JP3433319B2 - 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法 - Google Patents
塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法Info
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【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、塩化o−(カルボ
アルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造す
ることに関するもので、より詳細にはスルホニル尿素系
除草剤の合成に重要な化合物として用いられている塩化
o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘
導体を製造するために、環状のエステル化合物であるラ
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(クロロメチル)ベンゾイル、o−(クロロメチル)安
息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)
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ある。
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クトン化合物を出発物質とし、中間体として塩化o−
(クロロメチル)ベンゾイル、o−(クロロメチル)安
息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)
フェニルメタンチオスルホン酸塩の合成を通じて次の化
学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニル
メタンスルホニル誘導体を製造することに関するもので
ある。
【化6】
上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基或いはフェニル基を示し、Rは1〜
6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するハロアルキル基或いは3〜6の炭素原子を有する
シクロアルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4
の整数である。
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基或いはフェニル基を示し、Rは1〜
6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するハロアルキル基或いは3〜6の炭素原子を有する
シクロアルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4
の整数である。
【0002】
【従来の技術】上記化学式1で示される塩化o−(カル
ボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体は、ス
ルホニル尿素系除草剤の合成に基本的な原料物質として
開示されている(米国特許第4,420,325号及び
ドイツ 公報第3,927,788号)。
ボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体は、ス
ルホニル尿素系除草剤の合成に基本的な原料物質として
開示されている(米国特許第4,420,325号及び
ドイツ 公報第3,927,788号)。
【0003】化学式1で示される塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の従来の合成
法は米国特許第4,420,325号及びHauxue
Shijie 31 211(1990)(CA 1
14101、765)に記載されている。その方法は、
次の反応式1のように要約される。
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の従来の合成
法は米国特許第4,420,325号及びHauxue
Shijie 31 211(1990)(CA 1
14101、765)に記載されている。その方法は、
次の反応式1のように要約される。
【化7】
【0004】上記従来の反応式1によると、o−(クロ
ロメチル)安息香酸メチルエステルとチオ尿素を反応さ
せて中間体としてイソチオウロニウム塩を合成し、上記
中間体を塩素化させて塩化フェニルメタンスルホニルを
最終生成物として製造する方法である。しかし、イソチ
オウロニウム塩を合成するために用いられるチオ尿素は
発癌性を誘発する物質であるので、チオ尿素を工業的に
大量生産することは容易なことではない。
ロメチル)安息香酸メチルエステルとチオ尿素を反応さ
せて中間体としてイソチオウロニウム塩を合成し、上記
中間体を塩素化させて塩化フェニルメタンスルホニルを
最終生成物として製造する方法である。しかし、イソチ
オウロニウム塩を合成するために用いられるチオ尿素は
発癌性を誘発する物質であるので、チオ尿素を工業的に
大量生産することは容易なことではない。
【0005】また、上記反応式1で出発物質として用い
られているo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステ
ルを製造する方法は、いくつかの特許明細書に示されて
いる。例えば、上記o−(クロロメチル)安息香酸メチ
ルエステルの側鎖のメチル基は、UV照射のもと、塩素
と塩化水素ガスの反応により塩素が置換される(米国特
許第4,689,425号)。しかし、この方法は、出
発物質の残量が10%程度で反応が終結されるものの、
多くの副生成物の生成と共に最終生成物の精製過程が難
しくなり、その収率も低かった。
られているo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステ
ルを製造する方法は、いくつかの特許明細書に示されて
いる。例えば、上記o−(クロロメチル)安息香酸メチ
ルエステルの側鎖のメチル基は、UV照射のもと、塩素
と塩化水素ガスの反応により塩素が置換される(米国特
許第4,689,425号)。しかし、この方法は、出
発物質の残量が10%程度で反応が終結されるものの、
多くの副生成物の生成と共に最終生成物の精製過程が難
しくなり、その収率も低かった。
【0006】また、塩化o−(クロロメチル)ベンゾイ
ルを製造する別の従来法として米国特許第5,504,
249号では、有機窒素化合物と塩化水素を触媒とし
て、フタリドと、塩化チオニルとを160〜170℃の
高温で反応させて最終化合物を得ている。しかしながら
この方法の場合、塩化チオニル(SOCl2)と塩化水
素の沸点がそれぞれ79℃と−85℃であるため、通常
の反応器により反応させることは容易ではなく、この方
法を工業的に利用するには多くの問題がある。
ルを製造する別の従来法として米国特許第5,504,
249号では、有機窒素化合物と塩化水素を触媒とし
て、フタリドと、塩化チオニルとを160〜170℃の
高温で反応させて最終化合物を得ている。しかしながら
この方法の場合、塩化チオニル(SOCl2)と塩化水
素の沸点がそれぞれ79℃と−85℃であるため、通常
の反応器により反応させることは容易ではなく、この方
法を工業的に利用するには多くの問題がある。
【0007】他の製造方法として、ラクトン化合物をホ
スゲン(ClCOCl)と反応させて塩素置換された塩
化カルボン酸を合成する方法が知られているが、ここで
反応の触媒としてピリジン(米国特許第2,778,8
52号)、4級アンモニウム塩(米国特許第4,76
4,389号)或いはホスフィンオキシド(ヨーロッパ
特許第413,264号)等を使用している。しかし、
これらの方法の場合、沸点が8℃のホスゲンを用いて1
20℃以上の高温で反応を実施しなければならない難し
さがある。また、ホスゲンは強力な毒性物質であるの
で、ガス状態で反応させるこの工程は極めて危険であ
る。
スゲン(ClCOCl)と反応させて塩素置換された塩
化カルボン酸を合成する方法が知られているが、ここで
反応の触媒としてピリジン(米国特許第2,778,8
52号)、4級アンモニウム塩(米国特許第4,76
4,389号)或いはホスフィンオキシド(ヨーロッパ
特許第413,264号)等を使用している。しかし、
これらの方法の場合、沸点が8℃のホスゲンを用いて1
20℃以上の高温で反応を実施しなければならない難し
さがある。また、ホスゲンは強力な毒性物質であるの
で、ガス状態で反応させるこの工程は極めて危険であ
る。
【0008】本発明者らは上述の問題に監み、前記化学
式1で示される化合物の大量生産に有用な製造方法を開
発するため努力して来た。
式1で示される化合物の大量生産に有用な製造方法を開
発するため努力して来た。
【0009】
【発明の要約】従って、本発明は、上記化学式1で示さ
れる塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
ホニル誘導体の製造方法を提供することにその目的があ
り、本製造方法においては、環状のエステル化合物であ
るラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム塩触
媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて
低い温度で高収率の塩化カルボニル化合物を製造し、反
応物質であり、かつ溶媒として用いられるアルコール化
合物を、上記により生成した中間体と反応させ、エステ
ル化反応を通じて温和な条件下でo−(クロロメチル)
安息香酸エステル誘導体を製造し、この反応混合体を、
発癌性を誘発する可能性があるチオウレアの代わりに毒
性の低いチオスルホン酸塩と反応させ、塩素化反応を通
じて最終生成物として、上記化学式1で示される塩化o
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導
体を得るものである。
れる塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
ホニル誘導体の製造方法を提供することにその目的があ
り、本製造方法においては、環状のエステル化合物であ
るラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム塩触
媒の存在下で塩化チオニル(SOCl2)と反応させて
低い温度で高収率の塩化カルボニル化合物を製造し、反
応物質であり、かつ溶媒として用いられるアルコール化
合物を、上記により生成した中間体と反応させ、エステ
ル化反応を通じて温和な条件下でo−(クロロメチル)
安息香酸エステル誘導体を製造し、この反応混合体を、
発癌性を誘発する可能性があるチオウレアの代わりに毒
性の低いチオスルホン酸塩と反応させ、塩素化反応を通
じて最終生成物として、上記化学式1で示される塩化o
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導
体を得るものである。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法に
関するものであり、本製造方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス
酸と4級アンモニウム塩触媒の存在下で塩化チオニル
(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示される塩
化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶
媒として用いられるアルコール化合物中でエステル化さ
せて次の化学式4で示されるo−(クロロメチル)安息
香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸
塩と反応させて次の化学式5で示されるo−(カルボア
ルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を製造する
工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の
化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェ
ニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程とからな
る。
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法に
関するものであり、本製造方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス
酸と4級アンモニウム塩触媒の存在下で塩化チオニル
(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示される塩
化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶
媒として用いられるアルコール化合物中でエステル化さ
せて次の化学式4で示されるo−(クロロメチル)安息
香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸
塩と反応させて次の化学式5で示されるo−(カルボア
ルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を製造する
工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の
化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェ
ニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程とからな
る。
【0011】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の
炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を有す
るハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数で
ある。
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の
炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を有す
るハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数で
ある。
【0012】このような本発明について、以下に、より
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0013】本発明によるラクトン化合物から塩化カル
ボニル化合物を製造する方法は次のとおりである。この
反応は、80〜120℃、望ましくは90〜100℃で
実施する。反応温度が80℃未満の場合には充分に反応
せず、120℃を超える場合には副生成物を生じる。
ボニル化合物を製造する方法は次のとおりである。この
反応は、80〜120℃、望ましくは90〜100℃で
実施する。反応温度が80℃未満の場合には充分に反応
せず、120℃を超える場合には副生成物を生じる。
【0014】また、反応触媒としてルイス酸と4級アン
モニウム塩を共に用いる。通常使用されるルイス酸とし
ては、MgCl2、MgBr2、SnCl2、SnCl
4、TiCl4、AlCl3、FeCl3、BF3Et
2O、BCl3、B(OEt)3、B(OMe)3、B
(O−iPr)3が挙げられ、ホウ素系ルイス酸を用い
ることが望ましい。ルイス酸と併用される4級アンモニ
ウム塩の例としては、脂肪族アルキルアンモニウム或い
は芳香族アルキルアンモニウムのハロゲン化化合物とし
て塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルア
ンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ベン
ジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチル
アンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウムな
どが挙げられる。触媒の使用量に対して特別な制限はな
いが、ルイス酸の場合には、ラクトン化合物に対して、
0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%を用
いる。アンモニウム塩の場合には、ラクトン化合物に対
して0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%
を用いる。
モニウム塩を共に用いる。通常使用されるルイス酸とし
ては、MgCl2、MgBr2、SnCl2、SnCl
4、TiCl4、AlCl3、FeCl3、BF3Et
2O、BCl3、B(OEt)3、B(OMe)3、B
(O−iPr)3が挙げられ、ホウ素系ルイス酸を用い
ることが望ましい。ルイス酸と併用される4級アンモニ
ウム塩の例としては、脂肪族アルキルアンモニウム或い
は芳香族アルキルアンモニウムのハロゲン化化合物とし
て塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルア
ンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ベン
ジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチル
アンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウムな
どが挙げられる。触媒の使用量に対して特別な制限はな
いが、ルイス酸の場合には、ラクトン化合物に対して、
0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%を用
いる。アンモニウム塩の場合には、ラクトン化合物に対
して0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%
を用いる。
【0015】さらに、反応物質として用いられる塩化チ
オニルの量は、ラクトン化合物に対してモル比で1〜1
0当量、1〜2当量が望ましい。
オニルの量は、ラクトン化合物に対してモル比で1〜1
0当量、1〜2当量が望ましい。
【0016】上述の条件において、反応は一般的に常圧
下で行われる。また、本発明によれば、反応は一般的に
溶媒を用いずに行われるが、溶媒を使用する場合には、
反応に影響を及ぼすことのない非活性な有機溶媒、例え
ばトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等が用いられる。反応終了後には、通常の精製方法
により上記化学式3で示される目的化合物を回収する。
下で行われる。また、本発明によれば、反応は一般的に
溶媒を用いずに行われるが、溶媒を使用する場合には、
反応に影響を及ぼすことのない非活性な有機溶媒、例え
ばトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等が用いられる。反応終了後には、通常の精製方法
により上記化学式3で示される目的化合物を回収する。
【0017】また、上記化学式4で示されるo−(クロ
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造する方法は、
上記化学式3で示される化合物をエステル化する場合と
同様の方法により実施する。この方法を以下に示す。
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造する方法は、
上記化学式3で示される化合物をエステル化する場合と
同様の方法により実施する。この方法を以下に示す。
【0018】上記エステル化は−5〜100℃、望まし
くは40〜50℃で行われる。アルコール化合物は、反
応物質及び溶媒として用いられる。このアルコール化合
物の使用量ついて特別な制限はないが、上記化学式3で
示される塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルに対して
モル比で1〜10当量を添加することが経済的であり、
望ましくは1.2〜1.5当量を用いる。
くは40〜50℃で行われる。アルコール化合物は、反
応物質及び溶媒として用いられる。このアルコール化合
物の使用量ついて特別な制限はないが、上記化学式3で
示される塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルに対して
モル比で1〜10当量を添加することが経済的であり、
望ましくは1.2〜1.5当量を用いる。
【0019】本発明において、エステル化は塩基の不在
下で温和な条件により実施される。ただし、3級アミン
としてのアルキルアミン類(例えば、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン)或いは
ピリジンのような芳香族アミン類が塩基として添加され
る場合、上記化学式4で示される目的化合物が温和な条
件下で高収率で得られる。エステル化のために塩基を添
加する場合には、その反応温度は0〜20℃、望ましく
は5〜10℃を維持する。前記条件下でエステル化反応
を完了後、上記化学式4で示される目的化合物は通常の
精製方法で回収される。例えば、上記における反応混合
物を水で洗浄して減圧下で分別蒸留するか、または洗浄
プロセスを省き減圧下で分別蒸留する。
下で温和な条件により実施される。ただし、3級アミン
としてのアルキルアミン類(例えば、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン)或いは
ピリジンのような芳香族アミン類が塩基として添加され
る場合、上記化学式4で示される目的化合物が温和な条
件下で高収率で得られる。エステル化のために塩基を添
加する場合には、その反応温度は0〜20℃、望ましく
は5〜10℃を維持する。前記条件下でエステル化反応
を完了後、上記化学式4で示される目的化合物は通常の
精製方法で回収される。例えば、上記における反応混合
物を水で洗浄して減圧下で分別蒸留するか、または洗浄
プロセスを省き減圧下で分別蒸留する。
【0020】さらに、化学式4で示される化合物とスル
ホン酸塩との反応により得られる、上記化学式5で示さ
れる化合物を製造する方法を以下に示す。
ホン酸塩との反応により得られる、上記化学式5で示さ
れる化合物を製造する方法を以下に示す。
【0021】上記化学式4で示される化合物とスルホン
酸塩との反応は30〜90℃、望ましくは40〜60℃
で行われる。チオスルホン酸塩[M2(S2O3)]
は、上記化学式4で示される化合物に対して1.0〜
2.0当量のモル比、望ましくは1.0〜1.2当量の
モル比にて加えられる。さらに、この様に生成されたo
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸
塩の塩素化反応により製造され、上記化学式1で示され
る最終目的化合物としての、塩化o−(カルボアルコキ
シ)フェニルメタンチオスルホニル誘導体の製造方法を
以下に示す。
酸塩との反応は30〜90℃、望ましくは40〜60℃
で行われる。チオスルホン酸塩[M2(S2O3)]
は、上記化学式4で示される化合物に対して1.0〜
2.0当量のモル比、望ましくは1.0〜1.2当量の
モル比にて加えられる。さらに、この様に生成されたo
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸
塩の塩素化反応により製造され、上記化学式1で示され
る最終目的化合物としての、塩化o−(カルボアルコキ
シ)フェニルメタンチオスルホニル誘導体の製造方法を
以下に示す。
【0022】上記塩素化反応は、塩素ガス(Cl2)或
いは塩素化試薬を用いる通常の塩素化方法により0〜2
0℃で実施するが、特に望ましくは塩素ガス(Cl2)
を用いて5〜10℃で実施する。
いは塩素化試薬を用いる通常の塩素化方法により0〜2
0℃で実施するが、特に望ましくは塩素ガス(Cl2)
を用いて5〜10℃で実施する。
【0023】この塩素の量は、3当量のモル比或いはそ
れ以上とする。また、塩素化における溶媒として水或い
は酢酸を用いることが望ましく、水と酢酸を併用しても
良い。
れ以上とする。また、塩素化における溶媒として水或い
は酢酸を用いることが望ましく、水と酢酸を併用しても
良い。
【0024】上記塩素化反応の終了後、残留塩素ガスを
除去し、反応溶液を希釈するために反応器に水を添加す
る。固体生成物をろ取し、上記化学式1で示される目的
化合物を得る。
除去し、反応溶液を希釈するために反応器に水を添加す
る。固体生成物をろ取し、上記化学式1で示される目的
化合物を得る。
【0025】本発明につき、以下実施例に基づいてより
詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限定される
ものではない。また、以下の実施例では、幾つかの特定
の化合物について製造方法を記載するが、本発明に含ま
れる誘導体は、以下の実施例に基づいて当技術分野の熟
練者により合成が可能である。
詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限定される
ものではない。また、以下の実施例では、幾つかの特定
の化合物について製造方法を記載するが、本発明に含ま
れる誘導体は、以下の実施例に基づいて当技術分野の熟
練者により合成が可能である。
【0026】(実施例1):塩化o−(クロロメチル)
ベンゾイルの合成 温度計と冷却器とが装着された500mlの二口フラス
コに、134gのフタリド(1モル)、95mlのSO
Cl2(1.3モル)、2.5mlのBF3Et2O
(0.02モル)および4.5gの塩化ベンジルトリエ
チルアンモニウム(0.02モル)との混合物を入れ、
反応器内温度を95〜100℃で維持しながら、15時
間にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着
した反応器により減圧下、分別蒸留して目的とする化合
物180g(収率:95%)を得た。 沸点:75〜80℃(1mmHg)
ベンゾイルの合成 温度計と冷却器とが装着された500mlの二口フラス
コに、134gのフタリド(1モル)、95mlのSO
Cl2(1.3モル)、2.5mlのBF3Et2O
(0.02モル)および4.5gの塩化ベンジルトリエ
チルアンモニウム(0.02モル)との混合物を入れ、
反応器内温度を95〜100℃で維持しながら、15時
間にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着
した反応器により減圧下、分別蒸留して目的とする化合
物180g(収率:95%)を得た。 沸点:75〜80℃(1mmHg)
【0027】(実施例2):塩化4−クロロブチリルの
合成 10gのγ−ブチロラクトンを入れた反応器に11.4
2mlのSOCl2、0.29mlのBF3Et2Oお
よび0.05gの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
を添加した。反応器の内部温度を90〜95℃で維持し
ながら、4時間にわたって撹拌した。反応終了後、分別
蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して目
的とする化合物11.6g(収率:70%)を得た。 沸点:173〜174℃(760mmHg)
合成 10gのγ−ブチロラクトンを入れた反応器に11.4
2mlのSOCl2、0.29mlのBF3Et2Oお
よび0.05gの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
を添加した。反応器の内部温度を90〜95℃で維持し
ながら、4時間にわたって撹拌した。反応終了後、分別
蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して目
的とする化合物11.6g(収率:70%)を得た。 沸点:173〜174℃(760mmHg)
【0028】(実施例3):o−(クロロメチル)安息
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルをとり、反応器の内部温度を40〜50℃で維
持しながら、50mlのメタノールを滴加した。全量の
メタノールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃
で維持しながら、この混合物を10時間にわたって撹拌
した。反応終了後、分別蒸留器を装着して減圧下、分別
蒸留して目的とする油状化合物165g(収率:94
%)を得た。 沸点:77〜80℃(1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.9(s、3H)、
5.02(s、2H)、7.31〜7.56(m、3
H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルをとり、反応器の内部温度を40〜50℃で維
持しながら、50mlのメタノールを滴加した。全量の
メタノールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃
で維持しながら、この混合物を10時間にわたって撹拌
した。反応終了後、分別蒸留器を装着して減圧下、分別
蒸留して目的とする油状化合物165g(収率:94
%)を得た。 沸点:77〜80℃(1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.9(s、3H)、
5.02(s、2H)、7.31〜7.56(m、3
H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
【0029】(実施例4):o−(クロロメチル)安息
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、1000mlの塩化メチレンに溶解した
180gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルをと
り、この反応器の内部温度を0℃に維持しながら、(1
38mlの)トリエチルアミンを加え、次に50mlの
メタノールを滴加した。全量のメタノールを滴加後、反
応器の内部温度を20〜30℃で維持しながら、反応混
合物を10時間にわたって撹拌した。上記反応混合物
を、5%塩酸溶液(300ml)を用いて酸性とし、有
機層を分離して硫酸マグネシウムで乾燥ろ過し、濃縮し
た。このようにして得た残留物を減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物155g(収率:89%)を得
た。
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、1000mlの塩化メチレンに溶解した
180gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルをと
り、この反応器の内部温度を0℃に維持しながら、(1
38mlの)トリエチルアミンを加え、次に50mlの
メタノールを滴加した。全量のメタノールを滴加後、反
応器の内部温度を20〜30℃で維持しながら、反応混
合物を10時間にわたって撹拌した。上記反応混合物
を、5%塩酸溶液(300ml)を用いて酸性とし、有
機層を分離して硫酸マグネシウムで乾燥ろ過し、濃縮し
た。このようにして得た残留物を減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物155g(収率:89%)を得
た。
【0030】(実施例5):o−(クロロメチル)安息
香酸エチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、60mlのエタノールを滴加し
た。全量のエタノールを滴加後、反応器の内部温度を4
0〜50℃で維持しながら、この反応混合物を10時間
にわたって撹拌した。蒸留器を装着した後、直ちにこの
残留物につき、減圧下、分別蒸留して目的とする油状化
合物179g(収率:90%)を得た。 沸点:79〜82℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.38(q、2H、J=8Hz)、5.
02(s、2H)、7.32〜7.55(m、3H)、
7.96(d、1H、J=8Hz)
香酸エチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、60mlのエタノールを滴加し
た。全量のエタノールを滴加後、反応器の内部温度を4
0〜50℃で維持しながら、この反応混合物を10時間
にわたって撹拌した。蒸留器を装着した後、直ちにこの
残留物につき、減圧下、分別蒸留して目的とする油状化
合物179g(収率:90%)を得た。 沸点:79〜82℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.38(q、2H、J=8Hz)、5.
02(s、2H)、7.32〜7.55(m、3H)、
7.96(d、1H、J=8Hz)
【0031】(実施例6):o−(クロロメチル)安息
香酸2−クロロエチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、50mlの2−クロロエタノール
を滴加した。全量の2−クロロエタノールを滴加後、反
応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、反応混
合液を10時間にわたって撹拌した。この残留物を、分
別蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物165g(収率:94%)を得
た。 沸点:88〜92℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.02(s、2H)、7.36〜7.58
(m、3H)、8.01(d、1H、J=8Hz)
香酸2−クロロエチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、50mlの2−クロロエタノール
を滴加した。全量の2−クロロエタノールを滴加後、反
応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、反応混
合液を10時間にわたって撹拌した。この残留物を、分
別蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物165g(収率:94%)を得
た。 沸点:88〜92℃(1.1mmHg)1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.02(s、2H)、7.36〜7.58
(m、3H)、8.01(d、1H、J=8Hz)
【0032】(実施例7):塩化o−(カルボメトキ
シ)フェニルメタンスルホニルの合成 20gのo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステル
に、50mlの水と、29.5gのチオ硫酸ナトリウム
・5水和物との混合物を加えて50〜55℃で5時間に
わたって撹拌した。300mlの酢酸を添加し、次に反
応器の内部温度を5〜10℃で維持しながら、過量の塩
素ガスを3時間にわたって吹き入れた。この反応混合物
を同一温度で、さらに1時間撹拌した。(300ml
の)氷冷水を加えて30分間撹拌しながら窒素ガスを吹
き込むことにより過量の塩素ガスを除去した。生成した
固体を冷水と共にろ過し、乾燥して白色の固体として目
的とする化合物22.4g(収率:83%)を得た。 融点:85〜86℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.95(s、3
H)、5.67(s、2H)、7.51〜7.68
(m、3H)、8.07〜8.16(m、1H)
シ)フェニルメタンスルホニルの合成 20gのo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステル
に、50mlの水と、29.5gのチオ硫酸ナトリウム
・5水和物との混合物を加えて50〜55℃で5時間に
わたって撹拌した。300mlの酢酸を添加し、次に反
応器の内部温度を5〜10℃で維持しながら、過量の塩
素ガスを3時間にわたって吹き入れた。この反応混合物
を同一温度で、さらに1時間撹拌した。(300ml
の)氷冷水を加えて30分間撹拌しながら窒素ガスを吹
き込むことにより過量の塩素ガスを除去した。生成した
固体を冷水と共にろ過し、乾燥して白色の固体として目
的とする化合物22.4g(収率:83%)を得た。 融点:85〜86℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.95(s、3
H)、5.67(s、2H)、7.51〜7.68
(m、3H)、8.07〜8.16(m、1H)
【0033】(実施例8):塩化o−(2−エトキシカ
ルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸エチルエステ
ルを用いたことを除き、上記実施例7と同様の方法によ
り実施して、白色の固体として、目的とする化合物2
1.5g(収率:81%)を得た。 融点:63〜64℃1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.4(q、2H、J=8Hz)、5.6
6(s、2H)、7.51〜7.68(m、3H)、
8.07〜8.15(m、1H)
ルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸エチルエステ
ルを用いたことを除き、上記実施例7と同様の方法によ
り実施して、白色の固体として、目的とする化合物2
1.5g(収率:81%)を得た。 融点:63〜64℃1 H−NMR(CDCl3):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.4(q、2H、J=8Hz)、5.6
6(s、2H)、7.51〜7.68(m、3H)、
8.07〜8.15(m、1H)
【0034】(実施例9):塩化o−(2−クロロエト
キシカルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸2―クロロエ
チルエステルを用いたことを除き、上記実施例8と同様
の方法により実施して、白色の固体として目的とする化
合物20.5g(収率:80%)を得た。 融点:66〜67℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.4(s、2H)、7.52〜7.68(m、
3H)、8.15(d、1H、J=8Hz)
キシカルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸2―クロロエ
チルエステルを用いたことを除き、上記実施例8と同様
の方法により実施して、白色の固体として目的とする化
合物20.5g(収率:80%)を得た。 融点:66〜67℃1 H−NMR(CDCl3):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.4(s、2H)、7.52〜7.68(m、
3H)、8.15(d、1H、J=8Hz)
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(31)優先権主張番号 1997/50284
(32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30)
(33)優先権主張国 韓国(KR)
(72)発明者 ク ドン ワン
大韓民国、305−333、デジョン、ユソン
−ク、オウン−ドン、99、ハンビットア
パート 128−604
(72)発明者 ザン ヘ ソン
大韓民国、305−333、デジョン、ユソン
−ク、オウン−ドン、99、ハンビットア
パート 105−201
(72)発明者 リュ ジェ ウク
大韓民国、305−333、デジョン、ユソン
−ク、オウン−ドン、99、ハンビットア
パート 120−305
(72)発明者 ウ ジェ チョン
大韓民国、302−162、デジョン、ソ−
ク、ドマ−2ドン、205、キョンナムア
パート 1−406
(56)参考文献 特開 平8−208592(JP,A)
特開 昭60−45556(JP,A)
特開 昭63−130559(JP,A)
特開 平3−173846(JP,A)
特開 平8−40976(JP,A)
特開 昭62−116567(JP,A)
特開 昭62−103059(JP,A)
特開 昭57−112379(JP,A)
特公 昭46−2974(JP,B1)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C07C 303/00
C07C 309/00
Claims (12)
- 【請求項1】 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニル
メタンスルホニル誘導体を製造する方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス
酸と4級アンモニウム塩触媒の存在下で塩化チオニル
(SOCl2)と反応させて次の化学式3で示される塩
化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶
媒として用いられるアルコール化合物中においてエステ
ル化させて次の化学式4で示されるo−(クロロメチ
ル)安息香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸
塩と反応させて次の化学式5で示されるo−(カルボア
ルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を製造する
工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の
化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェ
ニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程とからなる
ことを特徴とする塩化o−(カルボアルコキシ)フェニ
ルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の
炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を有す
るハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数で
ある。 - 【請求項2】 前記a)の工程は、90〜100℃の条
件下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩化o
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導
体の製造方法。 - 【請求項3】 前記a)の工程は、前記溶媒の存在下で
或いは不在下で行われることを特徴とする請求項1或い
は2記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタ
ンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 前記ルイス酸触媒は、MgCl2、Mg
Br2、SnCl2、SnCl4、TiCl4、AlC
l3、FeCl3、BF3Et2O、BCl3、B(O
Et)3、B(OMe)3、B(O−iPr)3の中か
ら選ばれたことを特徴とする請求項1記載の塩化o−
(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体
の製造方法。 - 【請求項5】 前記ルイス酸触媒は、BF3Et2O、
B(OEt)3、B(OMe)3、B(O−iPr)3
の中から選ばれたことを特徴とする請求項1或いは4記
載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
ホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項6】 前記4級アンモニウム塩触媒は、テトラ
メチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テト
ラブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリブ
チルアンモニウムの中から選ばれたことを特徴とする請
求項1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメ
タンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項7】 前記b)の工程における前記アルコール
化合物は、メタノールであることを特徴とする請求項1
記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンス
ルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項8】 前記b)の工程における前記エステル化
反応は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイ
ソプロピルアミン、ピリジンの中から選ばれた前記塩基
の存在下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩
化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
誘導体の製造方法。 - 【請求項9】 前記c)の工程における前記チオスルホ
ン酸塩は、M2(S2O3)[Mはアルカリ金属]で示
される化合物であることを特徴とする請求項1記載の塩
化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
誘導体の製造方法。 - 【請求項10】 前記d)の工程における前記塩素化の
反応は、水、酢酸或いはこれらの混合物の存在下で行わ
れることを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボ
アルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方
法。 - 【請求項11】 前記d)の工程における前記塩素化の
反応は、0〜20℃の条件下で行われることを特徴とす
る請求項1或いは10記載の塩化o−(カルボアルコキ
シ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項12】 前記d)の工程における前記塩素化の
反応試薬は、塩素ガス(Cl2)であることを特徴とす
る請求項1、10或いは11記載の塩化o−(カルボア
ルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方
法。
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KR1997/50284 | 1997-09-30 | ||
KR1997/50283 | 1997-09-30 | ||
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KR1019970050283A KR100252461B1 (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 락톤화합물로부터염소가치환된카르복실산클로라이드화합물의제조방법 |
KR1019970050284A KR100252462B1 (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ο-(클로로메틸)벤조산에스테르유도체의제조방법 |
PCT/KR1998/000302 WO1999016743A1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | A PROCESS FOR PREPARING o-(CARBOALKOXY) PHENYLMETHANESULFONYL CHLORIDE DERIVATIVES |
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