JP2003177408A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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謙一 長岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 感光性の材料を含む液晶組成物を感光させる
に際して液晶分子の配向を調整し、液晶分子の配向をほ
ぼ一定にすることができ、安定に駆動させることのでき
る液晶表示装置の提供。 【解決手段】 感光性の材料を含む液晶組成物を感光さ
せるに際して、液晶組成物層に電圧を印加して液晶分子
の配向を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にし、ある
いは液晶表示装置の構造を調整して液晶分子の配向を均
一化し、または表示欠陥を表示領域外に規制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビやディスプレ
イ等の液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に感
光性の材料を含む液晶材料を含む液晶表示装置およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、対向する２枚の基板の
間に液晶を封入し、この液晶の電気光学異方性を利用し
て、電気的な刺激を光学的なスイッチンングに利用する
表示デバイスである。液晶が有する屈折率異方性を利用
し、液晶に電圧を印加してこの屈折率異方性の軸の向き
を変えることにより、液晶パネルの透過光の明るさを制
御している。
【０００３】このような液晶表示装置においては、液晶
に電圧が印加されていない状態での液晶分子の並び方を
制御することが非常に重要になってくる。初期の並び方
が安定していないと、液晶に電圧を印加した際の液晶分
子の方向が不安定になり、結果的に屈折率の制御ができ
なくなる。そのような液晶分子の並び方の制御方法の代
表的なものとしては、配向膜と液晶との初期形成角度
（プレチルト角）を制御する方法やバスラインと画素電
極との間に形成される横電界を制御する方法などが挙げ
られる。
【０００４】感光性の材料を含む液晶材料を用いる場合
についても同様のことが言えるが、特に初期配向状態を
電圧を印加した状態で感光させることにより制御するよ
うな液晶表示モードについては、その感光時の電圧印加
方法が重要である。これは、電圧の大きさが異なると初
期に形成されるプレチルト角に違いが生じ、結果的に異
なる透過率特性をもつ原因部分になるためである。
【０００５】本発明の第１の面に関連して説明すれば、
液晶を駆動する際には、通常、単純マトリクスと呼ばれ
る方法やアクティブマトリクスと呼ばれる方法が用いら
れるが、最近では高精細化の要求から、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を用いるアクティブマトリクスによる液晶
表示モードが主流となっている。このようなＴＦＴを持
つ液晶デバイスにおいて、液晶に電圧を印加しながら光
照射する場合には、図１および図２に示すように、通
常、ゲートバスラインにＴＦＴをＯＮする電圧を与えて
データバスラインに所望の電圧を印加しながら光照射す
る方法が挙げられる。
【０００６】しかしながら、このような液晶感光方法を
採択する場合には、図３に示すように、バスラインの断
線やショートによる線欠陥部分が生じて、液晶が駆動で
きない状態で液晶が感光されてしまい、この場合線欠陥
部分には異なるプレチルト角が形成され、この部分だけ
が異なる明るさになるという障害が発生する。
【０００７】あるいは、図４に示すように、ＴＦＴのチ
ャネルＯＮ状態では紫外線感光によりＴＦＴしきい値シ
フトが生じ、この場合にはＴＦＴを安定に駆動できる領
域がシフトするという障害が発生する。
【０００８】一方、本発明の第２の面に関連して説明す
れば、アクティブマトリックスタイプの液晶ディスプレ
イは、ＴＮモードによるものが主流であったが、視覚特
性が狭いという欠点を有する。そこで、現在では、広視
野角液晶パネルにはＭＶＡモードとＩＰＳモードと呼ば
れる技術が採用されている。
【０００９】ＩＰＳモードでは、櫛形電極によって液晶
分子を水平面内でスイッチングするが、櫛形電極は開口
率を著しく低下させるので強力なバックライトが必要で
ある。ＭＶＡモードでは、液晶分子を基板に垂直に配向
させ、突起または透明電極（たとえば、ＩＴＯ電極）に
設けられたスリットによって液晶分子の配向を規定す
る。ＭＶＡにおける突起やスリットによる実質開口率の
低下は、ＩＰＳにおける櫛形電極ほどではないにして
も、ＴＮモードに比べると、液晶パネルの光透過率が低
く、そのため低消費電力が要求されるノートパソコンに
は採用することができていない。
【００１０】ＩＴＯ電極に微細スリットを導入すれば、
液晶分子は微細スリットと平行に倒れるが、その方向は
２方向ある。微細スリットが十分に長いと、土手等の液
晶分子の倒れる方向を規定する構造物から遠い液晶分子
が、電圧をかけた瞬間に２方向にランダムに倒れる。異
なる方向に倒れた液晶分子の境界では、液晶分子がどち
らにも倒れることができず、図２９に示すように暗部を
生じる。また、図２９に示すように視角特性を改善する
ために液晶分子を２方向に倒す構造において、逆方向に
倒れる液晶分子があると、視角特性が悪化する。
【００１１】本発明の第３の面に関連して説明すれば、
Ｎ型液晶を垂直配向させ、かつ、電圧印加時の液晶分子
の傾斜方向を配向用突起や電極スリットを用いて幾つか
の方向に分割するＬＣＤ（ＭＶＡ−ＬＣＤ）において
は、液晶分子は電圧無印加時にはほぼ完全に垂直配向し
ているが、電圧印加時には様々な方向に傾斜する。液晶
分子の傾斜の方向はどの場合も偏光子吸収軸に対して４
５°をなすように規制されているが、連続体である液晶
分子はその中間方向にも倒れる。また、駆動時の横電界
等の影響や構造物の凹凸によっても液晶分子の傾斜方向
が所定の方向からずれる領域が必ず存在する。これは、
偏光子をクロスニコルにしたノーマリブラックでは白表
示時に黒ずむ領域が現れることを意味し、また画面の輝
度を低下させる。そこで、光重合性成分または熱重合性
成分を含有する液晶組成物を２枚の基板間に挟持し、電
圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることによ
り、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定するという
技術を用いる。
【００１２】この技術では、重合が不十分なときに焼付
きが生じる。これは、重合されたポリマーの剛性が不足
していて、電圧印加による液晶分子の再配列によって変
形するためである、と考えられている。一方、十分に重
合させるには長時間の光照射あるいは加熱が必要であ
り、量産時のタクトが問題となる。
【００１３】本発明の第４の面に関連して説明すれば、
従来の液晶表示装置では水平配向の液晶を上下基板間で
ツイストさせたＴＮモードが主流であるが、観察方位す
なわち視角によって液晶の傾斜角度が異なるため、中間
調で階調反転が発生する。そこで、垂直配向の液晶を対
称方位に傾斜させ、視角補償を行うＭＶＡモードと呼ば
れる技術が提案されている。この技術では、絶縁体から
なる配向制御部材を電極上に形成することにより液晶の
傾斜方位を規定している。しかし、配向制御部材を境に
液晶分子が１８０°異なる方向に倒れるため暗線が発生
し、透過率が低くなってしまう。十分な透過率を確保す
るには、配向制御部材の占有割合を少なくする、すなわ
ち配向制御部材を離して形成するのが好ましいが、これ
により傾斜の伝播が遅くなり、応答速度が遅くなる。
【００１４】そこで、重合性成分を含有する液晶組成物
を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分
を重合させることにより、液晶分子の傾斜方向を規定す
る技術が提案されている。これにより応答速度を確保し
たまま、透過率を高くすることが可能となる。
【００１５】しかしながら、液晶中に分散させた重合性
成分を電圧を印加しながら重合させることにより液晶分
子の傾斜方向を規定する液晶表示装置では、液晶注入の
初期に大きな速度で注入された時や額縁付近の急激な速
度変化により生じる液晶と重合性成分の分離により、重
合性成分の重合後の表示にムラが生じるということが問
題となっている。
【００１６】本発明の第５の面に関連して説明すれば、
液晶表示装置においては、従来、画素電極のスリット構
造をもつＴＦＴ基板と絶縁体の突起構造をもつカラーフ
ィルタ基板により垂直配向パネルの配向方位制御を行っ
ており、そのため一方の基板には誘電体の突起構造を形
成する必要があった。従って、そのような液晶表示装置
を製造する際には、工程数が増加するという問題があっ
た。
【００１７】また、表示画素内に突起構造が形成される
ため、開口率の減少、透過率の減少というデメリットが
生じる。そこで、液晶中に添加された重合性成分により
液晶分子の配向方位を規定することで、誘電体層の突起
を用いずにマルチドメインを実現することが提案されて
いる。すなわち、重合性成分が添加された液晶をパネル
に注入し、電圧を印加しながら重合性成分を重合させ
て、液晶分子の配向方向を規定するものである。
【００１８】しかし、配向方位を規定する高分子組成が
十分な架橋構造を持っていないと、高分子が柔軟性を持
ち、また復元性が弱くなる。このような特性の高分子で
あると、液晶に電圧印加し、液晶が倒れた状態を維持し
続けた時、電圧印加を解除しても、もとの状態まで液晶
のプレチルト角が戻らなくなってしまう。つまり、電圧
−透過率特性が変化してしまい、パターンの焼付きとい
った不具合となって見えてしまうのである。
【００１９】本発明の第６の面に関連して説明すれば、
負の誘電異方性を有する液晶を垂直配向させ、基板上に
設けた土手やスリットを利用することによってラビング
レスで電圧印加時の液晶配向方位をいくつかの方位に制
御するＭＶＡ−ＬＣＤにおいては、従来のＴＮ型に比べ
て視角特性に優れているが、白輝度が低く、表示が暗い
という欠点がある。この主な原因は、土手やスリット上
が液晶配向の分割境界となり、この部分が光学的に暗く
見えることに起因して白表示の透過率が低くなるためで
ある。これを改善するには土手やスリット間の間隙を十
分に広くすればよいが、この場合には液晶配向を制御す
る土手やスリット数が少なくなるため、配向が安定する
までに時間がかかるようになり、応答速度が遅くなる。
【００２０】これを改善し、明るく高速応答のＭＶＡパ
ネルを得るためには、重合性成分を含有する液晶組成物
を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分
を重合させることにより液晶分子の傾斜方向を規定する
技術が有効である。重合性成分としては、一般に、紫外
線または熱によってポリマー化するようなモノマー材が
用いられる。しかしながら、この方式には、表示ムラに
関連していくつかの問題があることが明らかとなった。
【００２１】すなわち、この方式は、ラビングレスであ
り、わずかな構造の変化、電気力線の変化が液晶分子を
所望の方位へ配向しない要因となってしまう。そのた
め、表示領域外のコンタクトホールなどが液晶分子の配
向を乱し、その乱れが表示領域内の液晶分子の配向に影
響を与えて異常ドメインを生じさせ、そのままの配向が
維持される場合がある。さらに、液晶分子の配向を乱す
構造が配向分割時の同一分割領域に配置されている場
合、それぞれから生じた異常ドメインが連結され、より
大きな領域で異常ドメインが維持されてしまう。これに
よって、表示領域内外の液晶分子が所望の方位以外に配
向し、そのままの状態で重合性成分が重合され、輝度低
下や応答速度の劣化、表示ムラが発生するなどの問題が
発生するのである。図４４は従来技術における画素平面
図である。このような画素では、セル厚変動の要因とな
るコンタクトホールが液晶ドメイン境界になく、さらに
２つのコンタクトホールが同じ配向分割内に存在してい
る。その結果、コンタクトホールとコンタクトホールを
つなぐ形で異常ドメインが生じ、そのままの配向が維持
されたまま重合性成分が重合され、輝度低下や応答速度
の劣化、表示ムラの発生という表示特性の低下を引き起
こしていた。
【００２２】また、ソース電極やＣｓ中間電極などの金
属電極を表示画素内に引伸した場合、開口率の低下によ
る輝度低下が問題となる。さらに、画素電極と同電位に
なる電極を表示画素内に引伸すると、所望外の電気力線
による異常ドメインが生じ、上記と同様にして輝度低下
や応答速度の劣化、表示ムラが発生する。
【００２３】本発明の第７の面に関連して説明すれば、
本発明者らが行った、重合性成分を含む液晶組成物を基
板間に挟持し、電圧を印加しながら重合性成分を重合さ
せることにより液晶分子の傾斜方向を規定する技術の検
討の間に、ある同一のパターンを一定時間表示すると、
その部分が焼き付くという問題が生じる場合があった。
これは、重合が不十分で高分子が変形するためと考えら
れている。一方、十分に重合させるためには長時間の光
照射または加熱が必要であり、量産時のタクトが問題と
なる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の如き
従来技術の問題点を解決し、感光性の材料を含む液晶組
成物を感光させるに際して液晶分子の配向を調整するこ
とにより液晶表示装置を製造するに当たり、液晶分子の
配向をほぼ一定にすることができ、安定に駆動させるこ
とのできる液晶表示装置の製造方法およびそれによって
得られる液晶表示装置を提供しようとするものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の面におい
ては、上記の課題を解決するため、次のように大きく３
つに分類することのできる概念に基づく方法を提案する
ものである。
【００２６】１．交流印加により電気容量を利用して液
晶を駆動し、配線欠陥の影響を回避する。
【００２７】２．第２の基板上の配線や電極の電位を揃
え、配線欠陥の影響を回避する。
【００２８】３．ＴＦＴチャネル部分を遮光しつつ、配
線欠陥の影響を回避する。
【００２９】すなわち、本発明の第１の面においては、
第１の概念に基づき、（１）第１の基板にこの基板全面
に電圧を印加するための共通電極を形成し、第２の基板
にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデー
タバスラインと、前記２つのバスラインの交点で薄膜ト
ランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極
との間で電気容量を形成するＣｓバスラインを形成し、
前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極
と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで
電気容量を形成し、前記共通電極とＣs バスラインとに
交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との
間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射すること
を特徴とする、液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００３０】また、本発明は、上記第２の概念に基づ
き、（２）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加する
ための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス状
に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、
前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれ
につながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量
を形成するＣｓバスラインを形成し、前記第１の基板と
第２の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充
填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とによ
り、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成
し、前記共通電極と３つのバスラインとの間を絶縁させ
ておくかまたは高抵抗で接続し、前記共通電極と前記第
２の基板上の３つのバスライン（ゲートバスライン、デ
ータバスラインおよびＣｓバスライン）との間に直流電
圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直
流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴
とする、液晶表示装置の製造方法、または（３）第１の
基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を
形成し、第２の基板にマトリックス状に配置されるゲー
トバスラインとデータバスラインと、前記２つのバスラ
インの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電
極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバ
スラインと、前記データバスラインまたはゲートバスラ
インの少なくとも一方と交差するリペアラインを形成
し、前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料
を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通
電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟
んで電気容量を形成し、前記共通電極と前記第２の基板
上の４つのバスライン（ゲートバスライン、データバス
ライン、Ｃs バスラインおよびリペアライン）との間に
直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との
間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射すること
を特徴とする、液晶表示装置の製造方法、または（４）
第１の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通
電極を形成し、第２の基板にマトリックス状に配置され
るゲートバスラインとデータバスラインと、前記２つの
バスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる
画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成する
Ｃｓバスラインを形成し、前記第１の基板と第２の基板
の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶
層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それら
の間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通
電極と前記第２の基板上の４つのバスライン（ゲートバ
スライン、データバスラインおよびＣｓバスライン）と
の間を高抵抗で接続し、少なくとも１つのバスラインと
前記共通電極との間に直流電圧を印加することにより共
通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶
層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製
造方法を提供する。
【００３１】さらに、本発明は、上記第３の概念に基づ
き、（５）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加する
ための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス状
に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、
前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれ
につながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量
を形成するＣｓバスラインを形成し、薄膜トランジスタ
のチャネル部分にＣＦ樹脂または光を遮断するパターン
を形成し、前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性
の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前
記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶
層を挟んで電気容量を形成し、隣接するデータバスライ
ンのそれぞれをその両端において電気的に接続し、そし
て前記ゲートバスラインにトランジスタのＯＮ電圧を印
加し、前記共通電極とデータバスラインとの間に交流電
圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交
流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴
とする、液晶表示装置の製造方法、または（６）第１の
基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を
形成し、第２の基板にマトリックス状に配置されるゲー
トバスラインとデータバスラインと、前記２つのバスラ
インの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電
極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバ
スラインと、前記データバスラインと交差するリペアラ
インを形成し、薄膜トランジスタのチャネル部分にＣＦ
樹脂または光を遮断するパターンを形成し、前記第１の
基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成
物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極
とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を
形成し、少なくとも１本のデータバスラインと少なくと
も１本のリペアラインとにレーザー照射等の方法により
接続処理を施し、そして前記ゲートバスラインにトラン
ジスタのＯＮ電圧を印加し、前記共通電極とデータバス
ラインおよびリペアライン（データバスラインと同電
位）との間に交流電圧を印加することにより共通電極と
画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を
照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法を
提供する。また、本発明の第２の面においては、（７）
透明電極と液晶分子を垂直に配向させる配向制御膜とを
備えた２枚の基板間に負の誘電率異方性を有し、かつ、
重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層
を形成し、相対する透明電極の間に電圧を印加しながら
モノマーを重合させて、液晶分子にプレチルト角をもた
せる垂直配向液晶表示装置の製造方法において、モノマ
ーを重合させる前に、相対する透明電極の間において、
閾値電圧以上でかつ飽和電圧以下の一定電圧を一定時間
印加した後、所定の電圧に変化させてその電圧を維持し
ながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を
加えてモノマーを重合させることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法が提供される。
【００３２】すなわち、重合可能なモノマーの重合に際
して、閾値電圧よりわずかに高い電圧を印加して液晶分
子が順方向に倒れるのを待ってから、電圧を上昇させ、
その電圧を維持しながら重合性モノマーを重合させるの
である。
【００３３】本発明の第３の面においては、（８）透明
電極を備えた２枚の基板間に重合可能なモノマーを含む
液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する透明電
極に電圧を印加しながらモノマーを重合させて、液晶分
子にプレチルト角を持たせ、かつ、電圧印加時の液晶分
子の傾斜方向を規定する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記重合可能なモノマーの重合のための光照射を少
なくとも２回に分割して実施することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法が提供される。
【００３４】本発明の第４の面においては、（９）光重
合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基
板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を光
重合または熱重合させることにより電圧印加時の液晶分
子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、前記重
合性成分を含む液晶組成物を注入するための注入口が複
数個設けられ、それぞれの注入口の間隔が注入口が存在
する辺の寸法の１／５以下であることを特徴とする液晶
表示装置、または（１０）光重合性成分または熱重合性
成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印
加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧
印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置に
おいて、額縁のＢＭ部分のセルギャップが表示領域のセ
ルギャップ以下であることを特徴とする液晶表示装置、
または（１１）光重合性成分または熱重合性成分を含有
する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら
前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液
晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額
縁のＢＭ部分にメインシールまたは補助シールを形成し
て、額縁ＢＭ部分のセルギャップをなくしたことを特徴
とする液晶表示装置、または（１２）光重合性成分また
は熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持
し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させるこ
とにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液
晶表示装置において、補助シールを形成することによ
り、前記重合性成分と液晶との濃度分布が生じた材料を
ＢＭ部分に誘導するようにしたことを特徴とする液晶表
示装置が提供される。
【００３５】本発明の第５の面においては、（１３）第
１の基板に共通電極およびカラーフィルター層を形成
し、第２の基板をゲートバスライン層、ゲート絶縁膜
層、ドレインバスライン層、保護膜層および画素電極層
が形成されたアレイ基板で構成し、前記画素電極層に
は、微細なスリットを、そのスリットが画素内を少なく
とも２領域以上に分割する方向に形成し、前記２枚の基
板には液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜を形成
し、前記２枚の基板の間隙に液晶骨格を有する紫外線硬
化性樹脂を含む負の誘電率異方性を有するｎ型液晶組成
物を充填して液晶層を形成し、液晶分子にこの液晶分子
の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線を照射すること
により電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定し、２枚
の偏光板を、その吸収軸が液晶分子の配向方位と４５度
の角度をなすようにこの装置の上下面にクロスニコル
に、それぞれ配置することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法が提供される。
【００３６】本発明の第６の面においては、（１４）電
極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしく
は光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角
および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置に
おいて、設計的に１０％以上セル厚が変動する部分を液
晶のドメイン境界部に配置したことを特徴とする液晶表
示装置、または（１５）電極を有する一対の基板間に液
晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーによ
り液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向
を規定した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界
部にソース電極と画素電極を接続するコンタクトホール
が設けられていることを特徴とする液晶表示装置、また
は（１６）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持さ
れ、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子の
プレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液
晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にＣｓ中間
電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられ
ていることを特徴とする液晶表示装置、または（１７）
電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もし
くは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト
角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、２分割以上に
配向分割した液晶表示装置において、設計的に１０％以
上セル厚が変動する部分が複数箇所存在しないことを特
徴とする液晶表示装置、または（１８）電極を有する一
対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合す
るポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印
加時の傾斜方向を規定し、２分割以上に配向分割した液
晶表示装置において、同一分割領域に複数のコンタクト
ホールを有さないことを特徴とする液晶表示装置、また
は（１９）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持さ
れ、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子の
プレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定する液
晶表示装置において、１つのコンタクトホールにより画
素電極、ソース電極およびＣｓ中間電極を接続すること
を特徴とする液晶表示装置、または（２０）電極を有す
る一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重
合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電
圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、
金属電極が表示画素内の液晶ドメイン境界にそって配線
されていることを特徴とする液晶表示装置、または（２
１）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱
もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチ
ルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示
装置において、画素電極と同電位の電極が表示画素内の
画素電極のスリット部に配線されていないことを特徴と
する液晶表示装置が提供される。本発明の第７の面にお
いては、（２２）電極を有する一対の基板間に重合可能
なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成
し、相対する電極間に所定の液晶駆動電圧を印加しなが
ら、前記液晶組成物に紫外線を照射してモノマーを重合
させることを含む液晶表示装置の製造方法において、前
記モノマーの重合処理後に、液晶駆動電圧を印加するこ
となく、または液晶を実質的に駆動させない電圧を印加
しながら、前記液晶組成物に対して追加の紫外線照射を
行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供さ
れる。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の面において、その
方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。
【００３８】１）前記共通電極とＣs バスラインとが、
液晶層に光を照射する時点で、絶縁されているかまたは
高抵抗で接続されている、上記（１）の方法。
【００３９】２）前記共通電極とＣs バスラインとが、
液晶層に光を照射した後で、電気的に接続される、上記
（１）の方法。
【００４０】３）ゲートバスラインにトランジスタのＯ
ＦＦ電圧が印加される、上記（１）の方法。
【００４１】４）初期には液晶層を垂直配向させてお
き、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しなが
ら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均
の角度を極角９０°未満にする、上記（１）の方法。
【００４２】５）交流電圧印加時の交流周波数を１〜１
０００Ｈｚに設定する、上記（１）の方法。
【００４３】６）隣接するゲートバスラインまたはデー
タバスラインのそれぞれをその両端において電気的に接
続する、上記（２）の方法。
【００４４】７）前記共通電極とＣs バスラインとの間
を、液晶層に光を照射した後で、電気的に接続する、上
記（２）の方法。
【００４５】８）初期には液晶層を垂直配向させてお
き、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しなが
ら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均
の角度を極角９０°未満にする、上記（２）の方法。
【００４６】通常、ＴＦＴ液晶パネルは、図５に示すよ
うな電気的な結合を有する。このとき共通電極と画素電
極の２つの電極は、その間隙に液晶や配向膜といった材
料を狭持し、電気容量Ｃｌｃを形成する。図中のＣｓバ
スラインは画素電極との間に電気容量Ｃｓを形成し、画
素電極に書き込まれる電荷量の制御と電圧変動量の制御
を行っている。
【００４７】通常、画素電極への電荷の書き込みは薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われ、これにより書
き込みのスイッチの役割を果たすゲートバスラインと、
画素電極に電圧を書き込むデータバスラインとが、画素
電極を挟む形でマトリクス状に形成される。
【００４８】ＴＦＴ液晶パネルで発生する致命的なパタ
ーン欠陥（配線欠陥）としては、 ａ．ゲートバスラインの断線 ｂ．データバスラインの断線 ｃ．Ｃｓバスラインの断線 ｄ．ゲートバスラインとＣｓバスラインの同層短絡 ｅ．ゲートバスラインとデータバスラインの層間短絡 ｆ．Ｃｓバスラインとデータバスラインの層間短絡 があり、これらは歩留まり低下を発生させる。これらの
欠陥に対しては冗長設計が行われるが、そのリペア作業
はパターン形成直後だけでなく液晶を充填した後のセル
状態でも頻繁に行われる。このとき、上述のａ，ｃ，ｄ
は、基板に成膜される第１層目の欠陥であることからリ
ワークが容易であり、通常セル化後のリワーク対象には
ならない。特に、ｃについては、Ｃｓバスラインは共通
電極であることから、図６に示すように、ＬＣＤパネル
の両側で束ねるなどの方法により、パターン的な冗長も
容易であり、膜の電気伝導率が一定以上であれば回避す
ることも可能である。しかしながら、ｂ，ｅ，ｆは、セ
ル化後のリワーク対象になることが多く、液晶への光照
射を行う際に、データバスラインからの書き込みにより
正常な駆動をすることができない。
【００４９】そこで、本発明においては、上記第１の概
念に基づく方法において、液晶に電圧を印加する際に、
データバスラインからの電圧書き込みをするのではな
く、２つの共通電極間に電圧を印加することにより書き
込みを行うのである。これにより、前述した如きデータ
バスラインからの書き込みの場合に生じる問題をある程
度無視することが可能となる。
【００５０】その理由としては、画素電極をフローティ
ング層として扱うため、ｂやｅのような欠陥の影響を受
けないことが挙げられる。これは、共通電極とＣｓバス
ライン間に交流電圧を印加することで、画素の電位がほ
ぼＣｌｃとＣｓである直列結合の両端に交流電圧を印加
する回路が形成され、それぞれのインピーダンスをＺｌ
ｃ、Ｚｃとすると、液晶部分への印加電圧は 液晶部分への印加電圧＝Ｚｌｃ／（Ｚｌｃ＋Ｚｃ）×交
流電圧 で与えられるためである。
【００５１】このとき、ゲートバスラインの電圧は、フ
ローティングであれば、ＴＦＴはほぼＯＦＦ状態であ
り、本発明のもう１つの目的であるしきい値シフトの回
避は自動的に行われている。また、このとき、ゲートバ
スラインに積極的にＯＦＦ電圧を印加することも現実に
は可能であり、この場合にはゲートバスラインと共通電
極が形成する電気容量Ｃｇｃや、ゲートバスラインと画
素電極が形成する容量Ｃｇｓが液晶部分への印加電圧の
値に作用してくる。
【００５２】本発明の第２の概念に基づく方法では、直
流電圧を印加して、本発明で規定する第２の基板上の配
線や電極の電位を揃えることで、上記ｂ、ｅ，ｆの欠陥
を回避することを提案している。
【００５３】ｅ，ｆの欠陥は、データバスライン、Ｃｓ
バスライン、ゲートバスラインの電圧がすべて同じであ
れば、原理的にそれらのショートが全く見えない状態を
実現することができる。もちろん、これは光感光時にの
み実現することを目的としている。たとえば、共通電極
に０Ｖ、データバスライン、Ｃｓバスライン、ゲートバ
スラインに５Ｖの直流電圧を印加すれば、画素電極には
結果的に５Ｖが印加されていく。これは、データバスラ
インと画素電極は、ＴＦＴによってつながっているが、
十分に時間が経過した後では、画素電極に徐々に電荷が
流入し、結果的に５Ｖになるためである。つまり、共通
電極（０Ｖ）−画素電極（５Ｖ）の状態が実現され、液
晶に電圧を印加することが可能となる。通常、ＴＦＴで
使用する液晶は高い抵抗を持つため、液晶層内でのイオ
ンの移動もほとんど無視することが可能である。
【００５４】この考え方によれば、ｂの欠陥についても
回避をする手段が得られる。すなわち、図６に示すよう
に、通常、ＴＦＴパネルの場合、静電気による障害を回
避するためにＥＳＤ回路（静電気対策回路）が形成され
ていることが多い。これは、おのおののバスラインが高
い抵抗で接続されているような状態になっているとも言
える。図６のケースのように、データバスラインの断線
が起こったとしても、反対側に何らかの電圧の入力経路
があれば、たとえ高い抵抗の接続状態であったとしても
十分に時間がたてば、所望の電圧印加を実現することが
できる。
【００５５】本発明の第３の概念に基づく方法では、Ｔ
ＦＴのチャネル部分への紫外光の照射を直接的に防ぎつ
つ、配線欠陥を回避して液晶に光を当てることを目指し
ている。この場合には、液晶への電圧印加にあたり、通
常の駆動が可能となる。ただし、ここでは、線欠陥の影
響を回避する目的で、バスラインに対して両側から電圧
を印加することを提案している。これによりｂの欠陥の
影響を回避することが可能となる。
【００５６】最近では、検査技術の進化により、セル化
前に欠陥座標の検出を高い精度で実現することが可能に
なっている。欠陥座標の確認さえ可能であれば、図７に
示すような処理により、ｅ，ｆのタイプの欠陥をｂのタ
イプの欠陥に変換することが可能である。また、液晶に
光を照射する前の段階でこのリペア処理が実施できれ
ば、ここで提案するような方法と併用することで、線欠
陥の影響の回避が可能となる。
【００５７】また、本発明の方法は、次のような場合に
応用することもできる。
【００５８】１つは、図８に示すように、Ｃｓ ｏｎ
ゲートと呼ばれるＴＦＴ設計に応用する場合である。こ
の場合に、Ｃｓバスラインが存在しないものの、前述し
た第２および第３の概念に基づく本発明の方法を、同様
に適用することができる。また、第１の概念に基づく本
発明の方法においても、画素電極がゲートバスラインと
なす容量をそれぞれＣｇｓ１、Ｃｇｓ２とすれば、その
インピーダンスをＺｇｓ（＝１／ｊω（Ｃｇｓ１＋Ｃｇ
ｓ２））として、液晶部分への印加電圧は 液晶部分への印加電圧＝Ｚｌｃ／（Ｚｌｃ＋Ｚｇｓ）×
交流電圧 によりほぼ決まることが予想されるからである。
【００５９】２つめは、その製造過程で液晶への均一な
直流電圧が印加されるような液晶表示装置の製造プロセ
スについてである。たとえば、強誘電性液晶の初期配向
状態の決定の際に、直流電圧を全面に均一に印加するこ
とが要求される場合があるが、本発明の方法の場合と同
様に線欠陥部分が問題視されることが予想される。
【００６０】３つめは、ＩＰＳモードと感光性材料を組
み合わせる際である。ＩＰＳの場合は、感光時に電界を
形成する方向として、上下基板間においてだけでなく、
櫛形電極間にも想定される。このような場合、本発明の
方法では、共通電極が第１の基板上にあると規定してい
るが、第２の基板上の共通電極と画素電極間を想定した
電圧印加にも対応させることができるのである。
【００６１】なお、本発明の方法により製造される液晶
表示装置においては、一般に第１の基板と第２の基板と
の間隔は、それらを支持する構造物により、または図２
に示すようにプラスチックビーズ等のギャップ支持部材
により、所定の大きさに保持されており、またそれらの
間に保持される液晶材料は、その周囲を接着剤層で固定
することにより、上記２枚の基板間の間隙に密閉されて
いる。
【００６２】また、本発明の第２の面において、その方
法の具体的形態として、下記の方法が例示される。
【００６３】１）相対する透明電極の間において、閾値
電圧以上でかつ閾値＋１Ｖ以下の一定電圧を１０秒間以
上印加した後、白表示時に印加する電圧以上の電圧を印
加して電圧を変化させ、その電圧を維持しながら、前記
液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマ
ーを重合させる、上記（７）の方法。
【００６４】２）少なくとも一方の基板上の透明電極
が、０．５〜５ミクロンの微細スリット構造を有する、
上記（７）の方法。
【００６５】３）微細スリット構造が縦方向に形成され
た微細ＩＴＯスリットからなる、上記（７）の方法。
【００６６】４）微細ＩＴＯスリットが画素電極の縦方
向の長さのほぼ半分の長さである、上記（７）の方法。
【００６７】５）微細スリット構造が横方向に形成され
た微細ＩＴＯスリットからなる、上記（７）の方法。
【００６８】６）微細ＩＴＯスリットが画素電極の横方
向の長さにほぼ等しい長さである、上記（７）の方法。
【００６９】７）少なくとも一方の基板が、基板間の間
隙内に突出する高さ０．１〜５ミクロンの突起を有す
る、上記（７）の方法。
【００７０】現在のＭＶＡでは、広視野角化のため、電
圧印加時に液晶分子が４方向に倒れるように、土手やＩ
ＴＯスリットを複雑に配置しているため、光透過率が低
い。これを単純化し、電圧印加時に液晶分子が２方向に
倒れるような図３０、３１に示すような構造を考えた。
ＭＶＡでは、土手やＩＴＯスリットが作る電界によって
土手やスリットに近い液晶分子から順に液晶分子の倒れ
る方向が規定されていく。図３０、３１示すように土手
やＩＴＯスリットの間隙が非常に広いと、液晶分子の傾
斜の伝播に時間がかかるため、電圧を印加したときのパ
ネルの応答が非常に遅い。
【００７１】そこで、重合可能なモノマーを含む液晶組
成物を注入し、電圧を印加した状態でモノマーを重合さ
せて液晶分子の倒れる方向を記憶させておくという技術
を導入した。
【００７２】さらに、データバスライン近傍の画素電極
端で発生する電界によって液晶分子が意図した方向とは
９０°異なる方向に倒れるため、図３２に示す画素顕微
鏡観察図のように画素には大きな暗部が生じてしまう。
そこでＴＦＴのある基板側のＩＴＯ画素電極に微細スリ
ットを設けて配向を電界で規定することにした。ＩＴＯ
画素電極に微細スリットを設けると、液晶分子は微細ス
リットと平行に倒れる。また、全液晶分子の方向が電界
によって定まるので、画素端の発生する電界の影響を最
小限に抑えることができる。
【００７３】急激に高い電圧を印加すると、静電エネル
ギーにより液晶分子が大きく倒れる。本来倒れる方向と
逆方向に倒れてしまった液晶分子は、エネルギー的に不
安定なため、順方向に傾きなおそうとする。傾き直る過
程で、静電エネルギーに逆らうため、順方向に戻すため
に大きな弾性エネルギーが必要となる。そのため、静電
エネルギーに打ち勝てないと、逆方向に液晶分子が倒れ
たまま準安定してしまう。しかし、閾値よりわずかに高
い電圧を印加すれば、液晶分子が逆方向に倒れても、小
さな弾性エネルギーで静電エネルギーに打ち勝って順方
向に戻すことができる。一旦液晶分子が順方向に倒れれ
ば、電圧を高くしても、逆方向に倒れることはない。順
方向に倒れた状態でモノマーを重合すれば、順方向の配
向状態が記憶され、次に電圧を印加するときには液晶分
子が逆方向に倒れることはなくなる。
【００７４】そこで、閾値電圧よりわずかに高い電圧で
配向を整えてから、所定の電圧に上昇させ、その状態で
重合性モノマーを重合させれば、良好な配向を得ること
が可能である。
【００７５】なお、微細ＩＴＯスリット幅は、あまり細
すぎると切断してしまう可能性があり、またあまり太す
ぎると液晶分子がスリットと平行方向に倒れなくなる。
また、微細スリットがあまりに狭いと微細ＩＴＯが短絡
する可能性があり、またあまりに広いと液晶分子がスリ
ットと平行方向に倒れなくなる。そこで、微細スリット
および微細電極の幅は０．５〜５ミクロンに設定するの
が好ましい。
【００７６】本発明の第３の面においては、その方法の
具体的形態として、下記の方法が例示される。
【００７７】１）前記複数回の光照射のうちの少なくと
も１回の光照射を前記液晶層に電圧が印加された状態で
行う、上記（８）の方法。
【００７８】２）前記複数回の光照射を、前記電圧を印
加して行う光照射の前後のいずれか、またはその前後の
両方において、電圧を印加せずに行う、上記（８）の方
法。
【００７９】３）前記複数回の光照射を、複数の異なる
光強度で行う、上記（８）の方法。
【００８０】４）前記電圧を印加して行う光照射を、５
０ｍＷ／ｃｍ2 以上の光強度で行う、上記（８）の方
法。
【００８１】５）前記電圧を印加せずに行う光照射を、
５０ｍＷ／ｃｍ2 以下の光強度で行う、上記（８）の方
法。
【００８２】６）前記液晶がＮ型液晶であり、この液晶
分子が電圧を印加しない状態でほぼ垂直に配向してい
る、上記（８）の方法。
【００８３】７）液晶表示装置が、２枚の基板の一方に
スイッチング素子であるＴＦＴアレイが形成されたアク
ティブマトリクス型ＬＣＤである、上記（８）の方法。
【００８４】８）前記重合可能なモノマーが液晶性また
は非液晶性モノマーであり、紫外線照射により重合され
る、上記（８）の方法。
【００８５】９）前記重合可能なモノマーが２官能性ア
クリレートまたは２官能性アクリレートと単官能性アク
リレートとの混合物である、上記（８）の方法。
【００８６】ポリマーの焼付きを抑えるためには、モノ
マーが残存せず、全てのモノマーがポリマー化されるこ
とが好ましい。ＵＶ照射不足、あるいは高いＵＶ強度で
短時間の重合では時間的に反応しきらないモノマーが残
るため、低ＵＶ強度で長時間の重合を行うのが良いこと
が実験的にわかっている。しかし、未反応モノマーが残
存しない程に照射量を増やすと、今度はコントラストが
低下してしまうという問題が生じるが、これはＵＶ照射
の間ずっと電圧を印加し続けるために起こる問題であ
る。そこで、本発明では、重合時のＵＶ照射を複数回に
分割して行うもののである。各照射工程を電圧のかかっ
た状態と電圧がかからない状態に分けて行うことによ
り、液晶分子のプレチルトを低下させ過ぎず、かつ、残
存モノマーを解消することができるのである。さらに、
ＵＶ照射強度も、その都度異ならせるのがよい。例え
ば、低ＵＶ強度で前段階照射の後、電圧印加状態で高強
度ＵＶ照射を行い、さらに低強度ＵＶで後照射する。電
圧無印加での照射は、複数枚を一括で処理できるため、
ここでの照射時間の増加は問題とならず、よって律速段
階である電圧印加時の照射時間を高強度ＵＶを用いるこ
とによって短縮することができる。
【００８７】本発明の方法において、電圧印加時のＵＶ
照射ではプレチルトは低下し、電圧無印加時のＵＶ照射
ではプレチルトは変化しない。よって、ＵＶ照射を複数
回に分割して行い、電圧を印加して行うＵＶ照射の時間
を短時間とし、電圧無印加時のＵＶ照射の時間を長くす
ると、プレチルト角は大きくなり過ぎず、しかもモノマ
ーは十分に反応して残存しない状態が得られる。あるい
は、電圧印加でのＵＶ照射の前段階として予備照射を行
い、予めモノマーの反応を僅かに促進させておくこと
で、残存モノマーをより低減することができる。
【００８８】ここで、ＵＶ照射をインターバル的に行う
ことの効果について説明する。ＴＦＴ−ＬＣＤの場合、
ＵＶをＴＦＴ側もしくはＣＦ側どちらから当てても遮光
部の存在により未照射部が生じる。そして、この部分の
未反応モノマーが時間とともに表示部へしみ出し、焼付
きの原因となる。しかしながら、上述のように照射と照
射の間に一定の時間間隔を設けることにより、未反応モ
ノマーはその都度表示部へしみ出してはＵＶが照射され
るため、最終的には遮光部のモノマーもそのほとんどが
反応し、その結果として焼付きの少ないＬＣＤが得られ
るのであると考えられる。
【００８９】すなわち、本発明によれば、高コントラス
トでかつ焼付きの無い高分子安定化ＭＶＡ−ＬＣＤが得
られ、またその重合工程の時間を従来より短縮すること
ができる。
【００９０】本発明の第４の面においては、その装置の
具体的形態として、下記の装置が例示される。
【００９１】１）前記注入口と表示端との距離が注入口
が存在する辺の寸法の２／５以下である、上記（９）の
装置。
【００９２】２）前記表示領域のセルギャップ以下のセ
ルギャップを有する領域とセル形成用のシールとの距離
が０．５ｍｍ以下である、上記（１０）の装置。
【００９３】３）液晶組成物が非液晶成分を含有し、ま
たは分子量、表面エネルギーが液晶成分と異なる成分を
含有する液晶組成物を用いた、上記（９）〜（１２）の
いずれかの装置。
【００９４】本発明の上記（９）の装置においては、液
晶と重合性成分の分離による重合性成分の重合後の表示
のムラを軽減するためには、液晶組成物の注入の初期に
液晶組成物が十分に攪拌されて、重合性成分と液晶の異
常濃度部分が形成されず、かつ、注入過程で局所的な速
度増加が発生しないようにする必要があり、注入口の数
および位置を最適化することでこれが可能となる。
【００９５】また、本発明の上記（１０）および（１
１）の装置においては、液晶と重合性成分の分離による
重合性成分の重合後の表示のムラを軽減するためには、
液晶注入の初期に重合性成分と液晶の異常濃度部分が生
じて額縁から表示部へ回り込むことによる異常部の凝
集、および額縁での速度増加による液晶と重合性成分の
分離を抑える必要がある。そのため、額縁のセル厚を表
示領域以下にすること、額縁端とシールとの距離を一定
以下にすること、および額縁部分を補助シールにより埋
めることにより、表示ムラの軽減が可能となる。
【００９６】また、本発明の上記（１２）の装置におい
ては、重合性成分と液晶との濃度が異常となった部分を
重合性成分の重合の前に表示領域外に誘導することで、
表示ムラを発生させないことが可能となる。
【００９７】本発明の液晶表示装置においては、液晶中
に分散された重合性成分を電圧を印加しながら光重合ま
たは熱重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾
斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶組成物の
注入口が存在する辺の近傍で表示むらが発生しないの
で、これにより表示品位の高い液晶表示装置を与えるこ
とができる。本発明の第５の面においては、その方法の
具体的形態として、下記の方法が例示される。
【００９８】１）２枚の基板間に注入された液晶組成物
に対する紫外線照射を、光強度の異なる紫外線により２
段階以上に分割して行う、上記（１３）の方法。
【００９９】２）２枚の基板間に注入された液晶組成物
に対する紫外線照射を、液晶分子にこの液晶分子の閾値
以上の電圧を印加しながら紫外線照射する工程と、液晶
分子に電圧を印加せずに紫外線照射する工程の２段階に
分割して行う、上記（１３）の方法。
【０１００】３）２枚の基板間に注入された液晶組成物
に対する紫外線照射を、それぞれ異なる電圧を液晶分子
に印加しながら２段階に分割して行う、上記（１３）の
方法。
【０１０１】４）２枚の基板間に注入された液晶組成物
中の紫外線重合性成分を重合させるために、光強度の異
なる複数の紫外線照射ユニットを用い、２段階以上に分
割して紫外線照射する、上記（１３）の方法。
【０１０２】５）２枚の基板間に注入された液晶分子に
対する紫外線照射を、前記アレイ基板側より行う、上記
（１３）の方法。
【０１０３】６）前記第２の基板をカラーフィルタ層が
形成されたアレイ基板で構成し、前記第１の基板には共
通電極を形成し、２枚の基板間に注入された液晶分子に
対する紫外線照射を、第１の基板側より行う、上記（１
３）の方法。
【０１０４】本発明によれば、液晶分子の傾斜角、方位
角を規制するための高分子材料は、液晶分子に対し、適
度に液晶分子の傾斜方向を規制する構造をとることがで
きる。
【０１０５】たとえば、電圧を印加した状態で光を十分
に照射すると硬い架橋構造を形成するが、処理時間がか
かりすぎて、量産時においては装置台数の増加や処理能
力の減少といった面から、高コストとなる。
【０１０６】以上に説明したように、本発明によれば、
焼付きがなく、信頼性の高い４ドメインによる広視野角
で、垂直配向による高コントラストで、高分子により液
晶分子の傾き方向が規制された、高速応答の可能な液晶
表示装置を得ることが可能となる。
【０１０７】本発明の第６の面においては、その装置の
具体的形態として、下記の装置が例示される。
【０１０８】１）赤色、青色、緑色からなるカラーフィ
ルタ層がＴＦＴ基板上に形成されている基板と共通電極
が形成された基板とに液晶層が挟持されている、上記
（１４）〜（２１）のいずれかの装置。
【０１０９】本発明の上記（１４）〜（１６）の装置に
おいては、液晶の異常ドメインの発生を防ぎ、所望の方
位に配向させるために、異常ドメインの起点となるセル
厚変動を所望の配向をさせた場合のドメイン境界に配置
することが必須となる。これにより、異常ドメインによ
る輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善が
可能となる。
【０１１０】また、本発明の上記（１７）、（１８）の
装置においては、液晶ドメインが発生した場合でもその
領域を最小限にする必要がある。そのためには、同一配
向の分割領域に複数の異常ドメインの起点となる構造を
有さないようにする必要がある。これにより異常ドメイ
ンによる輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の
改善が可能となる。
【０１１１】また、本発明の上記（１９）の装置におい
ては、異常ドメインの起点となるコンタクトホールを１
つにすることにより、異常ドメインの低減が可能とな
り、かつ、開口率の向上も可能となる。
【０１１２】また、本発明の上記（２０）の装置におい
ては、表示画素内の金属電極による開口率の低下を防ぐ
ために、表示画素内で電圧印加時でも暗線となる領域に
沿って金属電極を配線することが有効となる。
【０１１３】さらに、本発明の上記（２１）の装置にお
いては、液晶の異常ドメインの発生を防ぎ、所望の方位
に配向させるために、画素電極と同電位の電極を画素電
極スリット部に配線しないことが必須となる。これによ
り、画素電極と同電位の電極からの電界による異常ドメ
インの発生を防ぎ、輝度低下や応答速度の劣化、表示ム
ラの発生の改善が可能となる。
【０１１４】前述したように、本発明によれば、液晶中
に分散させた光重合性成分を電圧を印加しながら光重合
させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規
定した液晶表示装置において、液晶の異常ドメインの発
生を防ぎ、所望の方位に配向させることが可能となり、
輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善がで
き、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。
【０１１５】本発明の第７の面において、その方法の具
体的形態として、下記の方法が例示される。 １）追加の紫外線照射において、この追加の紫外線照射
前のモノマーの重合処理に用いた紫外線と異なる波長の
紫外線が用いられる、上記（２２）の方法。 ２）追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そ
のスペクトルにおいて３１０〜３８０ｎｍに最大エネル
ギーピークを有するものである、上記（２２）の方法。 ３）追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そ
のスペクトルにおいて３５０〜３８０ｎｍに最大エネル
ギーピークを有するものである、上記（２２）の方法。 ４）追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そ
のスペクトルにおいて３１０〜３４０ｎｍに最大エネル
ギーピークを有するものである、上記（２２）の方法。 ５）追加の紫外線照射において、照射時間が１０分以上
である、上記（２２）の方法。 ６）基板表面が垂直配向処理された垂直配向モードであ
り、非表示部の液晶もほぼ垂直配向されている、上記
（２２）の方法。
【０１１６】本発明の方法においては、配向規制のため
の重合工程を行った後に、残留するモノマーを反応させ
る後工程として、紫外線による追加照射を行う。追加照
射時には液晶パネルを駆動させることなく、液晶組成物
に対して紫外光のみを照射する。この照射は、重合に必
要な波長の紫外光のみを効率的に発しており（可視光域
等を持たず）、かつ、それほど強くないものを用い、長
時間行うのがよい。照射時間は紫外線の強度にもよる
が、一般には１０分〜２４時間であるのがよい。この方
法では、照射光が紫外光より波長が長い光域をほとんど
持たないため、照射による温度上昇が無く、かつ、有効
な波長の光をある程度強く当てることが可能となる。そ
の結果、残留するモノマーを温度上昇を伴わずに重合さ
せることができ、焼き付きが極めて少ないパネルを得る
ことができる。また、この追加の紫外線照射では、パネ
ル駆動の必要が無く、簡易な装置でよいため、照射のた
めの装置を多数台設置することが可能となり、長時間の
照射を要する場合でも多数のパネルを同時に処理するこ
とができるので、パネル製造工程全体を遅延させて生産
性を低下させることはない。
【０１１７】
【実施例】以下に、本発明の第１の面における実施例に
つき、さらに説明する。
【０１１８】実施例１ 図９に示すように、第１の基板側にマトリクス状にゲー
トバスラインとデータバスラインが配置されており、そ
れぞれのラインはその片側で束ねられた構成になってい
る。バスライン同士のクロス部にはＴＦＴが配置されて
おり、このＴＦＴを介して画素電極が形成されている。
対向側の第２の基板には、前述の画素電極のそれぞれと
電気容量を形成する共通電極が形成されており、それに
電圧を印加するためのパットが左下に取り出されてい
る。
【０１１９】また、画素電極は、第１の基板内で、Ｃｓ
バスラインと呼ばれる層と補助容量Ｃｓをそれぞれ形成
している。Ｃｓバスラインは、もう１つの共通電極であ
ると言うことができる。Ｃｓバスラインは、右上でパッ
ト（Ｃｓ）として取り出されている。
【０１２０】このように構成された液晶パネルの断面
は、図２のようになっており、ここでいう第１の基板は
下側の基板にあたり、第２の基板はカラーフィルタが成
膜されている基板にあたる。
【０１２１】それぞれの基板の表面には、液晶の初期配
向状態（液晶に光を照射する前の状態）を決めるための
配向膜が形成されており、ここでは垂直配向性を示すポ
リイミド配向膜を用いている。
【０１２２】液晶としては、誘電率異方性Δεが−３〜
−５のネガ型液晶材料を用い、それに感光性を示す液晶
アクリレート系材料を微量（０．１〜１．０％）配合し
たものを用いた。
【０１２３】このような構成を持つ液晶パネルに対し、
共通電極パット（Ｃ）に±２０Ｖの交流電圧（方形波）
パット（Ｃｓ）に０Ｖを印加すると、先に述べたように
液晶部分への印加電圧は Ｚｌｃ／（Ｚｌｃ＋Ｚｃ）×交流電圧 で与えられ、ここで液晶の容量Ｃｌｃ＝２５０ｆＦ、補
助容量Ｃｓ＝２５０ｆＦとすると液晶部分にはおよそ±
１０Ｖの電圧が印加されたことが計算できる。この状態
で液晶パネルにＵＶ照射をしてやると、液晶分子が倒れ
た方向に傾斜して、液晶性アクリレート材料が重合す
る。
【０１２４】感光後電圧印加を解除してやると、初期配
向が垂直配向の状態からわずかに傾いた状態が実現でき
る。このようにしてできたパネルの表示特性は、図１０
および図１１のようになり、液晶性アクリレートの重合
時印加電圧に影響され、±２０Ｖの交流電圧（方形波）
の印加によって白輝度３２０ｃｄ／ｍ2 、黒輝度０．５
３ｃｄ／ｍ2 （バックライト５０００ｃｄ／ｍ2 ）のパ
ネルが得られることがわかる。
【０１２５】実施例２ 図９に示した実施例１の構成に代えて、図１２に示すよ
うに、共通電極とＣｓバスラインとの間が完全に絶縁さ
れた構成とする（通常は、導電性粒子や銀ペーストによ
りショートされている）。これにより印加した交流電圧
の電圧の鈍りを低減させることができるので、このよう
に共通電極とＣｓバスライン間を完全に絶縁しているの
が望ましい。
【０１２６】特に、Ｃｓバスライン１本あたりの抵抗は
数ｋΩのオーダーであることが多く、リークの大きさに
よっては印加電圧の低下が発生する。
【０１２７】実施例３ 上記に述べたように、液晶に光を照射する時の電圧印加
に際し、共通電極とＣｓバスラインは電気的に絶縁され
ていることが望ましい。しかしながら、この方法では、
四方から電流の供給を受けることが必要な共通電極に対
し、Ｃｓバスラインへの電圧供給とは別のパターンを形
成する必要性が生じる。
【０１２８】そこで、この例のように、光の照射の後
で、共通電極とＣｓバスラインをショートさせることを
考えておけば、四方からの電流の供給が簡単に実現され
る。
【０１２９】すなわち、図１３に示すように、あらかじ
めパネルの構造内に、レーザーでショートさせる部分を
設けておく方法が挙げられる。そのためには、一般的に
は、上下基板間の導通を銀ペーストもしくは導電スペー
サを用いて行う。
【０１３０】一方、図１４に示す態様では、端子部分で
の接続が行われる。ここでは、共通電極とＣｓバスライ
ンとの接続をパネルの外で行う例を示している。
【０１３１】実施例４ 実施例１で説明したのと同様の、図１５に示す如き構成
を有する液晶パネルに対して、共通電極パット（Ｃ）に
±８Ｖの交流電圧（方形波）を印加し、パット（Ｃｓ）
に０Ｖを印加し、さらにゲートバスラインに−５Ｖを印
加する。
【０１３２】先に述べたように液晶部分への印加電圧は Ｚｌｃ／（Ｚｌｃ＋Ｚｃ）×交流電圧 で与えられる。
【０１３３】また、ゲートバスラインに電圧が印加され
ていることで、トランジスタからデータバスラインに流
れる電流を抑制することができる。
【０１３４】さらに、実施例１と同様に液晶パネルにＵ
Ｖ感光をしてやると、液晶分子が倒れた方向に引きずら
れて、液晶性アクリレート材料が重合する。
【０１３５】実施例５ 前述の実施例では、特に液晶性アクリレート材料を液晶
中に配合する場合を説明している。しかし、これらの実
施例で説明した方法は、ポリマー分散型液晶表示パネル
等感光性材料を含むものや、配向処理が必要な強誘電性
パネルにも応用することが可能である。
【０１３６】実施例６ 実施例１の方法において、交流電圧印加時の周波数が高
くなるとＣｓバスラインの抵抗が高いことが問題とな
り，書き込み不足となる。逆に周波数が低くなると高抵
抗で接続されている部分等で、電圧のリークが発生し、
パネルの表示面全体に均一な電圧を書き込む事が不可能
になる。ここでは、配線抵抗が材質等により変化するこ
とを踏まえて、交流電圧を変動させて、周波数と輝度と
の関係を測定した。結果を図１６に示す。そこで、交流
電圧印加時の交流周波数は１Ｈｚ〜１ｋＨｚ程度とする
のがよい。
【０１３７】実施例７ 第２の基板上の配線や電極の電位を揃えて直流電圧を印
加することにより、配線欠陥を見えないようにする例で
ある。
【０１３８】この例では、図１７に示すように、直流電
圧を、共通電極と３つのバスライン間に印加する。ここ
では、共通電極に１０Ｖを印加し、３つのバスラインに
０Ｖを印加する。そうすると、実際に液晶に印加される
電圧は、実施例１の説明で示したモデルと同じであるた
め、表示特性についても同様なパネルが得られる（白輝
度３２０ｃｄ／ｍ2 、黒輝度０．５３ｃｄ／ｍ2 ）。こ
の場合には、バスライン同士のショート等は、電圧が同
じであるため問題にならないことは言うまでもない。
【０１３９】実施例８ 実施例７の場合において、図１８に示すように、データ
バスラインに関して反対側を束ねてやるものである。こ
れにより、データバスラインに断線があっても電圧が回
り込んで入力される。この場合、束ねた部分は後でガラ
スを切断して切り離してやればよい。
【０１４０】実施例９ 実施例８において、切り離すプロセスを回避するには、
図１９に示すように、反対側で束ねる代わりに、高抵抗
で接続する方法が挙げられる。直流電流の場合には、図
５に関して説明したように、時間が十分に経過すれば高
抵抗接続でも等電位になっていく。これを利用すると、
図２０および図２１に示すようなパターンを形成して、
直流電圧を印加することも可能である。
【０１４１】図２０では、データバスラインとゲートバ
スライン、Ｃｓバスライン（他に後で述べるリペアライ
ンも含む）、共通電極が、ＥＳＤ回路等を介してすべて
高抵抗で接続された状態にある。ここでは、データバス
ラインに１０Ｖ、ゲートバスライン（後に述べるリペア
ラインを含む）に１０Ｖ、共通電極に０Ｖ、を印加し、
液晶に光を照射する。
【０１４２】図２１では、データバスラインとゲートバ
スライン、Ｃｓバスライン（他に後で述べるリペアライ
ンも含む）が、ＥＳＤ回路等を介してすべて高抵抗で接
続された状態にある。ただし、共通電極とは絶縁された
状態にある。ここでは、データバスラインに１０Ｖ、共
通電極に０Ｖ、を印加し、液晶に光を照射する。
【０１４３】なお、図２０および図２１の例は、そのい
ずれにおいても、第２の基板上のバスラインの電位を、
すべて等電位にするものである。
【０１４４】実施例１０ この例では、図２２に示すように、データバスライン、
ゲートバスライン、Csバスライン、共通電極に加え、リ
ペアラインにも電圧が印加される。
【０１４５】リペアラインは、通常、データバスライン
の両側または信号入力側の逆に配置されるが、この図の
装置では信号入力側の逆に配置されている。
【０１４６】図７の説明で述べたように、層間短絡に起
因する線欠陥も含めて、リペア処理はｂ．データバスラ
インの断線の状況に変換し、それを図２０に示すように
リペアラインと接続する方法などが代表的例として挙げ
られる。このような場合、断線した先の部分には、信号
入力側からは電圧が入力されないため、先の実施例にあ
るように、パネル内部のＥＳＤ回路などを利用して、電
圧を回り込ませるやり方もあるが、ダイレクトにリペア
ラインに電圧を印加することは、かなり確実な方法とい
える。
【０１４７】図２２の装置では、上記の概念にもとづ
き、リペアラインに直接的または間接的に高抵抗接続を
介して電圧を印加するものである。図では、第２の基板
上にそれぞれのバスライン、ＴＦＴが配置されている。
第１の基板には、共通電極としての透明電極が形成され
ている。それぞれの基板には、印刷やスピナーなどの手
法によって配向膜が形成される。また、２つの基板の間
には、液晶性アクリーレート材料を微量添加した液晶が
挟持されている。
【０１４８】次に、共通電極に０Ｖ、ゲートバスライ
ン、データバスライン、リペアラインのそれぞれと高抵
抗で接続された部分に直流電圧１０Ｖを印加する。そし
て、このように液晶に電圧を印加した後、ＵＶ光を液晶
部分に照射する。
【０１４９】実施例１１ この例は、図２３に示すように、パネルの構成としてＣ
Ｆ−ＯＮ−ＴＦＴ構造を用いる例である。図４で示した
ように、ＴＦＴのしきい値シフトは、ＴＦＴがＯＮ状態
の時に、紫外光が直接照射されることにより発生する。
ＴＦＴ基板側にカラーフィルタをＴＦＴ部分を覆うよう
に形成することにより、到達するＵＶ光の大部分をカッ
トすることが可能となり、結果としてしきい値シフトを
抑制することが可能となる。
【０１５０】図２３では、第２の基板上にＴＦＴが配置
され、その上にカラ−フィルタが成膜され、さらにその
上に画素電極が形成される。第１の基板には、共通電極
としての透明電極が形成されている。それぞれの基板に
は、印刷やスピナーなどの手法によって配向膜が形成さ
れる。また、２つの基板の間には、液晶性アクリーレー
ト材料を微量添加した液晶が挟持されている。
【０１５１】次に、共通電極に０Ｖ、ゲートバスライン
に２０Ｖ、データバスラインに±１０Ｖの交流３０Ｈｚ
方形波を印加する。データバスラインの両側は、図１８
に示すように両側で束ねられている。
【０１５２】このように液晶に電圧を印加した後、ＵＶ
光を第１の基板側から照射する。
【０１５３】実施例１２ この例は、図２４に示すように、ＴＦＴのしきい値シフ
トを抑制するために、ＴＦＴ上に遮光膜を準備するのと
同時に、線欠陥部にも均一に電圧を印加するため、リペ
アラインにデータバスラインに入力する信号と同じもの
を印加する例である。実施例１１の場合と同様に第２の
基板上にＴＦＴが配置され、その上にカラ−フィルタが
成膜され、さらにその上に画素電極が形成される。第１
の基板には、共通電極としての透明電極が形成されてい
る。それぞれの基板には、印刷やスピナーなどの手法に
よって配向膜が形成される。また、２つの基板の間に
は、液晶性アクリーレート材料を微量添加した液晶が挟
持されている。
【０１５４】次に、共通電極に０Ｖ、ゲートバスライン
に２０Ｖ、データバスラインとリペアラインに±１０Ｖ
の交流３０Ｈｚ方形波を印加する。このとき、リペアラ
インは、リペアの対象となるバスラインと接続されてい
るものとする。
【０１５５】このように液晶に電圧を印加した後、ＵＶ
光を第１の基板側から照射する。
【０１５６】次に、本発明の第２の面における実施例を
説明する。これらの実施例では、全て垂直配向膜を使用
し、液晶は誘電率異方性が負、偏光板はクロスニコルに
液晶パネルの両側に貼付するのでノーマリーブラック、
偏光板の変更軸はバスラインに対して４５°方向であ
る。パネルサイズは１５型、解像度はＸＧＡである。ま
た、重合性モノマーとしては大日本インキ（株）製の液
晶物アクリレートモノマーＵＣＬ−００１を用い、液晶
としては△εが負の液晶を用いた。
【０１５７】実施例１３ 図２５に示すようなＩＴＯパターンをもつ液晶パネルを
作製した。
【０１５８】微細ＩＴＯスリットの幅と、データバスラ
インとＩＴＯの間隙がほぼ等しいため、データバスライ
ンとＩＴＯの間隙でも液晶分子がデータバスラインと平
行な方向に倒れるので、液晶分子が全て同じ方向に傾斜
し、暗部の発生を防ぐことができる。なお、視角特性を
対称にするため、図２５で液晶分子が下に向かって倒れ
る領域と図２３で液晶分子が上に向かって倒れる領域の
面積はほぼ等しい。
【０１５９】図２５では、微細な電極を画素中央部で接
続する。図２５の装置の一例の断面図である図２６に示
すように電界だけで液晶分子の倒れる方向を制御するこ
とは可能であるが、図２５の装置の他の一例の断面図で
ある図２７に示すように液晶分子の倒れる方向をよりは
っきり規定するために突起状の土手を設けてもよい。ま
た、土手の代わりに配向膜を図の方向にラビングする
か、光配向を利用することも可能である。
【０１６０】パネル内に封入された液晶組成物に閾値電
圧より０．１Ｖ高い電圧を印加して１分間待ち、顕微鏡
による観察で配向が所定の方向に制御されたことを確認
後、電圧を３Ｖまでは毎秒０．０１Ｖ、１０Ｖまでは毎
秒０．１Ｖの速度で上昇させ、１０Ｖの電圧が印加され
た状態で紫外線を照射してモノマーを重合させた。これ
により、配向乱れの無い液晶パネルを作製できた。
【０１６１】実施例１４ 図２８に示すようなＩＴＯパターンをもつ液晶パネルを
作製した。パネル内に封入された液晶組成物に閾値電圧
より０．１Ｖ高い電圧を印加して１分間待って液晶分子
の配向を安定させた後、電圧を３Ｖまでは毎秒０．０１
Ｖ、１０Ｖまでは毎秒０．１Ｖの速度で上昇させ、１０
Ｖの電圧が印加された状態で紫外線を照射してモノマー
を重合させた。これにより、配向乱れの無い液晶パネル
を作製できた。
【０１６２】次に、本発明の第３の面における実施例を
説明する。
【０１６３】実施例１５〜１７、比較例１、２ １５インチＸＧＡ−ＬＣＤを用いた従来法による比較例
および本発明の実施例を図３３に示す。液晶として、△
εが負のＮ型液晶を用いた。また、重合性モノマーとし
て、大日本インキ（株）製のアクリレートモノマーＵＣ
Ｌ−００１を用いた。モノマー混入濃度は、液晶組成物
の重量の０．１〜２％であった。また、光重合開始剤を
モノマー重量に対して０〜１０％の濃度で添加した。Ｕ
Ｖ照射の条件および得られた結果を表１に示す。
【０１６４】
【表１】
【０１６５】比較例１では、ＵＶ照射時の印加電圧１０
Ｖ、ＵＶ強度１０ｍＷ／ｃｍ2 であり、照射量は４００
０ｍＪ／ｃｍ2 であった。照射時間は約４００秒であ
り、６００程度のコントラストが得られるが、残存モノ
マーが存在し、焼付きは１８％と大きい。比較例２の如
く、ＵＶ照射量を８０００ｍＪ／ｃｍ2 とすると、焼付
きは６％と小さくなるが、この場合にはコントラストが
低下し、また照射時間が約８００秒と多大になる。
【０１６６】実施例１５の方法は、１回目照射時に電圧
１０Ｖを印加してプレチルトを付け、２回目照射は無電
界で行って残存モノマーを解消する方法である。１回目
照射時のＵＶ強度は、表１に示すように、高強度の場合
と、低強度の場合がある。高強度の場合（１００ｍＷ／
ｃｍ2 ）には、電圧印加時の照射時間が４０秒程度で、
焼付き、コントラストともに良好な結果となった。低強
度の場合（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）には、電圧印加時の照射
時間が２００秒とやや長くなるが比較例に比べると１／
２以下であり、焼付き、コントラストとも良好な結果を
示した。
【０１６７】実施例１６の方法は、１回目照射を無電界
で、２回目照射時に電圧を印加する方法である。これ
は、１回目照射を少量照射としてある程度モノマーを反
応させておき、遮光部のモノマーを反応し易い状態に導
いてやり、その後に電圧の印加下に照射するものであ
る。後照射が無い分焼付きはやや大きくなるが、コント
ラストはさらに良好となった。
【０１６８】実施例１７の方法は、上記後照射と前照射
の両方を行う方法である。焼付きおよびコントラストは
ともに良好な結果となった。
【０１６９】次に、本発明の第４の面における実施例を
説明する。
【０１７０】実施例１８ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を
径４μｍのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製
した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティ
ック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ
％の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶
組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図３４に示
すように、このパネルの注入口は、３個形成され、それ
ぞれ２３２ｍｍの長さの辺のうち６８〜８０ｍｍ、１１
０〜１２２ｍｍおよび１５２〜１６４ｍｍの位置に配置
された。
【０１７１】このパネルに、ゲート電圧ＤＣ３０Ｖ、デ
ータ電圧ＤＣ１０Ｖ、コモン電圧ＤＣ５Ｖを印加し、パ
ネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、３００
〜４５０ｎｍの波長の紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2
照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合さ
れた。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。
このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部の
ムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置
であることが認められた。
【０１７２】実施例１９ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を
径４μｍのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製
した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティ
ック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ
％の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶
組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図３５に示
すように、このパネルの額縁のＢＭ部分をＣＦ樹脂を積
層することにより形成し、そのセルギャップを２．４μ
ｍ（表示部ギャップ＝４．０μｍ）、シールとの距離を
０．２ｍｍとした。
【０１７３】このパネルに、ゲート電圧ＤＣ３０Ｖ、デ
ータ電圧ＤＣ１０Ｖ、コモン電圧ＤＣ５Ｖを印加し、パ
ネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、３００
〜４５０ｎｍの波長の紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2
照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合さ
れた。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。
このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部の
ムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置
であることが認められた。
【０１７４】上記において、パネルのＢＭ部分を樹脂重
ねＢＭとするのではなく、Ｃｒ等の金属ＢＭ上にＣＦ樹
脂などで成膜しても同様の効果が得られる。
【０１７５】実施例２０ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を
径４μｍのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製
した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティ
ック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ
％の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶
組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図３６に示
すように、このパネルの額縁のＢＭ部分の上に補助シー
ルを形成し、額縁のＢＭ部分のセルギャップがない構造
とした。
【０１７６】このパネルに、ゲート電圧ＤＣ３０Ｖ、デ
ータ電圧ＤＣ１０Ｖ、コモン電圧ＤＣ５Ｖを印加し、パ
ネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、３００
〜４５０ｎｍの波長の紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2
照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合さ
れ、ポリマーのネトワークがパネル内に形成された。次
に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。このよう
にして作成された液晶パネルは、コーナー部のムラ等の
表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置であるこ
とが認められた。
【０１７７】実施例２１ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を
径４μｍのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製
した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティ
ック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ
％の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶
組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネル
の額縁のＢＭ部分に、図３７に示すように、補助シール
でポケットを形成し、濃度異常となった液晶がポケット
内に入り込むような構造とした。
【０１７８】このパネルに、ゲート電圧ＤＣ３０Ｖ、デ
ータ電圧ＤＣ１０Ｖ、コモン電圧ＤＣ５Ｖを印加し、パ
ネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、３００
〜４５０ｎｍの波長の紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2
照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合さ
れた。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。
このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部の
ムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置
であることが認められた。
【０１７９】次に、本発明の第５の面における実施例に
つき説明する。
【０１８０】実施例２２ この実施例のパネルの断面図を図３８に示す。ＴＦＴ基
板の層構造は、下から、Ａｌ−Ｎｄ／ＭｏＮ／Ｍｏによ
るゲートメタル層、ＳｉＮによるゲート絶縁膜、ａ−Ｓ
ｉ層、ｎ＋／Ｔｉ／Ａｌ／ＭｏＮ／Ｍｏによるドレイン
メタル層、ＳｉＮによる保護膜層、ＩＴＯによる画素電
極層からなる。ＣＦ基板の構造は、赤、青、緑のカラー
フィルター層と共通電極となるＩＴＯ膜層からなる。図
３９は、このパネルの平面図である。この画素電極パタ
ーンによれば、電圧印加時には液晶分子は、図のａ，
ｂ，ｃ，ｄの４方向に傾く。こうすることにより、広視
野角が実現できる。また、対向基板は、ＩＴＯによる共
通電極からなる。これらの２枚の基板に垂直配向膜を塗
布し、片側の基板にビーズスペーサを散布し、もう1方
にパネル周辺シールを形成し、２枚の基板を貼り合わせ
た。この貼り合わせしたパネルに液晶を注入した。液晶
としては、負の誘電率異方性をもつネガ型液晶に、紫外
線硬化型モノマーを０．２ｗｔ％の量で添加したものを
使用した。このパネルに、電圧印加および紫外線照射を
行い、液晶の配向規制を行った。図４０に高分子による
液晶配向規制について示す。初期の電圧無印加時には、
液晶分子は垂直に配向し、モノマーはモノマーとして存
在している。ここで、電圧を印加すると液晶分子は画素
電極の微細パターン方向に傾き、モノマーも同様に傾
く。この状態で紫外線照射を行うとモノマーは傾斜をも
ったまま高分子化する。このようにしてモノマーが傾斜
をもって高分子化することにより、液晶分子の配向が規
制されることとなる。
【０１８１】電圧印加と紫外線照射のパターンとして
は、図４１に示すような方法が考えられる。ここで、高
紫外線照射強度とは、３００〜４５０ｎｍの波長の紫外
線により３０ｍＷ以上の場合であり、低紫外線照射強度
とは、同紫外線により３０ｍＷ以下の強度である。ま
た、高電圧とは、液晶層にかかる電圧において、液晶の
閾値以上の電圧であり、低電圧とは、液晶の閾値電圧以
下および電圧無印加のことである。
【０１８２】こうして得られた液晶パネルは、高輝度、
広視野で焼付きの無い高品位なものであった。
【０１８３】実施例２３ 図４２に示すように、実施例２２のパネルの製造方法を
行うために、紫外線照射ユニットが２台連結された構成
とし、特にファーストユニットでは、電圧印加および紫
外線照射を行うことができ、セカンドユニットでは、搬
送コロ上でパネルを搬送しながら紫外線照射を行う構造
をもった製造装置を用いた。この装置では、高スループ
ット、低スペースでパネルの製造が可能となる。
【０１８４】実施例２４ この例のパネル断面図を図４３に示す。ＴＦＴアレイ上
にカラーフィルタ層およびオーバーコート層を形成して
おり、これにより高透過率が実現することができる。
【０１８５】次に、本発明の第６の面における実施例を
説明する。
【０１８６】実施例２５ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を
径４μｍのスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製
した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティ
ック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ
％の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶
組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネル
は、図４５に示すような画素平面および断面を有し、ソ
ース電極と画素電極のコンタクトホール、Ｃｓ中間電極
と画素電極のコンタクトホールともに画素スリットによ
る液晶ドメイン境界部に配置されている。このため、コ
ンタクトホールによる異常ドメインの発生を防ぐことが
でき、このように作成した液晶表示装置は異常ドメイン
の発生もなく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの
発生のない表示品位の高い液晶表示装置となる。
【０１８７】実施例２６ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板
には、色層、共通電極および配向制御用の土手を形成し
た。これらの基板を径４μｍのスペーサを介して貼り合
わせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネ
ガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合
性成分を０．３ｗｔ％の量で混合し、得られた光重合性
成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作
製した。このパネルは、図４６に示すような画素平面を
有し、ソース電極と画素電極のコンタクトホール、Ｃｓ
中間電極と画素電極のコンタクトホールともに土手の十
字部に配置されており、これは液晶ドメインの境界部分
に当たる。また、ソース電極、Ｃｓ中間電極を表示領域
内に引伸する際、これらは画素電極スリットにより意図
的に生じる液晶ドメインの境界部をはしっており、異常
ドメインの原因にもならず、開口率も低下されない。こ
のように作成した液晶表示装置は、異常ドメインの発生
もなく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の
ない表示品位の高いものである。
【０１８８】実施例２７ 実施例２５と同様にして液晶パネルを作成した。画素平
面図は図４７に示す如くであり、ソース電極と画素電極
のコンタクトホールとＣｓ中間電極と画素電極のコンタ
クトホールはそれぞれ異なる配向分割領域にあり、各々
異常ドメインの起点となった場合でも、相互作用による
より広範囲での異常ドメインの発生にはつながらない。
このようにして得られた液晶表示装置は、異常ドメイン
の発生も少なく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラ
の発生の少ない表示品位の高いものである。
【０１８９】実施例２８ 一方の基板上にＴＦＴ素子、データバスライン、ゲート
バスライン、色層および画素電極を形成した。もう一方
の基板には、共通電極を形成した。これらの基板を径４
μｍのスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製し
た。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティッ
ク液晶性を示すアクリル系光重合性成分を０．３ｗｔ％
の量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組
成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネルの
画素平面図および断面図は図４８の如くであり、セル厚
変動等の異常ドメインの原因となるコンタクトホールは
液晶ドメインの境界部に配置されている。また、画素電
極、ソース電極およびＣｓ中間電極が１つのコンタクト
ホールで接続されており、異常ドメインの原因が消滅
し、開口率が向上している。ソース電極は画素電極スリ
ットにより意図的に生じる液晶ドメインの境界部でかつ
画素スリット部以外に配線され、異常ドメインの原因に
もならず、開口率も低下されない。このように作成した
液晶表示装置は、異常ドメインの発生もなく、輝度低下
や応答速度の劣化、表示ムラの発生のない表示品位の高
いものである。
【０１９０】次に本発明の第７の面における実施例を説
明する。
【０１９１】実施例２９ ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とからなる２枚の基板
間にΔεが負のネマチック液晶が充填されて垂直配向し
ているパネルを用いた。液晶層には、重合性モノマーと
して大日本インキ（株）製の液晶性モノアクリレートモ
ノマーＵＣＬ−００１−Ｋ１を０．２５重量％の量で添
加した。このパネルを、液晶層に実効電圧が５．０Ｖと
なるように駆動電圧を印加して液晶を駆動させながら、
最大エネルギーピークの波長が３６５ｎｍである紫外線
を３００秒間照射し、所定の液晶配向状態で、モノマー
を重合させ、硬化させた。ここで、垂直配向性のポリア
ミック酸配向膜を用いた。パネルのセルギャップを４．
０μｍとした。駆動モードは、ノーマリブラックであ
る。次いで、図４９に示すようにして、このパネルに対
して追加の紫外線照射を行った。追加照射光源として市
販のブラックランプ（東芝ライテック製）を用いた。最
大エネルギーピークの波長は３５２ｎｍであり、ランプ
を１０ｃｍ間隔で５本並べて面発光とし、１０ｃｍの距
離から５ｍＷ／ｃｍ２の強度で照射した。次いで、追加
の紫外線照射前のパネルと照射後のパネルの焼付き率を
測定したところ、追加の紫外線照射前のパネルの焼付き
率が１２％であったのに対して、照射後の焼付き率は３
％まで低減されていた。また、これらのパネルを２４時
間放置した後において、前者は戻らなかったのに対し
て、後者では完全に焼付きが消えていた。また、パネル
に対する追加の紫外線照射における紫外線照射量を変化
させ、紫外線照射量と焼付き率との関係を求めた。その
結果は図５０に示すとおりであった。紫外線照射量が増
加するにつれて、焼付き率が低減されることがわかる。
なお、ここで、焼付き率は次のようにして求めた。すな
わち、白黒チェッカーパターンを表示領域に４８時間表
示させる。その後、表示領域全域に所定の中間色調（グ
レー）を表示させ、白表示であった領域の輝度βと黒表
示であった領域の輝度γとの差（β−γ）を黒表示であ
った領域の輝度γで除して焼付き率を求める。 焼付き率α＝（（β−γ）／γ）×１００（％） 実施例３０ 追加照射光源として、ブラックランプに代えて市販の健
康線用蛍光ランプ（東西電線（株）製）を用いたことを
除き、実施例２９に述べた操作を繰り返した。この蛍光
ランプの最大エネルギーピークの波長は３１０ｎｍであ
った。これにより、得られた追加の紫外線照射後のパネ
ルは、焼付き率が２．５％まで低減されており、また２
４時間放置後には焼付きが完全に消えていた。
【０１９２】以上に説明した本発明の第１の面による液
晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。 （付記１）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加する
ための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス状
に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、
前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれ
につながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量
を形成するＣｓバスラインを形成し、前記第１の基板と
第２の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充
填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とによ
り、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成
し、前記共通電極とＣs バスラインとに交流電圧を印加
することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を
印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、
液晶表示装置の製造方法。 （付記２）前記共通電極とＣs バスラインとが、液晶層
に光を照射する時点で、絶縁されているかまたは高抵抗
で接続されている、付記１に記載の液晶表示装置の製造
方法。 （付記３）前記共通電極とＣｓバスラインとが、液晶層
に光を照射した後で、電気的に接続される、付記１に記
載の液晶表示パネルの製造方法。 （付記４）初期には液晶層を垂直配向させておき、感光
性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照
射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を
極角９０°未満にする、付記１に記載の液晶表示装置の
製造方法。 （付記５）交流電圧印加時の交流周波数を１〜１０００
Ｈｚに設定する、付記１に記載の液晶表示装置の製造方
法。 （付記６）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加する
ための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス状
に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、
前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれ
につながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量
を形成するＣｓバスラインを形成し、前記第１の基板と
第２の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充
填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とによ
り、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成
し、前記共通電極と３つのバスラインとの間を絶縁させ
ておくかまたは高抵抗で接続し、前記共通電極と前記第
２の基板上の３つのバスライン（ゲートバスライン、デ
ータバスラインおよびＣｓバスライン）との間に直流電
圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直
流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴
とする、液晶表示装置の製造方法。 （付記７）隣接するゲートバスラインまたはデータバス
ラインのそれぞれをその両端において電気的に接続す
る、付記６に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記８）前記共通電極とＣs バスラインとの間を、液
晶層に光を照射した後で、電気的に接続する、付記７に
記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記９）初期には液晶層を垂直配向させておき、感光
性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照
射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を
極角９０°未満にする、付記６に記載の液晶表示装置の
製造方法。 （付記１０）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加す
るための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス
状に配置されるゲートバスラインとデータバスライン
と、前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタと
それにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気
容量を形成するＣｓバスラインと、前記データバスライ
ンまたはゲートバスラインの少なくとも一方と交差する
リペアラインを形成し、前記第１の基板と第２の基板の
間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層
を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの
間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電
極と前記第２の基板上の４つのバスライン（ゲートバス
ライン、データバスライン、Ｃs バスラインおよびリペ
アライン）との間に直流電圧を印加することにより共通
電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層
に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造
方法。 （付記１１）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加す
るための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス
状に配置されるゲートバスラインとデータバスライン
と、前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタと
それにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気
容量を形成するＣｓバスラインを形成し、前記第１の基
板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物
を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極と
により、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形
成し、前記共通電極と前記第２の基板上の４つのバスラ
イン（ゲートバスライン、データバスラインおよびＣｓ
バスライン）との間を高抵抗で接続し、少なくとも１つ
のバスラインと前記共通電極との間に直流電圧を印加す
ることにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印
加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液
晶表示装置の製造方法。 （付記１２）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加す
るための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス
状に配置されるゲートバスラインとデータバスライン
と、前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタと
それにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気
容量を形成するＣｓバスラインを形成し、薄膜トランジ
スタのチャネル部分にＣＦ樹脂または光を遮断するパタ
ーンを形成し、前記第１の基板と第２の基板の間隙に感
光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成
し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前
記液晶層を挟んで電気容量を形成し、隣接するデータバ
スラインのそれぞれをその両端において電気的に接続
し、前記ゲートバスラインにトランジスタのＯＮ電圧を
印加し、前記共通電極とデータバスラインとの間に交流
電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に
交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特
徴とする、液晶表示装置の製造方法。 （付記１３）第１の基板にこの基板全面に電圧を印加す
るための共通電極を形成し、第２の基板にマトリックス
状に配置されるゲートバスラインとデータバスライン
と、前記２つのバスラインの交点で薄膜トランジスタと
それにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気
容量を形成するＣｓバスラインと、前記データバスライ
ンと交差するリペアラインを形成し、薄膜トランジスタ
のチャネル部分にＣＦ樹脂または光を遮断するパターン
を形成し、前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性
の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前
記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶
層を挟んで電気容量を形成し、少なくとも１本のデータ
バスラインと少なくとも１本のリペアラインとにレーザ
ー照射等の方法により接続処理を施し、前記ゲートバス
ラインにトランジスタのＯＮ電圧を印加し、前記共通電
極とデータバスラインおよびリペアライン（データバス
ラインと同電位）との間に交流電圧を印加することによ
り共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記
液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置
の製造方法。 （付記１４）付記１〜１３のいずれかに記載した方法に
より製造された液晶表示装置。
【０１９３】本発明の第２の面による液晶表示装置の製
造方法は、以下のようにまとめられる。 （付記１５）透明電極と液晶分子を垂直に配向させる配
向制御膜とを備えた２枚の基板間に負の誘電率異方性を
有し、かつ、重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充
填して液晶層を形成し、相対する透明電極の間に電圧を
印加しながらモノマーを重合させて、液晶分子にプレチ
ルト角をもたせる垂直配向液晶表示装置の製造方法にお
いて、モノマーを重合させる前に、相対する透明電極の
間において、閾値電圧以上でかつ飽和電圧以下の一定電
圧を一定時間印加した後、所定の電圧に変化させてその
電圧を維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射
し、または熱を加えてモノマーを重合させることを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。 （付記１６）相対する透明電極の間において、閾値電圧
以上でかつ閾値＋１Ｖ以下の一定電圧を１０秒間以上印
加した後、白表示時に印加する電圧以上の電圧を印加し
て電圧を変化させ、その電圧を維持しながら、前記液晶
組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマーを
重合させる、付記１５に記載の液晶表示装置の製造方
法。 （付記１７）少なくとも一方の基板上の透明電極に、ス
リット構造を形成する工程をさらに含む、付記１５また
は１６に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記１８）少なくとも一方の基板に、基板間の間隙内
に突出する突起形成する工程をさらに有する、付記１５
〜１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記１９）付記１５〜１８のいずれかに記載した方法
により製造された液晶表示装置。
【０１９４】本発明の第３の面による液晶表示装置の製
造方法は、以下のようにまとめられる。 （付記２０）透明電極を備えた２枚の基板間に重合可能
なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成
し、相対する透明電極に電圧を印加しながらモノマーを
重合させて、液晶分子にプレチルト角を持たせ、かつ、
電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定する液晶表示装
置の製造方法において、前記重合可能なモノマーの重合
のための光照射を少なくとも２回に分割して実施するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （付記２１）前記複数回の光照射のうちの少なくとも１
回の光照射を前記液晶層に電圧が印加された状態で行
う、付記２０に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記２２）前記複数回の光照射を、前記電圧を印加し
て行う光照射の前後のいずれか、またはその前後の両方
において、電圧を印加せずに行う、付記２０または２１
に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記２３）前記複数回の光照射を、複数の異なる光強
度で行う、付記２０〜２２のいずれかに記載の液晶表示
装置の製造方法。 （付記２４）前記電圧を印加して行う光照射を、５０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 以上の光強度で行う、付記２０〜２３のいず
れかに記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記２５）前記電圧を印加せずに行う光照射を、５０
ｍＷ／ｃｍ2 以下の光強度で行う、付記２０〜２４のい
ずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記２６）前記重合可能なモノマーが液晶性または非
液晶性モノマーであり、紫外線照射により重合される、
付記２０〜２５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造
方法。 （付記２７）前記重合可能なモノマーが２官能性アクリ
レートまたは２官能性アクリレートと単官能性アクリレ
ートとの混合物である、付記２０〜２６のいずれかに記
載の液晶表示装置の製造方法。 （付記２８）付記２０〜２７のいずれかに記載した方法
により製造された液晶表示装置。
【０１９５】本発明の第４の面による液晶表示装置は、
以下のようにまとめられる。 （付記２９）光重合性成分または熱重合性成分を含有す
る液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前
記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶
分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、前記
重合性成分を含む液晶組成物を注入するための注入口が
複数個設けられ、それぞれの注入口の間隔が注入口が存
在する辺の寸法の１／５以下であることを特徴とする液
晶表示装置。 （付記３０）前記注入口と表示端との距離が注入口が存
在する辺の寸法の２／５以下である、付記２９に記載の
液晶表示装置。 （付記３１）光重合性成分または熱重合性成分を含有す
る液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前
記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶
分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁
のＢＭ部分のセルギャップが表示領域のセルギャップ以
下であることを特徴とする液晶表示装置。 （付記３２）前記表示領域のセルギャップ以下のセルギ
ャップを有する領域とセル形成用のシールとの距離が
０．５ｍｍ以下である、付記３１に記載の液晶表示装
置。 （付記３３）光重合性成分または熱重合性成分を含有す
る液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前
記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶
分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁
のＢＭ部分にメインシールまたは補助シールを形成し
て、額縁ＢＭ部分のセルギャップをなくしたことを特徴
とする液晶表示装置。 （付記３４）光重合性成分または熱重合性成分を含有す
る液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前
記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶
分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、補助
シールを形成することにより、前記重合性成分と液晶と
の濃度分布が生じた材料をＢＭ部分に誘導するようにし
たことを特徴とする液晶表示装置。 （付記３５）液晶組成物が非液晶成分を含有し、または
分子量、表面エネルギーが液晶成分と異なる成分を含有
する液晶組成物を用いた、付記２９〜３４のいずれかに
液晶表示装置。
【０１９６】本発明の第５の面による液晶表示装置の製
造方法は、以下のようにまとめられる。 （付記３６）第１の基板に共通電極およびカラーフィル
ター層を形成し、第２の基板をゲートバスライン層、ゲ
ート絶縁膜層、ドレインバスライン層、保護膜層および
画素電極層が形成されたアレイ基板で構成し、前記画素
電極層には、微細なスリットを、そのスリットが画素内
を少なくとも２領域以上に分割する方向に形成し、前記
２枚の基板には液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜
を形成し、前記２枚の基板の間隙に液晶骨格を有する紫
外線硬化性樹脂を含む負の誘電率異方性を有するｎ型液
晶組成物を充填して液晶層を形成し、液晶分子にこの液
晶分子の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線を照射す
ることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定
し、２枚の偏光板を、その吸収軸が液晶分子の配向方位
と４５度の角度をなすようにこの装置の上下面にクロス
ニコルに、それぞれ配置することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 （付記３７）２枚の基板間に注入された液晶組成物に対
する紫外線照射を、光強度の異なる紫外線により２段階
以上に分割して行う、付記３６に記載の液晶表示装置の
製造方法。 （付記３８）２枚の基板間に注入された液晶組成物に対
する紫外線照射を、液晶分子にこの液晶分子の閾値以上
の電圧を印加しながら紫外線照射する工程と、液晶分子
に電圧を印加せずに紫外線照射する工程の２段階に分割
して行う、付記３６に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記３９）２枚の基板間に注入された液晶組成物に対
する紫外線照射を、それぞれ異なる電圧を液晶分子に印
加しながら２段階に分割して行う、付記３６に記載の液
晶表示装置の製造方法。 （付記４０）２枚の基板間に注入された液晶組成物中の
紫外線重合性成分を重合させるために、光強度の異なる
複数の紫外線照射ユニットを用い、２段階以上に分割し
て紫外線照射する、付記３６に記載の液晶表示装置の製
造方法。 （付記４１）２枚の基板間に注入された液晶分子に対す
る紫外線照射を、前記アレイ基板側より行う、付記３６
に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記４２）前記第２の基板をカラーフィルタ層が形成
されたアレイ基板で構成し、前記第１の基板には共通電
極を形成し、２枚の基板間に注入された液晶分子に対す
る紫外線照射を、第１の基板側より行う、付記３６に記
載の液晶表示装置の製造方法。 （付記４３）付記３６〜４２のいずれかに記載した方法
により製造された液晶表示装置。
【０１９７】本発明の第６の面による液晶表示装置は、
以下のようにまとめられる。 （付記４４）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した
液晶表示装置において、設計的に１０％以上セル厚が変
動する部分を液晶のドメイン境界部に配置したことを特
徴とする液晶表示装置。 （付記４５）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した
液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にソース
電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられ
ていることを特徴とする液晶表示装置。 （付記４６）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した
液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にＣｓ中
間電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けら
れていることを特徴とする液晶表示装置。 （付記４７）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、
２分割以上に配向分割した液晶表示装置において、設計
的に１０％以上セル厚が変動する部分が複数箇所存在し
ないことを特徴とする液晶表示装置。 （付記４８）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、
２分割以上に配向分割した液晶表示装置において、同一
分割領域に複数のコンタクトホールを有さないことを特
徴とする液晶表示装置。 （付記４９）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定する
液晶表示装置において、１つのコンタクトホールにより
画素電極、ソース電極およびＣｓ中間電極を接続するこ
とを特徴とする液晶表示装置。 （付記５０）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した
液晶表示装置において、金属電極が表示画素内の液晶ド
メイン境界にそって配線されていることを特徴とする液
晶表示装置。 （付記５１）電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持
され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子
のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した
液晶表示装置において、画素電極と同電位の電極が表示
画素内の画素電極のスリット部に配線されていないこと
を特徴とする液晶表示装置。 （付記５２）赤色、青色、緑色からなるカラーフィルタ
層がＴＦＴ基板上に形成されている基板と共通電極が形
成された基板とに液晶層が挟持されている、付記４４〜
５１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０１９８】本発明の第７の面による液晶表示装置の製
造方法は、以下のようにまとめられる。 （付記５３）電極と配向膜とを備えた２枚の基板間に重
合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を
形成し、相対する電極間に所定の液晶駆動電圧を印加し
ながら、前記液晶組成物に紫外線を照射してモノマーを
重合させることを含む液晶表示装置の製造方法におい
て、前記モノマーの重合処理後に、液晶駆動電圧を印加
することなく、または液晶を実質的に駆動させない電圧
を印加しながら、前記液晶組成物に対して追加の紫外線
照射を行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （付記５４）追加の紫外線照射において、この追加の紫
外線照射前のモノマーの重合処理に用いた紫外線と異な
る波長の紫外線が用いられる、付記５３に記載の液晶表
示装置の製造方法。 （付記５５）追加の紫外線照射において照射される紫外
線が、そのスペクトルにおいて３１０〜３８０ｎｍに最
大エネルギーピークを有するものである、付記５３また
は５４に記載の液晶表示装置の製造方法。 （付記５６）追加の紫外線照射において照射される紫外
線が、そのスペクトルにおいて３５０〜３８０ｎｍに最
大エネルギーピークを有するものである、付記５５に記
載の液晶表示装置の製造方法。 （付記５７）追加の紫外線照射において照射される紫外
線が、そのスペクトルにおいて３１０〜３４０ｎｍに最
大エネルギーピークを有するものである、付記５５に記
載の液晶表示装置の製造方法。 （付記５８）追加の紫外線照射において、照射時間が１
０分以上である、付記５３〜５７のいずれかに記載の液
晶表示装置の製造方法。 （付記５９）基板表面が垂直配向処理された垂直配向モ
ードであり、非表示部の液晶もほぼ垂直配向されてい
る、付記５３〜５８のいずれかに記載の液晶表示装置の
製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の方法により得られる液晶表示装置の一例
の模式平面図。
【図２】図１の液晶表示装置の模式断面図。
【図３】従来の方法により得られる液晶表示装置の一例
の模式平面図。
【図４】従来の方法により得られる液晶表示装置におけ
るＴＦＴしきい値シフトの一例を示すグラフ。
【図５】従来のＴＦＴ液晶パネルの電気的結合の一例を
示す模式平面図。
【図６】従来のＴＦＴ液晶パネルの電気的結合の他の例
を示す模式平面図。
【図７】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を説明
する模式平面図。
【図８】本発明の液晶表示装置の製造方法の一例を説明
する模式平面図。
【図９】実施例１の液晶表示装置の模式平面図。
【図１０】実施例１の液晶表示装置の表示特性のグラ
フ。
【図１１】実施例１の液晶表示装置の表示特性のグラ
フ。
【図１２】実施例２の液晶表示装置の模式平面図。
【図１３】実施例３で用いた共通電極とＣｓバスライン
とのショート方法の説明図。
【図１４】実施例３で用いた共通電極とＣｓバスライン
とのショート方法の他の例の説明図。
【図１５】実施例４の液晶表示装置の模式平面図。
【図１６】実施例６の結果の示すグラフ。
【図１７】実施例７の液晶表示装置の模式平面図。
【図１８】実施例８の液晶表示装置の模式平面図。
【図１９】実施例９の液晶表示装置の模式平面図。
【図２０】実施例９の液晶表示装置の他の例の模式平面
図。
【図２１】実施例９の液晶表示装置の他の例の模式平面
図。
【図２２】実施例１０の液晶表示装置の模式平面図。
【図２３】実施例１１の液晶表示装置の模式断面図。
【図２４】実施例１２の液晶表示装置の模式平面図。
【図２５】実施例１３で作成した液晶パネルの模式平面
図。
【図２６】図２５の液晶パネルの一例を示す模式断面
図。
【図２７】図２５の液晶パネルの他の一例を示す模式断
面図。
【図２８】実施例１４で作成した液晶パネルの模式平面
図。
【図２９】従来例を説明するための模式平面図。
【図３０】従来例を説明するための模式平面図。
【図３１】図３０の液晶パネルの模式断面図。
【図３２】従来例を説明するための模式図。
【図３３】比較例１および２および実施例１５〜１７に
おいて採用したＵＶ照射方法を示す模式図。
【図３４】実施例１８の液晶パネルの模式平面図。
【図３５】実施例１９の液晶パネルの模式断面図。
【図３６】実施例２０の液晶パネルの模式断面図。
【図３７】実施例２１の液晶パネルの模式平面図。
【図３８】実施例２２の液晶パネルの模式断面図。
【図３９】実施例２２の液晶パネルの模式平面図。
【図４０】実施例２２における液晶分子の配向規制の様
子を説明する模式図。
【図４１】実施例２２における工程フロー図。
【図４２】実施例２３で用いた装置の模式図。
【図４３】実施例２４の液晶パネルの模式断面図。
【図４４】従来の液晶表示装置の画素平面図。
【図４５】実施例２５の液晶表示装置の画素平面図およ
び断面図。
【図４６】実施例２６の液晶表示装置の画素平面図。
【図４７】実施例２７の液晶表示装置の画素平面図。
【図４８】実施例２８の液晶表示装置の画素平面図およ
び断面図。
【図４９】実施例２９で用いた追加の紫外線照射の方法
を示す模式平面図および側面図。
【図５０】実施例２９で得られた追加の紫外線照射の照
射量と焼付き率との関係を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲西 洋平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井ノ上 雄一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 長岡 謙一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中畑 祐治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 谷口 洋二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 柴崎 正和 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤川 徹也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA07 HA15 HA17 JA04 LA33 QA16 RA03 SA10 TA02 2H090 HA11 HB07Y HC13 HD14 KA03 LA01 MA10 MA13 MA15 MB12 2H092 GA14 HA04 HA06 JA24 JB05 JB13 JB21 JB69 KB26 NA04 QA05

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    を形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 前記共通電極とＣs バスラインとに交流電圧を印加する
    ことにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加
    し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶
    表示装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記共通電極とＣs バスラインとが、液
    晶層に光を照射する時点で、絶縁されているかまたは高
    抵抗で接続されている、請求項１に記載の液晶表示装置
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    を形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 前記共通電極と３つのバスラインとの間を絶縁させてお
    くかまたは高抵抗で接続し、 前記共通電極と前記第２の基板上の３つのバスライン
    （ゲートバスライン、データバスラインおよびＣｓバス
    ライン）との間に直流電圧を印加することにより共通電
    極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に
    光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    と、前記データバスラインまたはゲートバスラインの少
    なくとも一方と交差するリペアラインを形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 前記共通電極と前記第２の基板上の４つのバスライン
    （ゲートバスライン、データバスライン、Ｃs バスライ
    ンおよびリペアライン）との間に直流電圧を印加するこ
    とにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加
    し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶
    表示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    を形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 前記共通電極と前記第２の基板上の４つのバスライン
    （ゲートバスライン、データバスラインおよびＣｓバス
    ライン）との間を高抵抗で接続し、少なくとも１つのバ
    スラインと前記共通電極との間に直流電圧を印加するこ
    とにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加
    し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶
    表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    を形成し、 薄膜トランジスタのチャネル部分にＣＦ樹脂または光を
    遮断するパターンを形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 隣接するデータバスラインのそれぞれをその両端におい
    て電気的に接続し、 前記ゲートバスラインにトランジスタのＯＮ電圧を印加
    し、前記共通電極とデータバスラインとの間に交流電圧
    を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流
    電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴と
    する、液晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 第１の基板にこの基板全面に電圧を印加
    するための共通電極を形成し、 第２の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラ
    インとデータバスラインと、前記２つのバスラインの交
    点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前
    記画素電極との間で電気容量を形成するＣｓバスライン
    と、前記データバスラインと交差するリペアラインを形
    成し、 薄膜トランジスタのチャネル部分にＣＦ樹脂または光を
    遮断するパターンを形成し、 前記第１の基板と第２の基板の間隙に感光性の材料を含
    む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、 前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液
    晶層を挟んで電気容量を形成し、 少なくとも１本のデータバスラインと少なくとも１本の
    リペアラインとにレーザー照射等の方法により接続処理
    を施し、 前記ゲートバスラインにトランジスタのＯＮ電圧を印加
    し、前記共通電極とデータバスラインおよびリペアライ
    ン（データバスラインと同電位）との間に交流電圧を印
    加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧
    を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とす
    る、液晶表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 透明電極と液晶分子を垂直に配向させる
    配向制御膜とを備えた２枚の基板間に負の誘電率異方性
    を有し、かつ、重合可能なモノマーを含む液晶組成物を
    充填して液晶層を形成し、 相対する透明電極の間に電圧を印加しながらモノマーを
    重合させて、液晶分子にプレチルト角をもたせる垂直配
    向液晶表示装置の製造方法において、 モノマーを重合させる前に、相対する透明電極の間にお
    いて、閾値電圧以上でかつ飽和電圧以下の一定電圧を一
    定時間印加した後、所定の電圧に変化させてその電圧を
    維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、また
    は熱を加えてモノマーを重合させることを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 透明電極を備えた２枚の基板間に重合可
    能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成
    し、 相対する透明電極に電圧を印加しながらモノマーを重合
    させて、液晶分子にプレチルト角を持たせ、かつ、電圧
    印加時の液晶分子の傾斜方向を規定する液晶表示装置の
    製造方法において、 前記重合可能なモノマーの重合のための光照射を少なく
    とも２回に分割して実施することを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 光重合性成分または熱重合性成分を含
    有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しなが
    ら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の
    液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、
    前記重合性成分を含む液晶組成物を注入するための注入
    口が複数個設けられ、それぞれの注入口の間隔が注入口
    が存在する辺の寸法の１／５以下であることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 光重合性成分または熱重合性成分を含
    有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しなが
    ら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の
    液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、
    額縁のＢＭ部分のセルギャップが表示領域のセルギャッ
    プ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 光重合性成分または熱重合性成分を含
    有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しなが
    ら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の
    液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、
    額縁のＢＭ部分にメインシールまたは補助シールを形成
    して、額縁ＢＭ部分のセルギャップをなくしたことを特
    徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 光重合性成分または熱重合性成分を含
    有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しなが
    ら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の
    液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、
    補助シールを形成することにより、前記重合性成分と液
    晶との濃度分布が生じた材料をＢＭ部分に誘導するよう
    にしたことを特徴とする液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 第１の基板に共通電極およびカラーフ
    ィルター層を形成し、 第２の基板をゲートバスライン層、ゲート絶縁膜層、ド
    レインバスライン層、保護膜層および画素電極層が形成
    されたアレイ基板で構成し、 前記画素電極層には、微細なスリットを、そのスリット
    が画素内を少なくとも２領域以上に分割する方向に形成
    し、 前記２枚の基板には液晶分子を垂直に配向させる垂直配
    向膜を形成し、 前記２枚の基板の間隙に液晶骨格を有する紫外線硬化性
    樹脂を含む負の誘電率異方性を有するｎ型液晶組成物を
    充填して液晶層を形成し、 液晶分子にこの液晶分子の閾値以上の電圧を印加しなが
    ら紫外線を照射することにより電圧印加時の液晶分子の
    傾斜方向を規定し、 ２枚の偏光板を、その吸収軸が液晶分子の配向方位と４
    ５度の角度をなすようにこの装置の上下面にクロスニコ
    ルに、それぞれ配置することを特徴とする液晶表示装置
    の製造方法。
  15. 【請求項１５】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    した液晶表示装置において、設計的に１０％以上セル厚
    が変動する部分を液晶のドメイン境界部に配置したこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にソ
    ース電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設け
    られていることを特徴とする液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にＣ
    ｓ中間電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設
    けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    し、２分割以上に配向分割した液晶表示装置において、
    設計的に１０％以上セル厚が変動する部分が複数箇所存
    在しないことを特徴とする液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    し、２分割以上に配向分割した液晶表示装置において、
    同一分割領域に複数のコンタクトホールを有さないこと
    を特徴とする液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    する液晶表示装置において、１つのコンタクトホールに
    より画素電極、ソース電極およびＣｓ中間電極を接続す
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    した液晶表示装置において、金属電極が表示画素内の液
    晶ドメイン境界にそって配線されていることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 電極を有する一対の基板間に液晶層が
    挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶
    分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定
    した液晶表示装置において、画素電極と同電位の電極が
    表示画素内の画素電極のスリット部に配線されていない
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 電極を有する一対の基板間に重合可能
    なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成
    し、相対する電極間に所定の液晶駆動電圧を印加しなが
    ら、前記液晶組成物に紫外線を照射してモノマーを重合
    させることを含む液晶表示装置の製造方法において、前
    記モノマーの重合処理後に、液晶駆動電圧を印加するこ
    となく、または液晶を実質的に駆動させない電圧を印加
    しながら、前記液晶組成物に対して追加の紫外線照射を
    行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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