JP2003506860A5

JP2003506860A5 -

Info

Publication number: JP2003506860A5
Application number: JP2001514057A
Authority: JP
Filing date: 1999-11-30
Publication date: 2007-01-11

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】ａ）少なくとも２層の層と前記層間に連続層を形成する光重合性接着剤組成物とを含む構造を提供する工程と、
１）前記層の少なくとも１層が不透明でありまたは着色されていて、４００ｎｍ〜１２００ｎｍの１つ以上の波長を有する特定のスペクトル領域において化学放射線に対して透過性があり、
２）前記光重合性組成物が光重合性部分と光開始剤とを含み、前記放射線透過層の前記特定のスペクトル領域において化学放射線を吸収し、前記光重合性部分がヒドロシリル化、カチオンまたは遊離基重合プロセスにおいて重合可能であり、
ｂ）前記特定のスペクトル領域内の化学放射線を前記放射線透過層を通して、前記光重合性組成物に２分間未満向けて前記光重合性組成物を硬化する工程とを含み、
得られる重合した組成物が前記層に接着し、ラミネート化構造体を与えることを特徴とする構造をラミネートする方法。
【請求項２】ａ）少なくとも１層が着色されており、不透明でありまたは反射性であり、４００ｎｍ〜１２００ｎｍの１つ以上の波長を有する特定のスペクトル領域において化学放射線に対して透過性があり、ただし、前記放射線透過層が着色されているかまたは不透明なときはセルロースおよびオレフィン官能性が実質的にない２層の層を識別する工程と、
ｂ）前記放射線透過層の前記特定のスペクトル領域において放射線を吸収する、光重合性部分と光開始剤を含む前記層の間に配置された光重合性組成物を識別する工程と、
ｃ）前記放射線透過層の前記特定のスペクトル領域および前記光開始剤の放射線吸収波長において化学放射線を与える放射線源を識別する工程とを含み、オンデマンドで、前記光重合性組成物を重合するのに２分間未満、前記放射線透過性層を通して前記化学放射線を向けてラミネート化構造体を生成することを特徴とする、ラミネート化構造を作成するのに用いられる２層、光重合性接着剤組成物および放射線源を識別する方法。
【請求項３】ａ）少なくとも２層の層と前記層間に光重合性接着剤組成物とを含む構造を提供する工程と、
１）前記層の少なくとも１層が（ａ）反射層および（ｂ）電子コンポーネントに組み込まれた層のいずれかまたは両方であり、前記層が４００ｎｍ〜１２００ｎｍの１つ以上の波長を有する特定のスペクトル領域において化学放射線に対して透過性があり、
２）前記光重合性組成物が光重合性部分と光開始剤とを含み、前記放射線透過層の前記特定のスペクトル領域において化学放射線を吸収し、前記光重合性部分がヒドロシリル化、カチオンまたは遊離基重合プロセスにおいて重合可能であり、
ｂ）前記特定のスペクトル領域内の化学放射線を前記放射線透過層を通して、前記光重合性組成物に２分間未満向けて前記光重合性組成物を硬化する工程とを含み、
得られる重合した組成物が前記層に接着し、ラミネート化構造体を与えることを特徴とする構造をラミネートする方法。
【請求項４】前記層がさらに１層以上の着色されたはんだマスクまたは着色されたコーティングの層を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】前記透過層がさらに金属化された領域を含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】前記透過性反射層が、金属化フィルム、多層光学フィルムおよび再帰反射フィルムからなる群より選択される、請求項３記載の方法。
【請求項７】ａ）１）接触端を有するリフローはんだバンプを含む表面を有する集積回路チップと、
２）ボンディング部位を有する印刷回路基板とを提供する工程であって、前記チップと前記回路基板のうち少なくとも１つが４００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長を有する特定のスペクトル領域において化学放射線に対して透過性である工程と、
ｂ）光重合性部分と光開始剤とを含み、前記放射線透過性チップまたは回路基板の前記特定のスペクトル領域において放射線を吸収する光重合性接着剤組成物をはんだバンプの付いた前記チップ表面および前記印刷回路基板の前記ボンディング部位の一方または両方に直接適用して、前記チップの前記はんだバンプの前記接触端を露出する工程と、
ｃ）前記チップの表面の前記バンプの露出した接触端を前記回路基板の前記ボンディング部位に対して位置合わせし、プレスする工程と、
ｄ）前記チップと前記回路基板の間に電気接触及び治金学的結合を確立するためにフリップチップアセンブリを前記はんだを溶融しリフローするのに十分な温度に加熱する工程と、
ｅ）前記光重合性接着剤組成物を硬化し、前記はんだ付けされたアンダーフィルのフリップチップアセンブリを前記回路基板上に作成するのに十分な時間、前記特定のスペクトル領域内の放射線を前記放射線透過性チップまたは回路基板を通して向ける工程とを含む、回路基板にはんだ付けされたアンダーフィルのフリップチップアセンブリを製造する方法。
【請求項８】照射工程ｅ）の前にはんだ付けされた電気接続の機能評価を実施する工程をさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】ｉ）前記機能評価により電気的接触が不十分であることが示された場合には前記回路基板からチップを取り外す工程と、
ｉｉ）前記チップと前記回路基板の前記ボンディング部位を清浄にし、工程ａ）〜ｅ）を繰り返す工程とをさらに実施する工程を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】ａ）４００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長の特定のスペクトル領域の化学放射線に対して透過性のある集積回路基板上にはんだ付けされたチップを、前記放射線透過性回路基板の前記特定のスペクトル領域の放射線を吸収する光重合性部分と光開始剤とを含む光重合性接着剤組成物で毛管アンダーフィルする工程と、
ｂ）前記はんだ付けされたチップを含む側とは逆側から前記回路基板に、前記特定のスペクトル領域の化学放射線を、前記光重合性組成物を硬化するのに十分な時間、照射し、はんだ付けされたアンダーフィルのフリップチップアセンブリを提供する工程、
とを含む回路基板上にはんだ付けされたアンダーフィルのフリップチップアセンブリを製造する方法。