JP2003298059A5 - - Google Patents
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- 基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部のテーパ角が略６０度以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部が絶縁化された絶縁部と
を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部に不純物が導入された不純物領域と
を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の薄膜トランジスタ。
- 前記不純物領域は、高濃度不純物領域であることを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項１、２、または３記載の薄膜トランジスタを液晶パネルに用いたことを特徴とする液晶表示装置。
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