TWI450405B - 電極用膠組成物及太陽電池 - Google Patents

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Description

電極用膠組成物及太陽電池
本發明是有關於一種電極用膠組成物及太陽電池。
通常，於結晶矽系太陽電池中設置有表面電極，該表面電極的配線電阻或接觸電阻關係到與轉換效率有關聯的電壓損失，另外，配線寬度或形狀會對太陽光的入射量造成影響(例如，參照非專利文獻1)。
太陽電池的表面電極通常以如下方式形成。即，於藉由在p型矽基板的受光面側使磷等在高溫下熱擴散而形成的n型半導體層上，藉由網版印刷等來塗佈導電性組成物，然後於800℃~900℃下對其進行煅燒，藉此形成表面電極。形成該表面電極的導電性組成物中包含導電性金屬粉末、玻璃粒子及各種添加劑等。
作為上述導電性金屬粉末，通常使用銀粉末，但因各種理由而正研究使用銀粉末以外的金屬粉末。例如，揭示有可形成包含銀與鋁的太陽電池用電極的導電性組成物(例如，參照專利文獻1)。另外，揭示有含有包含銀的金屬奈米粒子、及銀以外的金屬粒子的電極形成用組成物(例如，參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-313744號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-226816號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]濱川圭弘著，「太陽光發電 最新的技術與系統」，CMC出版社，2001年，p26-27
通常，用於形成電極的銀為貴金屬，因資源的問題，另外，因原料金屬本身的價格高，故期望提出一種代替含有銀的導電性組成物(含有銀的膠)的膠材料。作為有希望代替銀的材料，可列舉應用於半導體配線材料的銅。銅不僅資源豐富，且原料金屬成本亦為銀的約1%而廉價。但是，銅是於200℃以上的高溫下容易氧化的材料，例如於專利文獻2中所記載的電極形成用組成物中，當包含銅作為導電性金屬時，為了對其進行煅燒來形成電極，需要於氮氣等的環境下進行煅燒這一特殊的步驟。
本發明的課題在於提供一種電極用膠組成物、以及具有使用該電極用膠組成物所形成的電極的太陽電池，上述電極用膠組成物是煅燒時的銅的氧化得到抑制，可形成電阻率低的電極的電極用膠組成物。
本發明的形態是一種電極用膠組成物，其包含：磷含有率為6質量%以上、8質量%以下的含有磷的銅合金粒子、玻璃粒子、溶劑、以及樹脂。
上述玻璃粒子理想的是玻璃軟化點為600℃以下，結晶化起始溫度超過600℃。
上述含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50)較佳為0.4μm~10μm。
上述玻璃粒子的粒徑(D50)較佳為0.5μm~10μm。
上述玻璃粒子的粒徑(D50)對於上述含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50)的比較佳為0.05~100。
上述電極用膠組成物更佳為包含銀粒子，更佳為將上述含有磷的銅合金粒子與上述銀粒子的總量設為100質量%時的銀粒子的含有率為5質量%以上、65質量%以下。
上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率較佳為70質量%以上、94質量%以下，更佳為上述玻璃粒子的含有率為0.1質量%以上、10質量%以下，上述溶劑及上述樹脂的總含有率為3質量%以上、29.9質量%以下。
本發明的第2形態是一種太陽電池，其具有對被賦予至矽基板上的上述電極用膠組成物進行煅燒而形成的電極。
根據本發明，可提供一種電極用膠組成物、以及具有使用該電極用膠組成物所形成的電極的太陽電池，上述電極用膠組成物是煅燒時的銅的氧化得到抑制，可形成電阻率低的電極的電極用膠組成物。
於本說明書中，「~」表示分別包括其前後所記載的數值作為最小值及最大值的範圍。
<電極用膠組成物>
本發明的電極用膠組成物包含：磷含有率為6質量%以上、8質量%以下的含有磷的銅合金粒子，至少1種玻 璃粒子，至少1種溶劑，以及至少1種樹脂。藉由該構成，煅燒時的銅的氧化得到抑制，可形成電阻率低的電極。
(含有磷的銅合金粒子)
本發明的電極用膠組成物包含磷含有率為6質量%以上、8質量%以下的含有磷的銅合金粒子。
就耐氧化性與低電阻率的觀點而言，本發明中的含有磷的銅合金中所含有的磷的含有率為6質量%以上、8質量%以下，較佳為6.3質量%以上、7.8質量%以下，更佳為6.5質量%以上、7.5質量%以下。藉由含有磷的銅合金中所含有的磷的含有率為8質量%以下，可達成更低的電阻率，另外，含有磷的銅合金粒子的生產性優異。另外，藉由磷含有率為6質量%以上，可達成更優異的耐氧化性。
作為含有磷的銅合金，已知有被稱為磷銅焊料(磷濃度：通常為7質量%程度以下)的焊接材料。磷銅焊料亦可用作銅與銅的接合劑。藉由將含有磷的銅合金粒子用於本發明的電極用膠組成物中，可利用磷對於銅氧化物的還原性，而形成耐氧化性優異、電阻率低的電極。進而，可獲得電極的低溫煅燒成為可能、可削減製程成本等效果。
上述含有磷的銅合金粒子雖然是包含銅與磷的合金，但亦可進而包含其他原子。作為其他原子，例如可列舉：Ag、Mn、Sb、Si、K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、Tl、V、Sn、Al、Zr、W、Mo、Ti、Co、Ni、及Au等。
另外，關於上述含有磷的銅合金粒子中所含有的其他 原子的含有率，例如可於上述含有磷的銅合金粒子中設為3質量%以下，就耐氧化性與低電阻率的觀點而言，較佳為1質量%以下。
另外，於本發明中，上述含有磷的銅合金粒子可單獨使用1種、亦可將2種以上組合使用。
上述含有磷的銅合金粒子的粒徑並無特別限制，作為累計的重量為50%時的粒徑(以下，有時略記為「D50%」)，較佳為0.4μm~10μm，更佳為1μm~7μm。藉由設為0.4μm以上，耐氧化性更有效地提昇。另外，藉由該粒徑為10μm以下，電極中的含有磷的銅合金粒子彼此的接觸面積變大，電阻率更有效地下降。再者，含有磷的銅合金粒子的粒徑是藉由Microtrac粒度分布測定裝置(日機裝公司製造，MT3300型)來測定。
另外，上述含有磷的銅合金粒子的形狀並無特別限制，可為大致球狀、扁平狀、塊狀、板狀、及鱗片狀等的任一種。就耐氧化性與低電阻率的觀點而言，上述含有磷的銅合金粒子的形狀較佳為大致球狀、扁平狀、或板狀。
作為本發明的電極用膠組成物中所含有的上述含有磷的銅合金粒子的含有率，另外，作為包含後述的銀粒子時的含有磷的銅合金粒子與銀粒子的總含有率，例如可設為70質量%~94質量%，就耐氧化性與低電阻率的觀點而言，較佳為72質量%~90質量%，更佳為74質量%~88質量%。
磷銅合金可藉由通常使用的方法來製造。另外，含有 磷的銅合金粒子可使用以成為所期望的磷含有率的方式製備的含有磷的銅合金，並利用製備金屬粉末的通常的方法來製備，例如可利用水霧化法並藉由通常的方法來製造。再者，水霧化法的詳細情況於金屬便覽(丸善(股份)出版事業部)等中有記載。
具體而言，例如使含有磷的銅合金溶解，藉由噴嘴噴霧將其粉末化後，對所獲得的粉末進行乾燥、分級，藉此可製造所期望的含有磷的銅合金粒子。另外，可藉由適宜選擇分級條件來製造具有所期望的粒徑的含有磷的銅合金粒子。
(玻璃粒子)
本發明的電極用膠組成物包含至少1種玻璃粒子。由於電極用膠組成物包含玻璃粒子，於煅燒時電極部與基板的密接性提昇。另外，於電極形成溫度下，藉由所謂的煅燒貫穿(fire through)來去除作為抗反射膜的氮化矽膜，而形成電極與矽基板的歐姆接觸。
上述玻璃粒子只要是如下的玻璃粒子，則可無特別限制地使用該技術領域中通常使用的玻璃粒子：所述玻璃粒子於電極形成溫度下軟化、熔融，將所接觸的氮化矽膜氧化，並混入經氧化的二氧化矽，藉此可去除抗反射膜。
於本發明中，就耐氧化性與電極的低電阻率的觀點而言，較佳為包含玻璃軟化點為600℃以下、結晶化起始溫度超過600℃的玻璃的玻璃粒子。再者，上述玻璃軟化點是利用熱機械分析裝置(Thermomechanical Analyzer， TMA)並藉由通常的方法來測定，另外，上述結晶化起始溫度是利用熱重/熱差分析裝置(Thermo-Gravimetric/Differential Thermal Analyzer，TG-DTA)並藉由通常的方法來測定。
通常，電極用膠組成物中所含有的玻璃粒子較佳為包含含有鉛的玻璃，其原因在於可高效地混入二氧化矽。作為此種含有鉛的玻璃，例如可列舉日本專利第03050064號公報等中所記載的玻璃，於本發明中亦可較佳地使用該些玻璃。
另外，於本發明中，若考慮對於環境的影響，則較佳為使用實質上不含鉛的無鉛玻璃。作為無鉛玻璃，例如可列舉日本專利特開2006-313744號公報的段落號0024~段落號0025中所記載的無鉛玻璃、或日本專利特開2009-188281號公報等中所記載的無鉛玻璃，自該些無鉛玻璃中適宜選擇來應用於本發明亦較佳。
本發明的電極用膠組成物中所使用的玻璃成分可列舉：二氧化矽(SiO2 )、氧化磷(P2 O5 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化硼(B2 O3 )、氧化釩(V2 O5 )、氧化鉀(K2 O)、氧化鉍(Bi2 O3 )、氧化鈉(Na2 O)、氧化鋰(Li2 O)、氧化鋇(BaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)、氧化鈹(BeO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鉛(PbO)、氧化鎘(CdO)、氧化錫(SnO)、氧化鋯(ZrO2 )、氧化鎢(WO3 )、氧化鉬(MoO3 )、氧化鑭(La2 O3 )、氧化鈮(Nb2 O5 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化釔(Y2 O3 )、氧化鈦(TiO2 )、氧化鍺(GeO2 )、 氧化碲(TeO2 )、氧化鑥(Lu2 O3 )、氧化銻(Sb2 O3 )、氧化銅(CuO)、氧化鐵(FeO)、氧化銀(AgO)及氧化錳(MnO)。
其中，較佳為使用選自SiO2 、P2 O5 、Al2 O3 、B2 O3 、V2 O5 、Bi2 O3 、ZnO、及PbO中的至少1種。具體而言，作為玻璃成分，可列舉包含SiO2 、PbO、B2 O3 、Bi2 O3 及Al2 O3 者。於此種玻璃粒子的情況下，軟化點有效地降低，進而，與含有磷的銅合金粒子及視需要而添加的銀粒子的潤濕性提昇，因此煅燒過程中的上述粒子間的燒結進行，可形成電阻率低的電極。
另一方面，就低接觸電阻率的觀點而言，較佳為包含五氧化二磷的玻璃粒子(磷酸玻璃，P2 O5 系玻璃粒子)，更佳為除五氧化二磷以外進而包含五氧化二釩的玻璃粒子(P2 O5 -V2 O5 系玻璃粒子)。藉由進而包含五氧化二釩，耐氧化性進一步提昇、電極的電阻率進一步下降。可認為其原因在於：藉由進而包含例如五氧化二釩而導致玻璃的軟化點降低。當使用五氧化二磷-五氧化二釩系玻璃粒子(P2 O5 -V2 O5 系玻璃粒子)時，作為五氧化二釩的含有率，較佳為於玻璃的總質量中為1質量%以上，更佳為1質量%~70質量%。
本發明中的玻璃粒子的粒徑並無特別限制，累計的重量為50%時的粒徑(D50%)較佳為0.5μm以上、10μm以下，更佳為0.8μm以上、8μm以下。藉由設為0.5μm以上，製作電極用膠組成物時的作業性提昇。另外，藉由該粒徑為10μm以下，玻璃粒子均勻地分散於電極用膠組 成物中，於煅燒步驟中可高效地產生煅燒貫穿，進而與矽基板的密接性亦提昇。
另外，上述玻璃粒子的形狀並無特別限制，可為大致球狀、扁平狀、塊狀、板狀、及鱗片狀等的任一種，但就耐氧化性與低電阻率的觀點而言，較佳為大致球狀、扁平狀、或板狀。
進而，電極用膠組成物較佳為玻璃粒子的粒徑(D50%)對於含有磷的銅粒子的粒徑(D50%)的比為0.05~100，更佳為0.1~20。藉由包含該範圍的玻璃粒子，而更有效地達成耐氧化性、電極的低電阻率化、及低接觸電阻化。
上述玻璃粒子的含有率較佳為於電極用膠組成物的總質量中為0.1質量%~10質量%，更佳為0.5質量%~8質量%，進而更佳為1質量%~7質量%。藉由以該範圍的含有率包含玻璃粒子，而更有效地達成耐氧化性、電極的低電阻率化、及低接觸電阻化。
(溶劑及樹脂)
本發明的電極用膠組成物包含至少1種溶劑與至少1種樹脂。藉此，可將本發明的電極用膠組成物的液體物性(例如黏度、表面張力等)調整成如下的液體物性，即對應於賦予至矽基板等上時的賦予方法所需要的液體物性。
上述溶劑並無特別限制。例如可列舉：己烷、環己烷、甲苯等烴系溶劑；二氯乙烯、二氯乙烷、二氯苯等氯化烴系溶劑；四氫呋喃、呋喃、四氫吡喃、吡喃、二噁烷、1,3- 二氧雜環戊烷、三噁烷等環狀醚系溶劑；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑；二甲基亞碸、二乙基亞碸等亞碸系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、環己酮等酮系溶劑；乙醇、2-丙醇、1-丁醇、二丙酮醇等醇系化合物；2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單乙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單丙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單丁酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯、2,2,4-三乙基-1,3-戊二醇單乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯等多元醇的酯系溶劑；丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚等多元醇的醚系溶劑；α-萜品烯、α-萜品醇、月桂油烯、別羅勒烯、檸檬烯、雙戊烯、α-蒎烯、β-蒎烯、松脂醇、香旱芹酮、羅勒烯、水芹烯等萜烯系溶劑、以及該些的混合物。
作為本發明中的上述溶劑，就將電極用膠組成物形成於矽基板上時的塗佈性、印刷性的觀點而言，較佳為選自多元醇的酯系溶劑、萜烯系溶劑、及多元醇的醚系溶劑中的至少1種，更佳為選自多元醇的酯系溶劑及萜烯系溶劑中的至少1種。
於本發明中，上述溶劑可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
另外，作為上述樹脂，只要是可藉由煅燒而熱分解的樹脂，則可無特別限制地使用該技術領域中通常使用的樹脂。具體而言，例如可列舉：甲基纖維素、乙基纖維素、羧甲基纖維素、硝基纖維素等纖維素系樹脂；聚乙烯醇類； 聚乙烯吡咯啶酮類；丙烯酸樹脂；乙酸乙烯酯-丙烯酸酯共聚物；聚乙烯丁醛等丁醛樹脂；苯酚改質醇酸樹脂、蓖麻油脂肪酸改質醇酸樹脂之類的醇酸樹脂；環氧樹脂；酚樹脂；松香酯樹脂等。
作為本發明中的上述樹脂，就煅燒時的消失性的觀點而言，較佳為選自纖維素系樹脂、及丙烯酸樹脂中的至少1種，更佳為選自纖維素系樹脂中的至少1種。
於本發明中，上述樹脂可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
另外，本發明中的上述樹脂的重量平均分子量較佳為5000以上、500000以下。當上述樹脂的重量平均分子量為5000以上時，可抑制電極用膠組成物的黏度的增加。可認為其原因在於：使例如含有磷的銅合金粒子吸附時的立體的排斥作用不足，粒子彼此凝聚這一現象得到抑制。另一方面，當樹脂的重量平均分子量為500000以下時，樹脂彼此於溶劑中凝聚，結果電極用膠組成物的黏度增加這一現象得到抑制。此外，若將樹脂的重量平均分子量抑制成適度的大小，則樹脂的燃燒溫度變高的情況得到抑制，對電極用膠組成物進行煅燒時樹脂未完全地燃燒而作為異物殘存的情況得到抑制，可謀求電極的低電阻化。
於本發明的電極用膠組成物中，上述溶劑與上述樹脂的含量可對應於所期望的液體物性與所使用的溶劑及樹脂的種類而適宜選擇。例如，於電極用膠組成物的總質量中，溶劑與樹脂的總含有率較佳為3質量%以上、29.9質量% 以下，更佳為5質量%以上、25質量%以下，進而更佳為7質量%以上、20質量%以下。
藉由溶劑與樹脂的總含有率為上述範圍內，將電極用膠組成物賦予至矽基板上時的賦予適應性變得良好，可更容易地形成具有所期望的寬度及高度的電極。
(銀粒子)
本發明的電極用膠組成物較佳為進而包含銀粒子。藉由包含銀粒子，耐氧化性進一步提昇，作為電極的電阻率進一步下降。進而，亦可獲得製成太陽電池模組時的焊錫連接性提昇這一效果。該情況例如可如下般考慮。
通常，於作為電極形成溫度區域的600℃~900℃的溫度區域中，產生銀於銅中的少量的固溶、及銅於銀中的少量的固溶，而在銅與銀的界面形成銅-銀固溶體的層(固溶區域)。可認為當將含有磷的銅合金粒子與銀粒子的混合物加熱至高溫後，緩慢地向室溫冷卻時，不會產生固溶區域，但因於形成電極時以數秒自高溫區域冷卻至常溫，故可認為高溫下的固溶體的層作為不平衡的固溶體相、或者銅與銀的共晶組織而覆蓋銀粒子及含有磷的銅合金粒子的表面。可認為此種銅-銀固溶體層有助於電極形成溫度下的含有磷的銅合金粒子的進一步的耐氧化性。
構成上述銀粒子的銀亦可包含不可避免地混入的其他原子。作為不可避免地混入的其他原子，例如可列舉：Sb、Si、K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、Tl、V、Sn、Al、Zr、W、Mo、Ti、Co、Ni、及Au等。
本發明中的銀粒子的粒徑並無特別限制，累計的重量為50%時的粒徑(D50%)較佳為0.4μm以上、10μm以下，更佳為1μm以上、7μm以下。藉由設為0.4μm以上，耐氧化性更有效地提昇。另外，藉由該粒徑為10μm以下，電極中的銀粒子及含有磷的銅合金粒子等金屬粒子彼此的接觸面積變大，電阻率更有效地下降。
於本發明的電極用膠組成物中，上述含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50%)與上述銀粒子的粒徑(D50%)的關係並無特別限制，較佳為任一者的粒徑(D50%)小於另一者的粒徑(D50%)，更佳為另一者的粒徑對於任一者的粒徑的比為1~10。藉此，電極的電阻率更有效地下降。可認為其是由例如以下原因所造成的：電極內的含有磷的銅合金粒子及銀粒子等金屬粒子彼此的接觸面積變大。
另外，作為本發明的電極用膠組成物中的銀粒子的含有率，就耐氧化性與電極的低電阻率的觀點而言，較佳為於電極用膠組成物中為8.4質量%~85.5質量%，更佳為8.9質量%~80.1質量%。
進而，於本發明中，就達成耐氧化性與電極的低電阻率，並抑制價格的觀點而言，較佳為將上述含有銅粒子與上述銀粒子的總量設為100質量%時的銀粒子的含有率變成5質量%~65質量%，更佳為變成7質量%~60質量%，進而更佳為變成10質量%~55質量%。
另外，於本發明的電極用膠組成物中，就耐氧化性、電極的低電阻率、對於矽基板的塗佈性的觀點而言，上述 含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率較佳為70質量%以上、94質量%以下，更佳為74質量%以上、88質量%以下。藉由上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為70質量%以上，賦予電極用膠組成物時可容易地達成合適的黏度。另外，藉由上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為94質量%以下，可更有效地抑制賦予電極用膠組成物時的模糊(blur)的產生。
進而，於本發明的電極用膠組成物中，就耐氧化性與電極的低電阻率的觀點而言，較佳為上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為70質量%以上、94質量%以下，上述玻璃粒子的含有率為0.1質量%以上、10質量%以下，上述溶劑及上述樹脂的總含有率為3質量%以上、29.9質量%以下，更佳為上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為74質量%以上、88質量%以下，上述玻璃粒子的含有率為0.5質量%以上、8質量%以下，上述溶劑及上述樹脂的總含有率為7質量%以上、20質量%以下，進而更佳為上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為74質量%以上、88質量%以下，上述玻璃粒子的含有率為1質量%以上、7質量%以下，上述溶劑及上述樹脂的總含有率為7質量%以上、20質量%以下。
(助熔劑)
電極用膠組成物可進而包含至少1種助熔劑。藉由包含助熔劑，耐氧化性進一步提昇，所形成的電極的電阻率進一步下降。進而，亦可獲得電極材料與矽基板的密接性 提昇這一效果。
作為本發明中的助熔劑，只要是可去除形成於含有磷的銅合金粒子的表面的氧化膜的助熔劑，則並無特別限制。具體而言，作為較佳的助熔劑，例如可列舉脂肪酸、硼酸化合物、氟化化合物、及硼氟化化合物等。
更具體而言，可列舉：月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、山梨酸、硬炔酸、氧化硼、硼酸鉀、硼酸鈉、硼酸鋰、硼氟化鉀、硼氟化鈉、硼氟化鋰、酸性氟化鉀、酸性氟化鈉、酸性氟化鋰、氟化鉀、氟化鈉、氟化鋰等。
其中，就電極材料煅燒時的耐熱性(助熔劑於煅燒的低溫時不揮發的特性)、及補充含有磷的銅合金粒子的耐氧化性的觀點而言，作為特佳的助熔劑，可列舉硼酸鉀及硼氟化鉀。
於本發明中，該些助熔劑分別可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
另外，就使含有磷的銅合金粒子的耐氧化性有效地顯現的觀點、及於電極材料的煅燒結束時降低助熔劑被去除的部分的空隙率的觀點而言，作為本發明的電極用膠組成物中的助熔劑的含有率，於電極用膠組成物的總質量中，較佳為0.1質量%~5質量%，更佳為0.3質量%~4質量%，進而更佳為0.5質量%~3.5質量%，特佳為0.7質量%~3質量%，極佳為1質量%~2.5質量%。
(其他成分)
進而，本發明的電極用膠組成物除上述成分以外，視 需要可進而包含該技術領域中通常使用的其他成分。作為其他成分，例如可列舉：塑化劑、分散劑、界面活性劑、無機結合劑、金屬氧化物、陶瓷、有機金屬化合物等。
本發明的電極用膠組成物的製造方法並無特別限制。可利用通常使用的分散．混合方法，將上述含有磷的銅合金粒子、玻璃粒子、溶劑、樹脂、及視需要而包含的銀粒子等分散．混合，藉此製造本發明的電極用膠組成物。
<使用電極用膠組成物的電極的製造方法>
作為使用本發明的電極用膠組成物製造電極的方法，可藉由將上述電極用膠組成物賦予至形成電極的區域，並於乾燥後進行煅燒而於所期望的區域形成電極。藉由使用上述電極用膠組成物，即便於氧的存在下(例如，大氣中)進行煅燒處理，亦可形成電阻率低的電極。
具體而言，例如當使用上述電極用膠組成物形成太陽電池用電極時，將電極用膠組成物以成為所期望的形狀的方式賦予至矽基板上，於乾燥後進行煅燒，藉此可將電阻率低的太陽電池電極形成為所期望的形狀。另外，藉由使用上述電極用膠組成物，即便於氧的存在下(例如，大氣中)進行煅燒處理，亦可形成電阻率低的電極。
作為將電極用膠組成物賦予至矽基板上的方法，例如可列舉網版印刷、噴墨法、分注器法等，但就生產性的觀點而言，較佳為利用網版印刷的塗佈。
當藉由網版印刷來塗佈本發明的電極用膠組成物時，電極用膠組成物較佳為具有80Pa．s~1000Pa．s的範圍的 黏度。再者，電極用膠組成物的黏度是於25℃下利用布氏(Brookfield)HBT黏度計來測定。
上述電極用膠組成物的賦予量可對應於要形成的電極的大小而適宜選擇。例如，作為電極用膠組成物賦予量，可設為2g/m2 ~10g/m2 ，較佳為4g/m2 ~8g/m2 。
另外，作為使用本發明的電極用膠組成物形成電極時的熱處理條件(煅燒條件)，可應用該技術領域中通常使用的熱處理條件。
通常，熱處理溫度(煅燒溫度)為800℃~900℃，但當使用本發明的電極用膠組成物時，可應用更低的溫度下的熱處理條件，例如，可於600℃~850℃的熱處理溫度下形成具有良好的特性的電極。
另外，熱處理時間可對應於熱處理溫度等而適宜選擇，例如可設為1秒~20秒。
作為熱處理裝置，只要是可加熱至上述溫度的裝置，則可適宜採用，例如可列舉紅外線加熱爐、隧道式爐等。紅外線加熱爐因將電能以電磁波的形式直接施加至加熱材料中，並轉換成熱能，故效率高，另外，可於短時間內進行快速加熱。進而，不存在由燃燒所生成的產物，另外，其為非接觸加熱，因此可抑制所生成的電極的污染。隧道式爐因自動地將試樣自入口連續地朝出口搬送，並進行煅燒，故可藉由爐體的劃分與搬送速度的控制來均勻地煅燒。就太陽電池元件的發電性能的觀點而言，較佳為利用隧道式爐來進行熱處理。
<太陽電池>
本發明的太陽電池具有對被賦予至矽基板上的上述電極用膠組成物進行煅燒而形成的電極。藉此，可獲得具有良好的特性的太陽電池，且該太陽電池的生產性優異。
以下，一面參照圖式一面說明本發明的太陽電池的具體例，但本發明並不限定於此。
將表示具有代表性的太陽電池的一例的剖面圖、受光面及背面的概要分別示於圖1、圖2及圖3。
通常，太陽電池的半導體基板130使用單晶矽或多晶矽等。該半導體基板130中含有硼等，而構成p型半導體。受光面側為了抑制太陽光的反射，藉由蝕刻而形成有凹凸(紋理，未圖示)。於其受光面側摻雜有磷等，n型半導體的擴散層131以次微米級的厚度設置，並且在與p型塊體部分的邊界形成有pn接合部。進而，於受光面側，藉由蒸鍍法等，以100nm左右的膜厚將氮化矽等的抗反射層132設置於擴散層131上。
其次，對設置於受光面側的受光面電極133、形成於背面的集電電極134及輸出取出電極135進行說明。受光面電極133與輸出取出電極135是由上述電極用膠組成物形成。另外，集電電極134是由包含玻璃粉末的鋁電極膠組成物形成。該些電極是藉由如下方式形成：利用網版印刷等將上述膠組成物塗佈成所期望的圖案後，進行乾燥，然後於大氣中以600℃~850℃左右進行煅燒。
於本發明中，藉由使用上述電極用膠組成物，即便於 比較低的溫度下進行煅燒，亦可形成電阻率及接觸電阻率優異的電極。
此時，於受光面側，形成受光面電極133的上述電極用膠組成物中所含有的玻璃粒子與抗反射層132進行反應(煅燒貫穿)，而使受光面電極133與擴散層131電性連接(歐姆接觸)。
於本發明中，使用上述電極用膠組成物來形成受光面電極133，藉此一面包含銅作為導電性金屬，一面抑制銅的氧化，而以良好的生產性形成低電阻率的受光面電極133。
另外，於背面側，當進行煅燒時，形成集電電極134的鋁電極膠組成物中的鋁擴散至半導體基板130的背面，而形成電極成分擴散層136，藉此可在半導體基板130與集電電極134、輸出取出電極135之間獲得歐姆接觸。
另外，將作為本發明的其他形態的太陽電池元件的一例的受光面及AA剖面構造的立體圖示於圖4(a)、以及背面側電極構造的平面圖示於圖4(b)。
如圖4(a)的立體圖所示，於包含p型半導體的矽基板的單元晶圓1上，藉由雷射鑽孔或蝕刻等而形成有貫穿受光面側及背面側的兩面的通孔。另外，於受光面側形成有提昇光射入效率的紋理(未圖示)。進而，於受光面側形成有利用n型化擴散處理而成的n型半導體層3，且於n型半導體層3上形成有抗反射膜(未圖示)。這些是藉由與先前的結晶矽型太陽電池單元相同的步驟來製造。
繼而，利用印刷法或噴墨法將本發明的電極用膠組成物填充至先前形成的通孔內部，進而，於受光面側，同樣地將本發明的電極用膠組成物印刷成柵格狀來形成組成物層，該組成物層形成通孔電極4及集電用柵電極2。
此處，用於填充與印刷的膠理想的是使用以黏度為首，最適合各個製程的組成的膠，但亦可利用相同組成的膠一次性地進行填充、印刷。
另一方面，於受光面的相反側(背面側)，形成用以防止載子再結合的高濃度摻雜層5。此處使用硼(B)或鋁(Al)作為形成高濃度摻雜層5的雜質元素，而形成有p+ 層。該高濃度摻雜層5可藉由在形成上述抗反射膜前的單元製造步驟中實施例如將B作為擴散源的熱擴散處理來形成，或者當使用Al時，亦可藉由在上述印刷步驟中，將Al膠印刷於相反面側來形成。
其後，於650℃~850℃下進行煅燒，上述通孔內部與形成於受光面側的抗反射膜上所填充、印刷的上述電極用膠組成物藉由煅燒貫穿效果，而達成與下部n型層的歐姆接觸。
另外，於相反面側，如圖4(b)的平面圖所示，將本發明的電極用膠組成物分別於n側、p側均印刷成條紋狀，並進行煅燒，藉此形成背面電極6、背面電極7。
於本發明中，使用上述電極用膠組成物來形成通孔電極4、集電用柵電極2、背面電極6及背面電極7，藉此一面包含銅作為導電性金屬，一面抑制銅的氧化，而以優異 的生產性形成低電阻率的通孔電極4、集電用柵電極2、背面電極6及背面電極7。
再者，本發明的電極用膠組成物並不限定於如上所述的太陽電池電極的用途，例如亦可較佳地用於電漿顯示器的電極線及屏蔽線、陶瓷電容器、天線電路、各種感測器電路、半導體元件的散熱材料等用途。
再者，將日本申請案2011-085703中所揭示的全部內容引用於本說明書中。
本說明書中所記載的所有文獻、專利申請案、及技術規格是以與如下情況相同的程度，藉由參照而引用於本說明書中，該情況是具體地且個別地記載藉由參照而引用各個文獻、專利申請案、及技術規格的情況。
[實例]
以下，藉由實例來具體地說明本發明，但本發明並不限定於該些實例。再者，只要事先無特別說明，則「份」及「%」為質量基準。
<實例1>
(a)電極用膠組成物的製備
製備包含7質量%的磷的含有磷的銅合金粒子，使其溶解並藉由水霧化法來將其粉末化，然後進行乾燥、分級。將經分級的粉末混合，進行脫氧．脫水分處理，從而製成包含7質量%的磷的含有磷的銅合金粒子。再者，含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50%)為1.5μm。
製備包含二氧化矽(SiO2 )3份、氧化鉛(PbO)60 份、氧化硼(B2 O3 )18份、氧化鉍(Bi2 O3 )5份、氧化鋁(Al2 O3 )5份、氧化鋅(ZnO)9份的玻璃(以下，有時略記為「G1」)。所獲得的玻璃G1的軟化點為420℃，結晶化溫度超過600℃。
使用所獲得的玻璃G1，獲得粒徑(D50%)為1.7μm的玻璃粒子。
將上述所獲得的含有磷的銅合金粒子85.1份、玻璃粒子1.7份、及含有3質量%的乙基纖維素(EC(Ethyl Cellulose)，重量平均分子量為190000)的萜品醇(異構混合物)溶液13.2份混合，然後於瑪瑙乳缽中攪拌20分鐘，從而製成電極用膠組成物1。
(b)太陽電池單元的製作
準備在受光面上形成有n型半導體層、紋理及抗反射膜(氮化矽膜)的膜厚為190μm的p型半導體基板，並將其切成125mm×125mm的大小。利用網版印刷法，將上述所獲得的電極用膠組成物1以成為如圖2所示的電極圖案的方式印刷於其受光面上。電極的圖案包含150μm寬的指狀線與1.1mm寬的匯流排，且以使煅燒後的膜厚成為20μm的方式適宜調整印刷條件(網版的網眼、印刷速度、印刷壓力)。將其放入加熱至150℃的烘箱中15分鐘，藉由蒸散來去除溶劑。
繼而，同樣地利用網版印刷將鋁電極膠全面地印刷於背面。以使煅燒後的膜厚成為40μm的方式，適宜調整印刷條件。將其放入加熱至150℃的烘箱中15分鐘，藉由蒸 散來去除溶劑。
繼而，利用隧道式爐(Noritake公司製造，1列搬送W/B隧道式爐)，於大氣環境下，進行煅燒最高溫度為850℃、保持時間為10秒的加熱處理(煅燒)，從而製成形成有所期望的電極的太陽電池單元1。
<實例2>
於實例1中，將形成電極時的煅燒條件自最高溫度850℃、10秒變更為最高溫度750℃、15秒，除此以外，以與實例1相同的方式製作太陽電池單元2。
<實例3>
於實例1中，將含有磷的銅合金粒子的粒徑自1.5μm變更為5.0μm，除此以外，以與實例1相同的方式製作電極用膠組成物3及太陽電池單元3。
<實例4>
於實例1中，將含有磷的銅合金粒子的磷含有率自7質量%變更為6質量%，除此以外，以與實例1相同的方式製作電極用膠組成物4及太陽電池單元4。
<實例5>
於實例1中，將含有磷的銅合金粒子的磷含有率自7質量%變更為8質量%，除此以外，以與實例1相同的方式製作電極用膠組成物5及太陽電池單元5。
<實例6>
除進而添加銀粒子(粒徑(D50%)為3μm，Aldrich公司製造的高純度化學品)以外，以與實例3相同的方式 製作電極用膠組成物6及太陽電池單元6。
具體而言，製備如下的電極用膠組成物6，即包含含有磷的銅合金粒子(磷含有率為7質量%，粒徑(D50%)為5μm)75.0份、銀粒子10.1份、玻璃粒子(G1)1.7份、及含有3質量%的乙基纖維素(EC)的萜品醇(異構混合物)溶液13.2份，並使用該電極用膠組成物6，除此以外，以與實例3相同的方式製作太陽電池單元6。
<實例7~實例17>
於實例1中，如表1所示般變更含有磷的銅合金粒子的磷含有率、粒徑(D50%)及含量，銀粒子的含量，玻璃粒子的種類及含量，含有3%的乙基纖維素(EC)的萜品醇溶液的含量，除此以外，以與實例1相同的方式製備電極用膠組成物7~電極用膠組成物17。
再者，玻璃粒子(G2)包含氧化釩(V2 O5 )45份、氧化磷(P2 O5 )24.2份、氧化鋇(BaO)20.8份、氧化銻(Sb2 O3 )5份、氧化鎢(WO3 )5份，且粒徑(D50%)為1.7μm。另外，該玻璃的軟化點為492℃，結晶化溫度超過600℃。
繼而，分別使用所獲得的電極用膠組成物7~電極用膠組成物17，並如表1所示般變更加熱處理的溫度及處理時間，除此以外，以與實例1相同的方式分別製作形成有所期望的電極的太陽電池單元7~太陽電池單元17。
<比較例1>
於實例1中的電極用膠組成物的製備中，不使用含有 磷的銅合金粒子，且以成為表1所示的組成的方式變更各成分，除此以外，以與實例1相同的方式製備電極用膠組成物C1。
除使用不包含含有磷的銅合金粒子的電極用膠組成物C1以外，以與實例1相同的方式製作太陽電池單元C1。
<比較例2>
於比較例1中，將形成電極時的煅燒條件自最高溫度850℃、10秒變更為最高溫度750℃、15秒，除此以外，以與比較例1相同的方式製作太陽電池單元C2。
<比較例3>
於實例1中，變更為不含磷的純銅(磷含有率為0%)，除此以外，以與實例1相同的方式製備電極用膠組成物C3。
除使用電極用膠組成物C3以外，以與實例1相同的方式製作太陽電池單元C3。
<比較例4>
於比較例3中，將形成電極時的煅燒條件自最高溫度850℃、10秒變更為最高溫度700℃、20秒，除此以外，以與比較例1相同的方式製作太陽電池單元C4。
<評價>
所製作的太陽電池單元的評價是將作為人造日光的Wacom Electric(股份)製造的WXS-155S-10、作為電流-電壓(I-V)評價測定器的I-V CURVE TRACER MP-160(EKO INSTRUMENT公司製造)的測定裝置加以組合來進行。表示作為太陽電池的發電性能的Eff(轉換效率)、FF(填充係數)、Voc(開路電壓)及Jsc(短路電流)是藉由分別依據JIS-C-8912、JIS-C-8913及JIS-C-8914進行測定所獲得者。將所獲得的各測定值換算成以比較例1的測定值作為100.0的相對值後示於表2。
再者，於比較例3及比較例4中，因銅粒子的氧化而導致電極的電阻率變大，無法評價。
實例1~實例17中所製作的太陽電池單元的發電性能與比較例1的測定值相比，大致相同或超過比較例1的測定值。尤其，太陽電池單元1~太陽電池單元5及太陽電池單元16雖然未使用銀粒子來形成電極，但仍然顯示高發電性能。
另外，針對太陽電池單元1~太陽電池單元5及太陽電池單元16的受光面電極，利用CuKα射線並藉由X射線繞射法來測定繞射X射線的結果，於繞射角度(2θ，CuKα射線)的至少43.4°、50.6°、74.2°處，顯示銅的特徵性的 繞射波峰。作為以上述方式自受光面電極中檢測出銅的理由，可列舉以下的原理。
首先，電極用膠組成物1~電極用膠組成物5及電極用膠組成物16中的含有磷的銅合金粒子的磷含有率為6質量%以上、8質量%以下。根據Cu-P系狀態圖，該部分的組成包含α-Cu相與Cu3 P相。於煅燒初始階段，α-Cu相被氧化而變成Cu2 O。可認為該Cu2 O再次還原成α-Cu。再者，可認為含有磷的銅合金粒子中所含有的Cu3 P相或源自該氧化物的磷有助於該還原反應。
因此，可認為於使用磷含有率為6質量%以上、8質量%以下的含有磷的銅合金粒子的電極用膠組成物中，如實例1~實例17所示，即便將最高溫度的保持時間設為10秒~20秒，煅燒時的銅的氧化亦得到抑制，且形成了電阻率低的電極。另外，藉由延長煅燒時間，含有磷的銅合金粒子的燒結進行，因此可形成更細密且電阻率低的電極，此外，可更有效地進行煅燒貫穿，因此可獲得電極與半導體基板的歐姆接觸性提昇這一效果。
<實例18>
使用上述所獲得的電極用膠組成物1，製作具有如圖4(a)以及圖4(b)所示的構造的太陽電池單元18。再者，加熱處理是於850℃下進行10秒。
與上述同樣地對所獲得的太陽電池單元進行評價的結果，可知與上述同樣地顯示良好的特性。
1‧‧‧包含p型矽基板的單元晶圓
2‧‧‧集電用柵電極
3‧‧‧n型半導體層
4‧‧‧通孔電極
5‧‧‧高濃度摻雜層
6‧‧‧背面電極
7‧‧‧背面電極
130‧‧‧半導體基板
131‧‧‧擴散層
132‧‧‧抗反射層
133‧‧‧受光面電極
134‧‧‧集電電極
135‧‧‧輸出取出電極
136‧‧‧電極成分擴散層
圖1是本發明的太陽電池的剖面圖。
圖2是表示本發明的太陽電池的受光面側的平面圖。
圖3是表示本發明的太陽電池的背面側的平面圖。
圖4(a)是表示本發明的反向接觸型太陽電池單元的AA剖面構成的立體圖。圖4(b)是表示本發明的反向接觸型太陽電池單元的背面側電極構造的平面圖。
130‧‧‧半導體基板
131‧‧‧擴散層
132‧‧‧抗反射層
133‧‧‧受光面電極
134‧‧‧集電電極
135‧‧‧輸出取出電極
136‧‧‧電極成分擴散層

Claims (9)

  1. 一種電極用膠組成物，包含：磷含有率為6質量%以上、8質量%以下的含有磷的銅合金粒子、玻璃粒子、溶劑、以及樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電極用膠組成物，其中上述玻璃粒子的玻璃軟化點為600℃以下，結晶化起始溫度超過600℃。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電極用膠組成物，其中上述含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50)為0.4μm~10μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電極用膠組成物，其中上述玻璃粒子的粒徑(D50)為0.5μm~10μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電極用膠組成物，其中上述玻璃粒子的粒徑(D50)對於上述含有磷的銅合金粒子的粒徑(D50)的比為0.05~100。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電極用膠組成物，其中更包含銀粒子。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電極用膠組成物，其中將上述含有磷的銅合金粒子與上述銀粒子的總量設為100質量%時的銀粒子的含有率為5質量%以上、65質量%以下。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電極用膠組成物，其中上述含有磷的銅合金粒子及上述銀粒子的總含有率為70質量%以上、94質量%以下，上述玻璃粒子的含有率為 0.1質量%以上、10質量%以下，上述溶劑及上述樹脂的總含有率為3質量%以上、29.9質量%以下。
  9. 一種太陽電池，具有對被賦予至矽基板上的如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之電極用膠組成物進行煅燒而形成的電極。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5772174B2 (ja) * 2011-04-14 2015-09-02 日立化成株式会社 素子及び太陽電池並びに電極用ペースト組成物
JP5720393B2 (ja) * 2011-04-14 2015-05-20 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物、太陽電池素子及び太陽電池
KR20160007508A (ko) * 2013-05-13 2016-01-20 히타치가세이가부시끼가이샤 전극 형성용 조성물, 태양 전지 소자 및 태양 전지
CN103367546A (zh) * 2013-07-12 2013-10-23 余小翠 一种光伏电池正面电极的制备工艺
US9793025B2 (en) * 2013-12-03 2017-10-17 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
TWI480357B (zh) 2013-12-17 2015-04-11 Ind Tech Res Inst 導電膠組成物與電極的形成方法
CN104751937B (zh) * 2013-12-27 2017-05-31 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池用铝导电浆料及其制备方法
CN104064286B (zh) * 2014-07-10 2016-04-20 吴旦英 一种太阳能电池用银浆的制备方法
JP5958526B2 (ja) * 2014-11-26 2016-08-02 日立化成株式会社 素子及び太陽電池並びに電極用ペースト組成物
KR101816236B1 (ko) 2015-04-28 2018-01-08 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
JP6659074B2 (ja) * 2015-10-13 2020-03-04 農工大ティー・エル・オー株式会社 Ｎｔａペースト
JP2016122840A (ja) * 2015-12-18 2016-07-07 日立化成株式会社 素子及び太陽電池並びに電極用ペースト組成物
JP2019530963A (ja) * 2016-10-07 2019-10-24 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン 固体電池用安定化コーティング

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010013730A (ja) * 2008-06-05 2010-01-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト
JP2010059469A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Asahi Glass Co Ltd 銅ナノ粒子の製造方法、金属ペーストおよび金属膜を有する物品
JP2010161331A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Hitachi Ltd 電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63118466A (ja) 1986-11-04 1988-05-23 富士変速機株式会社 横行格納台車の横行駆動装置
US5066456A (en) * 1990-08-10 1991-11-19 J. W. Harris Co., Inc. Phosphorous copper based alloy with tin and antimony
US5893953A (en) * 1997-09-16 1999-04-13 Waterbury Rolling Mills, Inc. Copper alloy and process for obtaining same
JP4244466B2 (ja) * 1999-10-13 2009-03-25 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品
US6814795B2 (en) * 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
JP4158713B2 (ja) * 2004-02-03 2008-10-01 住友金属鉱山株式会社 外部電極用銅ペースト組成物
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
JP5392884B2 (ja) * 2007-09-21 2014-01-22 三井金属鉱業株式会社 銅粉の製造方法
JP4709238B2 (ja) 2008-02-08 2011-06-22 株式会社日立製作所 Ｃｕ系配線用材料およびそれを用いた電子部品
JP5135314B2 (ja) 2009-10-14 2013-02-06 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 画像形成装置
JP5633285B2 (ja) * 2010-01-25 2014-12-03 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
JP2011171270A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chem Co Ltd 電極用ペースト組成物および太陽電池
JP5747447B2 (ja) * 2010-06-01 2015-07-15 日立化成株式会社 ドナー元素拡散機能を有する電極形成用ペースト組成物、太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
JP5768455B2 (ja) * 2011-04-14 2015-08-26 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010013730A (ja) * 2008-06-05 2010-01-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト
JP2010059469A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Asahi Glass Co Ltd 銅ナノ粒子の製造方法、金属ペーストおよび金属膜を有する物品
JP2010161331A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Hitachi Ltd 電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品

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