JP2002005812A - 多結晶シリコンの評価方法 - Google Patents
多結晶シリコンの評価方法Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実際に単結晶の引き上げを行うことなく、原
料多結晶シリコン中に含まれる異物の程度を有効に評価
し得る方法を提供する 【解決手段】 一定量の多結晶シリコン片１をカゴ２に
収容し、このカゴ２をエッチング液３を入れたエッチン
グ槽４内に浸漬する。その後、エッチング槽４から引き
上げ、エッチング液３をサンプリングした後、サンプリ
ングした液を一定時間放置して多結晶シリコンの微粒や
粉末が全て溶解した時点で液中パーティクルカウンター
７にかけ、一定量の液中のパーティクル数を測定する。
料多結晶シリコン中に含まれる異物の程度を有効に評価
し得る方法を提供する 【解決手段】 一定量の多結晶シリコン片１をカゴ２に
収容し、このカゴ２をエッチング液３を入れたエッチン
グ槽４内に浸漬する。その後、エッチング槽４から引き
上げ、エッチング液３をサンプリングした後、サンプリ
ングした液を一定時間放置して多結晶シリコンの微粒や
粉末が全て溶解した時点で液中パーティクルカウンター
７にかけ、一定量の液中のパーティクル数を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶シリコンの
引き上げの原料として用いる多結晶シリコンの評価方法
に関するものである。
引き上げの原料として用いる多結晶シリコンの評価方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶シリコンを製造する方法の
一つとして、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称す
る）が知られている。このＣＺ法は、無転移あるいは格
子欠陥が極めて少ない状態で大口径、高純度の単結晶が
容易に得られるといった利点を有している。
一つとして、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称す
る）が知られている。このＣＺ法は、無転移あるいは格
子欠陥が極めて少ない状態で大口径、高純度の単結晶が
容易に得られるといった利点を有している。
【０００３】ＣＺ法では、まず最初に超高純度の多結晶
シリコン片を洗浄した後、石英ルツボに入れて加熱炉で
溶解させる。このとき同時に、微量の導電型不純物（添
加剤またはドープ剤という）を必要量だけ添加する。例
えば、ボロン（Ｂ）の添加によりＰ型結晶を、リン
（Ｐ）やアンチモン（Ｓｂ）の添加によりＮ型結晶を得
ることができ、不純物の添加量によって結晶の抵抗率を
コントロールすることができる。
シリコン片を洗浄した後、石英ルツボに入れて加熱炉で
溶解させる。このとき同時に、微量の導電型不純物（添
加剤またはドープ剤という）を必要量だけ添加する。例
えば、ボロン（Ｂ）の添加によりＰ型結晶を、リン
（Ｐ）やアンチモン（Ｓｂ）の添加によりＮ型結晶を得
ることができ、不純物の添加量によって結晶の抵抗率を
コントロールすることができる。
【０００４】次に、このシリコン融液にワイヤで吊り下
げられた種結晶（単結晶）を接触させ、回転させつつ徐
々に引き上げて単結晶を成長させる。この際の温度や引
き上げ速度の条件を調整することで、種々の直径や特性
を有する単結晶を作り出すことができる。成長した結晶
は種結晶と同様、完全な単結晶となる。そして、原料に
使用する多結晶シリコン中に含まれる異物が少ない程、
生成される単結晶シリコンは有転移化しにくいことにな
る。
げられた種結晶（単結晶）を接触させ、回転させつつ徐
々に引き上げて単結晶を成長させる。この際の温度や引
き上げ速度の条件を調整することで、種々の直径や特性
を有する単結晶を作り出すことができる。成長した結晶
は種結晶と同様、完全な単結晶となる。そして、原料に
使用する多結晶シリコン中に含まれる異物が少ない程、
生成される単結晶シリコンは有転移化しにくいことにな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、元々の
多結晶シリコン自体は超高純度であったとしても、製造
した多結晶シリコンをある程度の大きさに破砕した際
に、片状となった多結晶シリコンの表面に金属粉等のパ
ーティクル（異物）が付着することがある。また、運搬
の際などに微細な樹脂片等が付着することもある。した
がって、単結晶シリコンの製造メーカーが原料供給元か
ら多結晶シリコンを入荷した時点では、多結晶シリコン
片の表面に微細な金属粉や樹脂片が微量付着している場
合がある。そのため、多結晶シリコンを使用する前に洗
浄を行うが、洗浄を行ってもパーティクルの数が完全に
ゼロになるわけではなく、ある程度残留する分がある。
多結晶シリコン自体は超高純度であったとしても、製造
した多結晶シリコンをある程度の大きさに破砕した際
に、片状となった多結晶シリコンの表面に金属粉等のパ
ーティクル（異物）が付着することがある。また、運搬
の際などに微細な樹脂片等が付着することもある。した
がって、単結晶シリコンの製造メーカーが原料供給元か
ら多結晶シリコンを入荷した時点では、多結晶シリコン
片の表面に微細な金属粉や樹脂片が微量付着している場
合がある。そのため、多結晶シリコンを使用する前に洗
浄を行うが、洗浄を行ってもパーティクルの数が完全に
ゼロになるわけではなく、ある程度残留する分がある。
【０００６】ここで、多結晶シリコン片の表面に付着し
たこれらパーティクルは、引き上げ後にできた単結晶シ
リコン中に結晶欠陥等を発生させる原因となるため、当
然ながらできるだけ清浄な多結晶シリコン片を用いるこ
とが要求される。ところが、多結晶シリコン表面のパー
ティクル数には原料供給元や製品のロットによってもバ
ラツキがあるため、多結晶シリコンの使用前にその製品
毎にパーティクル数を評価して、使える多結晶シリコン
を選別したり、用途によって使い分けるための目安にし
たい、という要求がある。
たこれらパーティクルは、引き上げ後にできた単結晶シ
リコン中に結晶欠陥等を発生させる原因となるため、当
然ながらできるだけ清浄な多結晶シリコン片を用いるこ
とが要求される。ところが、多結晶シリコン表面のパー
ティクル数には原料供給元や製品のロットによってもバ
ラツキがあるため、多結晶シリコンの使用前にその製品
毎にパーティクル数を評価して、使える多結晶シリコン
を選別したり、用途によって使い分けるための目安にし
たい、という要求がある。
【０００７】しかしながら、従来は、入荷した各多結晶
シリコンを用いて実際に単結晶の引き上げを行い、出来
上がった単結晶シリコンで結晶欠陥等の欠陥密度を評価
し、その結果から逆に多結晶シリコンの品質評価を行っ
ていたのが現状であった。したがって、評価結果のフィ
ードバックが遅くなり、上述した多結晶シリコンの選別
や使い分け等への柔軟な対応が難しかった。
シリコンを用いて実際に単結晶の引き上げを行い、出来
上がった単結晶シリコンで結晶欠陥等の欠陥密度を評価
し、その結果から逆に多結晶シリコンの品質評価を行っ
ていたのが現状であった。したがって、評価結果のフィ
ードバックが遅くなり、上述した多結晶シリコンの選別
や使い分け等への柔軟な対応が難しかった。
【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、実際に単結晶の引き上げを行うこ
となく、原料多結晶シリコン中に含まれる異物の程度を
有効に評価し得る方法を提供することを目的とする。
されたものであって、実際に単結晶の引き上げを行うこ
となく、原料多結晶シリコン中に含まれる異物の程度を
有効に評価し得る方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の多結晶シリコンの評価方法は、多結晶シ
リコンを溶解し得る薬液中に塊状もしくは片状の多結晶
シリコンを浸漬させた後、前記薬液中に含有される異物
の数を測定することを特徴とするものである。
めに、本発明の多結晶シリコンの評価方法は、多結晶シ
リコンを溶解し得る薬液中に塊状もしくは片状の多結晶
シリコンを浸漬させた後、前記薬液中に含有される異物
の数を測定することを特徴とするものである。
【００１０】本発明の多結晶シリコンの評価方法におい
ては、塊状もしくは片状の多結晶シリコンを前記薬液中
に浸漬させると、多結晶シリコンの表面が溶解すると同
時にシリコン表面に付着または含有された異物が薬液中
に浮遊した状態となる。そこで、例えば異物を含有した
薬液の一部をサンプリングし、パーティクルカウンター
等の検査機器を用いて一定量の薬液中に含有される異物
の数を測定することができる。
ては、塊状もしくは片状の多結晶シリコンを前記薬液中
に浸漬させると、多結晶シリコンの表面が溶解すると同
時にシリコン表面に付着または含有された異物が薬液中
に浮遊した状態となる。そこで、例えば異物を含有した
薬液の一部をサンプリングし、パーティクルカウンター
等の検査機器を用いて一定量の薬液中に含有される異物
の数を測定することができる。
【００１１】このように、本発明の多結晶シリコンの評
価方法によれば、実際に単結晶の引き上げを行うことな
く、原料多結晶シリコン中の異物の量を予め評価するこ
とができる。その結果、従来に比べて評価結果のフィー
ドバックが早くなり、例えば多結晶シリコンの選別や用
途に応じた使い分け等の対応を容易に行うことができ
る。
価方法によれば、実際に単結晶の引き上げを行うことな
く、原料多結晶シリコン中の異物の量を予め評価するこ
とができる。その結果、従来に比べて評価結果のフィー
ドバックが早くなり、例えば多結晶シリコンの選別や用
途に応じた使い分け等の対応を容易に行うことができ
る。
【００１２】そして、薬液中に含有する異物の数の測定
に加えて、異物の成分分析を行うようにしてもよい。そ
うすることによって、異物数の評価のみならず、異物の
種類の同定を行うことができ、多結晶シリコン片に異物
が付着する原因を調べる手掛かりにもなるので、それに
応じて対策を取ることによってさらに清浄な原料多結晶
シリコンを得ることができる。
に加えて、異物の成分分析を行うようにしてもよい。そ
うすることによって、異物数の評価のみならず、異物の
種類の同定を行うことができ、多結晶シリコン片に異物
が付着する原因を調べる手掛かりにもなるので、それに
応じて対策を取ることによってさらに清浄な原料多結晶
シリコンを得ることができる。
【００１３】また、槽内に収容した薬液中に多結晶シリ
コンを浸漬させる前に、薬液を予め循環濾過しておくこ
とが望ましい。例えば薬液を槽内に収容した状態で多結
晶シリコンを浸漬させるような場合、多結晶シリコンを
浸漬させる前に薬液を予め循環濾過しておくと、初期状
態の薬液を清浄な状態にすることができ、異物数の測定
を正確に行うことができる。
コンを浸漬させる前に、薬液を予め循環濾過しておくこ
とが望ましい。例えば薬液を槽内に収容した状態で多結
晶シリコンを浸漬させるような場合、多結晶シリコンを
浸漬させる前に薬液を予め循環濾過しておくと、初期状
態の薬液を清浄な状態にすることができ、異物数の測定
を正確に行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態であ
る多結晶シリコンの評価方法について図１を参照して説
明する。まず、図１（ａ）に示すように、評価すべき多
結晶シリコン片１を一定量（例えば５ｋｇ）準備する。
この多結晶シリコン片１は、例えば塊状でもよいし、ペ
レット状（片状）でもよく、特に形状は問わない。
る多結晶シリコンの評価方法について図１を参照して説
明する。まず、図１（ａ）に示すように、評価すべき多
結晶シリコン片１を一定量（例えば５ｋｇ）準備する。
この多結晶シリコン片１は、例えば塊状でもよいし、ペ
レット状（片状）でもよく、特に形状は問わない。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、上記の多
結晶シリコン片１をポリエチレン製、テフロン（登録商
標）製等のカゴ２に収容する。このカゴ２は、次工程で
エッチング液中に晒されるため、使用するエッチング液
に侵されない材質のものを使用する必要がある。
結晶シリコン片１をポリエチレン製、テフロン（登録商
標）製等のカゴ２に収容する。このカゴ２は、次工程で
エッチング液中に晒されるため、使用するエッチング液
に侵されない材質のものを使用する必要がある。
【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、上記の多
結晶シリコン片１を収容したカゴ２をエッチング液３を
入れたエッチング槽４内に浸漬する。ここで用いるエッ
チング液３は多結晶シリコンを溶解し得るものであり、
例えばフッ硝酸を用いることができる。なお、本実施の
形態のエッチング槽４にはポンプ５、フィルタ６等の循
環濾過設備が備えられており、カゴ２を浸漬する前にエ
ッチング液３を予め循環濾過しておく（パーティクルフ
リー状態）。
結晶シリコン片１を収容したカゴ２をエッチング液３を
入れたエッチング槽４内に浸漬する。ここで用いるエッ
チング液３は多結晶シリコンを溶解し得るものであり、
例えばフッ硝酸を用いることができる。なお、本実施の
形態のエッチング槽４にはポンプ５、フィルタ６等の循
環濾過設備が備えられており、カゴ２を浸漬する前にエ
ッチング液３を予め循環濾過しておく（パーティクルフ
リー状態）。
【００１７】次に、循環濾過を停止し、カゴ２を数回エ
ッチング槽４から出し入れした後、エッチング槽４から
引き上げる。その後、ポリエチレン製、テフロン製等の
任意の容器８にエッチング液３をサンプリングする。こ
の時、サンプリングした液中に多結晶シリコンの微粒や
粉末が含まれる。またこの際、容器８を密閉したチャン
バー９内に収容するとともに、真空ポンプ１０を使用し
てチャンバー９内を真空引きすることにより、容器８内
にエッチング液３を吸引する（クリーンサンプリン
グ）。
ッチング槽４から出し入れした後、エッチング槽４から
引き上げる。その後、ポリエチレン製、テフロン製等の
任意の容器８にエッチング液３をサンプリングする。こ
の時、サンプリングした液中に多結晶シリコンの微粒や
粉末が含まれる。またこの際、容器８を密閉したチャン
バー９内に収容するとともに、真空ポンプ１０を使用し
てチャンバー９内を真空引きすることにより、容器８内
にエッチング液３を吸引する（クリーンサンプリン
グ）。
【００１８】そして、サンプリングした液を一定時間
（例えば数日）放置し、多結晶シリコンの微粒や粉末が
全て溶解した時点で液中パーティクルカウンター７にか
け、一定量の液中のパーティクル数を測定する。ここで
は、多結晶シリコンの微粒や粉末はエッチング液３に溶
けるため、多結晶シリコンの微粒や粉末の内部に含有し
ていたパーティクルのみがカウントされる。この方法に
よれば、測定の高効率化を図ることができる。
（例えば数日）放置し、多結晶シリコンの微粒や粉末が
全て溶解した時点で液中パーティクルカウンター７にか
け、一定量の液中のパーティクル数を測定する。ここで
は、多結晶シリコンの微粒や粉末はエッチング液３に溶
けるため、多結晶シリコンの微粒や粉末の内部に含有し
ていたパーティクルのみがカウントされる。この方法に
よれば、測定の高効率化を図ることができる。
【００１９】また同時に、走査型電子顕微鏡（Scanning
Electron Microscopy, ＳＥＭ）、エネルギー分散型Ｘ
線分光法（Energy Dispersive X-ray spectroscopy, Ｅ
ＤＸ）等の手法を用いてパーティクルの成分分析を行っ
てもよい。これにより、ただ単にパーティクル数の評価
のみならず、パーティクルの種類の同定を行うことがで
き、このパーティクルが例えばアルミナ、カーボン、塩
化ビニル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、テフロン系樹
脂、超硬合金等からなることがわかる。
Electron Microscopy, ＳＥＭ）、エネルギー分散型Ｘ
線分光法（Energy Dispersive X-ray spectroscopy, Ｅ
ＤＸ）等の手法を用いてパーティクルの成分分析を行っ
てもよい。これにより、ただ単にパーティクル数の評価
のみならず、パーティクルの種類の同定を行うことがで
き、このパーティクルが例えばアルミナ、カーボン、塩
化ビニル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、テフロン系樹
脂、超硬合金等からなることがわかる。
【００２０】もしくは、図２（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、上記と同様、多結晶シリコン片１を収容したカゴ２
をエッチング液３を入れたエッチング槽４内に浸漬した
後、一定時間放置し、図２（ｃ）に示すように、液中パ
ーティクルカウンター７を用いてエッチング槽４内のエ
ッチング液３を直接測定してもよい。
に、上記と同様、多結晶シリコン片１を収容したカゴ２
をエッチング液３を入れたエッチング槽４内に浸漬した
後、一定時間放置し、図２（ｃ）に示すように、液中パ
ーティクルカウンター７を用いてエッチング槽４内のエ
ッチング液３を直接測定してもよい。
【００２１】このように、本実施の形態の多結晶シリコ
ンの評価方法によれば、実際に単結晶の引き上げを行う
ことなく、原料多結晶シリコンに含まれる異物の量を予
め評価することができる。その結果、従来に比べて評価
結果のフィードバックが早くなり、例えば、原料多結晶
シリコンの選別や用途に応じた使い分け等の対応を容易
に行うことができる。
ンの評価方法によれば、実際に単結晶の引き上げを行う
ことなく、原料多結晶シリコンに含まれる異物の量を予
め評価することができる。その結果、従来に比べて評価
結果のフィードバックが早くなり、例えば、原料多結晶
シリコンの選別や用途に応じた使い分け等の対応を容易
に行うことができる。
【００２２】さらに異物の成分分析を行えば、原料多結
晶シリコン片に異物が付着する原因を調べる手掛かりに
もなるので、より清浄な原料多結晶シリコンを得ること
ができる。また、本実施の形態では、エッチング液３中
に多結晶シリコンを浸漬させる前にエッチング液３を予
め循環濾過するようにしているため、元々のエッチング
液を清浄な状態に維持することができ、異物数の測定が
より正確になる。
晶シリコン片に異物が付着する原因を調べる手掛かりに
もなるので、より清浄な原料多結晶シリコンを得ること
ができる。また、本実施の形態では、エッチング液３中
に多結晶シリコンを浸漬させる前にエッチング液３を予
め循環濾過するようにしているため、元々のエッチング
液を清浄な状態に維持することができ、異物数の測定が
より正確になる。
【００２３】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態においては、エッチング液としてフッ
硝酸を例示したが、その他、多結晶シリコンをエッチン
グし得る液であれば、他の薬液を用いてもよい。また、
エッチング槽等の構成や具体的な評価方法についても、
上記実施の形態に限ることなく適宜変更が可能である。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態においては、エッチング液としてフッ
硝酸を例示したが、その他、多結晶シリコンをエッチン
グし得る液であれば、他の薬液を用いてもよい。また、
エッチング槽等の構成や具体的な評価方法についても、
上記実施の形態に限ることなく適宜変更が可能である。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の方法を用いて得られた実際の
評価データについて説明する。評価対象の原料多結晶シ
リコンとして、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの３種類を準備し
た。そして、上記実施の形態の方法を用いて各サンプル
における液中のパーティクル数を測定した結果を図３に
示す。液中パーティクルカウンターでは、パーティクル
の大きさ毎に数をカウントできるようになっており、例
えば０．２〜５μｍの大きさのパーティクルで比較する
と、液１×１０-2Ｌ（リットル）あたり、Ａが８０００
個、Ｂが２５００個、Ｃが１５０００個であった。
評価データについて説明する。評価対象の原料多結晶シ
リコンとして、サンプルＡ，Ｂ，Ｃの３種類を準備し
た。そして、上記実施の形態の方法を用いて各サンプル
における液中のパーティクル数を測定した結果を図３に
示す。液中パーティクルカウンターでは、パーティクル
の大きさ毎に数をカウントできるようになっており、例
えば０．２〜５μｍの大きさのパーティクルで比較する
と、液１×１０-2Ｌ（リットル）あたり、Ａが８０００
個、Ｂが２５００個、Ｃが１５０００個であった。
【００２５】これに対して、各サンプルＡ，Ｂ，Ｃに対
応する原料多結晶シリコンを用いて実際に引き上げを行
い、できあがった各単結晶シリコンのフリー化率を測定
した結果を図４に示す。単位体積あたりの単結晶シリコ
ン中のフリー化率は、Ａが７０％、Ｂが７７％、Ｃが６
０％であった。なお、「フリー化率」とは、無転移単結
晶化率のことである。
応する原料多結晶シリコンを用いて実際に引き上げを行
い、できあがった各単結晶シリコンのフリー化率を測定
した結果を図４に示す。単位体積あたりの単結晶シリコ
ン中のフリー化率は、Ａが７０％、Ｂが７７％、Ｃが６
０％であった。なお、「フリー化率」とは、無転移単結
晶化率のことである。
【００２６】すなわち、各サンプルＡ，Ｂ，Ｃにおける
液中のパーティクル数が、作成した単結晶シリコン中の
フリー化率（欠陥密度）に対応していることが確認でき
た。これにより、本発明の方法を用いれば、原料多結晶
シリコンを確実に評価できることが実証された。
液中のパーティクル数が、作成した単結晶シリコン中の
フリー化率（欠陥密度）に対応していることが確認でき
た。これにより、本発明の方法を用いれば、原料多結晶
シリコンを確実に評価できることが実証された。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
多結晶シリコンの評価方法によれば、実際に単結晶の引
き上げを行うことなく、原料多結晶シリコンの異物の量
を予め評価することができる。その結果、従来に比べて
評価結果のフィードバックが早くなり、例えば、多結晶
シリコンの選別や用途に応じた使い分け等の対応を容易
に行うことができる。
多結晶シリコンの評価方法によれば、実際に単結晶の引
き上げを行うことなく、原料多結晶シリコンの異物の量
を予め評価することができる。その結果、従来に比べて
評価結果のフィードバックが早くなり、例えば、多結晶
シリコンの選別や用途に応じた使い分け等の対応を容易
に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態の多結晶シリコンの評
価方法を説明するための図である。
価方法を説明するための図である。
【図２】 多結晶シリコンの他の評価方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】 本発明の実施例の各サンプルにおける液中の
パーティクル数を測定した結果を示すグラフである。
パーティクル数を測定した結果を示すグラフである。
【図４】 同、各サンプルに対応する原料多結晶シリコ
ンから得られた各単結晶シリコン中のフリー化率を測定
した結果を示すグラフである。
ンから得られた各単結晶シリコン中のフリー化率を測定
した結果を示すグラフである。
１ 多結晶シリコン片 ２ カゴ ３ エッチング液 ４ エッチング槽 ５ ポンプ ６ フィルタ ７ 液中パーティクルカウンター ８ 容器 ９ チャンバー １０ 真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｎ 23/225 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｘ (72)発明者 佐々木 剛 三重県四日市市三田町５番地 三菱マテリ アルポリシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA05 BA07 CA01 CA03 GA01 KA01 LA11 MA04 NA19 RA02 RA20 4G077 AA02 BA04 CF10 EC10 HA12
Claims (3)
- 【請求項１】 単結晶シリコンの引き上げの原料として
用いる多結晶シリコンの評価方法であって、 前記多結晶シリコンを溶解し得る薬液中に塊状もしくは
片状の多結晶シリコンを浸漬させた後、前記薬液中に含
有される異物の数を測定することを特徴とする多結晶シ
リコンの評価方法。 - 【請求項２】 前記薬液中に含有される異物の数の測定
に加えて、前記異物の成分分析を行うことを特徴とする
請求項１に記載の多結晶シリコンの評価方法。 - 【請求項３】 槽内に収容した薬液中に前記多結晶シリ
コンを浸漬させる前に、前記薬液を予め循環濾過してお
くことを特徴とする請求項１または２に記載の多結晶シ
リコンの評価方法。
Priority Applications (6)
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| JP2000191744A JP3569662B2 (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 多結晶シリコンの評価方法 |
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Publications (2)
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|---|---|
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| JP3569662B2 JP3569662B2 (ja) | 2004-09-22 |
Family
ID=18690994
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|---|---|---|---|
| JP2000191744A Expired - Lifetime JP3569662B2 (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 多結晶シリコンの評価方法 |
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| DE (1) | DE10129489B4 (ja) |
| TW (1) | TWI253483B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014233653A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン洗浄方法及び多結晶シリコン洗浄装置 |
| KR20170112992A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
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| DE102012218747A1 (de) | 2012-10-15 | 2014-04-17 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| CN109738451A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-05-10 | 江苏金晖光伏有限公司 | 一种单、多晶硅料的筛选检测方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4213937A (en) * | 1976-09-22 | 1980-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Silicon refinery |
| JPH07104334B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1995-11-13 | 信越半導体株式会社 | Ｃｚ単結晶シリコン中の金属不純物濃度の定量方法 |
| JP3156878B2 (ja) * | 1992-04-30 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH05319990A (ja) | 1992-05-20 | 1993-12-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 粒状シリコン原料の製造方法 |
| JP2848176B2 (ja) * | 1992-12-17 | 1999-01-20 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体単結晶の欠陥検出方法 |
| JP3150222B2 (ja) | 1993-03-25 | 2001-03-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH0737850A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| JPH0817815A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法 |
| JPH0848512A (ja) | 1994-08-10 | 1996-02-20 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコン粒子 |
| JPH08306753A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの品質評価方法 |
| US5793833A (en) * | 1995-06-22 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of and apparatus for measuring and estimating the cleanliness of wafer accommodating members |
| JPH11145230A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Sony Corp | 多結晶シリコン膜の分析方法 |
| JPH11162859A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Canon Inc | シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
| JPH11171685A (ja) | 1997-12-05 | 1999-06-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
| US6172376B1 (en) * | 1997-12-17 | 2001-01-09 | American Air Liquide Inc. | Method and system for measuring particles in a liquid sample |
| JPH11304791A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコンの不純物分析方法 |
| TW454260B (en) * | 1998-06-30 | 2001-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP3534172B2 (ja) | 1998-10-20 | 2004-06-07 | 三菱住友シリコン株式会社 | ポリシリコンの洗浄方法 |
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-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000191744A patent/JP3569662B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-31 US US09/867,418 patent/US6916657B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-31 TW TW090113172A patent/TWI253483B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-21 DE DE10129489A patent/DE10129489B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-25 KR KR10-2001-0036295A patent/KR100398303B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-26 CN CNB011218916A patent/CN1229528C/zh not_active Expired - Lifetime
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| KR20170112992A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
| KR102594202B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-10-27 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는, 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
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| DE10129489A1 (de) | 2002-02-21 |
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| CN1330173A (zh) | 2002-01-09 |
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| US20020000186A1 (en) | 2002-01-03 |
| US6916657B2 (en) | 2005-07-12 |
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