JP4159018B2 - 半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法及びセンスアンプを有する半導体メモリ素子 - Google Patents
半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法及びセンスアンプを有する半導体メモリ素子 Download PDFInfo
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法に関し、特にセンスアンプのNMOSトランジスタ部分のレイアウト(layout)構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリ素子のセンスアンプは、PMOSトランジスタを用いたプルアップ素子とNMOSトランジスタを用いたプルダウン素子とからなり、ビットラインBLとビットバーライン/BLに載置されるデータ電圧を増幅してデータバスに出力する。
このような半導体メモリ素子のセンスアンプの回路を図1に示している。
【0003】
図1に示す半導体メモリ素子のセンスアンプは、ビットバーライン/BL0とビットラインBL0のデータをセンシングする第1のセンスアンプ部10と、ビットバーライン/BL1とビットラインBL1のデータをセンシングする第2のセンスアンプ部20を例として示している。
第1のセンスアンプ部10では、PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1とが電源電圧VDDと接地Vss間に直列連結され、別のPMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN2とが電源電圧VDDと接地Vssとの間に直列連結される。
【0004】
前述のPMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1の場合、各々のドレインはビットバーライン/BL0に連結し、各々のゲートはビットラインBL0に連結している。後述のPMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN2の場合には、各々のドレインがビットラインBL0に連結し、各々のゲートはビットバーライン/BL0に連結している。
【0005】
第2のセンスアンプ部20は、PMOSトランジスタP3とNMOSトランジスタN3とを電源電圧VDDと接地Vssとの間に直列連結し、別のPMOSトランジスタP4とNMOSトランジスタN4とを電源電圧VDDと接地Vssとの間に直列連結している。
【0006】
前述のPMOSトランジスタP3とNMOSトランジスタN3の場合、各々のドレインはビットバーライン/BL1に連結し、各々のゲートはビットラインBL1に連結している。後述のPMOSトランジスタP4とNMOSトランジスタN4の場合には、各々のドレインがビットラインBL1に連結し、各々のゲートはビットバーライン/BL1に連結している。
【0007】
ビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の初期状態では、半電源電圧(1/2VDD)にプリチャージされた状態で、メモリセルから出力されるデータ信号の電圧レベルにより電圧が多少上昇するか、または、プリチャージ電圧をそのまま保持する。
【0008】
データ信号の電圧によりビットラインが上昇する時の電圧上昇幅は動作速度とセルキャパシタのサイズにより非常に小さい。従って、半導体メモリ素子のセンスアンプは非常に良好な感度を有していなければならない。
【0009】
図2は、図1に示す第1及び第2のセンスアンプ部10、20のNMOSトランジスタ部30の従来のレイアウトを示す図面である。
図示のように、ビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1とが図面を基準にして縦方向に所定間隔を置いて平行に形成される。
【0010】
垂直に平行に形成されたビットラインBL0とビットバーライン/BL0の上部には前記センスアンプ部10のNMOSトランジスタN1の形成領域40を形成し、その下部には前記第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN2の形成領域42を形成している。そして、垂直に平行に形成されたビットラインBL1とビットバーライン/BL1の上部には前記第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN3の形成領域44を形成し、その下部には前記第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4の形成領域46を形成している。
【0011】
一方、接地ラインVssは、前記第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN1の形成領域40の場合、前記ビットラインBL0の左側に形成し、前記第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN3の形成領域44の場合、ビットバーライン/BL1の右側に垂直に形成し、また、前記第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN2の形成領域42と前記第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4の形成領域46の場合、ビットバーライン/BL0とビットラインBL1との間に接地ラインVssを形成している。
【0012】
第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN1の形成領域40には、図面を基準にして、垂直に形成したビットラインBL0に第1のゲートコンタクトG1を形成し、前記ビットラインBL0と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成されたビットバーライン/BL0に第1のドレインコンタクトD1を形成し、前記ビットラインBL0の左側に垂直に形成した接地ラインVssに第1のソースコンタクトS1を形成している。
【0013】
第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN2の形成領域42には、図面を基準にして、垂直に形成したビットラインBL0に第2のドレインコンタクトD2を形成し、前記ビットラインBL0と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成したビットバーライン/BL0に第2のゲートコンタクトG2を形成し、前記ビットラインBL0と前記ビットバーライン/BL0との間に垂直に形成した接地ラインVssに第2のソースコンタクトS1を形成している。
【0014】
第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN3の形成領域44には、図面を基準にして、垂直に形成したビットラインBL1に第3のドレインコンタクトD3を形成し、前記ビットラインBL1と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成したビットバーライン/BL1に第3のゲートコンタクトG3を形成し、前記ビットバーライン/BL1の右側に垂直に形成した接地ラインVssに第3のソースコンタクトS3を形成している。
【0015】
第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4の形成領域46には、図面を基準にして、垂直に形成したビットラインBL1に第4のゲートコンタクトG4を形成し、ビットラインBL1と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成したビットバーライン/BL1に第4のドレインコンタクトD4を形成し、前記ビットラインBL0とビットバーライン/BL0との間に垂直に形成した接地ラインVssに第4のソースコンタクトS4を形成している。
【0016】
図3は、図2に示しているレイアウトのII−IIの断面図である。図3の断面図を見ると、シリコン基板51にp型活性領域52が形成され、この活性領域52内に3つのn+不純物領域53、54、55を形成している。
【0017】
活性領域52の上で、第1の不純物領域53と第2の不純物領域54との間に第1のゲート56を形成し、第2の不純物領域54と第3の不純物領域55との間に第2のゲート57を形成している。そして、前記第1及び第2のゲート56、57が形成された全体構造物の上に層間絶縁膜58を形成し、第1乃至第3の不純物領域53、54、55の一部が露出するように、コンタクトホール(図示していない)が形成される。また、前記コンタクトホールの内部及び全体構造物上に形成した導電性物質が所定部分パターニングされて第1乃至第3の導電ライン59、60、61を形成している。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
従来のセンスアンプレイアウト方法は、図2に示すように、1つのビットラインピッチ(L)に1つのNMOSトランジスタが上下に各々配置している。このような構造を有する従来のセンスアンプレイアウト構造は、1つのビットラインピッチ(L)に1つのNMOSトランジスタが構成されるので、センスアンプのレイアウト面積を増加させ、工程マージンを減少させている。また、配線面積が足りないためにゲート配線を使用することになるので、センスアンプがゲート配線抵抗に影響を受けることになり、動作速度が下がったり、誤動作を起こすなどの問題があった。
【0019】
従って、本発明は、前記の問題を解決するためのもので、センスアンプのレイアウト面積を減らし、工程マージンを増加させる半導体メモリ素子のセンスアンプレイアウト方法を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、配線面積を増加させるようなゲート配線の必要がない半導体メモリ素子のセンスアンプレイアウト方法を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、半導体メモリ素子におけるセンスアンプをレイアウトする方法を開示する。
先ず、第1のビットライン、第1のビットバーライン、第2のビットライン、及び第2のビットバーラインを互いに平行に、この順に並ぶように配置する。
前記第1及び第2のビットラインは、前記第1及び第2のビットバーラインと、それぞれ第1及び第2のビットライン対をなす。
次に、前記第1及び第2のビットライン対の設けられた領域の下方に、前記センスアンプを構成する第1ないし第4のMOSトランジスタを、各々、前記第1及び第2のビットライン対の長さ方向に沿って1個づつ4個配置する。
前記センスアンプ用MOSトランジスタの各々のゲートはリング状、又は、矩形状を有する形状を有する。
【0021】
かつ各々のゲート上には、層間絶縁膜を介して前記第1及び第2のビットライン対が配置され、
前記第1及び第2のMOSトランジスタがクロスカップリングされ、前記第3及び第4のMOSトランジスタがクロスカップリングされている。
【0022】
第1のMOSトランジスタには、第1のビットラインに第1のゲートコンタクトを形成し、第1のビットバーラインに第1のドレインコンタクトを形成し、第1のビットラインと第1のビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第1のソースコンタクトを形成する。第2のMOSトランジスタには、第1のビットラインに第2のドレインコンタクトを形成し、第1のビットバーラインに第2のゲートコンタクトを形成し、第1のビットラインとビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第2のソースコンタクトを形成している。第3のMOSトランジスタには、第2のビットラインに第3のゲートコンタクトを形成し、第2のビットバーラインに第3のドレインコンタクトを形成し、第2のビットラインと第2のビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第3のソースコンタクトを形成している。第4のMOSトランジスタには、第2のビットラインに第4のドレインコンタクトを形成し、第2のビットバーラインに第4のゲートコンタクトを形成し、第2のビットラインと第2のビットバーラインとの間に垂直に形成した接地ラインVssに第4のソースコンタクトを形成している。
【0023】
従来のセンスアンプのレイアウト方法では、1つのビットラインの上に1つのNMOSトランジスタを具現したが、上述したように、本発明によって複数のビットラインの長さ方向に2個ずつまとめて交互に配置するように、1つのNMOS トランジスタをレイアウトすると、センスアンプ構成用MOSのピッチがN倍になって、工程マージンがよくなる。また、従来のものはゲートの配線抵抗がセンスアンプの動作に影向を与えて、センスアンプの動作特性が良くないが、本発明によると、配線面積が増加するためにゲート配線を使用する必要がなくなって、センスアンプの動作特性がよくなる効果がある。また、本発明によると、従来のライン状のゲートの代わりにリング状、または、矩形状のゲートを使用して、センスアンプをレイアウトするために必要な面積を低減することができる。また、本発明によると、ビットラインのピッチが小さくなってもセンスアンプをレイアウトすることができる。従って、半導体メモリ素子の集積度が大きくなっても、センスアンプを容易にレイアウトすることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。図面において,同一機能を有する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0025】
図4は、図1に示すセンスアンプのNMOSトランジスタ部30の本発明にかかるレイアウトを示す図面である。図4に示すようにビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1とが図面を基準にして、縦方向に所定の間隔を置いて平行に形成している。ここで、ビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1、即ち2対のビットラインとビットバーラインを配置した横(または、幅方向)の長さをD(ピッチ)とすれば、Dは図2に示している従来のビットラインピッチ(L)の2倍である。
【0026】
ピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の上部には、図1に示している第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN3を配置し(400)、その下部には第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4を配置している(500)。そして、第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4が配置(500)されたレイアウトの直下には第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN1が配置され(200)、その下方には第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN2を配置している(300)。
【0027】
第1及び第2のセンスアンプ部10、20のNMOSトランジスタN1、N2、N3、N4は、1つのリング(Ring)状を有するゲートを各々備え、リング状のゲートはピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1とで上下に2つずつ2対を備える。
【0028】
次に、図4を参照して、本発明にかかるセンスアンプレイアウトについて詳細に説明する。
先ず、第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN3の形成領域(400)には、図面を基準にして、垂直に形成されたビットラインBL1にゲートコンタクトG13を形成し、ビットラインBL1と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成されたビットバーライン/BL1にドレインコンタクトD13を形成し、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1との間に垂直に形成された接地ラインVssにソースコンタクトS13が形成される。前記ビットラインBL1に連結されたNMOSトランジスタN3のゲート120は、ピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の全体の上部に方形、または、リング状に形成される。
【0029】
第2のセンスアンプ部20のNMOSトランジスタN4の形成領域(500)には、図面を基準にして、垂直に形成されたビットラインBL1にドレインコンタクトD14が形成され、ビットラインBL1と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成されたビットバーライン/BL1に第1のゲートコンタクトG14が形成され、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1との間に垂直に形成された接地ラインVssにソースコンタクトS14が形成される。ビットバーライン/BL1に連結された前記NMOSトランジスタN4のゲート130はピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の全体の上部に方形、または、リング状に形成される。
【0030】
第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN1の形成領域(200)には、図面を基準にして、垂直に形成されたビットラインBL0にゲートコンタクトG11が形成され、ビットラインBL0と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成されたビットバーライン/BL0に第1のドレインコンタクトD11を形成し、ビットラインBL0とビットバーライン/BL0との間に垂直に形成した接地ラインVssにソースコンタクトS11を形成している。ビットラインBL0に連結したNMOSトランジスタN1のゲート100はピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の全体の上部に方形状、または、リング状に形成される。
【0031】
第1のセンスアンプ部10のNMOSトランジスタN2の形成領域(300)には、図面を基準にして、垂直に形成したビットラインBL0にドレインコンタクトD12が形成され、ビットラインBL0と所定の間隔を置いて、図面を基準にして垂直に形成したビットバーライン/BL0にゲートコンタクトG12を形成し、ビットラインBL0とビットバーライン/BL0との間に垂直に形成した接地ラインVssにソースコンタクトS12を形成している。ビットラインBL0に連結されたNMOSトランジスタN2のゲート110はピッチDを有するビットラインBL0とビットバーライン/BL0、ビットラインBL1とビットバーライン/BL1の全体の上部に方形状、または、リング状に形成される。
【0032】
センスアンプ部10、20のNMOSトランジスタN1、N2、N3、N4を構成する各々のリング状のゲート100、110、120、130はドレインとゲートを共有するようにレイアウトされている。
【0033】
図5は、図4に示しているレイアウトのIII−IIIの断面図である。図5の断面図を見ると、シリコン基板151にp型活性領域152を形成し、この活性領域152内に3つのn+不純物領域153、154、155領域が形成される。活性領域152上で、第1の不純物領域153と第2の不純物領域154との間に第1のゲート156を形成し、第2の不純物領域154と第3の不純物領域155との間に第2のゲート159を形成している。
【0034】
そして、第1及び第2のゲート156、159が形成された全体構造物上に層間絶縁膜158を形成し、第2の不純物領域154の一部が露出するように、コンタクトホール(図示していない)を形成している。また、コンタクトホールの内部及び全体構造物上に形成された導電性物質が所定部分パターニングされて2つのビットライン対160、161、162、163(各各、図4のBL0,/BL0,BL1,/BL1に相当する)を形成している。
【0035】
なお、本発明の望ましい実施の形態等は、例示の目的のため、開示されたもので、当業者であれば、本発明の技術範囲内で多様の修正、変更、付加等が可能であり、このような修正、変更は、特許請求範囲に属することとみなさなければならない。前述の実施の形態が主として半導体メモリ素子におけるセンスアンプをレイアウトする方法に関するものであるが、同一の特徴を有するセンスアンプレイアウト方法により形成された半導体メモリ素子も本発明の範囲に含まれる。
【0036】
【発明の効果】
従来のセンスアンプのレイアウト方法では、1つのビットラインの上に1つのNMOS トランジスタを具現したが、上述したように、本発明によって複数のビットラインの長さ方向に2つずつまとめて交互に配置する形で、1つのNMOS トランジスタをレイアウトすると、センスアンプ構成用MOSのピッチがN倍になって、工程マージンがよくなる。また、従来はゲートの配線抵抗がセンスアンプの動作に影向を与えて、センスアンプの動作特性が良くなかったものが、本発明によると、配線面積が増加し、ゲート配線を使用する必要がなくなって、センスアンプの動作特性がよくなる効果がある。
また、本発明によると、従来のライン状のゲートの代わりにリング状、または、矩形状のゲートを使用して、センスアンプをレイアウトするために必要な面積を低減することができる。
また、本発明によると、ビットラインのピッチが小さくなってもセンスアンプをレイアウトすることができる。従って、半導体メモリ素子の集積度が大きくなっても、センスアンプを容易にレイアウトすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般の半導体メモリ素子のセンスアンプ構造を示す回路図である。
【図2】図1に示しているセンスアンプのNMOSトランジスタ部分の従来のレイアウトを示す図面である。
【図3】図2に示しているレイアウトのII−IIの断面図である。
【図4】図1に示しているセンスアンプのNMOSトランジスタ部分の本発明にかかるレイアウトを示す図面である。
【図5】図4に示しているレイアウトのIII−IIIの断面図である。
【符号の説明】
BL0、BL1 ビットライン
/BL0、/BL1 ビットバーライン
P1〜P4 PMOSトランジスタ
N1〜N4 NMOSトランジスタ
10 第1のセンスアンプ部
20 第2のセンスアンプ部
30 NMOSトランジスタ部
200 NMOSトランジスタN1の形成領域部
300 NMOSトランジスタN2の形成領域部
400 NMOSトランジスタN3の形成領域部
500 NMOSトランジスタN4の形成領域部
100、110、120、130 リング状のゲート
G11〜G14 ゲートコンタクト
D11〜D14 ドレインコンタクト
S11〜S11 ソースコンタクト
51、151 基板
52、152 p型活性領域
58、158 層間絶縁膜
53〜55、153〜155 n+不純物領域
56、57、156、157 ゲート
Claims (6)
- 半導体メモリ素子におけるセンスアンプをレイアウトする方法において、
第1のビットライン、第1のビットバーライン、第2のビットライン、及び第2のビットバーラインを互いに平行に、この順に並ぶように配置するステップと、
前記第1及び第2のビットラインは、前記第1及び第2のビットバーラインと、それぞれ第1及び第2のビットライン対をなし、
前記センスアンプを構成する第1ないし第4のMOSトランジスタを、各々、前記第1及び第2のビットライン対の設けられた領域の下方に、前記第1及び第2のビットライン対の長さ方向に沿って1個づつ4個配置するステップとを備え、
前記MOSトランジスタの各々のゲートはリング状、又は、矩形状を有する形状を有し、
かつ各々のゲート上には、層間絶縁膜を介して前記第1及び第2のビットライン対が配置され、
前記第1及び第2のMOSトランジスタがクロスカップリングされ、前記第3及び第4のMOSトランジスタがクロスカップリングされていることを特徴とする半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法。 - 前記第1のMOSトランジスタは、前記第1のビットラインに第1のゲートコンタクトを形成し、前記第1のビットバーラインに第1のドレインコンタクトを形成し、前記第1のビットラインと前記第1のビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第1のソースコンタクトを形成したことを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法。
- 前記第2のMOSトランジスタは、前記第1のビットラインに第2のドレインコンタクトを形成し、前記第1のビットバーラインに第2のゲートコンタクトを形成し、前記第1のビットラインと前記ビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第2のソースコンタクトを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法。
- 前記第3のMOSトランジスタは、前記第2のビットバーラインに第3のドレインコンタクトを形成し、前記第2のビットラインに第3のゲートコンタクトを形成し、前記第2のビットラインと前記第2のビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第3のソースコンタクトを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法。
- 前記第4のMOSトランジスタは、前記第2のビットラインに第4のドレインコンタクトを形成し、前記第2のビットバーラインに第4のゲートコンタクトを形成し、前記第2のビットラインと前記第2のビットバーラインとの間に形成した接地ラインVssに第4のソースコンタクトを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法。
- センスアンプを有する半導体メモリ素子において、
第1のビットライン及び第1のビットバーラインからなる第1のビットライン対、並びに、第2のビットライン及び第2のビットバーラインからなる第2のビットライン対と、
ここで、前記第1のビットライン、第1のビットバーライン、第2のビットライン、及び第2のビットバーラインは、互いに平行に、この順に並ぶように配置され、
前記第1及び第2のビットライン対の設けられた領域の下方に、前記第1及び第2のビットライン対の長さ方向に沿って1個づつ4個配置された第1ないし第4の、前記センスアンプを構成するセンスアンプ用MOSトランジスタとを備え、
ここで、前記センスアンプ用のMOSトランジスタの各々のゲートはリング状、又は、矩形状を有する形状を有し、
かつ各々のゲート上には、層間絶縁膜を介して前記第1及び第2のビットライン対が配置され、
前記第1及び第2のMOSトランジスタがクロスカップリングされ、前記第3及び第4のMOSトランジスタがクロスカップリングされていることを特徴とするセンスアンプを有する半導体メモリ素子。
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