JP2003115560A - 半導体装置、積層半導体装置、半導体装置の製造方法及び積層半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置、積層半導体装置、半導体装置の製造方法及び積層半導体装置の製造方法

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    • H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置及び積層半導体装置の薄型化を図
ることを課題とする。 【解決手段】 表裏両面に形成されスルーホール９で接
続された基板間接続用電極７、８を有する基板２と、上
記基板に形成された配線パターンと接続された電極を有
し該電極形成面と反対側の面が平面に切削された半導体
チップ３と、上記基板の基板間接続用電極上に設けられ
基板と反対側の面が平面に切削された基板間接続用バン
プ４と、上記基板上に設けられ上記半導体チップと上記
基板間接続用バンプを封止すると共に基板と反対側の面
が平面に切削された封止用樹脂５とを備え、上記半導体
チップの切削平面３ａと上記基板間接続用バンプの切削
平面４ａと上記封止用樹脂の切削平面５ａとが同一の平
面内に位置し、半導体チップと基板間接続用バンプは上
記切削平面を除いて封止用樹脂内に封止された半導体装
置１。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な半導体装置、
積層半導体装置、半導体装置の製造方法及び積層半導体
装置の製造方法に関する。詳しくは、半導体装置の薄型
化を図る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器を取り巻く環境におい
て、大能力の半導体装置を出来るだけ小さな実装面積及
び体積で搭載することが望まれている。
【０００３】例えば、半導体メモリの領域において、電
子機器が扱う半導体メモリの必要量の増大に加え、電子
機器の小型化が進んでいるため、大容量の半導体メモリ
を出来るだけ小さな実装面積及び体積で搭載することが
望まれている。
【０００４】そこで、複数個の半導体メモリを使用して
大容量化する手法が種々提案されており、そのような手
法の一を図３０乃至図３２に示す。
【０００５】先ず、半導体チップａを用意し、該半導体
チップａの背面、すなわち、基板との接続用端子が形成
された面と反対側の面ｂを研削して厚さを薄くした半導
体チップａ′とし、該研削済み半導体チップａ′を基板
ｃにフェイスダウンで実装する（図３０参照）。基板ｃ
の表裏には半導体チップａ′が接続される配線パターン
と接続される基板間接続用電極ｄ、ｅが形成され、これ
ら基板間接続用電極ｄとｅとはスルーホールｆで接続さ
れている。そして、半導体チップａ′が搭載された側の
面の基板間接続用電極ｄに半田バンプｇが所定の高さに
形成されて、半導体装置ｈが形成される（図３１参
照）。
【０００６】そして、上記した半導体装置ｈを複数積み
重ねて、各半田バンプｇと基板間接続用電極ｅとを接続
して、積層半導体装置ｉが形成される（図３２参照）。
【０００７】上記したように、半導体チップａを研削し
て厚さを薄くすることによって半導体装置ｈの厚さを小
さくすることが出来、従って、このような半導体装置ｈ
を複数積層して成る積層半導体ｉの厚さを相当薄いもの
とすることが出来る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の半導体装置ｈやその製造方法にあっては、先ず、半
導体チップａを単体で研削して厚さを薄くするものであ
るので、半導体チップａにかかるストレスが大きく、半
導体チップａの割れなど、半導体チップａを損傷する危
険性が大きい。そのため、半導体チップａを薄くするの
に限度があり、所望の薄さを得ることが困難である。
【０００９】研削時の半導体チップａにかかるストレス
を緩和するものとして、半導体チップａを基板に実装
後、半導体チップａを封止用の樹脂で完全に覆い、その
後、封止用樹脂と共に半導体チップａを研削することが
考えられる。このようにすると、研削時にかかる負荷は
封止用樹脂の方へ分散されるため、半導体チップａをか
なり薄くなるまで切削しても半導体チップａの割れ等の
損傷を回避することが出来る。
【００１０】しかしながら、封止用樹脂によって基板間
接続用電極が埋覆されてしまうという問題がある。その
ため、複数の半導体を積層するためには、レーザーなど
により基板間接続用電極を覆っている樹脂を除去して封
止用樹脂に基板間接続用電極に達する穴を形成し、該穴
に半田を詰める作業を行う必要がある。上記したような
有底の穴に気泡が入らないようにして半田を詰めること
は至難の業であり、例えば、簡便なスクリーン印刷法に
よる半田の供給など困難である。
【００１１】そこで、本発明は、半導体装置及び積層半
導体装置の薄型化を図ることを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明半導体装置は、上
記した課題を解決するために、表裏両面に形成されスル
ーホールで接続された基板間接続用電極を有する基板
と、上記基板に形成された配線パターンと接続された電
極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削された
半導体チップと、上記基板の基板間接続用電極上に設け
られ基板と反対側の面が平面に切削された基板間接続用
バンプと、上記基板上に設けられ上記半導体チップと上
記基板間接続用バンプを封止すると共に基板と反対側の
面が平面に切削された封止用樹脂とを備え、上記半導体
チップの切削平面と上記基板間接続用バンプの切削平面
と上記封止用樹脂の切削平面とが同一の平面内に位置
し、半導体チップと基板間接続用バンプは上記切削平面
を除いて封止用樹脂内に封止されたものである。
【００１３】従って、本発明半導体装置にあっては、半
導体チップは封止用樹脂と共に切削されて所望の厚さに
形成されるので、切削時の負荷が封止用樹脂に分散され
て、半導体チップの割れ等の損傷を減少させることがで
き、また、従来よりさらに薄く切削することができる。
【００１４】また、基板間接続用バンプは、基板間接続
用電極上に形成され、且つ、封止用樹脂によって覆われ
た後、封止用樹脂と共に切削されることによって露出さ
れるので、基板間接続用電極との接続が不良になる惧れ
もなく、また、所定の面積の接続端面が形成される。
【００１５】本発明積層半導体装置は、上記した課題を
解決するために、表裏両面に形成されスルーホールで接
続された基板間接続用電極を有する基板と、上記基板の
表面又は表裏両面において基板上の配線パターンと接続
された電極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切
削された半導体チップと、上記基板の表面又は表裏両面
において上記基板間接続用電極上に設けられ基板と反対
側の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、上記
基板の表面又は表裏両面上に設けられ上記半導体チップ
と上記基板間接続用バンプを封止すると共に基板と反対
側の面が平面に切削された封止用樹脂とを備え、上記半
導体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプの切削
平面と上記封止用樹脂の切削平面とが同一の平面内に位
置し、半導体チップと基板間接続用バンプは上記切削平
面を除いて封止用樹脂内に封止された半導体装置を複数
個積層し各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基
板間接続用バンプと基板間接続用電極とを接続して成る
ものである。
【００１６】従って、本発明積層半導体装置にあって
は、従来に比較してきわめて薄く切削した半導体チップ
を備えた半導体装置を複数積層することができ、小型
で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を得ること
ができる。
【００１７】本発明半導体装置の製造方法は、上記した
課題を解決するために、基板の表裏両面に形成されスル
ーホールで接続されると共に配線パターンと接続された
基板間接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに
基板間接続用バンプを必要高さより高く形成し、上記基
板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板上に
形成された配線パターンに接続して実装し、ついで、上
記半導体チップ及び基板間接続用バンプを覆うように封
止用樹脂を上記基板上に付与し、ついで、上記封止用樹
脂、上記半導体チップ及び上記基板間接続用バンプの上
記基板と反対側の面を切削してこれら封止用樹脂、半導
体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板との
間の間隔が所定の厚さとなるようにするものである。
【００１８】従って、本発明半導体装置の製造方法にあ
っては、半導体チップの切削は封止用樹脂と共に行われ
るため、切削時に半導体チップにかかるストレスが小さ
くなり、半導体チップの割れ等の損傷が少なくなると共
に、従来よりさらに薄く切削することが可能になる。
【００１９】また、基板間接続用バンプは予め基板間接
続用電極上に付与されてから封止用樹脂で封止され、そ
の後、切削によって接続端面が露出されるので、基板間
接続用バンプと基板間接続用電極との接続状態が不安定
になることが無く、また、一定した面積の接続端面が確
保できるので、複数の半導体装置を積層する場合の各半
導体装置間の接続を容易に行うことができる。
【００２０】さらに、半導体チップを基板に実装する前
に基板間接続用バンプを基板間接続用電極上に付与して
おくことによって、半導体チップと基板上の配線パター
ンとの接続に伴う接合材料が基板間接続用電極上に流れ
出して該基板間接続用電極と基板間接続用バンプとの接
続や基板間同士の接続を阻害する惧れが無く、従って、
基板間接続用電極を半導体チップの実装領域に近接した
位置に設けることが可能となり、半導体装置の小型化、
特に、平面形状の小型化が可能になる。
【００２１】本発明積層半導体装置の製造方法は、上記
した課題を解決するために、基板の表裏両面に形成され
スルーホールで接続されると共に配線パターンと接続さ
れた基板間接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のも
のに基板間接続用バンプを必要高さより高く形成し、上
記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板
上に形成された配線パターンに接続して実装し、つい
で、上記半導体チップ及び基板間接続用バンプを覆うよ
うに封止用樹脂を上記基板上に付与し、ついで、上記封
止用樹脂、上記半導体チップ及び上記基板間接続用バン
プの上記基板と反対側の面を切削してこれら封止用樹
脂、半導体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面と
基板との間の間隔が所定の厚さとなるようにして形成し
た半導体装置を複数個積層し、且つ、各半導体装置の基
板間接続用バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間
接続用電極とを接続するものである。
【００２２】従って、本発明積層半導体装置の製造方法
にあっては、従来に比較してきわめて薄く切削した半導
体チップを備えた半導体装置を複数積層することがで
き、小型で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を
製造することができる。
【００２３】また、各半導体装置間の接続を精度良く行
うことができる。
【００２４】別の本発明半導体装置は、表裏両面に形成
されスルーホールで接続された基板間接続用電極を有す
る基板と、上記基板に形成された配線パターンと接続さ
れた電極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削
された半導体チップと、上記基板の基板間接続用電極上
に設けられ予め所定の厚さまで圧潰された後基板と反対
側の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、上記
基板と上記半導体チップとの間及び半導体チップの側面
を囲むように位置して半導体チップを基板に固定する高
分子材料とを備え、上記半導体チップの切削平面と上記
基板間接続用バンプの切削平面とが同一の平面内に位置
したものである。
【００２５】従って、別の本発明半導体装置にあって
は、半導体チップは基板との間及び側面を囲む位置に位
置する高分子材料によって基板に固定されているので、
切削時の負荷が高分子材料及び基板に分散されて、半導
体チップの割れ等の損傷を減少させることができ、ま
た、従来よりさらに薄く切削することができる。
【００２６】また、基板間接続用バンプは、基板間接続
用電極上に形成された後所定の厚さになるまで圧潰さ
れ、その後半導体チップと共に切削されるので、基板間
接続用電極との接続が不良になる惧れもなく、また、所
定の面積の接続端面が形成される。さらに、基板間接続
用バンプは圧潰されることによって基板及び基板間接続
用電極との密着が良好になり、切削によって基板から脱
落する惧がない。また、予め圧潰されることにより最終
的な厚みに近い厚みにされるので、切削が容易になる。
【００２７】別の本発明積層半導体装置は、表裏両面に
形成されスルーホールで接続された基板間接続用電極を
有する基板と、上記基板の表面又は表裏両面において基
板上の配線パターンと接続された電極を有し該電極形成
面と反対側の面が平面に切削された半導体チップと、上
記基板の基板間接続用電極上に設けられ予め所定の厚さ
まで圧潰された後基板と反対側の面が平面に切削された
基板間接続用バンプと、上記基板と上記半導体チップと
の間及び半導体チップの側面を囲むように位置して半導
体チップを基板に固定する高分子材料とを備え、上記半
導体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプの切削
平面とが同一の平面内に位置した半導体装置を複数個積
層し各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板間
接続用バンプと基板間接続用電極とを接続して成るもの
である。
【００２８】従って、別の本発明積層半導体装置にあっ
ては、従来に比較してきわめて薄く切削した半導体チッ
プを備えた半導体装置を複数積層することができ、小型
で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を得ること
ができる。
【００２９】別の本発明半導体装置の製造方法は、基板
の表裏両面に形成されスルーホールで接続されると共に
配線パターンと接続された基板間接続用電極の表面側の
もの又は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必要高
さより高く形成すると共に該基板間接続用バンプを基板
の厚み方向に圧潰して必要高さ近くの厚さにし、上記基
板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板上に
形成された配線パターンに接続して実装すると共に半導
体チップと基板との間及び半導体チップの側面を囲むよ
うに位置する高分子材料によって半導体チップを基板に
固定し、ついで、上記半導体チップ及び上記基板間接続
用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこれら半導
体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板との
間の間隔が所定の厚さとなるようにするものである。
【００３０】従って、別の本発明半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップの切削は半導体チップが高分
子材料によって基板に固定された状態で行われるため、
切削時に半導体チップにかかるストレスが小さくなり、
半導体チップの割れ等の損傷が少なくなると共に、従来
よりさらに薄く切削することが可能になる。
【００３１】また、基板間接続用バンプは予め基板間接
続用電極上に付与されてから一旦圧潰され、その後に切
削されるので、切削によって基板から脱落することがな
いと共に、基板間接続用バンプと基板間接続用電極との
接続状態が不安定になることも無く、また、一定した面
積の接続端面が確保できるので、複数の半導体装置を積
層する場合の各半導体装置間の接続を容易に行うことが
できる。
【００３２】さらに、半導体チップを基板に実装する前
に基板間接続用バンプを基板間接続用電極上に付与して
おくことによって、半導体チップと基板上の配線パター
ンとの接続に伴う接合材料が基板間接続用電極上に流れ
出して該基板間接続用電極と基板間接続用バンプとの接
続や基板間同士の接続を阻害する惧れが無く、従って、
基板間接続用電極を半導体チップの実装領域に近接した
位置に設けることが可能となり、半導体装置の小型化、
特に、平面形状の小型化が可能になる。
【００３３】別の本発明積層半導体装置の製造方法は、
基板の表裏両面に形成されスルーホールで接続されると
共に配線パターンと接続された基板間接続用電極の表面
側のもの又は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必
要高さより高く形成すると共に該基板間接続用バンプを
基板の厚み方向に圧潰して必要高さ近くの厚さにし、上
記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板
上に形成された配線パターンに接続して実装すると共に
半導体チップと基板との間及び半導体チップの側面を囲
むように位置する高分子材料によって半導体チップを基
板に固定し、ついで、上記半導体チップ及び上記基板間
接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこれら
半導体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板
との間の間隔が所定の厚さとなるようにして形成した半
導体装置を複数個積層し、且つ、各半導体装置の基板間
接続用バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間接続
用電極とを接続するものである。
【００３４】従って、別の本発明積層半導体装置の製造
方法にあっては、従来に比較してきわめて薄く切削した
半導体チップを備えた半導体装置を複数積層することが
でき、小型で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置
を製造することができる。
【００３５】また、各半導体装置間の接続を精度良く行
うことができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明半導体装置、積層
半導体装置、半導体装置の製造方法及び積層半導体装置
の製造方法の実施の形態について添付図面を参照して説
明する。
【００３７】図１は本発明半導体装置の第１の実施の形
態を示すものである。
【００３８】半導体装置１は基板２上に実装された半導
体チップ３と基板間接続用バンプ４が封止用樹脂５によ
って封止され、これら半導体チップ３、基板間接続用バ
ンプ４及び封止用樹脂５の基板２と反対側の面３ａ、４
ａ、５ａが切削された切削平面とされ、これら切削平面
３ａ、４ａ、５ａがすべて同一平面内に位置しているも
のである。
【００３９】上記半導体装置１の基板２は厚さが１００
μｍから１５０μｍであり、基板２の表面２ａから上記
各切削平面３ａ、４ａ、５ａまでの厚さは約５０μｍで
あり、全体厚は約１５０μｍから２００μｍである。
【００４０】図２に示す第２の実施の形態にかかる半導
体装置１Ａは基板２のもう一方の面にも半導体チップ
３、基板間接続用バンプ４及び封止用樹脂５が付与され
たものであり、その全体厚は約２００μｍから２５０μ
ｍとなっている。
【００４１】図３は積層半導体装置の第１の実施の形態
を示すものである。
【００４２】積層半導体装置１０は、上記した第１の実
施の形態にかかる半導体装置１を４個積層して成るもの
である。
【００４３】第１層に位置する半導体装置１の基板間接
続用バンプ４の切削平面４ａ上に、例えば、半田を塗布
して該半田の上に第２層に位置する半導体装置１の下側
の基板間接続用電極８を重ね合わせ、同じように第３層
及び第４層の半導体装置１、１を重ね合わせてから、リ
フローにより各半導体装置１、１、・・・間の接続を行
う。なお、各層間の接続方法は半田付けに限らず、ＡＣ
Ｆ、導電ペーストや金バンプによる接続等、その手段を
問わない。
【００４４】なお、基板間接続用バンプ４を半田バンプ
とした場合は、その切削平面４ａにフラックスを塗布し
て上層の半導体装置１の下側の基板間接続用電極８と重
ね、リフローするだけで複数の半導体装置１、１、・・
・を積層することが出来る。また、露出した半田パンプ
４の切削平面４ａの周囲は封止用樹脂５が取り巻いてお
り、これがソルダーレジストと同じ機能を果たすので、
実装の難易度が高いとされる狭ピッチの実装が可能にな
る。例えば、半導体チップ３の研削残し厚さを最大で
０．１ｍｍとした場合、各半田バンプ４の間隔が０．５
ｍｍ以上のものに対応が可能であり、高密度の実装が出
来る。
【００４５】この積層半導体装置１０において、半導体
チップ３を、例えば、６４メガバイトのフラッシュメモ
リーチップとした場合、０．７ｍｍの厚み内に４個のフ
ラッシュメモリーチップを内蔵した２５６メガバイトの
メモリーモジュールとなる。これを、電子機器の回路基
板に半田付け等の方法により実装して内蔵メモリーとし
て機能させたり、あるいは、所定の筐体内に収容してリ
ムーバブルのメモリー装置として使用することが出来
る。
【００４６】なお、図３には片面に半導体チップ３を実
装した半導体装置１を４個積層したものを示したが、積
層枚数は４枚に限られるものではなく、４枚以下でも４
枚以上でも、目的に応じて適宜に選べばよい。
【００４７】また、各半導体装置１の基板２にはそれぞ
れ同じ数の基板間接続用電極７、８がそれぞれ同じ位置
に形成されて基板３の共通化が図られているが、積層し
た各半導体装置１、１、・・・に各別のＩＤを必要とす
る場合、基板間接続用バンプ４をどの基板２のどの基板
間接続用電極７に付与し、どの基板間接続用電極７に付
与しないかをコントロールすることによって、各半導体
装置１、１、・・・間の接続関係を規定して、各半導体
装置１、１、・・・に固有のＩＤを付与することが出来
る。この場合、基板間接続用バンプ４が付与されなかっ
た基板間接続用電極７は封止用樹脂５で覆われることに
なり、この封止用樹脂５がレジストの機能を果たすの
で、半田のはみ出しによる誤接続が防止される。従っ
て、半田バンプ４が露出した面にフラックスを塗布した
後、所要個数の半導体装置１を積層し、そして、リフロ
ーすることによって、各半導体装置１、１、・・・間の
良好な接続が得られる。
【００４８】図４は基板２の両面に半導体チップ３を実
装した半導体装置１Ａを２枚積層した第２の実施の形態
にかかる積層半導体装置１０Ａを示すものである。
【００４９】この積層半導体装置１０Ａは、下層の半導
体装置１Ａの上側の基板間接続用電極７上に付与された
基板間接続用バンプ４と上層の半導体装置の下側の基板
間接続用電極８に付与された基板間接続用バンプ４とを
接続して成るものである。
【００５０】この積層半導体装置１０Ａにおいて、半導
体チップ３を、例えば、６４メガバイトのフラッシュメ
モリーチップとした場合、０．５ｍｍの厚み内に４個の
フラッシュメモリーチップを内蔵した２５６メガバイト
のメモリーモジュールとなる。また、４個の半導体装置
１Ａを積層すれば、１ｍｍの厚み内に８個のフラッシュ
メモリーチップを内蔵した５１２メガバイトのメモリー
モジュールとなる。これを、電子機器の回路基板に半田
付け等の方法により実装して内蔵メモリーとして機能さ
せたり、あるいは、所定の筐体内に収容してリムーバブ
ルのメモリー装置として使用することが出来る。
【００５１】次に、上記した半導体装置１の製造方法に
ついて説明する。
【００５２】基板２は、例えば、コア材５０μｍ、片側
パターンの厚み２５μｍ、総厚１００μｍのインターポ
ーザ基板であり、半導体チップ実装領域には半導体チッ
プ３、例えば、シリコンチップの電極（図示しない）を
図示しない配線パターンに接続するためのチップ用電極
６が設けられ、半導体チップ実装領域の外側に上記電極
６を外部に接続するための電極（本明細書では主に基板
同士を接続するためのものとして説明するので、「基板
間接続用電極」という名称を用いて説明する。）７、８
が形成され、表裏両面の基板間接続用電極７と８はスル
ーホール９によって接続されている（図５参照）。な
お、図示した基板２は半導体装置１個分の領域とその周
辺を示しているが、実用上は多数の領域が一体に形成さ
れており、全工程終了後に個々の半導体装置１に分割さ
れるものである。また、図１に示すように、片面のみに
半導体チップ３を実装する基板２にあっては、パターン
及びチップ用電極６は一方の面２ａにのみ形成され、他
方の面２ｂには基板間接続用電極８のみが形成されてい
る。
【００５３】先ず、基板２の半導体チップ３を実装する
側の面の基板間接続用電極７に基板間接続用バンプ４を
形成する（図５参照）。例えば、基板間接続用バンプ４
を半田バンプとするときは、基板間接続用電極７に半田
を塗布し、その後リフローして半田バンプを形成する。
なお、この基板間接続用バンプ４の高さは最終的に必要
とされる高さより高くしておくことが大切である。
【００５４】基板２のチップ用電極にスタッドバンプ１
１を形成する（図６参照）。このスタッドバンプ１１
は、例えば、金スタッドパンブであり、スタッドバンプ
ボンド装置やワイヤボンド装置を使用して形成される。
【００５５】次いで、基板２に半導体チップ３を実装す
る（図７参照）。すなわち、半導体チップ３、例えば、
シリコンチップをフェイスダウンの状態で半導体チップ
実装領域に載置し、半導体チップ３上の図示しない電極
とスタッドバンプ１１を接続し、半導体チップ３と基板
２との間に補強用樹脂１２を流し込んで硬化させる。な
お、半導体チップ３の厚みは、最終的に要求される厚み
より厚いもの、例えば、最終的に半導体チップ３の厚み
を５０μｍにしたい場合でも、２００μｍ以上の厚みの
ものを使用することが出来る。
【００５６】半導体チップ上の電極とスタッドバンプ１
１との接続は、例えば、超音波ボンド装置を使用して基
板２の半導体チップ実装面２ａの裏側から超音波をかけ
て行う。なお、超音波ボンディング法以外の方法、例え
ば、ＡＣＦ、Ｃ４、ＡＣＰなど、他のフリップチップ接
続によって半導体チップの電極とチップ用電極６との接
続を行っても良い。
【００５７】そして、半導体チップ３の電極とチップ用
電極６との接続が完了したら、半導体チップ３と基板２
の界面に補強用樹脂１２を流し込んで硬化させる。な
お、この補強用樹脂１２は熱硬化型樹脂でもＵＶ硬化型
樹脂でも適宜のものを使用することが出来る。また、半
導体チップ３の電極とチップ用電極６との接続を行う前
に、予め、補強用樹脂１２を塗布しておき、超音波接続
と同時に、補強用樹脂１２の界面への展開及び硬化が行
われるようにしても良い。
【００５８】次いで、基板２に半導体チップ３及び基板
間接続用バンプ４が埋没するように封止用樹脂５を供給
し、該封止用樹脂５を硬化させる（図８参照）。このと
き、基板２の下面、すなわち、半導体チップ３が実装さ
れた面２ａと反対側の面２ｂと封止用樹脂５の上面５′
とが平行となるようにする。そのために、例えば、トラ
ンスファモールド装置のように、基板２の下面２ｂと封
止用樹脂５の上面５′が型で固定されるような形態の装
置を使用することが望ましい。
【００５９】次いで、平面研削装置により、基板２の露
出面、すなわち、下面２ｂを基準として固定し、基準面
の反対側に位置する封止用樹脂５の上面５′を研削す
る。これによって、半導体チップ３及び基板間接続用バ
ンプ４が露出してくるので、さらに、これら半導体チッ
プ３及び基板間接続用バンプ４を封止用樹脂５と共に目
的の厚み、例えば、基板２の実装面２ａからの半導体チ
ップ３の高さが５０μｍになるまで研削する（図９参
照）。
【００６０】そして、１個の半導体チップ３を備えた部
分をそれぞれ他の部分から切り離す個片化を行うことに
よって、１５０μｍ厚の中に１個の半導体チップ３を備
えた半導体装置１（図１参照）が形成される。
【００６１】次に、上記積層半導体１０Ａを製造する方
法について説明する。
【００６２】先ず、基板２は両面にパターンとチップ用
電極６を備えたものを使用し、該基板２の両面の基板間
接続用電極７、８に図５に関して説明したのと同様にし
てそれぞれ基板間接続用バンプ４を形成する（図１０参
照）。
【００６３】次いで、基板２の一方の面２ａのチップ用
電極６にスタッドバンプ１１を付与する（図１１参
照）。
【００６４】次いで、上記スタッドバンプ１１と半導体
チップ３の電極とを接続すると共に基板２と半導体チッ
プ３の界面に補強用樹脂１２を流し込み且つ硬化させ
て、半導体チップ３の実装を行う（図１２参照）。
【００６５】次いで、基板２の一方の面２ａの半導体チ
ップ３と基板間接続用バンプ４を封止用樹脂５によって
封止する（図１３）。
【００６６】次いで、基板２の他方の面２ｂのチップ用
電極６にもスタッドバンプ１１を付与し（図１４参
照）、上記一方の面２ａに関して行ったのと同様の工程
を経て半導体チップ３の実装と封止樹脂５による封止を
行う（図１５参照）。
【００６７】次いで、先ず、基板２の一方の面２ａに関
し切削を行い（図１６参照）、引き続き、基板２の他方
の面２ｂに関しても切削を行う（図１７参照）。例え
ば、基板２の各面に関し、所望の厚さ、例えば、基板の
実装面２ａ又は２ｂからの半導体チップ３の高さが５０
μｍになるまで切削すれば、２００μｍの厚さ内に２個
の半導体チップを納めることが出来る。
【００６８】そして、基板２の両面に各１個の半導体チ
ップ３を備えた部分をそれぞれ他の部分から切り離す個
片化を行うことによって、２００μｍ厚の中に２個の半
導体チップ３を備えた半導体装置１Ａ（図２参照）が形
成される。
【００６９】上記した本発明にかかる半導体装置１及び
１Ａにあっては、基板２にフェイスダウン実装した半導
体チップ３を封止用樹脂５によって封止した後、該封止
用樹脂５と共に半導体チップ３を切削するものである。
従って、切削に伴ってかかるストレスが封止用樹脂５に
分散し、半導体チップ３にかかるストレスはきわめて小
さくなり、切削に伴う半導体チップ３の割れ等の損傷の
危険性がほとんどなくなると共に、従来に比較してより
薄くまで切削することが出来、一定の厚み内での半導体
チップ３の実装密度を高めることが出来る。
【００７０】また、基板２間又は基板２と外部との間の
接続を行うための基板間接続用電極７及び／又は８には
半導体チップ３を実装する前に基板間接続用バンプ４を
形成しておくので、半導体チップ３の実装時にフリップ
チップ接続に伴って接合材料が基板間接続用電極の方に
流れ出して基板間接続用バンプ４に接触したりあるいは
基板間接続用バンプ４を埋没させても、後の切削工程に
よって、上記接合材料は除去されてしまうため、半導体
チップ３の実装領域と基板間接続用バンプ４との間隔及
び基板間接続用バンプ４同士の間隔を接近させることが
出来、これによって、半導体装置１及び１Ａの平面形状
を小さくすることが可能になる。
【００７１】図１８及び図１９に半導体装置の第３の実
施の形態を、また、図２０及び図２１に積層半導体装置
の第３の実施の形態を示す。
【００７２】第３の実施の形態に係る半導体装置１Ｂ
は、上記第２の実施の形態に係る半導体装置１Ａのスル
ーホール９、９、・・・及び基板間接続用バンプ４、
４、・・・を側面に露出させたものである。すなわち、
側方から（図中矢印Ａ方向から）見えるように構成され
ている。このような半導体装置１Ｂの製造は、上記した
第２の半導体装置１Ａの製造工程のうち基板２の両面に
各１個の半導体チップ３を備えた部分を個片化するする
際にスルーホール９、９、・・・及び基板間接続用バン
プ４、４、・・・が位置する部分で切断することによっ
て形成される。なお、個片化する際にはスルーホール
９、９、・・・及び基板間接続用バンプ４、４、・・・
が位置する部分の外側で切断し、その後にスルーホール
９、９、・・・及び基板間接続用バンプ４、４、・・・
が位置する部分を切断して、これらスルーホール９、
９、・・・及び基板間接続用バンプ４、４、・・・を側
面に露出させてもよい。
【００７３】第３の実施の形態に係る積層半導体装置１
０Ｂは、スルーホール９、９、・・・及び基板間接続用
バンプ４、４、・・・が側面に露出している上記第３の
実施の形態に係る半導体装置１Ｂを複数個積層して成る
ものである。
【００７４】上記したように、スルーホール９、９、・
・・及び基板間接続用バンプ４、４、・・・が側面に露
出した半導体装置１Ｂを複数積層して積層半導体装置１
０Ｂを製造すると、上下の基板間接続用バンプ４、４、
・・・同士の接合状態を側方から確認することができ、
各半導体装置１Ｂ、１Ｂ、・・・間の接続不良を減少さ
せることができる。また、例えば、基板間接続用バンプ
４、４、・・・を半田によって形成した場合等、基板間
接続用バンプ４、４、・・・間の接続を加熱によって行
う場合、第１及び第２の実施の形態にかかる半導体装置
１、１Ａにあっては、フラックス等の接合材料や基板間
接続用バンプ４、４、・・・を直接加熱することができ
ないが、この第３の実施の形態に係る積層半導体装置１
０Ｂの場合には基板間接続用バンプ４、４、・・・が側
面に露出しているため、接合材料や基板間接続用バンプ
４、４、・・・を側面から直接、例えば、半田ゴテ等を
用いて加熱して接続することができる。
【００７５】図２２は本発明半導体装置の第４の実施の
形態１Ｃを示すものである。
【００７６】該半導体装置１Ｃは、基板２の両面に半導
体チップ３、３が実装されており、該半導体チップ３、
３の基板２に対向した面と反対側の面３ａ、３ａは切削
されて半導体チップ３、３の厚さが薄くされている。な
お、半導体チップ３、３と基板２との間は高分子材料１
３、１３によって結合されており、該高分子材料１３、
１３は半導体チップ３、３の４つの側面（図では２つの
側面のみ示す）にまで回り込んで位置している。
【００７７】また、基板２の基板間接続用電極７、７、
・・・及び８、８、・・・にはそれぞれ基板間接続用バ
ンプ４、４、・・・が付与されていて、これら基板間接
続用バンプ４、４、・・・は各電極７、７、・・・、
８、８、・・・に付与された後所定の厚さになるように
圧潰されさらに半導体チップ３、３の切削平面３ａ、３
ａと同じ平面内に位置するように切削された平面４ａ、
４ａ、・・・を有する。
【００７８】このような半導体装置１Ｃにあっては、半
導体チップ３、３はその側面にまで回り込んだ高分子材
料１３、１３によって基板２に固定されているため、所
望の厚みまで研削する際に半導体チップ３、３にかかる
ストレスが分散され、研削時に半導体チップ３、３にか
かるストレスが少なくなる。
【００７９】なお、この第４の実施の形態にかかる半導
体装置１Ｃにあっては、上記第１乃至第３の実施の形態
にかかる半導体装置１、１Ａ、１Ｂと異なり、半導体チ
ップ３が封止用樹脂によって埋没された状態にならない
ので、所定の厚さまで研削するのに、封止用樹脂の研削
が必要でなく、効率がよいと共に、研削装置の消耗も軽
減される。
【００８０】半導体チップ３を基板２に固定し、且つ、
半導体チップ３の電極を基板２上のチップ用電極６、
６、・・・に接続するのには、例えば、異方性導電材料
を使用することが出来る。異方性導電材料を半導体チッ
プ３と基板２との間に介在させて熱圧着することによっ
て、半導体チップ３の基板２への固定と半導体チップ３
の電極と基板２上のチップ用電極６、６、・・・との間
の導通とが一度に為されるので、作業性が良好になる。
異方性導電材料はＡＣＰ（異方性導電ペースト）の形態
で提供されても良いが、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）
の形態で供給されると、取り扱いやすく、半導体装置１
Ｃの製造方法の作業性を向上させることが出来る。ＡＣ
Ｆで半導体チップ３を基板２上に位置決めして貼り付
け、その状態で熱圧着することによって、半導体チップ
３の電極と基板上のチップ用電極６、６、・・・との間
が電気的に接続されると共にＡＣＦのバインダである高
分子材料によって半導体チップ３が基板２に固定され
る。なお、半導体チップ３を基板２に固定する高分子材
料１３が異方性導電材料によって提供されることは必須
ではない。
【００８１】また、上記半導体装置１Ｃにあっては、基
板間接続用バンプ４、４、・・・は基板２に付与された
後、先ず研削高さ近くまで圧潰され、その後研削によっ
て所定の厚さにされるので、圧潰工程によって、基板２
及び基板２の基板間接続用電極７、７、・・・及び８、
８、・・・との間の密着が強固になるので、研削によっ
て基板間接続用バンプ４、４、・・・が基板から脱落し
てしまう惧が無くなり、半導体装置１Ｃの信頼性が向上
する。
【００８２】なお、図２２には半導体チップ３、３を基
板２の両面に実装したものを示したが、半導体チップ３
を基板２の片面のみに実装した半導体装置にも本発明を
適用することが出来ることは勿論である。
【００８３】図２３乃至図２８によって本発明半導体装
置の製造方法の第３の実施の形態、すなわち、上記した
第４の実施の形態にかかる半導体装置１Ｃの製造方法を
説明する。
【００８４】チップ用電極６、６、・・・、互いにスル
ーホール９、９．・・・によって接続された基板間接続
用電極７、７、・・・と８、８、・・・、チップ用電極
６、６、・・・と基板間接続用電極７、７、・・・、
８、８、・・・との間を適宜に接続する図示しない導体
パターンが形成された基板２の基板間接続用電極７、
７、・・・及び８、８、・・・に基板間接続用バンプ
４、４、・・・を付与する（図２３参照）。該基板間接
続用バンプ４、４、・・・はその高さｔ′は半導体チッ
プ３の研削後の高さＴ（図２２参照）よりやや高くなる
ように供給される。
【００８５】基板間接続用バンプ４、４、・・・が半田
バンプである場合には、まず、基板２の一方の面２ａに
半田を例えばスクリーン印刷によって付与し、これをリ
フローして付与し、続いて、基板２の他方の面２ｂに同
じく印刷によって半田を付与し、これをリフローして付
与する。これによって、基板２の両面にドーム状をした
半田バンプ４、４、・・・が形成される。
【００８６】基板２の両面に付与された基板間接続用バ
ンプ４、４、・・・をプレス成形によって同時に圧潰し
て、基板間接続用バンプ４、４、・・・を所定の高さｔ
にする（図２４参照）。上記所定の高さｔは半導体チッ
プ３の研削後の高さより僅かに高い高さである。なお、
基板間接続用バンプ４、４、・・・を半田バンプとする
場合、比較的半田供給量が均一になるスクリーン印刷に
よっても供給量のばらつきは避けることができない。そ
して、半田供給量のばらつきは供給された半田の高さの
ばらつきとなって現れるが、本圧潰工程を行うことによ
って、基板間接続用バンプ４、４、・・・の高さｔが精
度良く均一化される。このように、基板間接続用バンプ
４、４、・・・の研削前の高さ精度が良くなることによ
って、研削時に基板２の厚み方向にかかる圧力をそれぞ
れ反対側に位置する基板間接続用バンプ４、４、・・・
によって均一に受け止めることができ、研削時の基板２
のたわみを防止することができる。
【００８７】なお、この間に、半導体チップ３、３の電
極（図示しない）にスタッドパンプ１１、１１、・・・
を付与しておく（図２５参照）。このスタッドバンプ１
１、１１、・・・は、例えば、金スタッドバンプであ
り、スタッドボンド装置やワイヤボンド装置を使用して
形成される。
【００８８】次に、スタッドバンプ１１、１１、・・・
が形成された半導体チップ３、３を基板２の両面２ａ、
２ｂに位置合わせした状態で載置する（図２６参照）。
例えば、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）１４、１４によ
って半導体チップ３、３を基板２の両方の面２ａ、２ａ
に貼り付ける。上記ＡＣＦは高分子材料から成る接着剤
（バインダ）内に導電性粒子を分散させてフィルム状に
形成されセパレータを付与されたものであり、セパレー
タ（図示しない）を剥離して半導体チップ３、３と基板
２との間に介在させることによって、半導体チップ３、
３を基板２に貼り付けることができる。なお、半導体チ
ップ３、３と基板２との間を異方性導電材料を介して接
続する場合、ペースト状の異方性導電材料（ＡＣＰ）も
使用することができるが、ＡＣＰの形で供給する場合
は、専用のディスペンサが必要になり、装置が大型化す
ると共に取り扱いが煩雑になるが、上記したＡＣＦによ
って供給すれば、取扱が容易であると共に大型の装置が
不要である。
【００８９】次いで、加熱と圧着を行う。すなわち、弱
高温下で半導体チップ３、３を基板２の方へ押圧するよ
うに図２７に矢印Ｂで示す方向へ圧着する（図２７参
照）。これによって、半導体チップ３、３の電極と該電
極に対向した基板２のチップ用電極６、６、・・・との
間は、スタッドバンプ１１、１１、・・・及び異方性導
電材料１４、１４の導電性粒子によって導通され、互い
に対向した電極間以外の間はバインダによって絶縁され
る。同時に、加熱により軟化したバインダが半導体チッ
プ３、３の側面に回り込んで半導体チップ３、３を基板
２に対向した面及び側面で基板２に固定する。
【００９０】図２６、図２７に関する上記説明では、半
導体チップ３を基板２に固定し且つ半導体チップ３と基
板２との間の導通を図るのに異方性導電材料を使用して
同時に行う例を示したが、これに限らず、他の方法、例
えば、半導体チップ３と基板２との間の導通を行ってか
ら半導体チップ３と基板２との間に高分子材料を供給す
る等の方法によって行っても良い。
【００９１】最後に、半導体チップ３、３及び基板間接
続用バンプ４、４、・・・それぞれの基板２側の面と反
対側の面を研削して、それぞれ所望の厚さＴとし、これ
によって半導体装置１Ｃが形成される（図２８参照）。
一例として、半導体装置１Ｃの厚さＤＴは約０．２８ｍ
ｍにされる。
【００９２】なお、研削後の半導体チップ３の厚さＴと
基板２の厚さＢＴはほぼ同じに設定されるのが望まし
い。例えば、基板２は基材の厚みが０．０５５〜０．０
６５ｍｍ、電極６、７、８を含めた導体パターンの厚み
が０．０１１〜０．０１５ｍｍの範囲内、半導体チップ
３は研削前（実装時）に約０．２ｍｍのものを研削して
０．０６から０．０８ｍｍとし、半導体装置１Ｃ全体の
厚さを約０．２８ｍｍとする。
【００９３】なお、基板２の片面にのみ半導体チップ３
を実装した半導体装置を製造する場合には、上記した各
工程を基板２の片面のみについて行えばよい。
【００９４】図２９に上記半導体装置１Ｃを４個積層し
て成る積層半導体装置の第４の実施の形態１０Ｃと該積
層半導体装置１０Ｃを使用した半導体メモリ装置１５を
示す。
【００９５】例えば、積層半導体装置１０Ｃの厚さＬＴ
は約１．１５ｍｍにされる。
【００９６】積層半導体装置１０Ｃはマザーボード１６
に実装する前に、上下に保護基板１７、１８が貼り付け
られ、ハンドリング性（取扱性）を向上される。なお、
下側の保護基板１８には積層半導体装置１０Ｃを保護基
板１８の下面の電極（図示しない）に導通させるパター
ン及びスルーホール（いずれも図示しない）が形成され
ており、下面の電極は上下方向（基板２の厚み方向）に
見て基板間接続用電極７、７、・・・、８、８、・・・
からずれた位置に形成されている。
【００９７】そして、マザーボード１６の電極（図示し
ない）上に半田バンプ１９、１９が付与され、該バンプ
１９、１９を介して積層半導体装置１０Ｃがマザーボー
ド１６上の回路と接続される。そして、積層半導体装置
１０Ｃが実装されたマザーボード１６がパッケージ２０
内に収納されて、例えば、半導体メモリ装置２１が形成
される。なお、下側の保護基板１８の下面の電極を上下
方向に見て基板間接続用電極７、７、・・・、８、８、
・・・からずれた位置に形成したのは、基板２の厚み方
向に圧力がかけられた場合に、基板間接続用電極７、
７、・・・、８、８、・・・及び基板間接続用バンプ
４、４、・・・が位置した箇所に応力が集中することを
避けるためである。
【００９８】なお、基板２の片面のみに半導体チップ３
が実装された半導体装置を複数枚積層して成る積層半導
体装置を使用して、上記半導体メモリ装置１５と同様の
半導体メモリ装置を製造することが出来る。
【００９９】また、上記した実施の形態において示した
各部の形状乃至構造は、何れも本発明を実施する際に行
う具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらに
よって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されるような
ことがあってはならないものである。
【０１００】
【発明の効果】以上に記載したところから明らかなよう
に、本発明半導体装置は、表裏両面に形成されスルーホ
ールで接続された基板間接続用電極を有する基板と、上
記基板に形成された配線パターンと接続された電極を有
し該電極形成面と反対側の面が平面に切削された半導体
チップと、上記基板の基板間接続用電極上に設けられ基
板と反対側の面が平面に切削された基板間接続用バンプ
と、上記基板上に設けられ上記半導体チップと上記基板
間接続用バンプを封止すると共に基板と反対側の面が平
面に切削された封止用樹脂とを備え、上記半導体チップ
の切削平面と上記基板間接続用バンプの切削平面と上記
封止用樹脂の切削平面とが同一の平面内に位置し、半導
体チップと基板間接続用バンプは上記切削平面を除いて
封止用樹脂内に封止されたことを特徴とする。
【０１０１】従って、本発明半導体装置にあっては、半
導体チップは封止用樹脂と共に切削されて所望の厚さに
形成されるので、切削時の負荷が封止用樹脂に分散され
て、半導体チップの割れ等の損傷を減少させることがで
き、また、従来よりさらに薄く切削することができる。
【０１０２】また、基板間接続用バンプは、基板間接続
用電極上に形成され、且つ、封止用樹脂によって覆われ
た後、封止用樹脂と共に切削されることによって露出さ
れるので、基板間接続用電極との接続が不良になる惧れ
もなく、また、所定の面積の接続端面が形成される。
【０１０３】請求項２に記載した発明にあっては、上記
基板の両面に半導体チップと基板間接続用バンプと封止
用樹脂が設けられたので、より高い実装密度の半導体装
置となる。
【０１０４】請求項３に記載した発明にあっては、厚さ
が１５０μｍ（マイクロメートル）から２００μｍ（マ
イクロメートル）の範囲内であるので、これを用いた電
子装置の小型化が図れる。
【０１０５】請求項４に記載した発明にあっては、厚さ
が２００μｍ（マイクロメートル）から２５０μｍ（マ
イクロメートル）の範囲内であるので、これを用いた電
子装置の小型化が図れる。
【０１０６】本発明積層半導体装置は、表裏両面に形成
されスルーホールで接続された基板間接続用電極を有す
る基板と、上記基板の表面又は表裏両面において基板上
の配線パターンと接続された電極を有し該電極形成面と
反対側の面が平面に切削された半導体チップと、上記基
板の表面又は表裏両面において上記基板間接続用電極上
に設けられ基板と反対側の面が平面に切削された基板間
接続用バンプと、上記基板の表面又は表裏両面上に設け
られ上記半導体チップと上記基板間接続用バンプを封止
すると共に基板と反対側の面が平面に切削された封止用
樹脂とを備え、上記半導体チップの切削平面と上記基板
間接続用バンプの切削平面と上記封止用樹脂の切削平面
とが同一の平面内に位置し、半導体チップと基板間接続
用バンプは上記切削平面を除いて封止用樹脂内に封止さ
れた半導体装置を複数個積層し各半導体装置の基板間接
続用バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間接続用
電極とを接続して成ることを特徴とする。
【０１０７】従って、本発明積層半導体装置にあって
は、従来に比較してきわめて薄く切削した半導体チップ
を備えた半導体装置を複数積層することができ、小型
で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を得ること
ができる。
【０１０８】請求項６に記載した発明にあっては、上記
基板の表面にのみ半導体チップ、基板間接続用バンプ及
び封止用樹脂が設けられた半導体装置を４個積層して成
り、厚さが０．６５ｍｍ（ミリメートル）から０．８５
ｍｍ（ミリメートル）の範囲内であるので、これを用い
た電子装置の小型化が図れる。
【０１０９】請求項７に記載した発明にあっては、上記
基板の表裏両面に半導体チップ、基板間接続用バンプ及
び封止用樹脂が設けられた半導体装置を２個積層して成
り、厚さが０．４５ｍｍ（ミリメートル）から０．５５
ｍｍ（ミリメートル）の範囲内であるので、これを用い
た電子装置の小型化が図れる。
【０１１０】請求項８に記載した発明にあっては、上記
スルーホール及び基板間接続用バンプが積層半導体装置
の側面、すなわち、半導体装置の積層方向に直行する方
向に露出されているので、各基板間接続用バンプの接続
状態を側面から確認することができる。
【０１１１】本発明半導体装置の製造方法は、基板の表
裏両面に形成されスルーホールで接続されると共に配線
パターンと接続された基板間接続用電極の表面側のもの
又は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必要高さよ
り高く形成し、上記基板の表面又は表裏両面に半導体チ
ップの電極を基板上に形成された配線パターンに接続し
て実装し、ついで、上記半導体チップ及び基板間接続用
バンプを覆うように封止用樹脂を上記基板上に付与し、
ついで、上記封止用樹脂、上記半導体チップ及び上記基
板間接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこ
れら封止用樹脂、半導体チップ及び基板間接続用バンプ
の切削平面と基板との間の間隔が所定の厚さとなるよう
にすることを特徴とする。
【０１１２】従って、本発明半導体装置の製造方法にあ
っては、半導体チップの切削は封止用樹脂と共に行われ
るため、切削時に半導体チップにかかるストレスが小さ
くなり、半導体チップの割れ等の損傷が少なくなると共
に、従来よりさらに薄く切削することが可能になる。
【０１１３】また、基板間接続用バンプは予め基板間接
続用電極上に付与されてから封止用樹脂で封止され、そ
の後、切削によって接続端面が露出されるので、基板間
接続用バンプと基板間接続用電極との接続状態が不安定
になることが無く、また、一定した面積の接続端面が確
保できるので、複数の半導体装置を積層する場合の各半
導体装置間の接続を容易に行うことができる。
【０１１４】さらに、半導体チップを基板に実装する前
に基板間接続用バンプを基板間接続用電極上に付与して
おくことによって、半導体チップと基板上の配線パター
ンとの接続に伴う接合材料が基板間接続用電極上に流れ
出して該基板間接続用電極と基板間接続用バンプとの接
続や基板間同士の接続を阻害する惧れが無く、従って、
基板間接続用電極を半導体チップの実装領域に近接した
位置に設けることが可能となり、半導体装置の小型化、
特に、平面形状の小型化が可能になる。
【０１１５】本発明積層半導体の製造法は、基板の表裏
両面に形成されスルーホールで接続されると共に配線パ
ターンと接続された基板間接続用電極の表面側のもの又
は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必要高さより
高く形成し、上記基板の表面又は表裏両面に半導体チッ
プの電極を基板上に形成された配線パターンに接続して
実装し、ついで、上記半導体チップ及び基板間接続用バ
ンプを覆うように封止用樹脂を上記基板上に付与し、つ
いで、上記封止用樹脂、上記半導体チップ及び上記基板
間接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこれ
ら封止用樹脂、半導体チップ及び基板間接続用バンプの
切削平面と基板との間の間隔が所定の厚さとなるように
して形成した半導体装置を複数個積層し、且つ、各半導
体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板間接続用バン
プと基板間接続用電極とを接続することを特徴とする。
【０１１６】従って、本発明積層半導体装置の製造方法
にあっては、従来に比較してきわめて薄く切削した半導
体チップを備えた半導体装置を複数積層することがで
き、小型で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を
製造することができる。
【０１１７】また、各半導体装置間の接続を精度良く行
うことができる。
【０１１８】別の本発明積層半導体装置の製造方法は、
基板の表裏両面に形成されスルーホールで接続されると
共に配線パターンと接続された基板間接続用電極の表面
側のもの又は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必
要高さより高く形成し、上記基板の表面又は表裏両面に
半導体チップの電極を基板上に形成された配線パターン
に接続して実装し、ついで、上記半導体チップ及び基板
間接続用バンプを覆うように封止用樹脂を上記基板上に
付与し、ついで、上記封止用樹脂、上記半導体チップ及
び上記基板間接続用バンプの上記基板と反対側の面を切
削してこれら封止用樹脂、半導体チップ及び基板間接続
用バンプの切削平面と基板との間の間隔が所定の厚さと
なるようにすると共に上記基板、スルーホール、基板間
接続用バンプ及び封止用樹脂をスルーホール及び基板間
接続用バンプが位置する箇所で切断してスルーホール及
び基板間接続用バンプを側面に露出させて成る半導体装
置を複数個積層し、且つ、各半導体装置の基板間接続用
バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間接続用電極
とを接続することを特徴とする。
【０１１９】従って、別の本発明積層半導体の製造方法
にあっては、積層される各半導体装置の基板間接続用バ
ンプの接続面を側面から視認することができるので、基
板間接続用バンプの接続を確実に行うことができる。
【０１２０】また、側面に露出している基板間接続用バ
ンプを直接加熱することができるため、より簡単な装置
によって、また、より確実に基板間接続用バンプを加熱
して接続することができる。
【０１２１】別の本発明半導体装置は、表裏両面に形成
されスルーホールで接続された基板間接続用電極を有す
る基板と、上記基板に形成された配線パターンと接続さ
れた電極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削
された半導体チップと、上記基板の基板間接続用電極上
に設けられ予め所定の厚さまで圧潰された後基板と反対
側の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、上記
基板と上記半導体チップとの間及び半導体チップの側面
を囲むように位置して半導体チップを基板に固定する高
分子材料とを備え、上記半導体チップの切削平面と上記
基板間接続用バンプの切削平面とが同一の平面内に位置
したことを特徴とする。
【０１２２】従って、別の本発明半導体装置にあって
は、半導体チップは基板との間及び側面を囲む位置に位
置する高分子材料によって基板に固定されているので、
切削時の負荷が高分子材料及び基板に分散されて、半導
体チップの割れ等の損傷を減少させることができ、ま
た、従来よりさらに薄く切削することができる。
【０１２３】また、基板間接続用バンプは、基板間接続
用電極上に形成された後所定の厚さになるまで圧潰さ
れ、その後半導体チップと共に切削されるので、基板間
接続用電極との接続が不良になる惧れもなく、また、所
定の面積の接続端面が形成される。さらに、基板間接続
用バンプは圧潰されることによって基板及び基板間接続
用電極との密着が良好になり、切削によって基板から脱
落する惧がない。また、予め圧潰されることにより最終
的な厚みに近い厚みにされるので、切削が容易になる。
【０１２４】請求項１３に記載した発明にあっては、上
記基板の両面に半導体チップと基板間接続用バンプと高
分子材料が設けられたので、より高い実装密度の半導体
装置となる。
【０１２５】請求項１４に記載した発明にあっては、厚
さが２００μｍ（マイクロメートル）から２２０μｍ
（マイクロメートル）の範囲内であるので、これを用い
た電子装置の小型化が図れる。
【０１２６】請求項１５に記載した発明にあっては、
厚さが１９７μｍ（マイクロメートル）から２８０μｍ
（マイクロメートル）の範囲内であるので、これを用い
た電子装置の小型化が図れる。
【０１２７】さらに別の本発明半導体装置の製造方法
は、基板の表裏両面に形成されスルーホールで接続され
ると共に配線パターンと接続された基板間接続用電極の
表面側のもの又は表裏両面のものに基板間接続用バンプ
を必要高さより高く形成すると共に該基板間接続用バン
プを基板の厚み方向に圧潰して必要高さ近くの厚さに
し、上記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極
を基板上に形成された配線パターンに接続して実装する
と共に半導体チップと基板との間及び半導体チップの側
面を囲むように位置する高分子材料によって半導体チッ
プを基板に固定し、ついで、上記半導体チップ及び上記
基板間接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削して
これら半導体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面
と基板との間の間隔が所定の厚さとなるようにすること
を特徴とする。
【０１２８】従って、別の本発明半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップの切削は半導体チップが高分
子材料によって基板に固定された状態で行われるため、
切削時に半導体チップにかかるストレスが小さくなり、
半導体チップの割れ等の損傷が少なくなると共に、従来
よりさらに薄く切削することが可能になる。
【０１２９】また、基板間接続用バンプは予め基板間接
続用電極上に付与されてから一旦圧潰され、その後に切
削されるので、切削によって基板から脱落することがな
いと共に、基板間接続用バンプと基板間接続用電極との
接続状態が不安定になることも無く、また、一定した面
積の接続端面が確保できるので、複数の半導体装置を積
層する場合の各半導体装置間の接続を容易に行うことが
できる。
【０１３０】さらに、半導体チップを基板に実装する前
に基板間接続用バンプを基板間接続用電極上に付与して
おくことによって、半導体チップと基板上の配線パター
ンとの接続に伴う接合材料が基板間接続用電極上に流れ
出して該基板間接続用電極と基板間接続用バンプとの接
続や基板間同士の接続を阻害する惧れが無く、従って、
基板間接続用電極を半導体チップの実装領域に近接した
位置に設けることが可能となり、半導体装置の小型化、
特に、平面形状での小型化が可能になる。
【０１３１】請求項１７に記載した発明にあっては、上
記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板
上に形成された配線パターンに接続して実装すると共に
半導体チップと基板との間及び半導体チップの側面を囲
むように位置する高分子材料によって半導体チップを基
板に固定する工程が、半導体チップを異方性導電材料に
よって基板上に載置する工程と、半導体チップを基板の
方へ押圧するように圧力を加えると共に加熱する工程と
から成るので、半導体チップと基板との間の電気的導通
と機械的固定を同時に行うことが出来、作業性が良好に
なる。
【０１３２】請求項１８に記載した発明にあっては、上
記異方性導電材料がフィルムの形態で供給されるので、
作業性がさらに向上する。
【０１３３】別の本発明積層半導体装置は、表裏両面に
形成されスルーホールで接続された基板間接続用電極を
有する基板と、上記基板の表面又は表裏両面において基
板上の配線パターンと接続された電極を有し該電極形成
面と反対側の面が平面に切削された半導体チップと、上
記基板の基板間接続用電極上に設けられ予め所定の厚さ
まで圧潰された後基板と反対側の面が平面に切削された
基板間接続用バンプと、上記基板と上記半導体チップと
の間及び半導体チップの側面を囲むように位置して半導
体チップを基板に固定する高分子材料とを備え、上記半
導体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプの切削
平面とが同一の平面内に位置した半導体装置を複数個積
層し各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板間
接続用バンプと基板間接続用電極とを接続して成ること
を特徴とする。
【０１３４】従って、別の本発明積層半導体装置にあっ
ては、従来に比較してきわめて薄く切削した半導体チッ
プを備えた半導体装置を複数積層することができ、小型
で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置を得ること
ができる。
【０１３５】別の本発明積層半導体装置の製造方法は、
基板の表裏両面に形成されスルーホールで接続されると
共に配線パターンと接続された基板間接続用電極の表面
側のもの又は表裏両面のものに基板間接続用バンプを必
要高さより高く形成すると共に該基板間接続用バンプを
基板の厚み方向に圧潰して必要高さ近くの厚さにし、上
記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板
上に形成された配線パターンに接続して実装すると共に
半導体チップと基板との間及び半導体チップの側面を囲
むように位置する高分子材料によって半導体チップを基
板に固定し、ついで、上記半導体チップ及び上記基板間
接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこれら
半導体チップ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板
との間の間隔が所定の厚さとなるようにして形成した半
導体装置を複数個積層し、且つ、各半導体装置の基板間
接続用バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間接続
用電極とを接続することを特徴とする。
【０１３６】従って、別の本発明積層半導体装置の製造
方法にあっては、従来に比較してきわめて薄く切削した
半導体チップを備えた半導体装置を複数積層することが
でき、小型で、特に薄型で集積度の高い積層半導体装置
を製造することができる。
【０１３７】また、各半導体装置間の接続を精度良く行
うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明半導体装置の第１の実施の形態を示す概
略断面図である。
【図２】本発明半導体装置の第２の実施の形態を示す概
略断面図である。
【図３】本発明積層半導体装置の第１の実施の形態を示
す概略断面図である。
【図４】本発明積層半導体装置の第２の実施の形態を示
す概略断面図である。
【図５】図６乃至図９と共に本発明半導体装置の製造方
法の第１の実施の形態を示す概略断面図であり、本図は
基板間接続用バンプを形成する工程を示すものである。
【図６】チップ用電極にスタッドバンプを形成する工程
を示すものである。。
【図７】半導体チップの実装工程を示すものである。
【図８】封止用樹脂による封止工程を示すものである。
【図９】研削工程を示すものである。
【図１０】図１１乃至図１７と共に本発明半導体装置の
製造方法の第２の実施の形態を示す概略断面図であり、
本図は基板間接続用バンプを形成する工程を示すもので
ある。
【図１１】基板の一方の面のチップ用電極にスタッドバ
ンプを形成する工程を示すものである。
【図１２】基板の一方の面に半導体チップを実装する工
程を示すものである。
【図１３】基板の一方の面に関する封止用樹脂による封
止工程を示すものである。
【図１４】基板の他方の面のチップ用電極にスタッドバ
ンプを形成する工程を示すものである。
【図１５】基板の他方の面について封止工程が完了した
状態を示すものである。
【図１６】基板の一方の面についての切削工程を示すも
のである。
【図１７】基板の他方の面についての切削工程を示すも
のである。
【図１８】図１９と共に本発明半導体装置の第３の実施
の形態を示すものであり、本図は概略断面図である。
【図１９】概略側面図である。
【図２０】図２１と共に本発明積層半導体装置の第３の
実施の形態を示すものであり、本図は概略断面図であ
る。
【図２１】概略側面図である。
【図２２】本発明半導体装置の第４の実施の形態を示す
概略断面図である。
【図２３】図２４乃至図２８と共に第４の実施の形態に
かかる半導体装置を製造するための半導体装置の製造方
法、すなわち、本発明半導体装置の製造方法の第３の実
施の形態を示す概略断面図であり、本図は基板に基板間
接続用バンプを付与する工程を示すものである。
【図２４】基板間接続用バンプを所定の厚さになるよう
に圧潰する工程を示すものである。
【図２５】半導体チップに電極を取り付ける工程を示す
ものである。
【図２６】半導体チップを基板に載置する工程を示すも
のである。
【図２７】半導体チップの基板への取付と導通を図る工
程を示すものである。
【図２８】研削工程を示すものである。
【図２９】本発明積層半導体装置の第４の実施の形態を
使用した半導体メモリ装置を示す概略断面図である。
【図３０】図３１及び図３２と共に従来の半導体装置及
び積層半導体装置の製造方法の一例を示すものであり、
本図は半導体チップの実装工程を示すものである。
【図３１】半田バンプの形成工程を示すものである。
【図３２】積層半導体装置を示すものである。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…基板、３…半導体チップ、３ａ…
切削平面、４…基板間接続用バンプ、４ａ…切削平面、
５…封止用樹脂、５ａ…切削平面、７…基板間接続用電
極、８…基板間接続用電極、９…スルーホール、１０…
積層半導体装置、１Ａ…半導体装置、１０Ａ…積層半導
体装置、１Ｂ…半導体装置、１０Ｂ…積層半導体装置、
１Ｃ…半導体装置、１３…高分子材料、１４…ＡＣＦ
（異方性導電フィルム）、１０Ｃ…積層半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 益雄 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ーイーエムシーエス株式会社内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表裏両面に形成されスルーホールで接続
    された基板間接続用電極を有する基板と、 上記基板に形成された配線パターンと接続された電極を
    有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削された半導
    体チップと、 上記基板の基板間接続用電極上に設けられ基板と反対側
    の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、 上記基板上に設けられ上記半導体チップと上記基板間接
    続用バンプを封止すると共に基板と反対側の面が平面に
    切削された封止用樹脂とを備え、 上記半導体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプ
    の切削平面と上記封止用樹脂の切削平面とが同一の平面
    内に位置し、半導体チップと基板間接続用バンプは上記
    切削平面を除いて封止用樹脂内に封止されたことを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 上記基板の両面に半導体チップと基板間
    接続用バンプと封止用樹脂が設けられたことを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 厚さが１５０μｍ（マイクロメートル）
    から２００μｍ（マイクロメートル）の範囲内であるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 厚さが２００μｍ（マイクロメートル）
    から２５０μｍ（マイクロメートル）の範囲内であるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 表裏両面に形成されスルーホールで接続
    された基板間接続用電極を有する基板と、上記基板の表
    面又は表裏両面において基板上の配線パターンと接続さ
    れた電極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削
    された半導体チップと、上記基板の表面又は表裏両面に
    おいて上記基板間接続用電極上に設けられ基板と反対側
    の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、上記基
    板の表面又は表裏両面上に設けられ上記半導体チップと
    上記基板間接続用バンプを封止すると共に基板と反対側
    の面が平面に切削された封止用樹脂とを備え、上記半導
    体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプの切削平
    面と上記封止用樹脂の切削平面とが同一の平面内に位置
    し、半導体チップと基板間接続用バンプは上記切削平面
    を除いて封止用樹脂内に封止された半導体装置を複数個
    積層し各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板
    間接続用バンプと基板間接続用電極とを接続して成るこ
    とを特徴とする積層半導体装置。
  6. 【請求項６】 上記基板の表面にのみ半導体チップ、基
    板間接続用バンプ及び封止用樹脂が設けられた半導体装
    置を４個積層して成り、 厚さが０．６５ｍｍ（ミリメートル）から０．８５ｍｍ
    （ミリメートル）の範囲内であることを特徴とする請求
    項５に記載の積層半導体装置。
  7. 【請求項７】 上記基板の表裏両面に半導体チップ、基
    板間接続用バンプ及び封止用樹脂が設けられた半導体装
    置を２個積層して成り、 厚さが０．４５ｍｍ（ミリメートル）から０．５５ｍｍ
    （ミリメートル）の範囲内であることを特徴とする請求
    項５に記載の積層半導体装置。
  8. 【請求項８】 上記スルーホール及び基板間接続用バン
    プが積層半導体装置の側面、すなわち、半導体装置の積
    層方向に直行する方向に露出されていることを特徴とす
    る請求項５に記載の積層半導体装置。
  9. 【請求項９】 基板の表裏両面に形成されスルーホール
    で接続されると共に配線パターンと接続された基板間接
    続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに基板間接
    続用バンプを必要高さより高く形成し、 上記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基
    板上に形成された配線パターンに接続して実装し、 ついで、上記半導体チップ及び基板間接続用バンプを覆
    うように封止用樹脂を上記基板上に付与し、 ついで、上記封止用樹脂、上記半導体チップ及び上記基
    板間接続用バンプの上記基板と反対側の面を切削してこ
    れら封止用樹脂、半導体チップ及び基板間接続用バンプ
    の切削平面と基板との間の間隔が所定の厚さとなるよう
    にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 基板の表裏両面に形成されスルーホー
    ルで接続されると共に配線パターンと接続された基板間
    接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに基板間
    接続用バンプを必要高さより高く形成し、上記基板の表
    面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板上に形成さ
    れた配線パターンに接続して実装し、ついで、上記半導
    体チップ及び基板間接続用バンプを覆うように封止用樹
    脂を上記基板上に付与し、ついで、上記封止用樹脂、上
    記半導体チップ及び上記基板間接続用バンプの上記基板
    と反対側の面を切削してこれら封止用樹脂、半導体チッ
    プ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板との間の間
    隔が所定の厚さとなるようにして形成した半導体装置を
    複数個積層し、 且つ、各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板
    間接続用バンプと基板間接続用電極とを接続することを
    特徴とする積層半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 基板の表裏両面に形成されスルーホー
    ルで接続されると共に配線パターンと接続された基板間
    接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに基板間
    接続用バンプを必要高さより高く形成し、上記基板の表
    面又は表裏両面に半導体チップの電極を基板上に形成さ
    れた配線パターンに接続して実装し、ついで、上記半導
    体チップ及び基板間接続用バンプを覆うように封止用樹
    脂を上記基板上に付与し、ついで、上記封止用樹脂、上
    記半導体チップ及び上記基板間接続用バンプの上記基板
    と反対側の面を切削してこれら封止用樹脂、半導体チッ
    プ及び基板間接続用バンプの切削平面と基板との間の間
    隔が所定の厚さとなるようにすると共に上記基板、スル
    ーホール、基板間接続用バンプ及び封止用樹脂をスルー
    ホール及び基板間接続用バンプが位置する箇所で切断し
    てスルーホール及び基板間接続用バンプを側面に露出さ
    せて成る半導体装置を複数個積層し、 且つ、各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板
    間接続用バンプと基板間接続用電極とを接続することを
    特徴とする積層半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 表裏両面に形成されスルーホールで接
    続された基板間接続用電極を有する基板と、 上記基板に形成された配線パターンと接続された電極を
    有し該電極形成面と反対側の面が平面に切削された半導
    体チップと、 上記基板の基板間接続用電極上に設けられ予め所定の厚
    さまで圧潰された後基板と反対側の面が平面に切削され
    た基板間接続用バンプと、 上記基板と上記半導体チップとの間及び半導体チップの
    側面を囲むように位置して半導体チップを基板に固定す
    る高分子材料とを備え、 上記半導体チップの切削平面と上記基板間接続用バンプ
    の切削平面とが同一の平面内に位置したことを特徴とす
    る半導体装置。
  13. 【請求項１３】 上記基板の両面に半導体チップと基板
    間接続用バンプと高分子材料が設けられたことを特徴と
    する請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 【請求項１４】 厚さが２００μｍ（マイクロメート
    ル）から２２０μｍ（マイクロメートル）の範囲内であ
    ることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
  15. 【請求項１５】 厚さが１９７μｍ（マイクロメート
    ル）から２８０μｍ（マイクロメートル）の範囲内であ
    ることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
  16. 【請求項１６】 基板の表裏両面に形成されスルーホー
    ルで接続されると共に配線パターンと接続された基板間
    接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに基板間
    接続用バンプを必要高さより高く形成すると共に該基板
    間接続用バンプを基板の厚み方向に圧潰して必要高さ近
    くの厚さにし、 上記基板の表面又は表裏両面に半導体チップの電極を基
    板上に形成された配線パターンに接続して実装すると共
    に半導体チップと基板との間及び半導体チップの側面を
    囲むように位置する高分子材料によって半導体チップを
    基板に固定し、 ついで、上記半導体チップ及び上記基板間接続用バンプ
    の上記基板と反対側の面を切削してこれら半導体チップ
    及び基板間接続用バンプの切削平面と基板との間の間隔
    が所定の厚さとなるようにすることを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記基板の表面又は表裏両面に半導体
    チップの電極を基板上に形成された配線パターンに接続
    して実装すると共に半導体チップと基板との間及び半導
    体チップの側面を囲むように位置する高分子材料によっ
    て半導体チップを基板に固定する工程が、 半導体チップを異方性導電材料によって基板上に載置す
    る工程と、 半導体チップを基板の方へ押圧するように圧力を加える
    と共に加熱する工程とから成ることを特徴とする請求項
    １６に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記異方性導電材料がフィルムの形態
    で供給されることを特徴とする請求項１７に記載の半導
    体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 表裏両面に形成されスルーホールで接
    続された基板間接続用電極を有する基板と、上記基板の
    表面又は表裏両面において基板上の配線パターンと接続
    された電極を有し該電極形成面と反対側の面が平面に切
    削された半導体チップと、上記基板の基板間接続用電極
    上に設けられ予め所定の厚さまで圧潰された後基板と反
    対側の面が平面に切削された基板間接続用バンプと、上
    記基板と上記半導体チップとの間及び半導体チップの側
    面を囲むように位置して半導体チップを基板に固定する
    高分子材料とを備え、上記半導体チップの切削平面と上
    記基板間接続用バンプの切削平面とが同一の平面内に位
    置した半導体装置を複数個積層し各半導体装置の基板間
    接続用バンプ同士又は基板間接続用バンプと基板間接続
    用電極とを接続して成ることを特徴とする積層半導体装
    置。
  20. 【請求項２０】 基板の表裏両面に形成されスルーホー
    ルで接続されると共に配線パターンと接続された基板間
    接続用電極の表面側のもの又は表裏両面のものに基板間
    接続用バンプを必要高さより高く形成すると共に該基板
    間接続用バンプを基板の厚み方向に圧潰して必要高さ近
    くの厚さにし、上記基板の表面又は表裏両面に半導体チ
    ップの電極を基板上に形成された配線パターンに接続し
    て実装すると共に半導体チップと基板との間及び半導体
    チップの側面を囲むように位置する高分子材料によって
    半導体チップを基板に固定し、ついで、上記半導体チッ
    プ及び上記基板間接続用バンプの上記基板と反対側の面
    を切削してこれら半導体チップ及び基板間接続用バンプ
    の切削平面と基板との間の間隔が所定の厚さとなるよう
    にして形成した半導体装置を複数個積層し、 且つ、各半導体装置の基板間接続用バンプ同士又は基板
    間接続用バンプと基板間接続用電極とを接続することを
    特徴とする積層半導体装置の製造方法。
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