JP2848176B2 - 半導体単結晶の欠陥検出方法 - Google Patents

半導体単結晶の欠陥検出方法

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semiconductor single
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンその他の半導
体単結晶の欠陥を検出する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体単結晶の欠陥検出方法としては、
例えば特開平４−１９２３４５号公報に開示されたもの
があり、これはチョクラルスキー法等により引き上げた
半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸
と硝酸との混合液に浸漬し、更にＫ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸
と水との混合液に浸漬して、ウエーハ表面に現れたさざ
波模様の個数を計数する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
フッ酸と硝酸との混合液、あるいはＫ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ
酸と水との混合液をエッチング液として用いており、こ
の方法によると酸素析出物だけでなく、周辺の歪場、転
移ループ、積層欠陥などもエッチングされる。したがっ
て酸素析出物が隣接して複数存在するときにも全体とし
て大きな食像が１個だけ得れらるおそれがあり、また酸
素析出物がないときにも食像が得られるおそれがあり、
いずれの場合にも酸素析出物だけの正確な観察を図るこ
とができなかった。したがって本発明は純粋に酸素析出
物だけを検出することができる半導体単結晶の欠陥検出
方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体単結晶
をウエーハに切断し、該ウエーハをフッ酸に浸漬して酸
素析出物を顕在化し、該顕在化した酸素析出物を顕微鏡
観察することによって、上記目的を達成したものであ
る。
【０００５】
【作用】フッ酸はＳｉＯxの構造を持つ欠陥のみの食像
を表わすから、上記発明方法によれば純粋に酸素析出物
だけを検出することができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。チ
ョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げ、
引き上げたシリコン単結晶をスライスし、スライスした
シリコンウエーハをフッ酸５０％水溶液に１５分間浸漬
し、その後純水による洗浄と乾燥をした後、シリコンウ
エーハ表面を電子顕微鏡で観察した。図１はこの観察結
果の一例を示す倍率１０万倍の写真である。他方図２は
従来例を示し、この従来例はＷｒｉｇｈｔエッチング液
を用いたものであり、倍率は３万倍である。図２に示さ
れているように、従来のエッチング液を用いたときには
酸素析出物の周囲の歪場、転移等もエッチングされてい
るが、図１に示す本実施例によれば、酸素析出物のみが
検出されていることが解る。
【０００７】
【発明の効果】本発明はフッ酸をエッチング液として用
いて半導体単結晶の欠陥を検出する方法であるから、第
１に酸素析出物と、積層欠陥、転移等を区別することが
できる。第２に、歪場を含まず、酸素析出物のみのサイ
ズを計測することができる。第３に、半導体単結晶の最
表面のみの情報を得ることができる。第４に半導体単結
晶の表面の荒れが少ないため、微小な酸素析出物を高感
度で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によって検出された結晶構造
の表面を示す１０万倍電子顕微鏡写真
【図２】従来例によって検出された結晶構造の表面を示
す３万倍電子顕微鏡写真

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体単結晶をウエーハに切断し、該ウエ
    ーハをフッ酸に浸漬して酸素析出物を顕在化し、該顕在
    化した酸素析出物を顕微鏡観察する半導体単結晶の欠陥
    検出方法。
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