JP2003316295A - 陽光下で表示できるディスプレイの画素構造 - Google Patents
陽光下で表示できるディスプレイの画素構造Info
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 13
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000013001 matrix buffer Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽光下で表示できるディスプレイの画素構造
の提供。 【解決手段】 半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を
具え、ＴＦＴをスイッチとして用いて有機発光ダイオー
ドモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電
流残留の問題を解決し、両方のディスプレイ構造の長所
を保有する。有機発光ダイオードモードと液晶モードに
おけるデータ信号は異なる制御システムにより制御す
る。液晶材料と有機発光ダイオード材料をデータ信号が
近似となるよう適宜選択することにより、一つのデータ
ドライバを二つのモード間で共有できるようにする。
の提供。 【解決手段】 半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を
具え、ＴＦＴをスイッチとして用いて有機発光ダイオー
ドモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電
流残留の問題を解決し、両方のディスプレイ構造の長所
を保有する。有機発光ダイオードモードと液晶モードに
おけるデータ信号は異なる制御システムにより制御す
る。液晶材料と有機発光ダイオード材料をデータ信号が
近似となるよう適宜選択することにより、一つのデータ
ドライバを二つのモード間で共有できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機発光ダイオード
（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及び液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）に係り、さらに詳しくは、陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造に関する。
（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及び液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）に係り、さらに詳しくは、陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイは最も重要
な電気製品の一つとなっている。フラットパネルディス
プレイ中、有機発光ダイオードディスプレイは自己発
光、高い輝度効率、広い視角、快速な反応速度、高い信
頼性、フルカラー、低電圧駆動、低電力消費及び簡易な
構成という長所を有している。
な電気製品の一つとなっている。フラットパネルディス
プレイ中、有機発光ダイオードディスプレイは自己発
光、高い輝度効率、広い視角、快速な反応速度、高い信
頼性、フルカラー、低電圧駆動、低電力消費及び簡易な
構成という長所を有している。
【０００３】現在、パッシブドライブ（ｐａｓｓｉｖｅ
−ｄｒｉｖｅ）或いはアクティブドライブ（ａｃｔｉｖ
ｅ−ｄｒｉｖｅ）の有機発光ダイオードディスプレイ装
置の各種構造と製造方法が提供されている。伝統的なパ
ッシブドライブ有機発光ダイオードディスプレイ装置の
製造プロセスは簡単で製造コストは高くないが、製造さ
れたディスプレイ装置の解析度は十分には高くない。そ
れは小サイズで低解析度のディスプレイしか製造できな
い。反対に、アクティブドライブの有機発光ダイオード
ディスプレイ装置はＴＦＴを使用し高解析度、低電力消
費及び低電圧駆動の長所を有している。しかし、伝統的
な有機発光ダイオードの明状態の暗状態に対するコント
ラスト比は直射日光下では悪くなる。有機発光ダイオー
ドの明るさを増加することにより、より高いコントラス
ト比が得られるが電力消費も増加する。
−ｄｒｉｖｅ）或いはアクティブドライブ（ａｃｔｉｖ
ｅ−ｄｒｉｖｅ）の有機発光ダイオードディスプレイ装
置の各種構造と製造方法が提供されている。伝統的なパ
ッシブドライブ有機発光ダイオードディスプレイ装置の
製造プロセスは簡単で製造コストは高くないが、製造さ
れたディスプレイ装置の解析度は十分には高くない。そ
れは小サイズで低解析度のディスプレイしか製造できな
い。反対に、アクティブドライブの有機発光ダイオード
ディスプレイ装置はＴＦＴを使用し高解析度、低電力消
費及び低電圧駆動の長所を有している。しかし、伝統的
な有機発光ダイオードの明状態の暗状態に対するコント
ラスト比は直射日光下では悪くなる。有機発光ダイオー
ドの明るさを増加することにより、より高いコントラス
ト比が得られるが電力消費も増加する。
【０００４】最近、液晶ディスプレイパネルの市場は急
速に成長している。高品質の液晶ディスプレイはこのた
め製造されている。伝統的な反射式液晶ディスプレイは
直射日光下で読むことができる。しかし、弱い光線環境
下では正面光源を必要とし、画素品質は自己発光機能を
具えたバックライト光源を具えた液晶ディスプレイより
も悪い。
速に成長している。高品質の液晶ディスプレイはこのた
め製造されている。伝統的な反射式液晶ディスプレイは
直射日光下で読むことができる。しかし、弱い光線環境
下では正面光源を必要とし、画素品質は自己発光機能を
具えたバックライト光源を具えた液晶ディスプレイより
も悪い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ゆえに、高いコントラ
スト比、低電力消費、自己発光及び良好な画素品質を具
えた改良されたディスプレイが必要とされている。
スト比、低電力消費、自己発光及び良好な画素品質を具
えた改良されたディスプレイが必要とされている。
【０００６】本発明は上述の従来の有機発光ダイオード
ディスプレイ及び液晶ディスプレイの欠点を克服するた
めになされた。本発明の主要な目的は、陽光下で表示で
きるディスプレイの画素構造を提供することにある。本
発明によると、画素構造は半有機発光ダイオード構造及
び半反射式液晶ディスプレイ構造を結合して両方のディ
スプレイ構造の長所を有するようにする。
ディスプレイ及び液晶ディスプレイの欠点を克服するた
めになされた。本発明の主要な目的は、陽光下で表示で
きるディスプレイの画素構造を提供することにある。本
発明によると、画素構造は半有機発光ダイオード構造及
び半反射式液晶ディスプレイ構造を結合して両方のディ
スプレイ構造の長所を有するようにする。
【０００７】本発明によると、半反射式ＬＣＤ構造は、
ガラス基板、反射金属層、カラーフィルタ、液晶層、１
／４波膜及び偏光板を具えている。本発明の半ＯＬＥＤ
構造はガラス基板、該ガラス基板の上に形成されたブラ
ックマトリクス、ブラックマトリクスの上のバッファ
層、バッファ層の上に形成されてＴＦＴのソースとドレ
イン電極を画定するポリシリコン層を具えている。絶縁
層がポリシリコン層の上に形成され、絶縁層の上に金属
ゲート層が形成されてＴＦＴのゲート電極を画定する。
中間層がゲート層の上に形成され、コンタクトホールが
中間層に形成される。金属層が中間層を被覆し、第１不
動態化層（ａ ｆｉｒｓｔ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ
ｌａｙｅｒ）が該金属層の上に形成される。透明材料層
が第１不動態化層の一部の上に形成されアノード層を画
定し、ＯＬＥＤ材料層が透明材料層と第１不動態化層の
上に形成される。透明カソード層がＯＬＥＤ材料層の一
部の上に形成される。第２絶縁層が透明カソード層と第
１絶縁層を被覆するよう配置されて、ＩＴＯ画素電極層
が第２絶縁層の上に形成される。
ガラス基板、反射金属層、カラーフィルタ、液晶層、１
／４波膜及び偏光板を具えている。本発明の半ＯＬＥＤ
構造はガラス基板、該ガラス基板の上に形成されたブラ
ックマトリクス、ブラックマトリクスの上のバッファ
層、バッファ層の上に形成されてＴＦＴのソースとドレ
イン電極を画定するポリシリコン層を具えている。絶縁
層がポリシリコン層の上に形成され、絶縁層の上に金属
ゲート層が形成されてＴＦＴのゲート電極を画定する。
中間層がゲート層の上に形成され、コンタクトホールが
中間層に形成される。金属層が中間層を被覆し、第１不
動態化層（ａ ｆｉｒｓｔ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ
ｌａｙｅｒ）が該金属層の上に形成される。透明材料層
が第１不動態化層の一部の上に形成されアノード層を画
定し、ＯＬＥＤ材料層が透明材料層と第１不動態化層の
上に形成される。透明カソード層がＯＬＥＤ材料層の一
部の上に形成される。第２絶縁層が透明カソード層と第
１絶縁層を被覆するよう配置されて、ＩＴＯ画素電極層
が第２絶縁層の上に形成される。
【０００８】本発明は二つの好ましい実施例を提供す
る。第１の実施例において、反射金属層がカラーフィル
タの上に形成される。ディスプレイはディスプレイの光
路が下向きの時、有機発光ダイオードモードで操作され
る。有機発光モードにおいて、液晶層の液晶分子はノー
マルブラックモードで操作される。第２の好ましい実施
例において、反射金属層がＴＦＴ基板の上に形成され
る。ディスプレイは、ディスプレイの光路が上向きの
時、有機発光ダイオードモードで操作され液晶層の液晶
分子はノーマルホワイトモードで操作される。
る。第１の実施例において、反射金属層がカラーフィル
タの上に形成される。ディスプレイはディスプレイの光
路が下向きの時、有機発光ダイオードモードで操作され
る。有機発光モードにおいて、液晶層の液晶分子はノー
マルブラックモードで操作される。第２の好ましい実施
例において、反射金属層がＴＦＴ基板の上に形成され
る。ディスプレイは、ディスプレイの光路が上向きの
時、有機発光ダイオードモードで操作され液晶層の液晶
分子はノーマルホワイトモードで操作される。
【０００９】本発明によると、ＴＦＴが、有機発光ダイ
オードモードと液晶モードの間のクロストークの問題と
直流電流残留の問題を解決するスイッチとして使用され
る。
オードモードと液晶モードの間のクロストークの問題と
直流電流残留の問題を解決するスイッチとして使用され
る。
【００１０】さらに、ＴＦＴがディスプレイにおけるス
イッチとして使用されるために、有機発光ダイオードモ
ード及び液晶モードにおけるデータ信号は異なる制御シ
ステムにより制御され得る。液晶材料とＯＬＥＤ材料を
適宜選択することにより、データ信号の範囲が近似とな
り、たった一つのデータドライバのみが必要となる。こ
れによりデータドライバのコストを節約できる。
イッチとして使用されるために、有機発光ダイオードモ
ード及び液晶モードにおけるデータ信号は異なる制御シ
ステムにより制御され得る。液晶材料とＯＬＥＤ材料を
適宜選択することにより、データ信号の範囲が近似とな
り、たった一つのデータドライバのみが必要となる。こ
れによりデータドライバのコストを節約できる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、陽光
下で表示できるディスプレイの画素構造において、ソー
ス電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えた、第１Ｔ
ＦＴと、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具
え、そのゲート電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電
極に連接された、第２ＴＦＴと、第２ＴＦＴのゲート電
極に電気的に連接された一端を具えた、第１ストレージ
キャパシタと、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電
極を具え、そのドレイン電極が電気的に第１ＴＦＴのド
レイン電極に連接された、第３ＴＦＴと、第３ＴＦＴの
ソース電極に電気的に連接された一端と共用バスに連接
された他端を具え、液晶キャパシタとされた、第２スト
レージキャパシタと、第２ＴＦＴのドレイン電極に電気
的に連接され、半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を
具えた、有機発光ダイオードディスプレイ装置と、を具
え、第３ＴＦＴがオフ状態の時、ディスプレイが有機発
光ダイオードモードとされ、第３ＴＦＴがオン状態の
時、ディスプレイがオフ状態とされることを特徴とす
る、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造として
いる。請求項２の発明は、請求項１に記載の陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造において、第１ストレ
ージキャパシタがパワーサプライバスに電気的に連接さ
れるか接地する別端を具えたことを特徴とする、陽光下
で表示できるディスプレイの画素構造としている。請求
項３の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、第２ＴＦＴが有機発光
ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するアクティ
ブドライブ装置とされたことを特徴とする、陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造としている。請求項４
の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造において、第３ＴＦＴのソース電極と
ドレイン電極の領域がＰ+ 型或いはＮ + 型ドーパントを
有し、第２ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域が
Ｐ+ 型ドーパントを有することを特徴とする、陽光下で
表示できるディスプレイの画素構造としている。請求項
５の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディ
スプレイ装置が有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイ
オード、或いはポリマーライティングエミッションディ
スプレイを含むことを特徴とする、陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造としている。請求項６の発明
は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイ
の画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ
装置が、上面と底面を具えた下ガラス基板と、該下ガラ
ス基板の下に形成された１／４波膜と、該下ガラス基板
の上面の上に形成されたブラックマトリクスと、該ブラ
ックマトリクスと該下ガラス基板の上面の上に形成され
たバッファ層と、該バッファ層の上に形成されて第３Ｔ
ＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリ
コン層と、該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層
と、該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲ
ート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシ
タの一つの対極の領域を画定するゲート層と、該ゲート
層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタク
トホールを具えた中間層と、該中間層の上に形成された
金属層と、該金属層を被覆する第１不動態化層と、該第
１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦ
Ｔのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層
と、該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の
上に形成された有機発光ダイオード材料層と、該有機発
光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層
と、該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２
不動態化層と、該第２不動態化層の上に形成されて第３
ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、上面
と底面を具えた上ガラス基板と、該上ガラス基板の下に
形成された反射金属層と、該反射金属層の下に形成され
たカラーフィルタと、該カラーフィルタと該画素電極層
の間に配置された液晶層と、を具えたことを特徴とす
る、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造として
いる。請求項７の発明は、請求項６に記載の陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層
が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示
できるディスプレイの画素構造としている。請求項８の
発明は、請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプ
レイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプ
レイ装置がオン状態の時、有機発光ダイオード層の光路
が下向きで、液晶層の液晶分子がノーマリブラックモー
ドで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置が
オフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が
透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴
とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造と
している。請求項９の発明は、請求項１に記載の陽光下
で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発
光ダイオードディスプレイ装置が、下ガラス基板と、該
下ガラス基板の上に形成された反射金属層と、該反射金
属層の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上
に形成されて第２及び第３ＴＦＴのソース及びドレイン
電極領域を画定するポリシリコン層と、該ポリシリコン
層の上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され
て第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共
に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定
するゲート層と、該ゲート層と該ポリシリコン層の上に
形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、該金属層と該中間
層を被覆する第１不動態化層と、該第１不動態化層の一
部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極
に連接された透明材料のアノード層と、該透明材料のア
ノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機
発光ダイオード材料層と、該有機発光ダイオード材料層
の上に形成された透明カソード層と、該透明カソード層
と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、該第２
不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極
に連接された画素電極層と、上面と底面を具えた上ガラ
ス基板と、該上ガラス基板の底面の下に形成されたカラ
ーフィルタと、該カラーフィルタの下に形成された透明
電極層と、該上ガラス基板の上面の上に形成された１／
４波膜と、該１／４波膜の上に形成された偏光板と、該
透明電極層と該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造としている。請求項１０の発明は、請
求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素
構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを
特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構
造としている。請求項１１の発明は、請求項９に記載の
陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、
有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、
液晶層の光路が上向きで、液晶層が透明で該液晶層の液
晶分子がノーマリホワイトモードで操作され、有機発光
ダイオードディスプレイ装置がオフの時、有機発光ダイ
オードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正
常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造としている。
下で表示できるディスプレイの画素構造において、ソー
ス電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えた、第１Ｔ
ＦＴと、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具
え、そのゲート電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電
極に連接された、第２ＴＦＴと、第２ＴＦＴのゲート電
極に電気的に連接された一端を具えた、第１ストレージ
キャパシタと、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電
極を具え、そのドレイン電極が電気的に第１ＴＦＴのド
レイン電極に連接された、第３ＴＦＴと、第３ＴＦＴの
ソース電極に電気的に連接された一端と共用バスに連接
された他端を具え、液晶キャパシタとされた、第２スト
レージキャパシタと、第２ＴＦＴのドレイン電極に電気
的に連接され、半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を
具えた、有機発光ダイオードディスプレイ装置と、を具
え、第３ＴＦＴがオフ状態の時、ディスプレイが有機発
光ダイオードモードとされ、第３ＴＦＴがオン状態の
時、ディスプレイがオフ状態とされることを特徴とす
る、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造として
いる。請求項２の発明は、請求項１に記載の陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造において、第１ストレ
ージキャパシタがパワーサプライバスに電気的に連接さ
れるか接地する別端を具えたことを特徴とする、陽光下
で表示できるディスプレイの画素構造としている。請求
項３の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、第２ＴＦＴが有機発光
ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するアクティ
ブドライブ装置とされたことを特徴とする、陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造としている。請求項４
の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造において、第３ＴＦＴのソース電極と
ドレイン電極の領域がＰ+ 型或いはＮ + 型ドーパントを
有し、第２ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域が
Ｐ+ 型ドーパントを有することを特徴とする、陽光下で
表示できるディスプレイの画素構造としている。請求項
５の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディ
スプレイ装置が有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイ
オード、或いはポリマーライティングエミッションディ
スプレイを含むことを特徴とする、陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造としている。請求項６の発明
は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイ
の画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ
装置が、上面と底面を具えた下ガラス基板と、該下ガラ
ス基板の下に形成された１／４波膜と、該下ガラス基板
の上面の上に形成されたブラックマトリクスと、該ブラ
ックマトリクスと該下ガラス基板の上面の上に形成され
たバッファ層と、該バッファ層の上に形成されて第３Ｔ
ＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリ
コン層と、該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層
と、該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲ
ート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシ
タの一つの対極の領域を画定するゲート層と、該ゲート
層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタク
トホールを具えた中間層と、該中間層の上に形成された
金属層と、該金属層を被覆する第１不動態化層と、該第
１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦ
Ｔのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層
と、該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の
上に形成された有機発光ダイオード材料層と、該有機発
光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層
と、該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２
不動態化層と、該第２不動態化層の上に形成されて第３
ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、上面
と底面を具えた上ガラス基板と、該上ガラス基板の下に
形成された反射金属層と、該反射金属層の下に形成され
たカラーフィルタと、該カラーフィルタと該画素電極層
の間に配置された液晶層と、を具えたことを特徴とす
る、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造として
いる。請求項７の発明は、請求項６に記載の陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層
が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示
できるディスプレイの画素構造としている。請求項８の
発明は、請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプ
レイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプ
レイ装置がオン状態の時、有機発光ダイオード層の光路
が下向きで、液晶層の液晶分子がノーマリブラックモー
ドで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置が
オフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が
透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴
とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造と
している。請求項９の発明は、請求項１に記載の陽光下
で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発
光ダイオードディスプレイ装置が、下ガラス基板と、該
下ガラス基板の上に形成された反射金属層と、該反射金
属層の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上
に形成されて第２及び第３ＴＦＴのソース及びドレイン
電極領域を画定するポリシリコン層と、該ポリシリコン
層の上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され
て第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共
に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定
するゲート層と、該ゲート層と該ポリシリコン層の上に
形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、該金属層と該中間
層を被覆する第１不動態化層と、該第１不動態化層の一
部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極
に連接された透明材料のアノード層と、該透明材料のア
ノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機
発光ダイオード材料層と、該有機発光ダイオード材料層
の上に形成された透明カソード層と、該透明カソード層
と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、該第２
不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極
に連接された画素電極層と、上面と底面を具えた上ガラ
ス基板と、該上ガラス基板の底面の下に形成されたカラ
ーフィルタと、該カラーフィルタの下に形成された透明
電極層と、該上ガラス基板の上面の上に形成された１／
４波膜と、該１／４波膜の上に形成された偏光板と、該
透明電極層と該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造としている。請求項１０の発明は、請
求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素
構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを
特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構
造としている。請求項１１の発明は、請求項９に記載の
陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、
有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、
液晶層の光路が上向きで、液晶層が透明で該液晶層の液
晶分子がノーマリホワイトモードで操作され、有機発光
ダイオードディスプレイ装置がオフの時、有機発光ダイ
オードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正
常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の、ストレージキャ
パシタＣS がパワーサプライバスＶDDに連接された、有
機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図であ
る。図１に示されるように、有機発光ダイオードモード
における単一画素の回路は二つのＴＦＴ Ｔ1 及びＴ
2 、ストレージキャパシタＣS 、液晶キャパシタＣlc、
有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１及びＴＦＴ
Ｔ3 を具えている。有機発光ダイオードディスプレイ
装置１０１はＴＦＴ Ｔ2 に連接されている。
パシタＣS がパワーサプライバスＶDDに連接された、有
機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図であ
る。図１に示されるように、有機発光ダイオードモード
における単一画素の回路は二つのＴＦＴ Ｔ1 及びＴ
2 、ストレージキャパシタＣS 、液晶キャパシタＣlc、
有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１及びＴＦＴ
Ｔ3 を具えている。有機発光ダイオードディスプレイ
装置１０１はＴＦＴ Ｔ2 に連接されている。
【００１３】ＴＦＴ Ｔ1 、Ｔ2 及びＴ3 はそれぞれソ
ース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えている。
ＴＦＴ Ｔ1 のゲート電極はゲート線１０３の部分を具
えている。ＴＦＴ Ｔ1 のソース電極は電気的にデータ
線１０５に連接され、ドレイン電極は電気的にＴＦＴ
Ｔ2 のゲート電極に連接されている。ＴＦＴ Ｔ2 のゲ
ート電極もまた電気的にストレージキャパシタＣS の一
端に連接されている。有機発光ダイオードディスプレイ
装置１０１は電気的にＴＦＴ Ｔ2 のドレイン電極に連
接されている。有機発光ダイオードディスプレイ装置１
０１及びＴＦＴＴ2 は直列に連接されている。ストレー
ジキャパシタＣS 及びＴＦＴ Ｔ1 もまた直列に連接さ
れている。ストレージキャパシタＣS の他端はパワーサ
プライバスＶDDに連接されている。
ース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えている。
ＴＦＴ Ｔ1 のゲート電極はゲート線１０３の部分を具
えている。ＴＦＴ Ｔ1 のソース電極は電気的にデータ
線１０５に連接され、ドレイン電極は電気的にＴＦＴ
Ｔ2 のゲート電極に連接されている。ＴＦＴ Ｔ2 のゲ
ート電極もまた電気的にストレージキャパシタＣS の一
端に連接されている。有機発光ダイオードディスプレイ
装置１０１は電気的にＴＦＴ Ｔ2 のドレイン電極に連
接されている。有機発光ダイオードディスプレイ装置１
０１及びＴＦＴＴ2 は直列に連接されている。ストレー
ジキャパシタＣS 及びＴＦＴ Ｔ1 もまた直列に連接さ
れている。ストレージキャパシタＣS の他端はパワーサ
プライバスＶDDに連接されている。
【００１４】ＴＦＴ Ｔ3 のソース電極は電気的にＴＦ
Ｔ Ｔ1 のドレイン電極に連接され、ドレイン電極は電
気的に液晶キャパシタＣlcに連接されている。ＴＦＴ
Ｔ3は有機発光ダイオードディスプレイモードと液晶モ
ード間のクロストークの問題と直流電流残留問題を解決
するスイッチとして使用される。有機発光ダイオードモ
ードにおいて、ＴＦＴ Ｔ3 はオフ状態で、液晶キャパ
シタＣlcの他端は共用バスＶcom に連接されている。
Ｔ Ｔ1 のドレイン電極に連接され、ドレイン電極は電
気的に液晶キャパシタＣlcに連接されている。ＴＦＴ
Ｔ3は有機発光ダイオードディスプレイモードと液晶モ
ード間のクロストークの問題と直流電流残留問題を解決
するスイッチとして使用される。有機発光ダイオードモ
ードにおいて、ＴＦＴ Ｔ3 はオフ状態で、液晶キャパ
シタＣlcの他端は共用バスＶcom に連接されている。
【００１５】図２は本発明の、ストレージキャパシタＣ
S が接地された、有機発光ダイオードモードにおける単
一画素の回路図である。図１と図２の違いはストレージ
キャパシタＣS の連接である。
S が接地された、有機発光ダイオードモードにおける単
一画素の回路図である。図１と図２の違いはストレージ
キャパシタＣS の連接である。
【００１６】上述したように、本発明は半ＯＬＥＤ構造
と半反射式ＬＣＤ構造を結合している。ゆえに、本発明
のディスプレイが反射式液晶モードにある時、ＴＦＴ
Ｔ3はオン状態にありパワーサプライＶDDは接地され
る。図３及び図４はそれぞれ図１及び図２の液晶モード
における単一画素の等価回路図である。この設計は本発
明がＴＦＴを有機発光ダイオードディスプレイモードと
液晶モード間のクロストークの問題と直流電流残留問題
を解決するスイッチとして使用し、尚も両方のディスプ
レイ構造の長所を有することを説明する。
と半反射式ＬＣＤ構造を結合している。ゆえに、本発明
のディスプレイが反射式液晶モードにある時、ＴＦＴ
Ｔ3はオン状態にありパワーサプライＶDDは接地され
る。図３及び図４はそれぞれ図１及び図２の液晶モード
における単一画素の等価回路図である。この設計は本発
明がＴＦＴを有機発光ダイオードディスプレイモードと
液晶モード間のクロストークの問題と直流電流残留問題
を解決するスイッチとして使用し、尚も両方のディスプ
レイ構造の長所を有することを説明する。
【００１７】図５は本発明の、陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造の第１実施例の断面図である。図５
に示されるように、半ＯＬＥＤ構造３００２は半反射式
ＬＣＤ構造内に含まれる。半ＯＬＥＤ構造３００２は、
下から上に、上面と底面を具えたガラス基板３２１、該
ガラス基板３２１の上面の上及びＴＦＴ Ｔ2 及びＴ 3
の下のブラックマトリクス３２３、ブラックマトリクス
３２３の上及びガラス基板３２１の上面の上のバッファ
層３２５、バッファ層３２５の上にあってＴＦＴ Ｔ2
のソース及びドレイン電極領域及びＴＦＴ Ｔ3 のソー
ス及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層３２
７を具えている。絶縁層３２９がポリシリコン層３２７
の上に形成され、ゲート層３３１が金属材料で絶縁層３
２９の上に形成されてＴＦＴ Ｔ2 及びＴＦＴ Ｔ3 の
ゲート電極及びストレージキャパシタＣS の一つの対極
の領域を画定している。
スプレイの画素構造の第１実施例の断面図である。図５
に示されるように、半ＯＬＥＤ構造３００２は半反射式
ＬＣＤ構造内に含まれる。半ＯＬＥＤ構造３００２は、
下から上に、上面と底面を具えたガラス基板３２１、該
ガラス基板３２１の上面の上及びＴＦＴ Ｔ2 及びＴ 3
の下のブラックマトリクス３２３、ブラックマトリクス
３２３の上及びガラス基板３２１の上面の上のバッファ
層３２５、バッファ層３２５の上にあってＴＦＴ Ｔ2
のソース及びドレイン電極領域及びＴＦＴ Ｔ3 のソー
ス及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層３２
７を具えている。絶縁層３２９がポリシリコン層３２７
の上に形成され、ゲート層３３１が金属材料で絶縁層３
２９の上に形成されてＴＦＴ Ｔ2 及びＴＦＴ Ｔ3 の
ゲート電極及びストレージキャパシタＣS の一つの対極
の領域を画定している。
【００１８】中間層３３３がゲート層３３１の上に形成
され、金属層３３５が中間層３３３を被覆している。コ
ンタクトホールが中間層３３３に形成されて金属層３３
５とゲート層３３１をポリシリコン層３２７と同様に連
接する。第１不動態化層（ｆｉｒｓｔ ｐａｓｓｉｖａ
ｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）３３７が先ずホトレジスト或い
は非ホトレジスト材料で形成され、それから第１不動態
化層３３７の一部がホトリソグラフィープロセスでエッ
チングされてＴＦＴ Ｔ2 のドレイン電極領域を画定す
る。透明材料層３３９、例えばＩＴＯが第１不動態化層
３３７の一部の上に形成されてＴＦＴ Ｔ2 のドレイン
電極に電気的に連接されるアノード層を画定する。ＯＬ
ＥＤ材料層３４１が透明材料層３３９と第１不動態化層
３３７の上に形成され、透明カソード層３４３がＯＬＥ
Ｄ材料層３４１の一部の上に形成される。第２不動態化
層３３８が第１不動態化層３３７と透明カソード層３４
３を被覆するよう配置され、ＩＴＯ画素電極層３４５が
第２不動態化層３３８の上に形成される。ＩＴＯ画素電
極層３４５は電気的にＴＦＴ Ｔ3 のドレイン電極に連
接されている。
され、金属層３３５が中間層３３３を被覆している。コ
ンタクトホールが中間層３３３に形成されて金属層３３
５とゲート層３３１をポリシリコン層３２７と同様に連
接する。第１不動態化層（ｆｉｒｓｔ ｐａｓｓｉｖａ
ｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）３３７が先ずホトレジスト或い
は非ホトレジスト材料で形成され、それから第１不動態
化層３３７の一部がホトリソグラフィープロセスでエッ
チングされてＴＦＴ Ｔ2 のドレイン電極領域を画定す
る。透明材料層３３９、例えばＩＴＯが第１不動態化層
３３７の一部の上に形成されてＴＦＴ Ｔ2 のドレイン
電極に電気的に連接されるアノード層を画定する。ＯＬ
ＥＤ材料層３４１が透明材料層３３９と第１不動態化層
３３７の上に形成され、透明カソード層３４３がＯＬＥ
Ｄ材料層３４１の一部の上に形成される。第２不動態化
層３３８が第１不動態化層３３７と透明カソード層３４
３を被覆するよう配置され、ＩＴＯ画素電極層３４５が
第２不動態化層３３８の上に形成される。ＩＴＯ画素電
極層３４５は電気的にＴＦＴ Ｔ3 のドレイン電極に連
接されている。
【００１９】半反射式ＬＣＤ構造は偏光板３１９、該偏
光板３１９の上及び半ＯＬＥＤ構造３００２のガラス基
板３２１の底面の下に形成された１／４波膜３１７を具
えている。液晶層３１５が半ＯＬＥＤ構造３００２のＩ
ＴＯ画素電極層３４５の上に配置され、カラーフィルタ
３１３が液晶層３１５の上に形成されている。カラーフ
ィルタ３１３はガラス基板３１１の底面の下に形成され
た反射金属層３１２の下に形成される。
光板３１９の上及び半ＯＬＥＤ構造３００２のガラス基
板３２１の底面の下に形成された１／４波膜３１７を具
えている。液晶層３１５が半ＯＬＥＤ構造３００２のＩ
ＴＯ画素電極層３４５の上に配置され、カラーフィルタ
３１３が液晶層３１５の上に形成されている。カラーフ
ィルタ３１３はガラス基板３１１の底面の下に形成され
た反射金属層３１２の下に形成される。
【００２０】こうして、本発明は半ＯＬＥＤ構造と半反
射式ＬＣＤ構造を結合して陽光下で表示できるディスプ
レイの画素構造を形成する。第１の好ましい実施例にお
いて、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態
の時、光路３５０は下向きで液晶層３１５の液晶分子は
ノーマリブラックモード（ｎｏｒｍａｌｌｙ ｂｌａｃ
ｋ ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光ダイオードディ
スプレイ装置がオフ状態の時、該有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置は透明となり、液晶分子が正常に操作さ
れる。
射式ＬＣＤ構造を結合して陽光下で表示できるディスプ
レイの画素構造を形成する。第１の好ましい実施例にお
いて、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態
の時、光路３５０は下向きで液晶層３１５の液晶分子は
ノーマリブラックモード（ｎｏｒｍａｌｌｙ ｂｌａｃ
ｋ ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光ダイオードディ
スプレイ装置がオフ状態の時、該有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置は透明となり、液晶分子が正常に操作さ
れる。
【００２１】図６は本発明の、陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造の第２実施例の断面図である。図６
に示されるように、１／４波膜４１７及び偏光板４１９
が半反射式ＬＣＤ構造のガラス基板３１１の上に形成さ
れる。反射金属層４１２がバッファ層３２５と半ＯＬＥ
Ｄ構造の上面の間に形成される。第１実施例中のブラッ
クマトリクス３２３は除去され、ＩＴＯのような透明電
極層４４５が液晶層３１５とカラーフィルタ３１３の間
に配置される。
スプレイの画素構造の第２実施例の断面図である。図６
に示されるように、１／４波膜４１７及び偏光板４１９
が半反射式ＬＣＤ構造のガラス基板３１１の上に形成さ
れる。反射金属層４１２がバッファ層３２５と半ＯＬＥ
Ｄ構造の上面の間に形成される。第１実施例中のブラッ
クマトリクス３２３は除去され、ＩＴＯのような透明電
極層４４５が液晶層３１５とカラーフィルタ３１３の間
に配置される。
【００２２】第２実施例もまた半ＯＬＥＤ構造と半反射
式ＬＣＤ構造を結合し、陽光下で表示できるディスプレ
イの別の画素構造を形成している。この実施例では、有
機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、光
路４５０は上向きで、液層層３１５は透明で液層層３１
５の液晶分子はノーマリホワイトモード（ｎｏｒｍａｌ
ｌｙ ｗｈｉｔｅ ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光
ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、有機発光
ダイオードディスプレイ装置は透明で液晶分子は正常に
操作される。
式ＬＣＤ構造を結合し、陽光下で表示できるディスプレ
イの別の画素構造を形成している。この実施例では、有
機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、光
路４５０は上向きで、液層層３１５は透明で液層層３１
５の液晶分子はノーマリホワイトモード（ｎｏｒｍａｌ
ｌｙ ｗｈｉｔｅ ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光
ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、有機発光
ダイオードディスプレイ装置は透明で液晶分子は正常に
操作される。
【００２３】本発明の好ましい実施例中、ＴＦＴ Ｔ2
のソース電極とドレイン電極はＰ+型ドーパントをイオ
ン注入した後で形成される。ＴＦＴ Ｔ2 は有機発光ダ
イオードディスプレイ装置に電流を供給するのに用いら
れアクティブドライブ装置として供される。ＴＦＴ Ｔ
3 のソース電極とドレイン電極領域がＰ+ 型或いはＮ +
型ドーパントをイオン注入した後で形成される。ＴＦＴ
Ｔ3 はスイッチとして用いられ、有機発光ダイオード
モードと液晶モードの間のクロストークの問題と直流電
流残留の問題を解決する。
のソース電極とドレイン電極はＰ+型ドーパントをイオ
ン注入した後で形成される。ＴＦＴ Ｔ2 は有機発光ダ
イオードディスプレイ装置に電流を供給するのに用いら
れアクティブドライブ装置として供される。ＴＦＴ Ｔ
3 のソース電極とドレイン電極領域がＰ+ 型或いはＮ +
型ドーパントをイオン注入した後で形成される。ＴＦＴ
Ｔ3 はスイッチとして用いられ、有機発光ダイオード
モードと液晶モードの間のクロストークの問題と直流電
流残留の問題を解決する。
【００２４】有機発光ダイオードは赤、緑、青或いは白
色ＯＬＥＤ、ポリマー発光ダイオード、ポリマーライテ
ィングエミッションディスプレイ（ＰＬＥＤ）とされう
る。不動態化層の材料はホトレジスト或いは非ホトレジ
スト材料とされうる。ブラックマトリクスは金属層、例
えばクロム金属層、酸化クロム（ＣｒＯｘ）層、或いは
ブラックレジンとされうる。反射金属層はアルミニウム
或いは銀金属層とされうる。
色ＯＬＥＤ、ポリマー発光ダイオード、ポリマーライテ
ィングエミッションディスプレイ（ＰＬＥＤ）とされう
る。不動態化層の材料はホトレジスト或いは非ホトレジ
スト材料とされうる。ブラックマトリクスは金属層、例
えばクロム金属層、酸化クロム（ＣｒＯｘ）層、或いは
ブラックレジンとされうる。反射金属層はアルミニウム
或いは銀金属層とされうる。
【００２５】有機発光ダイオードモード或いは液晶モー
ドにおけるガンマ曲線に関する問題は、ＴＦＴ Ｔ3 が
スイッチとして使用されたことにより異なる制御システ
ムにより制御される二つのモードでのデータを有するこ
とにより解決できる。液晶材料と有機発光ダイオード材
料をデータ信号が近似となるように適当に選択すること
により、一つのデータドライバを二つのモード間で共有
できる。ゆえにデータドライバにかかるコストを減らす
ことができる。
ドにおけるガンマ曲線に関する問題は、ＴＦＴ Ｔ3 が
スイッチとして使用されたことにより異なる制御システ
ムにより制御される二つのモードでのデータを有するこ
とにより解決できる。液晶材料と有機発光ダイオード材
料をデータ信号が近似となるように適当に選択すること
により、一つのデータドライバを二つのモード間で共有
できる。ゆえにデータドライバにかかるコストを減らす
ことができる。
【００２６】
【発明の効果】総合すると、本発明は半ＯＬＥＤ構造と
半反射式ＬＣＤ構造を結合して直射日光下で読み取れ、
高いコントラスト比、低電力消費、自己発光及び良好な
画素品質の長所を有するディスプレイを形成する。本発
明はＴＦＴをスイッチとして使用して有機発光ダイオー
ドモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電
流残留問題を解決すると共に、両方のディスプレイ構造
の長所を保留する。
半反射式ＬＣＤ構造を結合して直射日光下で読み取れ、
高いコントラスト比、低電力消費、自己発光及び良好な
画素品質の長所を有するディスプレイを形成する。本発
明はＴＦＴをスイッチとして使用して有機発光ダイオー
ドモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電
流残留問題を解決すると共に、両方のディスプレイ構造
の長所を保留する。
【００２７】本発明は以上の好ましい実施例で説明され
るが、これは本発明の実施範囲を限定するものではな
く、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、
いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
るが、これは本発明の実施範囲を限定するものではな
く、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、
いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図１】本発明の、ストレージキャパシタがパワーサプ
ライバスＶDDに連接された、有機発光ダイオードモード
における単一画素の回路図である。
ライバスＶDDに連接された、有機発光ダイオードモード
における単一画素の回路図である。
【図２】本発明の、ストレージキャパシタが接地され
た、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路
図である。
た、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路
図である。
【図３】本発明の、ＴＦＴ Ｔ3 がオン状態で単一画素
が液晶モードにある時の図１の等価回路図である。
が液晶モードにある時の図１の等価回路図である。
【図４】本発明の、ＴＦＴ Ｔ3 がオン状態で単一画素
が液晶モードにある時の図２の等価回路図である。
が液晶モードにある時の図２の等価回路図である。
【図５】本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの
画素構造の第１実施例の断面図である。
画素構造の第１実施例の断面図である。
【図６】本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの
画素構造の第２実施例の断面図である。
画素構造の第２実施例の断面図である。
ＣS ストレージキャパシタ
ＶDD パワーサプライバス
Ｃlc 液晶キャパシタ
１０１ 有機発光ダイオードディスプレイ装置
１０３ ゲート線
１０５ データ線
３００２ 半ＯＬＥＤ構造
３１１ ガラス基板
３１２ 反射金属層
３１３ カラーフィルタ
３１５ 液晶層
３１７ １／４波膜
３１９ 偏光板
３２１ ガラス基板
３２３ ブラックマトリクス
３２５ バッファ層
３２７ ポリシリコン層
３２９ 絶縁層
３３１ ゲート層
３３３ 中間層
３３５ 金属層
３３７ 第１不動態化層
３３８ 第２不動態化層
３３９ 透明材料層
３４１ ＯＬＥＤ材料層
３４３ 透明カソード層
３４５ ＩＴＯ画素電極層
４１２ 反射金属層
４１７ １／４波膜
４１９ 偏光板
４４５ 透明電極層
４５０ 光路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０
1/13357 1/13357
1/1368 1/1368
Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35
Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/02
33/12 33/12 Ｅ
33/14 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Y FA45Y FD04
FD05 GA11 LA13
2H092 JA24 JA37 JA41 JB63 NA25
PA08 PA12 PA13
3K007 AB05 AB11 AB17 BA00 BA06
BB06 BB07 CB01 DB03 GA04
5C094 AA01 AA07 AA08 AA09 AA15
AA22 AA52 AA56 BA03 BA07
BA08 BA12 BA27 BA43 CA19
CA24 DA02 DA03 DA13 DB04
EA04 EA05 EA06 EB02 EB04
ED03 ED12 ED14 ED15 FA01
FA02 FB01 FB20
Claims (11)
- 【請求項１】 陽光下で表示できるディスプレイの画素
構造において、 ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えた、第
１ＴＦＴと、 ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、その
ゲート電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連接
された、第２ＴＦＴと、 第２ＴＦＴのゲート電極に電気的に連接された一端を具
えた、第１ストレージキャパシタと、 ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、その
ドレイン電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連
接された、第３ＴＦＴと、 第３ＴＦＴのソース電極に電気的に連接された一端と共
用バスに連接された他端を具え、液晶キャパシタとされ
た、第２ストレージキャパシタと、 第２ＴＦＴのドレイン電極に電気的に連接され、半ＯＬ
ＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を具えた、有機発光ダイ
オードディスプレイ装置と、 を具え、第３ＴＦＴがオフ状態の時、ディスプレイが有
機発光ダイオードモードとされ、第３ＴＦＴがオン状態
の時、ディスプレイがオフ状態とされることを特徴とす
る、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、第１ストレージキャパ
シタがパワーサプライバスに電気的に連接されるか接地
する別端を具えたことを特徴とする、陽光下で表示でき
るディスプレイの画素構造。 - 【請求項３】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、第２ＴＦＴが有機発光
ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するアクティ
ブドライブ装置とされたことを特徴とする、陽光下で表
示できるディスプレイの画素構造。 - 【請求項４】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、第３ＴＦＴのソース電
極とドレイン電極の領域がＰ+ 型或いはＮ+型ドーパン
トを有し、第２ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領
域がＰ+ 型ドーパントを有することを特徴とする、陽光
下で表示できるディスプレイの画素構造。 - 【請求項５】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置が有機発光ダイオード、ポリマー発光ダ
イオード、或いはポリマーライティングエミッションデ
ィスプレイを含むことを特徴とする、陽光下で表示でき
るディスプレイの画素構造。 - 【請求項６】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置が、 上面と底面を具えた下ガラス基板と、 該下ガラス基板の下に形成された１／４波膜と、 該下ガラス基板の上面の上に形成されたブラックマトリ
クスと、 該ブラックマトリクスと該下ガラス基板の上面の上に形
成されたバッファ層と、 該バッファ層の上に形成されて第３ＴＦＴのソース及び
ドレイン電極領域を画定するポリシリコン層と、 該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、 該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート
電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの
一つの対極の領域を画定するゲート層と、 該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数の
コンタクトホールを具えた中間層と、 該中間層の上に形成された金属層と、 該金属層を被覆する第１不動態化層と、 該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２
ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード
層と、 該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に
形成された有機発光ダイオード材料層と、 該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソ
ード層と、 該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動
態化層と、 該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイ
ン電極に連接された画素電極層と、 上面と底面を具えた上ガラス基板と、 該上ガラス基板の下に形成された反射金属層と、 該反射金属層の下に形成されたカラーフィルタと、 該カラーフィルタと該画素電極層の間に配置された液晶
層と、 を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造。 - 【請求項７】 請求項６に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電極
層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディ
スプレイの画素構造。 - 【請求項８】 請求項６に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置がオン状態の時、有機発光ダイオード層
の光路が下向きで、液晶層の液晶分子がノーマリブラッ
クモードで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ
装置がオフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ
装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されること
を特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素
構造。 - 【請求項９】 請求項１に記載の陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードデ
ィスプレイ装置が、 下ガラス基板と、 該下ガラス基板の上に形成された反射金属層と、 該反射金属層の上に形成されたバッファ層と、 該バッファ層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのソ
ース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層
と、 該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、 該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート
電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの
一つの対極の領域を画定するゲート層と、 該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数の
コンタクトホールを具えた中間層と、 該中間層の上に形成された金属層と、 該金属層と該中間層を被覆する第１不動態化層と、 該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２
ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード
層と、 該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に
形成された有機発光ダイオード材料層と、 該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソ
ード層と、 該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動
態化層と、 該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイ
ン電極に連接された画素電極層と、 上面と底面を具えた上ガラス基板と、 該上ガラス基板の底面の下に形成されたカラーフィルタ
と、 該カラーフィルタの下に形成された透明電極層と、 該上ガラス基板の上面の上に形成された１／４波膜と、 該１／４波膜の上に形成された偏光板と、 該透明電極層と該画素電極層の間に配置された液晶層
と、 を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディス
プレイの画素構造。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電
極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるデ
ィスプレイの画素構造。 - 【請求項１１】 請求項９に記載の陽光下で表示できる
ディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオード
ディスプレイ装置がオン状態の時、液晶層の光路が上向
きで、液晶層が透明で該液晶層の液晶分子がノーマリホ
ワイトモードで操作され、有機発光ダイオードディスプ
レイ装置がオフの時、有機発光ダイオードディスプレイ
装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されること
を特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素
構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW091107688 | 2002-04-16 | ||
| TW091107688A TW544944B (en) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | Pixel element structure of sunlight-readable display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003316295A true JP2003316295A (ja) | 2003-11-07 |
| JP3653510B2 JP3653510B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=28788620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002187526A Expired - Fee Related JP3653510B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-06-27 | 陽光下で表示できるディスプレイの画素構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6714268B2 (ja) |
| JP (1) | JP3653510B2 (ja) |
| TW (1) | TW544944B (ja) |
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| JP2015072459A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ装置 |
| CN104834117A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制作方法 |
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| US9851820B2 (en) | 2015-04-13 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising a first transistor and a second transistor wherein an insulating film is located between a first display element and a conductive film |
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| JP2018013771A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法 |
| JP2018060203A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| US9964800B2 (en) | 2015-11-11 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US9977285B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW544944B (en) | 2003-08-01 |
| US6714268B2 (en) | 2004-03-30 |
| US20030193457A1 (en) | 2003-10-16 |
| JP3653510B2 (ja) | 2005-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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