KR101156122B1 - 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지 - Google Patents
전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 유리 프릿 분말, 은 분말, 및 유기 바인더를 포함하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물은, 탄소계 물질 분말을 더 포함하고, 상기 탄소계 물질 분말의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 25 중량부 이하이며, 상기 은 분말의 은 입자는 평균입경이 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 전극형성용 금속 페이스트 조성물은 은의 함유량을 줄여도 생성된 전극의 전기적 특성이 실질적으로 감소되지 않는다.
전극, 금속 페이스트, 은, 탄소
Description
본 발명은 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 경제적으로 각종 회로나 전자제품에서 전극의 형성에 사용될 수 있는 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 상기 전극이 사용될 수 있는 한 예인 실리콘 태양전지에 관한 것이다.
최근 전자 산업이 발달함에 따라 전자제품 및 소자의 소형화 및 높은 신뢰성을 요구되고 있으며, 높은 집적도를 요구하는 현재 전자제품의 회로 패턴이나 전극 형성을 위해 다양한 방법들이 시도되고 있다. 그 중에서 도전성 금속 페이스트를 사용하는 것이 공정 중 부산물이나 오염물질의 생성이 적어 관심의 대상이 되고 있다.
일반적으로 사용되는 금속 페이스트는 도전성 금속, 유리 프릿, 유기 바인더 를 포함하여 이루어지며, 도전성 금속으로는 은, 알루미늄 등이 사용되고, 그 중에서 은이 주로 사용된다. 현재 도전성 금속 페이스트가 주로 사용되는 제품으로는 하이브리드 IC, 반도체IC의 실장이나 각종 콘덴서 및 전극 등이 있으며, 최근 PCB, EL, 터치패널, RFID, LCD, PDP, 태양전지 등의 첨단 전자제품에도 널리 사용되는 등, 관련 산업이 확대 발전됨에 따라 그 수요도 더욱 증가하고 있는 실정이다.
일 예로 태양전지의 경우에는 최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있으며, 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지로 분류되는데, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
태양전지는 원료 물질에 따라 크게 실리콘 태양전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양전지(tandem solar cell)로 구분된다. 이러한 3가지 종류의 태양전지 중 태양전지 시장에서는 실리콘 태양전지가 주류를 이루고 있다.
도 1은 실리콘 태양전지의 기본적인 구조를 보여주는 단면도이다. 도면을 참조하면, 실리콘 태양전지는 p형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)과 n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)을 포함하고, 기판(101)과 에미터층(102)의 계 면에는 다이오드와 유사하게 p-n 접합이 형성되어 있다.
위와 같은 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 입사되면, 광기전력효과(photovoltaic effect)에 의해 불순물이 도핑된 실리콘 반도체에서 전자와 정공이 발생한다. 참고로, n형 실리콘 반도체로 이루어진 에미터층(102)에서는 전자가 다수 캐리어로 발생되고, p형 실리콘 반도체로 이루어진 기판(101)에서는 정공이 다수 캐리어로 발생된다. 광기전력효과에 의해 발생된 전자와 전공은 각각 n형 실리콘 반도체 및 p형 실리콘 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 기판(101) 하부 및 에미터층(102) 상부와 접합된 전면전극(103) 및 후면전극(104)으로 이동하며, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전류가 흐르게 된다.
도전성 금속 페이스트는 태양전지에서는 전면전극 또는 후면전극의 제조를 위해 사용되며, 전술한 바와 같이 기타 다른 전자 제품에서 각종 전극을 제조하기 위해 사용된다.
하지만, 도전성 금속 페이스트에 통상적으로 포함되는 은은 전도성은 우수하나 귀금속으로서 가격이 높아 제품의 상용화에 어려운 문제가 있다.
따라서, 금속 페이스트로 제조되는 회로 또는 전극의 전기적 특성을 저하시키지 않으면서도 은의 사용량을 줄일 수 있는 기술 개발이 시급하다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 은의 함량이 낮아도 회로 또는 전극의 전기적 특성을 저하시키지 않는 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 은-탄소 복합체 전극과 실리콘 태양전지를 제공하는 것이다
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른, 유리 프릿 분말, 은 분말, 및 유기 바인더를 포함하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물은, 탄소계 물질 분말을 더 포함하고, 상기 탄소계 물질 분말의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 25 중량부 이하이며, 상기 은 분말의 은 입자는 평균입경이 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 특정 함량 범위의 탄소계 물질을 사용하고, 특정 범위의 평균입경을 갖는 은 입자로 구성된 은 분말을 사용함으로써, 은의 사용량을 줄이더라도 전기적 특성이 저하되지 않는 회로 또는 전극을 형성할 수 있는 금속 페이스트를 제공할 수 있다.
전술한 본 발명의 탄소계 물질은 예를 들면, 흑연, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 덴카 블랙, 캐천 블랙, 활성 카본, 중다공성 카본, 탄소나노튜브, 탄소나노섬유, 탄소나노혼, 탄소나노링, 탄소나노와이어, 풀러렌(C60) 또는 수퍼P를 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 전술한 금속 페이스트를 소성시켜 제조된 은-탄소 복합체 전극을 제공한다.
본 발명에 따른 은-탄소 복합체 전극은 전극 내의 은과 탄소 성분의 중량비가 은 : 탄소 = 1 : 0.001 ~ 0.25 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 본 발명의 금속 페이스트 조성물은 실리콘 태양전지의 전면전극 형성 에 사용될 수 있다.
본 발명의 전극형성용 금속 페이스트 조성물은 은의 함량이 종래보다 낮지만 그로부터 제조되는 회로 또는 전극의 전기적 특성이 실질적으로 저하되지 않는다.
따라서, 본 발명의 금속 페이스트 조성물을 사용하면 전극의 성능은 저하되지 않으면서도 고가의 은의 사용량을 줄일 수 있으므로 그로부터 제조되는 전기제품의 제조비용을 낮출 수 있다.
이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물은 종래 도전성 금속 페이스트가 사용되는 분야에서 사용될 수 있으며, 예를 들면 하이브리드 IC, 반도체IC의 실장이나 각종 콘덴서 및 전극 등에 사용될 수 있으며, 보다 상세하게는 PCB, EL, 터치패널, RFID, LCD, PDP, 태양전지, 발열유리용 전극재료 등에 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물은 전술한 바와 같이, 유리 프릿 분말, 은 분말, 및 유기 바인더를 포함하며, 특히 탄소계 물질 분말을 특정 함량 범위로 더 포함하며, 은 분말의 은 입자가 특정 범위의 평균입경을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 탄소계 물질은 금속 페이스트 조성물에서 은(Ag)을 일부 대신하여 사용됨으로써 은의 함량 감소를 가능하게 하며, 이후 형성되는 회로 또는 전극의 전기적 특성을 저하시키지 않는다.
이러한 탄소계 물질은 전도성을 띠는 탄소계 물질이면 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면 흑연, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 덴카 블랙, 캐천 블랙, 활성 카본, 중다공성 카본, 탄소나노튜브, 탄소나노섬유, 탄소나노혼, 탄소나노링, 탄소나노와이어, 플러렌(C60) 또는 수퍼P 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물에 있어서 탄소계 물질의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 25 중량부 이하인 것이 바람직하다. 25 중량부를 초과하면 형성된 전극의 비저항이 지나치게 높아져 전극으로서의 역할을 할 수 없게 된다. 그리고, 본 발명에 따른 탄소계 물질이 금속 페이스트에 포함되기만 하면 본 발명에서 목적하는 효과를 얻을 수 있으므로 상기 함량의 하한은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 은 분말 100 중량부에 대하여 1 중량부, 바람직하게는 0.1 중량부 일 수 있으나, 이는 예시적일 뿐 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물에 포함되는 은 분말의 은 입자는 평균 입경이 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 은 입자의 평균입경이 상기 범위를 초과하면 전극의 성능을 우수하게 유지하기 위한 탄소계 물질의 함량의 상한이 본 발명에서 요구되는 것보다 낮아진다.
은 입자의 평균입경이 상기 범위인 경우 탄소계 물질이 도전성 페이스트에 첨가되어 전극을 형성하더라도 전기적 특성이 저하되지 않을 뿐만 아니라, 전술한 바와 같이 페이스트에 첨가되는 탄소계 물질의 총 중량이 은 분말 100 중량부 대비 25 중량부가 되어도 이 후 형성되는 전극의 전기적 특성이 실질적으로 저하되지 않는다. 본 발명에 따른 은 분말을 이루는 은 입자는 그 평균입경이 1 ㎛ 이하인 경우라면 상기 본 발명에서 목적하는 효과를 얻을 수 있으므로, 그 하한에 대해서는 특별한 제한이 없다. 취급의 편의성 등을 고려하여 은 입자의 평균입경은 0.01 ~ 1 ㎛, 바람직하게는 0.1 ~ 1 ㎛ 일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물에 있어서, 선택적으로 당분야에서 통상적으로 사용되는 도전성 금속 성분을 더 첨가할 수 있다. 예를 들면, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 산화물 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 요구되는 특성을 더 부여할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 유리 프릿 분말은 당분야에서 사용되는 유리 프릿이 제한없이 사용될 수 있다. 이러한 유리 프릿 분말의 예를 들면, 납산화물 및/또는 비스무트 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로는 SiO2-PbO계, SiO2-PbO-B2O3계 또는 Bi2O3-B2O3-SiO2계 분말 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상기 은 분말, 탄소계 물질, 유리 프릿 분말 및 선택적인 도전성 금속 성분 의 혼합물을 페이스트 상으로 제조하기 위해 유기 바인더를 더 첨가한다. 본 발명에서 사용되는 유기 바인더는 금속 페이스트 조성물을 제조하기 위해 당분야에서 사용되는 유기 바인더라면 제한없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 셀룰로오스(Celluose), 부틸카르비톨(Butyl carbitol) 또는 터피네올(terpineol) 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 금속 페이스트 조성물에 있어서 유리 프릿 분말과 유기 바인더는 금속 페이스트 조성물의 구체적인 용도에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿 분말의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기 바인더는 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부가 포함될 수 있다.
상기 함량 범위에서 전극 형성이 용이하고, 스크린 프린팅에 매우 용이한 점도를 가질 수 있을 뿐만 아니라 스크린프린팅 후 페이스트가 흘러내리는 것을 방지하여 적합한 종횡비(Aspect ratio)를 나타낼 수 있다.
상기 혼합물이 균일하게 분산되도록 당분야에 알려진 다양한 방법으로 혼합시키면 본 발명의 금속 페이스트 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 금속 페이스트 조성물을 요구되는 목적에 따라 소정 기판에 도포시킨 후 소성 과정을 거쳐서 제조될 수 있는 은-탄소 복합체 전극을 제공한다.
본 발명의 은-탄소 복합체 전극은, 그 제조과정 중 소성 과정에서 전극의 표면 주위에 있는 탄소 성분이 대기 중의 산소와 반응하여 이산화탄소 등의 기체를 형성하고 소실된다. 따라서, 본 발명의 은-탄소 복합체 전극은 외부로 드러나는 전극 표면에는 탄소 성분이 실질적으로 존재하지 않게 되어 전극의 외부는 종래의 은 전극 고유의 색을 갖게 되며, 탄소계 물질은 전극 내부에만 분산된 형태로 존재하게 된다.
또한, 본 발명의 은-탄소 복합체 전극은 표면에서 비저항 값이 은 전극과 큰 차이를 나타내지 않는다. 예를 들면, 본 발명의 은-탄소 복합체 전극의 비저항은 5 ~ 15 μΩ/cm 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 은-탄소 복합체 전극은 제조과정 중 탄소 성분의 일부가 소실되므로, 페이스트 상태에서의 은과 탄소의 중량비와는 다른 중량비를 갖게 된다. 이는 소성 온도, 소성 시간 등 제조과정에 따라 다양한 값을 가질 수 있으며, 예를 들면, 은 : 탄소 = 1 : 0.001 ~ 0.25 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 은-탄소 복합체 전극을 얻기 위한 적절한 소성 온도는 통상적으로 도전성 페이스트에 적용되는 소성온도가 채택될 수 있으며, 예를 들면 500 ~ 960 ℃ 일 수 있으나, 이는 예시일 뿐 필요에 따라 다양한 변경이 가능하다.
이하에서는 본 발명의 금속 페이스트 조성물을 사용하는 실리콘 태양전지를 일 실시예로서 도 5를 참조하여 설명한다. 그러나, 전술한 바와 같이 본 발명의 금속 페이스트 조성물은 다른 각종 전기재료나 전자소자 및 전자제품에도 사용될 수 있음은 자명하다. 또한, 이하 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 5에는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 태양전지의 구조를 개략적인 단면도가 나타나 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 태양전지는, 실리콘 반도체 기판(201), 상기 기판(201)의 상부에 형성되는 에미터층(202), 상기 에미터층(202) 상에 형성된 반사방지막(203), 상기 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)의 상부 표면과 접속된 전면 전극(204), 및 상기 기판(201)의 배면에 접속된 후면 전극(205)을 포함한다.
기판(201)에는 p형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In 등이 불순물로 도핑될 수 있고, 에미터층(202)에는 n형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등이 불순물로 도핑될 수 있다. 이처럼 기판(201)과 에미터층(202)에 반대 도전형의 불순물이 도핑되면, 기판(201)과 에미터층(202)의 계면에는 p-n 접합이 형성된다. 한편 p-n 접합은 기판(201)에 n형 불순물을 도핑하고 에미터층(202)에 p형 불순물을 도핑하여 형성해도 무방하다.
상기 반사방지막(203)은 에미터층(202)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함(예컨대, 댕글링 본드)을 부동화하고 기판(201)의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다. 에미터층(202)에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지의 개방전압이 증가한다. 그리고 태양광의 반사율이 감소되면 p-n 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가한다. 이처럼 반사방지막(203)에 의해 태양전지의 개방전압과 단락전류가 증가 되면 그 만큼 태양전지의 변환효율이 향상된다.
상기 반사방지막(203)은 예를 들면 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, MgF2, TiO2 및 CeO2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 물질막이 조합된 다중막 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 상기 반사방지막(203)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있다. 하지만 본 발명에 따른 상기 반사방지막(203)의 형성방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전면 전극(204)과 후면 전극(205)은 각각 은과 알루미늄으로 이루어진 금속 전극이다. 상기 전면 전극(204)는 본 발명의 금속 페이스트 조성물로 제조된다. 은 전극은 전기 전도성이 우수하고, 알루미늄 전극은 전기 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘 반도체로 이루어진 기판(201)과의 친화력이 우수하여 접합이 잘 되는 장점이 있다.
상기 전면 전극(204)과 후면 전극(205)은 공지된 여러 가지 기술에 의해 제조 가능하지만, 바람직하게는 스크린 인쇄법에 의해 형성된 것이다. 즉, 전면 전극(204)은 전술한 바와 같이 본 발명의 금속 페이스트 조성물을 전면 전극 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 열처리가 시행되면 펀치 스루(punch through) 현상에 의해 전면 전극이 반사방지막(203)을 뚫고 에미터층(202)과 접속된다.
이와 유사하게, 후면 전극(205)은 알루미늄, 석영 실리카, 바인더 등이 첨가된 후면 전극용 페이스트를 기판(201)의 배면에 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 후면 전극의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판(201)의 배면을 통해 확산됨으로써 후면 전극(205)과 기판(201)의 경계면에 후면 전계(Back Surface field: 미도시)층이 형성될 수도 있다. 후면 전계층이 형성되면 캐리어가 기판(201)의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있다. 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압과 충실도가 상승하여 태양전지의 변환효율이 향상된다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
실시예 1~4 및 비교예 1~4
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라, 은 분말, Bi2O3계 유리 프릿 분말, 카본블랙을 혼합하여 균일하게 교반한 후, 셀룰로오스, 부틸카르비톨 및 터피네올이 2:5:5의 중량비로 혼합된 유기 바인더를 첨가하고 교반하여 금속 페이스트 조성물을 제조했다.
| 은 | 카본블랙 | 유리프릿 | 용매 | |
| 실시예1 | 100 | 0.5 | 10 | 20 |
| 실시예2 | 100 | 1.0 | 10 | 20 |
| 실시예3 | 100 | 10.0 | 10 | 20 |
| 실시예4 | 100 | 25.0 | 10 | 20 |
| 비교예1 | 100 | 0.5 | 10 | 20 |
| 비교예2 | 100 | 1.0 | 10 | 20 |
| 비교예3 | 100 | 10.0 | 10 | 20 |
| 비교예4 | 100 | 25.0 | 10 | 20 |
| 단위는 중량부. 실시예들의 은 입자는 평균입경이 약 0.8 ㎛. 비교예들의 은 입자는 평균입경이 약 3 ㎛. |
||||
시험예 : 소결 조직 평가
소성이 완료된 실시예 1~2 및 비교예 1~2에 따른 각 전극의 SEM 사진을 각각 도 2, 도 3, 도 4, 도 5에 나타내었다. 각 도면을 참고하면, 도 2 및 도 3의 소결 조직이 도 4 및 도 5 보다 훨씬 치밀한 것을 볼 수 있다.
시험예 : 전도도 측정
상기 실시예 1~4 및 비교예 1~4의 금속 페이스트 조성물로 각각 전극을 형성시킨 후, 그 비저항을 평가 하였다.
전극은 제조된 금속 페이스트 조성물을 유리 기판위에 스크린 프린팅 방식을 이용하여 인쇄 후, 650℃에서 5분 간 소성하여 형성하였다. 소성이 완료된 각 전극은 4-ponit probe를 이용하여 비저항을 측정하였으며, 그 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7을 참조하면, 실시예들과 같은 함량의 탄소계 물질을 포함해도, 은 입자의 평균입경이 1 ㎛를 초과하면 탄소계 물질의 함량이 25 중량부를 초과하는 경우에 전극의 비저항이 현저하게 증가하여 전극으로 사용되기에 적합하지 않은 결과를 보임을 알 수 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래 기술에 따른 실리콘 태양전지의 개략적인 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 금속 페이스트로 제조된 전극의 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 금속 페이스트로 제조된 전극의 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따라 제조된 금속 페이스트로 제조된 전극의 SEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조된 금속 페이스트로 제조된 전극의 SEM 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 은-탄소 복합체 전극의 단면의 SEM 사진이다.
도 7은 본 발명의 실시예들과 비교예들의 비저항값을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 태양전지의 구조를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 참조 번호>
201: 기판 202: 에미터층
203: 반사방지막
204: 전면 전극 205: 후면 전극
Claims (11)
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- 유리 프릿 분말, 은 분말, 및 유기 바인더를 포함하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물에 있어서, 탄소계 물질 분말을 더 포함하고, 상기 탄소계 물질 분말의 함량은 상기 은 분말 100 중량부에 대하여 그 상한이 25 중량부 이하이며, 상기 은 분말의 은 입자는 평균입경의 상한이 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전극형성용 금속 페이스트 조성물을 소성시켜 형성되며, 상기 탄소계 물질은 전극 내부에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 은-탄소 복합체 전극으로서,상기 은-탄소 복합체 전극은 전극 표면의 비저항이 5 ~ 15 μΩ/cm 인 것을 특징으로 하는 은-탄소 복합체 전극.
- 삭제
- 제7항에 있어서,상기 전극 내의 은과 탄소 성분의 중량비가 은 : 탄소 = 1 : 0.001 ~ 0.25 인 것을 특징으로 하는 은-탄소 복합체 전극.
- 제7항에 있어서,상기 소성 온도는 500 ~ 960 ℃ 인 것을 특징으로 하는 은-탄소 복합체 전극.
- 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면 전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하는 실리콘 태양전지에 있어서,상기 전면 전극은 제7항, 제9항 또는 제10항에 따른 전극인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지.
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