JP2002082441A - バックボーンにラクトンが含まれた感光性ポリマーよりなるレジスト組成物 - Google Patents

バックボーンにラクトンが含まれた感光性ポリマーよりなるレジスト組成物

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JP2002082441A JP2001211147A JP2001211147A JP2002082441A JP 2002082441 A JP2002082441 A JP 2002082441A JP 2001211147 A JP2001211147 A JP 2001211147A JP 2001211147 A JP2001211147 A JP 2001211147A JP 2002082441 A JP2002082441 A JP 2002082441A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックボーンにラクトンが含まれた感光性ポ
リマーよりなるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 レジスト組成物を構成する感光性ポリマ
ーは次の構造で表示される繰返し単位中から選択される
少なくとも一つを含む。 【化１】 式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立に水素原子、アルキル基、
ヒドロキシアルキル基、アルキルオキシ基、カルボニル
基またはエステル基であり、ｘ，ｙ，ｖ及びｗは各々独
立に１〜６の整数である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学増幅型レジスト
組成物に係り、特にバックボーンにラクトンが含まれた
感光性ポリマーよりなるレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程が複雑になり半導体素子
の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要求
される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット級以
上の素子において、デザインルールが０．２μｍ以下の
パターンサイズが要求され、それにより既存のＫｒＦエ
キサイマレーザー（２４８ｎｍ）を用いたレジスト材料
を使用するのに限界がある。したがって、新しいエネル
ギー露光源のＡｒＦエキサイマレーザー（１９３ｎｍ）
を用いたリソグラフィー技術が登場した。
【０００３】このようなＡｒＦエキサイマレーザーを用
いたリソグラフィーに使われるレジスト材料は既存のレ
ジスト材料に比べて商用化するには多くの問題点があ
る。代表的な問題点としてポリマーの透過度及び乾式蝕
刻に対する耐性を挙げられる。
【０００４】いままで知られた一般的なＡｒＦレジスト
組成物はアクリル系またはメタクリル系ポリマーを主に
用いてきた。そのうち、次のような構造の脂環式保護基
（ａｌｉｃｙｃｌｉｃ ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ ｇｒｏ
ｕｐ）を有するメタクリレートコポリマーが提案された
（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，９（３），ｐ５０９（１９９６）参照）。
【０００５】
【化２８】
【０００６】前記構造のコポリマーのメタクリレートバ
ックボーンには、乾式蝕刻に対する耐性を増加させるた
めのアダマンチル基と、接着特性を改善するためのラク
トン基を導入した。その結果、レジストの解像度及び焦
点深度の側面では優れた結果を示したが、乾式蝕刻に対
する耐性が相変らず弱く、前記レジスト膜からラインパ
ターンを形成した時にひどいラインエッジ粗度が観察さ
れる。
【０００７】また、前記構造のようなポリマーを得るた
めに使われる原料の製造コストが非常に高いという問題
点がある。特に、接着特性改善のためにラクトン基を導
入したモノマーの製造コストが高すぎてレジスト用とし
て商用化し難い。したがって、常用可能なレジスト材料
として商業化するためには高コストのモノマーを代えら
れる新しいモノマーの導入が大切である。
【０００８】また他の従来の技術に係るレジスト組成物
として次の構造のようなＣＯＭＡ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆ
ｉｎ−ｍａｌｅｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）交互重合体
よりなるものが提案された（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙ
ｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１２（４），ｐ５５３
（１９９９）及び米国特許第５，８４３，６２４号参
照）。
【０００９】
【化２９】
【００１０】前記構造のＣＯＭＡシステムのような共重
合体の製造においては、原料の製造コストは低いのに対
してポリマー製造時に合成収率が顕著に低くなる問題が
ある。また、短波長領域、例えば１９３ｎｍ領域でポリ
マーの透過度が非常に低いという短所を有している。さ
らに、前記構造で合成されたポリマーは疎水性が非常に
強い脂環基をバックボーンとして有しているので膜質に
対する接着特性が悪い。
【００１１】また、バックボーンの構造的特性によって
約２００℃以上の高いガラス転移温度を有する。その結
果、前記構造のポリマーから得られるレジスト膜内に存
在する自由体積を除去するためのアニーリング工程を適
用し難く、したがって周囲環境による影響を多く受け、
例えば、レジストパターンでＴ−トッププロファイルが
発生でき、ＰＥＤ（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｄｅ
ｌａｙ）時にもレジスト膜の周囲雰囲気に対する安全性
が低下して、前記レジスト膜を用いる工程で多くの問題
点を起こしうる。
【００１２】一般に、レジスト膜の解像度を増加させる
ためにはポリマーシステムが極性を有するようにするこ
とが大切である。それにより、最近はメタクリレートモ
ノマーユニットの乾式蝕刻に対する耐性を増加させるた
めに、次の構造のようにラクトン基を含有する脂環式化
合物を用いてメタクリレートモノマーユニットにラクト
ン基を含む脂環式保護基を導入させた技術が開示された
（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，ｖｏｌ．１３，Ｎｕｍｂｅｒ ４（２０００）ｐ
６０１及び特開平１２−２６４４６号参照）。
【００１３】
【化３０】 しかし、前記構造の場合にはモノマーを合成する際の収
率が低すぎるために製造コストが高まる問題がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の従来の技術の問題点を解決するためのものであって、
製造コストが低く、乾式蝕刻に対する耐性、下部膜質に
対する接着特性、ラインパターンでのラインエッジ粗度
程度、コントラスト特性など超微細化されたパターンサ
イズを実現するのに必要なレジスト材料で要求される特
性を向上させうるレジスト組成物を提供することであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一様態に係るレジスト組成物は、次の構造
で表示される繰返し単位のうちから選択される少なくと
も一つの繰返し単位と、
【００１６】
【化３１】
【００１７】式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立に水素原子、
アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルキルオキシ
基、カルボニル基またはエステル基であり、ｘ及びｙは
各々独立に１〜６の整数である。
【００１８】アクリレートモノマー、メタクリレートモ
ノマー、無水マレイン酸モノマー及びノルボルネンモノ
マーよりなる群から選択される少なくとも一つのコモノ
マーである繰返し単位との重合生成物よりなる感光性ポ
リマーと、ＰＡＧ（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａ
ｔｏｒ）とを含む。
【００１９】本発明の一様態に係るレジスト組成物で、
前記コモノマーは無水マレイン酸モノマーよりなりう
る。この時、前記感光性ポリマーは次の構造より選択さ
れる一つの構造を有しうる。
【００２０】
【化３２】
【００２１】式中、ｍとｑはそれぞれ独立に正の整数
で、ｍ／（ｍ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
【００２２】
【化３３】
【００２３】式中、ｎとｑはそれぞれ独立に正の整数
で、ｎ／（ｎ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
【００２４】
【化３４】
【００２５】式中、ｍ，ｎとｑはそれぞれ独立に正の整
数で、（ｍ＋ｎ）／（ｍ＋ｎ＋ｑ）＝０．０１〜０．５
である。
【００２６】また、本発明の一様態に係るレジスト組成
物で、前記コモノマーはアクリレートモノマーまたはメ
タクリレートモノマーと無水マレイン酸モノマーとを含
みうる。この時、前記感光性ポリマーは次の構造より選
択される一つの構造を有しうる。
【００２７】
【化３５】
【００２８】式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであ
り、Ｒ4は酸により分解されうる基であり、ｍ，ｐとｑ
はそれぞれ独立に正の整数で、ｍ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝
０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝０．１
〜０．６であり、ｑ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６
である。
【００２９】
【化３６】
【００３０】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｎ，ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｎ／（ｎ
＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｎ＋ｐ＋
ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｎ＋ｐ＋ｑ）＝
０．１〜０．６である。
【００３１】
【化３７】
【００３２】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｍ，ｎ，ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｍ
＋ｎ）／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であ
り、ｐ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、
ｑ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である。
【００３３】望ましくは、Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒ
ドロピラニル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の
脂環式炭化水素基を含む。特に望ましくは、Ｒ4は２−
メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボル
ニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２
−イソボルニル、８−メチル−８−トリシクロ［５．
２．１．０2,6］デカニル、８−エチル−８−トリシク
ロ［５．２．１．０2,6］デカニル、２−メチル−２−
アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−ア
ダマンチル−１−メチルエチル、２−メチル−２−フェ
ンキル（ｆｅｎｃｈｙｌ）または２−エチル−２−フェ
ンキル基である。
【００３４】また、本発明の一様態に係るレジスト組成
物で、前記コモノマーはアクリレートモノマーまたはメ
タクリレートモノマー、無水マレイン酸モノマー及びノ
ルボルネンモノマーを含みうる。この時、前記感光性ポ
リマーは次の構造より選択される一つの構造を有しう
る。
【００３５】
【化３８】
【００３６】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素原子、ヒドロキシル
基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチルオキシ
カルボニル基、カルボキシル基、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基、メトキシカルボニル基、または置換または非置換
のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化水素基であり、ｍ，ｐ，ｑと
ｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｍ／（ｍ＋ｐ＋ｑ＋
ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｍ＋ｐ＋ｑ＋
ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｍ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｍ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝
０．１〜０．３である。
【００３７】
【化３９】
【００３８】式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定
義した通りであり、ｎ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正
の整数で、ｎ／（ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５
であり、ｐ／（ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であ
り、ｑ／（ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、
ｒ／（ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である。
【００３９】
【化４０】
【００４０】式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定
義した通りであり、ｍ，ｎ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立
に正の整数で、（ｍ＋ｎ）／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝
０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．３である。
【００４１】本発明の他の様態に係るレジスト組成物
は、次の構造で表示される繰返し単位のうちから選択さ
れる少なくとも一つの繰返し単位と、
【００４２】
【化４１】
【００４３】式中、ｖ及びｗは各々独立に１〜６の整数
である。
【００４４】アクリレートモノマー、メタクリレートモ
ノマー、無水マレイン酸モノマー及びノルボルネンモノ
マーよりなる群から選択される少なくとも一つのコモノ
マーである繰返し単位との重合生成物よりなる感光性ポ
リマーと、ＰＡＧとを含む。
【００４５】本発明の他の様態に係るレジスト組成物
で、前記コモノマーは無水マレイン酸モノマーになりう
る。前記感光性ポリマーは次の構造より選択される一つ
の構造を有しうる。
【００４６】
【化４２】
【００４７】式中、ｋとｑはそれぞれ独立に正の整数
で、ｋ／（ｋ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
【００４８】
【化４３】
【００４９】式中、ｌとｑはそれぞれ独立に正の整数
で、ｌ／（ｌ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
【００５０】
【化４４】
【００５１】式中、ｋ，ｌとｑはそれぞれ独立に正の整
数で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｑ）＝０．０１〜０．５
である。
【００５２】また、本発明の他の様態に係るレジスト組
成物で、前記コモノマーはアクリレートモノマーまたは
メタクリレートモノマーを含みうる。この時、前記感光
性ポリマーは次の構造より選択される一つの構造を有し
うる。
【００５３】
【化４５】
【００５４】式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであ
り、Ｒ4は酸により分解されうる基であり、ｋとｐはそ
れぞれ独立に正の整数で、ｋ／（ｋ＋ｐ）＝０．３〜
０．８である。
【００５５】
【化４６】
【００５６】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｌとｐはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ＋
ｐ）＝０．３〜０．８である。
【００５７】
【化４７】
【００５８】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｋ，ｌとｐはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ＋
ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｐ）＝０．３〜０．８である。
【００５９】また、本発明の他の様態に係るレジスト組
成物で、前記コモノマーはアクリレートモノマーまたは
メタクリレートモノマーと無水マレイン酸モノマーを含
みうる。この時、前記感光性ポリマーは次の構造より選
択される一つの構造を有しうる。
【００６０】
【化４８】
【００６１】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｋ，ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｋ／（ｋ
＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｋ＋ｐ＋
ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｋ＋ｐ＋ｑ）＝
０．１〜０．６である。
【００６２】
【化４９】
【００６３】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｌ，ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ
＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｌ＋ｐ＋
ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｌ＋ｐ＋ｑ）＝
０．１〜０．６である。
【００６４】
【化５０】
【００６５】式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであ
り、ｋ，ｌ，ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ
＋ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であ
り、ｐ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、
ｑ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である。
【００６６】また、本発明の他の様態に係るレジスト組
成物で、前記コモノマーは無水マレイン酸モノマー及び
ノルボルネンモノマーを含みうる。この時、前記感光性
ポリマーは次の構造より選択される一つの構造を有しう
る。
【００６７】
【化５１】
【００６８】式中、Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素原子、
ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシ
エチルオキシカルボニル基、カルボキシル基、ｔ−ブト
キシカルボニル基、メトキシカルボニル基、または置換
または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化水素基であり、
ｋ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｋ／（ｋ＋ｑ
＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｑ／（ｋ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｑ＋ｒ）＝０．１
〜０．３である。
【００６９】
【化５２】
【００７０】式中、Ｒ5及びＲ6は前記定義した通りであ
り、ｌ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ
＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｑ／（ｌ＋ｑ＋
ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｌ＋ｑ＋ｒ）＝
０．１〜０．３である。
【００７１】
【化５３】
【００７２】式中、Ｒ5及びＲ6は前記定義した通りであ
り、ｋ，ｌ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ
＋ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であ
り、ｑ／（ｋ＋ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、
ｒ／（ｋ＋ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である。
【００７３】また、本発明の他の様態に係るレジスト組
成物で、前記コモノマーはアクリレートモノマーまたは
メタクリレートモノマー、無水マレイン酸モノマー及び
ノルボルネンモノマーを含みうる。この時、前記感光性
ポリマーは次の構造より選択される一つの構造を有しう
る。
【００７４】
【化５４】
【００７５】式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は前記定義し
た通りであり、ｋ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整
数で、ｋ／（ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であ
り、ｐ／（ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、
ｑ／（ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／
（ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である。
【００７６】
【化５５】
【００７７】式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定
義した通りであり、ｌ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正
の整数で、ｌ／（ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５
であり、ｐ／（ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であ
り、ｑ／（ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、
ｒ／（ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である。
【００７８】
【化５６】
【００７９】式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定
義した通りであり、ｋ，ｌ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立
に正の整数で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝
０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）
＝０．１〜０．３である。
【００８０】本発明のまた他の様態に係るレジスト組成
物は、次の構造で表示される繰返し単位中から選択され
る少なくとも一つを含む感光性重合体よりなる。
【００８１】
【化５７】
【００８２】式中、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、
Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は各々独立に水素原子または
アルキル基であり、ｚは１〜６の整数である。
【００８３】本発明に係るレジスト組成物で、感光性ポ
リマーの重量平均分子量は３，０００〜１００，０００
である。
【００８４】前記ＰＡＧは、前記感光性ポリマーの質量
を基準として１〜３０質量％の量で含まれる。
【００８５】望ましくは、前記ＰＡＧは、トリアリール
スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン
酸塩またはその混合物よりなる。特に望ましくは、前記
ＰＡＧはトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリ
フェニルスルホニウムアンチモン酸塩、ジフェニルヨー
ドニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチ
モン酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、２，６−ジニトロベンジルスルホン酸塩、ピロガロ
ールトリス（アルキルスルホン酸塩）、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボ
キシイミドトリフレート、トリフェニルスルホニウムノ
ナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メ
トキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−
ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒド
ロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジ
カルボキシイミドノナフレート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロオクタンスルホン酸塩（ＰＦＯＳ：ｐ
ｅｒｆｌｕｏｒｏｏｃｔａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、
ジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ、メトキシジフェニル
ヨードニウムＰＦＯＳ、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨー
ドニウムトリフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド
ＰＦＯＳ、ノルボルネン−ジカルボキシイミドＰＦＯ
Ｓ、またはこれらの混合物よりなる。
【００８６】本発明に係るレジスト組成物は有機塩基を
さらに含みうる。前記有機塩基は、前記感光性ポリマー
の質量を基準として０．０１〜２．０質量％の量で含ま
れる。
【００８７】望ましくは、前記有機塩基は第三級アミン
よりなる化合物を単独でまたは２種以上混合してなる。
前記有機塩基は、トリエチルアミン、トリイソブチルア
ミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミ
ン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンまたは
その混合物である。
【００８８】また、本発明に係るレジスト組成物は、３
０〜２００ｐｐｍの界面活性剤をさらに含みうる。
【００８９】また、本発明に係るレジスト組成物は、前
記感光性ポリマーの質量を基準として０．１〜５０質量
％の溶解抑制剤をさらに含みうる。
【００９０】本発明に係るレジスト組成物を構成する感
光性ポリマーはそのバックボーンに親水性に優れた環状
のラクトンが含まれている。したがって、本発明に係る
レジスト組成物は下部膜質に対して優れた接着力を提供
できると同時に乾式蝕刻に対する耐性に優れ、透過度を
顕著に改善させうる。また、本発明に係るレジスト組成
物を用いてラインパターンを形成した時にラインエッジ
粗度特性が向上し、現像後に得られる溶解コントラスト
特性が顕著に向上してＤＯＦ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏ
ｃｕｓ）マージンが大きくなる。さらに、本発明に係る
感光性ポリマーは適切なガラス転移温度を有しているの
で、これにより得られるレジスト組成物をフォトリソグ
ラフィー工程に適用する時に非常に優れたリソグラフィ
ーパフォーマンスが得られる。
【００９１】
【発明の実施の形態】＜合成例１＞ターポリマーの合成
【００９２】
【化５８】
【００９３】＜合成例１−１＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマンチル） ２−メチルアダマンチルメタクリレート（ＭＡｄＭＡ）
１２．０ｇ、無水マレイン酸（ＭＡ）３．４ｇ、及びα
−アンゲリカラクトン（ＡＧＬ）１．６６ｇをＴＨＦ
（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒｏ ｆｕｒａｎ）１７ｇに溶か
した後、ここにジメチル２、２’−アゾビスイソブチレ
ート（Ｖ６０１）１．３８ｇを添加した。その後、ガス
抜きして７０℃で２０時間重合した。
【００９４】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のターポ
リマーを回収した（収率７２％）。
【００９５】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は１１，４００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．４であった。
【００９６】前記ターポリマーを合成する際に、モノマ
ーの混合比を変化させてポリマーの溶解度を調節するこ
とができる。モノマーの混合比を変化させて前記ターポ
リマーを合成した５つの場合の結果を表１に示した。
【００９７】
【表１】
【００９８】＜合成例１−２＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝８−エチル−８−トリシクロ
［５．２．１．０2,6］デカニル） ８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デ
カニルメタクリレート（ＥＴＣＤＭＡ）１４．８ｇ、Ｍ
Ａ３．４ｇ、及びα−ＡＧＬ１．６６ｇをＴＨＦ２０ｇ
に溶かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソ
ブチレート（Ｖ６０１）１．３８ｇを添加した。その
後、ガス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【００９９】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のターポ
リマーを回収した（収率６５％）。
【０１００】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は１２，１００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．６であった。
【０１０１】＜合成例１−３＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝１−メチルシクロへキシル） １−メチルシクロへキシルメタクリレート（ＭｃｈＭ
Ａ）５．５ｇ、ＭＡ１．７ｇ、及びα−ＡＧＬ０．８３
ｇをＴＨＦ８ｇに溶かした後、ここにジメチル２，２’
−アゾビスイソブチレート（Ｖ６０１）０．６９ｇを添
加した。その後、ガス抜きして７０℃で２０時間重合し
た。
【０１０２】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のターポ
リマーを回収した（収率７１％）。
【０１０３】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は１１，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．６であった。
【０１０４】＜合成例２＞テトラポリマーの合成
【０１０５】
【化５９】
【０１０６】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ６ｇ、ＭＡ１．９ｇ、５，６−ジヒドロ
−２Ｈ−ピラン−２−オン（ＤＨＰｏｎｅ）１．０ｇ、
及びノルボルネン（Ｎｂ）０．６３ｇをＴＨＦ９．７ｇ
に溶かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソ
ブチレート（Ｖ６０１）０．７４ｇを添加した。その
後、ガス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【０１０７】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記構造式の
テトラポリマーを回収した（収率７１％）。
【０１０８】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１２，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．１であった。
【０１０９】＜合成例３＞テトラポリマーの合成
【０１１０】
【化６０】
【０１１１】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ６ｇ、ＭＡ１．９ｇ、α−ＡＧＬ１．２
ｇ、及びＮｂ０．６３ｇをＴＨＦ９．７ｇに溶かした
後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソブチレート
（Ｖ６０１）０．７４ｇを添加した。その後、ガス抜き
して７０℃で２０時間重合した。
【０１１２】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記構造式の
テトラポリマーを回収した（収率７１％）。
【０１１３】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１２，６００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は１．９であった。
【０１１４】前記テトラポリマーを合成する際に、モノ
マーの混合比を変化させてポリマーの溶解度を調節する
ことができる。モノマーの混合比を変化させて前記テト
ラポリマーを合成した６つの場合の結果を表２に示し
た。
【０１１５】
【表２】
【０１１６】＜合成例４＞ターポリマーの合成
【０１１７】
【化６１】
【０１１８】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ１２．０ｇ、ＭＡ３．４ｇ、α−メチレ
ンブチロラクトン（α−ＭＢＬ）１．６６ｇをＴＨＦ１
７ｇに溶かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビス
イソブチレート（Ｖ６０１）１．３８ｇを添加した。そ
の後、ガス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【０１１９】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のターポ
リマーを回収した（収率７３％）。
【０１２０】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１５，４００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．９であった。
【０１２１】＜合成例５＞テトラポリマーの合成
【０１２２】
【化６２】
【０１２３】＜合成例５−１＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマンチル） ２−ＭＡｄＭＡ６ｇ、ＭＡ１．８８ｇ、α−ＭＢＬ０．
６３ｇ、及びＮｂ１．２１ｇをＴＨＦ９．７ｇに溶かし
た後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソブチレー
ト（Ｖ６０１）０．７４ｇを添加した。その後、ガス抜
きして７０℃で２０時間重合した。
【０１２４】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のテトラ
ポリマーを回収した（収率８８％）。
【０１２５】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１５，８００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は３．３であった。
【０１２６】前記テトラポリマーを合成する際に、モノ
マーの混合比を変化させてポリマーの溶解度を調節する
ことができる。モノマーの混合比を変化させてテトラポ
リマーを合成した３つの場合の結果を表３に示した。
【０１２７】
【表３】
【０１２８】＜合成例５−２＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−エチル−アダマンチル） ２−エチルアダマンチルメタクリレート（ＥＡｄＭＡ）
６．４ｇ、ＭＡ１．８８ｇ、α−ＭＢＬ０．６３ｇ、及
びＮｂ１．２１ｇをＴＨＦ９．７ｇに溶かした後、ここ
にジメチル２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ６０
１）０．７４ｇを添加した。その後、ガス抜きして７０
℃で２０時間重合した。
【０１２９】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のテトラ
ポリマーを回収した（収率７８％）。
【０１３０】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１１，６００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は３．０であった。
【０１３１】＜合成例５−３＞ （Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマンチル） ２−ＭＡｄＭＡ６．２ｇ、ＭＡ２．０６ｇ、α−ＭＢＬ
０．６９ｇ、及びＮｂ１．３２ｇをＴＨＦ９．７ｇに溶
かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソブチ
レート（Ｖ６０１）０．７４ｇを添加した。その後、ガ
ス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【０１３２】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のテトラ
ポリマーを回収した（収率７６％）。
【０１３３】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は７，０１０であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は１．９６であった。
【０１３４】＜合成例６＞テトラポリマーの合成
【０１３５】
【化６３】
【０１３６】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ６．４ｇ、ＭＡ１．８８ｇ、γ−ＭＢＬ
０．６３ｇ、及びＮｂ１．２１ｇをＴＨＦ９．７ｇに溶
かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイソブチ
レート（Ｖ６０１）０．７４ｇを添加した。その後、ガ
ス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【０１３７】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のテトラ
ポリマーを回収した（収率８２％）。
【０１３８】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は１４，３００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．８であった。
【０１３９】＜合成例７＞モノマーの合成
【０１４０】
【化６４】
【０１４１】無水ＴＨＦ１００ｍｌに２−ブロモメチル
アクリル酸エチルエステル３０ｇを溶解させた後、この
溶液を、無水ＴＨＦ５０ｍｌに亜鉛１０．６ｇ及び２−
アダマンタノン１５．５ｇを入れて得られた溶液に窒素
条件下で滴下した。得られた溶液を反応温度を６０℃に
維持しつつ１０時間反応させた。反応結果物を室温で冷
却させた後、希塩酸水溶液５００ｍｌに入れ、エーテル
７００ｍｌで二回抽出した。抽出された溶液をＮａＨＣ
Ｏ3水溶液４００ｍｌと水４００ｍｌで洗った後、無水
Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させた。その後、エーテルを減圧下で
蒸留させ、残った残留物をメチレンジクロライドとヘキ
サンとを用いて再結晶させて白色固体の希望のモノマー
Ａを回収した（収率６２％）。
【０１４２】 ＜合成例８＞ターポリマーの合成
【０１４３】
【化６５】
【０１４４】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ７．０３ｇ、ＭＡ１．９６ｇ、及び合成
例７で合成したモノマーＡ２．１８ｇをＴＨＦ１１．２
ｇに溶かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビスイ
ソブチレート（Ｖ６０１）０．６９ｇを添加した。その
後、ガス抜きして７０℃で４時間重合した。
【０１４５】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のターポ
リマーを回収した（収率８６％）。
【０１４６】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は８，２００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．０であった。
【０１４７】前記ターポリマーを合成する際に、モノマ
ーの混合比を変化させてターポリマーを合成した３つの
場合の結果を表４に示した。
【０１４８】
【表４】
【０１４９】＜合成例９＞テトラポリマーの合成
【０１５０】
【化６６】
【０１５１】（Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝２−メチル−アダマ
ンチル） ２−ＭＡｄＭＡ９．７ｇ、ＭＡ４．０６ｇ、合成例７で
合成したモノマーＡ３ｇ、Ｎｂ２．６ｇをＴＨＦ１９．
６ｇに溶かした後、ここにジメチル２，２’−アゾビス
イソブチレート（Ｖ６０１）１．６ｇを添加した。その
後、ガス抜きして７０℃で２０時間重合した。
【０１５２】反応が終わった後、得られた結果物を過量
のイソプロピルアルコールに２回沈殿させ、ろ過した
後、真空オーブン内で２４時間乾燥させて前記のテトラ
ポリマーを回収した（収率８６％）。
【０１５３】この時、得られた生成物の重量平均分子
（Ｍｗ）量は５，５００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は２．４であった。
【０１５４】＜実施例１＞レジスト組成物の製造 合成例１−１ないし１−３、合成例２及び合成例３で得
られたポリマー１．０ｇを各々ＰＡＧのトリフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩（トリフレ
ート）０．０１ｇ及び有機塩基のトリイソデシルアミン
３．２ｍｇと共に、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ
ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ ａｃ
ｅｔａｔｅ）４．０ｇ及びシクロヘキサノン４．０ｇの
混合溶液に入れて完全に溶かした後、各々０．２μｍメ
ンブランフィルターでろ過してそれぞれのレジスト組成
物を得た。これらレジスト組成物を有機ＡＲＣ（Ａｎｔ
ｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）処理され
たＳｉウェーハ上に各々約０．３５μｍの厚さでコーテ
ィングした。
【０１５５】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたそれぞれのウェーハを１３０℃の温度で９０秒
間ソフトベーキングし、ＡｒＦエキサイマレーザーステ
ッパ（ＮＡ＝０．６）を用いて露光した後、１２０℃の
温度で６０秒間ＰＥＢ（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ
ｂａｋｅ）を実施した。
【０１５６】その後、２．３８質量％ＴＭＡＨ（ｔｅｔ
ｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄ
ｅ）溶液を使用して約６０秒間現像してレジストパター
ンを形成した。
【０１５７】その結果、露光ドーズ量を約１０〜３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2とした時、０．１７〜０．２３μｍラインア
ンドスペースパターンが得られることを確認した。
【０１５８】＜実施例２＞レジスト組成物の製造 合成例４、合成例５−１ないし５−３及び合成例６で得
られたポリマー１．０ｇを各々ＰＡＧのトリフレート
０．０１ｇ及び有機塩基のトリイソデシルアミン３．２
ｍｇと共に、ＰＧＭＥＡ４．０ｇ及びシクロヘキサノン
４．０ｇの混合溶液に入れて完全に溶かした後、各々
０．２μｍメンブランフィルターでろ過してそれぞれの
レジスト組成物を得た。これらレジスト組成物を有機Ａ
ＲＣ処理されたＳｉウェーハ上に各々約０．３５μｍの
厚さでコーティングした。
【０１５９】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたそれぞれのウェーハを１３０℃の温度で９０秒
間ソフトベーキングし、ＡｒＦエキサイマレーザーステ
ッパ（ＮＡ＝０．６）を用いて露光した後、１２０℃の
温度で６０秒間ＰＥＢを実施した。
【０１６０】その後、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使
用して約６０秒間現像してレジストパターンを形成し
た。
【０１６１】その結果、露光ドーズ量を約１０〜３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2とした時、０．１７〜０．２３μｍラインア
ンドスペースパターンが得られることを確認した。
【０１６２】
【発明の効果】本発明に係るレジスト組成物を構成する
感光性ポリマーはそのバックボーンに環状のラクトンが
含まれている。したがって、製造コストが非常に低く、
ＡｒＦ用レジスト製造に使われた既存のポリマーが有す
る問題点を解決できる。このような感光性ポリマーから
得られるレジスト組成物は、下部膜質に対して優れた接
着力を提供できると同時に乾式蝕刻に対する耐性に優
れ、透過度を顕著に改善させうる。また、ポリマーのバ
ックボーンに含まれた環状のラクトンは親水性が非常に
大きい。したがって、本発明に係るレジスト組成物より
なるレジスト膜からラインパターンを形成した時にライ
ンエッジラフネス特性が向上し、現像後に得られる溶解
コントラスト特性が顕著に向上してＤＯＦマージンが大
きくなる。
【０１６３】また、本発明に係るレジスト組成物を構成
する感光性ポリマーは約１４０〜１８０℃範囲内の適切
なガラス転移温度を有している。したがって、本発明に
係る感光性ポリマーより製造されたレジスト膜は、ベー
キング工程時に充分のアニーリング効果によって前記レ
ジスト膜内の自由体積が減少し、ＰＥＤ時にもレジスト
膜の周囲雰囲気に対する安定性が向上する。したがっ
て、本発明に係るレジスト組成物をフォトリソグラフィ
ー工程に適用する時に非常に優れたリソグラフィーパフ
ォーマンスを示すことによって、今後に次世代半導体素
子を製造する時に非常に有用に使われうる。
【０１６４】以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されずに、
本発明の技術的思想の範囲内において当分野で通常の知
識を有する者によって種々の変形が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５０３ ５０３Ａ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 李 始 炯 大韓民国京畿道水原市八達区仁渓洞319− ６番地 新盤浦アパート102棟409号 (72)発明者 金 賢 友 大韓民国京畿道城南市盆唐区九美洞211番 地 大林アパート104棟1604号 (72)発明者 李 淑 大韓民国ソウル特別市江南区道谷１洞954 −１番地３層302号 (72)発明者 禹 相 均 大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞957− ６番地 清明碧山アパート336棟1706号 (72)発明者 崔 相 俊 大韓民国ソウル特別市広津区九宜３洞223 −１番地 Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AA09 AA14 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J100 AK32Q AL03Q AL08Q AR11Q AR32P AR32Q BA03P BA04P BA12P BA15P BC08Q BC09Q BC53Q CA03 CA04 CA05 CA06 JA38

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ） （ａ−１）次の構造で表示され
    る繰返し単位のうちから選択される少なくとも一つの繰
    返し単位と、 【化１】 式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立に水素原子、アルキル基、
    ヒドロキシアルキル基、アルキルオキシ基、カルボニル
    基またはエステル基であり、ｘ及びｙは各々独立に１〜
    ６の整数である、 （ａ−２）アクリレートモノマー、メタクリレートモノ
    マー、無水マレイン酸モノマー及びノルボルネンモノマ
    ーよりなる群から選択される少なくとも一つのコモノマ
    ーである繰返し単位との重合生成物よりなる感光性ポリ
    マーと、 （ｂ） ＰＡＧとを含むことを特徴とするレジスト組成
    物。
  2. 【請求項２】 前記コモノマーは無水マレイン酸モノマ
    ーであり、前記感光性ポリマーは次の構造より選択され
    る一つの構造を有することを特徴とする請求項１に記載
    のレジスト組成物： 【化２】 式中、ｍとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｍ／（ｍ＋
    ｑ）＝０．０１〜０．５である； 【化３】 式中、ｎとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｎ／（ｎ＋
    ｑ）＝０．０１〜０．５である； 【化４】 式中、ｍ，ｎとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｍ＋
    ｎ）／（ｍ＋ｎ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
  3. 【請求項３】 前記コモノマーはアクリレートモノマー
    またはメタクリレートモノマーと無水マレイン酸モノマ
    ーを含み、前記感光性ポリマーは次の構造より選択され
    る一つの構造を有することを特徴とする請求項１に記載
    のレジスト組成物： 【化５】 式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであり、Ｒ4は酸によ
    り分解されうる基であり、ｍ，ｐとｑはそれぞれ独立に
    正の整数で、ｍ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５で
    あり、ｐ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ
    ／（ｍ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である； 【化６】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｎ，ｐと
    ｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｎ／（ｎ＋ｐ＋ｑ）＝
    ０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．１
    〜０．６であり、ｑ／（ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６
    である； 【化７】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｍ，ｎ，
    ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｍ＋ｎ）／（ｍ
    ＋ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｍ＋
    ｎ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｍ＋ｎ＋
    ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である。
  4. 【請求項４】 Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニ
    ル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化
    水素基を含むことを特徴とする請求項３に記載のレジス
    ト組成物。
  5. 【請求項５】 Ｒ4は２−メチル−２−ノルボルニル、
    ２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソ
    ボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メチル
    −８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル、８
    −エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ
    ニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２
    −アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチ
    ル、２−メチル−２−フェンキルまたは２−エチル−２
    −フェンキル基であることを特徴とする請求項４に記載
    のレジスト組成物。
  6. 【請求項６】 前記コモノマーはアクリレートモノマー
    またはメタクリレートモノマー、無水マレイン酸モノマ
    ー及びノルボルネンモノマーを含み、前記感光性ポリマ
    ーは次の構造より選択される一つの構造を有することを
    特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物： 【化８】 式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであり、Ｒ4は酸によ
    り分解されうる基であり、Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素
    原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒド
    ロキシエチルオキシカルボニル基、カルボキシル基、ｔ
    −ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、また
    は置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化水素基で
    あり、ｍ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｍ
    ／（ｍ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／
    （ｍ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｍ
    ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｍ＋ｐ
    ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である； 【化９】 式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定義した通りで
    あり、ｎ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｎ
    ／（ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／
    （ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｎ
    ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｎ＋ｐ
    ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である； 【化１０】 式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定義した通りで
    あり、ｍ，ｎ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数
    で、（ｍ＋ｎ）／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜
    ０．５であり、ｐ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．６であり、ｑ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．６であり、ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．３である。
  7. 【請求項７】 Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニ
    ル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化
    水素基を含むことを特徴とする請求項６に記載のレジス
    ト組成物。
  8. 【請求項８】 Ｒ4は２−メチル−２−ノルボルニル、
    ２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソ
    ボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メチル
    −８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル、８
    −エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ
    ニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２
    −アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチ
    ル、２−メチル−２−フェンキルまたは２−エチル−２
    −フェンキル基であることを特徴とする請求項６に記載
    のレジスト組成物。
  9. 【請求項９】 前記感光性ポリマーの重量平均分子量は
    ３，０００〜１００，０００であることを特徴とする請
    求項１に記載のレジスト組成物。
  10. 【請求項１０】 前記ＰＡＧは、前記感光性ポリマーの
    質量を基準として１〜３０質量％の量で含まれることを
    特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
  11. 【請求項１１】 前記ＰＡＧは、トリアリールスルホニ
    ウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩また
    はその混合物よりなることを特徴とする請求項１に記載
    のレジスト組成物。
  12. 【請求項１２】 前記ＰＡＧはトリフェニルスルホニウ
    ムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモン
    酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニ
    ルヨードニウムアンチモン酸塩、メトキシジフェニルヨ
    ードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨ
    ードニウムトリフレート、２，６−ジニトロベンジルス
    ルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキルスルホン酸
    塩）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノ
    ルボルネン−ジカルボキシイミドトリフレート、トリフ
    ェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニ
    ウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノ
    ナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノ
    ナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフレー
    ト、ノルボルネン−ジカルボキシイミドノナフレート、
    トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホ
    ン酸塩（ＰＦＯＳ）、ジフェニルヨードニウムＰＦＯ
    Ｓ、メトキシジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ、ジ−ｔ
    −ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、Ｎ−ヒ
    ドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ、ノルボルネン−ジカ
    ルボキシイミドＰＦＯＳ、またはこれらの混合物よりな
    ることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
  13. 【請求項１３】 有機塩基をさらに含むことを特徴とす
    る請求項１に記載のレジスト組成物。
  14. 【請求項１４】 前記有機塩基は、前記感光性ポリマー
    の質量を基準として０．０１〜２．０質量％の量で含ま
    れることを特徴とする請求項１３に記載のレジスト組成
    物。
  15. 【請求項１５】 前記有機塩基は第三級アミンよりなる
    化合物を単独でまたは２種以上混合してなることを特徴
    とする請求項１３に記載のレジスト組成物。
  16. 【請求項１６】 前記有機塩基は、トリエチルアミン、
    トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリ
    イソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
    ルアミンまたはその混合物であることを特徴とする請求
    項１５に記載のレジスト組成物。
  17. 【請求項１７】 ３０〜２００ｐｐｍの界面活性剤をさ
    らに含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組
    成物。
  18. 【請求項１８】 前記感光性ポリマーの質量を基準とし
    て０．１〜５０質量％の溶解抑制剤をさらに含むことを
    特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
  19. 【請求項１９】 （ａ） （ａ−１）次の構造で表示さ
    れる繰返し単位のうちから選択される少なくとも一つの
    繰返し単位と、 【化１１】 式中、ｖ及びｗは各々独立に１〜６の整数である； （ａ−２）アクリレートモノマー、メタクリレートモノ
    マー、無水マレイン酸モノマー及びノルボルネンモノマ
    ーよりなる群から選択される少なくとも一つのコモノマ
    ーである繰返し単位との重合生成物よりなる感光性ポリ
    マーと、 （ｂ） ＰＡＧとを含むことを特徴とするレジスト組成
    物。
  20. 【請求項２０】 前記コモノマーは無水マレイン酸モノ
    マーであり、前記感光性ポリマーは次の構造より選択さ
    れる一つの構造を有することを特徴とする請求項１９に
    記載のレジスト組成物： 【化１２】 式中、ｋとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｋ／（ｋ＋
    ｑ）＝０．０１〜０．５である； 【化１３】 式中、ｌとｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ＋
    ｑ）＝０．０１〜０．５である； 【化１４】 式中、ｋ，ｌとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ＋
    ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｑ）＝０．０１〜０．５である。
  21. 【請求項２１】 前記コモノマーはアクリレートモノマ
    ーまたはメタクリレートモノマーを含み、前記感光性ポ
    リマーは次の構造より選択される一つの構造を有するこ
    とを特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物： 【化１５】 式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであり、Ｒ4は酸によ
    り分解されうる基であり、ｋとｐはそれぞれ独立に正の
    整数で、ｋ／（ｋ＋ｐ）＝０．３〜０．８である； 【化１６】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｌとｐは
    それぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ＋ｐ）＝０．３〜
    ０．８である； 【化１７】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｋ，ｌと
    ｐはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ＋ｌ
    ＋ｐ）＝０．３〜０．８である。
  22. 【請求項２２】 Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒドロピラ
    ニル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭
    化水素基を含むことを特徴とする請求項２１に記載のレ
    ジスト組成物。
  23. 【請求項２３】 Ｒ4は２−メチル−２−ノルボルニ
    ル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−
    イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メ
    チル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニ
    ル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．
    ０2,6］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２
    −エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−
    メチルエチル、２−メチル−２−フェンキルまたは２−
    エチル−２−フェンキル基であることを特徴とする請求
    項２２に記載のレジスト組成物。
  24. 【請求項２４】 前記コモノマーはアクリレートモノマ
    ーまたはメタクリレートモノマーと無水マレイン酸モノ
    マーを含み、前記感光性ポリマーは次の構造より選択さ
    れる一つの構造を有することを特徴とする請求項１９に
    記載のレジスト組成物： 【化１８】 式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであり、Ｒ4は酸によ
    り分解されうる基であり、ｋ，ｐとｑはそれぞれ独立に
    正の整数で、ｋ／（ｋ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５で
    あり、ｐ／（ｋ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ
    ／（ｋ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である； 【化１９】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｌ，ｐと
    ｑはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ＋ｐ＋ｑ）＝
    ０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．１
    〜０．６であり、ｑ／（ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６
    である； 【化２０】 式中、Ｒ3及びＲ4は前記定義した通りであり、ｋ，ｌ，
    ｐとｑはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ
    ＋ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／（ｋ＋
    ｌ＋ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｋ＋ｌ＋
    ｐ＋ｑ）＝０．１〜０．６である。
  25. 【請求項２５】 Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒドロピラ
    ニル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭
    化水素基を含むことを特徴とする請求項２４に記載のレ
    ジスト組成物。
  26. 【請求項２６】 Ｒ4は２−メチル−２−ノルボルニ
    ル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−
    イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メ
    チル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニ
    ル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．
    ０2,6］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２
    −エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−
    メチルエチル、２−メチル−２−フェンキルまたは２−
    エチル−２−フェンキル基であることを特徴とする請求
    項２５に記載のレジスト組成物。
  27. 【請求項２７】 前記コモノマーは無水マレイン酸モノ
    マー及びノルボルネンモノマーを含み、前記感光性ポリ
    マーは次の構造より選択される一つの構造を有すること
    を特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物： 【化２１】 式中、Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素原子、ヒドロキシル
    基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチルオキシ
    カルボニル基、カルボキシル基、ｔ−ブトキシカルボニ
    ル基、メトキシカルボニル基、または置換または非置換
    のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化水素基であり、ｋ，ｑとｒは
    それぞれ独立に正の整数で、ｋ／（ｋ＋ｑ＋ｒ）＝０．
    ０１〜０．５であり、ｑ／（ｋ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３で
    ある； 【化２２】 式中、Ｒ5及びＲ6は前記定義した通りであり、ｌ，ｑと
    ｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ／（ｌ＋ｑ＋ｒ）＝
    ０．０１〜０．５であり、ｑ／（ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．１
    〜０．６であり、ｒ／（ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３
    である； 【化２３】 式中、Ｒ5及びＲ6は前記定義した通りであり、ｋ，ｌ，
    ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ
    ＋ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｑ／（ｋ＋
    ｌ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｌ＋
    ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である。
  28. 【請求項２８】 前記コモノマーはアクリレートモノマ
    ーまたはメタクリレートモノマー、無水マレイン酸モノ
    マー及びノルボルネンモノマーを含み、前記感光性ポリ
    マーは次の構造より選択される一つの構造を有すること
    を特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物： 【化２４】 式中、Ｒ3は水素原子またはメチルであり、Ｒ4は酸によ
    り分解されうる基であり、Ｒ5及びＲ6は各々独立に水素
    原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒド
    ロキシエチルオキシカルボニル基、カルボキシル基、ｔ
    −ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、また
    は置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭化水素基で
    あり、ｋ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｋ
    ／（ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／
    （ｋ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｋ
    ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｐ
    ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である； 【化２５】 式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定義した通りで
    あり、ｌ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数で、ｌ
    ／（ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜０．５であり、ｐ／
    （ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｑ／（ｌ
    ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．６であり、ｒ／（ｌ＋ｐ
    ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜０．３である； 【化２６】 式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々前記定義した通りで
    あり、ｋ，ｌ，ｐ，ｑとｒはそれぞれ独立に正の整数
    で、（ｋ＋ｌ）／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０１〜
    ０．５であり、ｐ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．６であり、ｑ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．６であり、ｒ／（ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１〜
    ０．３である。
  29. 【請求項２９】 Ｒ4はｔ−ブチル、テトラヒドロピラ
    ニル、または置換または非置換のＣ6〜Ｃ20の脂環式炭
    化水素基を含むことを特徴とする請求項２８に記載のレ
    ジスト組成物。
  30. 【請求項３０】 Ｒ4は２−メチル−２−ノルボルニ
    ル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−
    イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、８−メ
    チル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニ
    ル、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．
    ０2,6］デカニル、２−メチル−２−アダマンチル、２
    −エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−
    メチルエチル、２−メチル−２−フェンキルまたは２−
    エチル−２−フェンキル基であることを特徴とする請求
    項２９に記載のレジスト組成物。
  31. 【請求項３１】 前記感光性ポリマーの重量平均分子量
    は３，０００〜１００，０００であることを特徴とする
    請求項１９に記載のレジスト組成物。
  32. 【請求項３２】 前記ＰＡＧは、前記感光性ポリマーの
    質量を基準として１〜３０質量％の量で含まれることを
    特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物。
  33. 【請求項３３】 前記ＰＡＧは、トリアリールスルホニ
    ウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩また
    はその混合物よりなることを特徴とする請求項１９に記
    載のレジスト組成物。
  34. 【請求項３４】 有機塩基をさらに含むことを特徴とす
    る請求項１９に記載のレジスト組成物。
  35. 【請求項３５】 前記有機塩基は、前記感光性ポリマー
    の質量を基準として０．０１〜２．０質量％の量で含ま
    れることを特徴とする請求項３４に記載のレジスト組成
    物。
  36. 【請求項３６】 前記有機塩基は、第三級アミンよりな
    る化合物を単独でまたは２種以上混合してなることを特
    徴とする請求項３４に記載のレジスト組成物。
  37. 【請求項３７】 前記有機塩基は、トリエチルアミン、
    トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリ
    イソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
    ルアミンまたはその混合物であることを特徴とする請求
    項３６に記載のレジスト組成物。
  38. 【請求項３８】 ３０〜２００ｐｐｍの界面活性剤をさ
    らに含むことを特徴とする請求項１９に記載のレジスト
    組成物。
  39. 【請求項３９】 前記感光性ポリマーの質量を基準とし
    て０．１〜５０質量％の溶解抑制剤をさらに含むことを
    特徴とする請求項１９に記載のレジスト組成物。
  40. 【請求項４０】 次の構造で表示される繰返し単位中か
    ら選択される少なくとも一つを含む感光性重合体よりな
    ることを特徴とするレジスト組成物： 【化２７】 式中、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
    及びＲ15は各々独立に水素原子またはアルキル基であ
    り、ｚは１〜６の整数である。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7316884B2 (en) 2001-10-23 2008-01-08 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. 5-methylene-1,3-dioxolan-4-one derivatives, process for their production, polymers of the derivatives, resist compositions, and pattern formation process
US7427463B2 (en) * 2003-10-14 2008-09-23 Intel Corporation Photoresists with reduced outgassing for extreme ultraviolet lithography
WO2012043685A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
JP2013057925A (ja) * 2011-08-18 2013-03-28 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP2013190499A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
KR20130111997A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP2013213999A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び重合体
JP2013254084A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体、化合物及び化合物の製造方法
JP2015052769A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
WO2020049963A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW538056B (en) * 2000-07-11 2003-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Resist composition comprising photosensitive polymer having lactone in its backbone
TW573227B (en) * 2001-02-19 2004-01-21 Sumitomo Chemical Co Chemical amplifying type positive resist compositions
JP4255100B2 (ja) * 2001-04-06 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ＡｒＦエキシマレ−ザ−露光用ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパタ−ン形成方法
KR100569536B1 (ko) * 2001-12-14 2006-04-10 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｅｌａｃｓ 물질을 이용하여 패턴 붕괴를 방지하는 방법
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
US7011923B2 (en) * 2004-04-07 2006-03-14 International Business Machines Corporation Negative photoresist and method of using thereof
JP2008519863A (ja) * 2004-11-12 2008-06-12 シアトル ジェネティクス インコーポレイティッド Ｎ末端にアミノ安息香酸単位を有するオーリスタチン
KR100574496B1 (ko) * 2004-12-15 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부반사방지막 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물
KR100574495B1 (ko) * 2004-12-15 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 광산발생제 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물
DE102005060061A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-07 Hynix Semiconductor Inc., Ichon Polymer für die Immersionslithographie, Photoresistzusammensetzung, die selbiges enthält, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
WO2008118931A2 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Shell Oil Company Wellbore communication, downhole module, and method for communicating
US8802347B2 (en) * 2009-11-06 2014-08-12 International Business Machines Corporation Silicon containing coating compositions and methods of use
US20140170498A1 (en) * 2010-01-18 2014-06-19 Enevate Corporation Silicon particles for battery electrodes
JP6297269B2 (ja) * 2012-06-28 2018-03-20 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ポリマー組成物、このポリマー組成物を含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストを含むコーティングされた物品

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3425243B2 (ja) * 1994-11-07 2003-07-14 株式会社東芝 電子部品のパターン形成方法
JP3479573B2 (ja) * 1995-07-14 2003-12-15 三菱レイヨン株式会社 プラスチック光ファイバ
JPH09231788A (ja) * 1995-12-19 1997-09-05 Fujitsu Ltd シフトレジスタ及びプログラマブル論理回路並びにプログラマブル論理回路システム
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6280897B1 (en) * 1996-12-24 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive composition, method for forming pattern using the same, and method for manufacturing electronic parts
GB9807169D0 (en) * 1998-04-03 1998-06-03 Astec Europ Trap for catching insects
JP3042618B2 (ja) 1998-07-03 2000-05-15 日本電気株式会社 ラクトン構造を有する（メタ）アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
US6303266B1 (en) * 1998-09-24 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same
WO2000058297A2 (en) * 1999-03-30 2000-10-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company PROCESS FOR THE PREPARATION OF α-METHYLENE LACTONES
KR100549160B1 (ko) * 1999-10-13 2006-02-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6642346B2 (en) * 2000-02-28 2003-11-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Coating compositions containing substituted and unsubstituted exomethylene lactone or lactam monomers
WO2001098410A2 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 E.I. Dupont De Nemours And Company BLENDS OF POLY[α-METHYLENELACT(ONE)(AM)] HOMO- AND COPOLYMERS
TW538056B (en) * 2000-07-11 2003-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Resist composition comprising photosensitive polymer having lactone in its backbone
KR20030065577A (ko) * 2000-12-29 2003-08-06 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 알파-메틸렌 락톤 단독 중합체 및 공중합체 조성물,그로부터 제조된 시트와 물품, 및 그의 제조 방법
TW573222B (en) * 2001-02-14 2004-01-21 Shinetsu Chemical Co Polymer, resist composition and patterning process
KR100408400B1 (ko) * 2001-02-22 2003-12-06 삼성전자주식회사 산에 의해 분해가능한 보호기를 갖는 락톤기를 포함하는감광성 모노머, 감광성 폴리머 및 화학증폭형 레지스트조성물
WO2002069038A2 (en) * 2001-02-25 2002-09-06 Shipley Company, L.L.C. Novel polymers and photoresist compositions comprising same
US7427463B2 (en) * 2003-10-14 2008-09-23 Intel Corporation Photoresists with reduced outgassing for extreme ultraviolet lithography

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7316884B2 (en) 2001-10-23 2008-01-08 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. 5-methylene-1,3-dioxolan-4-one derivatives, process for their production, polymers of the derivatives, resist compositions, and pattern formation process
US7427463B2 (en) * 2003-10-14 2008-09-23 Intel Corporation Photoresists with reduced outgassing for extreme ultraviolet lithography
JP5678963B2 (ja) * 2010-09-30 2015-03-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
WO2012043685A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
US9459532B2 (en) 2010-09-30 2016-10-04 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and compound
JP2013057925A (ja) * 2011-08-18 2013-03-28 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP2013190499A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
US9329474B2 (en) 2012-04-02 2016-05-03 Jsr Corporation Photoresist composition and resist pattern-forming method
KR20130111997A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP2013213999A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び重合体
JP2013254084A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Jsr Corp フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体、化合物及び化合物の製造方法
JP2015052769A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
WO2020049963A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
CN112639620A (zh) * 2018-09-07 2021-04-09 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
JPWO2020049963A1 (ja) * 2018-09-07 2021-08-26 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP7039715B2 (ja) 2018-09-07 2022-03-22 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
US12001140B2 (en) 2018-09-07 2024-06-04 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

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