JP5253430B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
特許文献1のパワーモジュールは、N電極と第1のパワーデバイスと出力電極と第2のパワーデバイスとP電極を上下に段積みした構成であるために、パワーモジュールの全体を小型化できるという利点がある。
従来のパワーモジュールの場合、一対のパワーデバイスの間に位置している出力電極が、銅や銅合金といった部材で形成されている。これらの部材は、熱伝導率が等方性である。すなわち、積層方向における熱伝導率と、直交方向における熱伝導率が等しい。
一方、一対のパワーデバイスの間での熱干渉を防止しようとするためには、熱伝導率の低い材質で出力電極を形成するのが有利である。しかしながら、上記と同様に出力電極が等方性の熱伝導率を備えるため、出力電極の露出部分からの放熱量が減少してしまう。
本発明の場合、出力電極が、積層方向への熱伝導率よりも積層方向に直交する直交方向への熱伝導率の方が大きいという異方性を備えている。また出力電極は、一対のパワーデバイスの積層範囲から直交方向に伸びている。N電極とP電極は、対向する位置関係を維持して直交方向に伸びている。
その場合、N電極とP電極が、縮められた間隔を維持して直交方向に伸びる部分を備える。そのため、N電極とP電極に逆向きに電流が流れることによって、上述した相互インダクタンスが発生する。結果、寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
(形態1) パワーデバイスには縦型のIGBTまたはFETが使用されている。
(形態2) 出力電極には、平板状の自励式ヒートパイプ又はグラファイト材料が用いられる。
(形態3) 出力電極用冷却器はシリコン製のものを用いている。
(形態4) N電極とP電極は、互いに平行に対向配置させることが、寄生インダクタンスを減少させる相互インダクタンスを効果的に発生させるうえで好ましい。
(形態5) N電極とP電極の対向長ができるだけ長いほうが寄生インダクタンスを減少させる相互インダクタンスを得られる部分が長くなるため、両電極は、パワーデバイスのできるだけ近傍から近接させて対向させることが好ましい。
(形態6) 互いに近接させて対向配置したN電極とP電極の間に備えられるコンデンサは、SrTiO3を主成分とする薄板状のものを用いている。
(形態7) 熱電変換素子の周囲は熱マス部材で囲まれており、その熱マス部材には冷却器が備え付けられている。
(形態8) パワーデバイスに横型のIGBTまたはFETが使用されていてもよい。
(形態9) N電極とP電極に、平板状の自励式ヒートパイプ又はグラファイト材料を用いてもよい。
(形態10) N電極とP電極が、絶縁層を挟んで積層されていてもよい。また、コンデンサが絶縁層に埋め込まれていてもよい。
また、N電極16のうちのパワーデバイス12と積層されている部分16aの上方と、P電極18のうちのパワーデバイス14と積層されている部分18aの下方には、夫々熱電変換素子22、24が組み込まれている。さらにそれらの熱電変換素子22、24の周囲が熱マス部材26、28で囲まれている。それら熱マス部材26、28の上方と下方には、それぞれ冷却器30、32が取り付けられている。
N電極16とP電極18は、図1に示すように、一対のパワーデバイス12、14を挟んで積層されている部分(以下「積層部分」とする)16a、18aから積層方向に伸びて両電極間の間隔を縮める部分(以下「間隔変更部分」とする)16b、18bと、縮められた間隔を維持して上記の直交方向に伸びる部分(以下「近接対向部分」とする)16c、18cを備えている。N電極16とP電極18のうち、上記の近接対向部分16c、18cの間にはコンデンサ34が接続されている。
なお、本参考例のパワーモジュール1全体の厚さは、約20mmである。
本参考例では、図1のように、この出力電極10の長手方向一端側の上下面に、はんだなどの接合層40、42を介してパワーデバイス12、14を積層配置している。従って、上下のパワーデバイス12、14から発生した熱が出力電極10に伝わると、その熱は直交方向へ速やかに移動し、積層方向へは殆ど移動しない。本参考例の出力電極10は、積層方向への熱伝導率が低いために、一対のパワーデバイス12、14間での熱干渉が起こりにくくなる。また、直交方向への熱伝導率が高いために、出力電極10の露出部分10aでの放熱量が大きくなる。この両者があいまって、パワーデバイス12、14が過熱しにくくなる。このような働きを行う出力電極10は上下のパワーデバイス12、14間の断熱材としても機能する。上記の出力電極10に用いるヒートパイプの厚みは約2mm程度であり、接合層40、42の厚みはコンマ数mm〜1mm程度である。
キャリア周波数を変えて損失を測定した結果、5kHzでの定常損失とスイッチング損失の比は1:0.2であった。また、オフ時のサージ電圧は、電源電圧に対して30Vであった。また、熱電変換素子22、24を動作させて、例えばモータ始動時のように、急激にパワーデバイス12、14が最高温度になるときの温度を測定したところ120℃であった。
これに対する参考例として、これまで広く一般的に作られてきた、一つの冷却器上に平面状に2つのパワーデバイスを並べて形成する構造の従来のパワーモジュールを準備して同様の測定を行った。その結果、定常損失とスイッチング損失の比は1:1、サージ電圧は100Vであり、上記の同条件のデバイスの温度は140℃であった。
以上の結果から、本参考例のパワーモジュールは、一般的な従来のパワーモジュールに比べ、スイッチング損失及びサージ電圧が低く、また、パワーデバイスの温度も通常より格段に低減されていることが明らかとなった。
なお、本実施例のパワーモジュール100全体の厚さは、約20mmである。
キャリア周波数を変えて損失を測定した結果、5kHzでの定常損失とスイッチング損失の比は1:0.1であった。また、オフ時のサージ電圧は、電源電圧に対して15Vであった。また、熱電変換素子122、124を動作させて、例えばモータ始動時のように、急激にパワーデバイス112、114が最高温度になるときの温度を測定したところ115℃であった。また、パワーデバイス112、114を試験用金属チップに差替えた上で、N電極116とP電極118の間の寄生インダクタンスを測定した結果、寄生インダクタンスは5nHであった。
これに対する参考例として、これまで広く一般的に作られてきた、一つの冷却器上に平面状に2つのパワーデバイスを並べて形成する構造の従来のパワーモジュールを準備して同様の測定を行った。その結果、定常損失とスイッチング損失の比は1:1、サージ電圧は100Vであり、上記の同条件のデバイスの温度は140℃であった。また、上記と同様に寄生インダクタンスを測定した結果、寄生インダクタンスは50nHであった。
以上の結果から、本実施例のパワーモジュールは、一般的な従来のパワーモジュールに比べ、スイッチング損失及びサージ電圧が低く、また、パワーデバイスの温度も通常より格段に低減されていることが明らかとなった。さらに、寄生インダクタンスも通常より格段に低減されていることも明らかとなった。
(1)図3は、本実施例のパワーモジュールの第1の変形例の平面図を模式的に示すものである。なお、図3では各冷却器120、130、132、170、180の表示を省略している。上記の第2実施例では、図3の二点鎖線部に示すように、出力電極110と電極ユニット190は、パワーデバイス112、114の積層範囲から、パワーデバイス112の長手方向に向けて伸ばされるように配置されている。しかしながら、出力電極110と電極ユニット190の配置は、これに限られるものではない。従って、例えば、図3の実線部に示すように、出力電極110と電極ユニット190は、パワーデバイス112、114の積層範囲から、パワーデバイス112の幅方向に向けて伸ばされるように配置してもよい。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は、複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10、110 出力電極
12、14、112、114 パワーデバイス
16、116 N電極
18、118 P電極
16a、18a 積層部分
16b、18b 間隔変更部分
16c、18c 近接対向部分
20、120 出力電極用冷却器
22、24、122、124 熱電変換素子
34、134 コンデンサ
40、42、140、142 接合層
44、144 絶縁層
46、48、146、148 接合層
50、52、150、152 接合層
54、56、154、156 絶縁層
160 絶縁層
170 N電極用冷却器
180 P電極用冷却器
190 電極ユニット
200 電極ユニット
Claims (5)
- 板状の出力電極と、
前記出力電極を挟んで積層されている一対のパワーデバイスと、
前記一対のパワーデバイスのうちの一方と積層されているN電極と、他方と積層されているP電極と、を備えており、
前記出力電極は、前記一対のパワーデバイスの積層範囲の一部において前記一対のパワーデバイスと積層され、
前記N電極とP電極とは、前記一対のパワーデバイスが対向する側の面であって、前記積層範囲のうちの前記出力電極とは積層されていない範囲において前記一対のパワーデバイスと積層されており、
前記出力電極が、積層方向への熱伝導率よりも積層方向に直交する直交方向への熱伝導率の方が大きいという異方性を備えており、前記一対のパワーデバイスの積層範囲から前記直交方向に伸びており、
前記N電極とP電極が、対向する位置関係を維持して前記直交方向に伸びていることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記N電極とP電極の少なくとも一方が、前記積層方向への熱伝導率よりも前記直交方向への熱伝導率の方が大きいという異方性を備えている、ことを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール
- 前記積層範囲から前記直交方向に伸びている範囲の出力電極に冷却器が取り付けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール。
- 前記N電極とP電極の前記直交方向に伸びる部分の間にコンデンサが接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記一対のパワーデバイスのうちの少なくとも一方の、出力電極と積層されている面と反対面側に、熱電変換素子が組み込まれていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
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