JP2002026251A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002026251A5 JP2002026251A5 JP2000210475A JP2000210475A JP2002026251A5 JP 2002026251 A5 JP2002026251 A5 JP 2002026251A5 JP 2000210475 A JP2000210475 A JP 2000210475A JP 2000210475 A JP2000210475 A JP 2000210475A JP 2002026251 A5 JP2002026251 A5 JP 2002026251A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power terminals
- power
- power terminal
- main surface
- overlapping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 互いに相重なった少なくとも3つの電力端子と、
第1の主面、および前記第1の主面に相対しておりそして平行である第2の主面を有する少なくとも一つの半導体チップとを有し、
前記第1および第2の主面は、前記少なくとも3つ電力端子のうちの所定の2つの電力端子の間に平行に挟まれており、
前記少なくとも一つの半導体チップの前記第1および第2の主面は、前記所定の2つの電力端子に、ボンディングワイヤを使用せずに電気的に接続されている
半導体装置。 - 互いに相重なった少なくとも3つの電力端子と、
第1の主面、および前記第1の主面に相対しておりそして平行である第2の主面を有する少なくとも一つの半導体チップとを有し、
前記第1および第2の主面は、前記少なくとも3つ電力端子のうちの所定の2つの電力端子の間に平行に挟まれており、
前記少なくとも一つの半導体チップの前記第1および第2の主面は、前記所定の2つの電力端子に、ボンディングワイヤを使用せずに電気的に接続されており、
前記2つの電力端子の間に挟まれている前記少なくとも一つの半導体チップの第1の主面は前記2つの電力端子のうちの一方の電力端子に半田付けまたは圧接により接続され、そして第2の主面は前記2つの電力端子のうちの他方の電力端子に半田付けまたは圧接により接続されている半導体装置。 - 前記相重なった電力端子のうち一方の端に位置する電力端子と、前記相重なった電力端子のうち他方の端に位置する電力端子が同一方向に引き出されている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記相重なった電力端子のうち中間に位置する電力端子が、前記一方の端または前記他方の端に位置する電力端子とは反対方向にまたは、90°差のある方向に引き出されている請求項1乃至3のいずれか 1 項に記載の半導体装置。
- 前記所定の2つの電力端子間に挟まれる前記少なくとも一つの半導体チップは、一方の面が半田付けまたは圧接により前記所定の2つの電力端子のうち一方の電力端子に接続され、他方の面が緩衝板をへて半田付けまたは圧接により前記所定の2つの電力端子のうち他方の電力端子に接続されている請求項1乃至4のいずれか 1 項に記載の半導体装置。
- 前記相重なった電力端子のうちの一方の端に位置する電力端子と他方の端に位置する電力端子に流れる電流が反対向きに流れるように、前記少なくとも一つの半導体チップが配置された請求項1乃至5のいずれか 1 項に記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つの半導体チップには少なくとも一つのトランジスタチップと少なくとも一つのダイオードチップが含まれており、前記トランジスタチップに制御電極が接続されており、
前記制御電極は、前記相重なった電力端子の一方の端または前記相重なった電力端子の他方の端に位置する電力端子に対し反対方向にまたは、90°差のある方向に引き出されている請求項1乃至6のいずれか 1 項に記載の半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000210475A JP2002026251A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 半導体装置 |
TW90115789A TW498550B (en) | 2000-07-11 | 2001-06-28 | Semiconductor device |
KR10-2001-0041156A KR100430772B1 (ko) | 2000-07-11 | 2001-07-10 | 반도체장치 |
US09/900,946 US6885096B2 (en) | 2000-07-11 | 2001-07-10 | Semiconductor device having at least three power terminals superposed on each other |
EP20010115799 EP1172850A3 (en) | 2000-07-11 | 2001-07-11 | Semiconductor device having at least three power terminals superposed on each other |
CNB011223839A CN1204623C (zh) | 2000-07-11 | 2001-07-11 | 半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000210475A JP2002026251A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002026251A JP2002026251A (ja) | 2002-01-25 |
JP2002026251A5 true JP2002026251A5 (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=18706739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000210475A Abandoned JP2002026251A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6885096B2 (ja) |
EP (1) | EP1172850A3 (ja) |
JP (1) | JP2002026251A (ja) |
KR (1) | KR100430772B1 (ja) |
CN (1) | CN1204623C (ja) |
TW (1) | TW498550B (ja) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2244289B1 (en) | 2000-04-19 | 2014-03-26 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
JP3847676B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2006-11-22 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
US7042086B2 (en) * | 2002-10-16 | 2006-05-09 | Nissan Motor Co., Ltd. | Stacked semiconductor module and assembling method of the same |
DE102004015654A1 (de) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Luk Lamellen Und Kupplungsbau Beteiligungs Kg | Endstufe zum Ansteuern einer elektrischen Maschine |
FR2855912B1 (fr) | 2003-06-04 | 2006-04-14 | Alstom | Cellule de commutation de puissance, et procede de fabrication de la cellule |
CN100546028C (zh) * | 2003-08-18 | 2009-09-30 | 三垦电气株式会社 | 半导体装置 |
JP4323299B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2009-09-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE102004027185B4 (de) * | 2004-06-03 | 2008-08-28 | Infineon Technologies Ag | Niederinduktives Halbleiterbauelement mit Halbbrückenkonfiguration |
JP4743396B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-08-10 | ヤマハ発動機株式会社 | パワーモジュール、モータコントロールユニット、電動輸送機器およびパワーモジュールの製造方法 |
JP2006229180A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-31 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
JP4478049B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2010-06-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4552810B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2010-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
TWI302813B (en) * | 2006-01-11 | 2008-11-01 | Via Tech Inc | Circuit board and electronic assembly |
JP4564937B2 (ja) | 2006-04-27 | 2010-10-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置 |
US8129836B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-03-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4829690B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2011-12-07 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5232367B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2013-07-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4820233B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-11-24 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置 |
US8045335B2 (en) | 2006-08-09 | 2011-10-25 | Honda Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI315567B (en) * | 2006-11-10 | 2009-10-01 | Via Tech Inc | Electronic assembly and circuit board |
JP5227532B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2013-07-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | インバータ回路用の半導体モジュール |
JP2009043820A (ja) | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Rohm Co Ltd | 高効率モジュール |
US7773381B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-08-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5092654B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-12-05 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US9064737B2 (en) | 2007-11-13 | 2015-06-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Power semiconductor module |
RU2462787C2 (ru) * | 2007-11-13 | 2012-09-27 | Сименс Акциенгезелльшафт | Модуль силовых полупроводниковых приборов |
JP4580997B2 (ja) | 2008-03-11 | 2010-11-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5067267B2 (ja) | 2008-06-05 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP5253430B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-07-31 | 株式会社豊田中央研究所 | パワーモジュール |
WO2010109808A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | パナソニック株式会社 | 車載用電子装置 |
WO2010131679A1 (ja) | 2009-05-14 | 2010-11-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP5481148B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-04-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置 |
FR2951019B1 (fr) * | 2009-10-07 | 2012-06-08 | Valeo Etudes Electroniques | Module de puissance pour vehicule automobile |
JP5581724B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-09-03 | ダイキン工業株式会社 | 電力変換装置 |
US8513784B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-08-20 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | Multi-layer lead frame package and method of fabrication |
JP5494147B2 (ja) | 2010-04-06 | 2014-05-14 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP5440335B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2014-03-12 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP5242629B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2013-07-24 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
CN102906874B (zh) | 2010-05-21 | 2015-11-25 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体模块 |
JP2010258485A (ja) * | 2010-08-24 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US9236330B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-01-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Power module |
US8963338B2 (en) * | 2011-03-02 | 2015-02-24 | International Rectifier Corporation | III-nitride transistor stacked with diode in a package |
JP5387620B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2014-01-15 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置、半導体装置および電力変換装置の製造方法 |
US8987777B2 (en) * | 2011-07-11 | 2015-03-24 | International Rectifier Corporation | Stacked half-bridge power module |
JP2012074730A (ja) * | 2011-12-07 | 2012-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール |
CN102857078A (zh) * | 2012-01-05 | 2013-01-02 | 中国电力科学研究院 | 一种基于焊接型igbt与压接型二极管反并联结构的换流单元 |
JPWO2013121691A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
ITMI20120711A1 (it) * | 2012-04-27 | 2013-10-28 | St Microelectronics Srl | Dispositivo di potenza |
ITMI20120713A1 (it) | 2012-04-27 | 2013-10-28 | St Microelectronics Srl | Sistema elettronico a montaggio attraverso fori passanti con elementi di dissipazione serrati tra loro contro corpo isolante |
JP5444486B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-03-19 | 株式会社東芝 | インバータ装置 |
JPWO2015005181A1 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 電力変換部品 |
CN103367305A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-10-23 | 西安永电电气有限责任公司 | 一种用于igbt器件的电连接结构 |
DE102013219192A1 (de) * | 2013-09-24 | 2015-03-26 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Leistungsmodul, Stromrichter und Antriebsanordnung mit einem Leistungsmodul |
CN106663676B (zh) * | 2014-08-29 | 2019-05-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及多相用半导体装置 |
JP6417947B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2018-11-07 | 株式会社デンソー | 三相インバータ回路の実装構造 |
JP6166460B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2017-07-19 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
CN107851634B (zh) * | 2015-05-22 | 2020-06-30 | Abb电网瑞士股份公司 | 功率半导体模块 |
KR101629470B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2016-06-14 | 주식회사 에코세미텍 | 전력용 반도체 모듈의 조립방법 및 이를 이용하여 제조된 전력용 반도체 모듈 |
JP6497286B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-04-10 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP6690280B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2020-04-28 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
CN105789292A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-07-20 | 湖南大学 | 一种单芯片双向igbt单管的封装结构 |
CN105789293A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-07-20 | 湖南大学 | 一种单芯片双向igbt模块的封装结构 |
CN105914196A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-08-31 | 江西中能电气科技股份有限公司 | 一种单芯片双向igbt单管的封装结构 |
DE102016120778B4 (de) * | 2016-10-31 | 2024-01-25 | Infineon Technologies Ag | Baugruppe mit vertikal beabstandeten, teilweise verkapselten Kontaktstrukturen |
FR3060243B1 (fr) * | 2016-12-12 | 2019-08-23 | Institut Vedecom | Module de commutation de puissance, convertisseur integrant celui-ci et procede de fabrication |
WO2018150449A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 日本精工株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法と、これを備えた駆動装置、電動パワーステアリング装置 |
JP6786416B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2020-11-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
DE102017213759A1 (de) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | Schweizer Electronic Ag | Leiterplattenelement und Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements |
JP2019046899A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
DE102017217352A1 (de) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Stromschiene und leistungsmodul |
JP7438071B2 (ja) | 2020-09-15 | 2024-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US20220352137A1 (en) * | 2020-11-02 | 2022-11-03 | Dynex Semiconductor Limited | High power density 3d semiconductor module packaging |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4426689A (en) * | 1979-03-12 | 1984-01-17 | International Business Machines Corporation | Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging |
US4454529A (en) * | 1981-01-12 | 1984-06-12 | Avx Corporation | Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies |
JP3053298B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2000-06-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH06151685A (ja) | 1992-11-04 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Mcp半導体装置 |
JPH06188335A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置 |
US5644161A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Staktek Corporation | Ultra-high density warp-resistant memory module |
US5408128A (en) * | 1993-09-15 | 1995-04-18 | International Rectifier Corporation | High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing |
JP2606116B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5532512A (en) * | 1994-10-03 | 1996-07-02 | General Electric Company | Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures |
US5872403A (en) * | 1997-01-02 | 1999-02-16 | Lucent Technologies, Inc. | Package for a power semiconductor die and power supply employing the same |
US6208521B1 (en) * | 1997-05-19 | 2001-03-27 | Nitto Denko Corporation | Film carrier and laminate type mounting structure using same |
JP3220900B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2001-10-22 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP3533317B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2004-05-31 | 株式会社東芝 | 圧接型半導体装置 |
JPH11163045A (ja) | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6060795A (en) * | 1998-03-18 | 2000-05-09 | Intersil Corporation | Semiconductor power pack |
FR2786655B1 (fr) * | 1998-11-27 | 2001-11-23 | Alstom Technology | Dispositif electronique de puissance |
-
2000
- 2000-07-11 JP JP2000210475A patent/JP2002026251A/ja not_active Abandoned
-
2001
- 2001-06-28 TW TW90115789A patent/TW498550B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-10 KR KR10-2001-0041156A patent/KR100430772B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-10 US US09/900,946 patent/US6885096B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-11 EP EP20010115799 patent/EP1172850A3/en not_active Withdrawn
- 2001-07-11 CN CNB011223839A patent/CN1204623C/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002026251A5 (ja) | ||
US7898080B2 (en) | Power semiconductor device comprising a semiconductor chip stack and method for producing the same | |
TWI459536B (zh) | 多晶片封裝 | |
CN100461401C (zh) | 半导体器件 | |
US8791560B2 (en) | Interdigitated conductive support for GaN semiconductor die | |
JP6202195B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7821128B2 (en) | Power semiconductor device having lines within a housing | |
TW201220440A (en) | Integrated power converter package with die stacking | |
KR20020006453A (ko) | 반도체장치 | |
JP2015530748A (ja) | 低いオン抵抗を有する、垂直にスタックされたパワーfet及び同期バックコンバータ | |
JP2004208411A (ja) | ハーフブリッジ回路用半導体モジュール | |
JP3941728B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2007110870A5 (ja) | ||
WO2002080290A3 (en) | Bistable molecularr mechanical devices with a band gap change activated by an electric field for electronic switching, gating and memory applications. | |
US7696612B2 (en) | Multiphase synchronous buck converter | |
TWI220573B (en) | Integrated circuit driver having stable bootstrap power supply | |
WO2003034491A3 (en) | Semiconductor component | |
JP2007053371A (ja) | ライン要素を備えたパワー半導体モジュール | |
JP2007116172A (ja) | パワー半導体モジュール | |
TW200509759A (en) | Circuit device | |
WO2014192348A1 (ja) | 半導体装置 | |
CN105489578B (zh) | 叠层芯片封装结构 | |
JP5880664B1 (ja) | 半導体装置 | |
CN109716515A (zh) | 半导体装置 | |
JP6585847B2 (ja) | 電動機のための電力モジュール |