JP2004134775A - 導電性ペースト - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016276 Bi2O3—SiO2—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020410 SiO2—B2O3—PbO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020443 SiO2—PbO—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
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- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
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- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
【課題】Si太陽電池の裏面電極用として用いたとき、Si太陽電池の裏面電極としての機能を維持しつつ、焼成時の電極膜の焼成収縮が小さく、Siウエハの反りを抑えることができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および該有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有し、この粒子は有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種である、Si太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペースト。
【選択図】 なし
【解決手段】Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および該有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有し、この粒子は有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種である、Si太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペースト。
【選択図】 なし
Description
本発明はSi太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペーストに関する。
Si太陽電池の構造としては、例えば図1(a)にその断面構造を示すものがある。Si太陽電池1は、p−Si層2aとn−Si層2bとからなるSiウエハ2と、Siウエハ2のn−Si層2b側に形成された受光面電極3と反射防止膜4と、Siウエハのp−Si層2a側に形成された裏面電極5とからなる。
従来より、Si太陽電池の裏面電極として、特に電極形成に伴う加工性を考慮した場合、Al粉末とガラスフリットを有機ビヒクル中に分散させたAlペーストを使用することが有効な手段である。
Alペーストによる裏面電極5は、次のように形成される。すなわち、まずSiウエハ2のp−Si層2a側全面に、Al粉末5aとガラスフリットを有機ビヒクル中に分散させた導電性ペーストをスクリーン印刷などで塗布し、乾燥させる。その後、近赤外線炉にて、大気雰囲気中で、Al粉末の融点すなわち660℃以上の温度で焼成し、有機成分を除去してAl粉末5aを焼結させて膜厚40〜100μm程度の裏面電極5を得る。
この焼成の際に、裏面電極5付近を拡大した図1(b)に示すように、裏面電極5はp−Si層2aと反応して、接合界面のp−Si層2a側にAl−Si合金層2cが形成され、さらにAl−Si合金層2cを介してp−Si層2aの内部にAlイオンが拡散し、p+電解層2dが形成される。Al−Si合金層2cおよびp+電解層2dは、裏面電極5のp−Si層2aに対するオーミック接触性を確保するとともに、長波長光反射効果、電子再結合防止効果、内部電解向上効果などによってSi太陽電池特性を向上させる働きを持つ。
これらのSi太陽電池の裏面電極用導電性ペーストについては、従来技術として特許文献1〜3に、基本材料構成、有機ビヒクル、ガラスフリット、およびAl粉末に関して、種々の有効な技術が開示されている。そして、これらの技術により、Si太陽電池の裏面電極として、上記したp−Si層に対するオーミック接触性を確保するとともに、長波長光反射効果、電子再結合防止効果、内部電解向上効果などのSi太陽電池特性、および電極形成性が向上されている。
また、特許文献4には、ペースト材料のAl粉末の一部をSi粒子に置き換えて電極膜の熱膨張率をSiウエハの熱膨張率に近づけることで、Siウエハの反りを抑える方法が開示されている。
特開平10−247418号公報
特開2000−090733号公報
特開2001−202822号公報
特開2001−313402号公報
しかしながら、従来の特許文献1〜3に開示されている導電性ペーストを、Siウエハ(基板)の片面の全面に、スクリーン印刷などで塗布し、乾燥、焼成して電極を形成した場合、電極膜の焼成収縮、および電極とSiウエハ界面に形成されるAl−Si合金層とSiウエハとの熱膨張係数の違いにより、図2に示すようにSiウエハに反りが発生した。このSiウエハの反りにより、Si太陽電池セル生産に際して裏面電極形成以後の工程において、搬送時、カセット収納時、加工時などにハンドリングエラーやSiウエハの割れが発生しやすく、製造歩留まりが低下するという問題があった。また、近年、太陽電池の生産性を向上させるため、Siウエハの薄厚化、大面積化が検討されているなかで、このSiウエハの反りを防止することがより一層重要となってきている。
なお、特許文献4に開示された導電性ペーストの場合、電極膜の熱膨張率をSiウエハの熱膨張率と同等にしてSiウエハの反りを0とするためには、ペースト材料のAl粉末のほぼ全量をSi粒子に置き換える必要がある。Siウエハの反りを要求レベル以内に抑えるためには、大量のSi粒子を添加する必要があるが、これによって逆に電極特性が低下する。このように、特許文献4に開示された方法は、Siウエハの反りを抑える方法として、まだ不十分である。
そこで、本発明の目的は、Si太陽電池の裏面電極用として用いたとき、Si太陽電池の裏面電極としての機能を維持しつつ、焼成時の電極膜の焼成収縮が小さく、Siウエハの反りを抑えることができる導電性ペーストを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の導電性ペーストは、Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および該有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有し、該粒子は有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種であることを特徴とする、Si太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペーストである。なお、本発明でいう有機ビヒクルに難溶解性とは、粒子を有機ビヒクルに溶解させた場合、粒子の50重量%以下しか有機ビヒクル中に溶解しない場合を指す。
そして、前記有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の大きさは、平均粒子径で0.5〜10μmであることを特徴とする。
また、前記有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の含有量は、前記Al粉末100重量部に対して1〜10重量部であることを特徴とする。
本発明の、Si太陽電池の裏面電極に用いられる導電性ペーストは、Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の有機化合物粒子または炭素粒子を含有するものである。
そして、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の有機化合物粒子または炭素粒子は、ペースト中では固体粒子状態で存在し、焼成時に燃焼し消失することにより、電極内に微細な空孔を多数形成する。このため、電極焼成時の電極の焼成収縮がこの電極内部に存在する多数の微細な空孔によって緩和され、その結果、Siウエハ(基板)の反りが抑えられる。
したがって、本発明のSi太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペーストを用いることにより、Siウエハの反りが抑えられ、Si太陽電池製造時のSiウエハの割れを防いで、製造歩留まりを向上させることができると共に、Siウエハの薄厚化、大面積化の実用化に寄与することができる。
本発明のSi太陽電池の裏面電極形成用に用いられる導電性ペーストは、Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および該有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有するものであり、該粒子は有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種である。
そして、導電性ペースト中のAl粉末、ガラスフリット、有機ビヒクルについては、Alペーストとして一般に用いられているものであれば特に限定されるものではない。すなわち、Al粉末としては、球形、偏平、不定形など種々の形状のものが用いられ、その平均粒径は1〜10μm程度のものが好ましい。ガラスフリットとしては、SiO2−PbO系、SiO2−B2O3−PbO系、Bi2O3−SiO2−B2O3系などが用いられる。有機ビヒクルとしては、セルロース系樹脂やアルキッド樹脂などをタービネオール、カルビトール、セルソルブなどの有機溶剤に溶解したものが一般的であり、さらに必要に応じて可塑剤、表面処理剤などの添加剤を用いることができる。そして、導電性ペースト中のAl粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルの割合は、一般的には、Al粉末が60〜80重量%、ガラスフリットが1〜5重量%、有機ビヒクルが15〜40重量%程度とされる。
また、導電性ペースト中の、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子としては、有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種が用いられる。これら粒子は、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性であるため、ペースト中に固体粒子として存在しており、このペーストをSiウエハ(基板上)にスクリーン印刷などで塗布し乾燥させると、これら粒子が分散した塗膜が得られる。その後、この乾燥塗膜を焼成すると、塗膜中に分散していた粒子は燃焼し消失して、微細な空孔が多数形成された構造の電極が得られる。そして、電極の焼成収縮はこの電極内部に存在する多数の微細な空孔によって緩和され、その結果、Siウエハの反りが抑えられる。
また、上記した機能を示す粒子としては、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性であり、電極焼成過程にて燃焼して焼失する、有機化合物粒子あるいは炭素粒子であればその効果が得られるが、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化物より形成された合成樹脂粒子が、耐有機ビヒクル溶解性、燃焼性の点で特に好ましい。
また、これらの粒子は、球形、偏平、不定形など種々の形状のものを用いることができ、その平均粒径は0.5〜10μmであることが好ましい。平均粒径が0.5μm未満の微粒子では、粒子の凝集性が強く、また比表面積が大きく吸油量が多くなるため、ペースト中への均一分散が困難になる場合があり、またペースト粘度が大きく上昇する場合がある。一方、平均粒径10μmを超える粗粒子では、スクリーン印刷で目詰まりがおこって均一な電極膜を形成できない場合があり、また、燃焼が局部的に激しく起きるため、燃焼時の発生ガスにより電極膜が局部的に破壊され外観不良が増加し、電極性能が低下する場合がある。
また、これらの粒子のペースト中の含有量はAl粉末100重量部に対して1〜10重量部であることが好ましい。Al粉末100重量部に対して1重量部未満では、得られる電極膜中の空孔の占める割合が少なく、電極の焼成収縮を緩和する効果が小さく、効果的なSiウエハの反り防止が得られないことがある。一方、Al粉末100重量部に対して10重量部を超えると、電極膜中の空孔が多くなりすぎて電極膜の機械的強度が低下したり、燃焼時の発生ガスにより電極膜が破壊され気泡やワレなどの外観不良が発生したり、さらには、電極性能が顕著に低下する場合がある。
まず、平均粒径が3μmのAl粉末と、SiO2−PbO−B2O3系の平均粒径1μmのガラスフリットと、エチルセルロース樹脂とアルキッド樹脂をα−テルピネオールに溶解して作製した有機ビヒクルを準備した。また、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子として、表1に示す有機化合物粒子または炭素粒子を準備した。なお、これら粉末(粒子)の平均粒径は、エタノールとイソプロピルアルコールの混合溶剤を分散媒体として、レーザー回折散乱式の粒度分布測定装置を用いて測定した。
次に、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを、Al粉末が70重量%、ガラスフリットが3重量%、有機ビヒクルが27重量%となるように秤量し、さらにAl粉末100重量部に対して、表1に示す粒子を5重量部添加し、3本ロールミルで混練して、試料1〜4の導電性ペーストを得た。ここで、試料3に用いた炭素粒子とは導電性付与材料などとして一般的に用いられている球状のカーボンビーズのことである。
また、比較例として、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを、Al粉末が70重量%、ガラスフリットが3重量%、有機ビヒクルが27重量%となるように秤量し、3本ロールミルで混練して、試料5の導電性ペーストを得た。
次に、40mm(縦)×20mm(横)にカットした、pn接合で構成される厚さ350μmの太陽電池用のSiウエハ(基板)を用意した。その後、このSiウエハのp−Si面側の表面に、試料1〜5のペーストをスクリーン印刷によりほぼ全面に塗布し、150℃で乾燥させた。その後、近赤外炉において最高温度700℃で焼成して厚み30μmの裏面電極を形成し、試験試料をそれぞれ作製した。
次に、得られた試験試料、すなわち裏面電極を形成したSiウエハの反り量を測定した。また、裏面電極面の状態を目視にて観察した。これらの結果を表2に示す。なお、Siウエハの反り量は、接触式表面粗さ計を用いて、図2に示すように、試験試料の裏面電極側を下にして上面(Siウエハ面)側のうねりを測定して求めた。試験試料の長手方向の中央部で長さ35mmにわたって測定を行い、
測定長の両端を結んだ最底部と中央部付近の最上部の差をSiウエハの反り量とした。
測定長の両端を結んだ最底部と中央部付近の最上部の差をSiウエハの反り量とした。
表2から明らかなように、試料1〜4のように、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有する本発明の範囲内のペーストを用いてSiウエハ上に裏面電極を形成した場合、Siウエハの反り量は、Al粉末100重量部に対して5重量部と少量の添加により、上記粒子を含有しない比較例の試料5と比べて、約1/2以下と大幅に抑えられる。なお、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の種類による顕著な差はないが、アクリル樹脂を用いた場合がやや反りが少ないという傾向を示している。また、焼成後の電極表面状態についても、焼成時に発生する燃焼ガスによる気泡、ワレなどの欠陥は認められず良好である。
また、図3に、試料2および試料5の裏面電極断面のSEM写真を示す。(a)が本発明の範囲内の試料2であり、(b)が比較例の試料5である。図3から明らかなように、試料2は、有機化合物粒子の添加により、裏面電極内に多数の微細な空孔(SEM写真中の黒色部)が形成されていることが確認できる。また、試料2のように多数の空孔が形成された場合においても、Si太陽電池の裏面電極としての機能を発現するもととなるAl−Si合金層2cの形成状態は、比較例の試料5と比べて遜色ないことがわかる。したがって、本発明の導電性ペーストにより、従来と同等の、Si太陽電池の裏面電極としての機能が得られているものと判断できる。
実施例1と同じ、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを準備した。また、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子として、平均粒子径が0.3、0.5、1.5、5.0、10μmのアクリル樹脂をそれぞれ準備した。
次に、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを、Al粉末が70重量%、ガラスフリットが3重量%、有機ビヒクルが27重量%となるように秤量し、さらにAl粉末100重量部に対して、上記した粒径の異なるアクリル樹脂をそれぞれ5重量部添加し混練して、試料6〜10の導電性ペーストを得た。なお、試料6の導電性ペーストについては、他のペーストと比較して高粘度化が確認された。
次に、実施例1と同様にして、Siウエハに裏面電極を形成した試験試料を作製した。その後、実施例1と同様にして、Siウエハの反り量を求め、裏面電極状態を観察した。これらの結果を表3に示す。なお、表3には、実施例1で作製した、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子いずれも含有しない試料5の結果を、比較例として再掲載する。
表3より明らかなように、試料7〜10のように、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の大きさとしては、平均粒子径で0.5〜10μmの範囲が特に好ましい。
実施例1と同じ、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを準備した。また、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子として、平均粒径が5.0μmのアクリル樹脂を準備した。
次に、Al粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを、Al粉末が70重量%、ガラスフリットが3重量%、有機ビヒクルが27重量%となるように秤量し、さらにAl粉末100重量部に対して、アクリル樹脂を0.5、1.0、2.5、5.0、7.5、10重量部添加し混練して、試料11〜16の導電性ペーストを得た。
次に、実施例1と同様にして、Siウエハに裏面電極を形成した試験試料を作製した。その後、実施例1と同様にして、Siウエハの反り量を求め、裏面電極状態を観察した。これらの結果を表4に示す。なお、表4には、実施例1で作製した、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子いずれも含有しない試料5の結果を、比較例として再掲載する。
表4より明らかなように、試料12〜16のように、有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の含有量は、Al粉末100重量部に対して1〜10重量部の範囲が特に好ましい。
1 Si太陽電池
2 Siウエハ
2a n−Si層
2b p−Si層
2c Al−Si合金層
2d p+電解層
3 受光面電極
4 反射防止膜
5 裏面電極
2 Siウエハ
2a n−Si層
2b p−Si層
2c Al−Si合金層
2d p+電解層
3 受光面電極
4 反射防止膜
5 裏面電極
Claims (3)
- Al粉末、ガラスフリット、有機ビヒクル、および該有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子を含有し、該粒子は有機化合物粒子および炭素粒子のうちの少なくとも1種であることを特徴とする、Si太陽電池の裏面電極形成用の導電性ペースト。
- 前記有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の大きさは、平均粒子径で0.5〜10μmであることを特徴とする、請求項1に記載の導電性ペースト。
- 前記有機ビヒクルに難溶解性または不溶解性の粒子の含有量は、前記Al粉末100重量部に対して1〜10重量部であることを特徴とする、請求項1または2に記載の導電性ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003321428A JP2004134775A (ja) | 2002-09-19 | 2003-09-12 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002273151 | 2002-09-19 | ||
JP2003321428A JP2004134775A (ja) | 2002-09-19 | 2003-09-12 | 導電性ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004134775A true JP2004134775A (ja) | 2004-04-30 |
Family
ID=31944574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003321428A Abandoned JP2004134775A (ja) | 2002-09-19 | 2003-09-12 | 導電性ペースト |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040055635A1 (ja) |
EP (1) | EP1400987A3 (ja) |
JP (1) | JP2004134775A (ja) |
KR (1) | KR100660726B1 (ja) |
CN (1) | CN1263162C (ja) |
TW (1) | TWI254322B (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040025609A (ko) | 2004-03-24 |
EP1400987A3 (en) | 2004-04-07 |
CN1263162C (zh) | 2006-07-05 |
TWI254322B (en) | 2006-05-01 |
CN1487531A (zh) | 2004-04-07 |
US20040055635A1 (en) | 2004-03-25 |
EP1400987A2 (en) | 2004-03-24 |
KR100660726B1 (ko) | 2006-12-21 |
TW200409146A (en) | 2004-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050627 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070531 |