|
JP2003101360A
(ja)
*
|
2001-09-19 |
2003-04-04 |
Murata Mfg Co Ltd |
弾性表面波素子の電極パターン形成方法
|
|
US6667385B2
(en)
*
|
2002-01-28 |
2003-12-23 |
Energenetics International, Inc. |
Method of producing aminium lactate salt as a feedstock for dilactic acid or dimer production
|
|
JP3754378B2
(ja)
*
|
2002-02-14 |
2006-03-08 |
株式会社ルネサステクノロジ |
半導体集積回路装置の製造方法
|
|
DE10208785B4
(de)
*
|
2002-02-28 |
2008-01-31 |
Qimonda Ag |
Lithografieverfahren zur Fotomaskenherstellung mittels Elektronenstrahllithografie
|
|
KR100861196B1
(ko)
*
|
2002-07-18 |
2008-09-30 |
주식회사 하이닉스반도체 |
반도체 소자의 패턴 형성 방법
|
|
JP3771206B2
(ja)
*
|
2002-09-25 |
2006-04-26 |
松下電器産業株式会社 |
水溶性材料及びパターン形成方法
|
|
US7087356B2
(en)
*
|
2002-09-30 |
2006-08-08 |
International Business Machines Corporation |
193nm resist with improved post-exposure properties
|
|
KR101101698B1
(ko)
*
|
2002-10-21 |
2011-12-30 |
나노잉크, 인크. |
나노미터-수준으로 제어된 구조, 이의 제작을 위한 방법 및장치, 및 마스크 복구, 강화, 및 제작에의 적용
|
|
EP1561151A2
(en)
*
|
2002-11-15 |
2005-08-10 |
E.I. du Pont de Nemours and Company |
Process for using protective layers in the fabrication of electronic devices
|
|
US20040170925A1
(en)
*
|
2002-12-06 |
2004-09-02 |
Roach David Herbert |
Positive imageable thick film compositions
|
|
AU2003297714A1
(en)
*
|
2002-12-09 |
2004-06-30 |
Gregory D. Cooper |
Programmable photolithographic mask based on nano-sized semiconductor particles
|
|
DE10260819A1
(de)
*
|
2002-12-23 |
2004-07-01 |
Carl Zeiss Smt Ag |
Verfahren zur Herstellung von mikrostrukturierten optischen Elementen
|
|
US7524616B2
(en)
*
|
2003-03-04 |
2009-04-28 |
Pixelligent Technologies Llc |
Applications of semiconductor nano-sized particles for photolithography
|
|
US8993221B2
(en)
|
2012-02-10 |
2015-03-31 |
Pixelligent Technologies, Llc |
Block co-polymer photoresist
|
|
US6858372B2
(en)
*
|
2003-03-24 |
2005-02-22 |
The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy |
Resist composition with enhanced X-ray and electron sensitivity
|
|
JP3993545B2
(ja)
*
|
2003-09-04 |
2007-10-17 |
株式会社東芝 |
パターンの作製方法、半導体装置の製造方法、パターンの作製システム、セルライブラリ、フォトマスクの製造方法
|
|
EP2579269B8
(en)
*
|
2003-09-05 |
2019-05-22 |
Carl Zeiss Microscopy GmbH |
Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
|
|
CN100537053C
(zh)
|
2003-09-29 |
2009-09-09 |
Hoya株式会社 |
掩膜坯及掩膜坯的制造方法
|
|
US20050100798A1
(en)
*
|
2003-10-15 |
2005-05-12 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Device and method for providing wavelength reduction with a photomask
|
|
US7402373B2
(en)
*
|
2004-02-05 |
2008-07-22 |
E.I. Du Pont De Nemours And Company |
UV radiation blocking protective layers compatible with thick film pastes
|
|
JP4632679B2
(ja)
*
|
2004-03-16 |
2011-02-16 |
アキレス株式会社 |
遮光塗布液
|
|
TWI425061B
(zh)
*
|
2004-03-16 |
2014-02-01 |
阿基里斯股份有限公司 |
農業用遮光劑
|
|
JP4587806B2
(ja)
*
|
2004-12-27 |
2010-11-24 |
Hoya株式会社 |
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
|
|
KR20060079957A
(ko)
*
|
2005-01-04 |
2006-07-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
포토리소그래피용 연질 포토마스크, 그 제조방법, 이를채용한 패턴 형성 방법
|
|
US7524593B2
(en)
*
|
2005-08-12 |
2009-04-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Exposure mask
|
|
JP2007086368A
(ja)
*
|
2005-09-21 |
2007-04-05 |
Fujitsu Ltd |
フォトマスク、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法
|
|
JP2007149155A
(ja)
*
|
2005-11-24 |
2007-06-14 |
Hitachi Ltd |
磁気記録媒体、その作製方法、及び磁気ディスク装置
|
|
KR100777806B1
(ko)
|
2006-03-17 |
2007-11-22 |
한국과학기술원 |
웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 및 접착제 조성물
|
|
JP4936515B2
(ja)
*
|
2006-05-18 |
2012-05-23 |
Hoya株式会社 |
フォトマスクの製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
|
|
JP4155315B2
(ja)
*
|
2006-06-28 |
2008-09-24 |
オムロン株式会社 |
金属膜の製造方法、下地組成物、金属膜およびその利用
|
|
EP2047332A4
(en)
*
|
2006-07-10 |
2009-11-18 |
Pixelligent Technologies Llc |
RESISTS FOR PHOTOLITHOGRAPHY
|
|
JP2008032941A
(ja)
*
|
2006-07-27 |
2008-02-14 |
Kuraray Co Ltd |
階調マスクおよびその製造方法
|
|
KR100800683B1
(ko)
*
|
2006-08-31 |
2008-02-01 |
동부일렉트로닉스 주식회사 |
반도체 소자의 형성방법
|
|
KR100762244B1
(ko)
*
|
2006-09-29 |
2007-10-01 |
주식회사 하이닉스반도체 |
웨이퍼 패턴 선폭 균일도를 개선하는 포토마스크 및제조방법
|
|
US7933000B2
(en)
|
2006-11-16 |
2011-04-26 |
Asml Netherlands B.V. |
Device manufacturing method, method for holding a patterning device and lithographic apparatus including an applicator for applying molecules onto a clamp area of a patterning device
|
|
WO2008066116A1
(fr)
*
|
2006-12-01 |
2008-06-05 |
Kaneka Corporation |
Composition de polysiloxane
|
|
US8582079B2
(en)
*
|
2007-08-14 |
2013-11-12 |
Applied Materials, Inc. |
Using phase difference of interference lithography for resolution enhancement
|
|
US20100002210A1
(en)
*
|
2007-08-31 |
2010-01-07 |
Applied Materials, Inc. |
Integrated interference-assisted lithography
|
|
US20090111056A1
(en)
*
|
2007-08-31 |
2009-04-30 |
Applied Materials, Inc. |
Resolution enhancement techniques combining four beam interference-assisted lithography with other photolithography techniques
|
|
US20090117491A1
(en)
*
|
2007-08-31 |
2009-05-07 |
Applied Materials, Inc. |
Resolution enhancement techniques combining interference-assisted lithography with other photolithography techniques
|
|
KR100928505B1
(ko)
*
|
2007-10-22 |
2009-11-26 |
주식회사 동부하이텍 |
반도체 소자 제작 방법 및 장치
|
|
JP5169206B2
(ja)
*
|
2007-12-21 |
2013-03-27 |
日本電気株式会社 |
フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置
|
|
JP4321653B2
(ja)
*
|
2007-12-27 |
2009-08-26 |
オムロン株式会社 |
金属膜の製造方法
|
|
JP4321652B2
(ja)
*
|
2007-12-27 |
2009-08-26 |
オムロン株式会社 |
金属膜の製造方法
|
|
JP4458188B2
(ja)
*
|
2008-09-26 |
2010-04-28 |
オムロン株式会社 |
ハーフミラーおよびその製造方法
|
|
JP2010191310A
(ja)
*
|
2009-02-20 |
2010-09-02 |
Hoya Corp |
多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
|
|
KR20100101916A
(ko)
*
|
2009-03-10 |
2010-09-20 |
주식회사 하이닉스반도체 |
형광층을 이용한 위상반전마스크 제조방법
|
|
JP5409238B2
(ja)
*
|
2009-09-29 |
2014-02-05 |
Hoya株式会社 |
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法
|
|
NL2005478A
(en)
*
|
2009-11-17 |
2011-05-18 |
Asml Netherlands Bv |
Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method.
|
|
JP5611581B2
(ja)
*
|
2009-12-21 |
2014-10-22 |
Hoya株式会社 |
マスクブランク及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法
|
|
US8349547B1
(en)
*
|
2009-12-22 |
2013-01-08 |
Sandia Corporation |
Lithographically defined microporous carbon structures
|
|
US9465296B2
(en)
*
|
2010-01-12 |
2016-10-11 |
Rolith, Inc. |
Nanopatterning method and apparatus
|
|
JP4853596B1
(ja)
|
2011-03-15 |
2012-01-11 |
オムロン株式会社 |
酸化金属膜を備えたセンサおよびその利用
|
|
US9018108B2
(en)
|
2013-01-25 |
2015-04-28 |
Applied Materials, Inc. |
Low shrinkage dielectric films
|
|
US9298081B2
(en)
*
|
2013-03-08 |
2016-03-29 |
Globalfoundries Inc. |
Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
|
|
CN103913957B
(zh)
*
|
2014-03-24 |
2016-08-17 |
京东方科技集团股份有限公司 |
掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统
|
|
KR101600397B1
(ko)
*
|
2014-04-08 |
2016-03-07 |
성균관대학교산학협력단 |
흑연 박막 및 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 펠리클
|
|
CN104483812A
(zh)
*
|
2014-11-29 |
2015-04-01 |
复旦大学 |
利用热显影增强电子束光刻胶对比度的制备高密度平整图形的方法
|
|
CN106154773B
(zh)
*
|
2015-04-03 |
2019-03-29 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
修正图形的方法
|
|
JP6715597B2
(ja)
*
|
2015-12-29 |
2020-07-01 |
帝人株式会社 |
感光性樹脂組成物及び半導体デバイス製造方法
|
|
JP6271780B2
(ja)
*
|
2017-02-01 |
2018-01-31 |
Hoya株式会社 |
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
|
|
US10599046B2
(en)
*
|
2017-06-02 |
2020-03-24 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Method, a non-transitory computer-readable medium, and/or an apparatus for determining whether to order a mask structure
|
|
JP2020187246A
(ja)
*
|
2019-05-14 |
2020-11-19 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物を用いた電子装置の製造方法、感放射線性樹脂組成物、絶縁膜及び絶縁膜を備えた電子装置
|
|
JP7234816B2
(ja)
*
|
2019-06-11 |
2023-03-08 |
株式会社デンソー |
測距装置
|
|
CN113296354B
(zh)
*
|
2020-02-22 |
2023-04-07 |
长鑫存储技术有限公司 |
应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法
|
|
KR102554083B1
(ko)
*
|
2022-06-23 |
2023-07-10 |
에스케이엔펄스 주식회사 |
블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
|