US6825501B2
(en)
*
|
1997-08-29 |
2004-11-30 |
Cree, Inc. |
Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
|
JP3956918B2
(ja)
|
2002-10-03 |
2007-08-08 |
日亜化学工業株式会社 |
発光ダイオード
|
JP4635985B2
(ja)
*
|
2002-10-03 |
2011-02-23 |
日亜化学工業株式会社 |
発光ダイオード
|
CN100461467C
(zh)
*
|
2002-10-03 |
2009-02-11 |
日亚化学工业株式会社 |
发光二极管
|
JP2004363572A
(ja)
*
|
2003-05-12 |
2004-12-24 |
Showa Denko Kk |
半導体発光素子および発光ダイオード
|
US6869812B1
(en)
|
2003-05-13 |
2005-03-22 |
Heng Liu |
High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
|
JP4572604B2
(ja)
*
|
2003-06-30 |
2010-11-04 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
|
JP4581540B2
(ja)
*
|
2003-06-30 |
2010-11-17 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子とそれを用いた発光装置
|
JP4438492B2
(ja)
*
|
2003-09-11 |
2010-03-24 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
US7915085B2
(en)
|
2003-09-18 |
2011-03-29 |
Cree, Inc. |
Molded chip fabrication method
|
DE102004025610A1
(de)
*
|
2004-04-30 |
2005-11-17 |
Osram Opto Semiconductors Gmbh |
Optoelektronisches Bauelement mit mehreren Stromaufweitungsschichten und Verfahren zu dessen Herstellung
|
JP4632690B2
(ja)
*
|
2004-05-11 |
2011-02-16 |
スタンレー電気株式会社 |
半導体発光装置とその製造方法
|
WO2005122288A1
(en)
*
|
2004-06-09 |
2005-12-22 |
Showa Denko K.K. |
Trnsparent positive electrode for gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and light-emitting device
|
JPWO2006028118A1
(ja)
*
|
2004-09-08 |
2008-05-08 |
ローム株式会社 |
半導体発光素子
|
TWI291243B
(en)
*
|
2005-06-24 |
2007-12-11 |
Epistar Corp |
A semiconductor light-emitting device
|
JP4680260B2
(ja)
*
|
2005-07-15 |
2011-05-11 |
パナソニック株式会社 |
半導体発光素子及び半導体発光素子実装済み基板
|
KR100616693B1
(ko)
|
2005-08-09 |
2006-08-28 |
삼성전기주식회사 |
질화물 반도체 발광 소자
|
KR100661614B1
(ko)
|
2005-10-07 |
2006-12-26 |
삼성전기주식회사 |
질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
|
KR100730082B1
(ko)
*
|
2005-10-17 |
2007-06-19 |
삼성전기주식회사 |
질화물계 반도체 발광소자
|
KR100706944B1
(ko)
*
|
2005-10-17 |
2007-04-12 |
삼성전기주식회사 |
질화물계 반도체 발광소자
|
JP2007123517A
(ja)
*
|
2005-10-27 |
2007-05-17 |
Toshiba Corp |
半導体発光素子及び半導体発光装置
|
KR100833309B1
(ko)
*
|
2006-04-04 |
2008-05-28 |
삼성전기주식회사 |
질화물계 반도체 발광소자
|
JP5056082B2
(ja)
|
2006-04-17 |
2012-10-24 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
JP4823866B2
(ja)
*
|
2006-11-13 |
2011-11-24 |
株式会社小糸製作所 |
車両用灯具の発光モジュール
|
KR100814464B1
(ko)
|
2006-11-24 |
2008-03-17 |
삼성전기주식회사 |
질화물계 반도체 발광소자
|
JP5023691B2
(ja)
*
|
2006-12-26 |
2012-09-12 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
US9024349B2
(en)
|
2007-01-22 |
2015-05-05 |
Cree, Inc. |
Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
|
US9159888B2
(en)
|
2007-01-22 |
2015-10-13 |
Cree, Inc. |
Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
|
JP5141086B2
(ja)
*
|
2007-04-25 |
2013-02-13 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
KR101354981B1
(ko)
|
2007-11-14 |
2014-01-27 |
삼성전자주식회사 |
질화물 반도체 발광 다이오드
|
US9041285B2
(en)
|
2007-12-14 |
2015-05-26 |
Cree, Inc. |
Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
|
US8878219B2
(en)
|
2008-01-11 |
2014-11-04 |
Cree, Inc. |
Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
|
US8115222B2
(en)
|
2008-01-16 |
2012-02-14 |
Rohm Co., Ltd. |
Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device
|
CN101499510B
(zh)
*
|
2008-01-30 |
2011-06-22 |
富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 |
半导体发光元件
|
KR100988041B1
(ko)
|
2008-05-15 |
2010-10-18 |
주식회사 에피밸리 |
반도체 발광소자
|
KR101000277B1
(ko)
*
|
2008-12-04 |
2010-12-10 |
주식회사 에피밸리 |
반도체 발광소자
|
JP5614938B2
(ja)
*
|
2009-02-26 |
2014-10-29 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
JP2010225771A
(ja)
|
2009-03-23 |
2010-10-07 |
Toyoda Gosei Co Ltd |
半導体発光素子
|
KR101021974B1
(ko)
|
2009-04-08 |
2011-03-16 |
(주)더리즈 |
자기조립 패키지용 반도체 칩
|
JP5392611B2
(ja)
*
|
2009-09-14 |
2014-01-22 |
スタンレー電気株式会社 |
半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
|
US9324691B2
(en)
|
2009-10-20 |
2016-04-26 |
Epistar Corporation |
Optoelectronic device
|
JP5560674B2
(ja)
*
|
2009-11-27 |
2014-07-30 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
JP2011119519A
(ja)
*
|
2009-12-04 |
2011-06-16 |
Showa Denko Kk |
半導体発光素子及び半導体発光装置
|
US9236532B2
(en)
|
2009-12-14 |
2016-01-12 |
Seoul Viosys Co., Ltd. |
Light emitting diode having electrode pads
|
KR101055768B1
(ko)
*
|
2009-12-14 |
2011-08-11 |
서울옵토디바이스주식회사 |
전극패드들을 갖는 발광 다이오드
|
JP5443286B2
(ja)
*
|
2009-12-24 |
2014-03-19 |
スタンレー電気株式会社 |
フェイスアップ型光半導体装置
|
KR101625125B1
(ko)
*
|
2009-12-29 |
2016-05-27 |
서울바이오시스 주식회사 |
전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드
|
WO2011083923A2
(en)
|
2010-01-07 |
2011-07-14 |
Seoul Opto Device Co., Ltd. |
Light emitting diode having electrode pads
|
KR101625122B1
(ko)
*
|
2010-01-18 |
2016-05-27 |
서울바이오시스 주식회사 |
전극패드들을 갖는 발광 다이오드
|
KR101636034B1
(ko)
*
|
2010-02-12 |
2016-07-05 |
서울바이오시스 주식회사 |
전극패드들을 갖는 발광 다이오드
|
JP5494005B2
(ja)
|
2010-02-26 |
2014-05-14 |
豊田合成株式会社 |
半導体発光素子
|
JP5087097B2
(ja)
|
2010-03-08 |
2012-11-28 |
株式会社東芝 |
半導体発光素子
|
KR101021988B1
(ko)
*
|
2010-06-24 |
2011-03-16 |
(주)더리즈 |
반도체 발광 소자
|
TWI446527B
(zh)
*
|
2010-07-02 |
2014-07-21 |
Epistar Corp |
光電元件
|
JP2012028749A
(ja)
*
|
2010-07-22 |
2012-02-09 |
Seoul Opto Devices Co Ltd |
発光ダイオード
|
BR112013001623B1
(pt)
|
2010-07-23 |
2021-02-02 |
Nichia Corporation |
elemento emissor de luz
|
US10546846B2
(en)
|
2010-07-23 |
2020-01-28 |
Cree, Inc. |
Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
|
JP2012054525A
(ja)
*
|
2010-08-04 |
2012-03-15 |
Toshiba Corp |
半導体発光素子
|
JP5095785B2
(ja)
|
2010-08-09 |
2012-12-12 |
株式会社東芝 |
半導体発光素子及びその製造方法
|
US20120037946A1
(en)
*
|
2010-08-12 |
2012-02-16 |
Chi Mei Lighting Technology Corporation |
Light emitting devices
|
JP5737066B2
(ja)
|
2010-08-26 |
2015-06-17 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
KR101087970B1
(ko)
|
2010-10-25 |
2011-12-01 |
주식회사 세미콘라이트 |
반도체 발광소자
|
WO2012057469A2
(ko)
*
|
2010-10-25 |
2012-05-03 |
주식회사 세미콘라이트 |
반도체 발광소자
|
JP5605189B2
(ja)
*
|
2010-11-26 |
2014-10-15 |
豊田合成株式会社 |
半導体発光素子
|
JP5652234B2
(ja)
*
|
2011-02-07 |
2015-01-14 |
日亜化学工業株式会社 |
半導体発光素子
|
KR101786094B1
(ko)
*
|
2011-06-23 |
2017-10-16 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 라이트 유닛
|
JP4970611B2
(ja)
*
|
2011-07-29 |
2012-07-11 |
株式会社東芝 |
半導体発光素子
|
CN103797592A
(zh)
|
2011-08-17 |
2014-05-14 |
三星电子株式会社 |
半导体发光器件
|
JP5766095B2
(ja)
*
|
2011-11-07 |
2015-08-19 |
シチズンホールディングス株式会社 |
半導体発光素子
|
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(ko)
*
|
2011-11-14 |
2018-09-27 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광소자
|
KR101954204B1
(ko)
*
|
2012-08-28 |
2019-06-12 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광소자
|
KR101973765B1
(ko)
*
|
2012-09-14 |
2019-04-30 |
포항공과대학교 산학협력단 |
발광 효율이 개선된 반도체 발광 소자
|
JP6102677B2
(ja)
*
|
2012-12-28 |
2017-03-29 |
日亜化学工業株式会社 |
発光素子
|
KR101986720B1
(ko)
*
|
2013-01-03 |
2019-06-10 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
|
JP6331906B2
(ja)
*
|
2013-09-13 |
2018-05-30 |
日亜化学工業株式会社 |
発光素子
|
JP2015109332A
(ja)
*
|
2013-12-04 |
2015-06-11 |
シャープ株式会社 |
半導体発光素子
|
JP6458463B2
(ja)
|
2013-12-09 |
2019-01-30 |
日亜化学工業株式会社 |
発光素子
|
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(ko)
|
2013-12-17 |
2016-05-27 |
서울바이오시스 주식회사 |
전극패드들을 갖는 발광 다이오드
|
US20150364651A1
(en)
*
|
2014-06-12 |
2015-12-17 |
Toshiba Corporation |
Flip-Chip Light Emitting Diode Assembly With Relief Channel
|
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(ko)
*
|
2015-01-27 |
2022-06-13 |
서울바이오시스 주식회사 |
발광 소자
|
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(ko)
*
|
2014-09-30 |
2021-08-11 |
서울바이오시스 주식회사 |
발광 다이오드
|
KR101539430B1
(ko)
*
|
2014-09-02 |
2015-07-27 |
서울바이오시스 주식회사 |
발광 다이오드 및 그 제조 방법
|
EP3062354B1
(en)
|
2015-02-26 |
2020-10-14 |
Nichia Corporation |
Light emitting element
|
JP6428467B2
(ja)
*
|
2015-04-24 |
2018-11-28 |
日亜化学工業株式会社 |
発光素子
|
KR101662198B1
(ko)
*
|
2015-12-30 |
2016-10-05 |
서울바이오시스 주식회사 |
전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드
|
KR102059974B1
(ko)
*
|
2019-04-26 |
2019-12-27 |
에피스타 코포레이션 |
광전소자
|
KR102053426B1
(ko)
*
|
2019-05-29 |
2019-12-06 |
엘지이노텍 주식회사 |
발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
|
KR102544373B1
(ko)
*
|
2020-12-22 |
2023-06-15 |
중앙대학교 산학협력단 |
C2 대칭성 led 소자
|