JP2002293791A - 保護化2’−デオキシシチジン誘導体の精製法 - Google Patents
保護化2’−デオキシシチジン誘導体の精製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の欠点を解消した保護化2’−デオキシ
シチジン誘導体の工業的精製方法を提供すること。 【解決方法】 2’−デオキシシチジン誘導体を良溶媒
に溶解し、貧溶媒中に滴下して再沈澱を行うときに、貧
溶媒中にあらかじめ良溶媒を混合しておく。 【効果】 2’−デオキシシチジン誘導体工業的に精製
する方法を提供できる。
シチジン誘導体の工業的精製方法を提供すること。 【解決方法】 2’−デオキシシチジン誘導体を良溶媒
に溶解し、貧溶媒中に滴下して再沈澱を行うときに、貧
溶媒中にあらかじめ良溶媒を混合しておく。 【効果】 2’−デオキシシチジン誘導体工業的に精製
する方法を提供できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保護化2’−デオ
キシシチジン誘導体の製造方法に関する。近年、この保
護化2’−デオキシシチジン誘導体〔I〕は、各種抗ウ
イルス剤、抗ガン剤、抗クローン病剤、抗リュウマチ剤
および診断薬として開発されつつある、オリゴヌクレオ
チド誘導体やアンチセンスDNA製造のための重要な中
間体化合物として需要が増大している。
キシシチジン誘導体の製造方法に関する。近年、この保
護化2’−デオキシシチジン誘導体〔I〕は、各種抗ウ
イルス剤、抗ガン剤、抗クローン病剤、抗リュウマチ剤
および診断薬として開発されつつある、オリゴヌクレオ
チド誘導体やアンチセンスDNA製造のための重要な中
間体化合物として需要が増大している。
【0002】
【従来の技術】保護化2’−デオキシシチジン誘導体
〔I〕は通常N−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン
誘導体〔II〕[化2]
〔I〕は通常N−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン
誘導体〔II〕[化2]
【0003】
【化2】 をトリチル化することにより合成される。その際の主な
不純物としてはトリチルハライドが2分子置換反応した
一般式〔III〕[化3]
不純物としてはトリチルハライドが2分子置換反応した
一般式〔III〕[化3]
【0004】
【化3】 で表されるジトリチル体があげられる。
【0005】従来、保護化2’−デオキシシチジン誘導
体〔I〕の精製法としては、ハロゲン溶媒を用いたカラ
ムクロマトグラフィーにより精製する方法が知られてい
る(例えば、Nucl.&Nucl.,4(5),p6
41(1985)、Synthesis,p965(1
984)、JACS,104,p965(1982),
Methods in Enzymology,65,
p610(1981)、蛋白質・核酸・酵素,26
(4),p531(1981))。しかし、カラムクロ
マトグラフィーによる精製が唯一の精製単離方法である
が、大量のハロゲン溶媒を必要とし、供給量が制限され
る。
体〔I〕の精製法としては、ハロゲン溶媒を用いたカラ
ムクロマトグラフィーにより精製する方法が知られてい
る(例えば、Nucl.&Nucl.,4(5),p6
41(1985)、Synthesis,p965(1
984)、JACS,104,p965(1982),
Methods in Enzymology,65,
p610(1981)、蛋白質・核酸・酵素,26
(4),p531(1981))。しかし、カラムクロ
マトグラフィーによる精製が唯一の精製単離方法である
が、大量のハロゲン溶媒を必要とし、供給量が制限され
る。
【0006】通常工業的な精製法としては再結晶や分液
による洗浄があげられる。しかし、化合物〔I〕は通常
用いられる溶媒での再結晶は困難であリ、現在のところ
報告例はない。分液による洗浄においては、残存するN
−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン誘導体〔II〕
は水洗浄で除けるものの、ジトリチル体〔III〕が非
常に脂溶性に富むため、水洗浄などで除去することは困
難である。
による洗浄があげられる。しかし、化合物〔I〕は通常
用いられる溶媒での再結晶は困難であリ、現在のところ
報告例はない。分液による洗浄においては、残存するN
−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン誘導体〔II〕
は水洗浄で除けるものの、ジトリチル体〔III〕が非
常に脂溶性に富むため、水洗浄などで除去することは困
難である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
の欠点を解消した保護化2’−デオキシシチジン誘導体
〔I〕を工業的に精製する方法を提供することである。
の欠点を解消した保護化2’−デオキシシチジン誘導体
〔I〕を工業的に精製する方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
行い、ジトリチル体〔III〕量を低減する再沈澱条件
を見つけるに至り、本発明を完成させた。すなわち、本
発明は、〔1〕一般式〔I〕[化4]
行い、ジトリチル体〔III〕量を低減する再沈澱条件
を見つけるに至り、本発明を完成させた。すなわち、本
発明は、〔1〕一般式〔I〕[化4]
【0009】
【化4】 (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子または
メトキシ基を表す。)で示される2’−デオキシシチジ
ン誘導体を良溶媒に溶解し、貧溶媒中に滴下して再沈澱
を行う際、貧溶媒中にあらかじめ良溶媒を混合しておく
2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法であり、
〔2〕 良溶媒が芳香族炭化水素類、アルキルケトン
類、エステル類である〔1〕記載の2’−デオキシシチ
ジン誘導体の精製方法であり、〔3〕 貧溶媒がアルキ
ルエーテル類、アルカン類である〔1〕または〔2〕記
載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法であり、
〔4〕 貧溶媒がアルキルエーテル類である〔1〕から
〔3〕記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法
であり、〔5〕 貧溶媒中にあらかじめ混合しておく良
溶媒量が貧溶媒に対して5から20容量%である〔1〕
から〔4〕記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製
方法である。
基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子または
メトキシ基を表す。)で示される2’−デオキシシチジ
ン誘導体を良溶媒に溶解し、貧溶媒中に滴下して再沈澱
を行う際、貧溶媒中にあらかじめ良溶媒を混合しておく
2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法であり、
〔2〕 良溶媒が芳香族炭化水素類、アルキルケトン
類、エステル類である〔1〕記載の2’−デオキシシチ
ジン誘導体の精製方法であり、〔3〕 貧溶媒がアルキ
ルエーテル類、アルカン類である〔1〕または〔2〕記
載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法であり、
〔4〕 貧溶媒がアルキルエーテル類である〔1〕から
〔3〕記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法
であり、〔5〕 貧溶媒中にあらかじめ混合しておく良
溶媒量が貧溶媒に対して5から20容量%である〔1〕
から〔4〕記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製
方法である。
【0010】
【発明実施の形態】以下に本発明の方法を具体的に説明
する。本発明で精製を行う対象となる一般式〔I〕で表
される保護化2’−デオキシシチジン誘導体において、
R1は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基を表
す。
する。本発明で精製を行う対象となる一般式〔I〕で表
される保護化2’−デオキシシチジン誘導体において、
R1は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基を表
す。
【0011】R1の表すハロゲン原子としては、たとえ
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが
あげられる。
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが
あげられる。
【0012】R1の表す低級アルキル基としては、たと
えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基などがあげられる。R2、R3
はそれぞれ独立に水素原子またはメトキシ基を表す。
えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基などがあげられる。R2、R3
はそれぞれ独立に水素原子またはメトキシ基を表す。
【0013】本発明において、良溶媒とは保護化2’−
デオキシシチジン誘導体をよく溶解する溶媒のことであ
り、保護化2’−デオキシシチジン誘導体を十分に溶解
すれば特に限定はされない。具体例としてはベンゼン、
トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレ
ン、アニソール、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジ
クロロベンゼン、ジブロモベンゼンなどの芳香族炭化水
素類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
アルキルケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチルな
どのエステル類、ジクロロメタン、クロロホルム、1,
2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエ
タンなどの含ハロゲン溶媒が上げられる。好ましくはベ
ンゼン、トルエン、o−キシレン、アニソール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンであ
る。本発明において、貧溶媒とは保護化2’−デオキシ
シチジン誘導体を殆ど溶解しない溶媒であり、保護化
2’−デオキシシチジン誘導体の溶解度が低い限り特に
限定されない。具体例としては、ジエチルエーテル、ジ
−n−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテルなどのアルキルエーテル類やn−ペンタ
ン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、2−
エチルヘキサンなどのアルカン類、ジイソプロピルケト
ンなどの長鎖ケトン類があげられる。好ましくはアルキ
ルエーテル類であり、より好ましくはジイソプロピルエ
ーテルである。
デオキシシチジン誘導体をよく溶解する溶媒のことであ
り、保護化2’−デオキシシチジン誘導体を十分に溶解
すれば特に限定はされない。具体例としてはベンゼン、
トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレ
ン、アニソール、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジ
クロロベンゼン、ジブロモベンゼンなどの芳香族炭化水
素類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
アルキルケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチルな
どのエステル類、ジクロロメタン、クロロホルム、1,
2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエ
タンなどの含ハロゲン溶媒が上げられる。好ましくはベ
ンゼン、トルエン、o−キシレン、アニソール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンであ
る。本発明において、貧溶媒とは保護化2’−デオキシ
シチジン誘導体を殆ど溶解しない溶媒であり、保護化
2’−デオキシシチジン誘導体の溶解度が低い限り特に
限定されない。具体例としては、ジエチルエーテル、ジ
−n−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテルなどのアルキルエーテル類やn−ペンタ
ン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、2−
エチルヘキサンなどのアルカン類、ジイソプロピルケト
ンなどの長鎖ケトン類があげられる。好ましくはアルキ
ルエーテル類であり、より好ましくはジイソプロピルエ
ーテルである。
【0014】再沈澱を行うときは、貧溶媒を攪拌してい
る中に、保護化2’−デオキシシチジン誘導体の溶液を
ゆっくり滴下していく。逆に保護化2’−デオキシシチ
ジン誘導体の溶液中に貧溶媒を滴下していくと、不純物
の組成や残存する反応溶媒量によってはガム化してしま
うことが多いため、安定して沈澱を得るためには貧溶媒
中に保護化2’−デオキシシチジン誘導体の溶液を滴下
する必要がある。このとき貧溶媒中には良溶媒を混合し
ておくことが重要である。貧溶媒のみの中に保護化2’
−デオキシシチジン誘導体の溶液を滴下していくと、滴
下開始時には純度の低い沈澱が析出してしまい、結果と
して精製効果が得られない。貧溶媒中の良溶媒濃度とし
ては5から20容量%が好ましい。
る中に、保護化2’−デオキシシチジン誘導体の溶液を
ゆっくり滴下していく。逆に保護化2’−デオキシシチ
ジン誘導体の溶液中に貧溶媒を滴下していくと、不純物
の組成や残存する反応溶媒量によってはガム化してしま
うことが多いため、安定して沈澱を得るためには貧溶媒
中に保護化2’−デオキシシチジン誘導体の溶液を滴下
する必要がある。このとき貧溶媒中には良溶媒を混合し
ておくことが重要である。貧溶媒のみの中に保護化2’
−デオキシシチジン誘導体の溶液を滴下していくと、滴
下開始時には純度の低い沈澱が析出してしまい、結果と
して精製効果が得られない。貧溶媒中の良溶媒濃度とし
ては5から20容量%が好ましい。
【0015】滴下する保護化2’−デオキシシチジン誘
導体の溶液の濃度は5から50%が好ましく、10から
40%がより好ましい。
導体の溶液の濃度は5から50%が好ましく、10から
40%がより好ましい。
【0016】貧溶媒の量は保護化2’−デオキシシチジ
ン誘導体の含量に対して5倍以上であれば特に限定され
ないが、10倍から30倍が好ましい。
ン誘導体の含量に対して5倍以上であれば特に限定され
ないが、10倍から30倍が好ましい。
【0017】析出した沈澱を濾取することにより、精製
前に比べてジトリチル体〔III〕含量の低下した保護
化2’−デオキシシチジン誘導体を得ることができる。
前に比べてジトリチル体〔III〕含量の低下した保護
化2’−デオキシシチジン誘導体を得ることができる。
【0018】以上、本発明により、保護化2’−デオキ
シシチジン誘導体〔I〕をより効率的に精製できるよう
になった。
シシチジン誘導体〔I〕をより効率的に精製できるよう
になった。
【0019】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。 参考例 N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシ
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶の製造 N6−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン9.0gを
ピリジン108mLに溶解した。4,4’−ジメトキシ
トリチルクロリド9.8g(含量9.2g)を加え、室
温で2時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム2.28gを
加え、反応液を約40gまで濃縮した。水90mLとト
ルエン90mLを加えて分液し、有機層を10%食塩水
で2回洗浄した。有機層を約40gまで濃縮し、IPE
180mL中にゆっくりと滴下した。析出した固体を濾
取し、IPE50mLで洗浄した。40℃減圧下で乾燥
し、N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメト
キシトリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶15.
1gを得た。
するが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。 参考例 N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシ
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶の製造 N6−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン9.0gを
ピリジン108mLに溶解した。4,4’−ジメトキシ
トリチルクロリド9.8g(含量9.2g)を加え、室
温で2時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム2.28gを
加え、反応液を約40gまで濃縮した。水90mLとト
ルエン90mLを加えて分液し、有機層を10%食塩水
で2回洗浄した。有機層を約40gまで濃縮し、IPE
180mL中にゆっくりと滴下した。析出した固体を濾
取し、IPE50mLで洗浄した。40℃減圧下で乾燥
し、N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメト
キシトリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶15.
1gを得た。
【0020】実施例1 N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシ
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶1.15g
をトルエン2.75gに溶解した。トルエン2.3mL
とイソプロピルエーテル19.5mLを室温で激しく攪
拌しながら、粗TdBCのトルエン溶液を5分かけてゆっく
りと滴下した。 得られた固体をろ取し、トルエン0.
2mLとイソプロピルエーテル2.0mLの混合物で1
回、イソプロピルエーテル2.0mLで1回洗浄したの
ち、40℃にて3時間減圧乾燥した。 収量0.91
g。回収率80%。HPLCにおける保護化dC(N6
−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシトリ
チル)−2’−デオキシシチジン)に対するジトリチル
体〔III〕の面積比は精製前0.85%から0.29
%へと減少した。
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶1.15g
をトルエン2.75gに溶解した。トルエン2.3mL
とイソプロピルエーテル19.5mLを室温で激しく攪
拌しながら、粗TdBCのトルエン溶液を5分かけてゆっく
りと滴下した。 得られた固体をろ取し、トルエン0.
2mLとイソプロピルエーテル2.0mLの混合物で1
回、イソプロピルエーテル2.0mLで1回洗浄したの
ち、40℃にて3時間減圧乾燥した。 収量0.91
g。回収率80%。HPLCにおける保護化dC(N6
−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシトリ
チル)−2’−デオキシシチジン)に対するジトリチル
体〔III〕の面積比は精製前0.85%から0.29
%へと減少した。
【0021】実施例2 N6−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシ
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶1.15g
を酢酸ブチル2.75gに溶解した。酢酸ブチル2.3
mLとイソプロピルエーテル19.5mLを室温で激しく
攪拌しながら、粗TdBCの酢酸ブチルを5分かけてゆっく
りと滴下した。 得られた固体をろ取し、酢酸ブチル
0.2mLとイソプロピルエーテル2.0mLの混合物で
1回、イソプロピルエーテル2.0mLで1回洗浄したの
ち、40℃にて3時間減圧乾燥した。収量0.85g。
回収率75%。HPLCにおける保護化dC(N6−ベ
ンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシトリチ
ル)−2’−デオキシシチジン)に対するジトリチル体
〔III〕の面積比は精製前0.85%から0.31%
へと減少した。
トリチル)−2’−デオキシシチジン粗結晶1.15g
を酢酸ブチル2.75gに溶解した。酢酸ブチル2.3
mLとイソプロピルエーテル19.5mLを室温で激しく
攪拌しながら、粗TdBCの酢酸ブチルを5分かけてゆっく
りと滴下した。 得られた固体をろ取し、酢酸ブチル
0.2mLとイソプロピルエーテル2.0mLの混合物で
1回、イソプロピルエーテル2.0mLで1回洗浄したの
ち、40℃にて3時間減圧乾燥した。収量0.85g。
回収率75%。HPLCにおける保護化dC(N6−ベ
ンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシトリチ
ル)−2’−デオキシシチジン)に対するジトリチル体
〔III〕の面積比は精製前0.85%から0.31%
へと減少した。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、従来の欠点を解消した
効率的な保護化2’−デオキシシチジン誘導体の工業的
な製造法を提供することができる。
効率的な保護化2’−デオキシシチジン誘導体の工業的
な製造法を提供することができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式〔I〕[化1] 【化1】 (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基を表し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子または
メトキシ基を表す。)で示される2’−デオキシシチジ
ン誘導体を良溶媒に溶解し、貧溶媒中に滴下して再沈澱
を行う際、貧溶媒中にあらかじめ良溶媒を混合しておく
ことを特徴とする2’−デオキシシチジン誘導体の精製
方法。 - 【請求項2】 良溶媒が芳香族炭化水素類、アルキルケ
トン類、エステル類である請求項1記載の2’−デオキ
シシチジン誘導体の精製方法。 - 【請求項3】 貧溶媒がアルキルエーテル類、アルカン
類である請求項1記載の2’−デオキシシチジン誘導体
の精製方法。 - 【請求項4】 貧溶媒がアルキルエーテル類である請求
項1記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方法。 - 【請求項5】 貧溶媒中にあらかじめ混合しておく良溶
媒量が貧溶媒に対して5から20容量%である請求項1
から4記載の2’−デオキシシチジン誘導体の精製方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098232A JP2002293791A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 保護化2’−デオキシシチジン誘導体の精製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098232A JP2002293791A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 保護化2’−デオキシシチジン誘導体の精製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002293791A true JP2002293791A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18951904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001098232A Pending JP2002293791A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 保護化2’−デオキシシチジン誘導体の精製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002293791A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2006079660A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Girindus Ag | Purification of oligonucleotides |
WO2011055649A1 (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | 日産化学工業株式会社 | スルホニルウレア化合物の結晶形およびその製造方法 |
CN114929240A (zh) * | 2019-08-19 | 2022-08-19 | 莫迪斯治疗公司 | 脱氧胞苷的多晶型形式、包含其的组合物和用途 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098232A patent/JP2002293791A/ja active Pending
Cited By (10)
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