JP2004221589A - 電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004221589A JP2004221589A JP2004006031A JP2004006031A JP2004221589A JP 2004221589 A JP2004221589 A JP 2004221589A JP 2004006031 A JP2004006031 A JP 2004006031A JP 2004006031 A JP2004006031 A JP 2004006031A JP 2004221589 A JP2004221589 A JP 2004221589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- film
- layer
- gate
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 49
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 101100058970 Arabidopsis thaliana CALS11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100058964 Arabidopsis thaliana CALS5 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100031885 General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Human genes 0.000 description 1
- 101000920748 Homo sapiens General transcription and DNA repair factor IIH helicase subunit XPB Proteins 0.000 description 1
- 101100049574 Human herpesvirus 6A (strain Uganda-1102) U5 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100034184 Macrophage scavenger receptor types I and II Human genes 0.000 description 1
- 101710134306 Macrophage scavenger receptor types I and II Proteins 0.000 description 1
- 101100341076 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) IPK1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 101150064834 ssl1 gene Proteins 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66833—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/40—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the peripheral circuit region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】 この素子は、半導体基板に定義されたセル領域と、セル領域に形成されて活性領域を限定する複数個の平行な素子分離膜を含む。活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。電荷貯蔵絶縁膜上に素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインが形成され、所定のゲートラインの間に導電性パターンが配置される。導電性パターンは電荷貯蔵絶縁膜を貫通して活性領域に電気的に接続される。この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。
【選択図】 図7
Description
56 トレンチ素子分離膜
64 下部酸化膜
66 電荷トラップ層
68 上部酸化膜
74c 電荷貯蔵絶縁膜
b セル領域
w1〜wn ワードライン
Claims (21)
- 半導体基板に定義されたセル領域と、
前記セル領域に形成されて活性領域を限定する複数個の平行なトレンチ素子分離膜と、
前記活性領域及び前記素子分離膜上にコンフォマルに形成された電荷貯蔵絶縁膜と、
前記電荷貯蔵絶縁膜上に形成され、前記活性領域の上部を横切る複数個の平行なワードラインと、
前記ワードラインの間に配置され、前記電荷貯蔵絶縁膜を貫通して前記活性領域に電気的に接続された導電性パターンと、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。 - 前記素子分離膜の上部面は前記活性領域の表面よりも高いレベルに位置することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記ワードラインは前記素子分離膜上に形成された前記電荷貯蔵絶縁膜の上に伸張されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記電荷貯蔵絶縁膜は順次に積層された下部酸化膜、電荷トラップ層及び上部酸化膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記上部酸化膜は絶縁性金属酸化膜であることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ素子。
- セル領域、高電圧領域及び低電圧領域が具備された半導体基板に形成されて前記セル領域に複数個の平行な第1活性領域、前記高電圧領域に第2活性領域、前記低電圧領域に第3活性領域を限定するトレンチ素子分離膜と、
前記第1活性領域及び前記素子分離膜上にコンフォマルに形成された電荷貯蔵絶縁膜と、
前記電荷貯蔵絶縁膜上に形成され、前記素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインと、
前記第2活性領域の上部及び前記第3活性領域の上部を各々横切る高電圧ゲートパターン及び低電圧ゲートパターンと、
前記高電圧ゲートパターンと前記第2活性領域との間と、前記低電圧ゲートパターンと前記第3活性領域との間に各々介在された高電圧ゲート絶縁膜及び低電圧ゲート絶縁膜と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。 - 前記素子分離膜の上部面は前記活性領域の表面よりも高いレベルに位置することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記電荷貯蔵絶縁膜は順次に積層された下部酸化膜、電荷トラップ層及び上部酸化膜を含むことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記上部酸化膜は絶縁膜金属酸化膜であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記高電圧ゲート絶縁膜は順次に積層された第1酸化膜及び前記下部酸化膜を含み、
前記低電圧ゲート絶縁膜は順次に積層された第2酸化膜及び前記下部酸化膜を含み、
前記第1酸化膜は前記第2酸化膜よりも厚いことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記セル領域はワードライン領域と、前記ワードライン領域の両側に定義された選択ゲート領域とを含み、
前記ゲートラインは前記ワードライン領域に配置された複数個のワードラインと、前記ワードライン領域の両側の前記選択ゲート領域に各々配置された接地選択ゲートライン及びストリング選択ゲートラインとを含み、
前記選択ゲート領域の前記接地選択ゲートライン及び前記ストリング選択ゲートラインの下部の前記電荷貯蔵絶縁膜と前記第1活性領域との間に前記第2酸化膜がさらに介在されることを特徴とする請求項10に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記高電圧ゲート絶縁膜は順次に積層された第1酸化膜、前記下部酸化膜及び第2酸化膜を含み、
前記低電圧ゲート絶縁膜は順次に積層された前記下部酸化膜及び前記第2酸化膜を含むことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記セル領域はワードライン領域と、前記ワードライン領域の両側に定義された選択ゲート領域とを含み、
前記ゲートラインは前記ワードライン領域に配置された複数個のワードラインと、前記ワードライン領域の両側の前記選択ゲート領域に各々配置された接地選択ゲートライン及びストリング選択ゲートラインとを含み、
前記電荷貯蔵絶縁膜は前記ワードライン領域に形成され、
前記選択ゲート領域の前記ストリング選択ゲートラインと前記第1活性領域との間と、前記接地選択ゲートラインと前記第1活性領域との間とに前記下部酸化膜及び前記第2酸化膜が介在されることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記高電圧ゲート絶縁膜及び前記低電圧ゲート絶縁膜は前記第2酸化膜上に前記上部酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記高電圧ゲート酸化膜は順次に積層された第1酸化膜及び第2酸化膜を含み、
前記低電圧ゲート酸化膜は前記第2酸化膜であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記セル領域はワードライン領域と、前記ワードライン領域の両側に定義された選択ゲート領域とを含み、
前記ゲートラインは前記ワードライン領域に配置された複数個のワードラインと、前記ワードライン領域の両側の前記選択ゲート領域に各々配置された接地選択ゲートライン及びストリング選択ゲートラインとを含み、
前記選択ゲート領域の前記電荷貯蔵絶縁膜と前記第1活性領域との間に前記第2酸化膜がさらに介在されることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記各ゲートラインは第2導電膜及び第3導電膜が積層されて形成され、
前記高電圧ゲート電極及び前記低電圧ゲート電極は第1導電膜及び前記第3導電膜が積層されて形成されることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ素子。 - セル領域、高電圧領域及び低電圧領域が具備された半導体基板に形成されて前記セル領域に複数個の平行な第1活性領域、前記高電圧領域に第2活性領域、前記低電圧領域に第3活性領域を限定するトレンチ素子分離膜と、
前記第1活性領域及び前記素子分離膜上にコンフォマルに形成され、順次に積層された下部酸化膜、電荷トラップ層及び上部酸化膜を含む電荷貯蔵絶縁膜と、
前記電荷貯蔵絶縁膜上に形成され、前記素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインと、を含み、
前記セル領域はワードライン領域と、前記ワードライン領域の両側に定義された選択ゲート領域とを含み、
前記ゲートラインは前記ワードライン領域に配置された複数個のワードラインと、前記ワードライン領域の両側の前記選択ゲート領域に各々配置された接地選択ゲートライン及びストリング選択ゲートラインとを含み、
前記ワードラインの下部に形成された前記電荷貯蔵絶縁膜の前記下部酸化膜の厚さは前記接地選択ゲートライン及びストリング選択ゲートラインの下部に形成された前記電荷貯蔵絶縁膜の前記下部酸化膜の厚さよりも薄いことを特徴とし、
前記第2活性領域の上部及び前記第3活性領域の上部を各々横切る高電圧ゲートパターン及び低電圧ゲートパターンと、
前記高電圧ゲートパターンと前記第2活性領域との間と、前記低電圧ゲートパターンと前記第3活性領域との間とに各々介在された高電圧ゲート絶縁膜及び低電圧ゲート絶縁膜と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。 - セル領域が定義された半導体基板にパッド絶縁膜及びハードマスク膜を形成する段階と、
前記ハードマスク膜、前記パッド絶縁膜及び前記半導体基板をパターニングして前記セル領域に複数個の平行なトレンチを形成する段階と、
前記セル領域の全面に前記トレンチを満たすトレンチ絶縁膜を形成する段階と、
化学機械的研磨工程を使用して前記トレンチ絶縁膜を研磨して前記ハードマスク膜を露出させると同時に、前記トレンチを満たし、複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜を形成する段階と、
前記ハードマスク膜及び前記パッド絶縁膜を除去する段階と、
前記活性領域及び前記素子分離膜上に電荷貯蔵絶縁膜をコンフォマルに形成する段階と、
前記電荷貯蔵絶縁膜上に前記素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインを形成する段階と、
所定の前記ゲートラインの間に前記電荷貯蔵絶縁膜を貫通して前記活性領域に電気的に接続された導電性パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記電荷貯蔵絶縁膜は下部酸化膜、電荷トラップ層及び上部酸化膜を順次に積層して形成することを特徴とする請求項19に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記上部酸化膜は絶縁性金属酸化膜で形成することを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0001566A KR100504691B1 (ko) | 2003-01-10 | 2003-01-10 | 전하저장절연막을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221589A true JP2004221589A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=36385348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004006031A Pending JP2004221589A (ja) | 2003-01-10 | 2004-01-13 | 電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6995424B2 (ja) |
JP (1) | JP2004221589A (ja) |
KR (1) | KR100504691B1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006279010A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
US7470948B2 (en) | 2006-03-07 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory cell array structures in NAND flash memory devices |
JP2009206355A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリの製造方法 |
JP2009218494A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
JP2009245958A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | Nand型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2011029576A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-02-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2013168673A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Toshiba Corp | Nand型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2015002309A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社フローディア | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4051175B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2008-02-20 | スパンション エルエルシー | 不揮発性半導体メモリ装置および製造方法 |
US6972226B2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Charge-trapping memory cell array and method for production |
US7387932B2 (en) * | 2004-07-06 | 2008-06-17 | Macronix International Co., Ltd. | Method for manufacturing a multiple-gate charge trapping non-volatile memory |
US20060007732A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Macronix International Co., Ltd. | Charge trapping non-volatile memory and method for operating same |
US8482052B2 (en) | 2005-01-03 | 2013-07-09 | Macronix International Co., Ltd. | Silicon on insulator and thin film transistor bandgap engineered split gate memory |
US7473589B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-01-06 | Macronix International Co., Ltd. | Stacked thin film transistor, non-volatile memory devices and methods for fabricating the same |
US7315474B2 (en) * | 2005-01-03 | 2008-01-01 | Macronix International Co., Ltd | Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays |
KR100833427B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-05-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 보존 특성을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 소자 |
US7538000B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-05-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming double gate transistors having varying gate dielectric thicknesses |
US7763927B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-07-27 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile memory device having a nitride-oxide dielectric layer |
KR100655435B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR100717280B1 (ko) * | 2005-08-22 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 장치의 셀 어레이 및 그 형성 방법 |
KR100660551B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2006-12-22 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR100673016B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
KR100710806B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2007-04-23 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
US7907450B2 (en) * | 2006-05-08 | 2011-03-15 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for implementing bit-by-bit erase of a flash memory device |
KR100733055B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2007-06-28 | 삼성전자주식회사 | 전하 트랩형 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US8772858B2 (en) * | 2006-10-11 | 2014-07-08 | Macronix International Co., Ltd. | Vertical channel memory and manufacturing method thereof and operating method using the same |
US7811890B2 (en) * | 2006-10-11 | 2010-10-12 | Macronix International Co., Ltd. | Vertical channel transistor structure and manufacturing method thereof |
US8642441B1 (en) | 2006-12-15 | 2014-02-04 | Spansion Llc | Self-aligned STI with single poly for manufacturing a flash memory device |
KR20080057790A (ko) * | 2006-12-21 | 2008-06-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플래시 메모리 및 그 제조 방법 |
US20090039414A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Macronix International Co., Ltd. | Charge trapping memory cell with high speed erase |
KR101489885B1 (ko) * | 2007-11-21 | 2015-02-06 | 삼성전자주식회사 | 개선된 신뢰성을 갖는 트랩형 비휘발성 메모리 장치 및 그동작 방법 |
KR101426845B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2014-08-14 | 삼성전자주식회사 | 공통 소스를 포함하는 비휘발성 기억 소자 |
JP2009267254A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | チャージトラップ型不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US7915667B2 (en) * | 2008-06-11 | 2011-03-29 | Qimonda Ag | Integrated circuits having a contact region and methods for manufacturing the same |
KR100973827B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2010-08-04 | 경북대학교 산학협력단 | 고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 |
JP2010199194A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2010219099A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US20110221006A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Spansion Llc | Nand array source/drain doping scheme |
US8441063B2 (en) * | 2010-12-30 | 2013-05-14 | Spansion Llc | Memory with extended charge trapping layer |
US9240405B2 (en) | 2011-04-19 | 2016-01-19 | Macronix International Co., Ltd. | Memory with off-chip controller |
KR102001228B1 (ko) * | 2012-07-12 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR200485762Y1 (ko) | 2016-11-24 | 2018-02-20 | 민병규 | 안전 난간 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09116032A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2002026153A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP2002158298A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置および製造方法 |
JP2002280465A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2002280467A (ja) * | 2001-03-17 | 2002-09-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Sonosフラッシュメモリ素子及びその形成方法 |
JP2002313967A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004039866A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004047889A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5188976A (en) * | 1990-07-13 | 1993-02-23 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device |
AU735045B2 (en) * | 1997-10-30 | 2001-06-28 | Texas Instruments Incorporated | A process flow to integrate high and low voltage peripheral transistors with a floating gate array |
JP2001085547A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法 |
JP4078014B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2008-04-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
IT1318145B1 (it) * | 2000-07-11 | 2003-07-23 | St Microelectronics Srl | Processo per fabbricare una cella di memoria non-volatile con unaregione di gate flottante autoallineata all'isolamento e con un alto |
KR100357692B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2002-10-25 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법 |
KR100816745B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR100395755B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-08-21 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US6440798B1 (en) * | 2001-07-26 | 2002-08-27 | Macronix International Co. Ltd. | Method of forming a mixed-signal circuit embedded NROM memory and MROM memory |
KR100399350B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 부유 트랩형 소자를 가지는 비휘발성 반도체 메모리 장치및 그 제조방법 |
US7012297B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Scalable flash/NV structures and devices with extended endurance |
US6682977B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-01-27 | Winbond Electronics Corporation | Method for fabricating a gate structure of a flash memory |
-
2003
- 2003-01-10 KR KR10-2003-0001566A patent/KR100504691B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-13 US US10/712,426 patent/US6995424B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-13 JP JP2004006031A patent/JP2004221589A/ja active Pending
-
2005
- 2005-11-14 US US11/272,638 patent/US7495284B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09116032A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2002026153A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP2002158298A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置および製造方法 |
JP2002313967A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002280467A (ja) * | 2001-03-17 | 2002-09-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Sonosフラッシュメモリ素子及びその形成方法 |
JP2002280465A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2004039866A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004047889A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006279010A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
US7470948B2 (en) | 2006-03-07 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory cell array structures in NAND flash memory devices |
JP2009206355A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリの製造方法 |
US7960779B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof |
JP2009218494A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
JP2009245958A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | Nand型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2011029576A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-02-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US8598649B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same |
JP2013168673A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Toshiba Corp | Nand型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2015002309A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社フローディア | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6995424B2 (en) | 2006-02-07 |
KR20040064339A (ko) | 2004-07-19 |
US20060102952A1 (en) | 2006-05-18 |
US7495284B2 (en) | 2009-02-24 |
US20040135194A1 (en) | 2004-07-15 |
KR100504691B1 (ko) | 2005-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100504691B1 (ko) | 전하저장절연막을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법 | |
KR100396470B1 (ko) | 비트라인 콘택패드를 갖는 불휘발성 메모리 장치 및 그제조방법 | |
US7384843B2 (en) | Method of fabricating flash memory device including control gate extensions | |
JP3917063B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4068286B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009004517A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US7473600B2 (en) | Nonvolatile memory device and method of forming the same | |
JP2004274062A (ja) | 選択トランジスタを有するeeprom及びその製造方法 | |
JP2007036173A (ja) | フラッシュメモリ素子およびその製造方法 | |
JP3941517B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7335940B2 (en) | Flash memory and manufacturing method thereof | |
JP2007184620A (ja) | マスクromを具備する半導体装置及びその製造方法 | |
JP4459588B2 (ja) | 半導体素子及びその形成方法 | |
JP5090619B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007073963A (ja) | スプリットゲート型不揮発性記憶装置及びその製造方法 | |
JP2009124102A (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
US8017992B2 (en) | Flash memory device and method of fabricating the same | |
JP4504300B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010021496A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
JP2008118085A (ja) | フラッシュメモリ素子及びその製造方法 | |
JP4528718B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリの製造方法 | |
JP2009253037A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010129740A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US8216899B2 (en) | Flash memory device and method manufacturing the same | |
US7144774B1 (en) | Method of fabricating non-volatile memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100608 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101124 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110218 |