JP2003338519A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003338519A5
JP2003338519A5 JP2002146321A JP2002146321A JP2003338519A5 JP 2003338519 A5 JP2003338519 A5 JP 2003338519A5 JP 2002146321 A JP2002146321 A JP 2002146321A JP 2002146321 A JP2002146321 A JP 2002146321A JP 2003338519 A5 JP2003338519 A5 JP 2003338519A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
electrode pads
wire
semiconductor chip
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002146321A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003338519A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002146321A priority Critical patent/JP2003338519A/ja
Priority claimed from JP2002146321A external-priority patent/JP2003338519A/ja
Priority to TW92112447A priority patent/TWI297184B/zh
Priority to US10/430,279 priority patent/US6900551B2/en
Priority to KR1020030030463A priority patent/KR20040014167A/ko
Priority to CNB031237061A priority patent/CN100481414C/zh
Publication of JP2003338519A publication Critical patent/JP2003338519A/ja
Priority to US11/035,999 priority patent/US20050121805A1/en
Publication of JP2003338519A5 publication Critical patent/JP2003338519A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (13)

  1. 半導体チップと、
    主面に前記半導体チップが配置された配線基板と、
    前記半導体チップの主面にその一辺に沿って配置された複数の電極パッドと、
    前記配線基板の主面に前記半導体チップの一辺に沿って配置された複数の接続部と、
    前記半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、
    前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
    前記複数のワイヤは、前記複数の電極パッドのうちの第1の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの第1の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続された第1のワイヤと、前記複数の電極パッドのうちの前記第1の電極パッドと隣り合う第2の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの前記第1の接続部と隣り合う第2の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続され、かつ前記第1のワイヤよりもループ高さが高い第2のワイヤとを含み、
    前記第2のワイヤの一端部は、前記第1のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
    前記第2のワイヤの他端部は、前記第1のワイヤの他端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドは、互いに反対側に位置する2つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状になっていることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドは、前記第1の電極パッド及び第2の電極パッドを交互に並列に繰り返し配置した直線配列になっていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドは、正方形の平面形状になっており、
    前記第2の電極パッドは、前記第1の電極パッドよりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項4に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドは、前記第1の電極パッド及び前記第2の電極パッドを交互に繰り返し配置した千鳥配列になっていることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記第2の接続部は、前記第1の接続部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項6に記載の半導体装置において、
    前記複数の接続部は、前記第1の接続部及び前記第2の接続部を交互に繰り返し配置した千鳥配列になっていることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭いことを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記第1のワイヤは、前記第2のワイヤよりも短いことを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数のワイヤは、前記電極パッドを第1ボンディング点とし、前記接続部を第2ボンディング点とするネイルヘッドボンディング法によって接続されていることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記樹脂封止体は、トランスファモールディング法で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドは、互いに反対側に位置する2つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状になっており、
    前記複数の電極パッドは、前記ワイヤが接続されるボンディング面にプローブ針の接触跡部を有し、
    前記接触跡部は、前記第1のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れ、かつ前記第2のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺に近い位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項12に記載の半導体装置において、
    前記複数の電極パッドの夫々の長辺の長さは、前記電極パッドと前記ワイヤの一端部との接続領域の前記電極パッドの長辺方向に沿う長さの二倍以上になっていることを特徴とする半導体装置。
JP2002146321A 2002-05-21 2002-05-21 半導体装置及びその製造方法 Pending JP2003338519A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002146321A JP2003338519A (ja) 2002-05-21 2002-05-21 半導体装置及びその製造方法
TW92112447A TWI297184B (en) 2002-05-21 2003-05-07 A semiconductor device and a method of manufacturing the same
US10/430,279 US6900551B2 (en) 2002-05-21 2003-05-07 Semiconductor device with alternate bonding wire arrangement
KR1020030030463A KR20040014167A (ko) 2002-05-21 2003-05-14 반도체장치 및 그 제조방법
CNB031237061A CN100481414C (zh) 2002-05-21 2003-05-20 半导体器件及其制造方法
US11/035,999 US20050121805A1 (en) 2002-05-21 2005-01-18 Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002146321A JP2003338519A (ja) 2002-05-21 2002-05-21 半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003338519A JP2003338519A (ja) 2003-11-28
JP2003338519A5 true JP2003338519A5 (ja) 2005-09-29

Family

ID=29545121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002146321A Pending JP2003338519A (ja) 2002-05-21 2002-05-21 半導体装置及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6900551B2 (ja)
JP (1) JP2003338519A (ja)
KR (1) KR20040014167A (ja)
CN (1) CN100481414C (ja)
TW (1) TWI297184B (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166794A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Ricoh Co Ltd 部品パッケージとプリント配線基板および電子機器
JP3707487B2 (ja) * 2003-12-12 2005-10-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法
CN100419982C (zh) * 2004-05-31 2008-09-17 松下电器产业株式会社 半导体装置
KR100603932B1 (ko) 2005-01-31 2006-07-24 삼성전자주식회사 칩-온-보오드 기판을 갖는 반도체 장치
WO2006090196A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-31 Infineon Technologies Ag Rectangular bond pad and method of wire bonding the same with an elongated ball bond
JP3988777B2 (ja) * 2005-07-29 2007-10-10 オムロン株式会社 表面実装用の半導体パッケージおよびその製造方法
JP2007103423A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5148825B2 (ja) * 2005-10-14 2013-02-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102006015222B4 (de) * 2006-03-30 2018-01-04 Robert Bosch Gmbh QFN-Gehäuse mit optimierter Anschlussflächengeometrie
JP4942020B2 (ja) * 2006-05-12 2012-05-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7777353B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-17 Yamaha Corporation Semiconductor device and wire bonding method therefor
US20100320592A1 (en) * 2006-12-29 2010-12-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI357647B (en) * 2007-02-01 2012-02-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor substrate structure
TWI333689B (en) * 2007-02-13 2010-11-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package
US8922028B2 (en) * 2007-02-13 2014-12-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US8227917B2 (en) * 2007-10-08 2012-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond pad design for fine pitch wire bonding
US20090108436A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Toshio Fujii Semiconductor package
JP5001903B2 (ja) * 2008-05-28 2012-08-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5518381B2 (ja) * 2008-07-10 2014-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器
JP5656644B2 (ja) * 2008-12-19 2015-01-21 株式会社アドバンテスト 半導体装置、半導体装置の製造方法およびスイッチ回路
JP5595694B2 (ja) * 2009-01-15 2014-09-24 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2011003764A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
CN102280425B (zh) * 2010-06-11 2014-05-28 卡西欧计算机株式会社 具备键合引线的半导体器件及其制造方法
JP5467959B2 (ja) 2010-07-21 2014-04-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN102456812B (zh) * 2010-10-28 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
JP2012195459A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Sharp Corp ワイヤーボンディング方法、及び、半導体装置
JP5294351B2 (ja) * 2011-04-01 2013-09-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5968713B2 (ja) * 2012-07-30 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN104765169B (zh) * 2015-02-04 2018-01-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的检测线路及阵列基板
US20160307873A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mediatek Inc. Bonding pad arrangment design for semiconductor package
EP3422393A4 (en) * 2016-02-23 2020-02-05 Renesas Electronics Corporation SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
JP6304700B2 (ja) * 2016-09-26 2018-04-04 株式会社パウデック 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器
JP2018107296A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN108574158B (zh) * 2017-03-14 2020-10-09 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
JP6768569B2 (ja) * 2017-03-21 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2022118876A (ja) 2021-02-03 2022-08-16 キオクシア株式会社 半導体装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770553B2 (ja) * 1988-09-26 1995-07-31 日本電気株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP3723232B2 (ja) * 1992-03-10 2005-12-07 シリコン システムズ インコーポレーテッド プローブ針調整ツール及びプローブ針調整法
JPH0634983A (ja) 1992-07-17 1994-02-10 Sharp Corp 貼合わせ装置
US6025640A (en) * 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device
JP3000975B2 (ja) * 1997-10-20 2000-01-17 富士通株式会社 半導体素子の実装構造
US6008532A (en) * 1997-10-23 1999-12-28 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package having bond fingers with alternate bonding areas
US6157085A (en) * 1998-04-07 2000-12-05 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor device for preventing exfoliation from occurring between a semiconductor chip and a resin substrate
US6373143B1 (en) * 1998-09-24 2002-04-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit having wirebond pads suitable for probing
TW410446B (en) * 1999-01-21 2000-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor package
US6348742B1 (en) * 1999-01-25 2002-02-19 Clear Logic, Inc. Sacrificial bond pads for laser configured integrated circuits
JP3718360B2 (ja) * 1999-02-09 2005-11-24 ローム株式会社 半導体装置
JP3437477B2 (ja) * 1999-02-10 2003-08-18 シャープ株式会社 配線基板および半導体装置
US6251694B1 (en) * 1999-05-26 2001-06-26 United Microelectronics Corp. Method of testing and packaging a semiconductor chip
US6285077B1 (en) * 1999-08-19 2001-09-04 Lsi Logic Corporation Multiple layer tape ball grid array package
JP2001144214A (ja) 1999-11-17 2001-05-25 Canon Inc 半導体装置およびその接合構造
JP4071914B2 (ja) * 2000-02-25 2008-04-02 沖電気工業株式会社 半導体素子及びこれを用いた半導体装置
US6291898B1 (en) * 2000-03-27 2001-09-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Ball grid array package
US6429532B1 (en) * 2000-05-09 2002-08-06 United Microelectronics Corp. Pad design
JP2001338955A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6541844B2 (en) * 2000-07-17 2003-04-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device having substrate with die-bonding area and wire-bonding areas
JP2002043356A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Nec Corp 半導体ウェーハ、半導体装置及びその製造方法
US6539341B1 (en) * 2000-11-06 2003-03-25 3Com Corporation Method and apparatus for log information management and reporting
US6538336B1 (en) * 2000-11-14 2003-03-25 Rambus Inc. Wirebond assembly for high-speed integrated circuits
US6417576B1 (en) * 2001-06-18 2002-07-09 Amkor Technology, Inc. Method and apparatus for attaching multiple metal components to integrated circuit modules
SG117395A1 (en) * 2001-08-29 2005-12-29 Micron Technology Inc Wire bonded microelectronic device assemblies and methods of manufacturing same
US6476506B1 (en) * 2001-09-28 2002-11-05 Motorola, Inc. Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor
TW510034B (en) * 2001-11-15 2002-11-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Ball grid array semiconductor package
US6621140B1 (en) * 2002-02-25 2003-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
US6844631B2 (en) * 2002-03-13 2005-01-18 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device having a bond pad and method therefor
TW531776B (en) * 2002-03-21 2003-05-11 Nanya Technology Corp Metal pad structure suitable for connection pad and inspection pad

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003338519A5 (ja)
KR100233863B1 (ko) 그리드 어레이형 리이드 프레임 및 이를 이용한 리이드 엔드 그리드 어레이 반도체 패키지
JP2000236040A5 (ja)
JP2004063767A5 (ja)
JP2010093109A5 (ja)
KR970063710A (ko) 반도체 장치
JP2010109206A5 (ja)
JP2003332513A5 (ja)
US9991227B2 (en) Bonding pad arrangement design for multi-die semiconductor package structure
JP2009194059A5 (ja)
US6836008B2 (en) Semiconductor packages with leadframe grid arrays and components
JP2005286126A5 (ja)
US10403605B2 (en) Semiconductor device including plural semiconductor chips
US8937392B2 (en) Semiconductor device
JP2003347491A5 (ja)
US7821112B2 (en) Semiconductor device with wire-bonding on multi-zigzag fingers
US8653381B2 (en) Wiring board comprising wirings arranged with crest and trough
JP2007134585A5 (ja)
JP2008177424A (ja) 半導体装置
KR20040069392A (ko) 적층형 반도체 멀티 칩 패키지
JPH0632366Y2 (ja) Ledヘッド
JP4402806B2 (ja) 半導体装置
JP3665609B2 (ja) 半導体装置及びその半導体装置を複数個実装した半導体装置ユニット
JP3648957B2 (ja) 半導体装置
KR970004617Y1 (ko) 하이 스피드용 볼 그리드 어레이 패키지