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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964399B1 (ko) * 2003-03-08 2010-06-17 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 이를 채용한 반도체 레이저다이오드 조립체
JP2004287093A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Fujitsu Ltd 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法
KR100988083B1 (ko) * 2003-06-03 2010-10-18 삼성전자주식회사 반도체 레이저 소자
DE102004005269B4 (de) * 2003-11-28 2005-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Schutzdiode
US7843983B2 (en) * 2004-03-18 2010-11-30 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser element and manufacturing method thereof
JP4483728B2 (ja) 2005-07-19 2010-06-16 住友電気工業株式会社 半導体光デバイスの製造方法
JP4762729B2 (ja) * 2006-01-13 2011-08-31 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の実装構造
JP2007225904A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体光変調デバイス
US7737455B2 (en) * 2006-05-19 2010-06-15 Bridgelux, Inc. Electrode structures for LEDs with increased active area
JP5228363B2 (ja) 2007-04-18 2013-07-03 ソニー株式会社 発光素子
DE102008018038A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
US8288290B2 (en) * 2008-08-29 2012-10-16 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Integration CMOS compatible of micro/nano optical gain materials
JP2010272569A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Panasonic Corp 半導体レーザ装置
JP2010272784A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Panasonic Corp 半導体レーザ装置
US9036956B2 (en) * 2012-02-17 2015-05-19 Haynes and Boone, LLP Method of fabricating a polymer waveguide
US9490148B2 (en) 2012-09-27 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adhesion promoter apparatus and method
JP2014170825A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 量子カスケード半導体レーザ
JP2016517632A (ja) * 2013-03-13 2016-06-16 シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ トレンチ領域に配置されたカソード金属層を備える半導体レーザ
KR20140133250A (ko) * 2013-05-10 2014-11-19 한국전자통신연구원 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
JP6220202B2 (ja) * 2013-09-20 2017-10-25 日本オクラロ株式会社 半導体光素子及び光モジュール
JP6238226B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-29 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザ装置
JP6511776B2 (ja) * 2014-11-06 2019-05-15 住友電気工業株式会社 発光モジュール
DE102015116970A1 (de) * 2015-10-06 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
JP6715589B2 (ja) * 2015-10-29 2020-07-01 日本ルメンタム株式会社 半導体光素子、アレイ半導体光素子、及び光モジュール
DE102016125430A1 (de) * 2016-12-22 2018-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür
JP2018182306A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 光半導体素子、及び光半導体素子の駆動方法
US11929590B2 (en) 2018-11-06 2024-03-12 Mitsubishi Electric Corporation Method for producing optical semiconductor device
JP2021097172A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 シャープ福山レーザー株式会社 半導体レーザ素子
GB2592906B (en) * 2020-01-31 2024-01-10 Smart Photonics Holding B V Structure for a photonic integrated circuit
JP2020074473A (ja) * 2020-02-05 2020-05-14 日本ルメンタム株式会社 半導体光素子、アレイ半導体光素子、及び光モジュール
JP7550069B2 (ja) * 2021-02-01 2024-09-12 京セラ株式会社 光デバイスおよび発光装置
JP7687146B2 (ja) * 2021-08-30 2025-06-03 住友電気工業株式会社 半導体光素子およびその製造方法
DE102022121857A1 (de) * 2022-08-30 2024-02-29 Ams-Osram International Gmbh Kantenemittierende halbleiterlaserdiode; verfahren zur herstellung eines halbleiterlaserbauelements und halbleiterlaserbauelement
WO2024257277A1 (ja) * 2023-06-14 2024-12-19 日本電信電話株式会社 光モジュール
CN120222138B (zh) * 2025-03-25 2025-12-09 武汉国科光领半导体科技有限公司 一种隔离电极的互联方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01220493A (ja) * 1988-02-29 1989-09-04 Nec Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2892053B2 (ja) * 1989-10-30 1999-05-17 株式会社リコー 半導体発光素子アレイ
JP3230785B2 (ja) * 1993-11-11 2001-11-19 日本電信電話株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JPH08250808A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3695812B2 (ja) * 1995-12-11 2005-09-14 沖電気工業株式会社 プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法
US5882349A (en) * 1995-12-26 1999-03-16 Geomarine Systems, Inc. Patient moisture control support surface coverlet
EP0918984B1 (de) * 1996-08-16 2001-06-27 Zeptosens AG Optische detektionsvorrichtung
JPH1096839A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザモジュールの製造方法
JPH10268168A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Hitachi Ltd 光電子装置およびその製造方法
JP3354069B2 (ja) * 1997-04-01 2002-12-09 株式会社日立製作所 光通信装置
JPH10303508A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Hitachi Ltd パッケージケースと半導体モジュール
US5851849A (en) * 1997-05-22 1998-12-22 Lucent Technologies Inc. Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography
JPH11261154A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子
JP3652108B2 (ja) * 1998-03-16 2005-05-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
JP2001230494A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP3889933B2 (ja) * 2001-03-02 2007-03-07 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP2003309330A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子

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