JP5169206B2 - フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 - Google Patents
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Description
また、レジスト検査装置等で用いられるフォトマスクを、図5に示すように、レチクル2自体にペリクル3を取り付けて構成する例が、特許文献3に記載されている。
また、フォトマスクのパターン面に装着されるペリクルフレームを上部フレームと下部フレームとをピン結合により2分割可能にして構成する例が、特許文献4に記載されている。
この付着物21の残存が検査の度に生ずる状態にあれば、レンズ30等の光学素子の性能が劣化して行き、そのままでは検査不能に陥ってしまうという技術的課題がある。
なお、この性能劣化の対策としてその拭き取りがあるが、この拭き取りだけではレンズ30の性能は完全には復元できないので、レンズ30の交換をしない限り、検査の継続は不能になるし、レンズ30の交換により検査の続行を図るとしても、レンズ30は高額で、かつ、長納期を要することから、費用が嵩むばかりでなく、修復に長時間を要してしまう。
また、レチクル2bをエッチングしての確認作業による場合は、もしレジスト7bに実際の欠陥があった場合には、そのレチクル2bは使用不可能になってしまう。
また、レンズ30の検査終了の度に詳細に調べることは、困難であり時間が掛かるため、不可能である。
したがって、ガスによるレンズ30等の光学素子の性能劣化の技術的課題は、依然として解決し切れていない。
この技術的課題は、特許文献2に記載される装置例によりその部分的な解決が図られている。
フォトマスク受納器の交換や、透光性保護膜の交換が容易に行える。
フォトマスクルの検査において、フォトマスクを汚染したり、損傷を与えることはなくなるし、検査工程の削減や時間の短縮も図れる。
また、検査後のエッチングや、レジストの塗布し直しを容易に行うことができる。
複数のレチクルのレジスト検査を行っても、光学素子は、レジストから放出されるガスの影響を受けない。
このガスの影響を排除するのに、フォトマスク受納器と透光性保護膜との間に密閉空間を形成するようにする手段だけでよく、その他の各種態様の手段を設ける必要性を排除することができる。
また、フォトマスクを上記凹部に納めたフォトマスク受納器をレジスト検査装置で用いることを含んで構成される。
この実施形態のレチクル受納器1は、レチクルとペリクルとの間が機械的剛体的結合なく、自由に接離し得る構造のレチクルカセットに係り、図1に示すように、ペリクル3を設けたレチクルカセット4にある。レチクル2は、レチクルカセット4の凹部内に納めるようにして配置され、そのレチクルカセット4がレジスト検査装置内に取着されてレチクル2のレジストの検査に用いられる。
レチクルカセット4は、互いに密着された2枚の板材(平板)9、10からなる。板材9と板材10とは、所定形状で刳り抜かれている。板材9の刳り抜き形状は、図1に示すように、レチクル2を入れ得る形状、一般的には方形である。板材10の刳り抜き形状は、図1に示すように、レチクル2上に形成されているレジスト7の周囲を取り囲む形状である。したがって、レチクルカセット4の板材10の刳り抜き部10h周辺の面は、板材9の刳り抜き部9hを介して挿入されるチクル2を載せる載置面10pとなる。
レチクルカセット4は、ペリクルフレーム8の他端8pをレチクルカセット4に密着固定される一方、ペリクルフレーム8の一端8fに保護膜3fを張設して形成されるレチクルカセット4の刳り抜き部9h内へ適宜な装着手段、例えば、真空式着脱手段によってレチクル3を挿入し、そのレチクル3をレチクルカセット4の載置面10p上に密着配置すれば、レチクル3のレジスト形成面上に密閉空間を形成することができる。
このように、レチクル3をレチクルカセット4の載置面10p上に納める、面と面との接触だけで密閉空間が形成され、また、レチクル3を載置面10pから引き離すだけでモ密閉空間の解除ができ、レチクル3の取扱い上に大きな便益を提供することができる。
これにより、レンズ30等の光学素子の性能劣化の防止に役立つし、レンズ30等の清掃作業が不要になる。高額で長納期を要するレンズ30の交換が不要に成り、多大な費用と時間の節約となる。
この実施形態の構成が、実施形態1のそれと大きく異なる点は、実施形態1のレチクルカセットをレチクルのレジスト検査装置に用いるようにした点である。
この実施形態のレジスト検査装置50は、図2に示すように、レジスト検査装置50内の取着部に取着されたレチクルカセット4と、レンズ30と、画像処理装置40と、記憶装置41と、画像比較装置42とから概略構成されている。レチクルカセット4にはレチクル2が納められている。
この構成以外のこの実施例のレチクルカセットの構成は、実施形態1と同じであるので、同一の構成部分には同一の参照符号を付して、その逐一の説明は省略する。
レチクル2のレジスト検査に先立って、レチクル2のレジスト7がペリクル3に向くようにレチクル2を納めたレチクルレチクルカセット4がレジスト検査装置50の取着部に取着される。
このレチクル2とレチクルカセット4とを機械的な結合なく、自由に接離可能な構成を採用しているので、欠陥がなくエッチングするときや、欠陥がありレジストを塗布し直さなければならないときに、特許文献3に記載される構成のようなペリクル3の取り付け取り外しの必要性が無くなる。
したがって、その際のレチクル2の汚染や、損傷が防止されるし、工程の削減や時間の短縮が図れる。
また、ペリクルカセットの交換や、ペリクルの交換が容易に行える。
この照射でレジスト7からガス20が放出されるが、そのガス20は、レチクルカセット4とレチクル2との間に形成された密閉空間内に閉じ込められる。
したがって、ガス20がレンズ30等の光学素子に付着物21として残ることは無くなる。それ故、レンズ30等の光学素子の性能劣化を防止することができる。
そのレジスト検査の概説を続けると、上記検査用の光31がレチクル2のレジスト形成面に照射され、そこで反射された反射光32に反映されているレジスト7のパターン画像が画像処理装置40で処理されて記憶装置41に保存される。
この記憶装置41に保存されたパターン画像と、予め用意されたパターン設計図とを画像比較装置42に入力することにより、レジスト7の実際の欠陥のみを抽出することができる。
このように、ガス20がレンズ30に付着物として残らないから、別のレチクル2aをレチクルカセット4にセットして(図3)そのレチクル2aのレジスト7aの検査を同一のレジスト検査装置50で行う場合にも、レンズ30には前回の付着物がないばかりでなく、今回の検査においてもレンズ30への付着物の発生はないから、レンズ30の性能の劣化は生ぜず、検査に何らの支障も生じない。
つまり、このレジスト検査装置50によれば、複数のレチクルを、順次、同一のレジスト検査装置で反復して行うことが可能になる。
そして、上述のように、ペリクルカセット4とレチクル2とが分離されているから、検査後のエッチングや、レジスト2の塗布し直しを容易に行うことができる。
また、上記密閉空間を構成するペリクルには、極薄金属薄膜等のガスバリア性フィルムを使用することにより、耐ガス性を高めることができる。また、このガスバリア性フィルムは、他の材料、例えば、ガラス又はプラスティックに比して極薄にするのに掛かる費用が少なく最適である。極薄とは、数ミクロンの厚さであり、この薄さは、ペリクル3を交換した際に、検査用の光31の光学収差が異なって来て、検査に支障を来たすのを防ぐ観点から決められる値である。
レチクルの検査において、レチクルを汚染したり、損傷を与えることはなくなるし、検査工程の削減や時間の短縮も図れる。
また、ペリクルカセットとレチクルとが分離されているから、検査後のエッチングや、レジストの塗布し直しを容易に行うことができる。
複数のレチクルのレジスト検査を行っても、光学素子は、レジストから放出されるガスの影響を受けない。
このガスの影響を排除するのに、レチクルカセットとレチクルとの間に密閉空間を形成するようにする手段だけでよく、その他の各種態様の手段を設ける必要性を排除することができる。
例えば、ペリクルカセットを2枚の板材で構成する例を示したが、単一の部材に凹部を形成し、その凹部の底壁に刳り抜き部を設け、この刳り抜き部をペリクルで覆うようにしてレチクルカセットを構成してもよい。
2 レチクル(フォトマスク)
3 ペリクル(透光性保護部材)
3f 保護膜(透光性保護膜)
4 レチクルカセット(枠体)
9 板材(第1の枠体)
9h 刳り抜き部(凹部の一部)
10 板材(第2の枠体)
10h 刳り抜き部
10p 載置面(凹部の残部)
Claims (21)
- レジスト検査のためのフォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に受納できる構造のフォトマスク受納器であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材とを備えてなることを特徴とするフォトマスク受納器。 - レジスト検査のためのフォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に受納できる構造のフォトマスク受納器であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する単一の枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材とを備えてなることを特徴とするフォトマスク受納器。 - レジスト検査のためのフォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に受納できる構造のフォトマスク受納器であって、
前記フォトマスクの厚みよりも厚く、前記フォトマスクを受納可能な形状の受納用刳り抜き部を有する第1の枠体と、
該第1の枠体と合着され、前記受納用刳り抜き部と共に、前記フォトマスクの厚みよりも深い凹部を形成し、かつ、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する第2の枠体と、
該第2の枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材とを備えてなることを特徴とするフォトマスク受納器。 - 前記透光性保護部材は、前記刳り抜き部の全周に沿って設けられる支持体と、該支持体の自由端全周に亘って張設された透光性保護膜とから構成されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載のフォトマスク受納器。
- 前記第1の枠体及び前記第2の枠体は、2枚の平板からなることを特徴とする請求項3記載のフォトマスク受納器。
- 前記透光性保護膜は、極薄金属薄膜からなることを特徴とする請求項4記載のフォトマスク受納器。
- 前記フォトマスクの前記レジストパターン形成領域と前記透光性保護膜との距離は、1mm乃至6mmに設定されていることを特徴とする請求項4又は6記載のフォトマスク受納器。
- フォトマスクに光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する方法であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記透光性保護部材側に向けた前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納め、
前記透光性保護部材側から光を照射して前記レジストパターン形成領域内の前記レジストの検査を行うことを特徴とするレジスト検査方法。 - フォトマスクに光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する方法であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する単一の枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記透光性保護部材側に向けた前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納め、
前記透光性保護部材側から光を照射して前記レジストパターン形成領域内の前記レジストの検査を行うことを特徴とするレジスト検査方法。 - フォトマスクに光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する方法であって、
前記フォトマスクの厚みよりも厚く、前記フォトマスクを受納可能な形状の受納用刳り抜き部を有する第1の枠体と、
該第1の枠体と合着され、前記受納用刳り抜き部と共に、前記フォトマスクの厚みよりも深い凹部を形成し、かつ、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する第2の枠体と、
該第2の枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記透光性保護部材側に向けた前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納め、
前記透光性保護部材側から光を照射して前記レジストパターン形成領域内の前記レジストの検査を行うことを特徴とするレジスト検査方法。 - 前記透光性保護部材は、前記刳り抜き部の全周に沿って設けられる支持体と、該支持体の自由端全周に亘って張設された透光性保護膜とから構成されていることを特徴とする請求項8、9又は10記載のレジスト検査方法。
- 前記第1の枠体及び前記第2の枠体は、2枚の平板からなることを特徴とする請求項10記載のレジスト検査方法。
- 前記透光性保護膜は、極薄金属薄膜からなることを特徴とする請求項11記載のレジスト検査方法。
- 前記フォトマスクの前記レジストパターン形成領域と前記透光性保護膜との距離は、1mm乃至6mmに設定されていることを特徴とする請求項11又は13記載のレジスト検査方法。
- フォトマスク取着部に取着されたフォトマスクに光学系からの光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する装置であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記刳り抜き部を介して前記光学系に向ける前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納める前記フォトマスク受納器が前記フォトマスク取着部に取着される構成となっていることを特徴とするレジスト検査装置。 - フォトマスク取着部に取着されたフォトマスクに光学系からの光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する装置であって、
前記フォトマスクの厚みよりも深く、前記フォトマスクを受納可能な形状の凹部と、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する枠体と、
前記枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記刳り抜き部を介して前記光学系に向ける前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納める前記フォトマスク受納器が前記フォトマスク取着部に取着される構成となっていることを特徴とするレジスト検査装置。 - フォトマスク取着部に取着されたフォトマスクに光学系からの光を照射し、前記フォトマスクからの反射光を受光して前記フォトマスクのレジストを検査する装置であって、
前記フォトマスクの厚みよりも厚く、前記フォトマスクを受納可能な形状の受納用刳り抜き部を有する第1の枠体と、
該第1の枠体と合着され、前記受納用刳り抜き部と共に、前記フォトマスクの厚みよりも深い凹部を形成し、かつ、前記フォトマスクのレジストパターン形成領域が少なくとも入り得る態様に前記凹部内に形成された刳り抜き部と、該刳り抜き部の周縁部にて前記フォトマスクを載置するための載置面とを有する第2の枠体と、
該第2の枠体の下面であって前記刳り抜き部の外側に設けられ、前記レジストパターン形成領域と対向離隔配置されて、レジスト検査用の光照射に反応して、前記レジストパターン形成領域内のレジストから発生するガスを閉じ込めて置くための密閉空間を形成する透光性保護部材と、
を備えてなるフォトマスク受納器の前記凹部内に、前記レジストパターン形成領域を前記刳り抜き部を介して前記光学系に向ける前記フォトマスクを、機械的剛体的結合なく、真空式着脱手段によって、着脱自在に納める前記フォトマスク受納器が前記フォトマスク取着部に取着される構成となっていることを特徴とするレジスト検査装置。 - 前記透光性保護部材は、前記刳り抜き部の全周に沿って設けられる支持体と、該支持体の自由端全周に亘って張設された透光性保護膜とから構成されていることを特徴とする請求項15、16又は17記載のレジスト検査装置。
- 前記第1の枠体及び前記第2の枠体は、2枚の平板からなることを特徴とする請求項17記載のレジスト検査装置。
- 前記透光性保護膜は、極薄金属薄膜からなることを特徴とする請求項18記載のレジスト検査装置。
- 前記フォトマスクの前記レジストパターン形成領域と前記透光性保護膜との距離は、1mm乃至6mmに設定されていることを特徴とする請求項18又は20記載のレジスト検査装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007330488A JP5169206B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
TW097145905A TWI408509B (zh) | 2007-12-21 | 2008-11-27 | 光罩安裝/覆蓋裝置、光阻檢查方法以及使用前述方法之光阻檢查裝置 |
KR1020080130346A KR101120793B1 (ko) | 2007-12-21 | 2008-12-19 | 포토마스크 마운팅/하우징 장치, 및 이를 이용한 레지스트 검사 방법 및 레지스트 검사 장치 |
US12/341,208 US8009285B2 (en) | 2007-12-21 | 2008-12-22 | Photomask mounting/housing device and resist inspection method and resist inspection apparatus using same |
US13/195,593 US8179523B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-08-01 | Photomask mounting/housing device and resist inspection method and resist inspection apparatus using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007330488A JP5169206B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009151197A JP2009151197A (ja) | 2009-07-09 |
JP5169206B2 true JP5169206B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=40788213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007330488A Active JP5169206B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8009285B2 (ja) |
JP (1) | JP5169206B2 (ja) |
KR (1) | KR101120793B1 (ja) |
TW (1) | TWI408509B (ja) |
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-
2007
- 2007-12-21 JP JP2007330488A patent/JP5169206B2/ja active Active
-
2008
- 2008-11-27 TW TW097145905A patent/TWI408509B/zh active
- 2008-12-19 KR KR1020080130346A patent/KR101120793B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-22 US US12/341,208 patent/US8009285B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-01 US US13/195,593 patent/US8179523B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8179523B2 (en) | 2012-05-15 |
KR101120793B1 (ko) | 2012-03-23 |
TWI408509B (zh) | 2013-09-11 |
US20110279816A1 (en) | 2011-11-17 |
KR20090068167A (ko) | 2009-06-25 |
TW200928614A (en) | 2009-07-01 |
US8009285B2 (en) | 2011-08-30 |
US20090161098A1 (en) | 2009-06-25 |
JP2009151197A (ja) | 2009-07-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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