KR20140133250A - 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

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한영탁
이철욱
임영안
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Abstract

본 발명은 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 레이저 다이오드는 기판과, 상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층과, 상기 하부 클래드 층 상에서 제 1 방향으로 연장된 활성 도파로와, 상기 활성 도파로 상의 상부 클래드 층과, 상기 상부 클래드 상의 신호 패드와, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향에 대해 상기 활성 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 신호 패드에서 이격되어 상기 하부 클래드 층에 연결(coupling)되는 적어도 하나의 접지 패드를 포함한다.

Description

분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법{distributed feedback laser diode and manufacturing method of the same}
본 발명은 광학 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 단일 모드 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
고속 변조 레이저는 분포 궤환형 레이저 다이오드(Distributed Feedback-Laser Diode: DFB-LD)를 포함한다. 분포 궤환형 레이저 다이오드는 우수한 발진특성과 변조특성을 갖기 때문에 다양한 종류의 광통신 시스템에 적용되고 있다. 소자의 변조특성은 주로 레이저 다이오드의 공진특성과 기생효과에 영향을 받으며, 단일모드 특성은 회절격자 (grating)의 결합계수 (coupling coefficient)를 비롯한 소자의 구조변수에 밀접한 연관성을 가지고 있다.
분포 궤환형 레이저 다이오드는 활성층 상단 혹은 하단에 축방향으로 굴절율 혹은 손실이 주기적으로 반복되는 회절격자 층이 형성되는 구조를 갖는다. 레이저 광은 상기 회절격자 층의 굴절율 변화 구조, 즉 굴절율 결합형 회절격자(index-coupled grating)에 의한 브래그 조건(Bragg condition)에 만족되는 파장으로 발진될 수 있다. 활성 층 상단에는 리지 도파로가 배치된다. 레이저 광은 리지 도파로를 따라 전달될 수 있다. 리지 도파로 상단에 신호선을 위한 금속 패드가 배치될 수 있다. 일반적인 분포 궤환형 레이저 다이오드는 기판 아래에 접지를 위한 금속 패드 (접지 패드)가 배치된다. 이때, 외부에서 변조 전기신호에 의해 레이저 광의 변조 특성이 계측되어야 한다. 외부 변조 전기신호는 고주파용 프로브를 통해 전달되며, 프로브 형태는GSG (ground-signal-ground), GS (ground-signal), GSSG (ground-signal(-)-signal(+)-ground)를 포함할 수 있다. 종래의 분포 궤환형 레이저 다이오드에서는 도파로 상단에 노출되는 접지 패드를 갖지 않기 때문에 상기 고주파 프로브를 이용해서 직접 레이저 다이오드를 계측하기 불가능한 문제점을 갖는다.
따라서, 레이저 다이오드의 변조특성 측정을 위해서는 고주파 프로브를 접촉할 수 있는 별도의 마운트가 필요하며, 상기 마운트에 형성된 신호선들은 레이저 다이오드와 와이어 본딩이 요구된다. 상술한 구조에 대해 변조특성을 측정할 경우, 레이저 다이오드의 특성 외에 마운트와 와이어본딩이 포함된 효과가 존재하기 때문에, 소자 자체의 특성평가가 어려워지는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고주파 프로브를 이용해서 변조 특성 계측을 용이하게 할 수 있는 분포 궤환형 레이저다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 분포 궤환형 레이저다이오드는, 기판; 상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층; 상기 하부 클래드 층 상에서 제 1 방향으로 연장된 활성 도파로; 상기 활성 도파로 상의 상부 클래드 층; 상기 상부 클래드 상의 신호 패드; 및 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향에 대해 상기 활성 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 신호 패드에서 이격되어 상기 하부 클래드 층에 연결(coupling)되는 적어도 하나의 접지 패드를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 상부 클래드 층은, 상기 활성 도파로의 전면을 덮는 제 1 상부 클래드 층; 및 상기 제 1 상부 클래드 층의 리지 도파로를 형성하는 제 2 상부 클래드 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 제 2 방향으로 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 상부 클래드 층은 상기 제 1 상부 클래드 층과 상기 제 2 상부 클래드 층 사이의 에치 스톱 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 에지 스톱 층은 상기 리버스 메사 구조의 깊이 또는 두께를 정의하는 할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 하부 클래드 층 및 상기 제 1 상부 클래드 층을 덮는 보호막; 및 상기 보호막을 관통하여 상기 접지 패드와 상기 하부 클래드 층 사이에 배치된 제 1 콘택 플러그를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 보호막은, 상기 하부 클래드 층, 상기 상부 클래드 층의 상부 및 측벽 상의 제 1 보호막; 및 상기 제 1 보호막을 덮고 상기 상부 클래드 층과 동일한 높이까지 형성된 제 2 보호막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 상부 클래드 층과 상기 신호 패드 사이의 오믹 콘택 층 및 제 2 콘택 플러그를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 접지 패드와 상기 신호 패드는 상기 제 2 방향에 대해 GSG 구조로 배열될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 활성 도파로는 다중양자우물 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 하부 클래드 층을 형성하는 단계; 상기 하부 클래드 층 상에 제 1 방향의 활성 도파로 및 상부 클래드 층을 형성하는 단계; 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층 상에 형성되고, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층의 일부를 노출하는 콘택 홀들을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 콘택 홀들을 통해 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층에 전기적으로 각각 연결되는 신호 패드 및 접지 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.,
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 활성 도파로 및 상부 클래드 층의 형성 단계는, 상기 하부 클래드 층 상에 활성 도파로를 형성하는 단계; 상기 활성 도파로 상에 제 1 상부 클래드 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 에치 스톱 층을 형성하는 단계; 상기 에치 스톱 층 상에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계; 상기 제 2 상부 클래드 층 상에 오믹 콘택 층을 형성하는 단계; 및 상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층을 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 갖도록 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 리버스 메사 구조의 상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층의 식각 단계는 브롬산 또는 염산의 습식 용액에 의해 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 과제 해결 수단에 따르면, 접지 패드들과 신호 패드 하부 클래드 층 및 상부 클래드 층 상으로 배치된다. 접지 패드들은 하부 클래드 층에 접속된다. 신호 패드는 상부 클래드 층에 접속된다.
상부 클래드 층과 하부 클래드 층 사이에 제 1 방향으로 연장되는 활성 도파로가 배치된다. 상부 클래드 층은 하부 클래드 층 상에서 역 삼각형의 리버스 메사 구조의 리지 도파로일 수 있다. 보호막은 상부 클래드 층 및 하부 클래드 층을 덮는다. 접지 패드들은 보호막에 관통된 콘택 플러그에 연결된다. 콘택 플러그는 하부 클래드 층과 접지 패드들을 연결한다. 접지 패드들과 신호 패드는 제 2 방향으로 이격된다. 접지 패드들과 신호 패드는 GSG 구조로 배열된다.
고주파 프로브 모듈은 레이저 다이오드의 동작 중 변조 특성을 직접적으로 검출 할 수 있다. 고주파 프로브 모듈은 플러그와, 상기 플러그에 고정된 복수개의 탐침들를 가질 수 있다. 탐침들은 동일한 길이를 가질 수 있다. 탐침들은 신호 패드 및 접지 패드에 동시에 접속될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드는 동작 중 외부에서의 직접적 변조 특성 계측을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 단면도이다.
도 3은 도 1의 평면과 고주파 프로브 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 4 및 도 5는 신호 패드, 접지 패드, 및 고주파 프로브 모듈의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 6 내지 도 14는 도 2에 근거하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법을 나타내는 공정 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 이에 더하여, 본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 분포 궤환형 레이저 다이오드는 기판(10), 하부 클래드 층(20), 활성 도파로(30), 상부 클래드 층(40), 보호막(50), 신호 패드(60), 및 접지 패드(70)을 포함한다.
기판(10)은 N형 불순물로 도핑된 실리콘, 갈륨나이트라이드, 또는 갈륨아세나이드를 포함할 수 있다. 기판(10)의 아래에 접지 플레이트(12)가 접합(coupling)된다.
하부 클래드 층(20)은 기판(10) 상에 배치된다. 하부 클래드 층(20)은 N형의 InP, AlGaAs, InGaP를 포함할 수 있다. 회절 격자(22)는 하부 클래드 층(20)의 상부에 배치될 수 있다.
활성 도파로(30)는 하부 클래드 층(20) 상에서 제 1 방향으로 연장된다. 활성 도파로(30)는 다중양자우물 구조(multiple quantum well structure)의 InGaAsP, InGaAlAs, AlGaAs, GaAs, InGaAs을 포함할 수 있다. 활성 도파로(30)에 전압이 인가되면 회절 격자(22)의 간격에 대응되는 파장을 갖는 레이저 광이 발진된다. 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 활성 도파로(30)는 하부 클래드 층(20)과 상부 클래드 층(40) 사이의 전위에 따른 신호 전압을 생성할 수 있다.
상부 클래드 층(40)은 활성 도파로(30) 상에 배치된다. 상부 클래드 층(40)은 활성 도파로(30)를 따라 형성된 리지 도파로일 수 있다. 상부 클래드 층(40)은 P형의 InP, AlGaAs, InGaP를 포함할 수 있다. 상부 클래드 층(40)은 제 1 상부 클래드 층(42)과, 에치 스톱 층(43)과, 제 2 상부 클래드 층(44)을 포함할 수 있다. 제 1 상부 클래드 층(42)은 활성 도파로(30)의 전면을 덮는다. 에치 스톱 층(43)은 제 1 상부 클래드 층(42)과 제 2 상부 클래드 층(44) 사이에 배치된다. 에치 스톱 층(43) 및 제 2 상부 클래드 층(44)은 역삼각형의 리버스 메사 구조의 단면을 가질 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 위해 예시적으로 설명된 것일 뿐, 본 발명의 기술적 사상이 위에서 설명된 제품들에 한정적으로 적용될 수 있음을 의미하지는 않는다. 즉, 에치 스톱 층(43)은 제 1 상부 클래드 층(42)과 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않상부 클래드 층(40) 상에 오믹 콘택 층(46)이 배치된다.
보호막(50)은 하부 클래드 층(20), 상부 클래드 층(40), 및 오믹 콘택 층(46)을 덮는다. 보호막(50)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 유전체로 이루어진다. 보호막(50)은 제 1 보호막(52)과, 제 2 보호막(54)을 포함한다. 제 1 보호막(52)은 하부 클래드 층(20), 활성 도파로(30), 상부 클래드 층(40), 및 오믹 콘택 층(46)의 상부 및 측벽 상에 배치된다. 제 2 보호막(54)은 제 1 보호막(52)상에 배치된다. 제 2 보호막(54)은 제 2 상부 클래드 층(44) 또는 오믹 콘택 층(46)과 동일한 높이로 평탄할 수 있다.
신호 패드(60)는 오믹 콘택 층(46) 및 제 2 보호막(54) 상에 배치된다. 오믹 콘택 층(46)은 제 1 콘택 플러그(62)에 의해 신호 패드(60)에 접합된다.
접지 패드(70)는 콘택 플러그(72)에 의해 하부 클래드 층(20)과 전기적으로 연결된다. 제 2 콘택 플러그(72)는 보호막(50)을 관통한다. 신호패드(60)와 접지 패드(70)는 보호막(50) 상에 동일한 높이로 배치된다.
도 3은 도 1의 평면과 고주파 프로브 모듈(80)을 나타낸다. 신호 패드(60) 및 접지 패드(70)는 GSG 구조로 배열된다. 고주파 프로브 모듈(80)은 신호 패드(60) 및 접지 패드(70)에 연결될 수 있다. 고주파 프로브 모듈(80)은 레이저 다이오드의 동작 중 변조 특성을 직접적으로 검출할 수 있다. 고주파 프로브 모듈(80)은 플러그(84)와, 상기 플러그(84)에 고정된 복수개의 탐침들(82)를 가질 수 있다. 탐침들(82)은 동일한 길이를 가질 수 있다. 탐침들(82)은 신호 패드(60) 및 접지 패드(70)에 동시에 접속될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드는 동작 중 외부에서의 직접적 변조 특성 계측을 용이하게 할 수 있다.
도 4 및 도 5는 신호 패드(60), 접지 패드(70), 및 고주파 프로브 모듈(80)의 다른 예를 나타낸다. 신호 패드(60) 및 접지 패드(70)는 GS 구조 또는 GSSG 구조로 배열된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6 내지 도 14는 도 2에 근거하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법을 나타내는 공정 단면도이다.
도 6을 참조하면, 기판(10) 상에 하부 클래드 층(20), 활성 도파로(30), 제 1 상부 도파로 층(42), 에치 스톱 층(43), 제 2 상부 도파로 층(44), 및 오믹 콘택 층(46)을 형성한다. 하부 클래드 층(20)은 화학기상증착방법으로 형성된 3-5족의 반도체 층을 포함할 수 있다. 3-5족의 반도체 층은 N형의 InP, AlGaAs, InGaP을 포함한다. 하부 클래드 층(20)은 회절 격자(22)를 가질 수 있다. 활성 도파로(30) 및 제 1 상부 클래드 층(42), 에치 스톱 층(43), 및 제 2 상부 클래드 층(44)은 화학기상증착방법으로 하부 클래드 층(20)의 전면에 형성된 3-5족 반도체 층을 포함할 수 있다. 3-5족 반도체 층은 P형의 InP, AlGaAs, InGaP을 포함한다. 오믹 콘택 층(46)은 크롬 또는 금의 금속을 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 오믹 콘택 층(46), 제 2 상부 클래드 층(44), 및 에치 스톱 층(43)을 식각하여 역 삼각형 단면의 리버스 메사 구조로 패터닝한다. 리버스 메사 구조는 오믹 콘택 층(46), 제 2 상부 클래드 층(44), 및 에치 스톱 층(43)의 포토리소그래피 공정 또는 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 식각 공정은 브롬산(HBr), 또는 염산(HCl)을 포함하는 식각 용액에 의해 수행될 수 있다. 에치 스톱 층(43)은 식각 공정에서의 리버스 메사 구조의 깊이 또는 두께를 정의할 수 있다.
도 8을 참조하면, 제 1 상부 클래드 층(42), 활성 도파로(30), 및 하부 클래드 층(20)을 식각한다. 여기서, 하부 클래드 층(20)은 회절 격자(22) 아래까지 식각될 수 있다. 제 1 상부 클래드 층(42), 활성 도파로(30), 및 하부 클래드 층(20)은 제 1 방향으로 연장된다.
도 9를 참조하면, 하부 클래드 층(20), 상부 클래드 층(40), 및 오믹 콘택 층(46) 상에 보호막(52)을 형성한다. 제 1 보호막(52)은 화학기상증착방법으로 형성된 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함할 수 있다. 제 1 보호막(52)은 하부 클래드 층(20), 상부 클래드 층(40)의 상부와 측벽 상에 형성된다.
도 10을 참조하면, 제 1 보호막(52) 상에 제 2 보호막(54)을 형성한다. 제 2 보호막(54)은 폴리머 성분의 유기 화합물 또는 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 유전체를 포함할 수 있다. 제 2 보호막(54)은 기판(10) 상에 평탄하게 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 하부 클래드 층(20) 및 오믹 콘택 층(46) 상의 보호막(50)을 제거하여 제 1 콘택 홀(57) 제 2 콘택 홀들(56)을 형성한다. 보호막(50)의 제 2 보호막(54)는 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 제거될 수 있다. 또한, 제 2 보호막(54)으로부터 노출되는 제 1 보호막(52)은 식각 공정으로 제거될 수 있다.
도 12를 참조하면, 제 1 콘택 홀(56) 및 제 2 콘택 홀들(57) 내에 제 1 콘택 플러그(62) 및 제 2 콘택 플러그들(72)을 각각 형성한다. 제 1 및 제 2 콘택 플러그들(62, 72)은 금속 층의 증착 공정 및 화학적기계적연마(CMP) 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 제 1 콘택 플러그(62) 및 제 2 콘택 플러그들(72) 상에 접지 패드들(70) 및 신호 패드(60)를 형성한다. 접지 패드들(70) 및 신호 패드(60)는 금속 층의 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성된다.
도 14를 참조하면, 기판(10)의 아래에 접지 플레이트(12)를 형성한다. 접지 플레이트(12)는 열증착(thermal evaporation) 공정, 스퍼터링 공정, 또는 화학증착공정에 의해 형성될 수 있다.
도 15는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드를 나타낸다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드는 하부 클래드 층(20)과 접지 패드(70)가 직접 접속된다. 제 2 실시 예는 제 1 실시 예의 제 2 콘택 플러그들(72)이 생략된 것이다. 보호막(50)의 제 1 보호막(52)은 하부 클래드 층(20), 상부 클래드 층(40)의 상부와 측벽 상에 형성된다. 제 2 보호막(54)은 상부 클래드 층(40) 상에 선택적으로 배치된다. 신호 패드(60)는 제 1 콘택 플러그(62) 및 제 2 보호막(54) 상에 배치된다. 접지 패드들(70)은 신호 패드(60)보다 아래에 배치된다. 활성 도파로(30) 및 상부 클래드 층(40)은 접지 패드들(70)보다 높을 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 하부 클래드 층
30: 활성 도파로 40: 상부 클래드 층
50: 보호막 60: 신호 패드
70: 접지 패드 80: 고주파 프로브 모듈

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층;
    상기 하부 클래드 층 상에서 제 1 방향으로 연장된 활성 도파로;
    상기 활성 도파로 상의 상부 클래드 층;
    상기 상부 클래드 상의 신호 패드; 및
    상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향에 대해 상기 활성 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 신호 패드에서 이격되어 상기 하부 클래드 층에 연결(coupling)되는 적어도 하나의 접지 패드를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 클래드 층은
    상기 활성 도파로의 전면을 덮는 제 1 상부 클래드 층; 및
    상기 제 1 상부 클래드 층의 리지 도파로를 형성하는 제 2 상부 클래드 층을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 제 2 방향으로 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 클래드 층은 상기 제 1 상부 클래드 층과 상기 제 2 상부 클래드 층 사이의 에치 스톱 층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 에지 스톱 층은 상기 리버스 메사 구조의 깊이 또는 두께를 정의하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 클래드 층 및 상기 제 1 상부 클래드 층을 덮는 보호막; 및
    상기 보호막을 관통하여 상기 접지 패드와 상기 하부 클래드 층 사이에 배치된 제 1 콘택 플러그를 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보호막은,
    상기 하부 클래드 층, 상기 상부 클래드 층의 상부 및 측벽 상의 제 1 보호막; 및
    상기 제 1 보호막을 덮고 상기 상부 클래드 층과 동일한 높이까지 형성된 제 2 보호막을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 상부 클래드 층과 상기 신호 패드 사이의 오믹 콘택 층 및 제 2 콘택 플러그를 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지 패드와 상기 신호 패드는 상기 제 2 방향에 대해 GSG 구조로 배열된 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성 도파로는 다중양자우물 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드.
  11. 기판 상에 하부 클래드 층을 형성하는 단계;
    상기 하부 클래드 층 상에 제 1 방향의 활성 도파로 및 상부 클래드 층을 형성하는 단계;
    상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층 상에 형성되고, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층의 일부를 노출하는 콘택 홀들을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 콘택 홀들을 통해 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층에 전기적으로 각각 연결되는 신호 패드 및 접지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 활성 도파로 및 상부 클래드 층의 형성 단계는,
    상기 하부 클래드 층 상에 활성 도파로를 형성하는 단계;
    상기 활성 도파로 상에 제 1 상부 클래드 층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 상부 클래드 층 상에 에치 스톱 층을 형성하는 단계;
    상기 에치 스톱 층 상에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 상부 클래드 층 상에 오믹 콘택 층을 형성하는 단계; 및
    상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층을 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 갖도록 식각하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 리버스 메사 구조의 상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층의 식각 단계는 브롬산 또는 염산의 습식 용액에 의해 수행되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법.
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