 이루어지는 것으로서 기술되거나 설명될 수 있는데, 이 실시 형태에서는 실시 형태의 작동 원리 또는 구별되는 특징을 현저히 변화시키는 특징부 또는 요소가 실시 형태 내에 존재하지 않는다. 본 발명의 주제의 추가의 대안적 실시 형태는 소정의 특징부 또는 요소로 이루어지는 것으로서 기술되거나 설명될 수 있는데, 이 실시 형태에서 또는 그의 가상의 변형에서는 구체적으로 기술되거나 설명된 특징부 또는 요소만이 존재한다.

Claims (18)

  1. (a) 형광체 재료의 층, 및 (b) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌(fullerene), 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원으로부터 만들어져 형광체 층 상에 배치되는 층을 포함하는 애노드(anode)를 포함하는 전계 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서, 보호 재료(들)로부터 형성되는 층은 애노드의 표면을 형성하는 소자.
  3. 제1항에 있어서, 탄소 나노튜브를 포함하는 캐소드(cathode)를 포함하는 소자.
  4. 제1항에 있어서, 보호 재료는 탄소를 포함하는 소자.
  5. 제1항에 있어서, 보호 재료는 (공)중합체를 포함하는 소자.
  6. 제1항에 따른 전계 방출 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  7. (a) 형광체 재료, 및 (b) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러 렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원의 혼합물로부터 만들어진 층을 포함하는 애노드를 포함하는 전계 방출 소자.
  8. 제7항에 있어서, 혼합물로부터 형성되는 층은 애노드의 표면을 형성하는 소자.
  9. 제7항에 있어서, 탄소 나노튜브를 포함하는 캐소드를 포함하는 소자.
  10. 제7항에 있어서, 보호 재료는 탄소를 포함하는 소자.
  11. 제7항에 있어서, 보호 재료는 (공)중합체를 포함하는 소자.
  12. 제7항에 따른 전계 방출 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  13. (a) 전계 방출 소자 내의 애노드로서 기재(substrate)를 제공하는 단계; 및
    (b) (i) 형광체 재료, 및 (ii) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원의 혼합물로부터 형성되는 층을 기재 상에 코팅하는 단계
    를 포함하는, 전계 방출 소자의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 보호 재료는 탄소를 포함하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 보호 재료는 (공)중합체를 포함하는 방법.
  16. (a) 전계 방출 소자 내의 애노드로서 기재를 제공하는 단계;
    (b) 형광체 재료로부터 형성되는 층을 기재 상에 코팅하는 단계; 및
    (c) 비결정성 탄소, 흑연, 다이아몬드 유사 탄소, 풀러렌, 탄소 나노튜브, (공)중합체 및 유기 코팅 화합물로 이루어진 보호 재료의 군의 하나 이상의 구성원으로부터 형성되는 층을 형광체 층 상에 코팅하는 단계
    를 포함하는, 전계 방출 소자의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 보호 재료는 탄소를 포함하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 보호 재료는 (공)중합체를 포함하는 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101088106B1 (ko) * 2008-12-02 2011-11-30 한국전자통신연구원 전계 방출 장치
CN102810641B (zh) * 2011-05-30 2016-04-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
TWI492669B (zh) * 2012-08-22 2015-07-11 Univ Nat Defense 場發射陽極及其製造方法
CN103426718B (zh) * 2013-03-25 2016-08-10 上海显恒光电科技股份有限公司 平板紫外辐射光源3d打印系统及其光源
US10211049B2 (en) * 2015-08-07 2019-02-19 North Carolina State University Synthesis and processing of pure and NV nanodiamonds and other nanostructures
JP6849224B2 (ja) * 2016-10-10 2021-03-24 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 照明光源及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE792490A (fr) * 1971-12-10 1973-03-30 Gen Electric Ecrans fluorescents
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
US5015912A (en) * 1986-07-30 1991-05-14 Sri International Matrix-addressed flat panel display
ITMI991155A1 (it) * 1999-05-25 2000-11-25 Videocolor Spa Metodo per metallizzare uno schermo luminescente
US6353286B1 (en) * 1999-10-08 2002-03-05 Motorola, Inc Field emission display having a multi-layered barrier structure
JP3594855B2 (ja) * 1999-11-11 2004-12-02 双葉電子工業株式会社 蛍光発光型表示器
WO2002011169A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Candescent Technologies Corporation Protected structure of flat panel display
US6645628B2 (en) * 2001-11-13 2003-11-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Carbon nanotube coated anode
DE60221951T2 (de) * 2001-11-23 2008-05-15 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Zusammensetzung für Paste mit Kohlenstoffnanoröhren, diese Zusammensetzung verwendende Elektronen-emittierende Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren
JP2005235655A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
US20060255715A1 (en) * 2004-11-09 2006-11-16 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube containing phosphor

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EP2126954A1 (en) 2009-12-02
US20100072879A1 (en) 2010-03-25

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