CN105789292A - 一种单芯片双向igbt单管的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距；通过将两发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。
Description
技术领域
本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种结合了金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管优点的电力电子器件。IGBT以其优异的性能得到了广泛的应用，极大地提升了电力电子装置和系统的性能。
传统的交流-直流-交流变换器(AC-DC-AC变换器)，需要大容量的电容器来维持中间直流环节(DC环节)的稳定运行，使得变换器的体积、重量都较大。此外，与功率器件相比，电容器的使用寿命明显不足，从而影响了变换器的可靠性和使用寿命。交流-交流变换器(AC-AC变换器)省去了中间直流环节，同时对功率器件提出了新的要求——双向可控开关。如图1-图4所示，传统逆阻型IGBT能够双向阻断电压，但只能单向导通电流，由两只反并联的分立式逆阻型IGBT构成的双向可控开关才能满足要求；而该双向可控开关存在着体积、重量大等不足，在一定程度上制约了AC-AC变换器的性能。其中，G为门极，E为发射极，C为集电极。
单芯片双向IGBT器件的问世解决了这一问题，如图6-图8所示，单芯片双向IGBT器件有两个门极区(即第一门极G1和第二门极G2)和两个发射极区(即第一发射极E1和第二发射极E2)。如图所示，第一门极G1和第一发射极E1位于单芯片双向IGBT器件的上表面；第二门极G2和第二发射极E2位于单芯片双向IGBT器件的下表面。单芯片双向IGBT器件的四个电极相互之间绝缘。
图5为单芯片双向IGBT单管的原理图，通过控制单芯片双向IGBT器件的两个门极与对应的两个发射极之间的电压，可实现电流双向导通与电压双向阻断。目前对单芯片双向IGBT器件的研究工作主要集中在器件的结构优化和制备工艺上，但针对器件特点，结合电力电子装置的应用要求，对单芯片双向IGBT器件的封装进行的研究报道较少。
比如，矩阵式变换器是一种新型的交流－交流电源变换器，具有不需要直流储能环节、可四象限运行等显著优点，是电力电子技术研究的热点之一，并有着广泛的应用前景。矩阵式变换器对功率器件提出了新的要求——双向可控开关。两只反并联的传统逆阻型IGBT器件或是一只单芯片双向IGBT器件均可满足此要求，但针对单芯片双向IGBT器件的特点，并结合矩阵式变换器的应用，采用何种方式对单芯片双向IGBT器件进行封装能更好发挥矩阵式变换器的作用的研究较少。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，解决现有单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装，且传统封装得到的IGBT单管散热能力较弱的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距。
其中，还包括绝缘外壳，单芯片双向IGBT器件在所述绝缘外壳与所述底部金属板、顶部金属板围合的空间内，所述底部金属板的下表面和所述顶部金属板的上表面外露。
其中，单芯片双向IGBT器件的第一门极、第二门极、顶部金属板和底部金属板分别与对应的外部引脚连接，所述对应的外部引脚延伸至所述绝缘外壳与所述底部金属板、顶部金属板围合的空间外。
其中，单芯片双向IGBT器件的第一门极通过金属键合线与其所对应的外部引脚连接，单芯片双向IGBT器件的第二门极通过金属键合线与其所对应的外部引脚连接。
其中，所述顶部金属板与其所对应的外部引脚焊接，所述底部金属板与其所对应的外部引脚焊接。
其中，还包括绝缘衬垫，所述绝缘衬垫设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述绝缘衬垫、底部金属板、顶部金属板在对应位置均设有安装通孔。
其中，所述顶部金属板与第一门极对应位置设有开口，所述底部金属板与第二门极对应位置设有开口。
其中，所述底部金属板和所述顶部金属板具有不规则的形状。
(三)有益效果
本发明的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构，通过将单芯片双向IGBT器件的两个发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。
除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成的技术方案的技术特征以及有这些技术方案的技术特征所带来的优点之外，本发明的其他技术特征及这些技术特征带来的优点，将结合附图作出进一步说明。
附图说明
图1是由两只反并联的逆阻型IGBT构成的双向可控开关的原理图；
图2是传统逆阻型IGBT器件的右侧视图；
图3是传统逆阻型IGBT器件的俯视图；
图4是传统逆阻型IGBT器件的仰视图；
图5是单芯片双向IGBT单管的原理图；
图6是单芯片双向IGBT器件的右侧视图；
图7是单芯片双向IGBT器件的俯视图；
图8是单芯片双向IGBT器件的仰视图；
图9是本发明实施例单芯片双向IGBT单管封装结构的示意图(顶部金属板未焊接，绝缘外壳未安装)；
图10是本发明实施例单芯片双向IGBT单管封装结构的示意图(顶部金属板已焊接，绝缘外壳未安装)；
图11是本发明实施例单芯片双向IGBT单管封装结构在封装完成后的示意图。
图中，G：门极；E：发射极：C：集电极；G1：第一门极；G2：第二门极；E1：第一发射极：E2：第二发射极；J：外部引脚；JG1：第一引脚；JG2：第二引脚；JE1：第三引脚；JE2：第四引脚；1：单芯片双向IGBT器件；2：顶部金属板；2a：顶部金属板安装通孔；2b：开口；3：底部金属板4：绝缘外壳；5：金属键合线；6：第二发射极焊接区；7：绝缘衬垫；7a：绝缘衬垫安装通孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设有”、“置于”、“相连”、“连接”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中，如图6-图8所示的即是单芯片双向IGBT器件，将单芯片双向IGBT器件进行封装所得到的封装结构也称为单芯片双向IGBT单管。
如图9-图11所示，为本发明提供的一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括底部金属板3和顶部金属板2，单芯片双向IGBT器件1设置在所述底部金属板3和所述顶部金属板2之间，所述顶部金属板2覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件1的第一发射极E1，所述底部金属板3覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件1的第二发射极E2，所述顶部金属板2与第一门极G1保持适当绝缘间距，所述底部金属板3与第二门极G2保持适当绝缘间距。
本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构，通过将单芯片双向IGBT器件的两个发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。
进一步地，还包括绝缘外壳4，单芯片双向IGBT器件1在所述绝缘外壳4与所述底部金属板3、顶部金属板2围合的空间内，所述底部金属板3的下表面和所述顶部金属板2的上表面外露；通过绝缘外壳将单芯片双向IGBT器件、底部金属板以及顶部金属板构成一个整体，起到保护单芯片双向IGBT器件和电气绝缘的作用，底部金属板的下表面和顶部金属板的上表面外露，能起到良好的散热功能。
进一步地，单芯片双向IGBT器件的第一门极G1、第二门极G2、顶部金属板2和底部金属板3分别与对应的外部引脚J连接，所述对应的外部引脚J延伸至所述绝缘外壳4与所述底部金属板3、顶部金属板2围合的空间外；通过绝缘外壳将单芯片双向IGBT器件、底部金属板、顶部金属板以及对应的外部引脚构成一个整体，也起到保护单芯片双向IGBT器件和电气绝缘的作用。
具体的，如图9-图10所示，第一门极G1与第一外部引脚JG1通过金属键合线5连接，第二门极G2与第二外部引脚JG2通过金属键合线5连接，使本发明两个门极分别与对应的外部引脚形成电气连接，也就是说，在一个单芯片双向IGBT器件的两个平面上使用金属键合线形成“双面键合”，“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题得到解决。
具体地，顶部金属板与第三外部引脚JE1焊接连接，第一发射极E1也紧贴顶部金属板，所以第三外部引脚JE1通过顶部金属板与第一发射极E1形成电气连接；底部金属板与第四外部引脚JE2焊接连接，第二发射极E2也紧贴底部金属板，所以第四外部引脚JE2通过底部金属板与第二发射极E2形成电气连接。通过焊接，第二发射极和第二外部引脚连接于底部金属板的上表面，第一发射极和第二外部引脚连接于顶部金属板的下表面，从而，通过和金属板的共同连接，两个发射极与对应引脚形成电气连接。
进一步地，还包括绝缘衬垫7，所述绝缘衬垫7设置在所述底部金属板3和所述顶部金属板2之间，所述绝缘衬垫7、底部金属板3、顶部金属板2在对应位置均设有安装通孔。通过底部金属板、顶部金属板和绝缘衬垫均设置有安装通孔(图中仅指示出了顶部金属板安装通孔2a和绝缘衬垫安装通孔7a，底部金属板的可以看到，但并未通过附图标记示出)，使三者的安装通孔垂直对准，便于单芯片双向IGBT器件的固定和导热装置的安装。
而且，底部金属板3和顶部金属板2应具有足够的厚度和机械强度，满足底部金属板下表面和顶部金属板上表面作为单芯片双向IGBT器件机械安装面的需求。同时，两个机械安装面也作为单芯片双向IGBT器件的导热界面。绝缘衬垫起到支撑底部金属板和顶部金属板的作用，避免安装压力引起金属板过度形变，进而导致焊接在金属板上的器件受损。
由于底部金属板3与第二发射极E2紧贴相连，顶部金属板2与第一发射极E1紧贴相连，因此底部金属板3和第二发射极E2具有相同的电气特性；同理，顶部金属板2与第一发射极E1也具有相同的电气特性。当散热装置需要与两块金属板接触，且保持电中性时，需安装绝缘型导热装置。具体的，在底部金属板的安装通孔中装入绝缘衬套，在底部金属板的下表面与金属散热装置之间、顶部金属板的上表面与金属散热装置之间分别垫装一绝缘型导热垫。使用标准螺钉将封装好的单芯片双向IGBT单管固定在金属散热装置上。封装好的单芯片双向IGBT单管通过金属散热装置扩散自身产生的热量，实现双面散热，同时两块金属板与金属散热装置相互绝缘。
进一步地，在第二发射极E2与底部金属板3焊接良好的前提下，所述底部金属板3具有不规则的外形，保证与第二发射极E2同样位于单芯片双向IGBT器件1下表面的第二门极G2与底部金属板3拥有适当的绝缘间距；在第一发射极E1与顶部金属板2焊接良好的前提下，所述顶部金属板2具有不规则的外形，保证与第一发射极E1同样位于单芯片双向IGBT器件上表面的第一门极G1与顶部金属板2拥有适当的绝缘间距。
具体地，在所述顶部金属板2与第一门极G1对应位置可设有开口，所述底部金属板3与第二门极G2对应位置可设有开口，单芯片双向IGBT器件1在所述绝缘外壳4与所述底部金属板3、顶部金属板2围合的空间内，第一、第二、第三、第四外部引脚(JG1、JG2、LE1、LE2)均延伸至所述绝缘外壳4与所述底部金属板3、顶部金属板2围合的空间外，使单芯片双向IGBT器件1、底部金属板3、顶部金属板2、金属键合线5和外部引脚J构成一个整体，起到保护器件和电气绝缘的作用，底部金属板3的下表面和顶部金属板2的上表面外露，起到良好的散热功能。
优选地，下面将给出一种本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构应用于一台三相-三相矩阵式变换器的实例，但本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构所能应用的电子器件并不限于此，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况适用本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构。该三相-三相矩阵式变换器需选用额定参数为1200V/25A的IGBT器件。采用传统逆阻型IGBT器件制作变换器需要18只对应额定参数的器件；得益于单芯片双向IGBT器件的双向可控特性，采用单芯片双向IGBT器件制作变换器仅需要9只对应额定参数的器件。对单芯片双向IGBT器件的数量需求仅为传统逆阻型IGBT器件的一半。
采用本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构，将单芯片双向IGBT器件封装成为单管，该单管和传统逆阻型IGBT单管在外形、体积和重量等参数上的差别可忽略不计。对比采用单芯片双向IGBT单管制作的矩阵式变换器和采用传统逆阻型IGBT单管制作的矩阵式变换器：单芯片双向IGBT器件的自身特点决定了变换器对单管数量的需求更少；同时，本发明提供的封装结构具有双面散热能力，从而进一步拓展了单管的导热性能，提升了变换器的功率密度；此外，本发明提供的封装结构采用焊接方式，将需要导通大电流的两个发射极与外部引脚相连，该连接形式可显著提升单管以及变换器的耐电流冲击能力和可靠性。由此不难看出，采用本发明提供的封装结构和单芯片双向IGBT器件制成单管，并在此基础上制作出的矩阵式变换器，与采用传统逆阻型IGBT单管制作的矩阵式变换器相比，功率密度的优势明显。
综上所述，本发明提供的单芯片双向IGBT单管的封装结构，通过将单芯片双向IGBT器件的两个发射极分别与对应的所述底部金属板和所述顶部金属板连接，解决了单芯片双向IGBT器件“两个电极共面”这一特点带来的不易封装的问题，同时使单芯片双向IGBT单管的外形、封装工艺与传统分立式逆阻型IGBT单管相兼容，并使单芯片双向IGBT单管具备了双面散热能力，提高了功率密度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：包括底部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距。
2.根据权利要求1所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：还包括绝缘外壳，单芯片双向IGBT器件在所述绝缘外壳与所述底部金属板、顶部金属板围合的空间内，所述底部金属板的下表面和所述顶部金属板的上表面外露。
3.根据权利要求2所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：单芯片双向IGBT器件的第一门极、第二门极、顶部金属板、和底部金属板分别与对应的外部引脚连接，所述对应的外部引脚延伸至所述绝缘外壳与所述底部金属板、顶部金属板围合的空间外。
4.根据权利要求3所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：单芯片双向IGBT器件的第一门极通过金属键合线与其所对应的外部引脚连接，单芯片双向IGBT器件的第二门极通过金属键合线与其所对应的外部引脚连接。
5.根据权利要求4所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：所述顶部金属板与其所对应的外部引脚焊接，所述底部金属板与其所对应的外部引脚焊接。
6.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：还包括绝缘衬垫，所述绝缘衬垫设置在所述底部金属板和所述顶部金属板之间，所述绝缘衬垫、底部金属板、顶部金属板在对应位置均设有安装通孔。
7.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：所述顶部金属板与第一门极对应位置设有开口，所述底部金属板与第二门极对应位置设有开口。
8.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：所述底部金属板和所述顶部金属板具有不规则的形状。
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|---|---|---|---|---|
| CN1333566A (zh) * | 2000-07-11 | 2002-01-30 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160720 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |