JPH08306753A - シリコンウェハの品質評価方法 - Google Patents
シリコンウェハの品質評価方法Info
- Publication number
- JPH08306753A JPH08306753A JP11198095A JP11198095A JPH08306753A JP H08306753 A JPH08306753 A JP H08306753A JP 11198095 A JP11198095 A JP 11198095A JP 11198095 A JP11198095 A JP 11198095A JP H08306753 A JPH08306753 A JP H08306753A
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- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- quality
- flow pattern
- hydrofluoric acid
- pits
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン単結晶棒作製後、切り出したウェハ
の微小欠陥を簡易に、かつ高い信頼性で評価を行う。 【構成】 シリコン単結晶棒を作成し、これにより切り
出したウェハを弗化水素酸18mol/l、重クロム酸
カリウム0.067mol/lの濃度比の水溶液に浸漬
し、これによって生じたフローパターンを伴うピット2
と、伴わないセコエッチピット3とを計数し、その密度
によってウェハの品質評価を行う。 【効果】 上記の混合比の混合液を用いることで、ノイ
ズを極小に抑制でき、従来困難であったセコエッチピッ
トを含めた品質評価を容易にかつ極めて再現性良く行う
ことができる。
の微小欠陥を簡易に、かつ高い信頼性で評価を行う。 【構成】 シリコン単結晶棒を作成し、これにより切り
出したウェハを弗化水素酸18mol/l、重クロム酸
カリウム0.067mol/lの濃度比の水溶液に浸漬
し、これによって生じたフローパターンを伴うピット2
と、伴わないセコエッチピット3とを計数し、その密度
によってウェハの品質評価を行う。 【効果】 上記の混合比の混合液を用いることで、ノイ
ズを極小に抑制でき、従来困難であったセコエッチピッ
トを含めた品質評価を容易にかつ極めて再現性良く行う
ことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に用いられるシリコンウェハの品質評価に関するもので
ある。
に用いられるシリコンウェハの品質評価に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来の弗化水素酸と、重クロム酸カリウ
ムと水の混合水溶液を用いた評価技術(特開平4−28
5100)では、混合液に10〜60分程度浸漬する。
この際に、ある種の結晶欠陥部から水素ガスが発生し、
フローパターンと呼ばれるV字がたのエッチングむらが
生じる。(図1中の)このようなV字の先端にある欠
陥は、フローパターン欠陥(図2中の)と呼ばれてお
り、これらを係数して評価を行なっていた。
ムと水の混合水溶液を用いた評価技術(特開平4−28
5100)では、混合液に10〜60分程度浸漬する。
この際に、ある種の結晶欠陥部から水素ガスが発生し、
フローパターンと呼ばれるV字がたのエッチングむらが
生じる。(図1中の)このようなV字の先端にある欠
陥は、フローパターン欠陥(図2中の)と呼ばれてお
り、これらを係数して評価を行なっていた。
【0003】この方法は、シリコン単結晶棒を作成する
際に結晶中に導入される微小欠陥を簡易に評価できる手
段である。
際に結晶中に導入される微小欠陥を簡易に評価できる手
段である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】弗化水素酸と重クロム
酸カリウム溶液の混合液にシリコンウェハを浸漬する
と、ある種の結晶欠陥部位から水素ガスが発生し、フロ
ーパターンと呼ばれるV字型のエッチングムラが生じ
る。このような欠陥はフローパターン欠陥と呼ばれる。
酸カリウム溶液の混合液にシリコンウェハを浸漬する
と、ある種の結晶欠陥部位から水素ガスが発生し、フロ
ーパターンと呼ばれるV字型のエッチングムラが生じ
る。このような欠陥はフローパターン欠陥と呼ばれる。
【0005】フローパターン欠陥の他に、セコエッチピ
ットと呼ばれるフローパターンを伴わない欠陥が同時に
観察できる(図1中の)。前述の従来の評価技術では
セコエッチピットによって品質評価を行っていない。と
いうのは、従来の混合溶液の混合条件ではセコエッチピ
ットを外乱によって生じるノイズから識別することが困
難で、再現性が悪く、品質評価に用いるには信頼性に欠
けるという問題があるからである。
ットと呼ばれるフローパターンを伴わない欠陥が同時に
観察できる(図1中の)。前述の従来の評価技術では
セコエッチピットによって品質評価を行っていない。と
いうのは、従来の混合溶液の混合条件ではセコエッチピ
ットを外乱によって生じるノイズから識別することが困
難で、再現性が悪く、品質評価に用いるには信頼性に欠
けるという問題があるからである。
【0006】また、セコエッチピットによる信号を、ノ
イズから識別するための高い信号雑音比が得られる弗化
水素酸と重クロム酸カリウム溶液の混合条件は未だに見
出だされるに至っていない。
イズから識別するための高い信号雑音比が得られる弗化
水素酸と重クロム酸カリウム溶液の混合条件は未だに見
出だされるに至っていない。
【0007】本発明は、上記の事情に基づいて成された
ものであり、ノイズを極小に抑制し、より観察に適した
エッチング面を得ることができるシリコンウェハの評価
方法を提供することを目的とする。
ものであり、ノイズを極小に抑制し、より観察に適した
エッチング面を得ることができるシリコンウェハの評価
方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明では以下のように構成した。
ために、本発明では以下のように構成した。
【0009】請求項1記載のシリコンウェハの評価方法
は、弗化水素酸と重クロム酸カリウムとの混合液にシリ
コンウェハを浸漬し、シリコンウェハの結晶欠陥部位の
存在によって生ずるV字型のエッチングムラであるフロ
ーパターンと、フローパターンを伴わない結晶欠陥であ
るセコエッチピットとを計数し、これらの合計によりシ
リコンウェハの品質を評価することを特徴とするもので
ある。
は、弗化水素酸と重クロム酸カリウムとの混合液にシリ
コンウェハを浸漬し、シリコンウェハの結晶欠陥部位の
存在によって生ずるV字型のエッチングムラであるフロ
ーパターンと、フローパターンを伴わない結晶欠陥であ
るセコエッチピットとを計数し、これらの合計によりシ
リコンウェハの品質を評価することを特徴とするもので
ある。
【0010】請求項2記載のシリコンウェハの品質評価
方法は、前記混合液を、弗化水素酸18mol/l、重
クロム酸カリウム0.067mol/lの濃度比の水溶
液とし、これによってシリコンウェハの品質評価を行う
ことを特徴とするものである。
方法は、前記混合液を、弗化水素酸18mol/l、重
クロム酸カリウム0.067mol/lの濃度比の水溶
液とし、これによってシリコンウェハの品質評価を行う
ことを特徴とするものである。
【0011】
【作用】請求項1記載の本発明では、フローパターンを
伴う結晶欠陥のみならず、フローパターンを伴わない結
晶欠陥であるセコエッチピットをも計数することによ
り、シリコンウェハを評価するための情報をより多く収
集できる。
伴う結晶欠陥のみならず、フローパターンを伴わない結
晶欠陥であるセコエッチピットをも計数することによ
り、シリコンウェハを評価するための情報をより多く収
集できる。
【0012】請求項2記載の本発明に記載した混合比範
囲でシリコンウェハの評価を行うことにより、評価が困
難であったセコエッチピットをも併せて評価することが
できる。特に50wt%弗化水素酸:0.15mol/
l重クロム酸カリウム溶液=1.5:1の割合で混合し
た液を用いてエッチングすると、ノイズを極力排除で
き、非常に観察に適したエッチング面を得ることができ
る。
囲でシリコンウェハの評価を行うことにより、評価が困
難であったセコエッチピットをも併せて評価することが
できる。特に50wt%弗化水素酸:0.15mol/
l重クロム酸カリウム溶液=1.5:1の割合で混合し
た液を用いてエッチングすると、ノイズを極力排除で
き、非常に観察に適したエッチング面を得ることができ
る。
【0013】
【実施例】次に本発明の一実施例について説明する。
【0014】本実施例は、シリコン半導体結晶から切り
出したウェハを弗化水素酸と硝酸の混合液で表面歪層を
除去した後、50wt%弗化水素酸と0.15mol/
l重クロム酸カリウム溶液を1:1〜2:1の割合で混
合した混合液に、数分から1時間程度浸漬する。この後
ウェハ表面に現れたフローパターン欠陥と、セコエチピ
ットの合計値でシリコンウェハの品質評価を行う。
出したウェハを弗化水素酸と硝酸の混合液で表面歪層を
除去した後、50wt%弗化水素酸と0.15mol/
l重クロム酸カリウム溶液を1:1〜2:1の割合で混
合した混合液に、数分から1時間程度浸漬する。この後
ウェハ表面に現れたフローパターン欠陥と、セコエチピ
ットの合計値でシリコンウェハの品質評価を行う。
【0015】以下に詳細な評価の手順と条件を述べる。
【0016】酸素濃度8.5×1017atoms/cm
3 のシリコンウエーハを数枚用意し、これらを弗化水素
酸と硝酸の混合液で表面歪層を除去した。次に50wt
%弗化水素酸:0.15mol/l重クロム酸カリウム
溶液=X:1(Xは0.5〜3)に混合した液をテフロ
ン容器に入れ、シリコンウェハを垂直に浸漬して、攪拌
せずに保持した。
3 のシリコンウエーハを数枚用意し、これらを弗化水素
酸と硝酸の混合液で表面歪層を除去した。次に50wt
%弗化水素酸:0.15mol/l重クロム酸カリウム
溶液=X:1(Xは0.5〜3)に混合した液をテフロ
ン容器に入れ、シリコンウェハを垂直に浸漬して、攪拌
せずに保持した。
【0017】30分エッチングした後、このシリコンウ
ェハに純水洗浄を施し微分干渉光学顕微鏡を用いて観察
した。この時のエッチング面のスケッチを図1に示す。
シリコンウェハ中の結晶欠陥部位に現れたフローパター
ン欠陥(図1中の)とセコエッチピット(図1中の
)を計数し品質評価を行った。
ェハに純水洗浄を施し微分干渉光学顕微鏡を用いて観察
した。この時のエッチング面のスケッチを図1に示す。
シリコンウェハ中の結晶欠陥部位に現れたフローパター
ン欠陥(図1中の)とセコエッチピット(図1中の
)を計数し品質評価を行った。
【0018】図1に前述の弗化水素酸混合比Xと計数し
たエッチピットおよびノイズの体積密度との関係を示
す。このような混合比によって欠陥の現れ方が大きく異
なることが解った。また特にX=1.5近傍ではノイズ
が極小に押さえられ、信頼性の高い評価ができることが
解った。
たエッチピットおよびノイズの体積密度との関係を示
す。このような混合比によって欠陥の現れ方が大きく異
なることが解った。また特にX=1.5近傍ではノイズ
が極小に押さえられ、信頼性の高い評価ができることが
解った。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の本
発明によれば、フローパターン欠陥のみならずセコエッ
チピットをも計数し評価することによって、従来不安定
であったシリコンウェハの欠陥評価方法の信頼性を大幅
に向上させることができる。
発明によれば、フローパターン欠陥のみならずセコエッ
チピットをも計数し評価することによって、従来不安定
であったシリコンウェハの欠陥評価方法の信頼性を大幅
に向上させることができる。
【0020】請求項2記載の本発明によれば、前記混合
液を、弗化水素酸18mol/l、重クロム酸カリウム
0.067mol/lの濃度比の水溶液として、この混
合液にシリコンウェハを浸漬することにより、セコエッ
チピットを観察ができ、従来不安定であったSiウェハ
の欠陥評価方法の信頼性を大幅に向上させることができ
る。
液を、弗化水素酸18mol/l、重クロム酸カリウム
0.067mol/lの濃度比の水溶液として、この混
合液にシリコンウェハを浸漬することにより、セコエッ
チピットを観察ができ、従来不安定であったSiウェハ
の欠陥評価方法の信頼性を大幅に向上させることができ
る。
【図1】 シリコンウェハを弗化水素酸と重クロム酸カ
リウム溶液の混合液で選択エッチングした時、表面に現
れたエッチピットの観察図。
リウム溶液の混合液で選択エッチングした時、表面に現
れたエッチピットの観察図。
【図2】 弗化水素酸(50wt%)と重クロム酸カリ
ウム(0.15mol/l)の混合比を変化させた時の
フローパターン欠陥とセコエッチピットの密度。
ウム(0.15mol/l)の混合比を変化させた時の
フローパターン欠陥とセコエッチピットの密度。
1…フローパターン(水蒸気泡の痕跡によるエッチング
ムラ)、2…フローパターン欠陥、 3…セコエッチピ
ット、4…ノイズ。
ムラ)、2…フローパターン欠陥、 3…セコエッチピ
ット、4…ノイズ。
Claims (2)
- 【請求項1】 弗化水素酸と重クロム酸カリウムとの混
合液にシリコンウェハを浸漬し、当該シリコンウェハの
結晶欠陥部位の存在によって生ずるV字型のエッチング
ムラであるフローパターンと、当該フローパターンを伴
わない結晶欠陥であるセコエッチピットとを計数し、こ
れらの合計によりシリコンウェハの品質を評価すること
を特徴とするシリコンウェハの品質評化方法。 - 【請求項2】 前記混合液を、弗化水素酸18mol/
l、重クロム酸カリウム0.067mol/lの濃度比
の水溶液とし、これによってシリコンウェハの品質評価
を行うことを特徴とする請求項1記載のシリコンウェハ
の品質評化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11198095A JPH08306753A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | シリコンウェハの品質評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11198095A JPH08306753A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | シリコンウェハの品質評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08306753A true JPH08306753A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14574942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11198095A Withdrawn JPH08306753A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | シリコンウェハの品質評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08306753A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398303B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2003-09-19 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘의 평가 방법 |
-
1995
- 1995-05-10 JP JP11198095A patent/JPH08306753A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398303B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2003-09-19 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘의 평가 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |