JP3433319B2 - 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法 - Google Patents

塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【背景技術】
【発明の属する技術分野】本発明は、塩化o−(カルボ
アルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体を製造す
ることに関するもので、より詳細にはスルホニル尿素系
除草剤の合成に重要な化合物として用いられている塩化
o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘
導体を製造するために、環状のエステル化合物であるラ
クトン化合物を出発物質とし、中間体として塩化o−
(クロロメチル)ベンゾイル、o−(クロロメチル)安
息香酸エステル誘導体およびo−(カルボアルコキシ)
フェニルメタンチオスルホン酸塩の合成を通じて次の化
学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェニル
メタンスルホニル誘導体を製造することに関するもので
ある。
【化6】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基或いはフェニル基を示し、Rは1〜
6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を
有するハロアルキル基或いは3〜6の炭素原子を有する
シクロアルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4
の整数である。
【0002】
【従来の技術】上記化学式1で示される塩化o−(カル
ボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体は、ス
ルホニル尿素系除草剤の合成に基本的な原料物質として
開示されている(米国特許第4,420,325号及び
ドイツ 公報第3,927,788号)。
【0003】化学式1で示される塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の従来の合成
法は米国特許第4,420,325号及びHauxue
Shijie 31 211(1990)(CA 1
14101、765)に記載されている。その方法は、
次の反応式1のように要約される。
【化7】
【0004】上記従来の反応式1によると、o−(クロ
ロメチル)安息香酸メチルエステルとチオ尿素を反応さ
せて中間体としてイソチオウロニウム塩を合成し、上記
中間体を塩素化させて塩化フェニルメタンスルホニルを
最終生成物として製造する方法である。しかし、イソチ
オウロニウム塩を合成するために用いられるチオ尿素は
発癌性を誘発する物質であるので、チオ尿素を工業的に
大量生産することは容易なことではない。
【0005】また、上記反応式1で出発物質として用い
られているo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステ
ルを製造する方法は、いくつかの特許明細書に示されて
いる。例えば、上記o−(クロロメチル)安息香酸メチ
ルエステルの側鎖のメチル基は、UV照射のもと、塩素
と塩化水素ガスの反応により塩素が置換される(米国特
許第4,689,425号)。しかし、この方法は、出
発物質の残量が10%程度で反応が終結されるものの、
多くの副生成物の生成と共に最終生成物の精製過程が難
しくなり、その収率も低かった。
【0006】また、塩化o−(クロロメチル)ベンゾイ
ルを製造する別の従来法として米国特許第5,504,
249号では、有機窒素化合物と塩化水素を触媒とし
て、フタリドと、塩化チオニルとを160〜170℃の
高温で反応させて最終化合物を得ている。しかしながら
この方法の場合、塩化チオニル(SOCl)と塩化水
素の沸点がそれぞれ79℃と−85℃であるため、通常
の反応器により反応させることは容易ではなく、この方
法を工業的に利用するには多くの問題がある。
【0007】他の製造方法として、ラクトン化合物をホ
スゲン(ClCOCl)と反応させて塩素置換された塩
化カルボン酸を合成する方法が知られているが、ここで
反応の触媒としてピリジン(米国特許第2,778,8
52号)、4級アンモニウム塩(米国特許第4,76
4,389号)或いはホスフィンオキシド(ヨーロッパ
特許第413,264号)等を使用している。しかし、
これらの方法の場合、沸点が8℃のホスゲンを用いて1
20℃以上の高温で反応を実施しなければならない難し
さがある。また、ホスゲンは強力な毒性物質であるの
で、ガス状態で反応させるこの工程は極めて危険であ
る。
【0008】本発明者らは上述の問題に監み、前記化学
式1で示される化合物の大量生産に有用な製造方法を開
発するため努力して来た。
【0009】
【発明の要約】従って、本発明は、上記化学式1で示さ
れる塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
ホニル誘導体の製造方法を提供することにその目的があ
り、本製造方法においては、環状のエステル化合物であ
るラクトン化合物を、ルイス酸と4級アンモニウム塩触
媒の存在下で塩化チオニル(SOCl)と反応させて
低い温度で高収率の塩化カルボニル化合物を製造し、反
応物質であり、かつ溶媒として用いられるアルコール化
合物を、上記により生成した中間体と反応させ、エステ
ル化反応を通じて温和な条件下でo−(クロロメチル)
安息香酸エステル誘導体を製造し、この反応混合体を、
発癌性を誘発する可能性があるチオウレアの代わりに毒
性の低いチオスルホン酸塩と反応させ、塩素化反応を通
じて最終生成物として、上記化学式1で示される塩化o
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導
体を得るものである。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、塩化o−(カルボアル
コキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法に
関するものであり、本製造方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス
酸と4級アンモニウム塩触媒の存在下で塩化チオニル
(SOCl)と反応させて次の化学式3で示される塩
化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶
媒として用いられるアルコール化合物中でエステル化さ
せて次の化学式4で示されるo−(クロロメチル)安息
香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸
塩と反応させて次の化学式5で示されるo−(カルボア
ルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を製造する
工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の
化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェ
ニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程とからな
る。
【0011】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
ボニル基、ニトロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の
炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を有す
るハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロア
ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数で
ある。
【0012】このような本発明について、以下に、より
詳細に説明する。
【0013】本発明によるラクトン化合物から塩化カル
ボニル化合物を製造する方法は次のとおりである。この
反応は、80〜120℃、望ましくは90〜100℃で
実施する。反応温度が80℃未満の場合には充分に反応
せず、120℃を超える場合には副生成物を生じる。
【0014】また、反応触媒としてルイス酸と4級アン
モニウム塩を共に用いる。通常使用されるルイス酸とし
ては、MgCl、MgBr、SnCl、SnCl
、TiCl、AlCl、FeCl、BFEt
O、BCl、B(OEt)、B(OMe)、B
(O−iPr)が挙げられ、ホウ素系ルイス酸を用い
ることが望ましい。ルイス酸と併用される4級アンモニ
ウム塩の例としては、脂肪族アルキルアンモニウム或い
は芳香族アルキルアンモニウムのハロゲン化化合物とし
て塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルア
ンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ベン
ジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチル
アンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウムな
どが挙げられる。触媒の使用量に対して特別な制限はな
いが、ルイス酸の場合には、ラクトン化合物に対して、
0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%を用
いる。アンモニウム塩の場合には、ラクトン化合物に対
して0.1〜20モル%、望ましくは0.5〜5モル%
を用いる。
【0015】さらに、反応物質として用いられる塩化チ
オニルの量は、ラクトン化合物に対してモル比で1〜1
0当量、1〜2当量が望ましい。
【0016】上述の条件において、反応は一般的に常圧
下で行われる。また、本発明によれば、反応は一般的に
溶媒を用いずに行われるが、溶媒を使用する場合には、
反応に影響を及ぼすことのない非活性な有機溶媒、例え
ばトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等が用いられる。反応終了後には、通常の精製方法
により上記化学式3で示される目的化合物を回収する。
【0017】また、上記化学式4で示されるo−(クロ
ロメチル)安息香酸エステル誘導体を製造する方法は、
上記化学式3で示される化合物をエステル化する場合と
同様の方法により実施する。この方法を以下に示す。
【0018】上記エステル化は−5〜100℃、望まし
くは40〜50℃で行われる。アルコール化合物は、反
応物質及び溶媒として用いられる。このアルコール化合
物の使用量ついて特別な制限はないが、上記化学式3で
示される塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルに対して
モル比で1〜10当量を添加することが経済的であり、
望ましくは1.2〜1.5当量を用いる。
【0019】本発明において、エステル化は塩基の不在
下で温和な条件により実施される。ただし、3級アミン
としてのアルキルアミン類(例えば、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン)或いは
ピリジンのような芳香族アミン類が塩基として添加され
る場合、上記化学式4で示される目的化合物が温和な条
件下で高収率で得られる。エステル化のために塩基を添
加する場合には、その反応温度は0〜20℃、望ましく
は5〜10℃を維持する。前記条件下でエステル化反応
を完了後、上記化学式4で示される目的化合物は通常の
精製方法で回収される。例えば、上記における反応混合
物を水で洗浄して減圧下で分別蒸留するか、または洗浄
プロセスを省き減圧下で分別蒸留する。
【0020】さらに、化学式4で示される化合物とスル
ホン酸塩との反応により得られる、上記化学式5で示さ
れる化合物を製造する方法を以下に示す。
【0021】上記化学式4で示される化合物とスルホン
酸塩との反応は30〜90℃、望ましくは40〜60℃
で行われる。チオスルホン酸塩[M(S)]
は、上記化学式4で示される化合物に対して1.0〜
2.0当量のモル比、望ましくは1.0〜1.2当量の
モル比にて加えられる。さらに、この様に生成されたo
−(カルボアルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸
塩の塩素化反応により製造され、上記化学式1で示され
る最終目的化合物としての、塩化o−(カルボアルコキ
シ)フェニルメタンチオスルホニル誘導体の製造方法を
以下に示す。
【0022】上記塩素化反応は、塩素ガス(Cl)或
いは塩素化試薬を用いる通常の塩素化方法により0〜2
0℃で実施するが、特に望ましくは塩素ガス(Cl
を用いて5〜10℃で実施する。
【0023】この塩素の量は、3当量のモル比或いはそ
れ以上とする。また、塩素化における溶媒として水或い
は酢酸を用いることが望ましく、水と酢酸を併用しても
良い。
【0024】上記塩素化反応の終了後、残留塩素ガスを
除去し、反応溶液を希釈するために反応器に水を添加す
る。固体生成物をろ取し、上記化学式1で示される目的
化合物を得る。
【0025】本発明につき、以下実施例に基づいてより
詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限定される
ものではない。また、以下の実施例では、幾つかの特定
の化合物について製造方法を記載するが、本発明に含ま
れる誘導体は、以下の実施例に基づいて当技術分野の熟
練者により合成が可能である。
【0026】(実施例1):塩化o−(クロロメチル)
ベンゾイルの合成 温度計と冷却器とが装着された500mlの二口フラス
コに、134gのフタリド(1モル)、95mlのSO
Cl(1.3モル)、2.5mlのBFEt
(0.02モル)および4.5gの塩化ベンジルトリエ
チルアンモニウム(0.02モル)との混合物を入れ、
反応器内温度を95〜100℃で維持しながら、15時
間にわたって撹拌した。反応終了後、分別蒸留器を装着
した反応器により減圧下、分別蒸留して目的とする化合
物180g(収率:95%)を得た。 沸点:75〜80℃(1mmHg)
【0027】(実施例2):塩化4−クロロブチリルの
合成 10gのγ−ブチロラクトンを入れた反応器に11.4
2mlのSOCl、0.29mlのBFEtOお
よび0.05gの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
を添加した。反応器の内部温度を90〜95℃で維持し
ながら、4時間にわたって撹拌した。反応終了後、分別
蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して目
的とする化合物11.6g(収率:70%)を得た。 沸点:173〜174℃(760mmHg)
【0028】(実施例3):o−(クロロメチル)安息
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルをとり、反応器の内部温度を40〜50℃で維
持しながら、50mlのメタノールを滴加した。全量の
メタノールを滴加後、反応器の内部温度を40〜50℃
で維持しながら、この混合物を10時間にわたって撹拌
した。反応終了後、分別蒸留器を装着して減圧下、分別
蒸留して目的とする油状化合物165g(収率:94
%)を得た。 沸点:77〜80℃(1mmHg) H−NMR(CDCl):δ3.9(s、3H)、
5.02(s、2H)、7.31〜7.56(m、3
H)、7.96(d、1H、J=8Hz)
【0029】(実施例4):o−(クロロメチル)安息
香酸メチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、1000mlの塩化メチレンに溶解した
180gの塩化o−(クロロメチル)ベンゾイルをと
り、この反応器の内部温度を0℃に維持しながら、(1
38mlの)トリエチルアミンを加え、次に50mlの
メタノールを滴加した。全量のメタノールを滴加後、反
応器の内部温度を20〜30℃で維持しながら、反応混
合物を10時間にわたって撹拌した。上記反応混合物
を、5%塩酸溶液(300ml)を用いて酸性とし、有
機層を分離して硫酸マグネシウムで乾燥ろ過し、濃縮し
た。このようにして得た残留物を減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物155g(収率:89%)を得
た。
【0030】(実施例5):o−(クロロメチル)安息
香酸エチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、60mlのエタノールを滴加し
た。全量のエタノールを滴加後、反応器の内部温度を4
0〜50℃で維持しながら、この反応混合物を10時間
にわたって撹拌した。蒸留器を装着した後、直ちにこの
残留物につき、減圧下、分別蒸留して目的とする油状化
合物179g(収率:90%)を得た。 沸点:79〜82℃(1.1mmHg) H−NMR(CDCl):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.38(q、2H、J=8Hz)、5.
02(s、2H)、7.32〜7.55(m、3H)、
7.96(d、1H、J=8Hz)
【0031】(実施例6):o−(クロロメチル)安息
香酸2−クロロエチルエステルの合成 温度計、冷却器及び滴下漏斗を装着した500mlの二
口フラスコに、180gの塩化o−(クロロメチル)ベ
ンゾイルを加え、次にこの反応器の内部温度を40〜5
0℃で維持しながら、50mlの2−クロロエタノール
を滴加した。全量の2−クロロエタノールを滴加後、反
応器の内部温度を40〜50℃で維持しながら、反応混
合液を10時間にわたって撹拌した。この残留物を、分
別蒸留器を装着した反応器により減圧下、分別蒸留して
目的とする油状化合物165g(収率:94%)を得
た。 沸点:88〜92℃(1.1mmHg) H−NMR(CDCl):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.02(s、2H)、7.36〜7.58
(m、3H)、8.01(d、1H、J=8Hz)
【0032】(実施例7):塩化o−(カルボメトキ
シ)フェニルメタンスルホニルの合成 20gのo−(クロロメチル)安息香酸メチルエステル
に、50mlの水と、29.5gのチオ硫酸ナトリウム
・5水和物との混合物を加えて50〜55℃で5時間に
わたって撹拌した。300mlの酢酸を添加し、次に反
応器の内部温度を5〜10℃で維持しながら、過量の塩
素ガスを3時間にわたって吹き入れた。この反応混合物
を同一温度で、さらに1時間撹拌した。(300ml
の)氷冷水を加えて30分間撹拌しながら窒素ガスを吹
き込むことにより過量の塩素ガスを除去した。生成した
固体を冷水と共にろ過し、乾燥して白色の固体として目
的とする化合物22.4g(収率:83%)を得た。 融点:85〜86℃ H−NMR(CDCl):δ3.95(s、3
H)、5.67(s、2H)、7.51〜7.68
(m、3H)、8.07〜8.16(m、1H)
【0033】(実施例8):塩化o−(2−エトキシカ
ルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸メチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸エチルエステ
ルを用いたことを除き、上記実施例7と同様の方法によ
り実施して、白色の固体として、目的とする化合物2
1.5g(収率:81%)を得た。 融点:63〜64℃ H−NMR(CDCl):δ1.4(t、3H、J
=8Hz)、4.4(q、2H、J=8Hz)、5.6
6(s、2H)、7.51〜7.68(m、3H)、
8.07〜8.15(m、1H)
【0034】(実施例9):塩化o−(2−クロロエト
キシカルボニル)フェニルメタンスルホニルの合成 o−(クロロメチル)安息香酸エチルエステルの代わり
に20gのo−(クロロメチル)安息香酸2―クロロエ
チルエステルを用いたことを除き、上記実施例8と同様
の方法により実施して、白色の固体として目的とする化
合物20.5g(収率:80%)を得た。 融点:66〜67℃ H−NMR(CDCl):δ3.83(t、2H、
J=5.5Hz)、4.59(t、2H、J=5.5H
z)、5.4(s、2H)、7.52〜7.68(m、
3H)、8.15(d、1H、J=8Hz)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 1997/50284 (32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30) (33)優先権主張国 韓国(KR) (72)発明者 ク ドン ワン 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン −ク、オウン−ドン、99、ハンビットア パート 128−604 (72)発明者 ザン ヘ ソン 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン −ク、オウン−ドン、99、ハンビットア パート 105−201 (72)発明者 リュ ジェ ウク 大韓民国、305−333、デジョン、ユソン −ク、オウン−ドン、99、ハンビットア パート 120−305 (72)発明者 ウ ジェ チョン 大韓民国、302−162、デジョン、ソ− ク、ドマ−2ドン、205、キョンナムア パート 1−406 (56)参考文献 特開 平8−208592(JP,A) 特開 昭60−45556(JP,A) 特開 昭63−130559(JP,A) 特開 平3−173846(JP,A) 特開 平8−40976(JP,A) 特開 昭62−116567(JP,A) 特開 昭62−103059(JP,A) 特開 昭57−112379(JP,A) 特公 昭46−2974(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 303/00 C07C 309/00

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塩化o−(カルボアルコキシ)フェニル
    メタンスルホニル誘導体を製造する方法において、 a)次の化学式2で示されるラクトン化合物を、ルイス
    酸と4級アンモニウム塩触媒の存在下で塩化チオニル
    (SOCl)と反応させて次の化学式3で示される塩
    化o−(クロロメチル)ベンゾイルを製造する工程と、 b)前記化学式3で示される化合物を、反応物質及び溶
    媒として用いられるアルコール化合物中においてエステ
    ル化させて次の化学式4で示されるo−(クロロメチ
    ル)安息香酸エステル誘導体を製造する工程と、 c)前記化学式4で示される化合物を、チオスルホン酸
    塩と反応させて次の化学式5で示されるo−(カルボア
    ルコキシ)フェニルメタンチオスルホン酸塩を製造する
    工程と、 d)前記化学式5で示される化合物を塩素化させて次の
    化学式1で示される塩化o−(カルボアルコキシ)フェ
    ニルメタンスルホニル誘導体を製造する工程とからなる
    ことを特徴とする塩化o−(カルボアルコキシ)フェニ
    ルメタンスルホニル誘導体の製造方法。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 上記化学式において、Xは水素原子、ハロゲン原子、1
    〜6の炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子
    を有するハロアルキル基、1〜6の炭素原子を有するア
    ルコキシ基、1〜6の炭素原子を有するアルコキシカル
    ボニル基、ニトロ基、フェニル基を示し、Rは1〜6の
    炭素原子を有するアルキル基、1〜6の炭素原子を有す
    るハロアルキル基、3〜6の炭素原子を有するシクロア
    ルキル基を示し、nは置換基の数を示し1〜4の整数で
    ある。
  2. 【請求項2】 前記a)の工程は、90〜100℃の条
    件下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩化o
    −(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導
    体の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記a)の工程は、前記溶媒の存在下で
    或いは不在下で行われることを特徴とする請求項1或い
    は2記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタ
    ンスルホニル誘導体の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記ルイス酸触媒は、MgCl、Mg
    Br、SnCl、SnCl、TiCl、AlC
    、FeCl、BFEtO、BCl、B(O
    Et)、B(OMe)、B(O−iPr)の中か
    ら選ばれたことを特徴とする請求項1記載の塩化o−
    (カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体
    の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記ルイス酸触媒は、BFEtO、
    B(OEt)、B(OMe)、B(O−iPr)
    の中から選ばれたことを特徴とする請求項1或いは4記
    載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスル
    ホニル誘導体の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記4級アンモニウム塩触媒は、テトラ
    メチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テト
    ラブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
    ム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリブ
    チルアンモニウムの中から選ばれたことを特徴とする請
    求項1記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメ
    タンスルホニル誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記b)の工程における前記アルコール
    化合物は、メタノールであることを特徴とする請求項1
    記載の塩化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンス
    ルホニル誘導体の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記b)の工程における前記エステル化
    反応は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイ
    ソプロピルアミン、ピリジンの中から選ばれた前記塩基
    の存在下で行われることを特徴とする請求項1記載の塩
    化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
    誘導体の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記c)の工程における前記チオスルホ
    ン酸塩は、M(S)[Mはアルカリ金属]で示
    される化合物であることを特徴とする請求項1記載の塩
    化o−(カルボアルコキシ)フェニルメタンスルホニル
    誘導体の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記d)の工程における前記塩素化の
    反応は、水、酢酸或いはこれらの混合物の存在下で行わ
    れることを特徴とする請求項1記載の塩化o−(カルボ
    アルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 前記d)の工程における前記塩素化の
    反応は、0〜20℃の条件下で行われることを特徴とす
    る請求項1或いは10記載の塩化o−(カルボアルコキ
    シ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記d)の工程における前記塩素化の
    反応試薬は、塩素ガス(Cl)であることを特徴とす
    る請求項1、10或いは11記載の塩化o−(カルボア
    ルコキシ)フェニルメタンスルホニル誘導体の製造方
    法。
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