KR20120032189A - 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법 - Google Patents

자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열경화형 수지 15 내지 50 중량%, 자외선 경화형 수지 5 내지 50 중량%, 열가소성 수지 30 내지 60 중량%, 도전성 입자 1 내지 10 중량% 및 첨가제 1 내지 10 중량%를 포함함으로써 120 ℃이하에서도 실장이 가능하여 소자의 휨현상(warpage)을 방지하며 접속저항, 절연저항, 접착력 및 열충격 등의 신뢰성이 우수하다.

Description

자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법{ULTRAVIOLET-THERMAL DUAL CURABLE TYPE ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND MOUNTING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법에 관한 것이다.
이방 도전성 접착필름은 디스플레이 소자, 반도체 소자 등의 대향하는 회로의 전기적 접속체 접속에 사용되는 것으로서, 막의 두께 방향으로는 도전성, 면방향으로는 절연성이라는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 필름 형태의 접착제이다.
일반적으로 공지된 이방 도전성 접착필름은 금(Au), 니켈(Ni) 및 금도금 니켈(Au/Ni) 등의 금속입자 또는 이와 같은 금속들로 코팅되어 있는 고분자 입자들로 구성되는 전도성 입자들과 열경화성, 열가소성의 절연수지로 구성된다.
도 1에 도시된 바와 같이 통상의 실장 방법은 이방 도전성 접착필름(10)을 접속하고자 하는 전극(21, 31) 사이에 위치시킨 후 열압착 헤드(40)로 적당한 조건의 열압착 공정을 거침으로써 대향하는 전극(21, 31) 사이에 도전성 입자가 기계적으로 접촉되어 형성된 전기적 연결에 의해 통전이 이루어지고, 임의의 전극(21)과 인접하는 전극(21) 사이에는 도전성 입자의 접촉이 불가능한 상태에서 절연성 접착수지에 의하여 절연성이 확보된다.
따라서 이방 도전성 접착필름은 각종 반도체 및 디스플레이 장치의 전기적 접속에 사용되는 칩 온 글래스 실장(Chip On Glass, COG), 칩 온 필름 실장(Chip On Film, COF), 필름 온 글래스 실장(Film On Glass, FOG), 필름 온 보드 실장(Film On Board, FOB) 및 필름 온 필름 실장(Film On Film, FOF) 등의 접합 공정에 널리 사용된다.
특히, 구동회로 IC를 전기적으로 접속시키는 칩 온 글래스 실장(Chip On Glass, COG)의 경우는 이방 도전성 접착필름을 이용하여 실장할 때 150℃ 이상의 고온에서 진행해야 실장이 가능하므로 구동회로 IC의 주성분인 실리콘과 유리기판의 열팽창계수 차이에 의해 휨현상(warpage)이 발생되고, 이러한 휨현상은 실장 온도에 비례하여 커지게 되므로 모듈의 신뢰성을 저하시킨다. 휨현상과 같은 문제점은 칩 온 글래스 실장에만 국한된 문제가 아니라 칩 온 필름 실장 등 여러 접합 공정에서 발생된다.
종래 위와 같은 휨현상을 극복하기 위한 방법으로는 한국등록특허 제0651323호에 개시된 바와 같이 기판 상에 별도의 휨저항 물질층을 부가하거나, 구동회로 IC의 위에 구비된 헤드와 기판 아래에 구비된 스테이지를 가열함으로써 구동회로 IC와 기판의 온도 차이를 줄여 휨현상을 감소시켰으나 150℃ 이상의 실장온도에 노출되므로 일정 부분의 휨현상은 존재하며, 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 120℃ 이하의 저온에서 실장이 가능한 이방 도전성 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 이방 도전성 필름을 이용하여 실장하는 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름은 열경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함한다.
상기 열경화형 수지는 15 내지 50 중량%, 자외선 경화형 수지는 5 내지 50 중량%, 열가소성 수지는 30 내지 60 중량%, 도전성 입자는 1 내지 10 중량% 및 첨가제는 1 내지 10 중량%이다.
상기 첨가제는 열 또는 자외선에 의하여 활성화되는 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 이상이다.
상기 도전성 필름은 단층 또는 다층으로 이루어진다.
상기 다층의 이방 도전성 접착필름은 열경화형 수지, 열가소성 수지 및 첨가제를 포함하는 절연성 접착층; 및 자외선 경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함하여 1층 이상으로 구비된다.
상기 다층의 이방 도전성 접착필름은 자외선 경화형 수지, 열가소성 수지 및 첨가제를 포함하는 절연성 접착층, 및 열경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함하여 1층 이상으로 구비되는 이방 도전성 접착층을 포함한다.
상기 절연성 접착층은 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지 40 내지 60 중량% 및 첨가제 1 내지 10 중량%를 포함한다.
상기 도전성 접착층은 자외선 경화형 수지 또는 열경화형 수지 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지 40 내지 60 중량%, 도전성 입자 1 내지 10 중량% 및 첨가제 1 내지 10 중량%를 포함한다.
상기 열경화형 수지는 에폭시계 수지 및 라디칼 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 이상의 수지이다.
상기 자외선 경화형 수지는 에폭시계 수지, 및 라디칼 중합형 또는 양이온 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 이상의 수지이다.
상기 열경화형 에폭시계 수지는 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀　AD형 에폭시수지, 수소화 비스페놀　A형 에폭시수지, 수소화비스페놀　F형 에폭시수지, 수소화비스페놀　AD형 에폭시수지, 나프탈렌변성 에폭시수지 및 크레졸변성 에폭시수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
상기 열경화형 아크릴레이트계 수지는 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트, 삼관능성 아크릴레이트에스테르, 비스페놀 F형 에틸렌옥사이드(EO)변성 디아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소아밀아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌 글리콜아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시폴리에스틸렌글리콜아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 트리데실메타크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌글리콜메타크릴레이트, 퍼프릴메타크릴레이트, 퍼프릴아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트 및 메톡시트리에틸렌글리콜메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
상기 자외선 경화형 에폭시계 수지는 나프탈렌계 에폭시 모노머, 에폭시아크릴레이트 모노머, BPA계 에폭시 모노머, BPF계 에폭시 모노머, 노블락계 에폭시 모노머 및 크레졸계 에폭시 모노머로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
상기 자외선 경화형 아크릴레이트계 수지는 2-에틸헥실아크릴레이트, 트릴데실메타크릴레이트, 노닐페놀에톡시레이트모노아크릴레이트, 베타-카르복시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴메타크릴레이트, 4-부틸싸이크로헥실아크릴레이트, 다싸이크로펜테닐아크릴레이트, 디싸이크로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 에톡시레이티드모노아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
상기 열가소성 수지는 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리비닐아세탈, 폴리아미드, 페녹시 수지, 아크릴 고무, 스틸렌-부타디엔-스틸렌블록 공중합체, 카르복실화스틸렌-에틸렌-부틸렌-스틸렌블록 공중합체 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
상기 도전성 입자는 금속입자 또는 금속이 도금된 폴리머 입자이다.
상기 첨가제는 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 이상이다.
상기한 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 이방 도전성 필름의 실장방법은 대향하는 전극 사이에 상기 이방 도전성 접착필름이 구비되는 단계; 구비된 이방 도전성 접착필름을 120 ℃이하의 온도 및 4 MPa 이하의 압력으로 열압착하는 단계; 열압착으로 도전성 접착필름이 용융되면 열압착과 동시에 자외선을 조사하는 단계를 포함한다.
상기 이방 도전성 필름의 경화율이 85%이상이 되도록 열압착과 동시에 자외선을 조사한다.
상기 열압착하는 단계는 0.3 내지 3초 동안 이루어진다.
상기 열압착과 동시에 자외선을 조사하는 단계는 3 내지 12초 동안 이루어진다.
상기 자외선 파장은 150 내지 750 nm이다.
본 발명의 이방 도전성 필름은 120℃ 이하의 저온에서 실장이 가능하여 기판이 손상되거나 제조되는 소자의 휨현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 필름을 사용하면 120℃ 이하에서도 5초 이하의 짧은 시간 내에 85% 이상의 경화율을 유지할 수 있으므로 안정적인 모듈러스, 열팽창계수 등의 물성을 확보할 수 있다. 따라서 접속저항, 절연저항, 접착력 및 열충격 등의 신뢰성이 우수한 디스플레이 모듈을 제공할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 필름은 최근 급성장 하고 있는 터치 스크린 등에 사용되는 플라스틱 기판에도 저온에서 용이하게 실장된다.
도 1은 종래의 이방 도전성 필름을 실장하는 방법을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름을 실장하는 방법을 나타낸 도면이며,
도 3은 본 발명에 따라 제조된 소자의 열충격 신뢰성을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 열경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함함으로써 120 ℃이하의 저온에서도 실장이 가능하여 소자의 휨현상(warpage)을 방지하며 접속저항, 절연저항, 접착력 및 열충격 등의 신뢰성이 우수한 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 실장방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 이방 도전성 접착필름은 열경화형 수지(a), 자외선 경화형 수지(b), 열가소성 수지(c), 도전성 입자(d) 및 첨가제(e)를 포함하여 단층 또는 2층 이상의 다층으로 이루어진다.
열경화형 수지(a)의 함량은 15 내지 50 중량%, 바람직하게는 30 내지 50 중량%이다. 열경화형 수지의 함량이 15 중량% 미만인 경우에는 경화 후 충분한 경화밀도를 확보하지 못하여 모듈러스, 열팽창계수 등의 열-기계적 물성의 저하가 발생하며, 함량이 50 중량% 초과인 경우에는 경화밀도가 너무 높아져 경화수축의 증가에 따른 내부응력의 과다 축적으로 인하여 접착력 저하가 발생한다.
또한, 자외선 경화형 수지(b)의 함량은 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%이다. 자외선 경화형 수지의 함량이 5 중량% 미만인 경우에는 자외선 조사가 이루어지기 전 단계인 열압착 단계에서 기포가 발생되어 신뢰성이 저하되며, 함량이 50 중량% 초과인 경우에는 경화속도가 빨라 치밀한 경화밀도를 확보하기 어려우므로 모듈러스, 열팽창계수 등과 같은 열-기계적 물성 및 접착력이 저하된다.
또한, 열가소성 수지(c)의 함량이 30 내지 60 중량%, 바람직하게는 40 내지 60 중량%이다. 열가소성 수지의 함량이 30 중량% 미만인 경우에는 필름이 형성되지 않으며, 함량이 60 중량% 초과인 경우에는 상대적으로 열경화성 수지의 함량이 감소되어 경화밀도의 저하에 따른 열-기계적 물성 저하 및 신뢰성 저하의 문제가 발생한다.
또한, 도전성 입자(d)의 함량이 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 3 내지 8 중량%이다. 도전성 입자의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는 전극 간의 전류 흐름이 원활하지 못하며, 함량이 10 중량% 초과인 경우에는 필름에 과량의 도전성 입자가 존재하므로 등방성 필름이 제조될 수 있다.
또한, 첨가제(예컨대, 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 이상)(e)의 함량은 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 3 내지 8 중량%이다. 첨가제의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는 물질들 간에 반응이 일어나지 않으며, 함량이 10 중량% 초과인 경우에는 격한 반응이 일어나므로 경화밀도의 저하에 따른 열-기계적 물성이 저하된다.
다층의 이방 도전성 접착필름은 절연성 접착층 및 1층 이상의 이방 도전성 접착층으로 형성된다.
일예로, 다층의 이방 도전성 접착필름은 열경화형 수지(a) 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지(c) 40 내지 60 중량% 및 첨가제(e) 1 내지 10 중량%를 포함하는 절연성 접착층; 및 자외선 경화형 수지(b) 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지(c) 40 내지 60 중량%, 도전성 입자(d) 1 내지 10 중량% 및 첨가제(e) 1 내지 10 중량%를 포함하는 이방 도전성 접착층으로 형성된다.
다른 예로, 다층의 이방 도전성 접착필름은 자외선 경화형 수지(b) 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지(c) 40 내지 60 중량% 및 첨가제(e) 1 내지 10 중량%를 포함하는 절연성 접착층; 및 열경화형 수지(a) 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지(c) 40 내지 60 중량%, 도전성 입자(d) 1 내지 10 중량% 및 첨가제(e) 1 내지 10 중량%를 포함하는 이방 도전성 접착층으로 형성된다.
이방 도전성 접착필름에 사용되는 열경화형 수지(a)는 열에 의하여 경화되는 수지로서, 에폭시계 수지 및 라디칼 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 사용한다. 열경화형 수지를 선택 시에는 반응속도 및 보관 안정성 측면에서 라디칼 중합형 아크릴레이트계 수지가 보다 적합하다.
에폭시계 수지의 구체적은 예로는 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀　AD형 에폭시수지, 수소화비스페놀　A형 에폭시수지, 수소화비스페놀　F형 에폭시수지, 수소화 비스페놀　AD형 에폭시수지, 나프탈렌변성 에폭시수지 및 크레졸변성 에폭시수지 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
또한, 라디칼 중합형 아크릴레이트계 수지의 구체적인 예로는 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트, 삼관능성 아크릴레이트에스테르, 비스페놀 F형 에틸렌옥사이드(EO)변성 디아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소아밀아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌 글리콜아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시폴리에스틸렌글리콜아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 트리데실메타크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌글리콜메타크릴레이트, 퍼프릴메타크릴레이트, 퍼프릴아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트 및 메톡시트리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
자외선 경화형 수지(b)는 자외선에 의하여 경화되는 수지로서, 에폭시계 수지, 및 라디칼 중합형 또는 양이온 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 사용한다.
에폭시계 수지의 구체적은 예로는 나프탈렌계 에폭시 모노머, 에폭시아크릴레이트 모노머, BPA계 에폭시 모노머, BPF계 에폭시 모노머, 노블락계 에폭시 모노머 및 크레졸계 에폭시 모노머 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
또한, 라디칼 중합형 또는 양이온 중합형 아크릴레이트계 수지의 구체적인 예로는 2-에틸헥실아크릴레이트, 트릴데실메타크릴레이트, 노닐페놀에톡시레이트모노아크릴레이트, 베타-카르복시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴메타크릴레이트, 4-부틸싸이크로헥실아크릴레이트, 다싸이크로펜테닐아크릴레이트, 디싸이크로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 에톡시레이티드모노아크릴레이트 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
열가소성 수지(c)는 절연성 필름 형성을 위해 사용되는 것으로서, 구체적인 예로는 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리비닐아세탈, 폴리아미드, 페녹시 수지, 아크릴 고무, 스틸렌-부타디엔-스틸렌블록 공중합체, 카르복실화스틸렌-에틸렌-부틸렌-스틸렌블록 공중합체 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
도전성 입자(d)는 전극 간에 구비되어 전류가 흐를 수 있도록 하기 위한 것으로서, 구체적인 예로는 금속입자 또는 금속이 도금된 폴리머 입자이다. 이때, 금속은 금, 은, 니켈, 아연, 백금, 안티몬 또는 이들의 혼합 금속 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니고 전류를 흐르게 할 수 있는 물질은 모두 사용할 수 있다.
첨가제(e)는 반응을 활성화시킬 수 있는 물질로서, 구체적인 예로는 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 또는 2종을 사용한다.
또한, 본 발명은 이방 도전성 필름을 이용한 실장방법을 제공하며, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실장방법을 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 압착되는 부위에 자외선 빛을 통과시킬 수 있는 윈도우(60)가 구비된 스테이지(50) 위에 기판(30)을 올려놓는다. 이때 기판은 유리, 플라스틱, 필름 등이지만, 이에 한정하는 것은 아니고 디스플레이 및 반도체 장치에 이용되는 기판이면 모두 사용할 수 있다.
기판(30)에 돌기형상으로 형성된 전극(31) 위에 이방 전도성 접착필름(100)을 올려놓은 후 기판의 전극(31)과, IC칩(20)에 형성된 전극인 범프(21)를 대향하게 위치시킨다. 이때 이방 전도성 접착필름(100)이 다층구조일 경우에는 자외선 경화형 수지를 포함하는 층이 자외선 램프(180)가 위치하는 방향을 향하도록 한다. 예컨대, 자외선 램프(180)는 스테이지(50)의 하측에 위치하므로 자외선 경화형 수지를 포함하는 층이 기판(30)을 향하도록 구비하는 것이 바람직하다.
다음으로, 이방 전도성 접착필름(100)이 용융되어 도전성 입자가 전극(31)과 범프(21) 사이에 눌릴 수 있도록 IC칩(20) 위에 위치한 열압착 헤드(40)로 열압착한다. 이때 이방 전도성 접착필름(100)의 도전성 입자가 눌려질 정도로 열압착하는 시간은 0.3 내지 3초, 바람직하게는 1 내지 3초이다. 열압착하는 시간이 0.3초 미만인 경우에는 이방 도전성 필름이 충분히 용융되지 못하여 도전성 입자의 눌림이 약하므로 전극(31)과 범프(21) 사이에 전류가 흐르지 않으며, 시간이 3초 초과인 경우에는 열경화가 많이 진행되어 상당한 점도 상승을 가져와 다음 단계의 자외선 경화 반응이 느리게 진행되고 이에 따라 자외선 경화의 효과가 미약하게 되므로 이방 전도성 접착필름(100)의 경화율이 충분치 못하게 된다.
또한, 열압착 헤드(40)에 의하여 이방 전도성 접착필름(100)에 가해지는 온도는 120 ℃이하, 바람직하게는 100 내지 120 ℃이며, 압력은 4 MPa 이하, 바람직하게는 2 내지 4 MPa이다. 압력이 4 MPa 초과인 경우에는 도전성 입자가 변형 및 파괴되어 전류의 단락이 발생한다.
상기 도전성 입자가 눌려지면 자외선 램프(180)와 스테이지(50) 사이에 위치한 셔터(170)를 열어 이방 전도성 접착필름(100)에 자외선을 조사한다. 이때, 이방 전도성 접착필름(100)에는 열압착과 자외선 조사가 동시에 진행되는데 이는 이방 전도성 접착필름(100)의 경화율이 85%이상이 될 때까지 계속된다. 다층의 이방 전도성 접착필름(100)의 경우에는 각 층의 경화율이 85%이상 되어야한다.
이방 전도성 접착필름(100)의 경화율이 85%미만인 경우에는 경화밀도가 충분하지 않아 모듈러스 및 열팽창계수 등의 열-기계적 특성 저하에 따른 신뢰성의 저하가 발생한다. 이방 전도성 접착필름(100)의 경화율이 85%이상이 될 때까지 열압착과 자외선 조사가 동시에 진행되는 시간은 3 내지 12초이나, 그 이상 진행되어도 경화율에는 문제가 없다.
이때의 자외선 램프(180)는 메탈할라이드, 수은, LED등 일반적인 램프이며, 램프의 파장은 150 내지 750 nm, 바람직하게는 300 내지 750 nm이다.
상기 이방 전도성 접착필름(100)의 경화율은 DSC(Differential Scanning Calorimeter) 및 DPC(Differential Photo Calorimeter)를 사용하여 경화 전 열량과 경화 후 열량의 차이 비를 구함으로써 측정된다. 예컨대, 열경화형 수지가 포함된 층은 DSC로 열경화율이 측정되며, 자외선 경화형 수지를 포함하는 층은 DPC로 자외선 경화율이 측정된다.
종래에는 이방 도전성 접착필름을 이용하여 실장 시 고온(예컨대, 150 ℃ 이상)에서 진행해야 했으므로 기판 손상 및 소자의 휨현상이 발생하였으나 상기 열과 자외선으로 동시에 경화하는 실장 방법으로 이방 전도성 접착필름(100)을 실장하면 저온(예컨대, 120 ℃ 이하)에서도 실장이 가능하므로 기판 손상 및 소자의 휨현상이 방지된다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1. 단일층의 이방 도전성 접착필름 제조
열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 20 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 15 중량%, 자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머(HP-4032D, Dainippon ink) 10 중량% 및 BPA계 에폭시모노머(에피코트 828, 유카셀 에폭시) 5 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 20 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 20 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제(벤조일 퍼옥사이드, 알드리치) 3 중량% 및 광활성 양이온 개시제(WPI-113, 와코) 2 중량%, 및 도전성 입자(d)(AUL-705, 세키스이) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 이형 및 대전방지 처리가 되어있는 백색의 PET 필름 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 25 ㎛인 단일층의 이방 도전성 접착필름을 제조하였다.
실시예 2. 단일층의 이방 도전성 접착필름 제조
실시예 1과 동일하게 실시하되, BPA계 에폭시모노머 5 중량% 대신에 에폭시아크릴레이트 모노머(리폭시 VR-90, 나가세 켐텍스) 5 중량%를 사용하며, 광활성 양이온 개시제(WPI-113, 와코) 2 중량% 대신에 광활성 양이온 개시제(WPI-113, 와코) 1 중량% 및 광활성 라디칼 개시제(이가큐어 184, 시바스페셜티케미칼) 1 중량%를 사용하였다.
실시예 3. 이층구조의 이방 도전성 접착필름 제조
열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 25 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 25 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 25 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제(벤조일 퍼옥사이드, 알드리치) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 이형 및 대전방지 처리가 되어있는 백색의 PET 필름 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 17 ㎛인 절연성 접착층을 제조하였다.
자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머(HP-4032D, Dainippon ink) 20 중량% 및 에폭시아크릴레이트 모노머(리폭시 VR-90, 나가세 켐텍스) 20 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 25 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 25 중량%, 첨가제(e)로 광활성 양이온 개시제(WPI-113, 와코) 3 중량% 및 광활성 라디칼 개시제(이가큐어 184, 시바스페셜티케미칼) 2 중량%, 및 도전성 입자(d)(AUL-705, 세키스이) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 먼저 제조된 절연성 접착층 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 8 ㎛인 이방 도전성 접착층을 제조함으로써 총 도막두께가 25 ㎛인 이층구조의 이방 도전성 접착필름을 제조하였다.
실시예 4. 이층구조의 이방 도전성 접착필름 제조
실시예 3과 동일하게 실시하되, 절연성 접착층을 제조 시 열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 25 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량% 대신에 자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머(HP-4032D, Dainippon ink) 25 중량% 및 에폭시 아크릴레이트모노머(리폭시 VR-90, 나가세 켐텍스) 20 중량%를 사용하며, 이방 도전성 접착층 제조 시 자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머(HP-4032D, Dainippon ink) 20 중량% 및 에폭시 아크릴레이트모노머(리폭시 VR-90, 나가세 켐텍스) 20 중량% 대신에 열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 20 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량%를 사용하였다.
실시예 5.
실시예 1과 동일하게 실시하되, 열경화형 수지(a)로 삼관능성 아크릴레이트에스테르 3 중량%, 자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머 30 중량% 및 BPA계 에폭시모노머 15 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지 22 중량% 및 아크릴 고무 20 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제 3 중량% 및 광활성 양이온 개시제 2 중량%, 및 도전성 입자(d) 5 중량%를 사용하였다.
실시예 6.
실시예 1과 동일하게 실시하되, 열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트 30 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르 15 중량%, 자외선 경화형 수지(b)로 나프탈렌계 에폭시모노머 3 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지 22 중량% 및 아크릴 고무 20 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제 3 중량% 및 광활성 양이온 개시제 2 중량%, 및 도전성 입자(d) 5 중량%를 사용하였다.
비교예 1.
열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 25 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 25 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 20 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제(벤조일 퍼옥사이드, 알드리치) 5 중량%, 및 도전성 입자(d)(AUL-705, 세키스이) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 이형 및 대전방지 처리가 되어있는 백색의 PET 필름 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 25 ㎛인 단일층의 이방 도전성 접착필름을 제조하였다.
비교예 2.
열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 25 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 25 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 25 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제(벤조일 퍼옥사이드, 알드리치) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 이형 및 대전방지 처리가 되어있는 백색의 PET 필름 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 17 ㎛인 절연성 접착층을 제조하였다.
열경화형 수지(a)로 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트(CN301, 사토머) 25 중량% 및 삼관능성 아크릴레이트에스테르(SR9012, 사토머) 20 중량%, 열가소성 수지(c)로 페녹시 수지(YP-50, 국도화학) 25 중량% 및 아크릴 고무(SG-80H, 나가세 켐텍스) 20 중량%, 첨가제(e)로 열활성 라디칼 개시제(벤조일 퍼옥사이드, 알드리치) 5 중량%, 및 도전성 입자(d)(AUL-705, 세키스이) 5 중량%를 혼합한 후 톨루엔과 메틸에틸케톤이 1:1로 혼합된 용매에 고형분 50%로 균일하게 혼합한다. 제조된 혼합물을 먼저 제조된 절연성 접착층 위에 도포한 후, 80 ℃의 건조기에서 건조하여 도막두께가 8 ㎛인 이방 도전성 접착층을 제조함으로써 총 도막두께가 25 ㎛인 이층구조의 이방 도전성 접착필름을 제조하였다.
실험예 1-8 및 실험비교예 1-4.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 이방 도전성 접착필름을 기판 위에 위치시킨 후 기판의 전극과 IC칩의 범프를 대향하도록 설치한다. 그 후 IC칩 위에 구비된 열압착 헤드로 이방 도전성 접착필름을 열압착한 후 셔터를 열어서 열압착과 자외선 조사를 동시에 진행하여 반도체 소자를 제조하였다.
실험비교예 5.
실험예와 동일하게 실시하되, 실시예 1에서 제조된 이방 도전성 접착필름을 사용하며, 열압착과 자외선 조사를 동시에 진행하는 대신에 열압착 후에 자외선 조사를 진행하였다.
접착필름 열압착 열압착 및 자외선 조사 동시진행
온도(℃) 압력
(MPa)		 시간(초) 자외선 램프 파장
(nm)		 광량
(mJ)		 시간(초)
실험예 1 실시예 1 120 2 1 LED 365 1500 4
실험예 2 실시예 2 120 2 1 LED 365 1500 4
실험예 3 실시예 3 120 2 1 LED 365 1500 4
실험예 4 실시예 4 120 2 1 LED 365 1500 4
실험예 5 실시예 1 100 2 1 LED 365 1500 4
실험예 6 실시예 3 100 2 1 LED 365 1500 13
실험예 7 실시예 5 120 2 1 LED 365 1500 4
실험예 8 실시예 6 120 2 1 LED 365 1500 4
실험비교예 1 비교예 1 120 2 5 - - - -
실험비교예 2 비교예 1 150 2 5 - - - -
실험비교예 3 비교예 2 120 2 5 - - - -
실험비교예 4 비교예 2 150 2 5 - - - -
실험비교예 5 실시예 1 120 2 5 LED 365 1500 4(자외선 조사만 실시)
시험예 1.
1. 열경화율측정(%): DSC(Differential Scanning Calorimeter)를 이용하여 경화 전 열량과 경화 후 열량의 차이 비를 측정하였다.
2. 자외선경화율측정(%): DPC(Differential Photo Calorimeter)를 이용하여 경화 전 열량과 경화 후 열량의 차이 비를 측정하였다.
3. 열팽창계수(ppm/℃): TMA(Thermo-Mechanical Analyzer)를 사용하여 100 mN의 인장력을 가한 상태로 20~180 ℃의 온도범위(분당 5 ℃의 승온속도)에서 측정하였다.
4. 모듈러스(GPa): DMA(Dynamic Mechanical Analyzer)를 사용하여 초기 200 mN의 인장력(±100 mN로 진동하는 상태)으로 0.02 Hz의 진동수 및 20~180℃의 온도범위(분당 5℃의 승온속도)에서 측정하였다.
5. 접속저항(Ω): Kiethely 236 저항 측정기를 사용하여 4단자 법을 사용하여 측정하였다.
6. 절연저항(Ω): Kiethely 236 저항 측정기를 사용하여 2단자 법을 사용하여 측정하였다.
7. 접착력(kgf/㎠): UTM(Universal Test Machine)을 사용하여 분당 50 mm의 속도로 측정하였다.
8. 휨측정(㎛): IC칩의 중심부와 말단부분의 높이 차이를 표면측정기(surface profiler)로 측정하였다.
열 경화율
(%)		 자외선경화율
(%)		 열팽창 계수
(ppm/℃)		 모듈러스
(GPa)		 접속 저항
(Ω)		 절연 저항
(×1012Ω)		 접착력
(kgf/㎠)		 휨
(㎛)
실험예 1 89 91 84 1.4 1.54 0.12 32.5 1.2
실험예 2 92 93 71 1.8 1.43 0.15 34.7 2.5
실험예 3 95 92 64 2.5 1.47 0.14 41.1 1.5
실험예 4 50 45 1,336 0.12 5.24 0.16 20.3 1.3
실험예 5 87 89 121 1.1 1.92 0.11 31.2 1.1
실험예 6 97 96 91 1.0 1.87 0.12 33.8 0.99
실험예 7 96 84 524 0.94 2.15 0.14 29.8 1.4
실험예 8 79 95 731 0.81 2.67 0.15 30.4 1.1
실험비교예 1 65 - 2,321 0.24 3.24 0.15 12.4 1.8
실험비교예 2 94 - 124 0.85 1.41 0.13 31.2 6.3
실험비교예 3 71 - 1,023 0.51 3.68 0.12 21.8 2.2
실험비교예 4 95 - 213 0.99 1.57 0.13 34.9 7.8
실험비교예 5 69 71 982 0.58 4.55 0.12 13.2 1.5
위 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 실험예 1 내지 3 및 실험예 5 내지 8은 85% 이상의 열 및 자외선 경화율을 확보하여 우수한 열팽창계수 및 모듈러스를 나타내는 것을 확인하였다.
또한, 120 ℃의 저온에서 실장되므로 휨현상이 최소화됨에 따라 안정적인 접속저항, 절연저항 및 접착력을 나타내는 것을 확인하였다. 그러나 실험예 7 및 8은 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지를 소량 포함하므로 열-자외선 동시 경화에 따른 저온경화에 의하여 우수한 열팽창계수를 나타낼 수 없다는 것을 확인하였다.
실험예 4는 열개시제와 자외선 경화형 수지, 그리고 자외선 개시제와 열경화형 수지의 조합으로 인하여 충분한 경화율을 확보하지 못하였다.
반면, 실험비교예 1 및 3과 같이 120 ℃의 저온에서 실장되는 경우는 휨현상은 감소하나 85% 이하의 열경화율을 보이며 우수하지 못한 열팽창계수, 모듈러스, 접속저항 및 접착력을 나타내었다.
또한, 실험비교예 2 및 4와 같이 150 ℃의 고온에서 실장되는 경우는 85% 이상의 열경화율과 우수한 열팽창계수, 접속저항, 절연저항 및 접착력을 나타내었으나 휨현상의 억제에 어려움이 있다는 것을 확인하였다.
실험비교예 5는 85% 이하의 경화율을 보이며 낮은 경화율로 인하여 우수하지 못한 열팽창계수, 모듈러스, 접속저항 및 접착력을 나타내었다.
시험예 2.
실험예 1 내지 3 및 실험비교예 1 내지 4의 반도체 소자를 -40 내지 100 ℃의 조건에서 500사이클을 진행하여 열충격 신뢰성을 측정하였다(도 3).
열충격 신뢰성을 측정한 결과, 본 발명에 따라 제조된 실시예 1 내지 3의 이방 도전성 접착필름은 열경화형 수지를 단독으로 사용한 접착필름(비교예 1 및 2)와 달리 120 ℃ 이하의 저온공정에서 실장이 가능하다는 것을 확인하였다.
10: 이방 도전성 접착필름 20: IC칩
21: 접속범프 30: 기판
31: 전극 40: 열압착 헤드
50: 스테이지 60: 윈도우
100: 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름
170: 셔터 180: 자외선 램프

Claims (22)

  1. 열경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  2. 제1항에 있어서, 열경화형 수지는 15 내지 50 중량%, 자외선 경화형 수지는 5 내지 50 중량%, 열가소성 수지는 30 내지 60 중량%, 도전성 입자는 1 내지 10 중량% 및 첨가제는 1 내지 10 중량%인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 첨가제는 열 또는 자외선에 의하여 활성화되는 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  4. 제1항에 있어서, 도전성 필름은 단층 또는 다층으로 이루어진 것인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  5. 제4항에 있어서, 다층의 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름은
    열경화형 수지, 열가소성 수지 및 첨가제를 포함하는 절연성 접착층; 및
    자외선 경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함하여 1층 이상으로 구비되는 이방 도전성 접착층을 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  6. 제4항에 있어서, 다층의 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름은
    자외선 경화형 수지, 열가소성 수지 및 첨가제를 포함하는 절연성 접착층, 및
    열경화형 수지, 열가소성 수지, 도전성 입자 및 첨가제를 포함하여 1층 이상으로 구비되는 이방 도전성 접착층을 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 절연성 접착층은 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지 40 내지 60 중량% 및 첨가제 1 내지 10 중량%를 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 도전성 접착층은 자외선 경화형 수지 또는 열경화형 수지 30 내지 50 중량%, 열가소성 수지 40 내지 60 중량%, 도전성 입자 1 내지 10 중량% 및 첨가제 1 내지 10 중량%를 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  9. 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화형 수지는 에폭시계 수지 및 라디칼 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 이상의 수지인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  10. 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 경화형 수지는 에폭시계 수지 및 라디칼 중합형 또는 양이온 중합형 아크릴레이트계 수지 중에서 선택된 1종 이상의 수지인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  11. 제9항에 있어서, 열경화형 에폭시계 수지는 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 F형 에폭시수지, 비스페놀　AD형 에폭시수지, 수소화 비스페놀　A형 에폭시수지, 수소화비스페놀　F형 에폭시수지, 수소화비스페놀　AD형 에폭시수지, 나프탈렌변성 에폭시수지 및 크레졸변성 에폭시수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  12. 제9항에 있어서, 열경화형 아크릴레이트계 수지는 폴리부타디엔 디메타아크릴레이트, 삼관능성 아크릴레이트에스테르, 비스페놀 F형 에틸렌옥사이드(EO)변성 디아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소아밀아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌 글리콜아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시폴리에스틸렌글리콜아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 트리데실메타크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리에스틸렌글리콜메타크릴레이트, 퍼프릴메타크릴레이트, 퍼프릴아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트 및 메톡시트리에틸렌글리콜메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  13. 제10항에 있어서, 자외선 경화형 에폭시계 수지는 나프탈렌계 에폭시 모노머, 에폭시아크릴레이트 모노머, BPA계 에폭시 모노머, BPF계 에폭시 모노머, 크레졸계 에폭시 모노머 및 노블락계 에폭시 모노머로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  14. 제10항에 있어서, 자외선 경화형 아크릴레이트계 수지는 2-에틸헥실아크릴레이트, 트릴데실메타크릴레이트, 노닐페놀에톡시레이트모노아크릴레이트, 베타-카르복시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴메타크릴레이트, 4-부틸싸이크로헥실아크릴레이트, 다싸이크로펜테닐아크릴레이트, 디싸이크로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 에톡시레이티드모노아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  15. 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 열가소성 수지는 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리비닐아세탈, 폴리아미드, 페녹시 수지, 아크릴 고무, 스틸렌-부타디엔-스틸렌블록 공중합체, 카르복실화스틸렌-에틸렌-부틸렌-스틸렌블록 공중합체 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  16. 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 입자는 금속입자 또는 금속이 도금된 폴리머 입자인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  17. 제5항 또는 제6항에 있어서, 첨가제는 가교제 및 개시제 중에서 선택된 1종 이상인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름.
  18. 대향하는 전극 사이에 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항의 이방 도전성 접착필름이 구비되는 단계;
    상기 구비된 도전성 접착필름을 120 ℃이하의 온도 및 4 MPa 이하의 압력으로 열압착하는 단계;
    상기 열압착으로 도전성 접착필름이 용융되면 열압착과 동시에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름의 실장방법.
  19. 제18항에 있어서, 이방 도전성 필름의 경화율이 85%이상이 되도록 열압착과 동시에 자외선을 조사하는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름의 실장방법.
  20. 제18항에 있어서, 열압착하는 단계는 0.3 내지 3초 동안 이루어지는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름의 실장방법.
  21. 제18항에 있어서, 열압착과 동시에 자외선을 조사하는 단계는 3 내지 12초 동안 이루어지는 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름의 실장방법.
  22. 제18항에 있어서, 자외선 파장은 150 내지 750 nm인 자외선-열 동시 경화형 이방 도전성 접착필름의 실장방법.
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CN105196727A (zh) * 2015-10-22 2015-12-30 杭州豪波印务有限公司 一种印刷工艺
WO2024190509A1 (ja) * 2023-03-10 2024-09-19 デンカ株式会社 粘着シート、半導体部品の製造方法

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