JP2003131253A - 表示基板及びこれを有する液晶表示装置 - Google Patents
表示基板及びこれを有する液晶表示装置Info
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- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示基板及びこれを有する液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】表示基板に形成されたパッド部はパッド金
属膜を露出させる多数個のビアホールを有する。このと
き、ビアホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形
成される。また、ビアホールの幅が導電粒子の直径より
大きいとき、ビアホールの深さは導電粒子の直径より小
さく形成される。従って、パッド部から発生される駆動
不良を防止することができ、導電粒子の変形率を２０〜
６０％に維持することができることにより、パッド部と
回路基板との接続力を強化させることができる。
供する。 【解決手段】表示基板に形成されたパッド部はパッド金
属膜を露出させる多数個のビアホールを有する。このと
き、ビアホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形
成される。また、ビアホールの幅が導電粒子の直径より
大きいとき、ビアホールの深さは導電粒子の直径より小
さく形成される。従って、パッド部から発生される駆動
不良を防止することができ、導電粒子の変形率を２０〜
６０％に維持することができることにより、パッド部と
回路基板との接続力を強化させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示基板及びこれを
有する液晶表示装置に関するものであり、より詳細に
は、表示基板に電気的な信号を印加するための回路基板
の接触特性を向上させることができるパッド部が形成さ
れた表示基板及びこれを有する液晶表示装置に関するも
のである。
有する液晶表示装置に関するものであり、より詳細に
は、表示基板に電気的な信号を印加するための回路基板
の接触特性を向上させることができるパッド部が形成さ
れた表示基板及びこれを有する液晶表示装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報処理機器は多様な形態、多様
な機能、より高速の情報処理速度を有するように急速に
発展している。このような情報処理装置で処理される情
報は電気信号の形態を有する。使用者が情報処理装置で
処理された情報を目で確認するためにはインターフェー
ス機能を有するディスプレー装置を必要とする。
な機能、より高速の情報処理速度を有するように急速に
発展している。このような情報処理装置で処理される情
報は電気信号の形態を有する。使用者が情報処理装置で
処理された情報を目で確認するためにはインターフェー
ス機能を有するディスプレー装置を必要とする。
【０００３】最近、ＣＲＴ方式のディスプレー装置に比
べて、軽量、小型でありながら、フル−カラー、高解像
度化などの機能を有する平板型ディスプレー装置の開発
が進んでいる。液晶表示装置は広く使用されている平板
型ディスプレー装置のうちの一つであり、電極が形成さ
れた二枚の基板とその間に注入された液晶層によりなる
液晶表示パネルを具備する。液晶表示パネルの電極に電
圧を印加し液晶層の液晶分子配列を再配列させることに
より、透過される光の量を調節し画像を表示する。
べて、軽量、小型でありながら、フル−カラー、高解像
度化などの機能を有する平板型ディスプレー装置の開発
が進んでいる。液晶表示装置は広く使用されている平板
型ディスプレー装置のうちの一つであり、電極が形成さ
れた二枚の基板とその間に注入された液晶層によりなる
液晶表示パネルを具備する。液晶表示パネルの電極に電
圧を印加し液晶層の液晶分子配列を再配列させることに
より、透過される光の量を調節し画像を表示する。
【０００４】一般に、液晶表示装置は、液晶表示パネル
により精密な映像をディスプレーするために、外部情報
処理装置で発生された画像データを液晶表示パネルを駆
動するに適合した駆動信号へ変換し、また駆動信号を変
換し、また駆動信号を適合したタイミングに合わせて液
晶表示パネルに印加しなければならない。
により精密な映像をディスプレーするために、外部情報
処理装置で発生された画像データを液晶表示パネルを駆
動するに適合した駆動信号へ変換し、また駆動信号を変
換し、また駆動信号を適合したタイミングに合わせて液
晶表示パネルに印加しなければならない。
【０００５】これを具現するために、液晶表示装置は、
画像データが液晶表示パネルに印加される前に駆動印刷
回路基板で信号処理される過程を必要とする。
画像データが液晶表示パネルに印加される前に駆動印刷
回路基板で信号処理される過程を必要とする。
【０００６】このとき、液晶表示装置がフルカラーデイ
スプレーを実施するために、ゲートライン及びデータラ
インを含む信号線が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の
一定表面内に稠密に形成される。また、信号線の一端部
には信号線の面積よりさらに広く形成されたパッドが連
結される。
スプレーを実施するために、ゲートライン及びデータラ
インを含む信号線が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の
一定表面内に稠密に形成される。また、信号線の一端部
には信号線の面積よりさらに広く形成されたパッドが連
結される。
【０００７】このとき、駆動印刷回路基板から発生され
た駆動信号を正確なタイミングにより稠密に形成された
信号線に印加するためには、信号転送のための媒介体を
必要とする。この媒介体としてはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌ
ｍ）、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃ
ｉｒｃｕｉｔ Ｆｉｌｍ）又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａ
ｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が主に使用される。媒介
体の一側は駆動印刷回路基板と連結され、他側はパッド
と電気的に接続され堅固に固定される。
た駆動信号を正確なタイミングにより稠密に形成された
信号線に印加するためには、信号転送のための媒介体を
必要とする。この媒介体としてはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌ
ｍ）、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃ
ｉｒｃｕｉｔ Ｆｉｌｍ）又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａ
ｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が主に使用される。媒介
体の一側は駆動印刷回路基板と連結され、他側はパッド
と電気的に接続され堅固に固定される。
【０００８】このとき、パッドと連接したパッドとの間
隔が狭いために、パッドを媒介体と連結するに通常使用
される微細鎔接などの方法を使用することが困難であ
る。このような理由で、パッドは、異方性導電フィルム
（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆ
ｉｌｍ；ＡＣＦ）を媒介として、媒介体と電気的に相互
に接続される。
隔が狭いために、パッドを媒介体と連結するに通常使用
される微細鎔接などの方法を使用することが困難であ
る。このような理由で、パッドは、異方性導電フィルム
（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆ
ｉｌｍ；ＡＣＦ）を媒介として、媒介体と電気的に相互
に接続される。
【０００９】ＡＣＦは、粘性があるテープに数μｍ以下
の導電粒子を相互一定規則を有するように添加すること
により形成される。即ち、このＡＣＦは接着物質と導電
粒子とを有する導電層及び保護膜層で形成されている。
導電粒子は媒介体を通じて転送される信号を、パッドを
通じて液晶表示パネルに印加する役割を有する。このと
き、導電粒子は信号を転送する場合に、一方向性を有す
る。即ち、媒介体からの信号を液晶表示パネルに印加す
ることができるが、その反対に液晶表示パネルからの信
号を媒介体に転送することはできない。
の導電粒子を相互一定規則を有するように添加すること
により形成される。即ち、このＡＣＦは接着物質と導電
粒子とを有する導電層及び保護膜層で形成されている。
導電粒子は媒介体を通じて転送される信号を、パッドを
通じて液晶表示パネルに印加する役割を有する。このと
き、導電粒子は信号を転送する場合に、一方向性を有す
る。即ち、媒介体からの信号を液晶表示パネルに印加す
ることができるが、その反対に液晶表示パネルからの信
号を媒介体に転送することはできない。
【００１０】また、ＡＣＦは液晶表示パネルと媒介体と
の間に挿入された状態で熱圧着されることにより、接着
物質によりパッド及び媒介体と各々接着され、また、導
電粒子の弾性変形による復元力によりさらに堅固に接着
される。
の間に挿入された状態で熱圧着されることにより、接着
物質によりパッド及び媒介体と各々接着され、また、導
電粒子の弾性変形による復元力によりさらに堅固に接着
される。
【００１１】図１は従来のパッドの構造を説明するため
の平面図であり、図２乃至図５は図１に図示されたパッ
ドの工程断面図である。図１乃至図５では液晶表示装置
のゲートラインから延びて形成されるゲートパッド構造
を例を挙げて説明する。また、媒介体としてＴＣＰを使
用したものを例を挙げて説明する。
の平面図であり、図２乃至図５は図１に図示されたパッ
ドの工程断面図である。図１乃至図５では液晶表示装置
のゲートラインから延びて形成されるゲートパッド構造
を例を挙げて説明する。また、媒介体としてＴＣＰを使
用したものを例を挙げて説明する。
【００１２】図１及び図２を参照すると、絶縁物質から
なる基板６０上にアルミニウム（Ａｌ）またはクロム
（Ｃｒ）などの金属を蒸着し、パターニングしてゲート
パッド１０を形成する。続いて、図３に示すように、ゲ
ートパッド１０が形成された基板６０の全面に窒化シリ
コンをプラズマ化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＬＰＣ
ＶＤ）方法により積層しゲート絶縁膜２０を形成する。
なる基板６０上にアルミニウム（Ａｌ）またはクロム
（Ｃｒ）などの金属を蒸着し、パターニングしてゲート
パッド１０を形成する。続いて、図３に示すように、ゲ
ートパッド１０が形成された基板６０の全面に窒化シリ
コンをプラズマ化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＬＰＣ
ＶＤ）方法により積層しゲート絶縁膜２０を形成する。
【００１３】図４に図示したように、ゲートパッド１０
及び周辺部の全面に有機レジストを積層し前記有機絶縁
膜３０を形成する。前記ゲートパッド１０領域上に開口
部１１を形成するために、前記有機絶縁膜３０の上部に
マスク３１を位置させる。次に、前記有機絶縁膜３０を
露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜３０上に前記
ゲートパッド１０を露出させる開口部１１を形成する。
このとき、前記有機絶縁膜３０の下部の前記ゲート絶縁
膜２０も共に除去され、前記ゲートパッド１０を部分的
に露出させる開口部１１を形成する。
及び周辺部の全面に有機レジストを積層し前記有機絶縁
膜３０を形成する。前記ゲートパッド１０領域上に開口
部１１を形成するために、前記有機絶縁膜３０の上部に
マスク３１を位置させる。次に、前記有機絶縁膜３０を
露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜３０上に前記
ゲートパッド１０を露出させる開口部１１を形成する。
このとき、前記有機絶縁膜３０の下部の前記ゲート絶縁
膜２０も共に除去され、前記ゲートパッド１０を部分的
に露出させる開口部１１を形成する。
【００１４】以後、図５に示したように、開口部１１の
内面及び開口部１１の周辺の有機絶縁膜３０上に導電膜
４０を形成する。このとき、導電膜４０はアルミニウム
のような金属物質及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏ
ｘｉｄｅ）を含む透明性導電物質から成る。
内面及び開口部１１の周辺の有機絶縁膜３０上に導電膜
４０を形成する。このとき、導電膜４０はアルミニウム
のような金属物質及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏ
ｘｉｄｅ）を含む透明性導電物質から成る。
【００１５】図６を参照すると、前記ゲートパッド１０
上に形成された導電膜４０上に異方性導電フィルム７０
を位置させた後、ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８１と
アラインさせた後、圧着工程を実施する。これにより、
前記導電膜４０と前記ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８
１とが、導電粒子７１により相互電気的に接続される。
上に形成された導電膜４０上に異方性導電フィルム７０
を位置させた後、ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８１と
アラインさせた後、圧着工程を実施する。これにより、
前記導電膜４０と前記ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８
１とが、導電粒子７１により相互電気的に接続される。
【００１６】しかし、図６に示したように、前記有機絶
縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差により、前記
ゲート側ＴＣＰ８０が前記ゲートパッド１０に付着され
なく、または、付着されても取れる問題点が発生する。
これは異方性導電粒子７１と前記有機絶縁膜３０との厚
さの差が大きくないので、前記異方性導電粒子７１を前
記ゲートパッド１０に圧着するとき、前記異方性導電粒
子７１に十分な圧着力を伝達できないためである。
縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差により、前記
ゲート側ＴＣＰ８０が前記ゲートパッド１０に付着され
なく、または、付着されても取れる問題点が発生する。
これは異方性導電粒子７１と前記有機絶縁膜３０との厚
さの差が大きくないので、前記異方性導電粒子７１を前
記ゲートパッド１０に圧着するとき、前記異方性導電粒
子７１に十分な圧着力を伝達できないためである。
【００１７】また、前記ゲートパッド１０に前記ゲート
側ＴＣＰ８０が誤付着され、前記ゲート側ＴＣＰ８０を
取り外して再び付着させる場合、前記ゲートパッド１０
に形成された異物質を除去するために綿棒などにより前
記基板を磨く作業を実施する。このとき、前記有機絶縁
膜３０は前記ゲート絶縁膜２０との接着力が弱くかつ、
前記有機絶縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差に
より、前記有機絶縁膜３０が前記ゲート絶縁膜２０から
取れてしまう場合がある。これにより、前記有機絶縁膜
３０上に形成されている前記導電膜４０が、前記有機絶
縁膜３０と共に離れて、隣接しているパッド間に置か
れ、パッド間に短絡が発生する。
側ＴＣＰ８０が誤付着され、前記ゲート側ＴＣＰ８０を
取り外して再び付着させる場合、前記ゲートパッド１０
に形成された異物質を除去するために綿棒などにより前
記基板を磨く作業を実施する。このとき、前記有機絶縁
膜３０は前記ゲート絶縁膜２０との接着力が弱くかつ、
前記有機絶縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差に
より、前記有機絶縁膜３０が前記ゲート絶縁膜２０から
取れてしまう場合がある。これにより、前記有機絶縁膜
３０上に形成されている前記導電膜４０が、前記有機絶
縁膜３０と共に離れて、隣接しているパッド間に置か
れ、パッド間に短絡が発生する。
【００１８】しかし、前記有機絶縁膜３０は多数のゲー
トパッド１０間で相互に隣接するゲートパッド間の電気
的な短絡を防止する役割も有するために、前記ゲートパ
ッド１０上及びその周囲に形成された前記有機絶縁膜３
０を除去する場合には、隣接したゲートパッド間に電気
的な短絡が発生する可能性が相当に高まり、結果的に製
品の信頼性が低下する問題が発生する。従って、前記ゲ
ートパッド１０部位で前記有機絶縁膜３０を完全に除去
することはできない。
トパッド１０間で相互に隣接するゲートパッド間の電気
的な短絡を防止する役割も有するために、前記ゲートパ
ッド１０上及びその周囲に形成された前記有機絶縁膜３
０を除去する場合には、隣接したゲートパッド間に電気
的な短絡が発生する可能性が相当に高まり、結果的に製
品の信頼性が低下する問題が発生する。従って、前記ゲ
ートパッド１０部位で前記有機絶縁膜３０を完全に除去
することはできない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
パッド部と回路基板との接続特性を向上させ、駆動不良
を最小化することができる表示基板を提供することにあ
る。
パッド部と回路基板との接続特性を向上させ、駆動不良
を最小化することができる表示基板を提供することにあ
る。
【００２０】本発明の第２目的は、パッド部と回路基板
との接続特性を向上させ、駆動不良を最小化することが
できる表示基板を有する液晶表示装置を提供することに
ある。
との接続特性を向上させ、駆動不良を最小化することが
できる表示基板を有する液晶表示装置を提供することに
ある。
【００２１】
【発明の解決するための手段】上述した第１目的を達成
するための本発明による表示基板は、回路基板から電気
的な信号の供給を受けるための一つ以上のパッド部を備
える。前記パッド部は、表示基板上に形成され、パッド
領域を有するパッド金属膜と、前記パッド金属膜をカバ
ーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成さ
れた保護膜と、前記パッド領域に対応して前記保護膜上
に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッ
ド金属膜と電気的に接触された導電膜とを含む。
するための本発明による表示基板は、回路基板から電気
的な信号の供給を受けるための一つ以上のパッド部を備
える。前記パッド部は、表示基板上に形成され、パッド
領域を有するパッド金属膜と、前記パッド金属膜をカバ
ーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成さ
れた保護膜と、前記パッド領域に対応して前記保護膜上
に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッ
ド金属膜と電気的に接触された導電膜とを含む。
【００２２】前記回路基板の出力端子は、前記導電膜と
の間に挿入される異方性導電フィルムにより、前記導電
膜に電気的に接触される。
の間に挿入される異方性導電フィルムにより、前記導電
膜に電気的に接触される。
【００２３】前記多数個のビアホールの幅は、前記異方
性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下であるこ
とが望ましい。
性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下であるこ
とが望ましい。
【００２４】また、前記導電粒子の変形率は、２０〜６
０％であることが望ましい。従って、前記多数個のビア
ホールの幅は、前記導電粒子の直径の０．８倍以下で形
成される。
０％であることが望ましい。従って、前記多数個のビア
ホールの幅は、前記導電粒子の直径の０．８倍以下で形
成される。
【００２５】前記多数個のビアホールの深さは、前記導
電粒子の直径以下で形成され、望ましくは前記導電粒子
の直径の０．８〜０．４倍で形成される。
電粒子の直径以下で形成され、望ましくは前記導電粒子
の直径の０．８〜０．４倍で形成される。
【００２６】一方、前記多数個のビアホールは、前記表
示基板の上面から、長方形、正方形、円形又は楕円形に
形成される。
示基板の上面から、長方形、正方形、円形又は楕円形に
形成される。
【００２７】前記表示基板は液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放
出ディスプレイ（ＦＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプ
レイのうちのいずれか一つに使用される。
Ｄ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放
出ディスプレイ（ＦＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプ
レイのうちのいずれか一つに使用される。
【００２８】上述した第２目的を達成するための本発明
による液晶表示装置は、パッド部を含む液晶表示パネル
及び前記液晶表示パネルのパッド部と電気的に接触され
る出力端子が形成され、前記液晶表示パネルに電気的な
信号を印加するための回路基板とを含む。
による液晶表示装置は、パッド部を含む液晶表示パネル
及び前記液晶表示パネルのパッド部と電気的に接触され
る出力端子が形成され、前記液晶表示パネルに電気的な
信号を印加するための回路基板とを含む。
【００２９】このとき、前記液晶表示パネルは多数個の
画素部及びパッド部を含み、前記パッド部は、基板上に
形成された多数個の画素部と連結された多数個の信号線
の一端部から延びて形成され、パッド領域を有するパッ
ド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド
領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、前
記パッド領域に対応し前記保護膜上に形成され、前記多
数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に
接触された導電膜とを具備する。
画素部及びパッド部を含み、前記パッド部は、基板上に
形成された多数個の画素部と連結された多数個の信号線
の一端部から延びて形成され、パッド領域を有するパッ
ド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド
領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、前
記パッド領域に対応し前記保護膜上に形成され、前記多
数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に
接触された導電膜とを具備する。
【００３０】前記回路基板の出力端子は、前記導電膜と
の間に挿入される異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）
により、前記導電膜に電気的に接触される。
の間に挿入される異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）
により、前記導電膜に電気的に接触される。
【００３１】上述した表示基板及びこれを有する液晶表
示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出さ
せる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビア
ホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成され
る。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径よ
り大きいとき、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の
直径より小さく形成される。
示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出さ
せる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビア
ホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成され
る。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径よ
り大きいとき、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の
直径より小さく形成される。
【００３２】従って、前記パッド部から発生される駆動
不良を防止することができ、前記導電粒子の変形率を２
０〜６０％に維持することにより、前記パッド部と回路
基板との接続力を強化させることができる。
不良を防止することができ、前記導電粒子の変形率を２
０〜６０％に維持することにより、前記パッド部と回路
基板との接続力を強化させることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい実施形態をより詳細に説明する。
ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００３４】図７は、本発明の望ましい一実施形態によ
る液晶表示装置を示した斜視図である。
る液晶表示装置を示した斜視図である。
【００３５】図７を参照すると、液晶表示装置６００は
液晶表示パネル３００、前記液晶表示パネル３００に駆
動信号を印加するためのゲート印刷回路基板４００及び
データ印刷回路基板５００とを含む。
液晶表示パネル３００、前記液晶表示パネル３００に駆
動信号を印加するためのゲート印刷回路基板４００及び
データ印刷回路基板５００とを含む。
【００３６】前記液晶表示パネル３００は薄膜トランジ
スター基板２００、カラーフィルタ基板１００及び前記
二つ基板２００、１００との間に注入される液晶（図示
せず）を含む。
スター基板２００、カラーフィルタ基板１００及び前記
二つ基板２００、１００との間に注入される液晶（図示
せず）を含む。
【００３７】前記薄膜トランジスター基板２００はマト
リックス状の薄膜トランジスター（図示せず）が形成さ
れている透明なガラス基板である。前記薄膜トランジス
ター基板２００は大きく画素部とパッド部とに区分され
るが、前記画素部は前記多数の薄膜トランジスター、ロ
ー方向に延びて形成された多数のデータライン２２０及
びカラム方向に延びて形成された多数のゲートライン２
３０を含む。この時、前記薄膜トランジスターのソース
電極２１４（図１５）には前記多数のデータライン２２
０が連結され、ゲート電極２１１（図１５）には、前記
多数のゲートライン２３０が連結されている。ドレーン
電極（図示せず）は画素電極（図示せず）と連結され
る。
リックス状の薄膜トランジスター（図示せず）が形成さ
れている透明なガラス基板である。前記薄膜トランジス
ター基板２００は大きく画素部とパッド部とに区分され
るが、前記画素部は前記多数の薄膜トランジスター、ロ
ー方向に延びて形成された多数のデータライン２２０及
びカラム方向に延びて形成された多数のゲートライン２
３０を含む。この時、前記薄膜トランジスターのソース
電極２１４（図１５）には前記多数のデータライン２２
０が連結され、ゲート電極２１１（図１５）には、前記
多数のゲートライン２３０が連結されている。ドレーン
電極（図示せず）は画素電極（図示せず）と連結され
る。
【００３８】一方、前記パッド部はデータパッド部２５
０とゲートパッド部２４０とに区分される。前記データ
パッド部２５０は前記多数のデータライン２２０から延
びて、前記多数のデータライン２２０より広い面積を有
するデータパッド（図示せず）が形成された領域であ
る。前記ゲートパッド部２４０は前記多数のゲートライ
ン２３０から延び、前記ゲートライン２３０より広い面
積を有するゲートパッド（図示せず）が形成された領域
である。
０とゲートパッド部２４０とに区分される。前記データ
パッド部２５０は前記多数のデータライン２２０から延
びて、前記多数のデータライン２２０より広い面積を有
するデータパッド（図示せず）が形成された領域であ
る。前記ゲートパッド部２４０は前記多数のゲートライ
ン２３０から延び、前記ゲートライン２３０より広い面
積を有するゲートパッド（図示せず）が形成された領域
である。
【００３９】前記薄膜トランジスター基板２００に対向
してカラーフィルタ基板１００が具備される。カラーフ
ィルタ基板１００は光が通過すると所定の色が発現され
る色画素であるＲＧＢ画素が薄膜工程により形成された
基板である。カラーフィルタ基板１００の前面にはＩＴ
Ｏから成る共通電極が塗布されている。
してカラーフィルタ基板１００が具備される。カラーフ
ィルタ基板１００は光が通過すると所定の色が発現され
る色画素であるＲＧＢ画素が薄膜工程により形成された
基板である。カラーフィルタ基板１００の前面にはＩＴ
Ｏから成る共通電極が塗布されている。
【００４０】前述した薄膜トランジスター基板２００の
トランジスターのゲート電極２１１及びソース電極２１
４には電圧が印加されており、薄膜トランジスターがタ
ーンオンされると、画素電極２１７とカラーフィルタ基
板１００の共通電極との間には電界が形成される。この
ような電界により薄膜トランジスター基板２００とカラ
ーフィルタ基板１００との間に注入された液晶の配列角
が変化し、変化した配列角に従って光透過率が変更され
て所望の画素を得ることになる。
トランジスターのゲート電極２１１及びソース電極２１
４には電圧が印加されており、薄膜トランジスターがタ
ーンオンされると、画素電極２１７とカラーフィルタ基
板１００の共通電極との間には電界が形成される。この
ような電界により薄膜トランジスター基板２００とカラ
ーフィルタ基板１００との間に注入された液晶の配列角
が変化し、変化した配列角に従って光透過率が変更され
て所望の画素を得ることになる。
【００４１】一方、前記液晶表示パネル３００の液晶の
配列角と液晶が配列される時期とを制御するために、薄
膜トランジスターのゲートライン２３０とデータライン
２２０とには、駆動信号及びタイミング信号が印加され
る。図示したように、前記液晶表示パネル３００のデー
タパッド部２５０にはデータ駆動信号の印加時期を決定
するためのデータ側ＴＣＰ５１０が設けられ、前記ゲー
トパッド部２４０にはゲート駆動信号の印加時期を決定
するためのゲート側ＴＣＰ４１０が設けられている。
配列角と液晶が配列される時期とを制御するために、薄
膜トランジスターのゲートライン２３０とデータライン
２２０とには、駆動信号及びタイミング信号が印加され
る。図示したように、前記液晶表示パネル３００のデー
タパッド部２５０にはデータ駆動信号の印加時期を決定
するためのデータ側ＴＣＰ５１０が設けられ、前記ゲー
トパッド部２４０にはゲート駆動信号の印加時期を決定
するためのゲート側ＴＣＰ４１０が設けられている。
【００４２】前記データ印刷回路基板５００及びゲート
印刷回路基板４００は、液晶表示パネル３００の外部か
ら映像信号の入力を受けて、前記ゲートライン２３０及
びデータライン２２０に各々駆動信号を印加する。この
とき、データ印刷回路基板５００及びゲート印刷回路基
板４００は、データ側ＴＣＰ５１０及びゲート側ＴＣＰ
４１０に各々接続される。前記データ印刷回路基板５０
０には、コンピュータなどの外部の情報処理装置（図示
せず）から発生した映像信号が印加されて前記液晶表示
パネル３００のデータライン２２０にデータ駆動信号を
提供するためのソース部が形成され、ゲート印刷回路基
板４００には前記液晶表示パネル３００のゲートライン
２３０にゲート駆動信号を提供するためのゲート部が形
成される。すなわち、データ印刷回路基板５００及びゲ
ート印刷回路基板４００は、液晶表示装置６００を駆動
するための信号であるゲート駆動信号、データ信号及び
これらの信号を適切な時期に印加するための複数のタイ
ミング信号を発生し、ゲート駆動信号はゲート側ＴＣＰ
４１０を通じて前記ゲートライン２３０に印加され、デ
ータ信号はデータ側ＴＣＰ５１０を通じて前記データラ
イン２２０に印加される。
印刷回路基板４００は、液晶表示パネル３００の外部か
ら映像信号の入力を受けて、前記ゲートライン２３０及
びデータライン２２０に各々駆動信号を印加する。この
とき、データ印刷回路基板５００及びゲート印刷回路基
板４００は、データ側ＴＣＰ５１０及びゲート側ＴＣＰ
４１０に各々接続される。前記データ印刷回路基板５０
０には、コンピュータなどの外部の情報処理装置（図示
せず）から発生した映像信号が印加されて前記液晶表示
パネル３００のデータライン２２０にデータ駆動信号を
提供するためのソース部が形成され、ゲート印刷回路基
板４００には前記液晶表示パネル３００のゲートライン
２３０にゲート駆動信号を提供するためのゲート部が形
成される。すなわち、データ印刷回路基板５００及びゲ
ート印刷回路基板４００は、液晶表示装置６００を駆動
するための信号であるゲート駆動信号、データ信号及び
これらの信号を適切な時期に印加するための複数のタイ
ミング信号を発生し、ゲート駆動信号はゲート側ＴＣＰ
４１０を通じて前記ゲートライン２３０に印加され、デ
ータ信号はデータ側ＴＣＰ５１０を通じて前記データラ
イン２２０に印加される。
【００４３】図８は図７に図示された液晶表示装置の実
装構造を具体的に示した切開斜視図である。ただ、デー
タパッド部２５０を説明し、これと同じ構造を有するゲ
ートパッド部２４０の説明は省略する。
装構造を具体的に示した切開斜視図である。ただ、デー
タパッド部２５０を説明し、これと同じ構造を有するゲ
ートパッド部２４０の説明は省略する。
【００４４】図８に示すように、前記薄膜トランジスタ
ー基板２００のデータパッド部２５０には前記多数のデ
ータラインから延びて形成されたデータパッド２５１が
形成される。
ー基板２００のデータパッド部２５０には前記多数のデ
ータラインから延びて形成されたデータパッド２５１が
形成される。
【００４５】一方、前記データ側ＴＣＰ５１０には駆動
ＩＣチップ５１１が実装されており、また、前記駆動Ｉ
Ｃチップ５１１から引出され、前記データ印刷回路基板
５００と結合される入力端子５１２と前記液晶表示パネ
ル３００と結合される出力端子５１３とが配置されてい
る。
ＩＣチップ５１１が実装されており、また、前記駆動Ｉ
Ｃチップ５１１から引出され、前記データ印刷回路基板
５００と結合される入力端子５１２と前記液晶表示パネ
ル３００と結合される出力端子５１３とが配置されてい
る。
【００４６】前記データパッド２５１は前記データ側Ｔ
ＣＰ５１０の出力端子５１３と各々対応し連結される。
このとき、前記データパッド２５１と前記出力端子５１
３との間には異方性導電フィルム２６０が挿入される。
前記異方性導電フィルム２６０は、前記薄膜トランジス
ター基板２００と前記データ側ＴＣＰ５１０とを接着さ
せるための接着物質２６１、及び前記データパッド２５
１と前記出力端子５１３とを電気的に導電させるための
導電粒子２６２を有する。
ＣＰ５１０の出力端子５１３と各々対応し連結される。
このとき、前記データパッド２５１と前記出力端子５１
３との間には異方性導電フィルム２６０が挿入される。
前記異方性導電フィルム２６０は、前記薄膜トランジス
ター基板２００と前記データ側ＴＣＰ５１０とを接着さ
せるための接着物質２６１、及び前記データパッド２５
１と前記出力端子５１３とを電気的に導電させるための
導電粒子２６２を有する。
【００４７】前記薄膜トランジスター基板２００及び前
記データ側ＴＣＰ５１０は、前記データパッド２５１及
び前記出力端子５１３との間に異方性導電フィルム２６
０が挿入された状態で加圧され接着される。
記データ側ＴＣＰ５１０は、前記データパッド２５１及
び前記出力端子５１３との間に異方性導電フィルム２６
０が挿入された状態で加圧され接着される。
【００４８】図９及び図１０は図８に図示されたデータ
パッド部を具体的に説明するための拡大図である。た
だ、データパッド部２５０の形状を説明することによ
り、これと同一の形状を有するゲートパッド部２４０の
説明は省略する。
パッド部を具体的に説明するための拡大図である。た
だ、データパッド部２５０の形状を説明することによ
り、これと同一の形状を有するゲートパッド部２４０の
説明は省略する。
【００４９】図９または図１０に示すように、前記デー
タパッド２５１上には、多数個の第１ビアホール２５２
ａが形成される。前記多数個の第１ビアホール２５２ａ
は後述される所定の幅及び深さに形成される。また、前
記多数個の第１ビアホール２５２ａは前記薄膜トランジ
スター基板２００の上面から、長方形、正方形、三角
形、円形又は楕円形に形成されることができる。
タパッド２５１上には、多数個の第１ビアホール２５２
ａが形成される。前記多数個の第１ビアホール２５２ａ
は後述される所定の幅及び深さに形成される。また、前
記多数個の第１ビアホール２５２ａは前記薄膜トランジ
スター基板２００の上面から、長方形、正方形、三角
形、円形又は楕円形に形成されることができる。
【００５０】前記データパッド２５１を全体的に露出さ
せるのではなく、前記多数個の第１ビアホール２５２ａ
を通じて部分的に露出させることにより、前記データパ
ッド部２５０と前記導電粒子２６２との接触面積を最大
化することができる。
せるのではなく、前記多数個の第１ビアホール２５２ａ
を通じて部分的に露出させることにより、前記データパ
ッド部２５０と前記導電粒子２６２との接触面積を最大
化することができる。
【００５１】また、前記データパッド２５１に前記デー
タ側ＴＣＰ５１０が誤付着された場合、前記データ側Ｔ
ＣＰ５１０を取り外して再び付着させる場合、前記デー
タパッド２５１に形成された異物質を除去するために、
綿棒などによりデータパッド部２５０、２８０を磨く作
業を実施する。このとき、前記データパッド部２５０、
２８０に加えられる外力を多数の孔を通じて分散させる
ことができる。
タ側ＴＣＰ５１０が誤付着された場合、前記データ側Ｔ
ＣＰ５１０を取り外して再び付着させる場合、前記デー
タパッド２５１に形成された異物質を除去するために、
綿棒などによりデータパッド部２５０、２８０を磨く作
業を実施する。このとき、前記データパッド部２５０、
２８０に加えられる外力を多数の孔を通じて分散させる
ことができる。
【００５２】図１１乃至図１５は、本発明の一実施形態
による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面
図である。
による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面
図である。
【００５３】図１１に示すように、ガラス又はセラミッ
クなどのような非導電性物質からなる基板２００上にス
イッチング素子として薄膜トランジスターを形成する。
まず、基板２００上にアルミニウム（Ａｌ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタ
ン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）などの
ような金属を蒸着することにより、金属層２１１、２４
１が形成される。基板２００は、前記薄膜トランジスタ
ーが形成され、画像を表示するための画素部２１０、前
記画素部２１０の周辺領域に前記ゲート側ＴＣＰ４１０
と接続されるゲートパッド部２４０、及びデータ側ＴＣ
Ｐ５１０と接続されるデータパッド部２５０を有する。
クなどのような非導電性物質からなる基板２００上にス
イッチング素子として薄膜トランジスターを形成する。
まず、基板２００上にアルミニウム（Ａｌ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタ
ン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）などの
ような金属を蒸着することにより、金属層２１１、２４
１が形成される。基板２００は、前記薄膜トランジスタ
ーが形成され、画像を表示するための画素部２１０、前
記画素部２１０の周辺領域に前記ゲート側ＴＣＰ４１０
と接続されるゲートパッド部２４０、及びデータ側ＴＣ
Ｐ５１０と接続されるデータパッド部２５０を有する。
【００５４】前記金属層２１１、２４１を一般的なフォ
トリソグラフィ工程によりパターニングすることにより
イメージを形成するための画素が形成される画素部２１
０には、前記薄膜トランジスター基板２００の幅方向に
沿って所定の間隔に配列されるゲートライン２３０及び
前記ゲートライン２３０から分岐されるゲート電極２１
１を形成する。これと共に、前記画素部２１０に電気的
な信号を印加するために前記画素部２１０の周辺領域に
形成された前記ゲートパッド部２４０には、前記ゲート
ライン２３０から延びてゲートパッド２４１を形成す
る。このとき、前記ゲートパッド２４１はゲート電極２
１１及びゲートライン２３０に比べて広い面積を有する
ように形成される。
トリソグラフィ工程によりパターニングすることにより
イメージを形成するための画素が形成される画素部２１
０には、前記薄膜トランジスター基板２００の幅方向に
沿って所定の間隔に配列されるゲートライン２３０及び
前記ゲートライン２３０から分岐されるゲート電極２１
１を形成する。これと共に、前記画素部２１０に電気的
な信号を印加するために前記画素部２１０の周辺領域に
形成された前記ゲートパッド部２４０には、前記ゲート
ライン２３０から延びてゲートパッド２４１を形成す
る。このとき、前記ゲートパッド２４１はゲート電極２
１１及びゲートライン２３０に比べて広い面積を有する
ように形成される。
【００５５】また、前記ゲート電極２１１、ゲートパッ
ド２４１及びゲートライン２３０は各々アルミニウム−
銅（Ａｌ−Ｃｕ）の合金やアルミニウム−シリコン−銅
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）のような合金を使用し形成される
こともできる。
ド２４１及びゲートライン２３０は各々アルミニウム−
銅（Ａｌ−Ｃｕ）の合金やアルミニウム−シリコン−銅
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）のような合金を使用し形成される
こともできる。
【００５６】図１２を参照すると、ゲート電極２１１、
ゲートパッド２４１及びゲートライン２３０が形成され
た薄膜トランジスター基板２００の全面に窒化シリコン
（ＳｉxＮy）をプラズマ化学気相蒸着法により積層しゲ
ート絶縁膜２１２を形成する。
ゲートパッド２４１及びゲートライン２３０が形成され
た薄膜トランジスター基板２００の全面に窒化シリコン
（ＳｉxＮy）をプラズマ化学気相蒸着法により積層しゲ
ート絶縁膜２１２を形成する。
【００５７】図１３を参照すると、前記ゲート絶縁膜２
１２上に、アモルファスシリコン膜及びインサイチュ
（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で不純物がドーピングされたｎ+ア
モルファスシリコン膜を、プラズマ化学気相蒸着法によ
り順次積層する。次に、積層されたアモルファスシリコ
ン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニング
し、ゲート絶縁膜２１２のうち、下にゲート電極２１１
が配置されている部分の上部には、半導体層２１３及び
オーミックコンタクト層２１８を形成する。
１２上に、アモルファスシリコン膜及びインサイチュ
（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で不純物がドーピングされたｎ+ア
モルファスシリコン膜を、プラズマ化学気相蒸着法によ
り順次積層する。次に、積層されたアモルファスシリコ
ン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニング
し、ゲート絶縁膜２１２のうち、下にゲート電極２１１
が配置されている部分の上部には、半導体層２１３及び
オーミックコンタクト層２１８を形成する。
【００５８】このとき、アモルファスシリコン膜に所定
の強度を有するレーザを照射し半導体層２１３をポリシ
リコン層に転換させることができる。
の強度を有するレーザを照射し半導体層２１３をポリシ
リコン層に転換させることができる。
【００５９】連続して、前記結果物が形成された薄膜ト
ランジスター基板２００上にアルミニウム、モリブデ
ン、タンタル、チタン、クロム、タングステン又は銅な
どのような金属からなる金属層を積層した後、積層され
た金属層をパターニングし、前記ゲートライン２３０に
直交するデータライン２２０、データライン２２０から
分岐されるソース電極２１４ドレーン電極２１５を形成
する。また、前記データライン２２０の一端部にデータ
パッド２５１を形成する。これにより、前記薄膜トラン
ジスター基板２００の画素部２１０にはゲート電極２１
１、半導体層２１３、オーミックコンタクト層２１８、
ソース電極２１４及びドレーン電極２１５を含む薄膜ト
ランジスターが完成される。また、前記ゲートパッド部
２４０及びデータパッド部２５０には各々ゲートパッド
２４１とデータパッド２５１が形成される。このとき、
データライン２２０とゲートライン２３０との間にはゲ
ート絶縁膜２１２が挿入されデータライン２２０とゲー
トライン２３０との間に電気的な短絡が起ることを防止
する。
ランジスター基板２００上にアルミニウム、モリブデ
ン、タンタル、チタン、クロム、タングステン又は銅な
どのような金属からなる金属層を積層した後、積層され
た金属層をパターニングし、前記ゲートライン２３０に
直交するデータライン２２０、データライン２２０から
分岐されるソース電極２１４ドレーン電極２１５を形成
する。また、前記データライン２２０の一端部にデータ
パッド２５１を形成する。これにより、前記薄膜トラン
ジスター基板２００の画素部２１０にはゲート電極２１
１、半導体層２１３、オーミックコンタクト層２１８、
ソース電極２１４及びドレーン電極２１５を含む薄膜ト
ランジスターが完成される。また、前記ゲートパッド部
２４０及びデータパッド部２５０には各々ゲートパッド
２４１とデータパッド２５１が形成される。このとき、
データライン２２０とゲートライン２３０との間にはゲ
ート絶縁膜２１２が挿入されデータライン２２０とゲー
トライン２３０との間に電気的な短絡が起ることを防止
する。
【００６０】図１４を参照すると、前記薄膜トランジス
ター基板２００の画素部２１０、ゲートパッド部２４０
及びデータパッド部２５０の全面には感光性有機レジス
トをスピンコーティング方法により塗布し、第１乃至第
３保護膜２１６、２４２、２５２を形成する。
ター基板２００の画素部２１０、ゲートパッド部２４０
及びデータパッド部２５０の全面には感光性有機レジス
トをスピンコーティング方法により塗布し、第１乃至第
３保護膜２１６、２４２、２５２を形成する。
【００６１】以後、コンタクトホール２１６ａ、ゲート
パッド２４１及びデータパッド２５１を露出させるため
のマスク２７０を前記第１乃至第３保護膜２１６、２４
２、２５２の上部に位置させた後、所定の露光量により
フル露光工程を行い、現像工程を通じて前記第１保護膜
２１６に薄膜トランジスターのドレーン電極２１５を露
出させるコンタクトホール２１６ａを形成する。
パッド２４１及びデータパッド２５１を露出させるため
のマスク２７０を前記第１乃至第３保護膜２１６、２４
２、２５２の上部に位置させた後、所定の露光量により
フル露光工程を行い、現像工程を通じて前記第１保護膜
２１６に薄膜トランジスターのドレーン電極２１５を露
出させるコンタクトホール２１６ａを形成する。
【００６２】このとき、前記フル露光工程により前記ゲ
ートパッド部２４０に形成されたゲートパッド２４１の
上に形成された第２保護膜２４２が部分的に除去され
る。即ち、前記第２保護膜２４２に前記ゲートパッド２
４１を部分的に露出させるための多数個の第２ビアホー
ル２４２ａを形成する。また、前記フル露光工程により
前記データパッド部２５０に形成されたデータパッド２
５１の上に形成された第３保護膜２５２が部分的に除去
される。即ち、前記第３保護膜２５２に前記データパッ
ド２５１を部分的に露出させるための多数個の第１ビア
ホール２５２ａを形成する。
ートパッド部２４０に形成されたゲートパッド２４１の
上に形成された第２保護膜２４２が部分的に除去され
る。即ち、前記第２保護膜２４２に前記ゲートパッド２
４１を部分的に露出させるための多数個の第２ビアホー
ル２４２ａを形成する。また、前記フル露光工程により
前記データパッド部２５０に形成されたデータパッド２
５１の上に形成された第３保護膜２５２が部分的に除去
される。即ち、前記第３保護膜２５２に前記データパッ
ド２５１を部分的に露出させるための多数個の第１ビア
ホール２５２ａを形成する。
【００６３】前記第１乃至第３保護膜２１６、２４２、
２５２はＢＣＢ（ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅ
ｎｅ）又はＰＦＣＢ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂ
ｕｔｅｎｅ）などの有機絶縁物質から成る。また、前記
第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２は酸化珪素
膜（ＳｉＯ2）又は窒化珪素膜（ＳｉＮx）などの無機絶
縁物質から形成することができる。
２５２はＢＣＢ（ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅ
ｎｅ）又はＰＦＣＢ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂ
ｕｔｅｎｅ）などの有機絶縁物質から成る。また、前記
第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２は酸化珪素
膜（ＳｉＯ2）又は窒化珪素膜（ＳｉＮx）などの無機絶
縁物質から形成することができる。
【００６４】図１５を参照すると、前記第１保護膜２１
６上には薄膜トランジスターから画像信号の入力を受
け、上板の電極と共に電場を生成する画素電極２１７が
形成される。画素電極２１７は、アルミニウムのような
金属物質またはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な物質で作
られ、前記コンタクトホール２１６ａを通じてドレーン
電極２１５と物理的、電気的に連結され画像信号の伝達
を受ける。
６上には薄膜トランジスターから画像信号の入力を受
け、上板の電極と共に電場を生成する画素電極２１７が
形成される。画素電極２１７は、アルミニウムのような
金属物質またはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な物質で作
られ、前記コンタクトホール２１６ａを通じてドレーン
電極２１５と物理的、電気的に連結され画像信号の伝達
を受ける。
【００６５】一方、前記ゲートパッド２４１と対応する
前記第２保護膜２４２及び前記多数個の第２ビアホール
２４２ａを通じて露出された前記ゲートパッド２４１上
には、第１導電膜２４３が形成される。また、前記デー
タパッド２５１と対応する前記第３保護膜２５２及び前
記多数個の第１ビアホール２５２ａを通じて露出された
前記データパッド２５１上には、第２導電膜２５３が形
成される。前記第１及び第２導電膜２４３、２５３はア
ルミニウムのような金属物質及びＩＴＯ又はＩＺＯなど
の透明な導電物質で作られる。このとき、前記第１及び
第２導電膜２４３、２５３は前記第２及び第３保護膜２
４２、２５２及び前記多数個の第２及び第１ビアホール
２４２ａ、２５２ａにより表れた前記ゲート及びデータ
パッド２４１、２５１上に均一に塗布される。
前記第２保護膜２４２及び前記多数個の第２ビアホール
２４２ａを通じて露出された前記ゲートパッド２４１上
には、第１導電膜２４３が形成される。また、前記デー
タパッド２５１と対応する前記第３保護膜２５２及び前
記多数個の第１ビアホール２５２ａを通じて露出された
前記データパッド２５１上には、第２導電膜２５３が形
成される。前記第１及び第２導電膜２４３、２５３はア
ルミニウムのような金属物質及びＩＴＯ又はＩＺＯなど
の透明な導電物質で作られる。このとき、前記第１及び
第２導電膜２４３、２５３は前記第２及び第３保護膜２
４２、２５２及び前記多数個の第２及び第１ビアホール
２４２ａ、２５２ａにより表れた前記ゲート及びデータ
パッド２４１、２５１上に均一に塗布される。
【００６６】図１６及び図１７はデータパッドとデータ
側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。なお、ゲ
ートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程はデータパッ
ドとデータ側ＴＣＰとの接続過程と同様であるので、ゲ
ートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程の説明は省略
する。
側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。なお、ゲ
ートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程はデータパッ
ドとデータ側ＴＣＰとの接続過程と同様であるので、ゲ
ートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程の説明は省略
する。
【００６７】図１６に示すように、前記薄膜トランジス
ター基板２００の前記データパッド部２５０に形成され
た前記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む
異方性導電フィルム２６０を位置させる。
ター基板２００の前記データパッド部２５０に形成され
た前記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む
異方性導電フィルム２６０を位置させる。
【００６８】前記データパッド２５１には多数個の第１
ビアホール２５２ａが形成される。このとき、前記第１
ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記第１ビアホール２５
２ａの深さＤ１より小さい。このような場合、前記第１
ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記導電粒子２６２の第
２直径Ｌ１より小さいことが望ましい。一般に、前記導
電粒子２６２の第１直径Ｌ１は３〜１０μｍであり、こ
こでは前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍであ
ることを例として説明する。このとき、前記第１ビアホ
ール２５２ａの幅Ｗ１は５μｍより小さく形成される。
ビアホール２５２ａが形成される。このとき、前記第１
ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記第１ビアホール２５
２ａの深さＤ１より小さい。このような場合、前記第１
ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記導電粒子２６２の第
２直径Ｌ１より小さいことが望ましい。一般に、前記導
電粒子２６２の第１直径Ｌ１は３〜１０μｍであり、こ
こでは前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍであ
ることを例として説明する。このとき、前記第１ビアホ
ール２５２ａの幅Ｗ１は５μｍより小さく形成される。
【００６９】このように形成された前記データパッド２
５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端
子５１３が対向するように配置される。以後、前記デー
タ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧着
させる。
５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端
子５１３が対向するように配置される。以後、前記デー
タ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧着
させる。
【００７０】図１７に示したように、前記データ側ＴＣ
Ｐ５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、
前記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前
記データパッド２５１の第２導電膜２５３と各々接触さ
れることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記デー
タパッド２５１とが電気的に導電される。
Ｐ５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、
前記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前
記データパッド２５１の第２導電膜２５３と各々接触さ
れることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記デー
タパッド２５１とが電気的に導電される。
【００７１】このように、圧着により前記異方性導電フ
ィルム２６０が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第２
導電膜２５３と接触されると、前記導電粒子２６２の形
態が変形される。即ち、前記導電粒子２６２の第１直径
Ｌ１は、圧着された後には、第２直径Ｌ２に変形され
る。このとき、前記第２直径Ｌ２は前記第１直径Ｌ１よ
り大きい。
ィルム２６０が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第２
導電膜２５３と接触されると、前記導電粒子２６２の形
態が変形される。即ち、前記導電粒子２６２の第１直径
Ｌ１は、圧着された後には、第２直径Ｌ２に変形され
る。このとき、前記第２直径Ｌ２は前記第１直径Ｌ１よ
り大きい。
【００７２】前記導電粒子２６２の圧着される前と圧着
された後の直径の変形率Ｒは次の式（１）により定義さ
れる。 Ｒ＝｛（Ｌ２−Ｌ１）/Ｌ１｝×１００ ………（１）
された後の直径の変形率Ｒは次の式（１）により定義さ
れる。 Ｒ＝｛（Ｌ２−Ｌ１）/Ｌ１｝×１００ ………（１）
【００７３】前記式（１）によると、前記導電粒子２６
２の変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即
ち、前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍである
とき、前記導電粒子２６２の第２直径Ｌ２は６〜８μｍ
であることが望ましい。
２の変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即
ち、前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍである
とき、前記導電粒子２６２の第２直径Ｌ２は６〜８μｍ
であることが望ましい。
【００７４】また、前記導電粒子２６２が前記第１ビア
ホール２５２ａに挿入されないようにするためには、前
記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６
２の第１直径Ｌ１の０．８倍である４μｍ以下で形成す
ることがさらに望ましい。これは、前記第１ビアホール
２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１
と同一であると、圧着するとき前記導電粒子２６２は形
態が変形されずに、そのままに第１ビアホール２５２ａ
に挿入されるためである。
ホール２５２ａに挿入されないようにするためには、前
記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６
２の第１直径Ｌ１の０．８倍である４μｍ以下で形成す
ることがさらに望ましい。これは、前記第１ビアホール
２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１
と同一であると、圧着するとき前記導電粒子２６２は形
態が変形されずに、そのままに第１ビアホール２５２ａ
に挿入されるためである。
【００７５】ここで、説明の便宜のために前記第１ビア
ホール２５２ａが矩形の断面を有する場合を例として説
明するが、図１５に図示されたように前記多数個の第１
ビアホール２５２ａが台形の断面を有する場合にも適用
される。
ホール２５２ａが矩形の断面を有する場合を例として説
明するが、図１５に図示されたように前記多数個の第１
ビアホール２５２ａが台形の断面を有する場合にも適用
される。
【００７６】図１８及び図１９は本発明の他の一実施形
態によるデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を
示した断面図である。
態によるデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を
示した断面図である。
【００７７】図１８を参照すると、前記薄膜トランジス
ター基板２００のデータパッド部２５０に形成された前
記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む異方
性導電フィルム２６０が配置される。
ター基板２００のデータパッド部２５０に形成された前
記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む異方
性導電フィルム２６０が配置される。
【００７８】前記データパッド２５１には、多数個の第
３ビアホール２７２ａが形成される。このとき、前記多
数個の第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は前記多数個
の第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２より大きい。この場
合、前記第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２は前記導電粒
子２６２の第３直径Ｌ３より小さいことが望ましい。具
体的に、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍで
あるとき、前記第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は５
μｍより小さく形成される。
３ビアホール２７２ａが形成される。このとき、前記多
数個の第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は前記多数個
の第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２より大きい。この場
合、前記第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２は前記導電粒
子２６２の第３直径Ｌ３より小さいことが望ましい。具
体的に、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍで
あるとき、前記第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は５
μｍより小さく形成される。
【００７９】このように形成された前記データパッド２
５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端
子５１３が対向するように配置される。その後、前記デ
ータ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧
着させる。
５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端
子５１３が対向するように配置される。その後、前記デ
ータ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧
着させる。
【００８０】図１９に示すように、前記データ側ＴＣＰ
５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、前
記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記
データパッド２５１の第３導電膜２７３と各々接触され
ることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データ
パッド２５１とが電気的に導電される。
５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、前
記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記
データパッド２５１の第３導電膜２７３と各々接触され
ることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データ
パッド２５１とが電気的に導電される。
【００８１】このように、圧着により前記導電粒子２６
２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第３導電膜２７
３と接触されると、前記導電粒子２６２の形態が変形さ
れる。即ち、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３は圧着
された後には第４直径Ｌ４に変形される。このとき、前
記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は前記第３直径Ｌ３よ
り小さい。前記導電粒子２６２の圧着される前と圧着さ
れた後の直径の変形率（Ｒ）は次の式（２）により定義
される。 Ｒ＝｛（Ｌ３−Ｌ４）/Ｌ３｝×１００ ………… （２）
２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第３導電膜２７
３と接触されると、前記導電粒子２６２の形態が変形さ
れる。即ち、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３は圧着
された後には第４直径Ｌ４に変形される。このとき、前
記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は前記第３直径Ｌ３よ
り小さい。前記導電粒子２６２の圧着される前と圧着さ
れた後の直径の変形率（Ｒ）は次の式（２）により定義
される。 Ｒ＝｛（Ｌ３−Ｌ４）/Ｌ３｝×１００ ………… （２）
【００８２】前記式２によると、前記導電粒子２６２の
変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即ち、前
記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍであるとき、
前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は２〜４μｍである
ことが望ましい。
変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即ち、前
記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍであるとき、
前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は２〜４μｍである
ことが望ましい。
【００８３】このとき、前記導電粒子２６２の変形率が
２０〜６０％になるように、前記第３ビアホール２７２
ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４の範
囲内に存在することが望ましい。即ち、前記の第３ビア
ホール２７２ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第３
直径Ｌ３の０．４〜０．８倍である２〜４μｍの範囲内
に存在する。
２０〜６０％になるように、前記第３ビアホール２７２
ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４の範
囲内に存在することが望ましい。即ち、前記の第３ビア
ホール２７２ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第３
直径Ｌ３の０．４〜０．８倍である２〜４μｍの範囲内
に存在する。
【００８４】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【００８５】また、上記実施形態では、液晶表示装置に
使用される表示基板について説明したが、プラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放出ディスプレイ（Ｆ
ＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプレイのいずれかに使
用される表示基板において、本発明を適用する場合に
も、同様の効果を得ることができる。
使用される表示基板について説明したが、プラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放出ディスプレイ（Ｆ
ＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプレイのいずれかに使
用される表示基板において、本発明を適用する場合に
も、同様の効果を得ることができる。
【００８６】
【発明の効果】上述した表示基板及びこれを有する液晶
表示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出
させる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビ
アホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成され
る。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径よ
り大きい場合、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の
直径より小さく形成される。
表示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出
させる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビ
アホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成され
る。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径よ
り大きい場合、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の
直径より小さく形成される。
【００８７】従って、前記パッド部に多数個のビアホー
ルを形成することにより、前記パッド部に加えられる外
力を多数の孔を通じて分散させることにより、前記パッ
ド部から発生される駆動不良を防止することができる。
ルを形成することにより、前記パッド部に加えられる外
力を多数の孔を通じて分散させることにより、前記パッ
ド部から発生される駆動不良を防止することができる。
【００８８】また、前記ビアホールのサイズを前記導電
粒子の直径を考慮し、前記導電粒子の変形率を２０〜６
０％に維持することができ、それにより、前記パッド部
と回路基板との接続力を強化させることができる。
粒子の直径を考慮し、前記導電粒子の変形率を２０〜６
０％に維持することができ、それにより、前記パッド部
と回路基板との接続力を強化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のゲートパッドの構造を説明するための平
面図である。
面図である。
【図２】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図３】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図４】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図５】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図６】図５に図示されたゲートパッドにゲート側ＴＣ
Ｐを連結した状態を示した断面図である。
Ｐを連結した状態を示した断面図である。
【図７】本発明の望ましい一実施形態による液晶表示装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図８】図７に図示された液晶表示装置の実装構造を具
体的に示す切開斜視図である。
体的に示す切開斜視図である。
【図９】図８に図示されたデータパッドを具体的に説明
するための拡大図である。
するための拡大図である。
【図１０】図８に図示されたデータパッドを具体的に説
明するための拡大図である。
明するための拡大図である。
【図１１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
ー基板の製造工程を示した断面図である。
ー基板の製造工程を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
ー基板の製造工程を示した断面図である。
ー基板の製造工程を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
ー基板の製造工程を示した断面図である。
ー基板の製造工程を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
ー基板の製造工程を示した断面図である。
ー基板の製造工程を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
ー基板の製造工程を示した断面図である。
ー基板の製造工程を示した断面図である。
【図１６】データパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図１７】データパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図１８】本発明の他の一実施形態によるデータパッド
とデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
とデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【図１９】本発明の他の一実施形態によるデータパッド
とデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
とデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
１００ カラーフィルタ基板
２００ 薄膜トランジスター基板
２１０ 画素部
２１１ ゲート電極
２１４ ソース電極
２１５ ドレーン電極
２１７ 画素電極
２２０ データライン
２３０ ゲートライン
２４０ ゲートパッド部
２４１ ゲートパッド
２５０ データパッド部
２５１ データパッド
２６０ 異方性導電フィルム
３００ 液晶表示パネル
４００ ゲート印刷回路基板
４１０ ゲート側ＴＣＰ
５００ データ印刷回路基板
５１０ データ側ＴＣＰ
５１３ 出力端子
６００ 液晶表示装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 呉 元 植
大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞1048−
２番地 清明タウン 住公アパートメント
408棟４号
(72)発明者 兪 炯 碩
大韓民国京畿道城南市盆唐区野塔洞535番
地 大宇アパートメント211棟401号
(72)発明者 尹 冑 永
大韓民国蔚山広域市東区西部洞113−23番
地（25／２)
(72)発明者 趙 源 九
大韓民国ソウル市恩平区カツケン洞387番
地 文化アパートメント６棟204号
Ｆターム(参考） 2H092 GA41 GA43 GA48 GA50 GA55
JA24 JA37 JA41 JB22 JB31
KB04 KB06 MA04 MA08 MA13
MA32 NA18 NA29 PA06
5C094 AA31 AA42 AA53 BA03 BA43
CA19 EA10 EB02 FA02 FB12
JA01 JA20
5G435 AA16 AA17 BB12 CC09 EE36
EE40 EE42 EE47 HH12 KK05
LL06 LL07 LL08
Claims (13)
- 【請求項１】 回路基板から電気的な信号の供給を受け
るための一つ以上のパッド部が形成された表示基板にお
いて、 前記パッド部は、 前記表示基板上に形成され、パッド領域を有するパッド
金属膜と、 前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド領域内に多数
個のビアホールが形成された保護膜と、 前記パッド領域に対し前記保護膜上に形成され、前記多
数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に
接触された導電膜とを含むことを特徴とする表示基板。 - 【請求項２】 前記回路基板の出力端子は、前記導電膜
との間に挿入される異方性導電フィルムにより、前記導
電膜に電気的に接触されることを特徴とする請求項１に
記載の表示基板。 - 【請求項３】 前記多数個のビアホールの幅は、前記異
方性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下である
ことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。 - 【請求項４】 前記導電粒子の変形率は２０〜６０％で
あることを特徴とする請求項３に記載の表示基板。 - 【請求項５】 前記多数個のビアホールの幅は、前記導
電粒子の直径の０．８倍以下であることを特徴とする請
求項４に記載の表示基板。 - 【請求項６】 前記多数個のビアホールの深さは、前記
異方性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下であ
ることを特徴とする請求項２に記載の表示基板。 - 【請求項７】 前記多数個のビアホールの深さは前記導
電粒子の直径の０．８〜０．４倍であることを特徴とす
る請求項６に記載の表示基板。 - 【請求項８】 前記多数個のビアホールは、前記表示基
板の上面から、長方形、正方形、円形又は楕円形に形成
されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。 - 【請求項９】 前記表示基板はＬＣＤ、ＰＤＰ、ＦＥ
Ｄ、ＥＬのうちのいずれか一つに使用されることを特徴
とする請求項１に記載の表示基板。 - 【請求項１０】 基板上に形成された多数個の画素部、
及び、前記多数個の画素部と連結された多数個の信号線
の一端部から延びて形成され、パッド領域を有するパッ
ド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド
領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、及
び前記パッド領域と対応する前記保護膜上に形成され、
前記多数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電
気的に接触された導電膜とを具備するパッド部を含む液
晶表示パネルと、 前記液晶表示パネルのパッド部と電気的に接触される出
力端子が形成され、前記液晶表示パネルに電気的な信号
を印加するための回路基板とを含むことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記回路基板の出力端子は、前記導電
膜との間に挿入される異方性導電フィルムにより、前記
導電膜に電気的に接触されることを特徴とする請求項１
０に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記多数個のビアホールの幅は、前記
異方性導電フィルムに含まれた導電粒子の直径の０．８
倍以下であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１３】 前記多数個のビアホールの深さは、前
記異方性導電フィルムに含まれた導電粒子の直径の０．
８倍〜０．４倍であることを特徴とする請求項１１に記
載の液晶表示装置。
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|---|---|
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| CN (1) | CN1306333C (ja) |
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2856484A1 (fr) * | 2003-06-20 | 2004-12-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication de celui-ci |
| GB2416065A (en) * | 2003-06-20 | 2006-01-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| JP2006010856A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| CN1318886C (zh) * | 2003-10-20 | 2007-05-30 | 友达光电股份有限公司 | 显示器的连接垫结构及其制作方法 |
| JP2007178982A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法及び駆動方法 |
| JP2008058966A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| WO2010058619A1 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 回路基板、表示パネル及び表示装置 |
| US7876039B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display having pad electrode |
| JP2011081538A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Sony Corp | 実装構造体、電気光学装置およびタッチパネル |
| US8111367B2 (en) | 2007-10-15 | 2012-02-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Display device |
| JP2012203056A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JP2013218124A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2013235127A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2014235810A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2017151371A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2020008833A (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-16 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3977299B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器 |
| US7436473B2 (en) * | 2002-11-27 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR100745415B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시패널의 데이터 패드부 및 그 제조방법 |
| KR100618580B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-08-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR101006438B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100581901B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
| KR100717327B1 (ko) * | 2004-02-20 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20060008021A (ko) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 이용한 평판표시장치 |
| KR100674020B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 얼라인용 패널, 씨오에프 및 얼라인 판단 방법 |
| KR101119196B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2012-03-22 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101119184B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2012-03-22 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법 |
| JP2006309028A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP4662350B2 (ja) | 2005-07-21 | 2011-03-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US20070045871A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Sitronix Technology Corp. | Pad open structure |
| KR101171190B1 (ko) | 2005-11-02 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드 |
| JP4884846B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-02-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| WO2008117838A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Kyocera Corporation | タッチパネルおよびタッチパネル型表示装置 |
| TWI362525B (en) * | 2007-07-31 | 2012-04-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Active device array substrate and liquid crystal display panel |
| KR101386574B1 (ko) * | 2008-04-23 | 2014-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
| TWI396909B (zh) * | 2008-05-09 | 2013-05-21 | Innolux Corp | 液晶顯示面板及其製造方法 |
| TWI401635B (zh) | 2009-04-13 | 2013-07-11 | Innolux Corp | 顯示面板及應用該顯示面板的影像顯示系統 |
| US8416370B2 (en) * | 2009-04-22 | 2013-04-09 | Japan Display Central Inc. | Liquid crystal display device having patterned alignment fiducial mark and method for manufacturing the same |
| KR101591476B1 (ko) | 2009-10-19 | 2016-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN102103428B (zh) * | 2009-12-18 | 2013-01-02 | 群康科技(深圳)有限公司 | 触控显示装置的软性电路板结合方法及触控显示装置 |
| KR101146987B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시장치 및 표시장치에 구비된 구동칩실장용필름소자 |
| JP5430521B2 (ja) * | 2010-08-24 | 2014-03-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| DE102011075009B4 (de) * | 2011-04-29 | 2019-11-14 | Continental Automotive Gmbh | Auf einem Träger angeordnete Kontaktfläche zur Verbindung mit einer auf einem weiteren Träger angeordneten Gegenkontaktfläche |
| TWI492357B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-07-11 | Hanns Touch Solution Corp | 觸控面板及其電路結構 |
| KR101513642B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2015-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 디바이스 |
| KR102066098B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP6324098B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2018-05-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN104332475B (zh) * | 2014-09-02 | 2018-09-21 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN204964955U (zh) * | 2015-07-28 | 2016-01-13 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 电连接结构、阵列基板和显示装置 |
| TWI735455B (zh) * | 2015-08-10 | 2021-08-11 | 南韓商東友精細化工有限公司 | 電極連接單元及包括其的電裝置 |
| CN106484165B (zh) * | 2015-08-31 | 2023-10-24 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板及其制造方法 |
| KR20180005312A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102373440B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
| JP6779825B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-11-04 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
| CN107658320B (zh) | 2017-10-26 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 功能面板及其制造方法、显示装置 |
| US11415844B2 (en) * | 2019-08-14 | 2022-08-16 | Himax Technologies Limited | Liquid crystal display |
| KR20210077105A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3098345B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2000-10-16 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
| KR100252306B1 (ko) * | 1997-07-04 | 2000-04-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조방법 |
| JP3102392B2 (ja) * | 1997-10-28 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| TW413949B (en) * | 1998-12-12 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same |
| JP3139549B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2001-03-05 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3025256B1 (ja) * | 1999-02-24 | 2000-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 表示パネルへのｔｃｐフィルムの実装方法 |
| JP2000347207A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP2001196252A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Tdk Corp | 電子デバイスの製造方法 |
| KR100673331B1 (ko) * | 2000-02-19 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 |
| JP2001242803A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-10-19 KR KR1020010064812A patent/KR100813019B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-12 TW TW90128016A patent/TW573142B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-12 JP JP2002110601A patent/JP4297646B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-18 CN CNB02105598XA patent/CN1306333C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-30 US US10/159,149 patent/US6771348B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7733456B2 (en) | 2003-06-20 | 2010-06-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having contact structure and method of fabricating the same |
| GB2416065A (en) * | 2003-06-20 | 2006-01-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| GB2403058B (en) * | 2003-06-20 | 2006-05-31 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| GB2416065B (en) * | 2003-06-20 | 2006-08-09 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| FR2856484A1 (fr) * | 2003-06-20 | 2004-12-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication de celui-ci |
| CN1318886C (zh) * | 2003-10-20 | 2007-05-30 | 友达光电股份有限公司 | 显示器的连接垫结构及其制作方法 |
| JP2006010856A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP4639659B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| US7876039B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display having pad electrode |
| US8182301B2 (en) | 2004-10-27 | 2012-05-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of fabricating flat panel display having pad electrode |
| JP2007178982A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法及び駆動方法 |
| US8524516B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-09-03 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof |
| US7944429B2 (en) | 2005-12-28 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having photo-sensor and fabricating method and driving method thereof |
| US8673694B2 (en) | 2006-08-28 | 2014-03-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same |
| JP2008058966A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| US8111367B2 (en) | 2007-10-15 | 2012-02-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Display device |
| JP5043202B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2012-10-10 | シャープ株式会社 | 回路基板、表示パネル及び表示装置 |
| WO2010058619A1 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | シャープ株式会社 | 回路基板、表示パネル及び表示装置 |
| US8711320B2 (en) | 2009-10-06 | 2014-04-29 | Japan Display West Inc. | Mounting structure, electro-optical apparatus, and touch panel |
| JP2011081538A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Sony Corp | 実装構造体、電気光学装置およびタッチパネル |
| JP2012203056A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JP2013218124A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2013235127A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2014235810A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2017151371A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2020008833A (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-16 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP7296234B2 (ja) | 2018-07-04 | 2023-06-22 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示装置 |
| US11908398B2 (en) | 2018-07-04 | 2024-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR100813019B1 (ko) | 2008-03-13 |
| JP4297646B2 (ja) | 2009-07-15 |
| TW573142B (en) | 2004-01-21 |
| US20030164919A1 (en) | 2003-09-04 |
| CN1412614A (zh) | 2003-04-23 |
| CN1306333C (zh) | 2007-03-21 |
| US6771348B2 (en) | 2004-08-03 |
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