JP5742761B2 - 金属汚染検出方法及びそれを用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
熱処理による金属汚染がない場合の再結合ライフタイムの面内分布を調査するため、以下の実験を行った。
チョクラルスキー法(CZ)により、導電型や抵抗率、酸素濃度が異なる7本のシリコン単結晶インゴットを育成した。結晶直径は全て200mm、結晶軸方位は全て<100>である。そして、これらのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
実施例1と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を、金属汚染を低減する対策が施されていないエピタキシャル成長炉内に入れて、ノンドープで厚み約10μmのエピタキシャル層を成長させた。その後、自然酸化膜をフッ酸水溶液により除去し、ヨウ素エタノール溶液を用いてケミカルパシベーション処理を行い、μ―PCD法により再結合ライフタイムの面内分布を測定した。面内分布の測定は4mm間隔で行った。
Claims (3)
- シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を検出する方法であって、
前記熱処理炉で熱処理したシリコン基板の再結合ライフタイムの面内分布をマイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、
前記シリコン基板の面内を複数の領域に分割して、各領域における再結合ライフタイムの平均値を求める工程と、
前記各領域における再結合ライフタイム測定値の平均値を比較することにより前記熱処理炉の金属汚染を検出する工程と、を含み、
前記熱処理後の再結合ライフタイムの面内分布の測定値において、基板半径の30%〜70%を境界半径Rとし、前記境界半径R以内の内側の領域における測定値の平均値をWLT1とし、前記境界半径Rを超えた外側の領域における測定値の平均値をWLT2とした場合、WLT2/WLT1の比が所定の基準値よりも小さい場合に金属汚染があったと判定し、かつ前記基準値を0.9とすることを特徴とする金属汚染検出方法。 - 前記熱処理炉はエピタキシャル成長炉であることを特徴とする請求項1記載の金属汚染検出方法。
- 請求項2に記載の金属汚染検出方法によって金属汚染を管理したエピタキシャル成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜をエピタキシャル成長させてエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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