JP2001122847A - ビナフチル誘導体の製造方法 - Google Patents
ビナフチル誘導体の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）類を高純度でしか
も効率よく製造する。 【解決手段】 ＢＩＮＡＰ類の製造方法であって、下記
の２工程を少なくとも含む製造方法。 ビナフトール類に、塩基存在下、炭素数２または３
のパーフルオロアルキルスルホニルハライドまたはパー
フルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体を得る。の工程で得られたジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、ジ
フェニルホスフィン類と、または（ｂ）亜鉛およびニッ
ケル触媒の存在下、塩化ジフェニルホスフィン類と反応
させる。
１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）類を高純度でしか
も効率よく製造する。 【解決手段】 ＢＩＮＡＰ類の製造方法であって、下記
の２工程を少なくとも含む製造方法。 ビナフトール類に、塩基存在下、炭素数２または３
のパーフルオロアルキルスルホニルハライドまたはパー
フルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体を得る。の工程で得られたジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、ジ
フェニルホスフィン類と、または（ｂ）亜鉛およびニッ
ケル触媒の存在下、塩化ジフェニルホスフィン類と反応
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２，２’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以
下、「ＢＩＮＡＰ」）類の製造方法およびその前駆体で
ある新規な１，１’−ビ−２−ナフトール類のパーフル
オロアルキルスルホネート体およびその製造方法に関す
る。ＢＩＮＡＰ類は触媒的不斉誘導のためのキラル配位
子として重要である。
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以
下、「ＢＩＮＡＰ」）類の製造方法およびその前駆体で
ある新規な１，１’−ビ−２−ナフトール類のパーフル
オロアルキルスルホネート体およびその製造方法に関す
る。ＢＩＮＡＰ類は触媒的不斉誘導のためのキラル配位
子として重要である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＩＮＡＰの製造方法としてはい
くつかの方法が知られているが、１つの有効な方法とし
て、下式に示すようにビナフトールを一旦そのジトリフ
レート体とし、それにジフェニルホスフィンを作用させ
てＢＩＮＡＰとする方法が、米国特許５３９９７７１号
明細書に開示されている。
くつかの方法が知られているが、１つの有効な方法とし
て、下式に示すようにビナフトールを一旦そのジトリフ
レート体とし、それにジフェニルホスフィンを作用させ
てＢＩＮＡＰとする方法が、米国特許５３９９７７１号
明細書に開示されている。
【０００３】
【化１３】
【０００４】ビナフトールのジトリフレート体の製造方
法は文献（例えばTetrahedron Letters 1990年、985
頁）にビナフトールをトリフルオロメタンスルホン酸無
水物と反応させて得られることが記述されている。
法は文献（例えばTetrahedron Letters 1990年、985
頁）にビナフトールをトリフルオロメタンスルホン酸無
水物と反応させて得られることが記述されている。
【０００５】また、ＷＯ９９／３６３９７号公報には、
トリフレート体の代わりに同種の機能を持つパーフルオ
ロアルキルスルホネート体が、ビナフトールにパーフル
オロアルキルスルホニルハライド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、
但し、ｎは４〜１０、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ）または酸無水物
（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは４〜１０）を反
応させて得られることが記載されている。この様にして
得られた炭素数が４〜１０のパーフルオロアルキルスル
ホンネート基を有する１，１’−ビ−２−ナフトール類
のパーフルオロアルキルスルホネート体にジフェニルホ
スフィンを作用させてＢＩＮＡＰ類が生成することも開
示されている。
トリフレート体の代わりに同種の機能を持つパーフルオ
ロアルキルスルホネート体が、ビナフトールにパーフル
オロアルキルスルホニルハライド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、
但し、ｎは４〜１０、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ）または酸無水物
（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは４〜１０）を反
応させて得られることが記載されている。この様にして
得られた炭素数が４〜１０のパーフルオロアルキルスル
ホンネート基を有する１，１’−ビ−２−ナフトール類
のパーフルオロアルキルスルホネート体にジフェニルホ
スフィンを作用させてＢＩＮＡＰ類が生成することも開
示されている。
【０００６】また、文献（Chem.Commun.,1997 2359)に
は、ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）の存在下、塩化ジフェニル
ホスフィンと亜鉛をビナフトールのジトリフレート体に
作用させてＢＩＮＡＰが得られることが記載されてい
る。
は、ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）の存在下、塩化ジフェニル
ホスフィンと亜鉛をビナフトールのジトリフレート体に
作用させてＢＩＮＡＰが得られることが記載されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】トリフルオロメタンス
ルホン酸無水物を使用する場合、分子中の２個のトリフ
ルオロメタンスルホニル基のうち１個しか有効に使用さ
れず、一方、炭素数の大きなパーフルオロアルキルスル
ホネート基を用いるのは該基が脱離基であることから経
済的に不利である。
ルホン酸無水物を使用する場合、分子中の２個のトリフ
ルオロメタンスルホニル基のうち１個しか有効に使用さ
れず、一方、炭素数の大きなパーフルオロアルキルスル
ホネート基を用いるのは該基が脱離基であることから経
済的に不利である。
【０００８】そこで、本発明は、ビナフトール類に工業
的に入手の可能な原料を反応させて得られるパーフルオ
ロアルキルスルホネート化合物の製造方法および該化合
物にホスフィン化合物を反応させてＢＩＮＡＰ類を効率
よく製造する方法を提供する。
的に入手の可能な原料を反応させて得られるパーフルオ
ロアルキルスルホネート化合物の製造方法および該化合
物にホスフィン化合物を反応させてＢＩＮＡＰ類を効率
よく製造する方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を加えたところ、ビナフトー
ル類に工業的に入手可能な特定のパーフルオロアルキル
スルホニル化合物を反応させることで容易にビナフトー
ル類のジパーフルオロアルキルスルホネート体が得ら
れ、その前駆体は特定のホスフィン類を用いて容易にＢ
ＩＮＡＰ類に変換できることを見いだし本発明に至っ
た。
を解決するために鋭意検討を加えたところ、ビナフトー
ル類に工業的に入手可能な特定のパーフルオロアルキル
スルホニル化合物を反応させることで容易にビナフトー
ル類のジパーフルオロアルキルスルホネート体が得ら
れ、その前駆体は特定のホスフィン類を用いて容易にＢ
ＩＮＡＰ類に変換できることを見いだし本発明に至っ
た。
【００１０】すなわち、本発明は、一般式（１）
【００１１】
【化１４】
【００１２】［式中、 Ａは
【００１３】
【化１５】
【００１４】Ｂは
【００１５】
【化１６】
【００１６】であって、ＡおよびＢを示す両式中、Ｒ
はそれぞれ独立に 水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12ア
ルコキシ基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボ
ニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−
ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フ
ェニル基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、
それぞれの置換基は同一または異なっていてもよくハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる
群から任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一また
は異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環
状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群
から任意に選ばれる）を示し、Ｒ1はフェニル、４−メ
チルフェニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニ
ル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブ
チルフェニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフ
ェニル、２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフ
ェニル、２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シ
クロヘキシル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオ
ロメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび
３，５−ジシリル置換フェニル（シリル基：ＳｉＲ’3
においてＲ'は同一または異なっていてもよくアルキル
基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置
換フェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］
で示される化合物の製造方法であって、下記の２工程を
少なくとも含む製造方法。 一般式（２）
はそれぞれ独立に 水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12ア
ルコキシ基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボ
ニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−
ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フ
ェニル基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、
それぞれの置換基は同一または異なっていてもよくハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる
群から任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一また
は異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環
状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群
から任意に選ばれる）を示し、Ｒ1はフェニル、４−メ
チルフェニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニ
ル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブ
チルフェニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフ
ェニル、２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフ
ェニル、２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シ
クロヘキシル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオ
ロメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび
３，５−ジシリル置換フェニル（シリル基：ＳｉＲ’3
においてＲ'は同一または異なっていてもよくアルキル
基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置
換フェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］
で示される化合物の製造方法であって、下記の２工程を
少なくとも含む製造方法。 一般式（２）
【００１７】
【化１７】
【００１８】［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ。ｎ
は２または３］で示される化合物を塩基存在下、パーフ
ルオロアルキルスルホニルハライド（ＣnＦ2n+1ＳＯ
2Ｘ、但し、ｎは２または３、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
よりなる群から任意に選ばれる）またはパーフルオロア
ルカンスルホン酸無水物（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但
し、ｎは２または３）と反応させて、一般式（３）
は２または３］で示される化合物を塩基存在下、パーフ
ルオロアルキルスルホニルハライド（ＣnＦ2n+1ＳＯ
2Ｘ、但し、ｎは２または３、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
よりなる群から任意に選ばれる）またはパーフルオロア
ルカンスルホン酸無水物（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但
し、ｎは２または３）と反応させて、一般式（３）
【００１９】
【化１８】
【００２０】［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ。ｎ
は２または３］で示される化合物を製造する工程（第１
工程）。 の工程で得られた一般式（３）で示される化合物
を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式
（４）
は２または３］で示される化合物を製造する工程（第１
工程）。 の工程で得られた一般式（３）で示される化合物
を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式
（４）
【００２１】
【化１９】
【００２２】［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示
されるホスフィン化合物と反応させるか、または（ｂ）
亜鉛とニッケル触媒存在下、一般式（５）
されるホスフィン化合物と反応させるか、または（ｂ）
亜鉛とニッケル触媒存在下、一般式（５）
【００２３】
【化２０】
【００２４】［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示
されるホスフィン化合物と反応させて、一般式（１）で
示される化合物を製造する工程（第２工程）。
されるホスフィン化合物と反応させて、一般式（１）で
示される化合物を製造する工程（第２工程）。
【００２５】また、他の発明は前記第１工程並びに第２
工程であり、さらに一般式（３）
工程であり、さらに一般式（３）
【００２６】
【化２１】
【００２７】［式中、 Ａは
【００２８】
【化２２】
【００２９】Ｂは
【００３０】
【化２３】
【００３１】［ＡおよびＢを示す両式中、Ｒ はそれぞ
れ独立に 水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ
基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、
−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3
基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル
基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、それぞ
れの置換基は同一または異なっていてもよくハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる群から
任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異な
っていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環状アル
キル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任
意に選ばれる）を示す］で示される新規化合物である。
れ独立に 水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ
基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、
−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3
基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル
基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、それぞ
れの置換基は同一または異なっていてもよくハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる群から
任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異な
っていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環状アル
キル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任
意に選ばれる）を示す］で示される新規化合物である。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で示される
ＢＩＮＡＰ類の製造方法においては、第１工程および第
２工程の何れにおいても一般式（２）または一般式
（３）で示される化合物のヒドロキシル基またはパーフ
ルオロアルキルスルホネート基が変化するのみであり、
その他の部分構造および置換基は反応の過程において変
化することはない。すなわち、一般式（２）または一般
式（３）の中のＡ、Ｂ、Ｒは何れの工程でも反応の前後
で変化しない。
ＢＩＮＡＰ類の製造方法においては、第１工程および第
２工程の何れにおいても一般式（２）または一般式
（３）で示される化合物のヒドロキシル基またはパーフ
ルオロアルキルスルホネート基が変化するのみであり、
その他の部分構造および置換基は反応の過程において変
化することはない。すなわち、一般式（２）または一般
式（３）の中のＡ、Ｂ、Ｒは何れの工程でも反応の前後
で変化しない。
【００３３】本発明の一般式（１）で示されるＢＩＮＡ
Ｐ類の製造方法の第１工程を説明する。
Ｐ類の製造方法の第１工程を説明する。
【００３４】本発明の製造方法の出発原料となる一般式
（２）
（２）
【００３５】
【化２４】
【００３６】で示される化合物において、Ａは
【００３７】
【化２５】
【００３８】Ｂは
【００３９】
【化２６】
【００４０】を示し、Ｒ はそれぞれ独立に 水素、Ｃ
1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ基、Ｃ1-1 2アシル
基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12
パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル基、置換フェニル基
（１〜３個の置換基を有し、それぞれの置換基は同一ま
たは異なっていてもよくハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれ
る）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異なっていてもよ
くアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェ
ニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれ
る）を示すものが挙げられる。
1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ基、Ｃ1-1 2アシル
基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12
パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル基、置換フェニル基
（１〜３個の置換基を有し、それぞれの置換基は同一ま
たは異なっていてもよくハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれ
る）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異なっていてもよ
くアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェ
ニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれ
る）を示すものが挙げられる。
【００４１】これらのうち、Ａが
【００４２】
【化２７】
【００４３】であり、Ｂが
【００４４】
【化２８】
【００４５】であるのが好ましい。また、Ｒは水素、Ｃ
1-7アルキル基、Ｃ1-7アルコキシ基、Ｃ1-7アシル基、
Ｃ1 -7アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-7パーフ
ルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、
Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）より成る群から独立に選ばれるのが好
ましい。
1-7アルキル基、Ｃ1-7アルコキシ基、Ｃ1-7アシル基、
Ｃ1 -7アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-7パーフ
ルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、
Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）より成る群から独立に選ばれるのが好
ましい。
【００４６】さらに好ましくは一般式（２）で示される
化合物が、式（６）、
化合物が、式（６）、
【００４７】
【化２９】
【００４８】、一般式（７）、
【００４９】
【化３０】
【００５０】［式中、Ｒ2は水素、Ｃ1-3アルキル基、Ｃ
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］、
一般式（８）、
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］、
一般式（８）、
【００５１】
【化３１】
【００５２】［式中、Ｒ2は水素、Ｃ1-3アルキル基、Ｃ
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］、
一般式（９）、
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］、
一般式（９）、
【００５３】
【化３２】
【００５４】［式中、Ｒ2は水素、Ｃ1-3アルキル基、Ｃ
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］よ
り選ばれる化合物が好ましく、とりわけ式（６）の化合
物が好ましい。
1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］よ
り選ばれる化合物が好ましく、とりわけ式（６）の化合
物が好ましい。
【００５５】本発明の一般式（３）で示される化合物の
製造は、適当な塩基の存在下、一般式（２）で示される
ビナフトール類にパーフルオロアルキルスルホニルハラ
イド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、但し、ｎは２または３、Ｘは
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群から任意に選ばれる）ま
たはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物（（ＣnＦ
2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは２または３）を作用させる
ことにより、ジパーフルオロアルキルスルホネート体が
効率よく生成する。
製造は、適当な塩基の存在下、一般式（２）で示される
ビナフトール類にパーフルオロアルキルスルホニルハラ
イド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、但し、ｎは２または３、Ｘは
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群から任意に選ばれる）ま
たはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物（（ＣnＦ
2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは２または３）を作用させる
ことにより、ジパーフルオロアルキルスルホネート体が
効率よく生成する。
【００５６】また、ビナフトール類にはＳ体およびＲ体
の光学異性体が存在するので、それに対応して、Ｓ体か
らはＳ体であるビナフトール類のジパーフルオロアルキ
ルスルホネート体が生成し、Ｒ体からはＲ体であるジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体が生成する。本反応
中にラセミ化は起こらないので、目的とする光学異性体
に応じて適宜出発原料のビナフトール類のＳ体またはＲ
体を使い分ければよい。
の光学異性体が存在するので、それに対応して、Ｓ体か
らはＳ体であるビナフトール類のジパーフルオロアルキ
ルスルホネート体が生成し、Ｒ体からはＲ体であるジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体が生成する。本反応
中にラセミ化は起こらないので、目的とする光学異性体
に応じて適宜出発原料のビナフトール類のＳ体またはＲ
体を使い分ければよい。
【００５７】本反応に用いられるパーフルオロアルキル
スルホニルハライドはペンタフルオロエタンスルホニル
ハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群か
ら任意に選ばれる）または、ヘプタフルオロプロパンス
ルホニルハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉより
なる群から任意に選ばれる）で、好ましくはペンタフル
オロエタンスルホニルフルオライド、ペンタフルオロエ
タンスルホニルクロライド、ヘプタフルオロプロパンス
ルホニルフルオライドおよびヘプタフルオロプロパンス
ルホニルクロライドであり、さらに好ましくは、ペンタ
フルオロエタンスルホニルフルオライド、ヘプタフルオ
ロプロパンスルホニルフルオライドである。
スルホニルハライドはペンタフルオロエタンスルホニル
ハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群か
ら任意に選ばれる）または、ヘプタフルオロプロパンス
ルホニルハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉより
なる群から任意に選ばれる）で、好ましくはペンタフル
オロエタンスルホニルフルオライド、ペンタフルオロエ
タンスルホニルクロライド、ヘプタフルオロプロパンス
ルホニルフルオライドおよびヘプタフルオロプロパンス
ルホニルクロライドであり、さらに好ましくは、ペンタ
フルオロエタンスルホニルフルオライド、ヘプタフルオ
ロプロパンスルホニルフルオライドである。
【００５８】また、本反応に用いられるパーフルオロア
ルカンスルホン酸無水物は、ペンタフルオロエタンスル
ホン酸無水物、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸無水
物であるが好ましくは、ペンタフルオロエタンスルホン
酸無水物である。
ルカンスルホン酸無水物は、ペンタフルオロエタンスル
ホン酸無水物、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸無水
物であるが好ましくは、ペンタフルオロエタンスルホン
酸無水物である。
【００５９】本発明において最も好適なパーフルオロア
ルキルスルホニル化剤としては、ペンタフルオエタンス
ルホニルフルオライドが挙げられ、次いでヘプタフルオ
ロプロパンスルホニルフルオライドを挙げることができ
る。
ルキルスルホニル化剤としては、ペンタフルオエタンス
ルホニルフルオライドが挙げられ、次いでヘプタフルオ
ロプロパンスルホニルフルオライドを挙げることができ
る。
【００６０】本反応において使用されるパーフルオロア
ルキルスルホニルハライドまたはパーフルオロアルカン
スルホン酸無水物は、一般式（２）で示される化合物１
モルに対して２モル以上使用すればよいが、２〜２０モ
ル使用でき、好ましくは２〜１０モル、さらに好ましく
は２〜５モル使用する。
ルキルスルホニルハライドまたはパーフルオロアルカン
スルホン酸無水物は、一般式（２）で示される化合物１
モルに対して２モル以上使用すればよいが、２〜２０モ
ル使用でき、好ましくは２〜１０モル、さらに好ましく
は２〜５モル使用する。
【００６１】本発明の製造方法において、パーフルオロ
アルキルスルホニルハライドまたはパーフルオロアルカ
ンスルホン酸無水物を使用する場合、化合物によっては
沸点が低く揮発性であるので、ボンベからガスで直接圧
入する方式もしくは、沸点以下に冷却後、液化注入する
方法を採用することができる。
アルキルスルホニルハライドまたはパーフルオロアルカ
ンスルホン酸無水物を使用する場合、化合物によっては
沸点が低く揮発性であるので、ボンベからガスで直接圧
入する方式もしくは、沸点以下に冷却後、液化注入する
方法を採用することができる。
【００６２】特にペンタフルオロエタンスルホニルフル
オライドを使用する場合は、沸点が低いため、加圧下に
おいて反応するのが好ましく、０．１〜１０ＭＰａ程度
で行い、１．０ＭＰａ以下において行うことができる。
例えば反応系の温度を１００℃程度とすると圧力が４kg
／cm2（０．４ＭＰａ）程度まで上昇するが、耐圧反応
器を用いることにより、加熱下での反応も充分可能であ
る。１０ＭＰａ以上の圧力下においても反応の点からは
問題ないが、装置の強度が要求されるので避ける方が好
ましい。
オライドを使用する場合は、沸点が低いため、加圧下に
おいて反応するのが好ましく、０．１〜１０ＭＰａ程度
で行い、１．０ＭＰａ以下において行うことができる。
例えば反応系の温度を１００℃程度とすると圧力が４kg
／cm2（０．４ＭＰａ）程度まで上昇するが、耐圧反応
器を用いることにより、加熱下での反応も充分可能であ
る。１０ＭＰａ以上の圧力下においても反応の点からは
問題ないが、装置の強度が要求されるので避ける方が好
ましい。
【００６３】また、塩基としては、アミン類、例えばト
リメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエ
チルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチル
アミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルアミノピリ
ジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルベンジルア
ミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタ
ン、ピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、ピリ
ミジン、ピリダジン、３，５−ルチジン、２，６−ルチ
ジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，４−
ルチジン等が、また、無機塩基としては、例えば水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、水素化
カルシウム等の金属水素化物、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム等のアルカリ金属
の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸
水素塩等が有効である。
リメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエ
チルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチル
アミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルアミノピリ
ジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルベンジルア
ミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタ
ン、ピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、ピリ
ミジン、ピリダジン、３，５−ルチジン、２，６−ルチ
ジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，４−
ルチジン等が、また、無機塩基としては、例えば水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、水素化
カルシウム等の金属水素化物、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム等のアルカリ金属
の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸
水素塩等が有効である。
【００６４】本発明に使用される塩基は、アミン類を使
用した場合、一般式（２）で示された化合物１モルに対
して１〜１００モル使用でき、好ましくは１〜５０モ
ル、更に好ましくは１〜２０モル使用できる。また、無
機塩基を使用した場合、１〜２０モル使用でき、好まし
くは１〜１０モル、更に好ましくは１〜５モル使用す
る。
用した場合、一般式（２）で示された化合物１モルに対
して１〜１００モル使用でき、好ましくは１〜５０モ
ル、更に好ましくは１〜２０モル使用できる。また、無
機塩基を使用した場合、１〜２０モル使用でき、好まし
くは１〜１０モル、更に好ましくは１〜５モル使用す
る。
【００６５】本発明の製造方法は、無溶媒で行ってもよ
いが、適当な溶媒を用いることも可能で、使用される溶
媒としては、塩化メチレン、塩化エチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素類、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエー
テル、ジオキサン等のエーテル類、ヘキサメチルリン酸
トリアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、アセトニト
リル、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができ、
これらのうち二種類以上を併用することもできる。
いが、適当な溶媒を用いることも可能で、使用される溶
媒としては、塩化メチレン、塩化エチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素類、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエー
テル、ジオキサン等のエーテル類、ヘキサメチルリン酸
トリアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、アセトニト
リル、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができ、
これらのうち二種類以上を併用することもできる。
【００６６】これらのうち、ヘキサメチルリン酸トリア
ミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類およびジメチルスル
ホキシドは特に好ましく、添加することにより反応系を
均質化することができ、反応の再現性が著しく改善され
る。他の溶媒と併用する場合においても、反応を再現よ
く進行させるのに必要な量を使用することが好ましい。
具体的には、一般式（２）で示された化合物１重量部に
対し２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下、さら
に好ましくは５重量部以下使用する。
ミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類およびジメチルスル
ホキシドは特に好ましく、添加することにより反応系を
均質化することができ、反応の再現性が著しく改善され
る。他の溶媒と併用する場合においても、反応を再現よ
く進行させるのに必要な量を使用することが好ましい。
具体的には、一般式（２）で示された化合物１重量部に
対し２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下、さら
に好ましくは５重量部以下使用する。
【００６７】本発明に係るパーフルオロアルキルスルホ
ニル化反応は、塩基としてアミン類を使用したときは、
−２０℃〜２００℃で反応を行わせることができ、好ま
しくは５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは９０〜１１
０℃の温度で反応が進行する。一方、無機塩基を使用し
た場合は、−２０℃〜１００℃での反応が可能で、好ま
しくは０℃〜５０℃、さらに好ましくは１０℃〜３０℃
で反応が進行する。
ニル化反応は、塩基としてアミン類を使用したときは、
−２０℃〜２００℃で反応を行わせることができ、好ま
しくは５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは９０〜１１
０℃の温度で反応が進行する。一方、無機塩基を使用し
た場合は、−２０℃〜１００℃での反応が可能で、好ま
しくは０℃〜５０℃、さらに好ましくは１０℃〜３０℃
で反応が進行する。
【００６８】本発明のパーフルオロアルキルスルホニル
化反応においては、反応終了後、ヒドロキシル基のトリ
フルオロメタンスルホン酸無水物によるスルホニル化反
応の処理として行われる一般的な処理をすることによ
り、粗生成物を得ることができる。続く精製操作として
は、カラムクロマトグラフィー処理、活性炭処理、再結
晶処理を適宜組み合わせて行うか、通常これらの順にお
こなうのが好ましく、ビナフトール類のジペンタフレー
ト体またはジヘプタフレート体を高純度かつ高収率で得
ることができる。精製操作においては活性炭による吸着
処理が特に有効で、量的な損失が少ない上に純度および
色調の向上に効果的である。
化反応においては、反応終了後、ヒドロキシル基のトリ
フルオロメタンスルホン酸無水物によるスルホニル化反
応の処理として行われる一般的な処理をすることによ
り、粗生成物を得ることができる。続く精製操作として
は、カラムクロマトグラフィー処理、活性炭処理、再結
晶処理を適宜組み合わせて行うか、通常これらの順にお
こなうのが好ましく、ビナフトール類のジペンタフレー
ト体またはジヘプタフレート体を高純度かつ高収率で得
ることができる。精製操作においては活性炭による吸着
処理が特に有効で、量的な損失が少ない上に純度および
色調の向上に効果的である。
【００６９】本発明の一般式（１）で示されるＢＩＮＡ
Ｐ類の製造方法の第２工程を説明する。第２工程は、第
１工程で得られる一般式（３）で示される化合物にホス
フィン化合物を作用させＢＩＮＡＰ類とする工程であ
る。
Ｐ類の製造方法の第２工程を説明する。第２工程は、第
１工程で得られる一般式（３）で示される化合物にホス
フィン化合物を作用させＢＩＮＡＰ類とする工程であ
る。
【００７０】第２工程での出発原料は、一般式（３）
【００７１】
【化３３】
【００７２】で示される化合物であり、ＡおよびＢ並び
にＡおよびＢに含まれるＲは一般式（２）において好適
な基が同様に好適である。
にＡおよびＢに含まれるＲは一般式（２）において好適
な基が同様に好適である。
【００７３】第２工程は、一般式（３）で示される化合
物を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式
（４）
物を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式
（４）
【００７４】
【化３４】
【００７５】［式中、Ｒ1は、フェニル、４−メチルフ
ェニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニル、
３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブチル
フェニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフェニ
ル、２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニ
ル、２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シクロ
ヘキシル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオロメ
チルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび３，
５−ジシリル置換フェニル（シリル基：ＳｉＲ’ 3にお
いてＲ'は同一または異なっていてもよくアルキル基、
分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］で示
されるホスフィン化合物と反応させるか、または（ｂ）
亜鉛とニッケル触媒存在下、一般式（５）
ェニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニル、
３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブチル
フェニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフェニ
ル、２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニ
ル、２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シクロ
ヘキシル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオロメ
チルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび３，
５−ジシリル置換フェニル（シリル基：ＳｉＲ’ 3にお
いてＲ'は同一または異なっていてもよくアルキル基、
分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］で示
されるホスフィン化合物と反応させるか、または（ｂ）
亜鉛とニッケル触媒存在下、一般式（５）
【００７６】
【化３５】
【００７７】で示されるホスフィン化合物［式中、Ｒ1
は上記と同じ］と反応させることからなっている。
は上記と同じ］と反応させることからなっている。
【００７８】ここで、Ｒ1はフェニル、４−メチルフェ
ニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニル、３，
５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブチルフェ
ニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、
２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、
２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シクロヘキ
シル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオロメチル
フェニル、１−ナフチルおよび２−ナフチルであること
がさらに好ましい。
ニル、３−メチルフェニル、２−メチルフェニル、３，
５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−tert-ブチルフェ
ニル、４−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、
２−メトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、
２，５−ジメチル−４−メトキシフェニル、シクロヘキ
シル、シクロペンチル、３，５−ジトリフルオロメチル
フェニル、１−ナフチルおよび２−ナフチルであること
がさらに好ましい。
【００７９】本発明に係る第２工程において、出発原料
であるビナフトール類のジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体にはＳ体およびＲ体の光学異性体が存在するの
で、それに対応して、Ｓ体からはＳ体のＢＩＮＡＰ類が
生成し、Ｒ体からはＲ体のＢＩＮＡＰ類が生成する。本
反応中にラセミ化は起こらないので、目的とする光学異
性体に応じて適宜出発原料であるビナフトール類のジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体のＳ体またはＲ体を
使い分ければよい。
であるビナフトール類のジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体にはＳ体およびＲ体の光学異性体が存在するの
で、それに対応して、Ｓ体からはＳ体のＢＩＮＡＰ類が
生成し、Ｒ体からはＲ体のＢＩＮＡＰ類が生成する。本
反応中にラセミ化は起こらないので、目的とする光学異
性体に応じて適宜出発原料であるビナフトール類のジパ
ーフルオロアルキルスルホネート体のＳ体またはＲ体を
使い分ければよい。
【００８０】本発明のＢＩＮＡＰ類の製造方法において
使用されるホスフィン化合物は、一般式（４）に示され
るジフェニルホスフィン誘導体または一般式（５）に示
される塩化ジフェニルホスフィン誘導体で、一般式
（３）で示されるビナフトール類のジパーフルオロアル
キルスルホネート化合物（ジペンタフレート体あるいは
ジヘプタフレート体）１モルに対し、２〜２０モル使用
でき、好ましくは２〜１０モル、更に好ましくは２〜５
モル使用される。
使用されるホスフィン化合物は、一般式（４）に示され
るジフェニルホスフィン誘導体または一般式（５）に示
される塩化ジフェニルホスフィン誘導体で、一般式
（３）で示されるビナフトール類のジパーフルオロアル
キルスルホネート化合物（ジペンタフレート体あるいは
ジヘプタフレート体）１モルに対し、２〜２０モル使用
でき、好ましくは２〜１０モル、更に好ましくは２〜５
モル使用される。
【００８１】第２工程において、ホスフィン化合物とし
て一般式（４）に示されるジフェニルホスフィン誘導体
を用いる場合、副生するパーフルオロアルカンスルホン
酸（ペンタフルオロエタンスルホン酸あるいはヘプタフ
ルオロプロパンスルホン酸）を中和させるためにアミン
類を存在させることが望ましく、アミン類としては例え
ば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、
トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、１，
４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンが好まし
い。ホスフィン化合物は、一般式（３）で示されるビナ
フトール類のジパーフルオロアルキルスルホネート体
（ジペンタフレート体あるいはジヘプタフレート体）１
モルに対し、２〜２０モル使用でき、好ましくは２〜１
０モル、更に好ましくは２〜５モル使用される。塩基の
量は、一般式（３）で示されるビナフトール類のジパー
フルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、２〜２
０モル使用でき、好ましくは２〜１５モル、更に好まし
くは２〜１０モル使用される。
て一般式（４）に示されるジフェニルホスフィン誘導体
を用いる場合、副生するパーフルオロアルカンスルホン
酸（ペンタフルオロエタンスルホン酸あるいはヘプタフ
ルオロプロパンスルホン酸）を中和させるためにアミン
類を存在させることが望ましく、アミン類としては例え
ば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、
トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、１，
４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンが好まし
い。ホスフィン化合物は、一般式（３）で示されるビナ
フトール類のジパーフルオロアルキルスルホネート体
（ジペンタフレート体あるいはジヘプタフレート体）１
モルに対し、２〜２０モル使用でき、好ましくは２〜１
０モル、更に好ましくは２〜５モル使用される。塩基の
量は、一般式（３）で示されるビナフトール類のジパー
フルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、２〜２
０モル使用でき、好ましくは２〜１５モル、更に好まし
くは２〜１０モル使用される。
【００８２】第２工程において、ホスフィン化合物とし
て一般式（５）に示される塩化ジフェニルホスフィン誘
導体を用いた場合は、亜鉛を存在させることが必要で、
好ましくは、活性化した亜鉛粉末がよい。ホスフィン化
合物は一般式（３）で示されるビナフトール類のジパー
フルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、２〜４
０モル使用でき、好ましくは２〜２０モル、更に好まし
くは２〜１０モル使用される。亜鉛は一般式（３）で示
されるビナフトール類のジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体１モルに対して、１〜５モル使用する。
て一般式（５）に示される塩化ジフェニルホスフィン誘
導体を用いた場合は、亜鉛を存在させることが必要で、
好ましくは、活性化した亜鉛粉末がよい。ホスフィン化
合物は一般式（３）で示されるビナフトール類のジパー
フルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、２〜４
０モル使用でき、好ましくは２〜２０モル、更に好まし
くは２〜１０モル使用される。亜鉛は一般式（３）で示
されるビナフトール類のジパーフルオロアルキルスルホ
ネート体１モルに対して、１〜５モル使用する。
【００８３】第２工程で用いられるニッケル触媒は、Ｎ
ｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）Ｃ1-4アルカ
ン、ＮｉＢｒ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＣｌ2−ビス（ジフェ
ニルホスフィニル）フェロセン［省略記号ＮｉＣｌ2／
ｄｐｐｆ］、ＮｉＣｌ2−ビス（トリフェニルホスフィ
ン）［省略記号ＮｉＣｌ2／（Ｐｈ3Ｐ）2］、Ｎｉ−テ
トラキス（トリフェニルホスフィン）［省略記号Ｎｉ
（Ｐｈ3Ｐ）4］、Ｎｉ−テトラキス（トリフェニルホス
ファイト）［省略記号Ｎｉ（（ＰｈＯ）3Ｐ）4］および
Ｎｉ−ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）
［省略記号Ｎｉ（ＣＯ）2（Ｐｈ3Ｐ）2］よりなる群か
ら選ばれる。本発明の使用にあたり好適な触媒は、Ｎｉ
Ｃｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）Ｃ1-4アルカン
である。特にＣ 2-3アルカンが好ましい。すなわち、よ
り好ましい触媒はＮｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフ
ィニル）エタン［省略記号ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）］と
ＮｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）プロパン
［省略記号ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）］である。
ｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）Ｃ1-4アルカ
ン、ＮｉＢｒ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＣｌ2−ビス（ジフェ
ニルホスフィニル）フェロセン［省略記号ＮｉＣｌ2／
ｄｐｐｆ］、ＮｉＣｌ2−ビス（トリフェニルホスフィ
ン）［省略記号ＮｉＣｌ2／（Ｐｈ3Ｐ）2］、Ｎｉ−テ
トラキス（トリフェニルホスフィン）［省略記号Ｎｉ
（Ｐｈ3Ｐ）4］、Ｎｉ−テトラキス（トリフェニルホス
ファイト）［省略記号Ｎｉ（（ＰｈＯ）3Ｐ）4］および
Ｎｉ−ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）
［省略記号Ｎｉ（ＣＯ）2（Ｐｈ3Ｐ）2］よりなる群か
ら選ばれる。本発明の使用にあたり好適な触媒は、Ｎｉ
Ｃｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）Ｃ1-4アルカン
である。特にＣ 2-3アルカンが好ましい。すなわち、よ
り好ましい触媒はＮｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフ
ィニル）エタン［省略記号ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）］と
ＮｉＣｌ2・ビス（ジフェニルホスフィニル）プロパン
［省略記号ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｐ）］である。
【００８４】第２工程に用いられるニッケル触媒の量
は、一般式（３）で示されるビナフトール類のジパーフ
ルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、０．０１
〜０．５モル使用でき、好ましくは０．０２〜０．２モ
ル、更に好ましくは０．０３〜０．１モル使用される。
は、一般式（３）で示されるビナフトール類のジパーフ
ルオロアルキルスルホネート体１モルに対し、０．０１
〜０．５モル使用でき、好ましくは０．０２〜０．２モ
ル、更に好ましくは０．０３〜０．１モル使用される。
【００８５】第２工程は、反応温度を０℃〜２００℃程
度で行い、２０℃〜１８０℃が好ましく、５０〜１５０
℃がより好ましい。
度で行い、２０℃〜１８０℃が好ましく、５０〜１５０
℃がより好ましい。
【００８６】第２工程に係る反応は通常溶媒中で行わ
れ、適切な温度でジフェニルホスフィンなどのホスフィ
ン化合物を実質的に酸化することなく、要求される溶解
度を保持するものが含まれる。極性溶媒がより好適であ
る。使用される溶媒としては、ジメチルホルムアミド、
アセトニトリルおよびＮ−メチルピロリジノンで、最も
好ましい溶媒は、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であ
る。また、これらのうち二種類以上を併用することもで
きる。
れ、適切な温度でジフェニルホスフィンなどのホスフィ
ン化合物を実質的に酸化することなく、要求される溶解
度を保持するものが含まれる。極性溶媒がより好適であ
る。使用される溶媒としては、ジメチルホルムアミド、
アセトニトリルおよびＮ−メチルピロリジノンで、最も
好ましい溶媒は、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であ
る。また、これらのうち二種類以上を併用することもで
きる。
【００８７】
【実施例】以下に実施例をもって説明するが、本発明の
実施態様はこれらに限られない。
実施態様はこれらに限られない。
【００８８】［実施例１］ Ｃ2Ｆ5ＳＯ2Ｆ−Ｅｔ3Ｎ系 耐圧反応器に（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフ
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
を仕込み、−７８℃でペンタフルオロエタンスルホニル
フルオライド（４．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅ
ｑ）を液化注入して密封した。１００℃で１６時間攪拌
し、冷却後、ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢
酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮
しジペンタトリフレート体を得た。活性炭処理後、ｎ−
ヘキサン再結晶により精製した。トータル収率は８９％
であった。
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
を仕込み、−７８℃でペンタフルオロエタンスルホニル
フルオライド（４．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅ
ｑ）を液化注入して密封した。１００℃で１６時間攪拌
し、冷却後、ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢
酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮
しジペンタトリフレート体を得た。活性炭処理後、ｎ−
ヘキサン再結晶により精製した。トータル収率は８９％
であった。
【００８９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ）：７．
２５（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１（ｔ，Ｊ＝８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．５７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、
７．６２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ
＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１４（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２
Ｈ）．13 Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１１１．６（ｔｑ，１１
８８，１２６Ｈｚ），１１６．８（ｑｔ，１１４８，１
２８Ｈｚ），１１９．３，１２３．７，１２６．７，１
２７．３，１２８．０，１２８．３，１３２．０，１３
２．４，１３３．２，１４５．３．19 Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、ＢＴＦ）：−１１５．９５
（２７２Ｈｚ，２Ｆ），−１１６．０６（２７２Ｈｚ，
２Ｆ），−１６．６９（６Ｆ）． ＨＲＭＳ：６４９．９９１４（計算値：６４９．９９１
３） 比旋光度：［α］27 D＝＋１２３．０°（ｃ＝１．００
０，ＣＨＣｌ3）また、（Ｒ）-（＋）−１，１’−ビ−
２−ナフトールについても同様に反応 を行い、（Ｒ）-（＋）−１，１’-ビ-２-ナフトールの
ジペンタフレート体を得た。
２５（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、７．４１（ｔ，Ｊ＝８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．５７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、
７．６２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ
＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１４（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２
Ｈ）．13 Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：１１１．６（ｔｑ，１１
８８，１２６Ｈｚ），１１６．８（ｑｔ，１１４８，１
２８Ｈｚ），１１９．３，１２３．７，１２６．７，１
２７．３，１２８．０，１２８．３，１３２．０，１３
２．４，１３３．２，１４５．３．19 Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、ＢＴＦ）：−１１５．９５
（２７２Ｈｚ，２Ｆ），−１１６．０６（２７２Ｈｚ，
２Ｆ），−１６．６９（６Ｆ）． ＨＲＭＳ：６４９．９９１４（計算値：６４９．９９１
３） 比旋光度：［α］27 D＝＋１２３．０°（ｃ＝１．００
０，ＣＨＣｌ3）また、（Ｒ）-（＋）−１，１’−ビ−
２−ナフトールについても同様に反応 を行い、（Ｒ）-（＋）−１，１’-ビ-２-ナフトールの
ジペンタフレート体を得た。
【００９０】［実施例２］ Ｃ2Ｆ5ＳＯ2Ｆ−Ｅｔ3Ｎ−ＤＭＦ系 耐圧反応器に（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフ
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
とＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）４ｍｌを仕込み、−
７８℃でペンタフルオロエタンスルホニルフルオライド
（４．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注入
して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、シ
ョートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ−
ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮しペンタトリフ
レート体を得た。活性炭処理後、ｎ−ヘキサン再結晶に
より精製した。トータル収率は９０％であった。実施例
１と同じ機器データが得られた。
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
とＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）４ｍｌを仕込み、−
７８℃でペンタフルオロエタンスルホニルフルオライド
（４．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注入
して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、シ
ョートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ−
ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮しペンタトリフ
レート体を得た。活性炭処理後、ｎ−ヘキサン再結晶に
より精製した。トータル収率は９０％であった。実施例
１と同じ機器データが得られた。
【００９１】また、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２
−ナフトールについても同様に反応を行い、（Ｒ）-
（＋）−１，１’-ビ-２-ナフトールのジペンタフレー
ト体を得た。
−ナフトールについても同様に反応を行い、（Ｒ）-
（＋）−１，１’-ビ-２-ナフトールのジペンタフレー
ト体を得た。
【００９２】［実施例３］ Ｃ3Ｆ7ＳＯ2Ｆ−Ｅｔ3Ｎ−ＤＭＦ系 耐圧反応器に（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフ
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
とＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）４ｍｌを仕込み、−
７８℃でヘプタフルオロプロパンスルホニルフルオライ
ド（５．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注
入して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、
ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ
−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮しジヘプタフ
レート体を得た。粗収率は９２％であった。
トール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエ
チルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）
とＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）４ｍｌを仕込み、−
７８℃でヘプタフルオロプロパンスルホニルフルオライ
ド（５．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注
入して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、
ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ
−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮しジヘプタフ
レート体を得た。粗収率は９２％であった。
【００９３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，ＴＭＳ）：７．
２８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、７．４２（ｔ，Ｊ＝８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、
７．６４（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．０３（ｄ，Ｊ
＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２
Ｈ）． また、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール
についても同様に反応を行い、（Ｒ）-（＋）−１，
１’-ビ-２-ナフトールのジヘプタフレート体を得た。 ［実施例４−１０］下記の構造を持つ類似の化合物につ
いても実施例２と同様に得られた。
２８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、７．４２（ｔ，Ｊ＝８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、
７．６４（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．０３（ｄ，Ｊ
＝８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２
Ｈ）． また、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール
についても同様に反応を行い、（Ｒ）-（＋）−１，
１’-ビ-２-ナフトールのジヘプタフレート体を得た。 ［実施例４−１０］下記の構造を持つ類似の化合物につ
いても実施例２と同様に得られた。
【００９４】
【化３６】
【００９５】
【表１】
【００９６】［実施例１１−１２］下記の構造を持つ類
似の化合物についても実施例２と同様に得られた。
似の化合物についても実施例２と同様に得られた。
【００９７】
【化３７】
【００９８】
【表２】
【００９９】［実施例１３］ ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）−ＨＰＰｈ2−ＤＡＢＣＯ−ＤＭ
Ｆ ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）（５２８ｍｇ，１ｍｍｏｌ，
０．１ｅｑ）のＤＭＦ（２０ｍｌ）溶液にジフェニルホ
スフィン（ＨＰＰｈ2：１．０７ｇ，５．７５ｍｍｏ
ｌ，０．５７５ｅｑ）を室温で加え、得られた溶液を１
００℃で加熱した。１００℃で３０分加熱した後、
（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトールのジペンタフレ
ート体（６．５ｇ、１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）と１，４−
ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン（ＤＡＢＣＯ：
４．４８ｇ、４０ｍｍｏｌ、４ｅｑ）のＤＭＦ（３０ｍ
ｌ）溶液を一度に加え、生じた暗緑色溶液を１００℃に
保持し、さらにＨＰＰｈ2を３回に分けて１、３、７時
間後に加えた。（３×１．０７ｇ、トータル１７．２５
ｍｍｏｌ、トータル１．７２５ｅｑ）。出発物質のジペ
ンタフレート体が完全になくなるまで（２〜３日）反応
を１００℃で持続した。そして暗褐色の溶液を室温に冷
却し、室温で２時間攪拌し、最終的には氷浴で０〜５℃
に冷却した。所望の製品をろ過し、フィルターケーキを
メタノール（２×１０ｍｌ）で洗浄し、室温で減圧下に
乾燥した。単離した生成物（４．６ｇ、７４％）は白色
またはオフホワイトの結晶性化合物で、化学純度は９４
面積％（ＨＰＬＣ、２２０ｎｍ）であった。機器データ
は（Ｓ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１’−ビナフチルの文献値（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｅｓ、７６，６）と一致した。
Ｆ ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）（５２８ｍｇ，１ｍｍｏｌ，
０．１ｅｑ）のＤＭＦ（２０ｍｌ）溶液にジフェニルホ
スフィン（ＨＰＰｈ2：１．０７ｇ，５．７５ｍｍｏ
ｌ，０．５７５ｅｑ）を室温で加え、得られた溶液を１
００℃で加熱した。１００℃で３０分加熱した後、
（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトールのジペンタフレ
ート体（６．５ｇ、１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）と１，４−
ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン（ＤＡＢＣＯ：
４．４８ｇ、４０ｍｍｏｌ、４ｅｑ）のＤＭＦ（３０ｍ
ｌ）溶液を一度に加え、生じた暗緑色溶液を１００℃に
保持し、さらにＨＰＰｈ2を３回に分けて１、３、７時
間後に加えた。（３×１．０７ｇ、トータル１７．２５
ｍｍｏｌ、トータル１．７２５ｅｑ）。出発物質のジペ
ンタフレート体が完全になくなるまで（２〜３日）反応
を１００℃で持続した。そして暗褐色の溶液を室温に冷
却し、室温で２時間攪拌し、最終的には氷浴で０〜５℃
に冷却した。所望の製品をろ過し、フィルターケーキを
メタノール（２×１０ｍｌ）で洗浄し、室温で減圧下に
乾燥した。単離した生成物（４．６ｇ、７４％）は白色
またはオフホワイトの結晶性化合物で、化学純度は９４
面積％（ＨＰＬＣ、２２０ｎｍ）であった。機器データ
は（Ｓ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１’−ビナフチルの文献値（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｅｓ、７６，６）と一致した。
【０１００】また、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフト
ールのジペンタフレート体についても同様に反応を行
い、（Ｒ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
−１，１’−ビナフチルを得た。
ールのジペンタフレート体についても同様に反応を行
い、（Ｒ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
−１，１’−ビナフチルを得た。
【０１０１】［実施例１４］ ＮｉＣｌ2（ｄｐｐｅ）−ＣｌＰＰｈ2−亜鉛−ＤＭＦ （Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトールのジペンタフレ
ート体（６．５ｇ、１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、ＮｉＣｌ
2（ｄｐｐｅ）（１５８ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ，０．０
３ｅｑ）と塩化ジフェニルホスフィン（ＣｌＰＰｈ2：
４．４２ｇ、２０ｍｍｏｌ、２ｅｑ）を含む無水ＤＭＦ
（１２．５ｍｌ）溶液に０〜５℃で亜鉛（２．０４８
ｇ、３１．５ｍｍｏｌ、３．１５ｅｑ）を徐々に加え
た。反応混合物を１００〜１１０℃に加熱し、出発物質
のジペンタフレート体が完全になくなるまで（２〜３
日）反応を持続した。反応終了液を８０℃に冷却後、ろ
過し、最小量のＤＭＦで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わ
せて５℃に冷却し、結晶を終夜析出させた。所望の製品
をろ過し、フィルターケーキをメタノールで洗浄し、室
温で減圧下に乾燥した。単離した生成物（３．８ｇ、６
１％）は白色またはオフホワイトの結晶性化合物で、化
学純度は９５面積％（ＨＰＬＣ、２２０ｎｍ）であっ
た。実施例１３と同じ機器データが得られた。
ート体（６．５ｇ、１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、ＮｉＣｌ
2（ｄｐｐｅ）（１５８ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ，０．０
３ｅｑ）と塩化ジフェニルホスフィン（ＣｌＰＰｈ2：
４．４２ｇ、２０ｍｍｏｌ、２ｅｑ）を含む無水ＤＭＦ
（１２．５ｍｌ）溶液に０〜５℃で亜鉛（２．０４８
ｇ、３１．５ｍｍｏｌ、３．１５ｅｑ）を徐々に加え
た。反応混合物を１００〜１１０℃に加熱し、出発物質
のジペンタフレート体が完全になくなるまで（２〜３
日）反応を持続した。反応終了液を８０℃に冷却後、ろ
過し、最小量のＤＭＦで洗浄した。ろ液と洗浄液を合わ
せて５℃に冷却し、結晶を終夜析出させた。所望の製品
をろ過し、フィルターケーキをメタノールで洗浄し、室
温で減圧下に乾燥した。単離した生成物（３．８ｇ、６
１％）は白色またはオフホワイトの結晶性化合物で、化
学純度は９５面積％（ＨＰＬＣ、２２０ｎｍ）であっ
た。実施例１３と同じ機器データが得られた。
【０１０２】また、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフト
ールのジペンタフレート体についても同様に反応を行
い、（Ｒ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
−１，１’−ビナフチルを得た。
ールのジペンタフレート体についても同様に反応を行
い、（Ｒ）-２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
−１，１’−ビナフチルを得た。
【０１０３】［実施例１５−２４］下記の構造を持つ類
似の化合物についても実施例１３と同様に得られた。
似の化合物についても実施例１３と同様に得られた。
【０１０４】
【化３８】
【０１０５】
【表３】
【０１０６】［実施例２５−２８］下記の構造を持つ類
似の化合物についても実施例１３と同様に得られた。
似の化合物についても実施例１３と同様に得られた。
【０１０７】
【化３９】
【０１０８】
【表４】
【０１０９】
【発明の効果】本発明によれば、新規なビナフトール類
のジパーフルオロアルキルスルホネート体を中間体とし
て用いることにより、触媒不斉誘導のためのキラル配位
子として重要な２，２’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）類を高純度
でしかも効率よく製造することが可能である。
のジパーフルオロアルキルスルホネート体を中間体とし
て用いることにより、触媒不斉誘導のためのキラル配位
子として重要な２，２’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）類を高純度
でしかも効率よく製造することが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田沼 満 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１ セントラル硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB84 AC61 BA69 4H039 CA80 CD10 CD20 CD40 4H050 BA07 BA17 BA69 WA26
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 ［式中、 Ａは 【化２】 Ｂは 【化３】 であり、ＡおよびＢを示す両式中、Ｒはそれぞれ独立に
水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ基、Ｃ1-12
アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、
Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲ
ン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル基、置換フェ
ニル基（１〜３個の置換基を有し、それぞれの置換基は
同一または異なっていてもよくハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれ
る）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異なっていてもよ
くアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェ
ニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれ
る）を示し、Ｒ1はフェニル、４−メチルフェニル、３
−メチルフェニル、２−メチルフェニル、３，５−ジメ
チルフェニル、３，５−ジ−tert-ブチルフェニル、４
−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、２−メト
キシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、２，５−
ジメチル−４−メトキシフェニル、シクロヘキシル、シ
クロペンチル、３，５−ジトリフルオロメチルフェニ
ル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび３，５−ジシリ
ル置換フェニル（シリル基：ＳｉＲ’3においてＲ'は同
一または異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル
基、環状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基から
なる群から任意に選ばれる）を示す］で示される化合物
の製造方法であって、下記の２工程を少なくとも含む製
造方法。 一般式（２） 【化４】 ［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ］で示される化合
物を塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハラ
イド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、但し、ｎは２または３、ハロ
ゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群から任意に選ばれ
る）またはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物
（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは２または３）と
反応させて、一般式（３） 【化５】 ［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ。ｎは２または
３］で示される化合物を製造する工程。 の工程で得られた一般式（３）で示される化合物
を（ａ）塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式
（４） 【化６】 ［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示されるホスフ
ィン化合物と反応させるか、または（ｂ）亜鉛とニッケ
ル触媒存在下、一般式（５） 【化７】 ［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示されるホスフ
ィン化合物と反応させて、一般式（１）で示される化合
物を製造する工程。 - 【請求項２】 一般式（２） 【化８】 ［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ］で示される化合
物を塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハラ
イド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、但し、ｎは２または３、Ｘは
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉよりなる群から任意に選ばれる）ま
たはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物（（ＣnＦ
2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは２または３）と反応させ
て、一般式（３） 【化９】 ［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ。ｎは２または
３］で示される化合物を製造する方法。 - 【請求項３】 一般式（３）で示される化合物を（ａ）
塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式（４） 【化１０】 ［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示されるホスフ
ィン化合物と反応させるか、または（ｂ）亜鉛とニッケ
ル触媒存在下、一般式（５） 【化１１】 ［式中、Ｒ1は一般式（１）と同じ］で示されるホスフ
ィン化合物と反応させて、一般式（１）で示される化合
物を製造する工程。 - 【請求項４】 一般式（３） 【化１２】 ［式中、Ａ、Ｂは一般式（１）と同じ。ｎは２または
３］で示される化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30777399A JP2001122847A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ビナフチル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30777399A JP2001122847A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ビナフチル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001122847A true JP2001122847A (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17973104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30777399A Pending JP2001122847A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ビナフチル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001122847A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2849037A1 (fr) * | 2002-12-18 | 2004-06-25 | Rhodia Chimie Sa | Diphosphines chirales, leur preparation et leurs utilisations coome ligands dans la synthese de complexes destines a la catalyse asymetrique |
| JP2007077022A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Nara Institute Of Science & Technology | ビナフチル誘導体およびその製造方法 |
| JP2009149666A (ja) * | 2001-06-01 | 2009-07-09 | Merck Patent Gmbh | パーフルオロアルカンスルホン酸エステルの製造方法 |
| CN106478716A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-03-08 | 江苏欣诺科催化剂有限公司 | 一种有机磷化合物的合成方法 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30777399A patent/JP2001122847A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009149666A (ja) * | 2001-06-01 | 2009-07-09 | Merck Patent Gmbh | パーフルオロアルカンスルホン酸エステルの製造方法 |
| JP4564092B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2010-10-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | パーフルオロアルカンスルホン酸エステルの製造方法 |
| FR2849037A1 (fr) * | 2002-12-18 | 2004-06-25 | Rhodia Chimie Sa | Diphosphines chirales, leur preparation et leurs utilisations coome ligands dans la synthese de complexes destines a la catalyse asymetrique |
| JP2007077022A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Nara Institute Of Science & Technology | ビナフチル誘導体およびその製造方法 |
| CN106478716A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-03-08 | 江苏欣诺科催化剂有限公司 | 一种有机磷化合物的合成方法 |
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