JP2007081335A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007081335A5 JP2007081335A5 JP2005270816A JP2005270816A JP2007081335A5 JP 2007081335 A5 JP2007081335 A5 JP 2007081335A5 JP 2005270816 A JP2005270816 A JP 2005270816A JP 2005270816 A JP2005270816 A JP 2005270816A JP 2007081335 A5 JP2007081335 A5 JP 2007081335A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- source
- gate
- drain
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Claims (23)
- 主面に絶縁層が形成された基板と、
前記絶縁層上に形成されたソースおよびドレインと、
前記絶縁層上であって前記ソースと前記ドレインとの間に形成され、半導体からなるチャネルと、
前記絶縁層の上部であって前記ソースと前記ドレインとの間に形成され、前記チャネルとはゲート絶縁膜を介して電気的に絶縁され、前記チャネルの電位を制御するゲートとを有する電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、
前記チャネルは、前記ソースおよび前記ドレインの側面で前記ソースと前記ドレインとを電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ゲートの上面が、前記ソースの上面の高さより低く形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ソースおよび前記ドレインのそれぞれの側面に形成され、前記ゲートと前記ソースおよび前記ドレインとを絶縁分離する絶縁膜を有し、
前記ゲートと前記ソースおよび前記ドレインとの間の前記絶縁膜の厚さが、前記ゲートと前記チャネルとの間の前記ゲート絶縁膜の厚さより厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ゲートの上面が、前記ソースの上面の高さより低く形成されており、
前記ソースおよび前記ドレインの側面に形成され、前記ゲートと前記ソースおよび前記ドレインとを絶縁分離する絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記チャネルが、シリコンからなり、その厚さが5nm程度以下であることを特徴とする半導体装置。 - 主面に絶縁層が形成された基板と、
前記絶縁層上に形成されたソースおよびドレインと、
前記ソースおよび前記ドレイン上に形成され、前記ソースと前記ドレインとを電気的に接続し、半導体からなるチャネルと、
前記ソースおよび前記ドレインの上部に形成され、前記チャネルとはゲート絶縁膜を介して電気的に絶縁され、前記チャネルの電位を制御するゲートとを有する電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、
前記ゲートの下部全面に前記チャネルが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記ソースから前記ドレインに前記チャネルを通じて電流が流れる方向と交差する方向であって、前記ゲート下部の前記ソースの寸法と前記ドレインの寸法とが異なっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記ソースから前記ドレインに前記チャネルを通じて電流が流れる方向と交差する方向であって、前記ゲート下部の前記ドレインの寸法が、前記ゲート下部の前記ソースの寸法より長いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記チャネルの電流経路幅が、前記ソースの電流経路幅より広いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記チャネルが、シリコンからなり、その厚さが5nm程度以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記基板が、単結晶シリコンからなり、
前記チャネルが、単結晶シリコンまたは単結晶の結晶性に近いシリコンからなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記ソースまたは前記ドレインの少なくともどちらか一方が、単結晶シリコンからなり、
前記チャネルが、前記ソースまたは前記ドレインと、金属配線を介さず直接接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記ソースおよび前記ドレインは、それぞれ前記絶縁層上に形成された半導体層の表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 主面にゲート絶縁膜が形成された基板と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたソースおよびドレインと、
前記ゲート絶縁膜下に形成され、チャネルの電位を制御するゲートと、
前記ゲートの上部に形成され、前記ソースと前記ドレインとを電気的に接続し、前記ゲートとは前記ゲート絶縁膜を介して電気的に絶縁され、半導体からなるチャネルとを有する電界効果型トランジスタを備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14記載の半導体装置において、
前記ゲートは、前記ソースおよび前記ドレインに対して自己整合により不純物が導入された半導体からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14記載の半導体装置において、
前記基板は、SOI構造を有しており、
前記SOI構造の絶縁層上に前記ゲートが形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 主面にゲート絶縁膜が形成された基板と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたソースおよびドレインと、
前記ゲート絶縁膜下に形成され、チャネルの電位を制御する第1ゲートと、
前記第1ゲートの上部に形成され、前記ソースと前記ドレインとを電気的に接続し、前記第1ゲートとは前記ゲート絶縁膜を介して電気的に絶縁され、半導体からなるチャネルと、
前記第1ゲートとは、前記チャネルを挟んで形成された第2ゲートとを有する電界効果型トランジスタを備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項17記載の半導体装置において、
前記第1ゲートは、前記ソースおよび前記ドレインに対して自己整合により不純物が導入された半導体からなり、
前記第1ゲートの不純物濃度を制御することによってしきい値電圧が設定されることを特徴とする半導体装置。 - 同一チップ内に複数の単位メモリセルのアレイからなるメモリ部を有する半導体装置であって、
前記単位メモリセルが、書込みトランジスタと読出しトランジスタを有しており、
前記書込みトランジスタが、主面に絶縁層が形成された基板と、前記絶縁層上に形成されたソースおよびドレインと、前記絶縁層上であって前記ソースと前記ドレインとの間に形成され、半導体からなるチャネルと、前記絶縁層の上部であって前記ソースと前記ドレインとの間に形成され、前記チャネルとはゲート絶縁膜を介して電気的に絶縁され、前記チャネルの電位を制御するゲートとを有する電界効果型トランジスタであり、
前記読出しトランジスタが、電界効果型トランジスタであり、
蓄積電荷の出し入れを行う前記書込みトランジスタの前記ソースまたは前記ドレインが、ビット線に電気的に接続されており、前記ビット線とは電気的に接続されない前記ドレインまたは前記ソースが前記読出しトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記読出しトランジスタのゲート近傍に電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項19記載の半導体装置において、
前記電極が、前記読出しトランジスタのソースに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項19記載の半導体装置において、
前記電極が、メモリセル選択用のワード配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項19記載の半導体装置において、
前記単位メモリセルが、さらに選択トランジスタを有しており、
前記選択トランジスタが、前記読出しトランジスタと直列に接続され、
前記選択トランジスタのゲートが、メモリセル選択用のワード線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項22記載の半導体装置において、
前記読出しトランジスタでは、前記書込みトランジスタによって出し入れされた蓄積電荷量に依存して前記読出しトランジスタのソースまたはドレイン間のコンダクタンスが変化し、
前記読出しトランジスタのチャネル幅が前記選択トランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270816A JP2007081335A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 半導体装置 |
TW095126747A TW200717804A (en) | 2005-09-16 | 2006-07-21 | Semiconductor device |
US11/493,688 US8106449B2 (en) | 2005-09-16 | 2006-07-27 | Semiconductor device |
CN2006101089198A CN1933178B (zh) | 2005-09-16 | 2006-07-28 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270816A JP2007081335A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081335A JP2007081335A (ja) | 2007-03-29 |
JP2007081335A5 true JP2007081335A5 (ja) | 2008-10-30 |
Family
ID=37878895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005270816A Pending JP2007081335A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8106449B2 (ja) |
JP (1) | JP2007081335A (ja) |
CN (1) | CN1933178B (ja) |
TW (1) | TW200717804A (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5098682B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
CN105070715B (zh) * | 2009-10-21 | 2018-10-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR20240042253A (ko) * | 2009-10-29 | 2024-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8780629B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
CN102725841B (zh) * | 2010-01-15 | 2016-10-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP5659523B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2015-01-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102339828B (zh) * | 2010-07-19 | 2013-04-24 | 中国科学院微电子研究所 | 低功耗半导体存储器及其驱动方法 |
US8634228B2 (en) * | 2010-09-02 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
JP5973165B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI602303B (zh) * | 2011-01-26 | 2017-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101648594B1 (ko) * | 2011-10-19 | 2016-09-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법 |
US9257422B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit |
KR101944535B1 (ko) | 2012-03-28 | 2019-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 |
US9112460B2 (en) | 2013-04-05 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device |
JP6570817B2 (ja) | 2013-09-23 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9300292B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit including transistor |
TWI695375B (zh) * | 2014-04-10 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置及半導體裝置 |
US10283171B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-05-07 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked die semiconductor device with separate bit line and bit line bar interconnect structures |
US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
CN116234296A (zh) * | 2022-01-18 | 2023-06-06 | 北京超弦存储器研究院 | 动态存储器以及soc芯片 |
CN116209244B (zh) * | 2022-01-26 | 2024-02-23 | 北京超弦存储器研究院 | 动态存储器及存储装置 |
CN116234298B (zh) * | 2022-01-26 | 2024-02-23 | 北京超弦存储器研究院 | 动态存储器及soc芯片 |
CN116234299B (zh) * | 2022-01-27 | 2024-02-23 | 北京超弦存储器研究院 | 动态存储器及其制作方法、soc芯片 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2527385B1 (fr) * | 1982-04-13 | 1987-05-22 | Suwa Seikosha Kk | Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor |
JPS6450536A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
US5116771A (en) * | 1989-03-20 | 1992-05-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Thick contacts for ultra-thin silicon on insulator films |
JPH03177073A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH0621458A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3484726B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2004-01-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH06334185A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
JP3372110B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2003-01-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5557126A (en) * | 1994-09-30 | 1996-09-17 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Thin-film transistor and method for forming the same |
KR0139573B1 (ko) * | 1994-12-26 | 1998-06-15 | 김주용 | 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
US5567958A (en) * | 1995-05-31 | 1996-10-22 | Motorola, Inc. | High-performance thin-film transistor and SRAM memory cell |
KR100259078B1 (ko) * | 1997-08-14 | 2000-06-15 | 김영환 | 박막트랜지스터 및 이의 제조방법 |
US6239472B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-05-29 | Philips Electronics North America Corp. | MOSFET structure having improved source/drain junction performance |
JP3955409B2 (ja) | 1999-03-17 | 2007-08-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
DE19950362C1 (de) * | 1999-10-19 | 2001-06-07 | Infineon Technologies Ag | DRAM-Zellenanordnung, Verfahren zu deren Betrieb und Verfahren zu deren Herstellung |
US6825528B2 (en) | 2000-01-07 | 2004-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method of manufacture thereof, and information processing device |
JP3749101B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2006-02-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6660600B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-12-09 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors |
US6787424B1 (en) * | 2001-02-09 | 2004-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fully depleted SOI transistor with elevated source and drain |
US6524920B1 (en) * | 2001-02-09 | 2003-02-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature process for a transistor with elevated source and drain |
US6395589B1 (en) * | 2001-02-12 | 2002-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fabrication of fully depleted field effect transistor with high-K gate dielectric in SOI technology |
US6551886B1 (en) * | 2001-04-27 | 2003-04-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin body SOI MOSFET and gate-last fabrication method |
US6580132B1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Damascene double-gate FET |
US6787835B2 (en) * | 2002-06-11 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memories |
JP2005056452A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | メモリ及び半導体装置 |
US6864540B1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-03-08 | International Business Machines Corp. | High performance FET with elevated source/drain region |
JP4927321B2 (ja) | 2004-06-22 | 2012-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7294890B2 (en) * | 2005-03-03 | 2007-11-13 | Agency For Science, Technology And Research | Fully salicided (FUSA) MOSFET structure |
JP5086625B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-11-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100855967B1 (ko) * | 2007-01-04 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 매립형 워드라인 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005270816A patent/JP2007081335A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-21 TW TW095126747A patent/TW200717804A/zh unknown
- 2006-07-27 US US11/493,688 patent/US8106449B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-28 CN CN2006101089198A patent/CN1933178B/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007081335A5 (ja) | ||
US7915669B2 (en) | NROM flash memory devices on ultrathin silicon | |
US9502133B2 (en) | Semiconductor device | |
US8901712B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6528896B2 (en) | Scalable two transistor memory device | |
Prince | Vertical 3D memory technologies | |
US6815783B2 (en) | Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same | |
KR940010357A (ko) | 불휘발성 기억장치와 그 제조방법 | |
JP2002231899A5 (ja) | 半導体不揮発性記憶装置 | |
US20170040379A1 (en) | Semiconductor memory device and method for manufacturing same | |
JP2008192254A5 (ja) | ||
JP2012191227A (ja) | チャージトラップインシュレータメモリ装置 | |
CN107039449B (zh) | 快闪记忆体 | |
US7671399B2 (en) | Semiconductor storage device | |
US9196340B2 (en) | Magnetic random access memory having increased on/off ratio and methods of manufacturing and operating the same | |
US20060138528A1 (en) | Charge trap insulator memory device | |
US8094496B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof | |
KR0130548B1 (ko) | 전위고정용 전극을 구비한 불휘발성 반도체기억장치 | |
KR101039214B1 (ko) | 핀 펫 구조를 가지는 플래시 메모리 및 이의 동작 방법 | |
JP2002289706A5 (ja) | ||
KR20060076003A (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리 장치 | |
JP2004343015A (ja) | 半導体記憶装置及びその動作方法、並びに、携帯電子機器 | |
JPH0677491A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2010038426A1 (ja) | 浮遊ゲート型不揮発性メモリ配置構成 | |
JPH0760865B2 (ja) | 半導体記憶装置 |