JP2004235603A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004235603A
JP2004235603A JP2003168799A JP2003168799A JP2004235603A JP 2004235603 A JP2004235603 A JP 2004235603A JP 2003168799 A JP2003168799 A JP 2003168799A JP 2003168799 A JP2003168799 A JP 2003168799A JP 2004235603 A JP2004235603 A JP 2004235603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
impurity
diffusion
gate electrode
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003168799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4236992B2 (ja
Inventor
Yoichi Momiyama
陽一 籾山
Kenichi Okabe
堅一 岡部
Takashi Saiki
孝志 齋木
Hidenobu Fukutome
秀暢 福留
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2003168799A priority Critical patent/JP4236992B2/ja
Priority to US10/465,823 priority patent/US6977417B2/en
Priority to TW092116967A priority patent/TWI222177B/zh
Priority to CNB031428924A priority patent/CN1291500C/zh
Priority to KR1020030040917A priority patent/KR100936413B1/ko
Publication of JP2004235603A publication Critical patent/JP2004235603A/ja
Priority to US11/260,464 priority patent/US7592243B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4236992B2 publication Critical patent/JP4236992B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/2658Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a molecular ion, e.g. decaborane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26586Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823807Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823814Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66492Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a pocket or a lightly doped drain selectively formed at the side of the gate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/6656Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66575Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
    • H01L29/6659Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M15/00Arrangements for metering, time-control or time indication ; Metering, charging or billing arrangements for voice wireline or wireless communications, e.g. VoIP
    • H04M15/80Rating or billing plans; Tariff determination aspects
    • H04M15/8016Rating or billing plans; Tariff determination aspects based on quality of service [QoS]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M15/00Arrangements for metering, time-control or time indication ; Metering, charging or billing arrangements for voice wireline or wireless communications, e.g. VoIP
    • H04M15/81Dynamic pricing, e.g. change of tariff during call
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W4/00Services specially adapted for wireless communication networks; Facilities therefor
    • H04W4/24Accounting or billing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2215/00Metering arrangements; Time controlling arrangements; Time indicating arrangements
    • H04M2215/01Details of billing arrangements
    • H04M2215/0112Dynamic pricing, e.g. change of tariff during call
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2215/00Metering arrangements; Time controlling arrangements; Time indicating arrangements
    • H04M2215/20Technology dependant metering
    • H04M2215/2026Wireless network, e.g. GSM, PCS, TACS
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2215/00Metering arrangements; Time controlling arrangements; Time indicating arrangements
    • H04M2215/22Bandwidth or usage-sensitve billing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2215/00Metering arrangements; Time controlling arrangements; Time indicating arrangements
    • H04M2215/32Involving wireless systems
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M2215/00Metering arrangements; Time controlling arrangements; Time indicating arrangements
    • H04M2215/74Rating aspects, e.g. rating parameters or tariff determination apects
    • H04M2215/7414QoS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Accounting & Taxation (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現する。
【解決手段】エクステンション構造の不純物拡散層を形成するに際して、先ずポケット領域を形成する不純物としてSbをイオン注入した後、続いて拡散抑制物質であるNを、ゲート絶縁膜の界面近傍及びポケット領域の不純物が形成する電気的欠陥界面であるアモルファス/結晶界面の2箇所に濃度ピークを有するように注入する。そして、エクステンション領域及び深いソース/ドレイン領域を形成するためのイオン注入を実行する。
【選択図】 図5

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エクステンション構造の半導体装置及びその製造方法に関し、特にCMOS構造の半導体装置に適用して好適である。
【0002】
【従来の技術】
従来、MOSトランジスタの構造として、短チャネル効果の抑制及びホットキャリア耐性等を向上させるべく、LDD構造が採用されている。
一方、半導体装置の微細化・高集積化が進み、それに伴いMOSトランジスタではゲート長の短縮化が促進されている。ところが、ゲート長の短縮化に起因して、ホットキャリアによる閾値電圧の経時変化や相互コンダクタンスの劣化等の不都合が発生するおそれがある。そこでこれに対処するため、いわゆるエクステンション構造(LDD構造)のMOSトランジスタが案出されている。このMOSトランジスタは、浅いエクステンション領域を形成した後、ゲート電極にサイドウォール等を形成し、エクステンション領域と一部重畳するように深いソース/ドレイン領域を形成することにより、一対の不純物拡散層が形成されてなるものである。
【0003】
【特許文献1】
特開平2−270335号公報
【特許文献2】
特開平8−78674号公報
【特許文献3】
特開平10−79506号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、最近ではMOSトランジスタの更なる微細化・高集積化が急速に進行しており、エクステンション構造のMOSトランジスタには以下に示すような2点の問題が浮上している。
【0005】
(1)MOSトランジスタの更なる微細化のためには、エクステンション領域の濃度プロファイルが重要になる。特に、エクステンション領域における横方向の濃度プロファイルは、電流駆動能力を向上させるうえで鍵を握る事項である。この場合、閾値電圧のロールオフ特性と電流駆動能力、即ちエクステンション領域の電気抵抗とが言わばトレードオフの関係にあり、以下に示すように両者の精緻な調節が必要である。
【0006】
閾値電圧のロールオフ特性を向上させるためには、与えられた物理的なゲート長に対して、できるだけ大きな冶金学的な実効ゲート長を確保することが望ましい。これによりチャネルの不純物濃度を低く設定することが可能となり、キャリアの不純物による散乱が少なくなるために移動度が向上し、結果としてMOSトランジスタの電流駆動能力が改善される。ここで、冶金学的な実効ゲート長が同一であれば、物理的なゲート長を小さくすることが可能である。
【0007】
しかしその一方で、エクステンション領域はゲート電極と十分にオーバーラップしていなければならない。強反転状態の反転層におけるキャリア密度は1019/cmのオーダーに達するため、ゲート電極のエッジ直下におけるエクステンション領域、即ちエクステンション領域の先端部分が電気抵抗として働き電流駆動能力の劣化を招くおそれがある。これを抑止するには、前記先端部分の不純物濃度を少なくとも5×1019/cm以上とする必要がある。
【0008】
このように不純物濃度を制御したエクステンション領域を形成するには、エクステンション領域における横方向の濃度プロファイルを急峻にすることを要する。即ち、前記先端部分で5×1019/cm以上の不純物濃度を確保し、当該先端部分からチャネル方向へ向かって急激に濃度が減少するような濃度プロファイルを形成することが好ましい。理想的には、所謂ボックス形状にエクステンション領域を形成することが好適である。しかしながら、横方向の濃度プロファイルは、一般的に拡散現象に支配されているため、その急峻性を所望に制御することは極めて困難である。
【0009】
(2)現在のMOSトランジスタでは、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を更に向上させるため、エクステンション領域を含むようにこれと反対導電型の不純物をイオン注入し、ポケット領域を形成することが多い。例えばCMOSトランジスタの場合、ポケット領域を形成する不純物としては、nMOSトランジスタに対してはインジウム(In)、pMOSトランジスタに対しては砒素(As)又はアンチモン(Sb)等の比較的質量の大きい元素が使われている。
【0010】
これらの不純物はロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させる観点から優れているために用いられるが、重い元素であるがために、イオン注入の際に生じた電気的欠陥が活性化のアニール処理を行った後でも完全に消滅せず、ドレインリーク電流、特にそのゲート電極の周辺成分が増大してしまうという問題が生じる。ポケット領域は深いソース/ドレイン領域に隠れるように設計されているため、その底面成分は殆ど変化しない。ドレインリーク電流を抑えるには、電気的欠陥を消滅させるアニール処理を追加することが効果的であるが、同時に当該アニール処理によって不純物が拡散してしまい、微細化の妨げになるという問題がある。
【0011】
このように、エクステンション構造のMOSトランジスタの更なる微細化を図ろうとしても、エクステンション領域における横方向の濃度プロファイルを制御することが極めて困難であり、更にそれに加えて、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力の向上を見込んでポケット領域を形成するも、ドレインリーク電流の抑制を考慮すれば逆に主目的である微細化を妨げる結果を招くという進退両難の現況にある。
【0012】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、特にCMOS構造の半導体装置の最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を実現する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【0014】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に形成された一対の不純物拡散層とを含み、前記不純物拡散層は、前記ゲート電極の下部領域と一部重畳する浅い第1の領域と、前記第1の領域と重畳する、前記第1の領域よりも深い第2の領域と、少なくとも、前記半導体基板との界面近傍の第1の部位及び前記第1の領域より深い第2の部位にそれぞれ濃度ピークを有するように、前記第1の領域を形成する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質が導入されてなる第3の領域とを含む。
【0015】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第1の工程と、前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、導電性を付与する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質を導入する第2の工程と、前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、前記拡散抑制物質よりも浅く、導電性を付与する不純物を導入する第3の工程と、前記ゲート電極の側面のみに絶縁膜を形成する第4の工程と、前記絶縁膜の両側における前記半導体基板の表層に、前記第2の工程における第1導電型の不純物よりも深く、前記第2の工程と同一導電型の不純物を導入する第5の工程とを含み、前記第1の工程の後、前記第2〜第5の工程を任意の順序で実行する。
【0016】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
先ず、本発明の主要構成をなす基本骨子について説明する。
本発明者は、浅いエクステンション領域(第1の領域)及びこれと一部重畳しこれよりも深いディープ・ソース/ドレイン領域(第2の領域)を有してなるエクステンション構造の半導体装置において、先ず始めにエクステンション領域の不純物拡散、特に横方向の不純物拡散を簡易且つ確実に抑止することを熟慮し、そのための最適な手法として、エクステンション領域の不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質を追加導入(第3の領域の形成)することに想到した。
【0017】
拡散抑制物質の具体的な導入態様としては、上記した横方向の不純物拡散を抑える見地から、極めて浅い部分、即ちゲート絶縁膜の界面近傍に高い濃度ピークを持たせることが必須である。
【0018】
更にもう1つの課題として、ポケット領域(第4の領域)を形成する場合におけるドレインリーク電流の低減を考慮する必要がある。ポケット領域を形成する際に用いる不純物としては、上述のように比較的重い元素が好適であるが、重い不純物によるアモルファス化が生じて電気的欠陥が形成される。そこで本発明者は、拡散抑制物質をポケット領域の不純物が形成する電気的欠陥界面、即ちアモルファス/結晶界面(A/C界面:end of range defect)に偏析させ、これにより電気的欠陥を消滅させれば良いことに想到した。即ち、このA/C界面に濃度ピークを持たせるとともに、ポケット領域の不純物と略同等の濃度プロファイルとなるように拡散抑制物質を導入すれば良い。
【0019】
即ち本発明では、ゲート絶縁膜の界面近傍及びA/C界面の少なくとも2箇所に濃度ピークを有し、且つポケット領域の不純物と略同等の濃度プロファイルとなるような態様で、拡散抑制物質を導入する。この場合、特にゲート絶縁膜の界面近傍における拡散抑制の重要性に鑑み、この部位の濃度ピークをA/C界面の濃度ピークよりも高く設定することが好適である。
【0020】
このように拡散抑制物質を導入することにより、上記した横方向の不純物拡散を抑えてロールオフ特性が改善され、しかもその急峻性が改善されるためにエクステンション領域の先端部分における抵抗増加が抑止され、電流駆動能力が向上する。更には、ポケット領域の不純物導入によりA/C界面に形成される電気的欠陥が拡散抑制物質の導入により回復し、当該電気的欠陥に起因する接合リーク(バンド間トンネル)が抑制され、ドレインリーク電流が大幅に減少することになる。
【0021】
この場合、拡散抑制物質としては、その質量が比較的小さく、半導体基板や各種導電性不純物等の他の元素と不活性であることを要する旨を考慮し、N又はNが最も好適であり、更にはアルゴン(Ar)、フッ素(F)、及び炭素(C)から選ばれた少なくとも1種を用いても良い。
【0022】
なお、本発明とはその目的・構成等異なるが、単に基板に窒素を導入する技術は案出されている(特許文献1〜3参照)。
【0023】
−具体的な諸実施形態−
以下、上述した本発明の基本骨子を踏まえ、具体的な諸実施形態について説明する。ここでは、半導体装置としてCMOSトランジスタを例示し、便宜上その構成を製造方法と共に説明する。なお、本発明はCMOSトランジスタに限定されるものではなく、ゲート、ソース/ドレインを有するトランジスタ構造の半導体装置に適用が可能である。
【0024】
(第1の実施形態)
図1〜図4は、第1の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図1(a)に示すように、通常のCMOSプロセスにより素子活性領域及びゲート電極を形成する。
具体的には、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法により、シリコン半導体基板1の素子分離領域となる部位にフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより溝を形成し、CVD法等により当該溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を堆積し、当該溝のみを充填するようにCMP(Chemical Mechanical Polishing)法によりシリコン酸化膜を研磨除去し、STI素子分離構造2を形成して、n型素子活性領域3及びp型素子活性領域4を画定する。次いで、n型素子活性領域3にはp型不純物を、p型素子活性領域4にはp型不純物をそれぞれイオン注入し、pウェル3a及びnウェル4aを形成する。ここでは、n型素子活性領域3がnMOSトランジスタの形成部、p型素子活性領域4がpMOSトランジスタの形成部となる。
【0025】
続いて、素子活性領域3,4上に熱酸化によりゲート絶縁膜5を形成し、次いでCVD法等により多結晶シリコン膜を堆積した後、これら多結晶シリコン膜及びゲート絶縁膜5をフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより電極形状にパターニングし、素子活性領域3,4上でゲート絶縁膜5を介してなるゲート電極6をそれぞれ形成する。
【0026】
続いて、図1(b)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク7を形成する。
【0027】
そして、n型素子活性領域3のみに、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図1(c)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではインジウム(In)をイオン注入し、ポケット領域11を形成する。
【0028】
Inのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを30keV〜100keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、半導体基板1の表面に垂直な方向から傾斜させてイオン注入する。この傾斜角(チルト角)は、基板表面に垂直な方向を0°として、0°〜45°とする。この場合、上記の加速エネルギー及びドーズ量で基板表面に対して各々対称な4方向からイオン注入することになる。以降の説明では、チルト角を付与する場合には同様に4方向注入するものとして説明を省略する。なお、不純物としてはInの替わりにホウ素(B)を用いても良く、この場合には加速エネルギーを3keV〜10keVとする。
【0029】
続いて、拡散抑制物質として窒素(N)を注入する。
具体的には、図2(a)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを注入し、ポケット領域11とほぼ重なるようにN拡散領域12を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜10keV(0.5keV〜20keVでも良い)、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°(0°〜30°でも良い)とする。Nのドーズ量を1×1014/cmから上昇させるにつれて拡散抑制効果が大きくなり、2×1015/cm以上で飽和傾向を示す。なお、N単体では注入のビーム電流を充分に確保することが比較的難しいことから、Nの替わりにNを用いても良い。このときには加速エネルギー及びドーズ量を共にN単体の場合の半分とするのが適正である。また、NやNの替わりにAr、F、及びCから選ばれた少なくとも1種を用いても良い。
【0030】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図2(b)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここでは砒素(As)をイオン注入し、エクステンション領域13を形成する。この場合、Asの替わりにリン(P)やアンチモン(Sb)を用いても好適である。Asのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを1keV〜5keV(0.5keV〜10keVでも良い)、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°(0°〜30°でも良い)とする。
【0031】
続いて、図2(c)に示すように、レジストマスク7を灰化処理等により除去した後、アニール処理を行う。アニール条件としては、900℃〜1025℃でほぼ0秒とし、窒素等の不活性雰囲気中で行う。これにより、注入されたNの濃度プロファイルが注入直後の状態から変化し、ポケット領域11とほぼ重なるとともに、半導体基板1との界面近傍及びA/C界面の2箇所に濃度ピークを有する濃度プロファイルが形成される。なお、このアニール処理では、特にポケット領域11の形成のためにイオン注入したInの電気的活性を向上させることを考慮しており、以降の熱処理及び熱工程の調整により省略することが可能である。
【0032】
なお、本実施形態では、上記の各注入工程においてゲート電極6の側壁にサイドウォールを形成しない場合について例示したが、エクステンション領域とゲート電極6との最適なオーバーラップを得るために、図5に示すように、ゲート電極6の両側面に膜厚5nm〜20nm程度の薄いサイドウォール10を形成し、この状態で上記の各注入を行うようにしても良い。また、素子活性領域3,4のどちらか一方のゲート電極6にサイドウォールを形成することも可能である。サイドウォールの膜構成や形状は特に頓着せず、スペーサ(マスク)としての機能を持つものであれば良い。
【0033】
また、拡散抑制物質であるNのドーズ量を1×1014/cmから上昇させるにつれて拡散抑制効果が大きくなり、2×1015/cm以上で飽和傾向を示すが、この場合の最適条件はサイドウォールの有無やその厚みによって変化し、サイドウォールがある場合には、ポケット領域形成のイオン注入ではエネルギーを高め、エクステンション領域形成のイオン注入ではドーズ量を高めに誘導し、最適な条件とする必要がある。
【0034】
また、本実施形態では、拡散抑制物質の注入をレジストマスク7の形成後に行うが、レジストマスク7の形成前に素子活性領域3,4の全面に注入することも可能である。但し、本実施形態のようにレジストマスク7を形成した後に行う方が、n,pMOSトランジスタについて各々独立して拡散抑制物質の注入条件を最適化することができるために有利である。
【0035】
続いて、図3(a)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク8を形成する。
【0036】
そして、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図3(b)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではアンチモン(Sb)をイオン注入し、ポケット領域14を形成する。
【0037】
Sbのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを30keV〜100keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、チルト角を0°〜45°とする。なおこの場合、Sbの替わりに他のn型不純物、例えばAsやPを用いてイオン注入しても良い。
【0038】
続いて、拡散抑制物質として窒素(N)を注入する。
具体的には、図3(c)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを注入し、ポケット領域14とほぼ重なるようにN拡散領域15を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜10keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。なお、N単体では注入のビーム電流を充分に確保することが比較的難しいことから、Nの替わりにNを用いても良い。このときには加速エネルギー及びドーズ量を共にN単体の場合の半分とするのが適正である。また、NやNの替わりにAr、F、及びCから選ばれた少なくとも1種を用いても良い。
【0039】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図4(a)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではホウ素(B)をイオン注入し、エクステンション領域16を形成する。
【0040】
Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを0.5keV以下(1keV以下でも良い)、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°(0°〜30°でも良い)とする。ここで、注入イオン種にBFを用いる場合には、加速エネルギーを2.5keV以下、ドーズ量は同一とすることで最適となる。この最適条件はサイドウォールの有無やその厚みによって変化し、サイドウォールがある場合には、ポケット領域形成のイオン注入ではエネルギーを高めに、エクステンション領域形成のイオン注入ではドーズ量を高めに誘導し、最適な条件とする必要がある。
【0041】
続いて、素子活性領域3,4に、それぞれ深いソース/ドレイン領域(ディープS/D領域)を形成する。
具体的には、先ず図4(b)に示すように、レジストマスク8を灰化処理等により除去した後、CVD法等により全面にシリコン酸化膜を堆積し、このシリコン酸化膜の全面を異方性エッチング(エッチバック)することによりシリコン酸化膜を各ゲート電極6の側面にのみ残し、サイドウォール9を形成する。
【0042】
そして、図4(c)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するn型素子活性領域3に、各ゲート電極6及びサイドウォール9をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではリン(P)をイオン注入し、ディープS/D領域17を形成する。Pのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜20keV(1keV〜20keVでも良い)、ドーズ量を2×1015/cm〜1×1016cm(2×1015/cm〜2×1016cmでも良い)とし、チルト角を0°〜10°(0°〜30°でも良い)とする。なお、Pの替わりに砒素(As)をイオン注入するようにしても良い。
【0043】
続いて同様に、前記レジストマスクを灰化処理等により除去した後、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するp型素子活性領域4に、各ゲート電極6及びサイドウォール9をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではBをイオン注入し、ディープS/D領域18を形成する。Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを2keV〜5keV、ドーズ量を2×1015/cm〜1×1016cmとし、チルト角を0°〜10°とする。ここで、Bのイオン注入には、BFなどのBを含有するイオンであれば良い。
【0044】
そして、1000℃〜1050℃、ほぼ0秒(900℃〜1100℃、10秒以下でも良い)のアニール(RTA)処理を施し、各不純物を活性化させる。これにより、n型素子活性領域3には、ポケット領域11、N拡散領域12、エクステンション領域13、及びディープS/D領域17からなるn型不純物拡散層21が、p型素子活性領域4には、ポケット領域14、N拡散領域15、エクステンション領域16、及びディープS/D領域18からなるp型不純物拡散層22が、それぞれ形成される。
【0045】
しかる後、層間絶縁膜やコンタクト孔、各種配線層等の形成工程を経て、n型素子活性領域3にはnMOSトランジスタを、p型素子活性領域4にはpMOSトランジスタをそれぞれ完成させる。
【0046】
なお、本実施形態では、ゲート電極を形成した後にソース/ドレインとなる一対の不純物拡散層を形成する場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらの形成順序を適宜変更することも考えられる。
【0047】
本実施形態では、各不純物拡散層21,22の形成に際して、ポケット領域形成のためのイオン注入、拡散抑制のためのNの注入、エクステンション領域形成のためのイオン注入の順で進行する場合を例示したが、その順番は任意であり特に頓着しない。但し、順番によってはアモルファス化の効果によりポケット領域又はエクステンション領域についてイオン注入直後の濃度プロファイルが影響を受けるため、それぞれの最適設計が必要となる。
【0048】
ここで、本実施形態における上記した各注入のSIMSによる濃度プロファイルについて説明する。
図6は、本実施形態で説明した各注入のSIMSによる濃度プロファイルを示す特性図である。ここでは、pMOSトランジスタにおけるポケット領域形成にSbをイオン注入した場合を例示しており、Sbの濃度プロファイル及びアニール前後によるNの濃度プロファイルを示している。なお、nMOSトランジスタについても同様の濃度プロファイルが得られる。
【0049】
図示のように、Sbについては、その濃度プロファイルがNの有無に関係なくアニール(RTA)処理の後でもイオン注入直後の状態から殆ど変化しない。一方、Nについては、その濃度プロファイルはRTA処理の後でイオン注入直後から変化し、ゲート絶縁膜との界面近傍とSbに起因するA/C界面近傍にそれぞれ濃度ピークが認められ、この2個所にNが偏析していることが判る。このようなNの濃度プロファイルを形成することにより、ゲート絶縁膜との界面近傍に偏析したNによりBの拡散が抑制されてロールオフ特性の改善及び電流駆動能力の向上がなされ、A/C界面近傍界面近傍に偏析したNによりドレインリーク電流の発生が抑止される。
【0050】
ここで、本実施形態におけるNの注入の有無による最小ゲート長と最大ドレイン電流との関係について調べた結果を説明する。ここで、「最小ゲート長」はどこまで微細なトランジスタが動作するかを示し、「最大ドレイン電流」はそのトランジスタで得られる最大ドレイン電流を示す指標である。従って、最小ゲート長が小さく、最大ドレイン電流が大きいほどトランジスタの性能が優れていることを意味する。
【0051】
図7はこの関係を示す特性図であり、▲プロットがN注入がなされない従来の場合、●プロット及び■プロットがN注入がなされた本実施形態の場合を示しており、●プロットがエクステンション領域の不純物濃度が比較的低く、■プロットが比較的高くなるように形成されたものである。図示のように、N注入により、プロットは全体的に図中左上にシフトしており、N注入による性能向上が確認された。更に、エクステンション領域の不純物濃度を高くすることにより、同一の最小ゲート長でより高い最大ドレイン電流が得られ、更なる性能向上が実現することが判る。
【0052】
以上説明したように、本実施形態によれば、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、CMOSトランジスタの最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を実現することができる。
【0053】
(第2の実施形態)
第2の実施形態では、CMOSトランジスタにおいて、特にnMOSトランジスタのポケット層の形成を工夫し、nMOSトランジスタのみを拡散抑制物質を導入する対象とする場合について例示する。
【0054】
図8〜図11は、第2の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図8(a)に示すように、通常のCMOSプロセスにより素子活性領域及びゲート電極を形成する。
具体的には、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法により、シリコン半導体基板1の素子分離領域となる部位にフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより溝を形成し、CVD法等により当該溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を堆積し、当該溝のみを充填するようにCMP(Chemical Mechanical Polishing)法によりシリコン酸化膜を研磨除去し、STI素子分離構造2を形成して、n型素子活性領域3及びp型素子活性領域4を画定する。次いで、n型素子活性領域3にはp型不純物を、p型素子活性領域4にはp型不純物をそれぞれイオン注入し、pウェル3a及びnウェル4aを形成する。ここでは、n型素子活性領域3がnMOSトランジスタの形成部、p型素子活性領域4がpMOSトランジスタの形成部となる。
【0055】
続いて、素子活性領域3,4上に熱酸化によりシリコン酸化膜であるゲート絶縁膜5を形成し、次いでCVD法等により多結晶シリコン膜を堆積した後、これら多結晶シリコン膜及びゲート絶縁膜5をフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより電極形状にパターニングし、素子活性領域3,4上でゲート絶縁膜5を介してなるゲート電極6をそれぞれ形成する。なお、ゲート絶縁膜5としてシリコン酸窒化膜を形成するようにしても良い。
【0056】
続いて、図8(b)に示すように、図5に示した薄いサイドウォール10を形成する替わりに、ゲート電極6を覆うようにシリコン酸化膜41a及びシリコン窒化膜41bを形成し、これらを異方性エッチング及びウェットエッチングにより加工し、ゲート電極6の側面における中央部位のみを覆うノッチ状スペーサ41を自己整合的に形成する。
【0057】
続いて、図8(c)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク7を形成する。
【0058】
そして、n型素子活性領域3のみに、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図9(a)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではインジウム(In)及びホウ素(B)をそれぞれイオン注入し、ポケット領域42を形成する。
【0059】
インジウム(In)のイオン注入の条件としては、加速エネルギーを30keV〜100keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、半導体基板1の表面に垂直な方向から傾斜させてイオン注入する。この傾斜角(チルト角)は、基板表面に垂直な方向を0°として、0°〜45°とする。この場合、上記の加速エネルギー及びドーズ量で基板表面に対して各々対称な4方向からイオン注入することになる。以降の説明では、チルト角を付与する場合には同様に4方向注入するものとして説明を省略する。
【0060】
ホウ素(B)のイオン注入の条件としては、加速エネルギーを3keV〜100keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、半導体基板1の表面にチルト角を0°〜45°でイオン注入する。
【0061】
続いて、拡散抑制物質として窒素(N)を注入する。
具体的には、図9(b)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを注入し、ポケット領域42とほぼ重なるようにN拡散領域12を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜10keV、ドーズ量を1×1014/cm〜1×1015/cmとし、チルト角を0°〜40°とする。Nのドーズ量を1×1014/cmから上昇させるにつれて拡散抑制効果が大きくなり、2×1015/cm以上で飽和傾向を示す。なお、N単体では注入のビーム電流を充分に確保することが比較的難しいことから、Nの替わりにNを用いても良い。このときには加速エネルギー及びドーズ量を共にN単体の場合の半分とするのが適正である。また、NやNの替わりにAr、F、及びCから選ばれた少なくとも1種を用いても良い。
【0062】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図9(c)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここでは砒素(As)をイオン注入し、エクステンション領域13を形成する。この場合、Asの替わりにリン(P)やアンチモン(Sb)を用いても好適である。Asのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを1keV〜5keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0063】
続いて、図10(a)に示すように、レジストマスク7を灰化処理等により除去した後、図10(b)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク8を形成する。
【0064】
そして、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図10(c)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではアンチモン(Sb)をイオン注入し、ポケット領域14を形成する。
【0065】
Sbのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを40keV〜90keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、チルト角を0°〜45°とする。なおこの場合、Sbの替わりに他のn型不純物、例えばAsやPを用いてイオン注入しても良い。
【0066】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図11(a)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではホウ素(B)をイオン注入し、エクステンション領域16を形成する。
【0067】
Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを0.2keV〜0.5keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。ここで、注入イオン種にBFを用いる場合には、加速エネルギーを1keV〜2.5keV、ドーズ量は上記の2倍とすることで最適となる。
【0068】
続いて、素子活性領域3,4に、それぞれ深いソース/ドレイン領域(ディープS/D領域)を形成する。
具体的には、先ず図11(b)に示すように、レジストマスク8を灰化処理等により除去した後、CVD法等により全面にシリコン酸化膜を堆積し、このシリコン酸化膜の全面を異方性エッチング(エッチバック)することによりシリコン酸化膜を各ゲート電極6の側面にのみ残し、ノッチ状スペーサ41を覆うサイドウォール9を形成する。
【0069】
そして、図11(c)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するn型素子活性領域3に、各ゲート電極6及びサイドウォール9をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではリン(P)をイオン注入し、ディープS/D領域17を形成する。Pのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜15keV、ドーズ量を6×1015/cm〜1×1016cmとし、チルト角を0°〜10°とする。なお、Pの替わりに砒素(As)をイオン注入するようにしても良い。
【0070】
続いて同様に、前記レジストマスクを灰化処理等により除去した後、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するp型素子活性領域4に、各ゲート電極6及びサイドウォール9をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではBをイオン注入し、ディープS/D領域18を形成する。Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを3keV〜6keV、ドーズ量を2×1015/cm〜6×1015cmとし、チルト角を0°〜10°とする。ここで、Bのイオン注入には、BFなどのBを含有するイオンであれば良い。
【0071】
続いて、前記レジストマスクを灰化処理等により除去した後、1000℃〜1050℃、N雰囲気でほぼ0秒のアニール(RTA)処理を施し、各不純物を活性化させる。これにより、n型素子活性領域3には、注入されたNの濃度プロファイルが注入直後の状態から変化し、ポケット領域11とほぼ重なるとともに、半導体基板1との界面近傍及びA/C界面の2箇所に濃度ピークを有する濃度プロファイルが形成され、ポケット領域42、N拡散領域12、エクステンション領域13、及びディープS/D領域17からなるn型不純物拡散層51が形成される。なお、上記の濃度プロファイルは、ポケット領域11形成後の工程に伴う熱処理により、前記RTA処理に形成される場合もある。他方、前記RTA処理により、p型素子活性領域4には、ポケット領域14、エクステンション領域16、及びディープS/D領域18からなるp型不純物拡散層52が形成される。
【0072】
そして、n,pMOSトランジスタをそれぞれサリサイド化する。ここでは、全面にシリサイド金属、ここではコバルト(Co)を堆積し、熱処理することにより、ゲート電極6、n型不純物拡散層51及びp型不純物拡散層52上でシリコンとコバルトを反応させ、CoSi膜43を形成する。その後、未反応のコバルトを除去する。
【0073】
しかる後、層間絶縁膜やコンタクト孔、各種配線層等の形成工程を経て、n型素子活性領域3にはnMOSトランジスタを、p型素子活性領域4にはpMOSトランジスタをそれぞれ完成させる。
【0074】
なお、本実施形態では、ゲート電極を形成した後にソース/ドレインとなる一対の不純物拡散層を形成する場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらの形成順序を適宜変更することも考えられる。
【0075】
本実施形態では、不純物拡散層51の形成に際して、ポケット領域形成のためのイオン注入、拡散抑制のためのNの注入、エクステンション領域形成のためのイオン注入の順で進行する場合を例示したが、その順番は任意であり特に頓着しない。但し、順番によってはアモルファス化の効果によりポケット領域又はエクステンション領域についてイオン注入直後の濃度プロファイルが影響を受けるため、それぞれの最適設計が必要となる。
【0076】
一般に、nMOSトランジスタでは、ポケット領域をインジウム(In)のイオン注入で形成すると、Inの固溶限界が低いためにロールオフ特性が悪くなるという問題がある。その一方で、ポケット領域をインジウム(In)に加えてホウ素(B)の追加イオン注入で形成すると、ロールオフ特性は向上するものの、ホウ素が基板表面にパイルアップするためにチャネルの散乱要因となり、電流が低下するという問題がある。
【0077】
ここで、本実施形態における拡散抑制物質として窒素を導入した際の電流特性(オン電流(Ion)−オフ電流(Ioff)特性)について調べた。実験結果を図12に示す。図示のように、窒素を導入した場合の方が入しない場合に比してIon−Ioff特性が向上することが判る。このことは、窒素の導入によりポケット領域の不純物(ホウ素)が基板表面にパイルアップされることが防止され、チャネルの散乱要因が抑制されて電流劣化が抑えられることを意味する。即ち本実施形態では、nMOSトランジスタのポケット領域を形成する際に、インジウム(In)とホウ素(B)をイオン注入し、更に拡散抑制物質として窒素を導入するため、ロールオフ特性及びIon−Ioff特性の双方を向上させることができる。
【0078】
以上説明したように、本実施形態によれば、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、CMOSトランジスタの最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を実現することができる。
【0079】
(第3の実施形態)
本実施形態では、第1及び第2の実施形態と同様にCMOSトランジスタの構成及びその製造方法を開示するが、拡散抑制物質であるNの注入態様が異なる点で相違する。なお、第1の実施形態と同様の構成部材等については同符号を記して説明を省略する。本実施形態では、主に第1の実施形態との関連で説明するが、第2の実施形態に適用し、即ち2回のN注入を行うようにしても良い。
【0080】
図13は、第3の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法において、Nの注入工程のみを示す概略断面図である。
本実施形態では、先ず第1の実施形態と同様に、図1(a)〜(c)の各工程を経て、nMOSトランジスタのポケット領域11を形成するためのイオン注入を行った後、図13(a)に示すように2回のN注入を実行する。
【0081】
具体的には、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを先ずゲート絶縁膜との界面近傍を見込んだ浅い部位へ注入し、浅いN拡散領域31を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを2keV程度、ドーズ量を1×1014/cm〜1×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0082】
続いて、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを今度はポケット領域11を形成するための注入と同等の深さ部位へ注入して深いN拡散領域32を形成し、浅いN拡散領域31及び深いN拡散領域32からなるN拡散領域12とする。この注入の条件としては、加速エネルギーを10keV〜20keV、ドーズ量を1×1014/cm〜1×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0083】
その後、図13(b)に示すようにエクステンション領域を形成するためのイオン注入を行い、図2(c),図3(a),(b)の各工程を経て、pMOSトランジスタのポケット領域15を形成するためのイオン注入を行った後、図8(b)に示すように2回のNの注入を実行する。
【0084】
具体的には、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを先ずゲート絶縁膜との界面近傍を見込んだ浅い部位へ注入し、浅いN拡散領域33を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを2keV程度、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0085】
続いて、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを今度はポケット領域15を形成するための注入と同等の深さ部位へ注入して深いN拡散領域34を形成し、浅いN拡散領域33及び深いN拡散領域34からなるN拡散領域15とする。この注入の条件としては、加速エネルギーを10keV〜20keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0086】
しかる後、図4(a)〜(c)及び諸々の後工程の各工程を経て、n型素子活性領域3にはnMOSトランジスタを、p型素子活性領域4にはpMOSトランジスタをそれぞれ完成させる。
【0087】
以上説明したように、本実施形態によれば、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、CMOSトランジスタの最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を実現することができる。しかもこの場合、Nの濃度ピークを形成するために各濃度ピークに対応した2回のN注入を行なうため、上記の諸効果をより確実に得ることができる。
【0088】
(第4の実施形態)
第4の実施形態では、CMOSトランジスタにおいて、特にnMOSトランジスタとpMOSトランジスタとで異なる拡散抑制物質を用いる場合について例示する。
【0089】
図14〜図17は、第4の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図14(a)に示すように、通常のCMOSプロセスにより素子活性領域及びゲート電極を形成する。
具体的には、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法により、シリコン半導体基板1の素子分離領域となる部位にフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより溝を形成し、CVD法等により当該溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を堆積し、当該溝のみを充填するようにCMP(Chemical Mechanical Polishing)法によりシリコン酸化膜を研磨除去し、STI素子分離構造2を形成して、n型素子活性領域3及びp型素子活性領域4を画定する。次いで、n型素子活性領域3にはp型不純物を、p型素子活性領域4にはp型不純物をそれぞれイオン注入し、pウェル3a及びnウェル4aを形成する。ここでは、n型素子活性領域3がnMOSトランジスタの形成部、p型素子活性領域4がpMOSトランジスタの形成部となる。
【0090】
続いて、素子活性領域3,4上に熱酸化によりゲート絶縁膜5を形成し、次いでCVD法等により多結晶シリコン膜を堆積した後、これら多結晶シリコン膜及びゲート絶縁膜5をフォトリソグラフィー及びドライエッチングにより電極形状にパターニングし、素子活性領域3,4上でゲート絶縁膜5を介してなるゲート電極6をそれぞれ形成する。
【0091】
続いて、図14(b)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク7を形成する。
【0092】
そして、n型素子活性領域3のみに、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図14(c)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではインジウム(In)をイオン注入し、ポケット領域11を形成する。
【0093】
Inのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを30keV〜100keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、半導体基板1の表面に垂直な方向から傾斜させてイオン注入する。この傾斜角(チルト角)は、基板表面に垂直な方向を0°として、0°〜45°とする。この場合、上記の加速エネルギー及びドーズ量で基板表面に対して各々対称な4方向からイオン注入することになる。以降の説明では、チルト角を付与する場合には同様に4方向注入するものとして説明を省略する。なお、不純物としてはInの替わりにホウ素(B)を用いても良く、この場合には加速エネルギーを3keV〜10keVとする。
【0094】
続いて、拡散抑制物質として窒素(N)を注入する。
具体的には、図15(a)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではNを注入し、ポケット領域11とほぼ重なるようにN拡散領域12を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜10keV(ポケット領域11とほぼ重なる主条件)、ドーズ量を1×1014/cm〜1×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。Nのドーズ量を1×1014/cmから上昇させるにつれて拡散抑制効果が大きくなり、2×1015/cm以上で飽和傾向を示す。なお、N単体では注入のビーム電流を充分に確保することが比較的難しいことから、Nの替わりにNを用いても良い。このときには加速エネルギー及びドーズ量を共にN単体の場合の半分とするのが適正である。
【0095】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図15(b)に示すように、レジストマスク7から露出するn型素子活性領域3に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここでは砒素(As)をイオン注入し、エクステンション領域13を形成する。この場合、Asの替わりにリン(P)やアンチモン(Sb)を用いても好適である。Asのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを1keV〜5keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0096】
なお、本実施形態では、上記の各注入工程においてゲート電極6の側壁にサイドウォールを形成しない場合について例示したが、エクステンション領域とゲート電極6との最適なオーバーラップを得るために、図5に示すように、ゲート電極6の両側面に膜厚5nm〜20nm程度の薄いサイドウォール10を形成し、この状態で上記の各注入を行うようにしても良い。また、素子活性領域3,4のどちらか一方のゲート電極6にサイドウォールを形成することも可能である。サイドウォールの膜構成や形状は特に頓着せず、スペーサ(マスク)としての機能を持つものであれば良い。
【0097】
また、拡散抑制物質であるNのドーズ量を1×1014/cmから上昇させるにつれて拡散抑制効果が大きくなり、2×1015/cm以上で飽和傾向を示すが、この場合の最適条件はサイドウォールの有無やその厚みによって変化し、サイドウォールがある場合には、ポケット領域形成のイオン注入ではエネルギーを高め、エクステンション領域形成のイオン注入ではドーズ量を高めに誘導し、最適な条件とする必要がある。
【0098】
また、本実施形態では、拡散抑制物質の注入をレジストマスク7の形成後に行うが、レジストマスク7の形成前に素子活性領域3,4の全面に注入することも可能である。但し、本実施形態のようにレジストマスク7を形成した後に行う方が、nMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタについて各々独立して拡散抑制物質の注入条件を最適化することができるために有利である。
【0099】
続いて、図16(a)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク8を形成する。
【0100】
そして、先ずポケット領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図16(b)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではアンチモン(Sb)をイオン注入し、ポケット領域14を形成する。
【0101】
Sbのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを40keV〜90keV、ドーズ量を5×1012/cm〜2×1013/cmとし、チルト角を0°〜45°とする。なおこの場合、Sbの替わりに他のn型不純物、例えばAsやPを用いてイオン注入しても良い。
【0102】
続いて、拡散抑制物質としてフッ素(F)を注入する。
具体的には、図16(c)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層に拡散抑制物質、ここではFを注入し、ポケット領域14とほぼ重なるようにF拡散領域61を形成する。この注入の条件としては、加速エネルギーを0.1keV〜10keV(ポケット領域11とほぼ重なる主条件)、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。
【0103】
続いて、エクステンション領域を形成するためのイオン注入を行う。
具体的には、図17(a)に示すように、レジストマスク8から露出するp型素子活性領域4に、ゲート電極6をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではホウ素(B)をイオン注入し、エクステンション領域16を形成する。
【0104】
Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを0.2keV〜0.5keV、ドーズ量を1×1014/cm〜2×1015/cmとし、チルト角を0°〜10°とする。ここで、注入イオン種にBFを用いる場合には、加速エネルギーを1keV〜2.5keV、ドーズ量を2倍とすることで最適となる。この最適条件はサイドウォールの有無やその厚みによって変化し、サイドウォールがある場合には、ポケット領域形成のイオン注入ではエネルギーを高めに、エクステンション領域形成のイオン注入ではドーズ量を高めに誘導し、最適な条件とする必要がある。
【0105】
続いて、素子活性領域3,4に、それぞれ深いソース/ドレイン領域(ディープS/D領域)を形成する。
具体的には、先ず図17(b)に示すように、レジストマスク8を灰化処理等により除去した後、CVD法等により全面にシリコン酸化膜を堆積し、このシリコン酸化膜の全面を異方性エッチング(エッチバック)することによりシリコン酸化膜を各ゲート電極6の側面にのみ残し、サイドウォール62を形成する。ここで、サイドウォール62の形成過程は300℃以上600℃以下の温度で実行する。300℃未満では、シリコン酸化膜の膜質劣化が激しく、600℃より高温では、不純物プロファイルの変動が生じてしまう。
【0106】
そして、図17(c)に示すように、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、n型素子活性領域3のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するn型素子活性領域3に、各ゲート電極6及びサイドウォール62をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にn型不純物、ここではリン(P)をイオン注入し、ディープS/D領域17を形成する。Pのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを5keV〜20keV、ドーズ量を2×1015/cm〜1×1016cmとし、チルト角を0°〜10°とする。なお、Pの替わりに砒素(As)をイオン注入するようにしても良い。
【0107】
続いて同様に、前記レジストマスクを灰化処理等により除去した後、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりこれを加工して、今度はp型素子活性領域4のみを開口するレジストマスク(不図示)を形成する。そして、このレジストマスクから露出するp型素子活性領域4に、各ゲート電極6及びサイドウォール62をマスクとして、ゲート電極6の両側における半導体基板1の表層にp型不純物、ここではBをイオン注入し、ディープS/D領域18を形成する。Bのイオン注入の条件としては、加速エネルギーを2keV〜5keV、ドーズ量を2×1015/cm〜1×1016cmとし、チルト角を0°〜10°とする。ここで、Bのイオン注入には、BFなどのBを含有するイオンであれば良い。
【0108】
そして、1000℃〜1050℃、ほぼ0秒のアニール(RTA)処理を施し、各不純物を活性化させる。これにより、n型素子活性領域3には、ポケット領域11、N拡散領域12、エクステンション領域13、及びディープS/D領域17からなるn型不純物拡散層21が、p型素子活性領域4には、ポケット領域14、F拡散領域61、エクステンション領域16、及びディープS/D領域18からなるp型不純物拡散層22が、それぞれ形成される。
【0109】
しかる後、層間絶縁膜やコンタクト孔、各種配線層等の形成工程を経て、n型素子活性領域3にはnMOSトランジスタを、p型素子活性領域4にはpMOSトランジスタをそれぞれ完成させる。
【0110】
なお、本実施形態では、ゲート電極を形成した後にソース/ドレインとなる一対の不純物拡散層を形成する場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらの形成順序を適宜変更することも考えられる。
【0111】
本実施形態では、各不純物拡散層21の形成に際して、ポケット領域形成のためのイオン注入、拡散抑制のためのNの注入、エクステンション領域形成のためのイオン注入の順で、他方で各不純物拡散層22の形成に際して、ポケット領域形成のためのイオン注入、拡散抑制のためのFの注入、エクステンション領域形成のためのイオン注入の順で進行する場合を例示したが、その順番は任意であり特に頓着しない。但し、順番によってはアモルファス化の効果によりポケット領域又はエクステンション領域についてイオン注入直後の濃度プロファイルが影響を受けるため、それぞれの最適設計が必要となる。
【0112】
以上説明したように、本実施形態によれば、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、CMOSトランジスタの最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を実現することができる。
【0113】
また、本実施形態では、サイドウォール62を600℃以下の温度条件で形成すること、即ち不純物活性化の熱処理までのプロセス熱履歴を600℃以下とすることにより、nMOSトランジスタのポケット領域11を形成する際にイオン注入したインジウム(In)を活性化するための熱処理を省略し、続いてn型素子活性領域3に拡散抑制物質として窒素(N)をイオン注入することにより、駆動電流を劣化させることなく、より微細なゲート長のnMOSトランジスタが実現される。
【0114】
更に本実施形態では、nMOSトランジスタの場合とは異なり、pMOSトランジスタのp型素子活性領域4に拡散抑制物質としてフッ素(F)をイオン注入することにより、駆動電流を劣化させることなく、より微細なゲート長のpMOSトランジスタが実現される。
【0115】
ここで、上述した第1〜第4の実施形態におけるCMOSトランジスタを構成するnMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタの各々について、拡散抑制物質の注入を行わない場合との比較に基づき、トランジスタ特性について調べた諸結果について説明する。
【0116】
先ず、nMOSトランジスタについて調べた結果を図18に示す。
この場合、オフ電流が70mA/μm以下となるゲート長を最小ゲート長と定義し、このゲート長と最大ドレイン電流との関係を表しており、横軸(ゲート長)の1目盛が5nm、縦軸(最大ドレイン電流)の1目盛が0.1mA/μmである。Nのイオン注入有り(第1〜第4の実施形態に対応する)を●、Nのイオン注入無し(比較例)を○で示す。図示のように、nMOSトランジスタでは、N注入により最大ドレイン電流の低下を殆んど来すことなく最小ゲート長が小さくなることが判り、優れたトランジスタ特性を示す。
【0117】
次に、拡散抑制物質の注入とエクステンション領域形成のための不純物注入との順番により、トランジスタ特性に差異があるか否かついて調べた結果を図19に示す。
ここで、エクステンション領域のための不純物注入の前にNのイオン注入を実行した場合(第1〜第4の実施形態に対応する)を●、エクステンション領域のための不純物注入の後にNのイオン注入を実行した場合を△、Nのイオン注入無し(比較例)を○で示す。図示のように、Nのイオン注入をエクステンション領域のための不純物注入の前後どちらとしても大差はなく、共に優れたトランジスタ特性を示すことが判る。
【0118】
次に、pMOSトランジスタについて調べた結果を図20に示す。
ここで、Nのイオン注入有り(第1の実施形態に対応する)を●、Fのイオン注入有り(第4の実施形態に対応する)を▲、Nのイオン注入無し(比較例)を○で示す。図示のように、pMOSトランジスタでは、N注入又はF注入により最大ドレイン電流の低下を殆んど来すことなく最小ゲート長が小さくなることが判り、優れたトランジスタ特性を示す。
【0119】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0120】
(付記1)半導体基板と、
前記半導体基板上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に形成された一対の不純物拡散層と
を含み、
前記不純物拡散層は、
前記ゲート電極の下部領域と一部重畳する浅い第1の領域と、
前記第1の領域と重畳する、前記第1の領域よりも深い第2の領域と、
少なくとも、前記半導体基板との界面近傍の第1の部位及び前記第1の領域より深い第2の部位にそれぞれ濃度ピークを有するように、前記第1の領域を形成する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質が導入されてなる第3の領域と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【0121】
(付記2)前記不純物拡散層は、前記第1及び第2の領域を形成する不純物と反対導電型の不純物が導入されてなる第4の領域を含み、
前記第3の領域は、前記第4の領域と略同等の濃度プロファイルを有し、当該第4の領域に比して少なくとも一部の深さ範囲で高濃度とされてなることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
【0122】
(付記3)前記第1の部位の前記濃度ピークは前記第2の部位の前記濃度ピークより高いことを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
【0123】
(付記4)前記拡散抑制物質は、窒素、アルゴン、フッ素、及び炭素から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする付記1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【0124】
(付記5)CMOS型の半導体装置であって、nMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタの少なくとも一方が前記不純物拡散層を有することを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記6)少なくともnMOSトランジスタを備え、前記nMOSトランジスタが前記不純物拡散層を有しており、
前記nMOSトランジスタの前記不純物拡散層における前記第4の領域は、前記反対導電型の不純物としてインジウム及びホウ素が導入されてなることを特徴とする付記1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
【0125】
(付記7)半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第1の工程と、
前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、導電性を付与する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質を導入する第2の工程と、
前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、前記拡散抑制物質よりも浅く、導電性を付与する不純物を導入する第3の工程と、
前記ゲート電極の側面のみに絶縁膜を形成する第4の工程と、
前記絶縁膜の両側における前記半導体基板の表層に、前記第2の工程における第1導電型の不純物よりも深く、前記第2の工程と同一導電型の不純物を導入する第5の工程と
を含み、
前記第1の工程の後、前記第2〜第5の工程を任意の順序で実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【0126】
(付記8)前記第2の工程において、前記半導体基板との界面近傍の第1の部位及び前記第3の工程における不純物よりも深い第2の部位にそれぞれ濃度ピークを有するように、前記拡散抑制物質を導入することを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
【0127】
(付記9)前記第2の工程において、前記第1の部位の前記濃度ピークを前記第2の部位の前記濃度ピークより高くなるように、前記拡散抑制物質を導入することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
【0128】
(付記10)前記拡散抑制物質の方が少なくとも一部の深さ範囲で高濃度であり、前記拡散抑制物質と略同等の濃度プロファイルとなるように、前記第3の工程における不純物と反対導電型の不純物を導入する第6の工程を更に含み、
前記第1の工程の後、前記第2〜第6の工程を任意の順序で実行することを特徴とする付記7〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0129】
(付記11)前記第2の工程において、前記各濃度ピークに対応するように、前記拡散抑制物質を複数回導入することを特徴とする付記8〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0130】
(付記12)前記第1の部位及び前記第2の部位のそれぞれに対応するように、前記拡散抑制物質を2回導入することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
【0131】
(付記13)前記第3の工程において第1導電型の不純物を導入するに際して、前記半導体基板の表面に垂直な方向又は垂直な方向から傾斜した方向から前記不純物をイオン注入することを特徴とする付記7〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0132】
(付記14)前記第2の工程において前記拡散抑制物質を導入するに際して、前記半導体基板の表面に垂直に前記拡散抑制物質をイオン注入することを特徴とする付記7〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0133】
(付記15)前記第2の工程において前記拡散抑制物質を導入するに際して、前記半導体基板の表面に垂直な方向から傾斜させた方向から前記拡散抑制物質をイオン注入することを特徴とする付記7〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0134】
(付記16)前記拡散抑制物質は、窒素、アルゴン、フッ素、及び炭素から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする付記7〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0135】
(付記17)CMOS型の半導体装置の製造方法であって、nMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタの少なくとも一方に前記各工程を適用することを特徴とする付記7〜16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0136】
(付記18)少なくともnMOSトランジスタに前記各工程を適用するに際して、
前記第6の工程において、前記反対導電型の不純物としてインジウム及びホウ素を導入することを特徴とする請求項10〜16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0137】
【発明の効果】
本発明によれば、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化を容易且つ確実に実現し、特にCMOS構造の半導体装置の最適設計を可能としてデバイス性能の向上及び低消費電力化を可能する半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図2】図1に引き続き、第1の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図3】図2に引き続き、第1の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図4】図3に引き続き、第1の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図5】第1の実施形態の他の態様として、ゲート電極の両側面にサイドウォールを形成した様子を示す概略断面図である。
【図6】第1の実施形態で説明した各イオン注入のSIMSによる濃度プロファイルを示す特性図である。
【図7】第1の実施形態で説明したNの注入の有無による最小ゲート長と最大ドレイン電流との関係を示す特性図である。
【図8】第2の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図9】図8に引き続き、第2の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図10】図9に引き続き、第2の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図11】図10に引き続き、第2の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図12】本実施形態における拡散抑制物質として窒素を導入した際の電流特性(オン電流(Ion)−オフ電流(Ioff)特性)について調べた結果を示す特性図である。
【図13】第3の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法において、Nの注入工程のみを示す概略断面図である。
【図14】第4の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図15】図14に引き続き、第4の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図16】図15に引き続き、第4の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図17】図16に引き続き、第4の実施形態によるCMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図18】nMOSトランジスタのトランジスタ特性を示す特性図である。
【図19】nMOSトランジスタのトランジスタ特性を示す特性図である。
【図20】pMOSトランジスタのトランジスタ特性を示す特性図である。
【符号の説明】
1 シリコン半導体基板
2 STI素子分離構造
3 n型素子活性領域
4 p型素子活性領域
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7,8 レジストマスク
9,10,62 サイドウォール
11,14,42 ポケット領域
12,15 N拡散領域
13,16 エクステンション領域
17,18 ディープS/D領域
21,51 n型不純物拡散層
22,52 p型不純物拡散層
31,33 浅いN拡散領域
32,34 深いN拡散領域
41 ノッチ状スペーサ
43 CoSi膜
61 F拡散領域

Claims (10)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
    前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に形成され、
    た一対の不純物拡散層と
    を含み、
    前記不純物拡散層は、
    前記ゲート電極の下部領域と一部重畳する浅い第1の領域と、
    前記第1の領域と重畳する、前記第1の領域よりも深い第2の領域と、
    少なくとも、前記半導体基板との界面近傍の第1の部位及び前記第1の領域より深い第2の部位にそれぞれ濃度ピークを有するように、前記第1の領域を形成する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質が導入されてなる第3の領域と
    を含むことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記不純物拡散層は、前記第1及び第2の領域を形成する不純物と反対導電型の不純物が導入されてなる第4の領域を含み、
    前記第3の領域は、前記第4の領域と略同等の濃度プロファイルを有し、当該第4の領域に比して少なくとも一部の深さ範囲で高濃度とされてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記第1の部位の前記濃度ピークは前記第2の部位の前記濃度ピークより高いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
  4. 前記拡散抑制物質は、窒素、アルゴン、フッ素、及び炭素から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第1の工程と、
    前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、導電性を付与する不純物の拡散を抑制する機能を有する拡散抑制物質を導入する第2の工程と、
    前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に、前記拡散抑制物質よりも浅く、導電性を付与する不純物を導入する第3の工程と、
    前記ゲート電極の側面のみに絶縁膜を形成する第4の工程と、
    前記絶縁膜の両側における前記半導体基板の表層に、前記第2の工程における第1導電型の不純物よりも深く、前記第2の工程と同一導電型の不純物を導入する第5の工程と
    を含み、
    前記第1の工程の後、前記第2〜第5の工程を任意の順序で実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 前記第2の工程において、前記半導体基板との界面近傍の第1の部位及び前記第3の工程における不純物よりも深い第2の部位にそれぞれ濃度ピークを有するように、前記拡散抑制物質を導入することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記第2の工程において、前記第1の部位の前記濃度ピークを前記第2の部位の前記濃度ピークより高くなるように、前記拡散抑制物質を導入することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記拡散抑制物質の方が少なくとも一部の深さ範囲で高濃度であり、前記拡散抑制物質と略同等の濃度プロファイルとなるように、前記第3の工程における不純物と反対導電型の不純物を導入する第6の工程を更に含み、
    前記第1の工程の後、前記第2〜第6の工程を任意の順序で実行することを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第2の工程において、前記各濃度ピークに対応するように、前記拡散抑制物質を複数回導入することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 少なくともnMOSトランジスタに前記各工程を適用するに際して、
    前記第6の工程において、前記反対導電型の不純物としてインジウム及びホウ素を導入することを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
JP2003168799A 2002-06-24 2003-06-13 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4236992B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003168799A JP4236992B2 (ja) 2002-06-24 2003-06-13 半導体装置の製造方法
US10/465,823 US6977417B2 (en) 2002-06-24 2003-06-20 Semiconductor device and method of fabricating the same
TW092116967A TWI222177B (en) 2002-06-24 2003-06-23 Semiconductor device and method of fabricating the same
CNB031428924A CN1291500C (zh) 2002-06-24 2003-06-24 半导体器件及其制备方法
KR1020030040917A KR100936413B1 (ko) 2002-06-24 2003-06-24 반도체 장치 및 그 제조 방법
US11/260,464 US7592243B2 (en) 2002-06-24 2005-10-28 Method of suppressing diffusion in a semiconductor device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002183055 2002-06-24
JP2002355884 2002-12-06
JP2003168799A JP4236992B2 (ja) 2002-06-24 2003-06-13 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004235603A true JP2004235603A (ja) 2004-08-19
JP4236992B2 JP4236992B2 (ja) 2009-03-11

Family

ID=30003585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003168799A Expired - Fee Related JP4236992B2 (ja) 2002-06-24 2003-06-13 半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6977417B2 (ja)
JP (1) JP4236992B2 (ja)
KR (1) KR100936413B1 (ja)
CN (1) CN1291500C (ja)
TW (1) TWI222177B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218609A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7645665B2 (en) 2006-03-30 2010-01-12 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device having shallow b-doped region and its manufacture
JP2010526442A (ja) * 2007-05-04 2010-07-29 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 複数のタイプのショットキ接合部を有するトランジスタの製造方法
JP2011009571A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US7892933B2 (en) 2007-08-15 2011-02-22 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2012019016A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2012028721A (ja) * 2010-07-28 2012-02-09 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8350342B2 (en) 2008-05-07 2013-01-08 Panasonic Corporation Semiconductor device
US8546247B2 (en) 2006-06-14 2013-10-01 Fujitsu Semiconductor Limited Manufacturing method of semiconductor device with amorphous silicon layer formation
JP2013545289A (ja) * 2010-10-15 2013-12-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション SiGeチャネルを有するpFET接合プロフィールのための方法および構造体

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100588786B1 (ko) * 2003-09-18 2006-06-12 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조방법
JP2005277024A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20050247976A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-10 Ting Steve M Notched spacer for CMOS transistors
KR100599595B1 (ko) * 2004-05-24 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 발광표시 장치용 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2006013284A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006173438A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Yamaha Corp Mos型半導体装置の製法
US20070072382A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor device
JP5135743B2 (ja) * 2005-09-28 2013-02-06 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
DE102007035838B4 (de) * 2007-07-31 2014-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur mit einer Implantation von Stickstoffionen
JP2009182089A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法
US7994051B2 (en) * 2008-10-17 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Implantation method for reducing threshold voltage for high-K metal gate device
CN102194748B (zh) * 2010-03-15 2014-04-16 北京大学 半导体器件及其制造方法
US8361856B2 (en) 2010-11-01 2013-01-29 Micron Technology, Inc. Memory cells, arrays of memory cells, and methods of forming memory cells
US8450175B2 (en) 2011-02-22 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Methods of forming a vertical transistor and at least a conductive line electrically coupled therewith
CN102737995B (zh) * 2011-04-01 2015-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件的制作方法
CN102738000A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种超浅结形成方法
US8569831B2 (en) 2011-05-27 2013-10-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit arrays and semiconductor constructions
US10068802B2 (en) * 2011-10-17 2018-09-04 Texas Instruments Incorporated Threshold mismatch and IDDQ reduction using split carbon co-implantation
US9036391B2 (en) 2012-03-06 2015-05-19 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically-oriented transistors, memory arrays including vertically-oriented transistors, and memory cells
US8822295B2 (en) * 2012-04-03 2014-09-02 International Business Machines Corporation Low extension dose implants in SRAM fabrication
US9006060B2 (en) * 2012-08-21 2015-04-14 Micron Technology, Inc. N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors
US9129896B2 (en) 2012-08-21 2015-09-08 Micron Technology, Inc. Arrays comprising vertically-oriented transistors, integrated circuitry comprising a conductive line buried in silicon-comprising semiconductor material, methods of forming a plurality of conductive lines buried in silicon-comprising semiconductor material, and methods of forming an array comprising vertically-oriented transistors
US9478550B2 (en) 2012-08-27 2016-10-25 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically-oriented transistors, and memory arrays including vertically-oriented transistors
US9111853B2 (en) 2013-03-15 2015-08-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming doped elements of semiconductor device structures
US20150041916A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of forming the same
CN106328505B (zh) * 2015-07-01 2019-07-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN109473357B (zh) * 2018-10-29 2022-05-27 上海华力集成电路制造有限公司 Mos晶体管的制造方法
CN111883422A (zh) * 2020-07-16 2020-11-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结器件的制作方法
DE102021200720B4 (de) * 2021-01-27 2023-08-03 Infineon Technologies Ag Transistorbasierter stress-sensor und verfahren zum ermitteln einer gradienten-kompensierten mechanischen spannungskomponente

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07131004A (ja) * 1993-06-23 1995-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5514902A (en) * 1993-09-16 1996-05-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having MOS transistor
JP3714995B2 (ja) * 1995-07-05 2005-11-09 シャープ株式会社 半導体装置
JPH10125916A (ja) 1996-10-24 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH10173177A (ja) * 1996-12-10 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp Misトランジスタの製造方法
JPH10242081A (ja) * 1996-12-26 1998-09-11 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3213560B2 (ja) * 1997-01-21 2001-10-02 三洋電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR100273297B1 (ko) 1998-09-08 2000-12-15 김영환 모스 트랜지스터 제조방법
US6369434B1 (en) * 1999-07-30 2002-04-09 International Business Machines Corporation Nitrogen co-implantation to form shallow junction-extensions of p-type metal oxide semiconductor field effect transistors
KR100336768B1 (ko) * 1999-11-03 2002-05-16 박종섭 반도체 장치 제조방법
JP3916386B2 (ja) * 2000-08-28 2007-05-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法及びフォトリソグラフィ用マスク
KR20030001942A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 동부전자 주식회사 반도체소자 및 그 제조방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7645665B2 (en) 2006-03-30 2010-01-12 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device having shallow b-doped region and its manufacture
US8546247B2 (en) 2006-06-14 2013-10-01 Fujitsu Semiconductor Limited Manufacturing method of semiconductor device with amorphous silicon layer formation
JP2008218609A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2010526442A (ja) * 2007-05-04 2010-07-29 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 複数のタイプのショットキ接合部を有するトランジスタの製造方法
US7892933B2 (en) 2007-08-15 2011-02-22 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8164142B2 (en) 2007-08-15 2012-04-24 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8350342B2 (en) 2008-05-07 2013-01-08 Panasonic Corporation Semiconductor device
JP2011009571A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2012019016A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2012028721A (ja) * 2010-07-28 2012-02-09 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2013545289A (ja) * 2010-10-15 2013-12-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション SiGeチャネルを有するpFET接合プロフィールのための方法および構造体

Also Published As

Publication number Publication date
US20060046372A1 (en) 2006-03-02
TW200403812A (en) 2004-03-01
KR100936413B1 (ko) 2010-01-12
KR20040000350A (ko) 2004-01-03
CN1469488A (zh) 2004-01-21
US7592243B2 (en) 2009-09-22
CN1291500C (zh) 2006-12-20
JP4236992B2 (ja) 2009-03-11
TWI222177B (en) 2004-10-11
US6977417B2 (en) 2005-12-20
US20040004250A1 (en) 2004-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4236992B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US8110897B2 (en) Semiconductor device with carbon-containing region
US7531435B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US7332400B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device having a gate structure with low parasitic capacitance
US6806534B2 (en) Damascene method for improved MOS transistor
US6500720B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JPH09135025A (ja) 半導体装置の製造方法
US6734109B2 (en) Method of building a CMOS structure on thin SOI with source/drain electrodes formed by in situ doped selective amorphous silicon
KR100376182B1 (ko) 절연게이트형전계효과트랜지스터및그의제조방법
US6972222B2 (en) Temporary self-aligned stop layer is applied on silicon sidewall
JPH0917883A (ja) 表面チャネル型mosトランジスタ、相補型電界効果トランジスタ及びそれらの製造方法
US6808974B2 (en) CMOS structure with maximized polysilicon gate activation and a method for selectively maximizing doping activation in gate, extension, and source/drain regions
KR100574172B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
US7235450B2 (en) Methods for fabricating semiconductor devices
JP4186247B2 (ja) 半導体装置の製造方法および導電性シリコン膜の形成方法
JP2007288051A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000012836A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007227694A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20060077160A (ko) 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법
KR20120007678A (ko) 반도체 장치 제조방법
JP2006279013A (ja) 電界効果型トランジスタの製造方法
JPH08306915A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20040037572A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR20040005482A (ko) 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080421

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080729

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20080731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080926

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081209

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4236992

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees