JP3731227B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3731227B2 JP3731227B2 JP27301395A JP27301395A JP3731227B2 JP 3731227 B2 JP3731227 B2 JP 3731227B2 JP 27301395 A JP27301395 A JP 27301395A JP 27301395 A JP27301395 A JP 27301395A JP 3731227 B2 JP3731227 B2 JP 3731227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- chip
- adhesive
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り, 特に紫外線硬化型テープ (以下UVテープ) 上に接着された個々のチップを剥離する方法に関する。
【0002】
近年, 半導体装置の高集積化, 多機能化にともない, チップは大型化されている。そのため,チップの接着面積が大きくなってUVテープからの剥離が困難になり,対策が要求される。
【0003】
【従来の技術】
UVテープからのチップ剥離の従来例を図2を用いて説明する。
図2(A),(B) は従来例の説明図である。
【0004】
図2(A) はUVテープの裏面より紫外線を照射している状態, 図2(B) はチップ剥離時の状態で剥離されたチップにクラックが発生した状態を示す。
図において, 1はUVテープ, 1AはUVテープのベースとなるポリエチレンテープ, 1Bは紫外線硬化型接着剤, 2はUVテープを張り付けた枠, 3はUVテープ上に接着されたウェーハ (個々のチップ3Cにフルカットされている), 4はチップをピックアップするコレット, 5はチップを突き上げるピン, 6はピンマウント, 7はピンマウントのホルダ, 8はUVランプ, 9はランプハウスである。
【0005】
従来は,剥離強度が 7〜8 g/25mm幅のUVテープが使用されている。このテープを使用して20mm□程度の大チップを剥離する場合は, UVテープとの接着面積が大きくなり, チップをピックアップするときに, 突き上げピンが折れたり, チップを傷つける可能性が大きい。このときの接着力 (ホルダを押し上げる力) は2200
gの値を示す。
【0006】
そのために, 最近では大チップ用として剥離強度が5 g/25mm幅以下のUVテープが使用されるようになったが, このテープを用いても, 従来の単に紫外線のみをUVテープに照射する方法では, UVテープの接着剤の硬化が不十分であり, そのため接着力が残存して, 剥離に大きな力を必要とした。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は, 大チップをUVテープから剥離する際に,UVテープの接着力を低減して,チップにクラックの発生及び突き上げピンの破損を防止することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決は,
1)表面に紫外線と熱線照射により体積が収縮する紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を90℃以上に保つ半導体装置の製造方法,あるいは
2)前記テープの基材がポリオレフィン系樹脂からなり,その表面温度を90〜
140 ℃に保つ前記1記載の半導体装置の製造方法により達成される
【0009】
本発明では, 個々のチップに分割されたウェーハを接着したUVテープの裏面より紫外線と熱線とを照射することにより,紫外線による接着剤の架橋 (硬化) 反応が熱線により促進されて接着剤は収縮する。このためチップとUVテープとの接着力は低減する。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1(A),(B) は本発明の実施の形態の説明図である。
図1(A) はUVテープの裏面より紫外線と熱線(赤外線)を照射している状態, 図2(B) はチップ剥離間前状態を示す。
【0011】
図において, 1はUVテープ, 1AはUVテープのベースとなるポリエチレンテープ, 1Bは紫外線硬化型接着剤, 2はUVテープを張り付けた枠, 3はUVテープ上に接着されたウェーハ (個々のチップにフルカットされている), 4はチップをピックアップするコレット, 5はチップを突き上げるピン, 6はピンマウント, 7はピンマウントのホルダ, 8はUVランプ, 9は集光型ランプハウスでアルミニウム等からなる反射板), 10 は熱線のソースで赤外線ランプ (例えば, ハロゲンランプ) である。
【0012】
図示のように, UVランプとハロゲンランプを同時にUVテープの裏面に照射し,UVテープの表面温度が90〜140 ℃の間の温度になるようにハロゲンランプから出る熱線の強度を調節する。
【0013】
これにより, 紫外線硬化型接着剤の架橋反応が促進され,接着剤の体積が収縮する。この結果, 接着剤の接着力は低下し,20mm□のチップで接着力は従来例では2200 gであったが, 1600 gまで低下した。
【0014】
この実施の形態では, 集光型ランプハウスを用いたが, 拡散型のランプハウスを用いても本発明の効果は変わらないことは勿論である。
UVテープの表面温度が90℃以下, あるいは 140℃以上になった場合は剥離装置を収納するチャンバ内の窒素の流量を制御するか, あるいはハロゲンランプの出力を調整するように帰還をかけることにより,チップ剥離の安定性を維持することができる。
【0015】
次に, UVテープの表面温度が90〜140 ℃とする数値限定の根拠を説明する。
UVテープを 140℃以上に保持すると, 接着材は溶けないが, UVテープの基材であるポリオレフィン系樹脂等からなる溶ける危険がある。
【0016】
また,UVテープを90℃以下に保持すると, 接着材の体積の収縮が起こらないため,チップと接着剤との接触面積はかわらない。従って, 接着力が落ちないためチップは剥離しない。前記のように20mm□のチップでの実験結果によると接着力は70℃では2200 gであるが,90℃で1600 gまで低下し,それ以上に温度を上げても接着力は殆どこの値を保って変わらない。
【0017】
【発明の効果】
本発明によれば, 大チップでもUVテープの接着剤の収縮量を調節することにより, チップ剥離時の接着強度が低減でき,チップのピックアップ時の不良 (チップにクラックの発生, チップ突き上げピンの破損) を低減し,また,チップ突き上げピンの磨耗も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態の説明図
【図2】 従来例の説明図
【符号の説明】
1 紫外線硬化型(UV)テープ
1A UVテープのベースとなるポリエチレンテープ
1B 紫外線硬化型接着剤
2 UVテープを張り付けた枠
3 UVテープ上に接着されたウェーハ
4 チップをピックアップするコレット
5 チップを突き上げるピン
6 ピンマウント
7 ピンマウントのホルダ
8 紫外線(UV)ランプ
9 集光型ランプハウス
10 熱線のソースでハロゲンランプ
Claims (2)
- 表面に紫外線と熱線照射により体積が収縮する紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を 90 ℃以上に保つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記テープの基材がポリオレフィン系樹脂からなり,その表面温度を90〜140 ℃に保つことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27301395A JP3731227B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27301395A JP3731227B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09115986A JPH09115986A (ja) | 1997-05-02 |
JP3731227B2 true JP3731227B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=17521947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27301395A Expired - Lifetime JP3731227B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3731227B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395124B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-05-28 | 3M Innovative Properties Company | Method of producing a laminated structure |
JP2009295741A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Yamaha Motor Co Ltd | 部品移載方法及び部品移載装置 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP27301395A patent/JP3731227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09115986A (ja) | 1997-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6673654B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device using heated conveyance member | |
US7262114B2 (en) | Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material | |
JP2005277383A (ja) | 収縮性離型フィルム層を有するダイシングフィルムおよびこれを用いた半導体パッケージ製造方法 | |
JPH1027836A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP3731227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI744253B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
JP2011108978A (ja) | 光照射装置 | |
JP2566606B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2020202261A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020174117A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020115502A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2680104B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7382173B2 (ja) | 環状フレーム | |
JPH0978040A (ja) | ウエハ固定用粘着テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2020115505A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020115506A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020064987A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020092202A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020077704A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020115508A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020077703A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020092201A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020064986A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2004281660A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
JP2020092204A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050322 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050506 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051003 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081021 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081021 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121021 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121021 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131021 Year of fee payment: 8 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |