JP2001518460A - 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法 - Google Patents
塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法Info
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- C07C67/14—Preparation of carboxylic acid esters from carboxylic acid halides
Abstract
(57)【要約】
本発明は、塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法に関し、より詳細には、環状のエステル化合物であるラクトン化合物を出発物質とし、中間体として塩化o−(クロロメチル)ベンゾイル、o−(クロロメチル)安息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩の合成を通じて、スルホニル尿素系除草剤の合成に重要な化合物として用いられ、次の化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法に関する。
【化5】
Description
【0001】
本発明は、塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を
製造することに関するもので、より詳細にはスルホニル尿素系除草剤の合成に重
要な化合物として用いられている塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタン
スルホニル誘導体を製造するために、環状のエステル化合物であるラクトン化合
物を出発物質とし、中間体として塩化o−(クロロメチル)ベンゾイル、o−(
クロロメチル)安息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)フェニ
ルメタンチオスルホン酸塩の合成を通じて次の化学式1で示される塩化o−(カ ルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造することに関するもの である。
製造することに関するもので、より詳細にはスルホニル尿素系除草剤の合成に重
要な化合物として用いられている塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタン
スルホニル誘導体を製造するために、環状のエステル化合物であるラクトン化合
物を出発物質とし、中間体として塩化o−(クロロメチル)ベンゾイル、o−(
クロロメチル)安息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)フェニ
ルメタンチオスルホン酸塩の合成を通じて次の化学式1で示される塩化o−(カ ルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造することに関するもの である。
【化6】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1〜6の炭素原子を有す
るアルキル基、1〜6の炭素原子を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するアルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、ニト
ロ基或いはフェニル基を示し、Rは1〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜
6の炭素原子を有するハロアルキル基或いは3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数である。
るアルキル基、1〜6の炭素原子を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するアルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、ニト
ロ基或いはフェニル基を示し、Rは1〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜
6の炭素原子を有するハロアルキル基或いは3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数である。
【0002】
上記化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホ
ニル誘導体は、スルホニル尿素系除草剤の合成に基本的な原料物質として開示さ
れている(米国特許第4,420,325号及びドイツ 公報第3,927,7
88号)。
ニル誘導体は、スルホニル尿素系除草剤の合成に基本的な原料物質として開示さ
れている(米国特許第4,420,325号及びドイツ 公報第3,927,7
88号)。
【0003】 化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
誘導体の従来の合成法は米国特許第4,420,325号及びHauxue S
hijie 31 211(1990)(CA 114101、765)に記載
されている。その方法は、次の反応式1のように要約される。
誘導体の従来の合成法は米国特許第4,420,325号及びHauxue S
hijie 31 211(1990)(CA 114101、765)に記載
されている。その方法は、次の反応式1のように要約される。
【化7】
【0004】 上記従来の反応式1によると、o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステル
とチオ尿素を反応させて中間体としてイソチオウロニウム塩を合成し、上記中間
体を塩素化させて塩化フェニルメタンスルホニルを最終生成物として製造する方
法である。しかし、イソチオウロニウム塩を合成するために用いられるチオ尿素
は発癌性を誘発する物質であるので、チオ尿素を工業的に大量生産することは容
易なことではない。
とチオ尿素を反応させて中間体としてイソチオウロニウム塩を合成し、上記中間
体を塩素化させて塩化フェニルメタンスルホニルを最終生成物として製造する方
法である。しかし、イソチオウロニウム塩を合成するために用いられるチオ尿素
は発癌性を誘発する物質であるので、チオ尿素を工業的に大量生産することは容
易なことではない。
【0005】 また、上記反応式1で出発物質として用いられているo−(クロロメチル)安
息香酸メチルエステルを製造する方法は、いくつかの特許明細書に示されている
。例えば、上記o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの側鎖のメチル基
は、UV照射のもと、塩素と塩化水素ガスの反応により塩素が置換される(米国
特許第4,689,425号)。しかし、この方法は、出発物質の残量が10%
程度で反応が終結されるものの、多くの副生成物の生成と共に最終生成物の精製
過程が難しくなり、その収率も低かった。
息香酸メチルエステルを製造する方法は、いくつかの特許明細書に示されている
。例えば、上記o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの側鎖のメチル基
は、UV照射のもと、塩素と塩化水素ガスの反応により塩素が置換される(米国
特許第4,689,425号)。しかし、この方法は、出発物質の残量が10%
程度で反応が終結されるものの、多くの副生成物の生成と共に最終生成物の精製
過程が難しくなり、その収率も低かった。
【0006】 また、塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する別の従来法として米国
特許第5,504,249号では、有機窒素化合物と塩化水素を触媒として、フ
タリドと、塩化チオニルとを160〜170℃の高温で反応させて最終化合物を
得ている。しかしながらこの方法の場合、塩化チオニル(SOCl2)と塩化水
素の沸点がそれぞれ79℃と−85℃であるため、通常の反応器により反応させ
ることは容易ではなく、この方法を工業的に利用するには多くの問題がある。
特許第5,504,249号では、有機窒素化合物と塩化水素を触媒として、フ
タリドと、塩化チオニルとを160〜170℃の高温で反応させて最終化合物を
得ている。しかしながらこの方法の場合、塩化チオニル(SOCl2)と塩化水
素の沸点がそれぞれ79℃と−85℃であるため、通常の反応器により反応させ
ることは容易ではなく、この方法を工業的に利用するには多くの問題がある。
【0007】 他の製造方法として、ラクトン化合物をホスゲン(ClCOCl)と反応させ
て塩素置換された塩化カルボン酸を合成する方法が知られているが、ここで反応
の触媒としてピリジン(米国特許第2,778,852号)、4級アンモニウム
塩(米国特許第4,764,389号)或いはホスフィンオキシド(ヨーロッパ
特許第413,264号)等を使用している。しかし、これらの方法の場合、沸
点が8℃のホスゲンを用いて120℃以上の高温で反応を実施しなければならな
い難しさがある。また、ホスゲンは強力な毒性物質であるので、ガス状態で反応
させるこの工程は極めて危険である。
て塩素置換された塩化カルボン酸を合成する方法が知られているが、ここで反応
の触媒としてピリジン(米国特許第2,778,852号)、4級アンモニウム
塩(米国特許第4,764,389号)或いはホスフィンオキシド(ヨーロッパ
特許第413,264号)等を使用している。しかし、これらの方法の場合、沸
点が8℃のホスゲンを用いて120℃以上の高温で反応を実施しなければならな
い難しさがある。また、ホスゲンは強力な毒性物質であるので、ガス状態で反応
させるこの工程は極めて危険である。
【0008】 本発明者らは上述の問題に監み、前記化学式1で示される化合物の大量生産に
有用な製造方法を開発するため努力して来た。
有用な製造方法を開発するため努力して来た。
【0009】
従って、本発明は、上記化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フ
ェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法を提供することにその目的があり、本
製造方法においては、 環状のエステル化合物であるラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム
塩触媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて低い温度で高収率の
塩化カルボニル化合物を製造し、 反応物質であり、かつ溶媒として用いられるアルコール化合物を、上記により
生成した中間体と反応させ、エステル化反応を通じて温和な条件下でo−(クロ
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造し、 この反応混合体を、発癌性を誘発する可能性があるチオウレアの代わりに毒性
の低いチオスルホン酸塩と反応させ、塩素化反応を通じて最終生成物として、上
記化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
誘導体を得るものである。
ェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法を提供することにその目的があり、本
製造方法においては、 環状のエステル化合物であるラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム
塩触媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて低い温度で高収率の
塩化カルボニル化合物を製造し、 反応物質であり、かつ溶媒として用いられるアルコール化合物を、上記により
生成した中間体と反応させ、エステル化反応を通じて温和な条件下でo−(クロ
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造し、 この反応混合体を、発癌性を誘発する可能性があるチオウレアの代わりに毒性
の低いチオスルホン酸塩と反応させ、塩素化反応を通じて最終生成物として、上
記化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
誘導体を得るものである。
【0010】
本発明は、塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の
製造方法に関するものであり、本製造方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム
塩触媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示さ
れる塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶媒として用いられるア
ルコール化合物中でエステル化させて次の化学式4で示されるo−(クロロメチ
ル)安息香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸塩と反応させて次の化
学式5で示されるo−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を
製造する工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の化学式1で示される塩
化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程と
からなる。
製造方法に関するものであり、本製造方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム
塩触媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示さ
れる塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶媒として用いられるア
ルコール化合物中でエステル化させて次の化学式4で示されるo−(クロロメチ
ル)安息香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸塩と反応させて次の化
学式5で示されるo−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を
製造する工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の化学式1で示される塩
化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程と
からなる。
【0011】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1〜6の炭素原子を有す
るアルキル基、1〜6の炭素原子を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するアルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、ニト
ロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の
炭素原子を有するハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロアルキル基
を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数である。
るアルキル基、1〜6の炭素原子を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するアルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、ニト
ロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の
炭素原子を有するハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロアルキル基
を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数である。
【0012】 このような本発明について、以下に、より詳細に説明する。
【0013】 本発明によるラクトン化合物から塩化カルボニル化合物を製造する方法は次の
とおりである。 この反応は、80〜120℃、望ましくは90〜100℃で実施する。反応温
度が80℃未満の場合には充分に反応せず、120℃を超える場合には副生成物
を生じる。
とおりである。 この反応は、80〜120℃、望ましくは90〜100℃で実施する。反応温
度が80℃未満の場合には充分に反応せず、120℃を超える場合には副生成物
を生じる。
【0014】 また、反応触媒としてルイス酸と4級アンモニウム塩を共に用いる。通常使用
されるルイス酸としては、MgCl2、MgBr2、SnCl2、SnCl4、
TiCl4、AlCl3、FeCl3、BF3Et2O、BCl3、B(OEt
)3、B(OMe)3、B(O−iPr)3が挙げられ、ホウ素系ルイス酸を用
いることが望ましい。ルイス酸と併用される4級アンモニウム塩の例としては、
脂肪族アルキルアンモニウム或いは芳香族アルキルアンモニウムのハロゲン化化
合物として塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、塩
化テトラブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウムなどが挙げ
られる。触媒の使用量に対して特別な制限はないが、ルイス酸の場合には、ラク
トン化合物に対して、0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%を用い
る。アンモニウム塩の場合には、ラクトン化合物に対して0.1〜20モル%、
望ましくは0.5〜5モル%を用いる。
されるルイス酸としては、MgCl2、MgBr2、SnCl2、SnCl4、
TiCl4、AlCl3、FeCl3、BF3Et2O、BCl3、B(OEt
)3、B(OMe)3、B(O−iPr)3が挙げられ、ホウ素系ルイス酸を用
いることが望ましい。ルイス酸と併用される4級アンモニウム塩の例としては、
脂肪族アルキルアンモニウム或いは芳香族アルキルアンモニウムのハロゲン化化
合物として塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、塩
化テトラブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウムなどが挙げ
られる。触媒の使用量に対して特別な制限はないが、ルイス酸の場合には、ラク
トン化合物に対して、0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%を用い
る。アンモニウム塩の場合には、ラクトン化合物に対して0.1〜20モル%、
望ましくは0.5〜5モル%を用いる。
【0015】 さらに、反応物質として用いられる塩化チオニルの量は、ラクトン化合物に対
してモル比で1〜10当量、1〜2当量が望ましい。
してモル比で1〜10当量、1〜2当量が望ましい。
【0016】 上述の条件において、反応は一般的に常圧下で行われる。また、本発明によれ
ば、反応は一般的に溶媒を用いずに行われるが、溶媒を使用する場合には、反応
に影響を及ぼすことのない非活性な有機溶媒、例えばトルエン、キシレン、クロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン等が用いられる。反応終了後には、通常の精製方
法により上記化学式3で示される目的化合物を回収する。
ば、反応は一般的に溶媒を用いずに行われるが、溶媒を使用する場合には、反応
に影響を及ぼすことのない非活性な有機溶媒、例えばトルエン、キシレン、クロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン等が用いられる。反応終了後には、通常の精製方
法により上記化学式3で示される目的化合物を回収する。
【0017】 また、上記化学式4で示されるo−(クロロメチル)安息香酸エステル誘導体
を製造する方法は、上記化学式3で示される化合物をエステル化する場合と同様
の方法により実施する。この方法を以下に示す。
を製造する方法は、上記化学式3で示される化合物をエステル化する場合と同様
の方法により実施する。この方法を以下に示す。
【0018】 上記エステル化は−5〜100℃、望ましくは40〜50℃で行われる。アル
コール化合物は、反応物質及び溶媒として用いられる。このアルコール化合物の
使用量ついて特別な制限はないが、上記化学式3で示される塩化o−(クロロメ
チル)ベンゾイルに対してモル比で1〜10当量を添加することが経済的であり
、望ましくは1.2〜1.5当量を用いる。
コール化合物は、反応物質及び溶媒として用いられる。このアルコール化合物の
使用量ついて特別な制限はないが、上記化学式3で示される塩化o−(クロロメ
チル)ベンゾイルに対してモル比で1〜10当量を添加することが経済的であり
、望ましくは1.2〜1.5当量を用いる。
【0019】 本発明において、エステル化は塩基の不在下で温和な条件により実施される。
ただし、3級アミンとしてのアルキルアミン類(例えば、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリイソブチルアミン)或いはピリジンのような芳香族アミン
類が塩基として添加される場合、上記化学式4で示される目的化合物が温和な条
件下で高収率で得られる。エステル化のために塩基を添加する場合には、その反
応温度は0〜20℃、望ましくは5〜10℃を維持する。前記条件下でエステル
化反応を完了後、上記化学式4で示される目的化合物は通常の精製方法で回収さ
れる。例えば、上記における反応混合物を水で洗浄して減圧下で分別蒸留するか
、または洗浄プロセスを省き減圧下で分別蒸留する。
ただし、3級アミンとしてのアルキルアミン類(例えば、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリイソブチルアミン)或いはピリジンのような芳香族アミン
類が塩基として添加される場合、上記化学式4で示される目的化合物が温和な条
件下で高収率で得られる。エステル化のために塩基を添加する場合には、その反
応温度は0〜20℃、望ましくは5〜10℃を維持する。前記条件下でエステル
化反応を完了後、上記化学式4で示される目的化合物は通常の精製方法で回収さ
れる。例えば、上記における反応混合物を水で洗浄して減圧下で分別蒸留するか
、または洗浄プロセスを省き減圧下で分別蒸留する。
【0020】 さらに、化学式4で示される化合物とスルホン酸塩との反応により得られる、
上記化学式5で示される化合物を製造する方法を以下に示す。
上記化学式5で示される化合物を製造する方法を以下に示す。
【0021】 上記化学式4で示される化合物とスルホン酸塩との反応は30〜90℃、望ま
しくは40〜60℃で行われる。チオスルホン酸塩[M2(S2O3)]は、上
記化学式4で示される化合物に対して1.0〜2.0当量のモル比、望ましくは
1.0〜1.2当量のモル比にて加えられる。さらに、この様に生成されたo−
(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩の塩素化反応により製造
され、上記化学式1で示される最終目的化合物としての、塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンチオスルホニル誘導体の製造方法を以下に示す。
しくは40〜60℃で行われる。チオスルホン酸塩[M2(S2O3)]は、上
記化学式4で示される化合物に対して1.0〜2.0当量のモル比、望ましくは
1.0〜1.2当量のモル比にて加えられる。さらに、この様に生成されたo−
(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩の塩素化反応により製造
され、上記化学式1で示される最終目的化合物としての、塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンチオスルホニル誘導体の製造方法を以下に示す。
【0022】 上記塩素化反応は、塩素ガス(Cl2)或いは塩素化試薬を用いる通常の塩素
化方法により0〜20℃で実施するが、特に望ましくは塩素ガス(Cl2)を用
いて5〜10℃で実施する。
化方法により0〜20℃で実施するが、特に望ましくは塩素ガス(Cl2)を用
いて5〜10℃で実施する。
【0023】 この塩素の量は、3当量のモル比或いはそれ以上とする。また、塩素化におけ
る溶媒として水或いは酢酸を用いることが望ましく、水と酢酸を併用しても良い
。
る溶媒として水或いは酢酸を用いることが望ましく、水と酢酸を併用しても良い
。
【0024】 上記塩素化反応の終了後、残留塩素ガスを除去し、反応溶液を希釈するために
反応器に水を添加する。固体生成物をろ取し、上記化学式1で示される目的化合
物を得る。
反応器に水を添加する。固体生成物をろ取し、上記化学式1で示される目的化合
物を得る。
【0025】 本発明につき、以下実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明がこれら
実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例では、幾つかの特定の化
合物について製造方法を記載するが、本発明に含まれる誘導体は、以下の実施例
に基づいて当技術分野の熟練者により合成が可能である。
実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例では、幾つかの特定の化
合物について製造方法を記載するが、本発明に含まれる誘導体は、以下の実施例
に基づいて当技術分野の熟練者により合成が可能である。
【0026】 (実施例1):塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルの合成 温度計と冷却器とが装着された500mlの二口フラスコに、134gのフタ
リド(1モル)、95mlのSOCl2(1.3モル)、2.5mlのBF3E
t2O(0.02モル)および4.5gの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
(0.02モル)との混合物を入れ、反応器内温度を95〜100℃で維持しな
がら、15時間にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着した反応器
により減圧下、分別蒸留して目的とする化合物180g(収率:95%)を得た
。 沸点:75〜80℃(1mmHg)
リド(1モル)、95mlのSOCl2(1.3モル)、2.5mlのBF3E
t2O(0.02モル)および4.5gの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
(0.02モル)との混合物を入れ、反応器内温度を95〜100℃で維持しな
がら、15時間にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着した反応器
により減圧下、分別蒸留して目的とする化合物180g(収率:95%)を得た
。 沸点:75〜80℃(1mmHg)
【0027】 (実施例2):塩化4−クロロブチリルの合成 10gのγ−ブチロラクトンを入れた反応器に11.42mlのSOCl2、
0.29mlのBF3Et2Oおよび0.05gの塩化ベンジルトリエチルアン
モニウムを添加した。反応器の内部温度を90〜95℃で維持しながら、4時間
にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着した反応器により減圧下、
分別蒸留して目的とする化合物11.6g(収率:70%)を得た。 沸点:173〜174℃(760mmHg)
0.29mlのBF3Et2Oおよび0.05gの塩化ベンジルトリエチルアン
モニウムを添加した。反応器の内部温度を90〜95℃で維持しながら、4時間
にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着した反応器により減圧下、
分別蒸留して目的とする化合物11.6g(収率:70%)を得た。 沸点:173〜174℃(760mmHg)
【0028】 (実施例3):o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二口フラスコに、180
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルをとり、反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、50mlのメタノールを滴加した。全量のメタノールを滴
加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、この混合物を10時間
にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着して減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物165g(収率:94%)を得た。 沸点:77〜80℃(1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.9(s、3H)、5.02(s、2H)、
7.31〜7.56(m、3H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルをとり、反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、50mlのメタノールを滴加した。全量のメタノールを滴
加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、この混合物を10時間
にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着して減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物165g(収率:94%)を得た。 沸点:77〜80℃(1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.9(s、3H)、5.02(s、2H)、
7.31〜7.56(m、3H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
【0029】 (実施例4):o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二口フラスコに、100
0mlの塩化メチレンに溶解した180gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイ
ルをとり、この反応器の内部温度を0℃に維持しながら、(138mlの)トリ
エチルアミンを加え、次に50mlのメタノールを滴加した。全量のメタノール
を滴加後、反応器の内部温度を20〜30℃で維持しながら、反応混合物を10
時間にわたって撹拌した。 上記反応混合物を、5%塩酸溶液(300ml)を用いて酸性とし、有機層を
分離して硫酸マグネシウムで乾燥ろ過し、濃縮した。このようにして得た残留物
を減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物155g(収率:89%)を得た
。
0mlの塩化メチレンに溶解した180gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイ
ルをとり、この反応器の内部温度を0℃に維持しながら、(138mlの)トリ
エチルアミンを加え、次に50mlのメタノールを滴加した。全量のメタノール
を滴加後、反応器の内部温度を20〜30℃で維持しながら、反応混合物を10
時間にわたって撹拌した。 上記反応混合物を、5%塩酸溶液(300ml)を用いて酸性とし、有機層を
分離して硫酸マグネシウムで乾燥ろ過し、濃縮した。このようにして得た残留物
を減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物155g(収率:89%)を得た
。
【0030】 (実施例5):o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二口フラスコに、180
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を
40〜50℃で維持しながら、60mlのエタノールを滴加した。全量のエタノ
ールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、この反応混合
物を10時間にわたって撹拌した。蒸留器を装着した後、直ちにこの残留物につ
き、減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物179g(収率:90%)を得
た。 沸点:79〜82℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J=8Hz)、4.38(
q、2H、J=8Hz)、5.02(s、2H)、7.32〜7.55(m、3
H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を
40〜50℃で維持しながら、60mlのエタノールを滴加した。全量のエタノ
ールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、この反応混合
物を10時間にわたって撹拌した。蒸留器を装着した後、直ちにこの残留物につ
き、減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物179g(収率:90%)を得
た。 沸点:79〜82℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J=8Hz)、4.38(
q、2H、J=8Hz)、5.02(s、2H)、7.32〜7.55(m、3
H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
【0031】 (実施例6):o−(クロロメチル)安息香酸2−クロロエチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二口フラスコに、180
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を
40〜50℃で維持しながら、50mlの2−クロロエタノールを滴加した。全
量の2−クロロエタノールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持し
ながら、反応混合液を10時間にわたって撹拌した。この残留物を、分別蒸留器
を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物165g(
収率:94%)を得た。 沸点:88〜92℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、J=5.5Hz)、4.
59(t、2H、J=5.5Hz)、5.02(s、2H)、7.36〜7.5
8(m、3H)、8.01(d、1H、J=8Hz)
gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を
40〜50℃で維持しながら、50mlの2−クロロエタノールを滴加した。全
量の2−クロロエタノールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃で維持し
ながら、反応混合液を10時間にわたって撹拌した。この残留物を、分別蒸留器
を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して目的とする油状化合物165g(
収率:94%)を得た。 沸点:88〜92℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、J=5.5Hz)、4.
59(t、2H、J=5.5Hz)、5.02(s、2H)、7.36〜7.5
8(m、3H)、8.01(d、1H、J=8Hz)
【0032】 (実施例7):塩化o−(カルボメトキシ)フェニルメタンスルホニルの合成 20gのo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルに、50mlの水と、
29.5gのチオ硫酸ナトリウム・5水和物との混合物を加えて50〜55℃で
5時間にわたって撹拌した。300mlの酢酸を添加し、次に反応器の内部温度
を5〜10℃で維持しながら、過量の塩素ガスを3時間にわたって吹き入れた。
この反応混合物を同一温度で、さらに1時間撹拌した。(300mlの)氷冷水
を加えて30分間撹拌しながら窒素ガスを吹き込むことにより過量の塩素ガスを
除去した。生成した固体を冷水と共にろ過し、乾燥して白色の固体として目的と
する化合物22.4g(収率:83%)を得た。 融点:85〜86℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.95(s、3H)、5.67(s、2H)
、7.51〜7.68(m、3H)、8.07〜8.16(m、1H)
29.5gのチオ硫酸ナトリウム・5水和物との混合物を加えて50〜55℃で
5時間にわたって撹拌した。300mlの酢酸を添加し、次に反応器の内部温度
を5〜10℃で維持しながら、過量の塩素ガスを3時間にわたって吹き入れた。
この反応混合物を同一温度で、さらに1時間撹拌した。(300mlの)氷冷水
を加えて30分間撹拌しながら窒素ガスを吹き込むことにより過量の塩素ガスを
除去した。生成した固体を冷水と共にろ過し、乾燥して白色の固体として目的と
する化合物22.4g(収率:83%)を得た。 融点:85〜86℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.95(s、3H)、5.67(s、2H)
、7.51〜7.68(m、3H)、8.07〜8.16(m、1H)
【0033】 (実施例8):塩化o−(2−エトキシカルボニル)フェニルメタンスルホニル
の合成 o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの代わりに20gのo−(クロ
ロメチル)安息香酸エチルエステルを用いたことを除き、上記実施例7と同様の
方法により実施して、白色の固体として、目的とする化合物21.5g(収率:
81%)を得た。 融点:63〜64℃1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J=8Hz)、4.4(q
、2H、J=8Hz)、5.66(s、2H)、7.51〜7.68(m、3H
)、8.07〜8.15(m、1H)
の合成 o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの代わりに20gのo−(クロ
ロメチル)安息香酸エチルエステルを用いたことを除き、上記実施例7と同様の
方法により実施して、白色の固体として、目的とする化合物21.5g(収率:
81%)を得た。 融点:63〜64℃1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J=8Hz)、4.4(q
、2H、J=8Hz)、5.66(s、2H)、7.51〜7.68(m、3H
)、8.07〜8.15(m、1H)
【0034】 (実施例9):塩化o−(2−クロロエトキシカルボニル)フェニルメタンスル
ホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの代わりに20gのo−(クロ
ロメチル)安息香酸2―クロロエチルエステルを用いたことを除き、上記実施例
8と同様の方法により実施して、白色の固体として目的とする化合物20.5g
(収率:80%)を得た。 融点:66〜67℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、J=5.5Hz)、4.
59(t、2H、J=5.5Hz)、5.4(s、2H)、7.52〜7.68
(m、3H)、8.15(d、1H、J=8Hz)
ホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの代わりに20gのo−(クロ
ロメチル)安息香酸2―クロロエチルエステルを用いたことを除き、上記実施例
8と同様の方法により実施して、白色の固体として目的とする化合物20.5g
(収率:80%)を得た。 融点:66〜67℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、J=5.5Hz)、4.
59(t、2H、J=5.5Hz)、5.4(s、2H)、7.52〜7.68
(m、3H)、8.15(d、1H、J=8Hz)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 1997/50284 (32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30) (33)優先権主張国 韓国(KR) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),CN,JP,U S (72)発明者 ク ドン ワン 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン− ク、オウン−ドン、99、ハンビットアパー ト 128−604 (72)発明者 ザン ヘ ソン 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン− ク、オウン−ドン、99、ハンビットアパー ト 105−201 (72)発明者 リュ ジェ ウク 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン− ク、オウン−ドン、99、ハンビットアパー ト 120−305 (72)発明者 ウ ジェ チョン 大韓民国、302−162、デジョン、ソ−ク、 ドマ−2ドン、205、キョンナムアパート 1−406 Fターム(参考) 4H006 AA02 AC30 AC48 AC61 BA06 BA09 BA10 BA11 BA19 BA37 BA51 BA67 BB14 BC10 BE51 BE53 BE56 BE63 TB57 4H039 CA52
Claims (12)
- 【請求項1】 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘
導体を製造する方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム
塩触媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示さ
れる塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶媒として用いられるア
ルコール化合物中においてエステル化させて次の化学式4で示されるo−(クロ
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸塩と反応させて次の化
学式5で示されるo−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を
製造する工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の化学式1で示される塩
化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程と
からなることを特徴とする塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホ
ニル誘導体の製造方法。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1〜6の炭素原子を有す
るアルキル基、1〜6の炭素原子を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するアルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカルボニル基、ニト
ロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の
炭素原子を有するハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロアルキル基
を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数である。 - 【請求項2】 前記a)の工程は、90〜100℃の条件下で行われること
を特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
ホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項3】 前記a)の工程は、前記溶媒の存在下で或いは不在下で行わ
れることを特徴とする請求項1或いは2記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フ
ェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 前記ルイス酸触媒は、MgCl2、MgBr2、SnCl2 、SnCl4、TiCl4、AlCl3、FeCl3、BF3Et2O、BCl 3 、B(OEt)3、B(OMe)3、B(O−iPr)3の中から選ばれたこ
とを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンス
ルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項5】 前記ルイス酸触媒は、BF3Et2O、B(OEt)3、B
(OMe)3、B(O−iPr)3の中から選ばれたことを特徴とする請求項1
或いは4記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体
の製造方法。 - 【請求項6】 前記4級アンモニウム塩触媒は、テトラメチルアンモニウム
、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ベンジルトリメチル
アンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニ
ウムの中から選ばれたことを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボアルコ
キシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項7】 前記b)の工程における前記アルコール化合物は、メタノー
ルであることを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニ
ルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項8】 前記b)の工程における前記エステル化反応は、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、ピリジンの中から選ばれ
た前記塩基の存在下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カル
ボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項9】 前記c)の工程における前記チオスルホン酸塩は、M2(S 2 O3)[Mはアルカリ金属]で示される化合物であることを特徴とする請求項
1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造
方法。 - 【請求項10】 前記d)の工程における前記塩素化の反応は、水、酢酸或
いはこれらの混合物の存在下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩化o
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項11】 前記d)の工程における前記塩素化の反応は、0〜20℃
の条件下で行われることを特徴とする請求項1或いは10記載の塩化o−(カル
ボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項12】 前記d)の工程における前記塩素化の反応試薬は、塩素ガ
ス(Cl2)であることを特徴とする請求項1、10或いは11記載の塩化o−
(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。
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