JP2004128446A5 - - Google Patents
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前記第2の導電ゲートと前記第3の半導体領域との電位関係の第1の組み合わせにより、前記第3の半導体領域から前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分を通して第1のチャネル形成半導体薄膜部分へ逆導電形のキャリア2を注入して、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第1の導電ゲートから見た第1の導電形のチャネルのゲート閾値電圧を第1の値Vth11に変化させる。本発明ではこの動作を「書き込み」と呼ぶ。
Claims (35)
- 第1の主面と該第1の主面に対向する第2の主面を有する半導体薄膜と、
該半導体薄膜第1主面上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、該第1のゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電ゲートと、
該第1の導電ゲートを挟んで離間され、該第1の導電ゲートから絶縁され、前記半導体薄膜と接して設けられた互いに対向して離間する第1の導電形の第1の半導体領域と第2の半導体領域と、
前記半導体薄膜と接して設けられ逆導電形の第3の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域とで挟まれる前記半導体薄膜部分は第1のチャネル形成半導体薄膜部分を形成し、該部分と前記逆導電形の第3の半導体領域の間に前記半導体薄膜は延在して第2のチャネル形成半導体薄膜部分を形成し、該半導体薄膜の該延在部分上に、更に第2のゲート絶縁膜とその上に設けられた第2の導電ゲートと、を設けたことを特徴とする薄膜メモリセル。 - 前記第1の導電ゲートと第2の導電ゲートは連続していることを特徴とする請求項1記載の薄膜メモリセル。
- 前記第2のゲート絶縁膜および第2の導電ゲートは前記第1のゲート絶縁膜および前記第1の導電ゲートと連続している事を特徴とする請求項1記載の薄膜メモリセル。
- 前記延在した半導体薄膜部分は前記第1および第2の半導体領域で挟まれた半導体薄膜部分と不純物濃度の異なる部分を有することを特徴とする請求項1記載の薄膜メモリセル。
- 前記延在した半導体薄膜部分は前記第1および第2の半導体領域で挟まれた半導体薄膜部分と導電形の異なる不純物部分を有することを特徴とする請求項1記載の薄膜メモリセル。
- 第1の主面と該第1の主面に対向する第2の主面を有する半導体薄膜と、
該半導体薄膜第1主面上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、該第1のゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電ゲートと、
該第1の導電ゲートを挟んで離間され、該第1の導電ゲートから絶縁され、前記半導体薄膜と接して設けられた互いに対向して離間する第1の導電形の第1の半導体領域と第2の半導体領域と、
前記第1の導電ゲート下の一部で前記半導体薄膜と接して設けられ逆導電形の第3の半導体領域とを設け、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域とで挟まれる前記半導体薄膜部分は第1のチャネル形成半導体薄膜部分を形成し、該部分と前記逆導電形の第3の半導体領域の間に至る前記半導体薄膜部分は第2のチャネル形成半導体薄膜部分を形成した、ことを特徴とする薄膜メモリセル。 - 前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分は前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分と不純物濃度の異なる部分を有することを特徴とする請求項6記載の薄膜メモリセル。
- 前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分は前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分と導電形の異なる不純物部分を有することを特徴とする請求項6記載の薄膜メモリセル。
- 前記半導体薄膜は絶縁基板上に設けられていることを特徴とする請求項1ないし6記載の薄膜メモリセル。
- 前記半導体薄膜は少なくともその1端が基板に支持されていることを特徴とする請求項1ないし6記載の薄膜メモリセル。
- 前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域とで挟まれる前記半導体薄膜部分の前記第2の主面に設けられた第3のゲート絶縁膜と該第3のゲート絶縁膜に接して設けられた第3の導電ゲートとから更に構成されたことを特徴とする請求項1ないし6記載の薄膜メモリセル。
- 前記第3の導電ゲートは前記半導体薄膜を支持する基板の表面部分と共通であることを特徴とする請求項11記載の薄膜メモリセル。
- 複数のワード線とこれと絶縁されて交叉する複数の書き込みビット線、それと併設された複数の読み出しビット線と、複数の共通線と、
請求範囲1、2、3、4、5、9、10、11ないし12項記載の複数のメモリセルから構成され、
該複数のワード線の1本と該複数の書き込みビット線の1本と、それと併設された読み出しビット線とが交叉する部分において、
該複数のメモリセルの1つの前記第1及び第2の導電ゲートは該複数のワード線の該1本と接続され、前記第1の半導体領域は該複数の読み出しビット線の該1本と接続され、前記第2の半導体領域は該複数の共通線の1本と接続され、前記第3の半導体領域は該複数の書き込みビット線の該1本と接続されたことを特徴とする薄膜メモリアレイ。 - 複数のワード線とこれと絶縁されて交叉する複数の書き込みビット線、それと併設された複数の読み出しビット線と、複数の共通線と、
請求範囲6、7、8、9、10、11ないし12項記載の複数のメモリセルから構成され、
該複数のワード線の1本と該複数の書き込みビット線の1本と、それと併設された読み出しビット線とが交叉する部分において、
該複数のメモリセルの1つの前記第1の導電ゲートは該複数のワード線の該1本と接続され、前記第1の半導体領域は該複数の読み出しビット線の該1本と接続され、前記第2の半導体領域は該複数の共通線の1本と接続され、前記第3の半導体領域は該複数の書き込みビット線の該1本と接続されたことを特徴とする薄膜メモリアレイ。 - 複数のワード線とこれと絶縁されて交叉する複数のビット線と、複数の共通線と、
請求範囲1、2、3、4、5、9、10、11ないし12項記載の複数のメモリセルから構成され、
該複数のワード線の1本と該複数のビット線の1本とが交叉する部分において、
該複数のメモリセルの1つの前記第1及び第2の導電ゲートは該複数のワード線の該1本と接続され、前記第1の半導体領域と第3の半導体領域は該複数のビット線の該1本と接続され、前記第2の半導体領域は該複数の共通線の1本と接続されたことを特徴とする薄膜メモリアレイ。 - 複数のワード線とこれと絶縁されて交叉する複数のビット線と、複数の共通線と、
請求範囲6、7、8、9、10、11ないし12項記載の複数のメモリセルから構成され、
該複数のワード線の1本と該複数のビット線の1本とが交叉する部分において、
該複数のメモリセルの1つの前記第1の導電ゲートは該複数のワード線の該1本と接続され、前記第1の半導体領域と第3の半導体領域は該複数のビット線の該1本と接続され、前記第2の半導体領域は該複数の共通線の1本と接続されたことを特徴とする薄膜メモリアレイ。 - 前記第1の導電ゲートと第2の導電ゲートはセル内で連続しており、かつワード方向へ隣接するセル間で延在して連続しワード線の一部を構成し、隣接するセル間で、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分ないし前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分が分離されていることを特徴とする請求項13ないしは15記載の薄膜メモリアレイ。
- 前記第1の導電ゲートはワード方向へ隣接するセル間で延在して連続しワード線の一部を構成し、隣接するセル間で、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分ないし前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分が分離されていることを特徴とする請求項14ないしは16記載の薄膜メモリアレイ
- 前記共通線は複数の隣接するセルの第2の半導体領域を連続させてその一部を形成したことを特徴とする請求項13、14、15ないし16記載の薄膜メモリアレイ。
- 隣接するセルは互いに鏡像関係にあるように第1の半導体領域と第2の半導体領域を配置してアレイを構成し、一方に隣接するセルとは第1の半導体領域および第3の半導体領域を連続させ、他方に隣接するセルとは第2の半導体領域を連続させたことを特徴とする請求項17ないし18記載の薄膜メモリアレイ。
- ワード線方向に前記半導体薄膜が連続しており、1つのセルの第1の半導体領域は第3の半導体領域により隣接するセルの第1の半導体領域と電気的に分離されていることを特徴とする請求項13、14、15ないし16記載の薄膜メモリアレイ。
- 前記第2の導電ゲートの電位から前記第3の半導体領域の電位を引いた値が前記第2の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第3半導体領域からの逆導電形キャリア通路のゲート閾値電圧Vth2rを越えた値とすることにより、
前記第3の半導体領域から前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分を通して第1のチャネル形成半導体薄膜部分へ逆導電形のキャリア2を注入して、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第1の導電ゲートから見た第1の導電形のチャネルのゲート閾値電圧を第1の値に変化させることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの書き込み方法。 - 前記第1の導電ゲートの電位から前記第3の半導体領域の電位を引いた値が前記第1の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第3半導体領域からの逆導電形キャリア通路のゲート閾値電圧Vth2rを越えた値とすることにより、
前記第3の半導体領域から前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分を通して第1のチャネル形成半導体薄膜部分へ逆導電形のキャリア2を注入して、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第1の導電ゲートから見た第1の導電形のチャネルのゲート閾値電圧を第1の値に変化させることを特徴とする請求項6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの書き込み方法。 - 請求項22ないしは23において、前記第2の導電ゲートの電位から前記第3の半導体領域の電位を引いた値が前記第2の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第3半導体領域からの逆導電形キャリア通路のゲート閾値電圧を充分越えた値とし、同一ゲート電位に対して第3の半導体領域の電位を複数レベルに設定することにより、前記ゲート閾値電圧の第1の値は複数レベルに設定することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの書き込み方法。
- 前記第2の導電ゲートの電位から第1のチャネル形成半導体薄膜部分へ注入された逆導電形のキャリアの電位を引いた値が前記第2の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の逆導電形チャネルのゲート閾値電圧を越えた値とすることにより、第1のチャネル形成半導体薄膜部分から前記第3の半導体領域へ逆導電形のキャリア2を引き出して、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第1の導電ゲートから見た第1の導電形のチャネルのゲート閾値電圧を第2の値に変化させることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの消去方法。
- 前記第1の導電ゲートの電位から第1のチャネル形成半導体薄膜部分へ注入された逆導電形のキャリアの電位を引いた値が前記第1の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の逆導電形チャネルのゲート閾値電圧を越えた値とすることにより、第1のチャネル形成半導体薄膜部分から前記第3の半導体領域へ逆導電形のキャリア2を引き出して、前記第1のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第1の導電ゲートから見た第1の導電形のチャネルのゲート閾値電圧を第2の値に変化させることを特徴とする請求項6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの消去方法。
- 第1の半導体領域へ逆導電形のキャリアを引き付ける方向の電位を与えることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの消去方法。
- 第2の半導体領域へ逆導電形のキャリアを引き付ける方向の電位を与えることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの消去方法。
- 前記第2の導電ゲートの電位から前記第3の半導体領域の電位を引いた値が前記第2の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第3半導体領域からの逆導電形キャリア通路のゲート閾値電圧を越えた値とするが、第2の半導体領域の電位に対して第3の半導体領域の電位を順方向へバイアスして第1のゲート閾値電圧書き込みとする一方、同一の第2のゲート電圧に対して第3の半導体領域の電位をゼロバイアスまたは逆方向へバイアスする場合を第2のゲート閾値電圧書き込みとすることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの動作方法。
- 前記第1の導電ゲートの電位から前記第3の半導体領域の電位を引いた値が前記第1の導電ゲートから見た前記第2のチャネル形成半導体薄膜部分の前記第3半導体領域からの逆導電形キャリア通路のゲート閾値電圧を越えた値とするが、第2の半導体領域の電位に対して第3の半導体領域の電位を順方向へバイアスして第1のゲート閾値電圧書き込みとする一方、同一の第1のゲート電圧に対して第3の半導体領域の電位をゼロバイアスまたは逆方向へバイアスする場合を第2のゲート閾値電圧書き込みとすることを特徴とする請求項6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの動作方法。
- 前記第1の導電ゲートの第2の半導体領域に対する電圧を第1のゲート閾値電圧と第2のゲート閾値電圧のうちすくなくとも1つを越える規定の値に設定して、第1の半導体領域と第2の半導体領域間に流れる電流の大小検出して記憶情報を判断することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11ないし12記載の薄膜メモリセルの読み出し方法。
- 請求項22、23、24、25、26、27、28、29、30ないし31の方法において、前記半導体薄膜のエネルギーギャップを電圧に換算した値を第1の半導体領域と第2の半導体領域との間に加える電圧が超えないことを特徴とする薄膜メモリセルの書き込み、消去、動作ないしは読み出し方法。
- 請求項13ないし14記載のメモリアレイにおいて、
書き込み時はワード線電位が共通線電位−0.4V(±0.1V)、書き込みビット線電位が共通線電位+0.2V(±0.1V)、読み出し線電位が共通線電位であり、
消去時はワード線電位が共通線電位−0.5V(±0.1V)、書き込みビット線電位が共通線電位、読み出しビット線電位が共通線電位であり、
読み出し時はワード線電位が共通線電位+0.7V(±0.1V)、書き込みビット線電位が共通線電位、読み出しビット線電位が共通線電位+0.3V(±0.1V)であることを特徴とする薄膜メモリセルの動作方法。 - 請求項15ないし16記載のメモリアレイにおいて、
書き込み時はワード線電位が共通線電位−0.3V(±0.1V)、“1”書き込みビット線電位が共通線電位+0.3V(±0.1V)であり、“0”書き込みビット線電位が共通線電位−0.3V(±0.1V)であり、
読み出し時はワード線電位が共通線電位+0.7V(±0.1V)、ビット線電位が共通線電位+0.2V(±0.1V)であることを特徴とする薄膜メモリセルの動作方法。 - 第3の半導体領域を選択結晶成長する、
第3の半導体領域の該選択結晶成長した部分の少なくとも側面を酸化する、
第1の半導体領域を選択エピタキシャル成長する、ことを含む請求項1、6ないし13、14、15、16記載の薄膜メモリないしは薄膜メモリアレイの製造方法。
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