JP2018013771A - 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1〜図12を用いて説明する。
図4は、表示装置300の斜視概略図である。表示装置300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図4では、基板361を破線で明示している。
図6に示す表示装置300Aは、トランジスタ201、トランジスタ203、トランジスタ205、及びトランジスタ206を有さず、トランジスタ281、トランジスタ284、トランジスタ285、及びトランジスタ286を有する点で、主に表示装置300と異なる。
図7(A)に表示装置300Bの表示部の断面図を示す。
図7(B)に示す表示装置300Cは、EL層192が塗り分けられて(発光素子170ごとにEL層192が区分して設けられて)おり、かつ着色層134を有さない点で、表示装置300Bと異なる。その他の構成については、表示装置300Bと同様のため、詳細な説明を省略する。
以下では、図5に示す表示装置300の作製方法の一例について説明する。図9〜図12では特に表示装置300の表示部362に着目して、作製方法を説明する。なお、図9〜図12ではトランジスタ203の図示を省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1、図4、及び図13〜図18を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図19〜図22を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した表示装置の、より具体的な構成例について図23〜図25を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュール及び電子機器について説明する。
C1 容量素子
C2 容量素子
CSCOM 配線
G1 配線
G2 配線
G3 配線
GD 回路
S1 配線
S2 配線
S3 配線
SD 回路
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
VCOM1 配線
VCOM2 配線
X1 距離
X2 距離
10 表示装置
14 表示部
21 発光
22 反射光
30 画素ユニット
31B 第1の表示素子
31G 第1の表示素子
31p 画素
31R 第1の表示素子
31W 第1の表示素子
32B 第2の表示素子
32G 第2の表示素子
32p 画素
32R 第2の表示素子
32W 第2の表示素子
32Y 第2の表示素子
35r 光
35t 光
35tr 光
41 トランジスタ
42 トランジスタ
61 作製基板
62 剥離層
63 絶縁層
110a トランジスタ
110b トランジスタ
110c トランジスタ
110d トランジスタ
110e トランジスタ
110f トランジスタ
110g トランジスタ
110h トランジスタ
112 液晶層
113 電極
117 絶縁層
121 絶縁層
131 着色層
132 遮光層
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 偏光板
141 接着層
142 接着層
151 絶縁層
170 発光素子
180 液晶素子
191 電極
192 EL層
193 電極
194 絶縁層
201 トランジスタ
203 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
221a 導電層
221b 導電層
222a 導電層
222b 導電層
223 導電層
231 半導体層
235 導電層
242 接続層
243 接続体
252 接続部
261 半導体層
263a 導電層
263b 導電層
281 トランジスタ
284 トランジスタ
285 トランジスタ
286 トランジスタ
300 表示装置
300A 表示装置
300B 表示装置
300C 表示装置
311 電極
311a 電極
311b 電極
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
372 FPC
373 IC
400 表示装置
410 画素
451 開口
800 携帯情報端末
801 筐体
802 筐体
803 表示部
804 表示部
805 ヒンジ部
810 携帯情報端末
811 筐体
812 表示部
813 操作ボタン
814 外部接続ポート
815 スピーカ
816 マイク
817 カメラ
820 カメラ
821 筐体
822 表示部
823 操作ボタン
824 シャッターボタン
826 レンズ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9055 ヒンジ
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9202 携帯情報端末
Claims (26)
- 第1の表示素子、第2の表示素子、及び絶縁層を有し、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有する第1の画素電極を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を射出する機能を有し、
前記第2の表示素子は、第2の画素電極及び共通電極を有し、
前記第1の画素電極は、前記絶縁層を挟んで、前記第2の画素電極とは反対側に位置し、
前記共通電極は、前記第2の画素電極を挟んで、前記絶縁層とは反対側に位置し、
前記第1の表示素子の表示領域における、前記第1の画素電極の前記絶縁層側の面を含む第1の平面と、前記第2の表示素子の表示領域における、前記共通電極の前記絶縁層側の面を含む第2の平面との最短距離Xは、500nm以上200μm以下である、表示装置。 - 請求項1において、
第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する部分と、前記第2のトランジスタのゲート絶縁層として機能する部分と、を有する、表示装置。 - 第1の表示素子、第2の表示素子、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有する第1の画素電極を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を射出する機能を有し、
前記第2の表示素子は、第2の画素電極及び共通電極を有し、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、それぞれ、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に位置し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の絶縁層に設けられた開口を介して、前記第1の画素電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第2の絶縁層に設けられた開口を介して、前記第2の画素電極と電気的に接続され、
前記共通電極は、前記第2の画素電極を挟んで、前記第2の絶縁層とは反対側に位置し、
前記第1の表示素子の表示領域における、前記第1の画素電極の前記第1のトランジスタ側の面を含む第1の平面と、前記第2の表示素子の表示領域における、前記共通電極の前記第2のトランジスタ側の面を含む第2の平面との最短距離Xは、500nm以上200μm以下である、表示装置。 - 請求項3において、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうち一方または双方は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。 - 請求項3または4において、
光学部材を有し、
前記光学部材から前記第1の表示素子までの最短距離よりも、前記光学部材から前記第1のトランジスタまでの最短距離の方が長く、
前記光学部材から前記第1のトランジスタまでの最短距離よりも、前記光学部材から前記第2の表示素子までの最短距離の方が長い、表示装置。 - 請求項5において、
前記光学部材は、偏光板、光拡散層、及び反射防止層のうち少なくとも一つを有する、表示装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記最短距離Xは、1μm以上20μm以下である、表示装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第1の画素電極は、開口部を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部と重なる部分を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部に向けて可視光を射出する機能を有する、表示装置。 - 第1の表示素子、第2の表示素子、及び絶縁層を有する表示装置であり、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を射出する機能を有し、
前記第1の表示素子は、前記絶縁層を挟んで、前記第2の表示素子とは反対側に位置し、
前記表示装置の表示面に垂直な方位を0°として、85°傾いた位置から、観察者が前記表示装置を観察するとき、前記観察者は、前記第2の表示素子の表示領域の面積の10%以上を観察し、
前記表示装置の表示面に垂直な方位を0°として、30°傾いた位置から、観察者が前記表示装置を観察するとき、前記観察者は、前記第2の表示素子の表示領域の面積の100%を観察する、表示装置。 - 請求項9において、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有する第1の画素電極を有し、
前記第2の表示素子は、第2の画素電極及び共通電極を有し、
前記第1の画素電極は、前記絶縁層を挟んで、前記第2の画素電極とは反対側に位置し、
前記共通電極は、前記第2の画素電極を挟んで、前記絶縁層とは反対側に位置する、表示装置。 - 請求項10において、
前記第1の画素電極は、開口部を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部と重なる部分を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部に向けて可視光を射出する機能を有する、表示装置。 - 請求項11において、
第1の平面が、前記第1の表示素子の表示領域における、前記第1の画素電極の前記絶縁層側の面とは反対側の面を含み、
第2の平面が、前記第2の表示素子の表示領域における、前記共通電極の前記絶縁層側の面を含み、
前記表示装置は、式(1)、式(2)、式(3)、及び式(4)を満たす、表示装置。
(Aは、0以上であり、かつ、前記第2の表示素子の表示領域の端部から前記第1の平面におろした垂線の足から前記第1の画素電極の端部までの長さを表し、Dは、前記第1の平面と前記第2の平面との最短距離を表し、Nは、1以上であり、かつ、前記開口部と重なる部分における前記第1の平面と前記第2の平面との間の屈折率を表し、Lは、前記第2の画素電極の幅を表し、θ1及びθ2は、それぞれ、前記第2の平面から前記第1の平面への垂線と、前記第2の表示素子からの発光の前記第1の平面への入射光とがなす角の角度を表す。) - 請求項12において、
前記開口部と重なる部分における前記第1の平面と前記第2の平面との間に、a層からなる積層構造を有し、
前記Nは、式(5)を満たす、表示装置。
(aは2以上の整数であり、xは1以上a以下の整数であり、Dxは、前記積層構造のx番目の層の厚さを表し、Nxは、1以上であり、かつ、前記積層構造のx番目の層の屈折率を表す。) - 請求項11において、
第1の平面が、前記第1の表示素子の表示領域における、前記第1の画素電極の前記絶縁層側の面とは反対側の面を含み、
第2の平面が、前記第2の表示素子の表示領域における、前記共通電極の前記絶縁層側の面を含み、
前記開口部と重なる部分における前記第1の平面と前記第2の平面との間にa層からなる積層構造を有し、
前記表示装置は、式(6)、式(7)、式(8)、及び式(9)を満たす、表示装置。
(aは2以上の整数であり、x及びyはそれぞれ1以上a以下の整数であり、Aは、0以上であり、かつ、前記第2の表示素子の表示領域の端部から前記第1の平面におろした垂線の足から前記第1の画素電極の端部までの長さを表し、Dxは、前記積層構造のx番目の層の厚さを表し、Dyは、前記積層構造のy番目の層の厚さを表し、Nxは、1以上であり、かつ、前記積層構造のx番目の層の屈折率を表し、Nyは、1以上であり、かつ、前記積層構造のy番目の層の屈折率を表し、Lは、前記第2の画素電極の幅を表し、θxは、前記第2の平面から前記第1の平面への垂線と、前記第2の表示素子からの発光のx−1番目の層からx番目の層へ入射する屈折光とがなす角の角度を表し、θyは、前記第2の平面から前記第1の平面への垂線と、前記第2の表示素子からの発光のy−1番目の層からy番目の層へ入射する屈折光とがなす角の角度を表す。) - 請求項9乃至14のいずれか一において、
第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の表示素子の駆動を制御する機能を有し、
前記絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する部分と、前記第2のトランジスタのゲート絶縁層として機能する部分と、を有する、表示装置。 - 請求項15において、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうち一方または双方は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。 - 請求項15または16において、
光学部材を有し、
前記光学部材から前記第1の表示素子までの最短距離よりも、前記光学部材から前記第1のトランジスタまでの最短距離の方が長く、
前記光学部材から前記第1のトランジスタまでの最短距離よりも、前記光学部材から前記第2の表示素子までの最短距離の方が長い、表示装置。 - 請求項17において、
前記光学部材は、偏光板、光拡散層、及び反射防止層のうち少なくとも一つを有する、表示装置。 - 請求項1乃至18のいずれか一に記載の表示装置は、前記第1の表示素子が反射する光、及び前記第2の表示素子が発する光のうち一方または双方により、画像を表示する機能を有する、表示装置。
- 請求項1乃至19のいずれか一において、
前記第1の表示素子は、反射型の液晶素子である、表示装置。 - 請求項1乃至20のいずれか一において、
前記第2の表示素子は、電界発光素子である、表示装置。 - 請求項1乃至21のいずれか一に記載の表示装置と、
回路基板と、を有する表示モジュール。 - 請求項22に記載の表示モジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。 - 第1の表示素子、第2の表示素子、及び絶縁層を有する表示装置の作製方法であり、
前記第1の表示素子は、可視光を反射する機能を有する第1の画素電極、液晶層、及び可視光を透過する機能を有する第1の共通電極を有し、
前記第2の表示素子は、可視光を透過する機能を有する第2の画素電極、発光層、及び可視光を反射する機能を有する第2の共通電極を有し、
前記第1の表示素子の表示領域における、前記第1の画素電極の前記絶縁層側の面を含む第1の平面と、前記第2の表示素子の表示領域における、前記第2の共通電極の前記絶縁層側の面を含む第2の平面との最短距離Xは、500nm以上200μm以下であり、
第1の基板上に、前記第1の共通電極を形成し、
作製基板上に、前記第1の画素電極を形成し、
前記第1の画素電極上に、前記絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、前記第2の画素電極、前記発光層、及び前記第2の共通電極をこの順で形成することで、前記第2の表示素子を形成し、
前記作製基板と第2の基板とを接着剤を用いて貼り合わせ、
前記作製基板と前記第1の画素電極とを分離し、
前記第1の共通電極と露出した前記第1の画素電極との間に前記液晶層を配置し、接着剤を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせることで、前記第1の表示素子を形成する、表示装置の作製方法。 - 請求項24において、
前記第1の画素電極を形成した後、前記第1の画素電極に開口を設け、
前記開口と重なる位置に、前記第2の表示素子を形成する、表示装置の作製方法。 - 請求項24または25において、
前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる際に用いる前記接着剤は導電性粒子を含み、
前記第1の画素電極を形成する工程では、同一の導電膜を加工して、前記第1の画素電極と導電層を形成し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる工程では、前記第1の共通電極と前記導電層とを、前記導電性粒子により電気的に接続させる、表示装置の作製方法。
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