KR101097065B1 - 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법 - Google Patents
디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 비스페놀 F형 에폭시 수지 18 내지 56 중량%; 아크릴계 UV 경화수지 35 내지 65 중량%; 아민계 경화제 3 내지 20 중량%; 및 프탈산계 가소제 1.5 내지 18 중량%를 포함하는 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반경화 상태(B-stage)로 경화될 수 있는 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법에 관한 것이다.
최근 교통카드, 출입카드, 현금카드, 신용카드 등의 플라스틱 카드뿐만 아니라, 메모리, IC 칩, 스마트칩, 연성인쇄회로기판, RFID, 배터리, 디스플레이 등의 각종 전자 부품들이 내장된 전자카드 등이 널리 사용되고 있다.
이중 LCD, OLED 등의 디스플레이를 포함하여 금용거래의 잔액, 교통카드 사용량 등의 정보를 표시할 수 있는 디스플레이 카드도 개발되어 상용화되고 있다. 이러한 디스플레이 카드의 예로 일회용 비밀번호(One Time Password: OTP) 발생 카드를 들 수 있다.
일회용 비밀번호 발생 카드는 은행의 인터넷 뱅킹 등 전자금융 거래시 고정된 비밀번호 대신 매 1분 마다 다른 비밀번호를 디스플레이부를 통해 표시하는 디스플레이 카드이다. 이러한 일회용 비밀번호 발생카드는 종래의 토큰형 일회용 비밀번호 발생기가 갖는 휴대성의 보완하기 위해 신용카드 크기를 갖거나 신용카드 기능을 겸비하고 있다.
종래의 디스플레이 카드의 제조방법은 대부분 액상형태의 UV 수지를 사용하고 있다. 일예로 대한민국 등록특허 제10-0798685호는 합성수지시트를 프레스로 펀칭하여 가공한 테두리 내에 액정 표시부, IC 칩 등을 부착하고, 테두리 내에 액상의 UV 수지를 주입한 뒤 자외선을 통해 경화시켜 디스플레이 카드를 제조하는 방법을 개시하고 있다.
그러나, 이와 같은 방법은 액상의 UV 수지를 사용하기 때문에, 카드 표면이 오염되어 공정상의 불량률이 높을 뿐만 아니라 작업성이 저하되어 작업 시간이 많이 소요되는 문제점이 있다. 또한 제조된 카드의 두께가 1.0 mm를 초과하여 대량 보급화를 위해 요구되는 신용카드 및 현금카드 기준 두께 0.68 ~0.84 mm(ISO 기준)을 충족하지 못하므로 대량 보급이 어려운 단점이 있다.
뿐만 아니라 사용되는 UV 수지가 내약품성이 취약하여 카드 속에 있는 전자회로, CPU 등 반도체 부품이 외부로 노출되어 보안상에 큰 문제가 발생할 수 있는 문제점을 내포하고 있다.
또한, 다른 방법으로 플라스틱 기판 상에 사이드 댐(테두리)을 형성한 후 그 내부에 IC 칩, 디스플레이 등의 전자 부품 등을 장착하고, 나머지 공간을 열경화성 수지를 주입한 후 이들의 상부에 IC 칩과 디스플레이가 장착될 공간이 형성된 플라스틱 기판을 열압착하여 카드를 제조할 수 있다.
그러나, 이때 열 압착을 위해 상부에서 일정한 압력이 가해지면 경화되기 이전의 액체상태의 수지가 눌려져 단차가 생기게 되고, 이러한 과정에서 각종 전자 부품이 열과 압력에 의해 손상될 수 있어 공정 수율을 상당히 저하하는 문제점이 있다. 또한, on/off 버튼 사이에 액상 상태의 수지가 침투하여 버튼의 작동을 방해하는 문제점도 내포하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반 경화(B-stage) 상태로 경화되어 점착성을 나타내어 별도의 접착제 없이도 내장되는 전자 부품의 삽입 및 표면지와의 합지를 가능케 한 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은 상기 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물을 이용하여 카드 표면의 오염을 방지하고, 작업성을 향상시키며, 경화 공정에서 발생할 수 있는 내장되는 전자 부품의 손상을 최소화할 수 있도록 한 디스플레이 카드 제조방법을 제공하는 것이다.
이를 위해 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물은
비스페놀 F형 에폭시 수지 18 내지 56 중량%;
아크릴계 UV 경화수지 35 내지 65 중량%
아민계 경화제 3 내지 20 중량%; 및
프탈산계 가소제 1.5 내지 18 중량%;
를 포함한다.
또한 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법은
S1) 두 장의 이형필름 사이에 제1항의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물을 도포한 후 필름 성형하여 한 쌍의 수지 시트를 각각 준비하는 단계;
S2) 상기 준비된 한 쌍의 수지 시트를 반경화 상태(B-stage)로 각각 경화하는 단계;
S3) 상기 반경화된 한 쌍의 수지 시트 일면의 이형필름을 각각 제거한 후 표면지와 합지하여 한 쌍의 반경화 시트를 준비하는 단계;
S4) 하나의 반경화 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 전자 부품을 배치하여 하부 기판을 준비하는 단계;
S5) 나머지 하나의 반경화 시트에 투시공을 형성하고, 일면의 이형필름을 제거하여 상부 기판을 준비하는 단계;
S6) 상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 서로 결합하는 단계; 및
S7) 상기 결합된 기판을 열압착하여 경화하는 단계
를 포함한다.
본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물은 내약품성 및 내열성이 우수하여 내장된 전자 부품에 수록된 정보의 유출을 방지할 수 있다. 또한 반경화 상태(B-stage)로 경화되어 점착성을 나타내므로 카드 제조 작업성을 향상시키고, 전자 부품에 가해지는 압력 및 가열온도를 최소화하여 전자부 품의 손상을 방지하여 불량률을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법의 순서도이다.
도 2 내지 도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법의 순서를 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법의 순서를 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도면에 도시된 바에 한정되지 않으며, 여러 부분 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
본 발명의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물은 자외선 조사에 의해 반 경화(B-Stage) 상태를 나타내며, 이후 가열에 의해 완전 경화된 C-stage 상태로 변환된다.
특히, 반경화 상태(B-stage)에서 점착성을 나타내므로 추가적인 접착제 없이 전자 제품의 삽입 및 표면지와의 합지를 가능하게 한다. 뿐만 아니라 내열성 및 내약품성이 우수하여 내장된 전자 부품에 수록된 정보의 보안성을 확보할 수 있으며, 경화시 전자 부품에 가해지는 압력 및 가열온도를 최소화하여 불량률을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
이러한 본 발명의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물은,
비스페놀 F형 에폭시 수지 18 내지 56 중량%;
아크릴계 UV 경화수지 35 내지 65 중량%
아민계 경화제 3 내지 20 중량%; 및
프탈산계 가소제 1.5 내지 18 중량%;
를 포함한다.
이하 각 조성을 더욱 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 수지 조성물은 비스페놀 F형 에폭시 수지를 포함한다.
비스페놀 F형 에폭시 수지는 저점도 및 고반응성 수지로, 후술할 아크릴계 UV 경화 수지와의 상용성이 우수하다. 또한 저온 경화성, 내약품성, 내식성 및 가소성이 우수한 장점이 있다. 특히, 본 발명에서는 비스페놀 F형 에폭시 수지로 에폭시 당량이 50 내지 500 g/eq인 것을 사용한다.
이때 비스페놀 F형 에폭시 수지의 함량은 수지 조성물 중 18 내지 56 중량%가 바람직하다. 만약 에폭시 수지의 함량이 상기 범위 미만이면 반경화 상태(B-stage)로 경화하기 어려워 성형성 확보할 수 없고, 이와 반대로 상기 범위를 초과하면 경화 반응이 지연되고, 열압착 시 단차가 발생하는 문제점이 있다.
상기 아크릴계 UV 경화수지는 자외선에 의해 경화될 수 있는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 구조이면 어떠한 것이든 가능하다. 구체적으로는 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산, 2-히드록시에틸(메타)크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 스타이렌 모노머, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 아세트산 비닐, 아크릴로니트릴 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타디에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
이러한 UV 경화수지의 함량은 35 내지 65 중량%가 사용되는 것이 바람직한데, 만약 그 함량이 상기 하한치를 미달하는 경우 UV 조사에 의해 반경화 상태의 구현이 어렵고, 상기 상한치를 초과하는 경우 점착성이 과도하게 증가되어 작업성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명에서 수지 조성물은 열경화성 수지와 UV 경화성 수지를 모두 포함하는데, 이들 중 어느 한쪽이 필요 이상으로 많을 경우 UV 조사에 의해 반경화 상태(B-stage) 구현이 어려울 뿐만 아니라 완전 경화(C-stage) 후 요구되는 특성을 만족시키지 못할 수 있으므로 적절한 비율의 혼합이 중요하다.
본 발명의 아민계 경화제는 에폭시 수지를 경화시키기 위해 사용되며, 에폭시 수지와 반응하여 에폭시 수지가 열경화된다.
상기 아민계 경화제는 지방족 아민계 경화제, 지환족 아민계 경화제, 방향족 아민계 경화제 등이 가능하며, 본 발명에서 특별히 한정하지 않는다. 대표적으로, 4,4'-디아미노 디페닐 술폰(이하 DDS), 4,4'-디아미노 디페닐 메탄, 디시안 디아미드(DICY), 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌아민, 디메틸아미노에탄올, 테트라에틸렌 펜타아민, 디에틸아미노프로필아민, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 이소포론 디아민, 메타자일렌 디아민, N-아미노에틸 피페라진 등이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용하는 것이 가능하다.
이때 아민계 경화제의 함량은 전체 수지 조성물 중 3 내지 20 중량% 범위가 바람직하하다. 만약 경화제의 함량이 상기 범위 미만이면 충분한 경화가 이루어 지지 않으며, 이와 반대로 상기 범위를 초과하는 경우 속경화가 일어나고, 열 경화 수 요구되는 특성들을 확보할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명에서 수지 조성물의 가공성을 개선하는 동시에 유연성을 부여하기 위해 가소제를 사용한다. 가소제로는 통상적으로 사용되는 것이라면 제한되지 않고 사용할 수 있으며 바람직하게 프탈산계 가소제를 사용한다. 대표적으로, 디메틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 디옥틸 프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디헵틸 프탈레이트, 디노닐 프탈레이트, 디이소데실 프탈레이트, 디운데실 프탈레이트, 디트리데실 프탈레이트, 부틸벤질 프탈레이트, 에틸헥실 프탈레이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디헥실 프탈레이트, 디펜틸 프탈레이트, 디프로필 프탈레이트, 디사이클로헥실 프탈레이트, 디이소노닐 프탈레이트, 또는 부틸라우릴 프탈레이트를 예시할 수 있다.
이러한 가소제는 수지 조성물 중 1.5 내지 18 중량%가 사용되는 것이 바람직한데, 만약 가소제의 함량이 상기 범위 미만이면, 최종 제조되는 카드가 너무 경질화되고, 이와 반대로 상기 범위를 초과하면, UV에 의해 반경화 상태로 구현되기 이전에 흘러내리는 문제가 있다.
이외에도, 필요에 따라 안료를 본 발명의 수지 조성물의 특성을 저하시키지 않는 범위에서 적절한 양으로 첨가하여 사용할 수 있다.
안료는 다양한 색상을 부여하고, 조성물의 흐름성 조절을 위해 사용되는 것으로, 이 분야에서 공지된 모든 안료 종류가 사용가능하다. 이때 상기 안료의 사용량은 수지 조성물 중 0.1 내지 3 중량%가 바람직한데, 상기 하한치 미만인 경우 색상 발현 및 흐름성이 불량하여 작업성에 문제가 있고, 상기 상한치를 초과하는 경우 점도가 높아져 또한 작업성이 저하된다.
또한 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라 접착증진제, 분산제, 요변제, 소포제, 광중합 개시제 등과 같은 통상의 첨가제들을 더 포함시킬 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은 혼합 교반기를 사용하여 각 성분들을 규정 배합량으로 투입하여 각각을 충분히 분산시킨 후, 진공탈포 공정을 통하여 제조할 수 있다.
전술한 바의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물은 디스플레이 카드 제조에 사용된다.
도 1은 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법의 순서도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 카드 제조방법은
S1) 두 장의 이형필름 사이에 제1항의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물을 도포한 후 필름 성형하여 한 쌍의 수지 시트를 각각 준비하는 단계;
S2) 상기 준비된 한 쌍의 수지 시트를 반경화 상태(B-stage)로 각각 경화하는 단계;
S3) 상기 반경화된 한 쌍의 수지 시트 일면의 이형필름을 각각 제거한 후 표면지와 합지하여 한 쌍의 반경화 시트를 준비하는 단계;
S4) 하나의 반경화 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 전자 부품을 배치하여 하부 기판을 준비하는 단계;
S5) 나머지 하나의 반경화 시트에 투시공을 형성하고, 일면의 이형필름을 제거하여 상부 기판을 준비하는 단계;
S6) 상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 서로 결합하는 단계; 및
S7) 상기 결합된 기판을 열압착하여 경화하는 단계
를 포함한다.
이하 각 단계별로 더욱 상세히 설명한다.
도 2 내지 도9는 본 발명에 따른 디스플레이 카드 제조방법의 순서를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 먼저 단계 S1)에서는 두 장의 이형필름(120) 사이에 제1항의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물(110)을 도포한 후 롤러를 통과시켜 필름 성형함으로써 수지 시트(100)를 준비한다.
도 3은 이와 같이 준비된 수지 시트(100)의 단면도이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 수시 시트(100)는 필름상의 수지 조성물(110)이 상부 및 하부의 이형필름(120) 사이에 개재되어 있다. 이때 수지 조성물(110)의 두께는 400 내지 500 um, 이형필름(120)의 두께는 50 내지 100 um인 것이 바람직하다.
이어서, 도 4를 참조하면 단계 S2)에서는 준비된 수지 시트 전면에 UV 램프(200)를 이용하여 UV를 조사하여 수지 조성물(110)을 반경화 상태(B-stage)로 경화한다. 이러한 반경화 상태(B-stage)는 완전히 경화되는 C-stage 이전의 상태로, 표면지 합지 및 전자 부품 마운팅 작업을 용이하게 할 정도의 점착성을 나타낸다. 이때 UV 램프(200)는 재료의 특성에 적합한 다양한 광원, 예컨대 아크(Arc), 융합(Fusion) 등을 선택하여 사용할 수 있다. 또한 UV의 조사강도 및 조사량은 사용되는 아크릴계 UV 경화수지를 고려하여 적절히 조절될 수 있다.
바람직하기로 2500~3000 mmJ의 광량, 250~275 V의 전압, 9.0~10.0 A의 전류를 갖는 자외선 램프를 이용하여, 20 내지 30초 동안 조사하여 수행한다.
다음으로, 도 5를 참조하면 상기 반경화된 수지 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 표면지(130)와 합지하여 반경화 시트(300)를 준비한다. 이때 밀링 머신 또는 가압 지그를 이용하여, 50 내지 100 um 두께를 갖는 PET(Poly Ethylene Therephthalate) 또는 PVC(Poly Vinyl Chloride) 시트로 이루어진 표면지(130)와 합지한다. 바람직하게는 발생하는 기포를 제거하기 위해 표면지(130)의 가장자리부터 내측으로 밀착되도록 한다.
이어서, 도 6을 참조하면 상기 반경화 시트(300) 일면의 이형필름을 제거한 후 전자 부품을 배치하여 하부 기판(400)을 준비한다.
여기서 삽입하는 전자 부품은 제조하고자 하는 카드 종류에 따라 달라질 수 있고, 이러한 내용은 이미 이 분야에서 널리 알려진 공지의 기술이므로 자세한 설명은 생략한다.
일예로, 일회용 비밀번호 발생기와 IC 카드 기능이 병합된 신용카드의 경우, 디스플레이(111), on/off 버튼(112), IC칩(113), CPU(114), 박막 배터리(115) 등을 전기적으로 결선되도록 배열할 수 있다.
이때 수지 조성물 필름층(110)은 반경화 상태로 점착성을 나타내므로, 별도의 접착제 없이 상기한 전자 부품의 접착이 용이하며, 외부로 수지 조성물이 유출되어 표면지(130)을 오염시키지 않으므로 작업성이 월등히 향상된다.
다음으로, 도 7을 참조하면, 반경화 시트(300)을 천공하여 투시공(310)을 형성하고, 일면의 이형필름을 제거하여 상부 기판(500)을 준비한다. 즉, 디스플레이(111) 또는 IC칩(113)이 위치할 부위를 천공하여 투시공을 형성한다.
이이서, 도 8을 참조하면, 상기에서 준비된 하부 기판(400)과 상부 기판(500)을 서로 결합한다. 이로써, 수지 조성물 필름층(110) 상에 배치된 전자 부품이 상,하부 기판 내로 내장된다.
이때 하부 기판(400)에 배치된 IC칩(113)과 상부 기판(500)에 천공된 투시공(310)이 일치하도록 하부 기판(400)과 상부 기판(500)을 위치시킨 후 밀링 머신을 이용하여 서로 결합한다. 이때 IC칩 상단면의 오염을 방지하기 위해 IC칩 상단에 보호테이프를 부착한 상태로 서로 결합하는 것이 바람직하다. 또한 결합된 상, 하부 기판의 두께가 850 내지 900 um가 되도록 밀링 간격을 조절하는 것이 바람직하다.
마지막으로 도 9를 참조하면 상기 결합된 기판을 열압착하여 경화한다.
상기 결합된 기판을 히터(미도시)가 각각 설치된 상부 금형(610)과 하부 금형(620) 사이에 위치시킨 후 열압착한다. 열압착시 디스플레이 카드의 두께 조 및 금형의 오염을 방지하기 위해 50 내지 100 um 두께를 갖는 이형필름을 상부 금형 및 하부 금형 표면에 부착한다. 이러한 열압착에 의해 본 발명의 수지 조성물은 완전 경화된 씨-스테이지(C-stage) 상태로 변형되어 디스플레이 카드가 완성된다.
이때 열압착은 60 내지 110 ℃의 온도에서 15 내지 30 kg/cm2의 압력으로 120분 내지 240분 동안 수행되는 것이 바람직하다. 이와 같이 본 발명은 반경화 상태된 수지 조성물을 2차적으로 낮은 온도 및 압력에서 완전 경화 공정을 수행하므로 카드 내부에 존재하는 부품 등에 가하는 손상을 최소화할 수 있다.
실시예
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 실험예를 기재한다. 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 보다 명확히 표현하기 위한 목적으로 기재될 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2
하기 표 1에 나타낸 조성(단위 : 중량%)로 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2의 수지 조성물을 제조하였다.
원료명(중량%) | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 비교예1 | 비교예2 |
비스페놀 F형 에폭시수지 (국도화학, YDF-175S) |
50 | 45 | 40 | 70 | 20 |
메틸(메타)아크릴레이트 | 35 | 40 | 50 | 20 | 70 |
트리에틸렌 테트라민 | 10 | 10 | 4.9 | 5 | 5 |
디메틸 프탈레이트 | 5 | 4.9 | 5 | 4.9 | 4.9 |
백색안료 | - | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
이와 같이 제조된 수지 조성물을 50 um 두께의 이형필름 사이에 도포한 후 롤러를 통해 필름성형하여 수지 시트를 준비하였다. 준비된 수지시트를 자외선 램프를 이용하여 2500 mmJ의 광량, 250 V의 전압, 10 A의 전류조건이고 조사 시간은 30초로 하여 반경화 상태(B-stage)로 경화하였다.
이어서, 반경화된 수지 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 100 um 두께를 갖는 PVC 재질의 표면지와 합지하여 반경화 시트를 준비하였다.
다음으로, 반경화 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 전자 부품을 배치하여 하부 기판을 준비하고, 또 다른 반경화 시트 일면의 표면지에 IC칩을 위한 투시공을 천공하고, 일면의 이형필름을 제거하여 상부 기판을 준비하였다.
준비된 하부 기판과 상기 상부 기판을 밀링 머신을 이용하여 900 um 두께가되도록 서로 결합하였다. 이후 결합된 기판을 80 ℃의 온도에서 15 kg/cm2의 압력으로 3시간 동안 열압착하여 완전 경화시켜 820 um 두께를 갖는 디스플레이 카드를 얻었다.
실험예 1: 내약품성 및 내열성 확인
내열성
상기에서 디스플레이 카드를 각 100개 제작하여 이들을 초가속 수명 테스트(PCT: 121℃, 2.1 기압) 처리 3시간을 수행한 후에 꺼내고, 아세톤 중에 30초 동안 침지하고, 카드가 부풀어 박리되는지 여부를 관찰했다. 분자에는 부풀어 박리되는 발생수를 기재하고 분모에는 시험수를 기재했다.
(2) 내약품성
제조된 카드를 톨루엔에 담근 후 초음파 충격기로 3시간 동안 처리하여 카드가 분해되어 박리되는지 여부를 관찰하였다.
구분 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 비교예1 | 비교예2 |
내약품성 | 1/100 | 1/100 | 1/100 | 52/100 | 65/100 |
내열성 | 2/100 | 1/100 | 2/100 | 63/100 | 71/100 |
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 수지 조성물로 제조된 디스플레이 카드는 내약품성 및 내열성이 모두 우수하다. 이에 따라 카드 내에 내장된 전자 부품이 외부로 노출되어 정보가 노출되는 보안상의 문제를 방지할 수 있다.
100: 수지 시트 110: 수지 조성물
111: 디스플레이 112: on/off 버튼
113: IC칩 114: CPU
115: 박막 배터리 120: 이형필름
130: 표면지 200: UV램프
300: 반경화 시트 400: 하부 기판
500: 상부 기판 610: 상부 금형 620: 하부 금형
111: 디스플레이 112: on/off 버튼
113: IC칩 114: CPU
115: 박막 배터리 120: 이형필름
130: 표면지 200: UV램프
300: 반경화 시트 400: 하부 기판
500: 상부 기판 610: 상부 금형 620: 하부 금형
Claims (9)
- 비스페놀 F형 에폭시 수지 18 내지 56 중량%;
아크릴계 UV 경화수지 35 내지 65 중량%;
아민계 경화제 3 내지 20 중량%; 및
프탈산계 가소제 1.5 내지 18 중량%;
를 포함하는 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 수지 조성물은
안료 0.01 내지 3 중량%를 더욱 포함하는 것인 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 비스페놀 F형 에폭시 수지는
평균 에폭시 당량이 50 내지 500 g/eq인 것인 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 아크릴계 UV 경화수지는
부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산, 2-히드록시에틸(메타)크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 스타이렌 모노머, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 아세트산 비닐, 아크릴로니트릴 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타디에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 아민계 경화제는
4,4'-디아미노 디페닐 술폰(이하 DDS), 4,4'-디아미노 디페닐 메탄, 디시안 디아미드(DICY), 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌아민, 디메틸아미노에탄올, 테트라에틸렌 펜타아민, 디에틸아미노프로필아민, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 이소포론 디아민, 메타자일렌 디아민, N-아미노에틸 피페라진 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 프탈산계 가소제는
디메틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 디옥틸 프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디헵틸 프탈레이트, 디노닐 프탈레이트, 디이소데실 프탈레이트, 디운데실 프탈레이트, 디트리데실 프탈레이트, 부틸벤질 프탈레이트, 에틸헥실 프탈레이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디헥실 프탈레이트, 디펜틸 프탈레이트, 디프로필 프탈레이트, 디사이클로헥실 프탈레이트, 디이소노닐 프탈레이트, 부틸라우릴 프탈레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물. - S1) 두 장의 이형필름 사이에 제1항의 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물을 도포한 후 필름 성형하여 한 쌍의 수지 시트를 각각 준비하는 단계;
S2) 상기 준비된 한 쌍의 수지 시트를 반경화 상태(B-stage)로 각각 경화하는 단계;
S3) 상기 반경화된 한 쌍의 수지 시트 일면의 이형필름을 각각 제거한 후 표면지와 합지하여 한 쌍의 반경화 시트를 준비하는 단계;
S4) 하나의 반경화 시트 일면의 이형필름을 제거한 후 전자 부품을 배치하여 하부 기판을 준비하는 단계;
S5) 나머지 하나의 반경화 시트에 투시공을 형성하고, 일면의 이형필름을 제거하여 상부 기판을 준비하는 단계;
S6) 상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 서로 결합하는 단계; 및
S7) 상기 결합된 기판을 열압착하여 경화하는 단계
를 포함하는 디스플레이 카드 제조방법. - 제7항에 있어서, 상기 단계 S2)는
2500~3000 mmJ의 광량, 250~275 V의 전압, 9.0~10.0 A의 전류를 갖는 자외선 램프를 이용하여, 20 내지 30초 동안 조사하여 수행하는 것인 제조방법. - 제7항에 있어서, 상기 단계 S7)의 열압착은
60 내지 110 ℃의 온도에서 15 내지 30 kg/cm2의 압력으로 120분 내지 240분 동안 수행하는 것인 방법.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100045462A KR101097065B1 (ko) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법 |
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KR1020100045462A KR101097065B1 (ko) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 디스플레이 카드 제조용 수지 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 카드 제조방법 |
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KR20110125851A KR20110125851A (ko) | 2011-11-22 |
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Cited By (1)
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KR20180094224A (ko) | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 김성철 | 카드형 인쇄회로 기판의 봉지 방법 |
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KR101575440B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2015-12-07 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 수지층 형성용 조성물 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이 기판 |
KR102138682B1 (ko) * | 2019-06-12 | 2020-07-28 | (주)비티비엘 | 양품율을 향상시킨 스마트카드의 제조방법 및 그 스마트카드 |
KR102138684B1 (ko) * | 2019-07-03 | 2020-07-28 | (주)비티비엘 | 향상된 평탄도를 갖는 스마트카드의 제조방법 및 그 스마트카드 |
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JP2001209775A (ja) | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Lintec Corp | 保護層を有するicチップの製造方法 |
KR100672791B1 (ko) | 1999-07-30 | 2007-01-23 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 적층 구조물의 제조 방법 |
JP2010026982A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sony Corp | Icカード |
-
2010
- 2010-05-14 KR KR1020100045462A patent/KR101097065B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100672791B1 (ko) | 1999-07-30 | 2007-01-23 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 적층 구조물의 제조 방법 |
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