TWI397742B

TWI397742B - 高分子散射型半穿反液晶顯示器及其製作方法

Info

Publication number: TWI397742B
Application number: TW97111381A
Authority: TW
Inventors: Kuei Lin Chu
Original assignee: Chi Mei Comm Systems Inc
Priority date: 2008-03-28
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2013-06-01
Also published as: TW200941081A

Description

高分子散射型半穿反液晶顯示器及其製作方法

本發明涉及一種半穿透半反射液晶顯示器，尤其涉及一種高分子散射型半穿透半反射液晶顯示器及其製作方法。

由於液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)輕便、薄型、低功耗等優點，使得LCD已廣泛應用在各類電子產品上，例如筆記本電腦、手機、數碼相機、投影機、掌上型電腦和MP3等產品。

LCD依反射方式可分為穿透式、反射式及半穿透半反射式(簡稱“半穿反式”)三種基本類型。穿透式LCD是以背光光源達到穿透式顯示，其優點是在室內及暗光線下，顯示效果良好，但在戶外日光下，則不易辨識顯示內容。反射式LCD不需要背光光源，而是使用周圍環境的光線，因此在戶外或光線較亮的室內有良好的顯示效果，且耗電量較穿透式LCD的低。半穿反式LCD結合了穿透式LCD與反射式LCD的優點，由背光模組和周圍環境光作其光源，在室內和戶外不同環境光下都能有較高的顯示品質，目前已應用於移動電話或個人數位助理等產品。

在習知技術中，LCD具有一個二維陣列的圖元區，該圖元區內有多個圖元，每個圖元透過彩色濾波片形成紅、綠、藍三原色。參閱圖1所示，是一種傳統半穿反LCD的剖面示意圖。該LCD是一個由上基板10和下基板12組成的液晶盒。該液晶盒內充有液晶分子14，即圖1中所示的液晶層16。液晶盒的四周用密封材料-膠框(一般為環氧樹脂)密封，液晶盒的兩個外側分別貼有上偏光片18和下偏光片20。該液晶盒帶有一個背光模組22，用於在光線差的環境下獲取光源。上基板10和下基板12之間的間隔，即通常所說的盒厚，一般為幾個微米。上基板10和下基板12的內側分別鍍有透明的氧化甸-氧化錫(簡稱ITO)導電薄膜，該ITO導電薄膜24和26即為電極，其主要作用是使外部電信號透過ITO導電薄膜24和26加到液晶層16上去。液晶盒中ITO導電薄膜24和26內側的整個顯示區分別覆蓋著一層定向層，如上定向層28和下定向層30。該上定向層28和下定向層30的作用是使液晶分子14按特定的方向排列。

在反式LCD中，下偏光片20的一側貼有一片反射片32，使得光的入射和觀察都在液晶盒的同一側。其中，半穿反液晶顯示器的每個圖元區又分為穿透區34和反射區36。穿透區34的光源是由位於下偏光片20下方的背光模組22所提供，如圖1所示的入射光38所示；而反射區36的光源則來自外界環境，如入射光40所示。在傳統的半穿反LCD中，液晶層16中的液晶分子14也會被製成穿透區和反射區，而其在製成上需要光罩制程和對準制程，因此，光罩制程需分為穿透區光罩和反射區光罩兩種區域來製作，流程複雜、成本昂貴且反射率較低。另外，由於穿透區34的入射光和反射區36的入射光的光路徑不同，會造成相位延遲量不同，從而導致液晶分子的光學效率低。

鑒於以上內容，有必要提供一種高分子散射型半穿反液晶顯示器及其製作方法，利用液晶分子的光隨偶特性與高分子單體的散射效果製作高分子散射型半穿反液晶顯示器，其液晶層不用分穿透區和反射區，就可以散射效果控制該半穿反液晶顯示器的反射率，提高了半穿反液晶顯示器的光電效率。

一種高分子散射型半穿反液晶顯示器的製作方法，該方法包括如下步驟：將液晶分子與高分子單體混合得到一混合物，其中所述高分子單體占該混合物的3wt%~5wt%；將上述混合物真空注入到一半穿反液晶顯示器的液晶層中；將該注入了混合物的半穿反液晶顯示器進行加熱；利用紫外光對該半穿反液晶顯示器曝光並透過其反射片進行光聚合，該紫外光為波長介於345~365奈米之間的非偏振光，光強為3.5~12mW/cm2；及以相分離技術產生高分子散射液晶，由該高分子散射液晶組成的半穿反液晶顯示器即為所述高分子散射型半穿反液晶顯示器。

一種高分子散射型半穿反液晶顯示器，包括上偏光片、相對於該上偏光片的下偏光片及液晶層，該液晶層內包括液晶分子和高分子單體，所述高分子單體以3wt%~5wt%的濃度與所述液晶分子混合。

相較於習知技術，所述的高分子散射型穿反液晶顯示器及其製作方法，將液晶分子與高分子單體以一適當的濃度進行混合後真空注入液晶盒的液晶層中，透過對該液晶盒進行加熱、曝光、光聚合及相分離，即無需光罩和對準流程就可製成高分子散射型半穿反液晶顯示器，該半穿反液晶顯示器的液晶層無需分穿透區和散射區，且透過液晶盒的散射可控制該半穿反液晶顯示器的反射率。

10‧‧‧上基板

12‧‧‧下基板

14‧‧‧液晶分子

16‧‧‧液晶層

18‧‧‧上偏光片

20‧‧‧下偏光片

22‧‧‧背光模組

24、26‧‧‧ITO導電薄膜

28‧‧‧上定向層

30‧‧‧下定向層

32‧‧‧反射片

34‧‧‧穿透區

36‧‧‧反射區

38、40‧‧‧入射光

100‧‧‧雷射裝置

102‧‧‧分光鏡

104‧‧‧黑紙板

200‧‧‧電源

300‧‧‧光檢測器

圖1係一種傳統半穿反液晶顯示器之剖面示意圖。

圖2係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示器製作方法較佳實施例之流程圖。

圖3係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示器於正常黑模式下不施加顯示電壓時的剖面示意圖。

圖4係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示器於正常黑模式下施加顯示電壓時的剖面示意圖。

圖5係本發明正常黑模式的量測系統之結構示意圖。

圖6和圖7係本發明正常黑模式下不同類型的扭曲向列型液晶與不同類型的高分子單體混合後所得到的穿透率和反射率之變化曲線圖。

圖8係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示器於正常白模式下不施加電壓時的剖面示意圖。

圖9係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示器於正常白模式下施加電壓時的剖面示意圖。

圖10係本發明正常白模式的量測系統之結構示意圖。

圖11、12和13係本發明正常白模式下不同類型的扭曲向列型液晶與不同類型的高分子單體混合後所得到的穿透率和反射率之變化曲線圖。

如圖2所示，是本發明高分子散射型半穿反液晶顯示元件製作方法較佳實施例的流程圖。

步驟S100，將液晶分子與高分子單體混合後得到一混合物。在本實施例中，所述液晶分子具體是指扭曲向列型(twisted nematic，TN)液晶。其中，TN液晶與高分子單體的混合濃度不能太高，雖然混合濃度越高散射效果越好，但穿透曲線的暗態會變差。因此，需要一個適當的混合濃度以平衡穿透與反射的特性。本較佳實施例中該適當的混合濃度的範圍為3wt%~5wt%，即：高分子單體在所述混合物中所占的重量百分率的範圍為3wt%~5wt%。例如，假設高分子單體的品質為a，液晶分子的品質為b，則所述混合濃度M=(a/a+b)*100%。另外，所述高分子單體具有散射效果，而TN液晶具有光隨偶特性。本實施例中的高分子單體必須同時滿足三個條件：a.能夠與TN液晶混合在一起，且不會發生化學反應；b.其折射率與TN液晶的折射率之差越大越好；c.經紫外(UV)光照射後能夠與TN液晶相分離。

例如，TN液晶的類型可為“ZAU-5160-LA”或“MJ052115”，高分子單體的類型可為“UCL001”或“0C”。“ZAU-5160-LA”TN液晶為Chisso公司的產品，其介電各向異性△ε=4.4，折射率△n=0.150，波長λ=589奈米；“MJ052115”類型TN液晶是Merck公司的產品，其介電各向異性△ε=12.6，折射率△n=0.127，波長λ=589奈米。

步驟S102，將上述混合物真空注入到一個液晶盒的液晶層中，如圖3、4、5、6中的液晶層16。

步驟S104，將該注入了混合物的液晶盒加熱至一適當的溫度，所述溫度可以是，但不限於，60攝氏度。

步驟S106，利用UV曝光機對該液晶盒進行曝光，由於高分子散射液晶需要光聚合才能長成，因此，該步驟曝光時需要外加反射片(如圖3、4、8、9中的反射片32)使UV光在液晶盒中來回反射，進而增加曝光的效果。在本實施例中，該UV曝光機發出的UV光為波長λ=345~365奈米的非偏振光，該UV光的光強為3.5~12mW/cm2，本較佳實施例中的UV曝光機需對液晶盒曝光15小時。

步驟S108，以相分離技術產生高分子散射液晶，該高分子散射液晶可透過散射效果控制半穿反液晶顯示元件的反射率。

在本實施例中，液晶盒在曝光時不用外加(curing)電壓，反射片32即可位於圖3、4所示的下偏光片20的外側，也可位於圖8、9中所示的下偏光片20的內側。當反射片32位於半穿反液晶顯示元件的下偏光片20的外側時，如圖3和圖4所示，上偏光片18和下偏光片20平行，得到正常黑模式(NB模式)；當反射片32位於下偏光片20的內側時，如圖8和圖9所示，上偏光片18和下偏光片20相互垂直，得到正常白模式(NW模式)。也就是說，透過本實施例所述的高分子散射液晶製作方法，可實現兩種顯示模式的設計：NB模式設計和NW模式設計，並由此得到光電特性較好的高分子散射液晶。所述光電特性較好的高分子散射液晶具體是指：高分子散射液晶的暗態較暗、反射光與穿透光同步變化、顯示電壓較低，及穿透曲線亮暗的對比度高。

參閱圖3和圖4，係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示元件於NB模式下不施加顯示電壓時的剖面示意圖和施加電壓時的剖面示意圖。

於圖3和圖4中，所述高分子散射型半穿反液晶顯示元件是一個由上基板10和下基板12組成的液晶盒。該液晶盒內充有液晶分子和高分子單體位於圖3、4所示的液晶層16中，所述高分子單體在液晶層16內所占的濃度為3wt%~5wt%。在本實施例中，液晶層16中不用分穿透區和反射區。液晶盒的兩外側分別貼有上偏光片18和下偏光片20。上偏光片18和下偏光片20相互平行。液晶盒帶有一個背光模組22，用於在光線差的環境下獲取光源。上基板10和下基板12的內側分別鍍有透明的氧化甸-氧化錫(簡稱ITO)導電薄膜，該ITO導電薄膜24和26為電極，其主要作用是：使外部電信號透過ITO導電薄膜24和26加到液晶層16上去。ITO導電薄膜24和26內側的整個顯示區分別覆蓋著一層定向層，如上定向層28和下定向層30。該上定向層28和下定向層30的作用是：使液晶層內的液晶分子按摩擦(rubbing)方向排列。另外，在下偏光片20的外側貼有一片反射片32。

為了說明圖3和圖4中的高分子散射型半穿反液晶顯示元件在施加顯示電壓和不施加顯示電壓時反射區和穿透區的光電特性，本實施例以圖5所示的量測系統去類比環境光照射液晶盒，並透過一檢測裝置接收穿過液晶盒的光，進而量測光的反射率和穿透率。其具體實驗方法將會在下述段落中詳細描述。

參閱圖5，係本發明正常黑模式的量測系統的結構示意圖。該圖分為兩部分：穿透率量測系統和反射率量測系統。本實施例還可以將兩個部分綜合成一個量測系統進行穿透率量測和反射率量測。無論是穿透率量測系統還是反射率量測系統，均由雷射裝置100、電源200、液晶盒和光檢測器300組成。本實施例中該液晶盒的液晶層16的間距為4.0微米。圖中僅示出液晶盒由上偏光片18、液晶層16和下偏光片20組成。其中，上偏光片18和下偏光片20相互平行，並由此得到NB模式。雷射裝置100用於類比環境光，例如波長λ=650奈米，並沿著z軸方向照射該簡單構成液晶盒。電源200連接液晶盒的上、下ITO導電薄膜，用於向液晶盒施加電壓，例如，電源200首先向液晶盒施加的電壓為0伏，並逐漸增大。

如圖5(1)所示，係本發明NB模式的穿透率量測系統。由雷射裝置100所類比的環境光以圖中所示的路徑進行亮測，光檢測器300根據電源200所施加的電壓接收穿透所述液晶盒的光，並將光強轉換成電壓以量測光的穿透率。例如，若電源200所施加的電壓為10伏特，光檢測器300所轉換的電壓為1伏特，則穿透率為(1/10)*100%=10%。

如圖5(2)所示，係本發明NB模式的反射率量測系統。該圖所示的液晶盒除了包括上偏光片18、液晶層16和下偏光片20外，還包括一個反射片32。另外，反射率量測系統還包括一個分光鏡102和一個黑紙板104。其中，分光鏡102用於將雷射裝置100所類比的環境光分成穿透光和反射光。黑紙板104吸收該穿透光。光檢測器300根據電源200所施加的電壓接收經上偏光片18和下偏光片20共四次後的反射光，並將反射光的光強轉換成電壓以量測反射率。

當電壓200向液晶盒所施加顯示電壓等於零時，如圖3所示的結構，反射光的特性如下：環境光經上偏光片18入射到液晶層16後偏振光被旋轉90度，被下偏光片20吸收，沒有機會經反射片32反射故反射光呈現暗態；同時，穿透光在顯示電壓等於零時的特性為：水準偏振光經液晶層16旋轉90度被下偏光片20吸收從而呈現為暗態。

當液晶盒被施加顯示電壓(Von)時，如圖4所示的結構，反射光的特性如下：液晶分子順著電場E沿z軸方向排列，入射偏振光在液晶短軸方向的偏振態不變。由於反射片32位於下偏光片20的外側，因此，反射光需經過下偏光片20和上偏光片18共四次，最終使得半穿反液晶顯示元件的反射光呈現亮態。然而，因本實施例的液晶層16中加入了高分子單體，經相分離後的該高分子單體組成了一個高分子單體網，該高分子單體網將液晶分子局限在上定向層28和下定向層30的rubbing方向上，即x-y軸方向。電場與高分子單體網的作用力相抗衡使得液晶分子與高分子單體的折射率不相匹配而產生散射，由於散射發生在亮態，利用散射可增加半穿反液晶顯示元件的反射率。穿透光在Von狀態下的特性為：穿透光的偏振狀態不變，穿透上偏光片18後呈現亮態。隨著外加電壓Von的上升，偏振狀態不變，散射因經由上偏光片18後所呈現的亮態而增加半穿反液晶顯示元件的反射率。

如圖6所示，係本發明正常黑模式下“UCL001”高分子單體以占混合物5wt%的濃度與“MJ052115”TN液晶混合所得到的高分子散射液晶的穿透率、反射率的變化曲線圖。其中，液晶層16的厚度為4奈米，高分子散射液晶的穿透率曲線和反射率曲線已包含穿過上偏光片18和下偏光片20共四次的50%損耗。結合圖5所述的量測系統，可得出：“MJ052115”TN液晶與“UCL001”高分子單體混合後，穿透率可達32%，反射率可達6%，穿透率在外加顯示電壓到10伏時仍未飽和。

因此，本實施例將“UCL001”高分子單體替換成“0C”高分子單體，並以該“0C”高分子單體占混合物5wt%的濃度與“MJ052115”TN液晶混合，經過圖5所述的量測系統量測後得到圖7所示的高分子散射液晶的穿透率、反射率的變化曲線圖。由該變化曲線圖可以得出：穿透率可達38%(包含偏光片的50%損耗)，反射率可達到23%(包含偏光片的50%損耗)，外加顯示電壓降至5伏時飽和。圖7所述的高分子散射液晶與圖6所示的高分子散射液晶相比：穿透率提高了5%，反射率提高了17%，飽和電壓有所下降。

由此可得出：TN液晶中因混入高分子單體後，由不同材料的高分子單體生成的高分子散射液晶的穿透率和反射率不同，液晶盒的反射率會因增加散射效果而提高，但穿透曲線的飽和電壓會降低。

下面，本實施例再詳細講述一下NW模式下高分子散射型半穿反液晶顯示元件的反射區和穿透區的光電特性。

參閱圖8和圖9，係本發明高分子散射型半穿反液晶顯示元件於NW模式下不施加顯示電壓時的剖面示意圖和施加電壓時的剖面示意圖。圖8和圖9所示的半穿反液晶顯示元件與圖3和圖4所顯示的半穿反液晶顯示元件的不同之處在於：上偏光片18和下偏光片20相互垂直，進而得到NW模式；及反射片32位於下偏光片20的內側。NW模式中的反射光只用經過上偏光片18、下偏光片20兩次，解決了圖3、4所示NB模式因反射光要經過上偏光片18、下偏光片20共四次而使反射光效率降低的問題。

參閱圖10，係本發明NW模式的量測系統的結構示意圖。其中，圖10(1)所示是NW模式的穿透率量測系統。圖10(2)所示是NW模式的反射率量測系統。本實施例也可以將圖10(1)和圖10(2)綜合成一個量測系統進行NW模式的穿透率量測和反射率量測。

其中，在圖10(1)中，NW模式的穿透率量測系統的硬體結構與圖5(1)所示的NB模式的穿透率量測系統相似，均由雷射裝置100、電源200、液晶盒和光檢測器300組成。不同之處在於：圖10(1)中的上偏光片18和下偏光片20相互垂直。雷射裝置100類比環境光，電源200向液晶盒施加顯示電壓，顯示電壓由小增大，光檢測器300接收穿透光，並根據穿透光的光強及電壓的大小量測液晶盒的穿透率。

在圖10(2)中，NW模式的反射率量測系統的硬體結構與圖5(2)所示的反射率量測系統的不同之處在於：由於反射片32在下偏光片20的內側，因此，雷射裝置100所類比的環境光經過分光鏡102後，穿透光被黑紙板104吸收，反射光經上偏光片18和液晶層16後，經過反射片32的反射，再次穿射液晶層16和上偏光片18，最終由光檢測器300接收，該光檢測器300根據反射光的光強和電源200所提供的電壓量測光的反射率。

為了說明NW模式下不同類型的TN液晶與不同類型的高分子單體混合後所得到的高分子散射液晶的穿透率、反射率不同，向厚度為8.9微米的液晶層16所在的液晶盒照射365nm的UV光，外加(curing)電壓為零，做出以下實驗：將“ZAU-5160LA”TN液晶與“0C”高分子單體混合得到圖11所示的穿透率、反射率變化曲線；將“MJ052115”TN液晶與“0C”高分子單體混合得到圖12所示的穿透率、反射率變化曲線；及將“MJ052115”TN液晶與“UCL001”高分子單體混合得到圖13所示的穿透率、反射率變化曲線。其中，圖11、12和13中的高分子單體均占混合物的5wt%，穿透率、反射率變化曲線均未包含光穿透上偏光片18和下偏光片20兩次的50%損耗。

在圖11中，當液晶盒的外加電壓為零(Voff)時，如圖8所示的結構，反射光的特性如下：雷射裝置100所類比的環境光經上偏光片18入射到扭曲排列的液晶層16，偏振光被旋轉90度，經反射片32反射後再次經扭曲排列的液晶層16後顯示亮態，此時，所述高分子散射液晶未散射。因反射片32在下偏光片20的內側，反射光需經過上偏光片18兩次，有別於NB模式中反射光四次透過偏光片。穿透光在Voff狀態下的特性為：水準偏振光經液晶層16旋轉90度後透過上偏光片18呈現亮態。

當液晶盒為Von狀態時，如圖9所示的結構，反射區的特性為：電場E使得液晶分子沿z軸方向排列，若液晶層16中僅有TN液晶，則透過上偏光片18的反射光為亮態，然而，因本實施例的液晶層中存在高分子單體網，該高分子單體網將液晶分子局限在rubbing方向(x-y)上，電場與所述高分子單體網的雙重作用使得液晶分子與高分子的折射率不相匹配，從而產生散射，尤其在rubbing方向上散射效果最強烈，因此，rubbing方向上的偏振光因被散射從而導致反射率大大減弱，最終透過上偏光片18的反射光呈現暗態。穿透光在Von狀態下的特性為：偏振狀態不改變，穿透光經過垂直的上偏光片18後呈現暗態。

在穿透和反射光效率方面，圖11中的穿透率為66%，反射率為46%，驅動電壓Vth為2伏，而穿透與反射的飽和電壓分別為4伏和3.4伏。

在圖12中，穿透率為72%(未包含偏光板50%損耗)，反射率為50%(未包含偏光板50%損耗)，由於“MJ052115”TN液晶的△ε=12.6可以壓低驅動電壓，因此，驅動電壓Vth僅為1伏特，而穿透與反射的飽和電壓分別為2.8伏和4伏。

在圖13中，穿透率為66%，反射率50%(未包含偏光板50%損耗)，驅動電壓Vth為1伏特，而穿透與反射的飽和電壓分別為3.5伏和3伏，且穿透曲線與反射曲線在此液晶與高分子的搭配下兩條曲線幾乎重合，同時具有單層間隙(single cell gap)和合一曲線(single gamma)反式液晶組件的光電特性。所述single gamma具體是指：穿透曲線與反射曲線幾乎重合，利用一個電壓就可以同時控制穿透光和反射光。透過將圖11、12和13中的穿透曲線、反射曲線進行比較可以得到：在實驗中的三組混合物中，圖13中的TN液晶和高分子單體的組合使得高分子散射液晶的光電特性達到了最佳。即：圖13中的“MJ052115”TN液晶與“UCL001”高分子單體混合後所生成的高分子散射液晶的暗態較暗、反射光與穿透光同步變化、顯示電壓較低，及穿透曲線亮暗的對比度高。

最後所應說明的是，以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，且已達廣泛之使用功效，凡其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成之均等變化或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內，例如，對TN液晶或高分子單體的類型進行替換，如將“ZAU-5160LA”TN液晶替換成“MJ052115”TN液晶或其他類型的液晶。

S100‧‧‧將液晶分子與高分子單體混合

S102‧‧‧將上述混合物真空注入液晶層中

S104‧‧‧將液晶盒加熱

S106‧‧‧UV嚗光機對液晶盒進行嚗光並透過反射片進行光聚合

S108‧‧‧以相分離技術產生高分子散射液晶

Claims

一種高分子散射型半穿反液晶顯示器的製作方法，該方法包括如下步驟：將液晶分子與高分子單體混合得到一混合物，其中所述高分子單體占該混合物的3wt%~5wt%，而且與液晶分子混合在一起，不會發生化學反應；將上述混合物真空注入到一半穿反液晶顯示器的液晶層中；將該注入了混合物的半穿反液晶顯示器進行加熱；利用紫外光對該半穿反液晶顯示器曝光並透過其反射片進行光聚合，其中，半穿反液晶顯示器在曝光時不用外加電壓，該紫外光為波長介於345~365奈米之間的非偏振光，光強為3.5~12mW/cm²；及以相分離技術產生高分子散射液晶，由該高分子散射液晶組成的半穿反液晶顯示器即為所述高分子散射型半穿反液晶顯示器。
如申請專利範圍第1項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器的製作方法，其中所述之高分子單體還滿足條件：高分子單體的折射率與液晶分子的折射率之間的差值大；及經紫外光照射後高分子單體能夠與液晶分子相分離。
如申請專利範圍第1項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器的製作方法，其中所述加熱是指將所述半穿反液晶顯示器加熱至60攝氏度。
如申請專利範圍第1項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器的製作方法，其中所述非偏振光對半穿反液晶顯示器的曝光時間為15小時。
一種藉由申請專利範圍第1項所述製作方法製成的高分子散射型半穿反液晶顯示器，包括上偏光片、相對於該上偏光片的下偏光片及液晶層，該液晶層內包括液晶分子，其中，所述液晶層內還包括高分子單體，該高分子單體與所述液晶分子混合得到一混合物，其中，所述高分子單體占該混合物的3wt%~5wt%，而且與液晶分子混合在一起，不會發生化學反應。
如申請專利範圍第5項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器，其中所述高分子單體滿足三個條件：能夠與液晶分子混合且不會發生化學反應；高分子單體的折射率與液晶分子的折射率之間的差值大；及經紫外光照射後高分子單體能夠與液晶分子相分離。
如申請專利範圍第5項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器，其中所述高分子散射型半穿反液晶顯示器還包括一反射片，置於所述下偏光片的外側。
如申請專利範圍第7項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器，其中，若所述上偏光片與下偏光片相互平行，則所述的半穿反液晶顯示器為正常黑模式。
如申請專利範圍第5項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器，其中，該高分子散射型半穿反液晶顯示器還包括一個反射片，置於所述下偏光片的內側。
如申請專利範圍第9項所述之高分子散射型半穿反液晶顯示器，其中，若所述上偏光片與下偏光片相互垂直，則所述的半穿反液晶顯示器為正常黑模式。