JP3670139B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体記憶装置に関するものである。特にこの発明は、半導体記憶装置のセンスアンプのレイアウトに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体記憶装置のセンスアンプは、メモリセルが接続されるビット線対に接続され、メモリセルに電荷量として蓄えられているデータがビット線対に読み出されることに応じて、ビット線対に生じる微少電位差を増幅するものである。
【0003】
このセンスアンプは一例として、ドレインがビット線対の一方に接続され、ゲートがビット線対の他方に接続された第1のN型MOSトランジスタと、ドレイン電極がビット線対の他方に接続され、ゲートがビット線対の一方に接続される第2のN型MOSトランジスタと、ドレインが第1及び第2のMOSトランジスタのソースに接続され、ゲートに第1のセンスアンプ活性化信号が与えれ、ソースにグランド電位が与えられる第3のN型MOSトランジスタと、ドレインがビット線対の一方に接続され、ゲートがビット線対の他方に接続された第1のP型MOSトランジスタと、ドレインがビット線対の他方に接続され、ゲートがビット線対の一方に接続される第2のP型MOSトランジスタと、ドレインが第1及び第2のMOSトランジスタのソースに接続され、ゲートに第2のセンスアンプ活性化信号が与えれ、ソースに電源電位が与えられる第3のP型MOSトランジスタとから構成される。
【0004】
また第1及び第2のN型MOSトランジスタのソース電極と第3のMOSトランジスタのドレイン電極は、半導体基板内に共通の不純物層として形成される。
【0005】
このセンスアンプに於いて、メモリセルに格納されたデータ“1”を読み出す場合にビット線対に与えられる微少電位差を増幅するスピードとメモリセルに格納されたデータ“0”を読み出す場合にビット線対に与えられる微少電位差を増幅するスピードとは等しいのが理想的である。
【0006】
このため、従来のセンスアンプでは、第1のN型MOSトランジスタと第2のN型MOSトランジスタの特性(例えばゲート長/ゲート幅)が等しくされ、第1のP型MOSトランジスタと第2のP型MOSトランジスタの特性が等しくされていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のセンスアンプに於いて、例えば、第1のN型MOSトランジスタのゲートと第3のN型MOSトランジスタのゲートとの間の半導体基板内の不純物層の長さが、第2のN型MOSトランジスタのゲートと第3のN型MOSトランジスタのゲートとの間の半導体基板内の不純物層の長さと異なっていた。
【0008】
これによって、電源電位が与えられる第3のP型MOSトランジスタのソースからビット線対の一方を通って接地電位が与えられる第3のN型MOSトランジスタのソースに至る電流経路と、電源電位が与えられる第3のP型MOSトランジスタのソースからビット線対の他方を通って接地電位が与えられる第3のN型MOSトランジスタのソースに至る電流経路の抵抗が異なってしまう。
【0009】
よって、例えば、従来のセンスアンプに於いて、メモリセルにデータ“1”が蓄えれている場合にセンスアンプがビット線対の微少電位を増幅するスピードがメモリセルにデータ“0”が蓄えられている場合にセンスアンプがビット線対の微少電位を増幅するスピードより遅くなってしまう場合があった。
【0010】
よって装置全体として見た場合、メモリセルのデータの読み出し速度が遅くなってしまうと言う問題があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置は、複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続され、半導体基板上に形成されるビット線対と、前記ビット線対の一方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第1の不純物層と、前記ビット線対の他方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第2の不純物層と、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第3の不純物層と、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第4の不純物層と、所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第5の不純物層と、前記所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第6の不純物層と、
前記第1の不純物層と第3の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の他方に接続される第1の配線層と、前記第2の不純物領域と第4の不純物領域との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の一方に接続される第2の配線層と、前記第3の不純物層と前記第5の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、センスアンプ活性化信号が与えられる第3の配線層と、前記第4の不純物層と前記第6の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記センスアンプ活性化信号が与えられる第4の配線層とを有することにある。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1の実施の形態のセンスアンプのレイアウト図である。
【0013】
図2は本発明の第1の実施の形態のセンスアンプの回路図である。
【0014】
図1、2を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
【0015】
まず、図2を参照して第1の実施の形態のセンスアンプの回路構成について説明する。
【0016】
このセンスアンプは、N型MOSトランジスタである第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4及びP型MOSトランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7から構成される。このセンスアンプはビット線対(ビット線BL、/BL)に接続される。
【0017】
第1のトランジスタTr1に於いて、ゲートはビット線/BLに接続され、ドレインはビット線BLに接続される。第3のトランジスタのゲートは第1のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは、第1のトランジスタTr1のソースに寄生抵抗r2を介して接続され、ソースには接地電位GNDが与えられる。
【0018】
第2のトランジスタTr2に於いて、ゲートはビット線BLに接続され、ドレインはビット線/BLに接続される。第4のトランジスタに於いて、ゲートは、第3のトランジスタのゲートに接続され、第1のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは、第2のトランジスタTr2のソースに寄生抵抗r1を介して接続され、ソースには接地電位GNDが与えられる。
【0019】
第5のトランジスタTr5に於いて、ゲートはビット線/BLに接続され、ドレインはビット線BLに接続される。第6のトランジスタTr6に於いて、ゲートはビット線BLに接続され、ドレインはビット線/BLに接続される。第7のトランジスタに於いて、ゲートは、第2のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは第5のトランジスタTr5のソースと第6のトランジスタTr6のソースに接続され、ソースは内部で生成された内部電位VDDが与えられる。
【0020】
次に、図1を参照して、図2のセンスアンプのレイアウトを説明する。
【0021】
図1に於いて、図示しない複数のメモリセルに接続された複数のビット線対(ビット線BL,/BL)に対応して複数のセンスアンプがそれぞれ配置される。このレイアウトの右側には、センスアンプのN型MOSトランジスタである第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4が配置され、レイアウトの左側には、センスアンプのP型MOSトランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7が配置される。
【0022】
ここで第1のトランジスタTr1及び第2のトランジスタTr2は、第5のトランジスタTr5及び第6のトランジスタTr6より、ゲート長/ゲート幅が小さく設定される。
【0023】
まず第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4のレイアウトについて説明する。ここで、この回路を形成する半導体基板はP型基板であるとする。
【0024】
1は、半導体基板上に形成される導電層であり、第2のトランジスタTr2のゲートである。2は第1のセンスアンプ活性化信号が与えられるセンスアンプ活性化線であると共に第4のトランジスタTr4のゲートである。3は、半導体基板上に形成される導電層であり、第1のトランジスタTr1のゲートである。4は第1のセンスアンプ活性化信号が与えられるセンスアンプ活性化線であり、第3のトランジスタTr3のゲートである。
【0025】
a層は、半導体基板内のN型不純物層であり第2のトランジスタのドレインでもある。b層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第2のトランジスタTr2のソースであると共に第4のトランジスタTr4のドレインである。つまり、この層は第2のトランジスタTr2のソースと第4のトランジスタTr4のドレインを兼ねている。c層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第4のトランジスタTr4のソースであり、接地電位が与えられる。d層は、半導体基板内のN型不純物層であり第1のトランジスタTr1のドレインである。e層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第1のトランジスタTr1のソースであると共に第3のトランジスタTr3のドレインでもある。この層は第1のトランジスタTr1のソースと第3のトランジスタTr3のドレインを兼ねている。f層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第3のトランジスタTr3のソースであり、接地電位が与えられる。
【0026】
A部はビット線/BLとa層とが接続される部分である。B部は導電層1とビット線BLとが接続される部分である。 C部はc層に接地電位が与えられる部分である。D部はビット線BLとd層とが接続される部分である。E部は導電層3とビット線/BLとが接続される部分である。 F部はf層に接地電位が与えられる部分である。c層とe層とはLOCOS酸化膜によって分離されている。
【0027】
ここで、導電層1とセンスアンプ活性化線2との間のb層の長さ及び寄生抵抗(r1)と、導電層3とセンスアンプ活性化線4との間のe層の長さ及び寄生抵抗(r2)とは等しく構成される。
【0028】
次に第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7のレイアウトについて説明する。
【0029】
トランジスタTr5〜Tr7はP型半導体基板内に形成されたN型ウエルZ内に形成されるものとする。
【0030】
10は半導体基板上に形成される導電層であり、第6のトランジスタTr6のゲートである。11は半導体基板上に形成される導電層であり、第5のトランジスタTr5のゲートである。12は第2のセンスアンプ活性化信号が与えられるセンスアンプセンスアンプ活性化線であり、第7のトランジスタTr7のゲートである。
【0031】
j層は、N型ウエルZ内のP型不純物層であり第5のトランジスタTR5のドレインである。k層はN型ウエルZ内のP型不純物層である。この層は第5のトランジスタTr5のソースであると共に第6のトランジスタTr6のソースでもある。この層は第5のトランジスタTr5のソースと第6のトランジスタTr6のソースを兼用する。l層はウエルZ内のP型不純物層であり、第6のトランジスタTr6のドレインである。
【0032】
i層は、ウエルZ内のP型不純物層であり第7のトランジスタTr7のドレインである。h層は、ウエルZ内のP型不純物層であり、第7のトランジスタのソースである。
【0033】
K部とL部とは図示しない導電層を介して電気的に接続される。これによりビット線BLとj層とが電気的に接続される。G部は導電層11とビット線/BLとが接続される部分である。O部とN部とは図示しない導電層を介して電気的に接続される。これによりビット線/BLとl層とが電気的に接続される。P部は導電層10とビット線BLとが接続される部分である。I部とM部は図示しない導電層を介して電気的に接続される。これにより第5のトランジスタTr5及び第6のトランジスタのソースと第7のトランジスタのドレインとは電気的に接続される。H部は内部電位VDDが与えられる部分である。
【0034】
つぎに動作について説明する。
【0035】
メモリセルからのデータ“1”が与えられることにより、ビット線BLの電位が1/2VDD+ΔVに設定され、ビット線/BLの電位が1/2VDDに設定された場合について説明する。
【0036】
まず、第1のセンスアンプ活性化信号はLレベルであり、第2のセンスアンプ活性化信号はHレベルである。
【0037】
次に、第1のセンスアンプ活性化信号はHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号はLレベルに設定される。すると、接地電位GNDが与えられる第3のトランジスタTr3のソースからビット線を介して内部電位VDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。また接地電位GNDが与えられる第4のトランジスタTr4のソースからビット線/BLを介して内部電位VDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。(第7のトランジスタTr7のソースからビット線を介して第3のトランジスタTr3のソースの方向に電流が流れる。また第7のトランジスタTr7のソースからビット線/BLを介して第4のトランジスタTr4のソースの方向に電流が流れる。)
第1のセンスアンプ活性化信号がHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号がLレベルに設定された直後は、以下の関係が成り立つ。
【0038】
第2のトランジスタTr2のゲート電位−第1のトランジスタTr1のゲート電位=ΔV
第6のトランジスタTr6のゲート電位−第5のトランジスタTr5のゲート電位=ΔV
これにより、ビット線BLからは電子が放出され、ビット線/BLには電子が供給される。
【0039】
一定の時間が経過すると、ビット線BLの電位はVDDに設定され、ビット線/BLの電位はGNDに設定される。
【0040】
次に、メモリセルからのデータ“0”が与えられることにより、ビット線BLの電位が1/2VDDに設定され、ビット線/BLの電位が1/2VDD+ΔVに設定された場合について説明する。
【0041】
まず、第1のセンスアンプ活性化信号はLレベルであり、第2のセンスアンプ活性化信号はHレベルである。
【0042】
次に、第1のセンスアンプ活性化信号はHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号はLレベルに設定される。すると、接地電位GNDが与えられる第3のトランジスタTr3のソースからビット線を介して内部電位VDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。また接地電位GNDが与えられる第4のトランジスタTr4のソースからビット線/BLを介して電源電位が与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。(第7のトランジスタTr7のソースからビット線を介して第3のトランジスタTr3のソースの方向に電流が流れる。また第7のトランジスタTr7のソースからビット線/BLを介して第4のトランジスタTr4のソースの方向に電流が流れる。)
第1のセンスアンプ活性化信号がHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号がLレベルに設定された直後は、以下の関係が成り立つ。
【0043】
第1のトランジスタTr1のゲート電位−第2のトランジスタTr2のゲート電位=ΔV
第5のトランジスタTr5のゲート電位−第6のトランジスタTr6のゲート電位=ΔV
これにより、ビット線/BLからは電子が放出され、ビット線BLには電子が供給される。
【0044】
一定の時間が経過すると、ビット線/BLの電位はVDDに設定され、ビット線BLの電位はGNDに設定される。
【0045】
第1の実施の形態では、導電層1と導電層2との間のb層の長さが導電層3と導電層4との間のe層の長さに等しい。よって、導電層1と導電層2との間のb層の抵抗(寄生抵抗r1)が導電層3と導電層4との間のe層の抵抗(寄生抵抗r2)に等しい。すなわち、第1のトランジスタのソースから第3のトランジスタTr3のドレインまでの寄生抵抗r1が第2のトランジスタTr2のソースから第4のトランジスタTr4のドレインまでの寄生抵抗r2に等しい。また、第3のトランジスタTr3と第4のトランジスタのTr4の特性が等しいので、ビット線BLから第3のトランジスタTr3までの電流経路の抵抗と、ビット線BLから第4のトランジスタTr4までの電流経路の抵抗と等しい。
【0046】
よって、第1の実施の形態では、メモリセルに蓄えられたデータが“1”であっても、“0”であってもビット線対に生じる微少電位差ΔVを増幅するスピードを同一にすることができる。
【0047】
よって、メモリセルのデータの読み出し速度が遅くなってしまうと言う問題を解決することができる。
【0048】
図3は本発明の第2の実施の形態のセンスアンプのレイアウトである。
【0049】
図4は本発明の第2の実施の形態のセンスアンプの回路図である。
【0050】
図3、4を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。
【0051】
まず、図4を参照して第2の実施の形態のセンスアンプの回路構成について説明する。
【0052】
このセンスアンプは、N型MOSトランジスタである第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4及びP型MOSトランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7から構成される。このセンスアンプはビット線対(ビット線BL、/BL)に接続される。
【0053】
第1のトランジスタTr1に於いて、ゲートはビット線/BLに接続され、ドレインはビット線BLに接続される。第3のトランジスタに於いて、ゲートは第1のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは、第1のトランジスタTr1のソースに寄生抵抗r2を介して接続され、ソースには接地電位GNDが与えられる。
【0054】
第2のトランジスタTr2に於いて、ゲートはビット線BLに接続され、ドレインはビット線/BLに接続される。第4のトランジスタに於いて、ゲートは、第3のトランジスタのゲートに接続され、第1のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは、第2のトランジスタTr2のソースに寄生抵抗r1を介して接続され、ソースには接地電位GNDが与えられる。第1のトランジスタのソースと第2のトランジスタのソースとは電気的に接続している。
【0055】
第5のトランジスタTr5に於いて、ゲートはビット線/BLに接続され、ドレインはビット線BLに接続される。第6のトランジスタTr6のゲートはビット線BLに接続され、ドレインはビット線/BLに接続される。第7のトランジスタTr7於いて、ゲートは、第2のセンスアンプ活性化信号が与えられ、ドレインは第5のトランジスタTr5のソースと第6のトランジスタTr6のソースに接続され、ソースは内部電位VDDが与えられる。
【0056】
つぎに図3を参照して第2の実施の形態のセンスアンプのレイアウトを説明する。
【0057】
この装置は、P型半導体基板を用いて形成される。
【0058】
図3に於いて、図示しないメモリセルに接続された複数のビット線対(ビット線BL,/BL)に対応して複数のセンスアンプがそれぞれ配置される。このレイアウトの右側には、センスアンプのN型MOSトランジスタである第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4が配置され、レイアウトの左側には、センスアンプのP型トランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7が配置される。
【0059】
センスアンプのP型トランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7は第1の実施の形態のセンスアンプのP型トランジスタである第5のトランジスタTr5〜第7のトランジスタTr7と同様なレイアウトなので説明を省略する。
【0060】
第1のトランジスタTr1〜第4のトランジスタTr4のレイアウトについて説明する。
【0061】
1は、半導体基板上に形成される導電層であり、第2のトランジスタTr2のゲートである。2は第1のセンスアンプ活性化信号が与えられるセンスアンプ活性化線であると共に第4のトランジスタTr4のゲートである。3は、半導体基板上に形成される導電層であり、第1のトランジスタTr1のゲートである。4は第1のセンスアンプ活性化信号が与えられるセンスアンプ活性化線であり、第3のトランジスタTr3のゲートである。
【0062】
a層は、半導体基板内のN型不純物層であり第2のトランジスタのドレインでもある。X層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第1のトランジスタTr1のソースであり、第2のトランジスタTr2のソースであり、第3のトランジスタTr3のドレインであり、第4のトランジスタTr4のドレインである。つまり、この層は第1のトランジスタTr1のソースと第2のトランジスタTr2のソースと第3のトランジスタのドレインと第4のトランジスタTr4のドレインを兼ねている。c層は半導体基板内のN型不純物層である。この層は第4のトランジスタTr4のソースであり、接地電位が与えられる。d層は、半導体基板内のN型不純物領域であり第1のトランジスタTr1のドレインである。f層は半導体基板内のN型不純物層であり、第3のトランジスタTr3のソースであり、接地電位が与えられる。
【0063】
A部はビット線/BLとa層とが接続される部分である。B部は導電層1とビット線BLとが接続される部分である。C部はc層に接地電位が与えられる部分である。D部はビット線BLとd層とが接続される部分である。E部は導電層3とビット線/BLとが接続される部分である。F部はf層に接地電位が与えられる部分である。
【0064】
ここで、導電層1とセンスアンプ活性化線2との間のX層の長さと、導電層3とセンスアンプ活性化線4との間のX層の長さとは等しく構成される。これによって導電層1とセンスアンプ活性化線2との間の寄生抵抗と、導電層2とセンスアンプ活性化線4との間の寄生抵抗が等しくされる。
【0065】
つぎに動作について説明する。
【0066】
メモリセルからのデータ“1”が与えられることにより、ビット線BLの電位が1/2VDD+ΔVに設定され、ビット線/BLの電位が1/2VDDに設定された場合について説明する。
【0067】
まず、第1のセンスアンプ活性化信号はLレベルであり、第2のセンスアンプ活性化信号はHレベルである。
【0068】
次に、第1のセンスアンプ活性化信号はHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号はLレベルに設定される。すると、接地電位GNDが与えられる第3のトランジスタTr3のソースからビット線を介して内部電位VDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。また接地電位GNDが与えられる第4のトランジスタTr4のソースからビット線/BLを介してVDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。(第7のトランジスタTr7のソースからビット線を介して第3のトランジスタTr3のソースの方向に電流が流れる。また第7のトランジスタTr7のソースからビット線/BLを介して第4のトランジスタTr4のソースの方向に電流が流れる。)
第1のセンスアンプ活性化信号がHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号がLレベルに設定された直後は、以下の関係が成り立つ。
【0069】
第2のトランジスタTr2のゲート電位−第1のトランジスタTr1のゲート電位=ΔV
第6のトランジスタTr6のゲート電位−第5のトランジスタTr5のゲート電位=ΔV
これにより、ビット線BLからは電子が放出され、ビット線/BLには電子が供給される。
【0070】
一定の時間が経過すると、ビット線BLの電位はVDDに設定され、ビット線/BLの電位はGNDに設定される。
【0071】
次に、メモリセルからのデータ“0”が与えられることにより、ビット線BLの電位が1/2VDDに設定され、ビット線/BLの電位が1/2VDD+ΔVに設定された場合について説明する。
【0072】
まず、第1のセンスアンプ活性化信号はLレベルであり、第2のセンスアンプ活性化信号はHレベルである。
【0073】
次に、第1のセンスアンプ活性化信号はHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号はLレベルに設定される。すると、接地電位GNDが与えられる第3のトランジスタTr3のソースからビット線を介して内部電位VDDが与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。また接地電位GNDが与えられる第4のトランジスタTr4のソースからビット線/BLを介して電源電位が与えられる第7のトランジスタTr7のソースの方向に電子が移動する。(第7のトランジスタTr7のソースからビット線を介して第3のトランジスタTr3のソースの方向に電流が流れる。また第7のトランジスタTr7のソースからビット線/BLを介して第4のトランジスタTr4のソースの方向に電流が流れる。)
第1のセンスアンプ活性化信号がHレベルで、第2のセンスアンプ活性化信号がLレベルに設定された直後は、以下の関係が成り立つ。
【0074】
第1のトランジスタTr1のゲート電位−第2のトランジスタTr2のゲート電位=ΔV
第5のトランジスタTr5のゲート電位−第6のトランジスタTr6のゲート電位=ΔV
これにより、ビット線/BLからは電子が放出され、ビット線BLには電子が供給される。
【0075】
一定の時間が経過すると、ビット線/BLの電位はVDDに設定され、ビット線BLの電位はGNDに設定される。
【0076】
第2の実施の形態では、導電層1と導電層2との間のX層の長さが導電層3と導電層4との間のX層の長さに等しい。よって導電層1と導電層2との間のX層の抵抗が導電層3と導電層4との間のX層の抵抗に等しい。すなわち、第1のトランジスタのソースから第3のトランジスタTr3のドレインまでの寄生抵抗r1が第2のトランジスタTr2のソースから第4のトランジスタTr4のドレインまでの寄生抵抗r2に等しい。また、第3のトランジスタTr3と第4のトランジスタのTr4の特性が等しいので、ビット線BLから第3のトランジスタTr3までの電流経路の抵抗と、ビット線BLから第4のトランジスタTr4までの電流経路の抵抗と等しい。
【0077】
よって、第2の実施の形態では、メモリセルに蓄えられたデータが“1”であっても、“0”であってもビット線対に生じる微少電位差ΔVを増幅するスピードを同一にすることができる。
【0078】
よって、メモリセルのデータの読み出し速度が遅くなってしまうと言う問題を解決することができる。
【0079】
また、X層が、第1のトランジスタTr1のソースと第2のトランジスタTr2のソースと第3のトランジスタTr3のドレインと第4のトランジスタTr4のドレインを兼ねているので、第1の実施の形態より、素子面積を小さくできるという効果がある。
【0080】
第1及び第2の実施の形態では、ビット線BLと第3のトランジスタTr3のソースとの間の電流経路の抵抗と、ビット線/BLと第4のトランジスタTr4のソースとの間の電流経路の抵抗を等しくしている。仮に、ビット線BLと第5のトランジスタTr5のソースとの間の電流経路の抵抗と、ビット線/BLと第6のトランジスタTr6のソースとの間の電流経路の抵抗とが等しくなければ、各実施例と同様に、等しくすることにより、さらに効果がある。
【0081】
【発明の効果】
メモリセルに蓄えられたデータが“1”であっても、“0”であってもビット線対に生じる微少電位差ΔVを増幅するスピードを同一にすることができる。
【0082】
よって、メモリセルのデータの読み出し速度が遅くなってしまうと言う問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態のセンスアンプのレイアウト図である。
【図2】第1の実施の形態のセンスアンプの回路図である。
【図3】第2の実施の形態のセンスアンプのレイアウト図である。
【図4】第2の実施の形態のセンスアンプの回路図である。
【符号の説明】
1 導電層(第2のトランジスタTr2のゲート)
2 第1のセンスアンプ活性化線
3 導電層(第1のトランジスタTr1のゲート)
4 第2のセンスアンプ活性化線
10 導電層(第6のトランジスタTr6のゲート)
11 導電層(第5のトランジスタTr5のゲート)
12 第3のセンスアンプ活性化線
Claims (18)
- 複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルに接続され、半導体基板上に形成されるビット線対と、
前記ビット線対の一方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第1の不純物層と、
前記ビット線対の他方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第2の不純物層と、
前記半導体基板内に形成される第1導電型の第3の不純物層と、
前記半導体基板内に形成される第1導電型の第4の不純物層と、
所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第5の不純物層と、
前記所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第6の不純物層と、
前記第1の不純物層と第3の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の他方に接続される第1の配線層と、
前記第2の不純物領域と第4の不純物領域との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の一方に接続される第2の配線層と、
前記第3の不純物層と前記第5の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、センスアンプ活性化信号が与えられる第3の配線層と、
前記第4の不純物層と前記第6の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記センスアンプ活性化信号が与えられる第4の配線層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第3の不純物層は前記第1の不純物層の周りを覆う様に形成され、前記第1の配線層はループ状に形成され、前記第4の不純物層は前記第2の不純物層の周りを覆う様に形成され、前記第2の配線層はループ状に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の配線層と前記第3の配線層との間の前記第3の不純物層の長さ又は抵抗は、前記第2の配線層と前記第4の配線層との間の前記第4の不純物層の長さ又は抵抗に実質的に等しいことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記第3の配線層と前記第4の配線層とは互いに接続されることを特徴とする請求項1、2又は3記載の半導体記憶装置。
- 前記第3の不純物層と前記第6の不純物層との間にはLOCOS酸化膜が形成されることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の半導体記憶装置。
- 前記第3の不純物層と前記第4の不純物層は同一の不純物層として形成されることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の半導体記憶装置。
- 前記ビット線の一方と前記第5の不純物層との間の抵抗と前記ビット線の他方と前記第6の不純物との間の抵抗とは、前記センスアンプ活性化信号が活性化状態のとき、実質的に等しいことを特徴とする請求項1、2、3、4又は5に記載の半導体記憶装置。
- 複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルに接続され、半導体基板上に形成されるビット線対と、
前記ビット線対の一方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第1の不純物層と、
前記ビット線対の他方に接続され、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第2の不純物層と、
前記半導体基板内に形成される第1導電型の第3の不純物層と、
所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第4の不純物層と、
前記所定の電位が与えられ、前記半導体基板内に形成される第1導電型の第5の不純物層と、
前記第1の不純物層と第3の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の他方に接続される第1の配線層と、
前記第2の不純物層と第3の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記ビット線対の一方に接続される第2の配線層と、
前記第3の不純物層と前記第4の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、センスアンプ活性化信号が与えられる第3の配線層と、
前記第3の不純物層と前記第5の不純物層との間の前記半導体基板上に形成され、前記センスアンプ活性化信号が与えられる第4の配線層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第3の不純物層は前記第1及び第2の不純物層の周りを覆う様に形成され、前記第1及び第2の配線層はループ状に形成されることを特徴とする請求項8記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の配線層と前記第3の配線層との間の前記第3の不純物層の長さ又は抵抗は、前記第2の配線層と前記第4の配線層との間の前記第3の不純物層の長さ又は抵抗に実質的に等しいことを特徴とする請求項8又は9記載の半導体記憶装置。
- 前記第3の配線層と前記第4の配線層とは互いに接続されることを特徴とする請求項8、9又は10記載の半導体記憶装置。
- 前記ビット線の一方と前記第4の不純物層との間の抵抗と前記ビット線の他方と前記第5の不純物との間の抵抗とは、前記センスアンプ活性化信号が活性化状態のとき、実質的に等しいことを特徴とする請求項8、9、10又は11記載の半導体記憶装置。
- 複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルに接続されるビット線対と、
第1の電極が前記ビット線対の一方に接続され、制御電極が前記ビット線対の他方に接続される第1のトランジスタと、
第1の電極が前記ビット線対の他方に接続され、制御電極が前記ビット線対の一方に接続される第2のトランジスタと、
制御電極にセンスアンプ活性化信号が与えられ、第1の電極が前記第1のトランジスタの第2の電極に接続され、第2の電極に所定の電位が与えられる第3のトランジスタと、
制御電極に前記センスアンプ活性化線が与えられ、第1の電極が前記第2のトランジスタの第2の電極に接続され、第2の電極に前記所定の電位が与えられる第4のトランジスタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの制御電極とは互いに接続されることを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタの制御電極はそれぞれループ状に形成されることを特徴とする請求項13又は14記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のトランジスタの第2の電極から前記第3のトランジスタの第1の電極までの距離又は抵抗と前記第2のトランジスタの第2の電極から前記第4のトランジスタの第1の電極までの距離又は抵抗が実質的に等しいことを特徴とする請求項13、14又は15に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のトランジスタの第2の電極と前記第3のトランジスタの第1の電極とは前記半導体基板内の共通の第1の不純物層によって形成され、かつ前記第2のトランジスタの第2の電極と前記第4のトランジスタの第1の電極とは前記半導体基板内の共通の第2の不純物層によって形成され、前記第1のトランジスタの制御電極と前記第3のトランジスタの制御電極との間の前記第1の不純物層の長さまたは抵抗は、前記第2のトランジスタの制御電極と前記第4のトランジスタの制御電極との間の前記第2の不純物層の長さ又は抵抗に等しいことを特徴とする請求項13、14、15又は16に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のトランジスタの第2の電極と前記第3のトランジスタの第1の電極と前記第2のトランジスタの第2の電極と前記第4のトランジスタの第1の電極とは前記半導体基板内の共通の不純物層によって形成され、前記第1のトランジスタの制御電極と前記第3のトランジスタの制御電極との間の前記不純物層の長さまたは抵抗は、前記第2のトランジスタの制御電極と前記第4のトランジスタの制御電極との間の前記不純物層の長さ又は抵抗に等しいことを特徴とする請求項13、14、15、16記載の半導体記憶装置。
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