JP2010526442A - 複数のタイプのショットキ接合部を有するトランジスタの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 161
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 161
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26586—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66643—Lateral single gate silicon transistors with source or drain regions formed by a Schottky barrier or a conductor-insulator-semiconductor structure
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Abstract
Description
Claims (20)
- 方法であって、
基板を用意すること、
ゲート電極を前記基板の上に配置されるように形成すること、
第1の斜め金属注入を第1の角度において前記基板中に行なった後に、第2の斜め金属注入を第2の角度において行なうことであって、第1の斜め金属注入と第2の斜め金属注入とによって第1の電流電極と第2の電流電極とが形成され、前記第1の電流電極と前記第2の電流電極とはそれぞれ、金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有する、前記注入を行なうこと、
金属層を前記ゲート電極と前記第1の電流電極と前記第2の電流電極との上に配置されるように堆積すること、
前記金属層をアニールして、障壁レベルの異なる2つのショットキ接合部を前記第1の電流電極及び前記第2の電流電極のそれぞれにおいて形成すること
を備える方法。 - 前記第1の角度と前記第2の角度とを、垂直方向の基準に対して実質的に同じ角度で実現することをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有する第1の電流電極において、さらに、
前記第1の電流電極の下面と前記基板との第1の界面に第1のショットキ接合部を有する第1の金属組成の第1の領域を形成すること、
前記第1の電流電極のチャネル・エッジ面と前記基板との第2の界面に第2のショットキ接合部を有する第2の金属組成の第2の領域を形成すること
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のショットキ接合部はショットキ障壁高さが前記第2のショットキ接合部よりも高い、請求項3に記載の方法。
- 前記第1の斜め金属注入と前記第2の斜め金属注入とを異なる方向から行なう、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の斜め金属注入と前記第2の斜め金属注入とはそれぞれ、2つの実質的に反対方向から注入することをさらに含み、前記第1の角度は前記第2の角度と異なる、請求項1に記載の方法。
- 金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有する第1の電流電極と第2の電流電極とにおいて、さらに、
前記第1の電流電極を、第1のショットキ障壁高さを有する第1のショットキ接合部を有する第1の領域を伴って形成すること、
前記第1の電流電極を、第2のショットキ障壁高さを有する第2のショットキ接合部を有する第2の領域を伴って形成すること、
前記第2の電流電極を、第3のショットキ障壁高さを有する第3のショットキ接合部を有する第1の領域を伴って形成すること、
前記第2の電流電極を、前記第2のショットキ障壁高さを有する第2のショットキ接合部を有する第2の領域を伴って形成すること
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のショットキ障壁高さは前記第3のショットキ障壁高さよりも低い、請求項7に記載の方法。
- 方法であって、
基板を用意すること、
ゲート電極を前記基板の上に配置されるように形成すること、
第1の斜め金属注入を第1の角度において前記基板中に行なった後に、第2の斜め金属注入を第2の角度において行なって、第1の電流電極と第2の電流電極とを形成することであって、前記第1の斜め金属注入と前記第2の斜め金属注入とを異なる方向から行ない、前記第1の電流電極と前記第2の電流電極とはそれぞれ、金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有し、前記第1の電流電極は、前記第2の電流電極とは非対称的な組成を有する、前記第1の電流電極と前記第2の電流電極とを形成すること、
金属層をゲート電極と第1の電流電極と第2の電流電極との上に配置されるように堆積すること、
金属層をアニールして、障壁レベルの異なる2つのショットキ接合部を第1の電流電極と第2の電流電極とのそれぞれにおいて形成すること
を備える方法。 - 前記第1の角度と前記第2の角度とを、垂直方向の基準に対して実質的に同じ角度で実現することをさらに備える、請求項9に記載の方法。
- 金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有する第1の電流電極において、さらに、
前記第1の電流電極の下面と前記基板との第1の界面に第1のショットキ接合部を有する第1の金属組成の第1の領域を形成すること、
チャネル・エッジ面と前記基板との第2の界面に第2のショットキ接合部を有する第2の金属組成の第2の領域を形成すること
を備える、請求項9に記載の方法。 - 前記第1のショットキ接合部はショットキ障壁高さが前記第2のショットキ接合部よりも高い、請求項11に記載の方法。
- 金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有する第1の電流電極と第2の電流電極とにおいて、さらに、
前記第1の電流電極を、第1のショットキ障壁高さを有する第1のショットキ接合部を有する第1の領域を伴って形成すること、
前記第1の電流電極を、第2のショットキ障壁高さを有する第2のショットキ接合部を有する第2の領域を伴って形成すること、
前記第2の電流電極を、第3のショットキ障壁高さを有する第3のショットキ接合部を有する第1の領域を伴って形成すること、
前記第2の電流電極を、前記第2のショットキ障壁高さを有する第2のショットキ接合部を有する第2の領域を伴って形成すること
を備える、請求項9に記載の方法。 - 前記第1のショットキ障壁高さは前記第3のショットキ障壁高さよりも低い、請求項13に記載の方法。
- 方法であって、
基板を用意すること、
ゲート電極を前記基板の上に配置されるように形成すること、
第1の斜め金属注入を第1の角度において前記基板中に、第1の方向から行なうこと、
第2の斜め金属注入を前記第1の角度において前記基板中に、前記第1の方向とは異なる第2の方向から行なうことであって、前記第1の斜め金属注入と前記第2の斜め金属注入とによって第1の電流電極と第2の電流電極とが基板内に形成される、前記第2の斜め金属注入を行なうこと、
第3の斜め金属注入を前記基板中に、前記第1の角度よりも小さい第2の角度において、第3の方向から行なうこと、
第4の斜め金属注入を前記第2の角度において前記基板中に、前記第3の方向とは異なる第4の方向から行なうことであって、前記第1の電流電極と前記第2の電流電極とはそれぞれ、金属組成が異なる少なくとも2つの領域を有し、前記第1の電流電極は、前記第2の電流電極とは対称的な組成を有する、前記第4の斜め金属注入を行なうこと、
金属層を前記ゲート電極と前記第1の電流電極と前記第2の電流電極との上に配置されるように堆積すること、
前記金属層をアニールして、障壁レベルの異なる2つのショットキ接合部を前記第1の電流電極及び前記第2の電流電極のそれぞれにおいて形成すること
を備える方法。 - 前記第1の方向を、前記第2の方向と実質的に反対側に実現することをさらに備える、請求項15に記載の方法。
- 前記第1の電流電極及び前記第2の電流電極のそれぞれにおける2つのショットキ接合部のうち第1のものは、前記ゲート電極の下に配置されたチャネル領域に隣接し、障壁高さが実質的に同じである、請求項15に記載の方法。
- 前記第1の電流電極を形成することはさらに、
前記第1の電流電極の下面と前記基板との第1の界面に第1のショットキ接合部を有する第1の金属組成の第1の領域を形成すること、
前記第1の電流電極のチャネル・エッジ面と前記基板との第2の界面に第2のショットキ接合部を有する第2の金属組成の第2の領域を形成すること
を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記第1の斜め金属注入と前記第2の斜め金属注入とをそれぞれ行なうことはさらに、斜め金属注入を、イットリウム、ボロン、およびプラチナの群からなる金属を用いて行なうことを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記第3の斜め金属注入と前記第4の斜め金属注入とをそれぞれ行なうことはさらに、斜め金属注入を、エルビウム、ヒ素、およびアルミニウムの群からなる金属を用いて行なうことを含む、請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/744,638 | 2007-05-04 | ||
US11/744,638 US7858505B2 (en) | 2007-05-04 | 2007-05-04 | Method of forming a transistor having multiple types of Schottky junctions |
PCT/US2008/059739 WO2008137243A1 (en) | 2007-05-04 | 2008-04-09 | Method of forming a transistor having multiple types of schottky junctions |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010526442A true JP2010526442A (ja) | 2010-07-29 |
JP2010526442A5 JP2010526442A5 (ja) | 2011-06-16 |
JP5354692B2 JP5354692B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=39939815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010506383A Expired - Fee Related JP5354692B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-04-09 | 複数のタイプのショットキ接合部を有するトランジスタの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7858505B2 (ja) |
JP (1) | JP5354692B2 (ja) |
KR (1) | KR101433993B1 (ja) |
CN (1) | CN101675526B (ja) |
TW (1) | TWI443752B (ja) |
WO (1) | WO2008137243A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015118973A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス合同会社 | 半導体装置の製造方法及びその半導体装置 |
CN108878517A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 济南大学 | 肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS633473A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-08 | ローラル・エアロスペイス・コーポレイション | シヨツトキ−障壁ホトダイオ−ドを形成するための注入方法および構造体 |
JP2001068662A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004235603A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-08-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005026563A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283202A (en) | 1986-03-21 | 1994-02-01 | Advanced Power Technology, Inc. | IGBT device with platinum lifetime control having gradient or profile tailored platinum diffusion regions |
US4875082A (en) | 1986-06-20 | 1989-10-17 | Ford Aerospace Corporation | Schottky barrier photodiode structure |
US6339005B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Disposable spacer for symmetric and asymmetric Schottky contact to SOI MOSFET |
US6303479B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Spinnaker Semiconductor, Inc. | Method of manufacturing a short-channel FET with Schottky-barrier source and drain contacts |
US6376342B1 (en) | 2000-09-27 | 2002-04-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of forming a metal silicide layer on a source/drain region of a MOSFET device |
US6509609B1 (en) | 2001-06-18 | 2003-01-21 | Motorola, Inc. | Grooved channel schottky MOSFET |
JP4636844B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
US20060091490A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Hung-Wei Chen | Self-aligned gated p-i-n diode for ultra-fast switching |
JP4504214B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | Mos型半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-04 US US11/744,638 patent/US7858505B2/en active Active
-
2008
- 2008-04-09 CN CN2008800147136A patent/CN101675526B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-09 WO PCT/US2008/059739 patent/WO2008137243A1/en active Application Filing
- 2008-04-09 JP JP2010506383A patent/JP5354692B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-09 KR KR1020097022966A patent/KR101433993B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-28 TW TW097115593A patent/TWI443752B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS633473A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-08 | ローラル・エアロスペイス・コーポレイション | シヨツトキ−障壁ホトダイオ−ドを形成するための注入方法および構造体 |
JP2001068662A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004235603A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-08-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005026563A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5354692B2 (ja) | 2013-11-27 |
CN101675526A (zh) | 2010-03-17 |
US7858505B2 (en) | 2010-12-28 |
KR101433993B1 (ko) | 2014-08-25 |
CN101675526B (zh) | 2012-03-21 |
TW200901333A (en) | 2009-01-01 |
KR20100016172A (ko) | 2010-02-12 |
TWI443752B (zh) | 2014-07-01 |
WO2008137243A1 (en) | 2008-11-13 |
US20080274601A1 (en) | 2008-11-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110407 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110407 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5354692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |