JP2001240975A - 基体の部分的メッキ方法 - Google Patents
基体の部分的メッキ方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント基板、リードフレームインサート成
形回路部品等の電子・電気部品を製造するために、合成
樹脂やその他の材料から構成される基体（単品の基体
と、チップ部品の基体を高集積化させた集合基体とを含
む）に部分的にメッキする方法を提供する。 【解決手段】 メッキ用触媒を用いて集合基体２１を部
分的にメッキする方法であって、複数の基体２１を入れ
た容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッキ用触媒
の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメッキ施工
面以外の部分に水溶性高分子材料及び加水分解性高分子
材料から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工程を設け
る。
形回路部品等の電子・電気部品を製造するために、合成
樹脂やその他の材料から構成される基体（単品の基体
と、チップ部品の基体を高集積化させた集合基体とを含
む）に部分的にメッキする方法を提供する。 【解決手段】 メッキ用触媒を用いて集合基体２１を部
分的にメッキする方法であって、複数の基体２１を入れ
た容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッキ用触媒
の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメッキ施工
面以外の部分に水溶性高分子材料及び加水分解性高分子
材料から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工程を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、合成樹脂やその他
の材料から構成される基体（単品の基体の他に、チップ
部品の基体を多数集合させた集合基体を含む）を部分的
にメッキする方法に関し、特に、プリント基板、リード
フレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を
製造するための上記基体への部分的メッキ方法に関す
る。
の材料から構成される基体（単品の基体の他に、チップ
部品の基体を多数集合させた集合基体を含む）を部分的
にメッキする方法に関し、特に、プリント基板、リード
フレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を
製造するための上記基体への部分的メッキ方法に関す
る。
【０００２】
【技術背景】従来から、合成樹脂基体（成形品）を部分
的にメッキする方法として、（１）成形品を表面粗化
（例えばエッチング）し、ＰｄやＰｔ等を基礎とするメ
ッキするための触媒を付与した後、メッキすべき部分を
残してシルク印刷法やディスペンサー塗布法等によりレ
ジストを塗布し、次いでメッキし、レジストを除去する
方法、（２）上記触媒付与後の成形品を金型にインサー
トし、この金型内にプラスチックやゴム等（電気絶縁材
料）を注入（射出）して、成形品のメッキすべき部分以
外の部分を被覆し、次いでメッキし、必要に応じて被覆
材を除去する方法、等が知られている（株式会社シーエ
ムシー発行「プラスチック成形加工の複合化技術」Ｐ２
６０〜２７５、特開平７−３１６８２５号公報、特開昭
６３−４０９２号公報、特許第２５９２２４３号公報
等）。
的にメッキする方法として、（１）成形品を表面粗化
（例えばエッチング）し、ＰｄやＰｔ等を基礎とするメ
ッキするための触媒を付与した後、メッキすべき部分を
残してシルク印刷法やディスペンサー塗布法等によりレ
ジストを塗布し、次いでメッキし、レジストを除去する
方法、（２）上記触媒付与後の成形品を金型にインサー
トし、この金型内にプラスチックやゴム等（電気絶縁材
料）を注入（射出）して、成形品のメッキすべき部分以
外の部分を被覆し、次いでメッキし、必要に応じて被覆
材を除去する方法、等が知られている（株式会社シーエ
ムシー発行「プラスチック成形加工の複合化技術」Ｐ２
６０〜２７５、特開平７−３１６８２５号公報、特開昭
６３−４０９２号公報、特許第２５９２２４３号公報
等）。
【０００３】しかし、上記（１）の方法では、レジスト
塗布後に熱乾燥等によるレジストの硬化工程が必要であ
る。また、メッキ後のレジストの除去に際して塩化メチ
レン等の有機溶剤の使用を余儀なくされ、この塩化メチ
レン等の有機溶剤は、クロロフルオロカーボン（ＣＦ
Ｃ）等と同様にオゾン層破壊の原因物質とされ、廃棄量
が増大すれば、皮膚ガンや白内障の増加、あるいは植物
やプランクトン等の生態系の破壊が懸念される。上記
（２）の方法では、被覆材の密着性が低いため、被覆材
の境界面にメッキ液が入り込み、寸法精度が低い。ま
た、必要に応じて被覆材を除去する場合は、上記のレジ
ストと同様の懸念がある。しかも、上記（１）、（２）
の方法とも、成形品の全面に、メッキ用の触媒が付与さ
れているため、メッキ後、すなわち回路成形後の電気的
な表面抵抗値が低い。
塗布後に熱乾燥等によるレジストの硬化工程が必要であ
る。また、メッキ後のレジストの除去に際して塩化メチ
レン等の有機溶剤の使用を余儀なくされ、この塩化メチ
レン等の有機溶剤は、クロロフルオロカーボン（ＣＦ
Ｃ）等と同様にオゾン層破壊の原因物質とされ、廃棄量
が増大すれば、皮膚ガンや白内障の増加、あるいは植物
やプランクトン等の生態系の破壊が懸念される。上記
（２）の方法では、被覆材の密着性が低いため、被覆材
の境界面にメッキ液が入り込み、寸法精度が低い。ま
た、必要に応じて被覆材を除去する場合は、上記のレジ
ストと同様の懸念がある。しかも、上記（１）、（２）
の方法とも、成形品の全面に、メッキ用の触媒が付与さ
れているため、メッキ後、すなわち回路成形後の電気的
な表面抵抗値が低い。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、レジストの塗布・硬化・除去
工程がなく、従って有機溶剤による環境問題の懸念もな
いし、工程を短縮することもできる合成樹脂あるいは他
の材料製の基体へのメッキ方法であって、しかも寸法精
度が高く、かつ導電率の高い、高品質の電子・電気部品
とすることができる、基体への部分的メッキ方法を提供
することを目的とする。
工程がなく、従って有機溶剤による環境問題の懸念もな
いし、工程を短縮することもできる合成樹脂あるいは他
の材料製の基体へのメッキ方法であって、しかも寸法精
度が高く、かつ導電率の高い、高品質の電子・電気部品
とすることができる、基体への部分的メッキ方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、上記目的を、メッキしたい部
分以外の部分を水溶性高分子材料又は加水分解性高分子
材料を被覆材として使用することにより達成しようとす
るものである。すなわち、〔１〕本発明は、メッキ用触
媒を用いて基体を部分的にメッキする方法であって、基
体を入れた容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッ
キ用触媒の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメ
ッキ施工面以外の部分に水溶性高分子材料及び加水分解
性高分子材料から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工
程を設けることを特徴とする基体の部分的メッキ方法に
関し、このとき、〔２〕基体は、単品の基体だけでな
く、多数を集合させた集合基体であってもよく（以下、
「基体」と記すときは、特に断らない限り、単品の基体
と集合基体とを意味する）、また、〔３〕（１）基体の
表面を粗化する工程、（２）粗化面を水溶性高分子材料
及び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれる被覆
材で部分的に被覆する工程、（３）被覆面以外の表面に
メッキ用触媒を付与する工程、（４）被覆材を除去する
工程、（５）触媒付与面にメッキする工程、をこの順で
経るか、〔４〕（１）基体の表面を水溶性高分子材料及
び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれる被覆材
で部分的に被覆する工程、（２）被覆面以外の表面を粗
化する工程、（３）粗化面にメッキ用触媒を付与する工
程、（４）被覆材を除去する工程、（５）触媒付与面に
メッキする工程、をこの順で経るか、〔５〕（１）基体
の表面を粗化する工程、（２）メッキ用触媒を付与する
工程、（３）水溶性高分子材料及び加水分解性高分子材
料からなる群から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工
程、（４）被覆面以外の表面をメッキする工程、（５）
被覆材を除去する工程、をこの順で経るか、あるいは、
〔６〕（１）基体の表面を粗化する工程、（２）メッキ
用触媒を付与する工程、（３）メッキする工程、（４）
水溶性高分子材料及び加水分解性高分子材料からなる群
から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工程、（５）被
覆面以外の面のメッキ材を除去する工程、（６）被覆材
を除去する工程、をこの順で経ることが好ましい。
分以外の部分を水溶性高分子材料又は加水分解性高分子
材料を被覆材として使用することにより達成しようとす
るものである。すなわち、〔１〕本発明は、メッキ用触
媒を用いて基体を部分的にメッキする方法であって、基
体を入れた容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッ
キ用触媒の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメ
ッキ施工面以外の部分に水溶性高分子材料及び加水分解
性高分子材料から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工
程を設けることを特徴とする基体の部分的メッキ方法に
関し、このとき、〔２〕基体は、単品の基体だけでな
く、多数を集合させた集合基体であってもよく（以下、
「基体」と記すときは、特に断らない限り、単品の基体
と集合基体とを意味する）、また、〔３〕（１）基体の
表面を粗化する工程、（２）粗化面を水溶性高分子材料
及び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれる被覆
材で部分的に被覆する工程、（３）被覆面以外の表面に
メッキ用触媒を付与する工程、（４）被覆材を除去する
工程、（５）触媒付与面にメッキする工程、をこの順で
経るか、〔４〕（１）基体の表面を水溶性高分子材料及
び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれる被覆材
で部分的に被覆する工程、（２）被覆面以外の表面を粗
化する工程、（３）粗化面にメッキ用触媒を付与する工
程、（４）被覆材を除去する工程、（５）触媒付与面に
メッキする工程、をこの順で経るか、〔５〕（１）基体
の表面を粗化する工程、（２）メッキ用触媒を付与する
工程、（３）水溶性高分子材料及び加水分解性高分子材
料からなる群から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工
程、（４）被覆面以外の表面をメッキする工程、（５）
被覆材を除去する工程、をこの順で経るか、あるいは、
〔６〕（１）基体の表面を粗化する工程、（２）メッキ
用触媒を付与する工程、（３）メッキする工程、（４）
水溶性高分子材料及び加水分解性高分子材料からなる群
から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工程、（５）被
覆面以外の面のメッキ材を除去する工程、（６）被覆材
を除去する工程、をこの順で経ることが好ましい。
【０００６】また、上記〔３〕，〔４〕の場合に、
（３）のメッキ用触媒の付与工程と（４）の被覆材の除
去工程とを同時に行うこともできる。更に、上記
〔３〕，〔４〕の場合に、（３）のメッキ用触媒の付与
工程後に予備メッキ工程を加えることもできる。そし
て、上記〔５〕の場合には、（５）の被覆材の除去工程
後に、後メッキ工程を設けることもできる。
（３）のメッキ用触媒の付与工程と（４）の被覆材の除
去工程とを同時に行うこともできる。更に、上記
〔３〕，〔４〕の場合に、（３）のメッキ用触媒の付与
工程後に予備メッキ工程を加えることもできる。そし
て、上記〔５〕の場合には、（５）の被覆材の除去工程
後に、後メッキ工程を設けることもできる。
【０００７】以上の本発明によれば、水溶性高分子材料
又は加水分解性高分子材料を被覆材として使用するた
め、該被覆材の除去を、有機溶剤を使用することなく、
水溶性高分子材料では水を使用することで、また加水分
解性高分子材料ではアルカリ水溶液や酸液を使用するこ
とで行うことができる。これらの高分子材料として生分
解性のものを使用すれば、土中や水中の微生物により水
と二酸化炭素に容易に分解されるため、環境問題の懸念
がなく、基体から除去後の廃棄処理が極めて簡単であ
る。
又は加水分解性高分子材料を被覆材として使用するた
め、該被覆材の除去を、有機溶剤を使用することなく、
水溶性高分子材料では水を使用することで、また加水分
解性高分子材料ではアルカリ水溶液や酸液を使用するこ
とで行うことができる。これらの高分子材料として生分
解性のものを使用すれば、土中や水中の微生物により水
と二酸化炭素に容易に分解されるため、環境問題の懸念
がなく、基体から除去後の廃棄処理が極めて簡単であ
る。
【０００８】また、水溶性高分子材料又は加水分解性高
分子材料は、従来この種の被覆材として使用されていた
プラスチックやゴム等に比して、射出成形した場合の転
写性（型の形状通りに成形される性質）に優れる上、固
化速度が緩慢であるため、基体（一般に被覆材とは異な
る材料を使用）との界面密着性が高まり、寸法精度の高
いメッキが可能となり、高品質の部分メッキ品を得るこ
とができる。
分子材料は、従来この種の被覆材として使用されていた
プラスチックやゴム等に比して、射出成形した場合の転
写性（型の形状通りに成形される性質）に優れる上、固
化速度が緩慢であるため、基体（一般に被覆材とは異な
る材料を使用）との界面密着性が高まり、寸法精度の高
いメッキが可能となり、高品質の部分メッキ品を得るこ
とができる。
【０００９】しかも、この水溶性高分子材料又は加水分
解性高分子材料は、最終的にはメッキ製品から除去され
るため、これらの高分子材料による被覆形状は、最終製
品の形状や寸法に左右されず、専らメッキ操作に好都合
な設計とすることができ、最終製品の軽薄短小化に寄与
する。すなわち、メッキ工程時の被覆材の形状や寸法に
よって最終製品の形状や寸法が制約されないため、基体
を自由に被覆することができ、これにより基体上への立
体的なパターンでの回路電極の形成が可能となって、回
路電極等のチップ部品、延いては該チップ部品を装備す
る各種電子・電気部品の設計の自由度が増し、これら電
子・電気部品の小型化・軽量化を一層進めることができ
る。
解性高分子材料は、最終的にはメッキ製品から除去され
るため、これらの高分子材料による被覆形状は、最終製
品の形状や寸法に左右されず、専らメッキ操作に好都合
な設計とすることができ、最終製品の軽薄短小化に寄与
する。すなわち、メッキ工程時の被覆材の形状や寸法に
よって最終製品の形状や寸法が制約されないため、基体
を自由に被覆することができ、これにより基体上への立
体的なパターンでの回路電極の形成が可能となって、回
路電極等のチップ部品、延いては該チップ部品を装備す
る各種電子・電気部品の設計の自由度が増し、これら電
子・電気部品の小型化・軽量化を一層進めることができ
る。
【００１０】更に、本発明では、メッキが施されていな
い部分には、メッキ用触媒が残らないため、メッキ後の
言い換えれば回路成形後の絶縁抵抗値が高くなり、製品
の電気的特性を向上させることができる。
い部分には、メッキ用触媒が残らないため、メッキ後の
言い換えれば回路成形後の絶縁抵抗値が高くなり、製品
の電気的特性を向上させることができる。
【００１１】〔基体〕本発明方法における基体として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の合成樹脂の他、セ
ラミック、ガラス等の無機材料から構成される基材が使
用できる。好ましくは、芳香族系液晶ポリマー、ポリス
ルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスル
ホン、ポリエーテルイミド、ポリエステル、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアミ
ド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、ノルボルネン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等である。より好
ましくは、耐熱性及び熱膨張係数が広い温度条件におい
て金属に近く、しかも金属膜と同等の伸縮性を有して、
サーマルサイクルテストにおいて金属膜と同等の優れた
特性を有するポリエステル系液晶ポリマーである。これ
らの基体は、フィラーとして、ガラス繊維、ピロリン酸
カルシウム、ワラストナイト、炭酸カルシウム、チタン
酸バリウム、炭素繊維、石英繊維、硫酸バリウム等を加
えたものであってもよい。基体は、平板状のものであっ
ても、各種の形状に成形したもの（成形品）であっても
よく、また単品の基板であっても、複数を高集積化させ
た集合基板であってもよい。
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の合成樹脂の他、セ
ラミック、ガラス等の無機材料から構成される基材が使
用できる。好ましくは、芳香族系液晶ポリマー、ポリス
ルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスル
ホン、ポリエーテルイミド、ポリエステル、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアミ
ド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、ノルボルネン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等である。より好
ましくは、耐熱性及び熱膨張係数が広い温度条件におい
て金属に近く、しかも金属膜と同等の伸縮性を有して、
サーマルサイクルテストにおいて金属膜と同等の優れた
特性を有するポリエステル系液晶ポリマーである。これ
らの基体は、フィラーとして、ガラス繊維、ピロリン酸
カルシウム、ワラストナイト、炭酸カルシウム、チタン
酸バリウム、炭素繊維、石英繊維、硫酸バリウム等を加
えたものであってもよい。基体は、平板状のものであっ
ても、各種の形状に成形したもの（成形品）であっても
よく、また単品の基板であっても、複数を高集積化させ
た集合基板であってもよい。
【００１２】〔被覆材〕また、被覆材としては、前記の
水溶性又は加水分解性の高分子材料であり、上記の基体
の上で一定形状に成形し得る材料が使用でき、特に生分
解性の材料が環境問題を回避する上で好ましい。具体的
には、式１で表されるポリビニルアルコール、式２で示
される変性ポリビニルアルコール、式３で示されるポリ
乳酸の他、デンプン、微生物発酵脂肪族ポリエステル、
脂肪族ポリエステル−ジカルボン酸とジグリコールとの
縮合物、脂肪族カプロラクトン系樹脂、セルロースアセ
テート系樹脂等であり、特に好ましくは、加水分解性の
ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステ
ルとの混合体又は共重合体（ランダム共重合体、ブロッ
ク共重合体）である。すなわち、ポリ乳酸は、加水分
解性でかつ生分解性であること、ポリビニルアルコー
ルや変性ポリビニルアルコール等の水溶性高分子材料の
場合にメッキ用触媒付与工程で生じる該材料への該触媒
の吸着や該材料の膨潤等の不具合が、生じないため、よ
り高精度でのメッキを行うことができること、メッキ
用触媒付与工程を長くしても、上記の水溶性高分子材料
のような不具合（触媒の吸着や膨潤等）が生じないた
め、メッキ用触媒の付与を正確かつ確実に行うことがで
きること、メッキ用触媒が付着したとしても、後述す
る被覆材の除去工程で該触媒が容易に除去されること等
の利点を有する。
水溶性又は加水分解性の高分子材料であり、上記の基体
の上で一定形状に成形し得る材料が使用でき、特に生分
解性の材料が環境問題を回避する上で好ましい。具体的
には、式１で表されるポリビニルアルコール、式２で示
される変性ポリビニルアルコール、式３で示されるポリ
乳酸の他、デンプン、微生物発酵脂肪族ポリエステル、
脂肪族ポリエステル−ジカルボン酸とジグリコールとの
縮合物、脂肪族カプロラクトン系樹脂、セルロースアセ
テート系樹脂等であり、特に好ましくは、加水分解性の
ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステ
ルとの混合体又は共重合体（ランダム共重合体、ブロッ
ク共重合体）である。すなわち、ポリ乳酸は、加水分
解性でかつ生分解性であること、ポリビニルアルコー
ルや変性ポリビニルアルコール等の水溶性高分子材料の
場合にメッキ用触媒付与工程で生じる該材料への該触媒
の吸着や該材料の膨潤等の不具合が、生じないため、よ
り高精度でのメッキを行うことができること、メッキ
用触媒付与工程を長くしても、上記の水溶性高分子材料
のような不具合（触媒の吸着や膨潤等）が生じないた
め、メッキ用触媒の付与を正確かつ確実に行うことがで
きること、メッキ用触媒が付着したとしても、後述す
る被覆材の除去工程で該触媒が容易に除去されること等
の利点を有する。
【００１３】
【化１】
【００１４】また、上記のポリ乳酸は単独で使用しても
よいし、あるいはポリ乳酸を主成分とし、これに脂肪族
ポリエステル（ポリヒドロキシカルボン酸、ヒドロキシ
カルボン酸又は脂肪族多価アルコールと脂肪族多価塩基
酸とからなる脂肪族ポリエステル、ヒドロキシカルボン
酸や脂肪族多価アルコールから選ばれる２種以上のモノ
マー成分と、脂肪族多価塩基酸から選ばれる２種以上の
モノマー成分とからなるランダム共重合体やブロック共
重合体等）の単独又は２種以上を、混合したものや、ラ
ンダム共重合又はブロック共重合させたものであっても
よいし、また必要に応じてアルカリ分解促進剤、有機及
び無機充填剤、可塑剤、湿潤剤、紫外線吸収剤、酸化防
止剤、滑剤、着色剤等の汎用の合成樹脂に使用できる添
加剤を混合したものであってもよい。この脂肪族ポリエ
ステルの混合量又は共重合量は、混合体又は共重合体の
全量に対して１〜１０ｗｔ％程度、アルカリ分解促進剤
の混合量は混合体全量に対して１〜１００ｗｔ％程度、
好ましくは５〜８０ｗｔ％、より好ましくは１０〜６０
ｗｔ％であり、その他の添加剤の混合量は混合体全量に
対して１〜５％程度が適している。
よいし、あるいはポリ乳酸を主成分とし、これに脂肪族
ポリエステル（ポリヒドロキシカルボン酸、ヒドロキシ
カルボン酸又は脂肪族多価アルコールと脂肪族多価塩基
酸とからなる脂肪族ポリエステル、ヒドロキシカルボン
酸や脂肪族多価アルコールから選ばれる２種以上のモノ
マー成分と、脂肪族多価塩基酸から選ばれる２種以上の
モノマー成分とからなるランダム共重合体やブロック共
重合体等）の単独又は２種以上を、混合したものや、ラ
ンダム共重合又はブロック共重合させたものであっても
よいし、また必要に応じてアルカリ分解促進剤、有機及
び無機充填剤、可塑剤、湿潤剤、紫外線吸収剤、酸化防
止剤、滑剤、着色剤等の汎用の合成樹脂に使用できる添
加剤を混合したものであってもよい。この脂肪族ポリエ
ステルの混合量又は共重合量は、混合体又は共重合体の
全量に対して１〜１０ｗｔ％程度、アルカリ分解促進剤
の混合量は混合体全量に対して１〜１００ｗｔ％程度、
好ましくは５〜８０ｗｔ％、より好ましくは１０〜６０
ｗｔ％であり、その他の添加剤の混合量は混合体全量に
対して１〜５％程度が適している。
【００１５】なお、上記のポリ乳酸の重量平均分子量
は、１万〜４０万程度が好ましく、脂肪族ポリエステル
は、ポリ乳酸と混合させる場合の重量平均分子量は、１
万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好
ましくは５万〜３０万程度が適しており、またポリ乳酸
と共重合させる場合はその共重合体の重量平均分子量
が、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、
より好ましくは５万〜３０万程度が適している。また、
上記のヒドロキシカルボン酸としては、グリコール酸、
Ｌ−乳酸、Ｄ−乳酸、Ｄ／Ｌ−乳酸、３−ヒドロキシブ
チリックアシッド、４−ヒドロキシブチリックアシッ
ド、３−ヒドロキシバレリックアシッド、５−ヒドロキ
シバレリックアシッド、６−ヒドロキシカプロン酸等が
挙げられ、これらの１種以上が使用できる。脂肪族多価
アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレン
グリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレング
リコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオー
ル、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−
ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペン
チルグリコール、ポリテトラメチレングリコール、１，
４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−ベンゼンジ
メタノール等が挙げられ、これらの１種以上が使用でき
る。脂肪族多価塩基酸としては、コハク酸、シュウ酸、
マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベ
リン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、
ドデカン二酸、フェニルコハク酸、１，４−フェニレン
ジ酢酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
アルカリ分解促進剤としては、デンプン、ポリビニルア
ルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポ
リアルキレングリコール、ポリアミノ酸等の親水性高分
子化合物、無水コハク酸、ポリコハク酸イミド等のアル
カリ加水分解性化合物等が挙げられ、これらの１種以上
が使用できる。中でも、ポリ乳酸や脂肪族ポリエステル
への分散性や相溶性、あるいはブリードアウトのし難さ
等から、ポリアルキレングリコール、特にポリエチレン
グリコールが好ましい。
は、１万〜４０万程度が好ましく、脂肪族ポリエステル
は、ポリ乳酸と混合させる場合の重量平均分子量は、１
万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好
ましくは５万〜３０万程度が適しており、またポリ乳酸
と共重合させる場合はその共重合体の重量平均分子量
が、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、
より好ましくは５万〜３０万程度が適している。また、
上記のヒドロキシカルボン酸としては、グリコール酸、
Ｌ−乳酸、Ｄ−乳酸、Ｄ／Ｌ−乳酸、３−ヒドロキシブ
チリックアシッド、４−ヒドロキシブチリックアシッ
ド、３−ヒドロキシバレリックアシッド、５−ヒドロキ
シバレリックアシッド、６−ヒドロキシカプロン酸等が
挙げられ、これらの１種以上が使用できる。脂肪族多価
アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレン
グリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレング
リコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオー
ル、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−
ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペン
チルグリコール、ポリテトラメチレングリコール、１，
４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−ベンゼンジ
メタノール等が挙げられ、これらの１種以上が使用でき
る。脂肪族多価塩基酸としては、コハク酸、シュウ酸、
マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベ
リン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、
ドデカン二酸、フェニルコハク酸、１，４−フェニレン
ジ酢酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
アルカリ分解促進剤としては、デンプン、ポリビニルア
ルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポ
リアルキレングリコール、ポリアミノ酸等の親水性高分
子化合物、無水コハク酸、ポリコハク酸イミド等のアル
カリ加水分解性化合物等が挙げられ、これらの１種以上
が使用できる。中でも、ポリ乳酸や脂肪族ポリエステル
への分散性や相溶性、あるいはブリードアウトのし難さ
等から、ポリアルキレングリコール、特にポリエチレン
グリコールが好ましい。
【００１６】以上の被覆材で基体を部分的に被覆するに
は、射出、押出、圧縮、鋳造、トランスファー、その他
の種々の成形方法により被覆形状を成形する手法が挙げ
られるが、好ましくは基体を型の一部とする射出成形法
により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆
する手法である。
は、射出、押出、圧縮、鋳造、トランスファー、その他
の種々の成形方法により被覆形状を成形する手法が挙げ
られるが、好ましくは基体を型の一部とする射出成形法
により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆
する手法である。
【００１７】上記被覆材を除去するには、水溶性高分子
材料の場合は水を用いて行い、加水分解性高分子材料の
場合はアルカリ水溶液や酸液（各種の無機酸の液）を用
いて行う。場合によっては、後述するメッキ用触媒の付
与工程において、メッキ用触媒の付与と同時に被覆材の
除去を行うことができる。被覆材が水溶性高分子材料の
場合、高分子材料の種類にもよるが、一般には、２５〜
９５℃程度の温水中に２〜３５時間浸漬して除去するの
が好ましい。被覆材が加水分解性高分子材料、特にポリ
乳酸の場合は、濃度２〜１５ｗｔ％程度で温度２５〜７
０℃程度のカ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液
中に１〜１２０分程度浸漬して除去するのが好ましい。
なお、カ性アルカリ水溶液が高温、高濃度程、被覆材ば
かりか、メッキ用触媒をも脱落することがあるため、こ
の程度の範囲で除去工程を行うことが好ましい。
材料の場合は水を用いて行い、加水分解性高分子材料の
場合はアルカリ水溶液や酸液（各種の無機酸の液）を用
いて行う。場合によっては、後述するメッキ用触媒の付
与工程において、メッキ用触媒の付与と同時に被覆材の
除去を行うことができる。被覆材が水溶性高分子材料の
場合、高分子材料の種類にもよるが、一般には、２５〜
９５℃程度の温水中に２〜３５時間浸漬して除去するの
が好ましい。被覆材が加水分解性高分子材料、特にポリ
乳酸の場合は、濃度２〜１５ｗｔ％程度で温度２５〜７
０℃程度のカ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液
中に１〜１２０分程度浸漬して除去するのが好ましい。
なお、カ性アルカリ水溶液が高温、高濃度程、被覆材ば
かりか、メッキ用触媒をも脱落することがあるため、こ
の程度の範囲で除去工程を行うことが好ましい。
【００１８】〔基体表面の粗化〕上記の基体の表面を粗
化する方法としては、例えば、公知のエッチング方法が
適用できる。エッチング方法には、湿式と乾式とがあ
り、基体に使用されている材料の種類等により、適宜の
方式のエッチング方法を採用すればよい。乾式法は、例
えば、プラズマを照射したり、気体を使用する等して行
うことができる。湿式法は、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ
等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、アルコール性ナト
リウム、アルコール性カリウム等のアルカリ金属アルコ
ラートの水溶液、あるいはジメチルホルムアミド等の有
機溶剤を用い、これらのエッチング液を基体表面に塗布
したり、これらの液中に基体を浸漬させる等して接触さ
せて行うことができる。このうち、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等
の水溶液を用いる方法は、濃度３５〜５０ｗｔ％程度、
温度７０〜９５℃程度の条件とすることが好ましい。ま
た、アルカリ金属アルコラートの水溶液や、ジメチルホ
ルムアミド等の有機溶剤を用いる方法は、水溶性又は加
水分解性の高分子材料で被覆した後に粗化する場合に好
適である。なお、有機溶剤を使用する場合は、基体を膨
潤するのみで、粗化まで至らないことがある。この場合
は、有機溶剤での処理の後に、酸あるいはアルカリ処理
を施せばよい。また、被覆工程後に、粗化を行う場合
は、粗化工程で被覆材が完全には除去されないような条
件とすることが必要であるが、ある程度除去されても問
題ない。
化する方法としては、例えば、公知のエッチング方法が
適用できる。エッチング方法には、湿式と乾式とがあ
り、基体に使用されている材料の種類等により、適宜の
方式のエッチング方法を採用すればよい。乾式法は、例
えば、プラズマを照射したり、気体を使用する等して行
うことができる。湿式法は、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ
等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、アルコール性ナト
リウム、アルコール性カリウム等のアルカリ金属アルコ
ラートの水溶液、あるいはジメチルホルムアミド等の有
機溶剤を用い、これらのエッチング液を基体表面に塗布
したり、これらの液中に基体を浸漬させる等して接触さ
せて行うことができる。このうち、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等
の水溶液を用いる方法は、濃度３５〜５０ｗｔ％程度、
温度７０〜９５℃程度の条件とすることが好ましい。ま
た、アルカリ金属アルコラートの水溶液や、ジメチルホ
ルムアミド等の有機溶剤を用いる方法は、水溶性又は加
水分解性の高分子材料で被覆した後に粗化する場合に好
適である。なお、有機溶剤を使用する場合は、基体を膨
潤するのみで、粗化まで至らないことがある。この場合
は、有機溶剤での処理の後に、酸あるいはアルカリ処理
を施せばよい。また、被覆工程後に、粗化を行う場合
は、粗化工程で被覆材が完全には除去されないような条
件とすることが必要であるが、ある程度除去されても問
題ない。
【００１９】なお、湿式法においては、上記のエッチン
グ液と基体とを接触させた後に、塩酸やフッ酸等の酸溶
液を用いて処理することが好ましい。この酸処理は、ア
ルカリ性のエッチング液を単に中和するために行うので
はなく、基体中に含まれるフィラーであって、かつ基体
の表面近傍に存在しているフィラーの一部を除去し、基
体表面の粗化効果をより一層高めるために行われる。従
って、この酸処理の条件（ｐＨ、温度、時間等）は、上
記のフィラーが溶解する程度の条件とすることが好まし
い。また、湿式法は、上記のエッチング液と基体との接
触の際、及び上記の酸溶液での処理の際に、基体を容器
に入れ、この容器をエッチング液や酸溶液中に浸漬し、
該液中で該容器を回転したり、揺動する等して行っても
よい。この容器は、多数の孔を穿設したバレル、球、箱
状体のもの、あるいはカゴ状体のもの等が使用でき、そ
の素材はポリプロピレン等の合成樹脂、あるいはフッ素
系樹脂等で表面処理した金属等が使用できる。
グ液と基体とを接触させた後に、塩酸やフッ酸等の酸溶
液を用いて処理することが好ましい。この酸処理は、ア
ルカリ性のエッチング液を単に中和するために行うので
はなく、基体中に含まれるフィラーであって、かつ基体
の表面近傍に存在しているフィラーの一部を除去し、基
体表面の粗化効果をより一層高めるために行われる。従
って、この酸処理の条件（ｐＨ、温度、時間等）は、上
記のフィラーが溶解する程度の条件とすることが好まし
い。また、湿式法は、上記のエッチング液と基体との接
触の際、及び上記の酸溶液での処理の際に、基体を容器
に入れ、この容器をエッチング液や酸溶液中に浸漬し、
該液中で該容器を回転したり、揺動する等して行っても
よい。この容器は、多数の孔を穿設したバレル、球、箱
状体のもの、あるいはカゴ状体のもの等が使用でき、そ
の素材はポリプロピレン等の合成樹脂、あるいはフッ素
系樹脂等で表面処理した金属等が使用できる。
【００２０】〔メッキ用触媒〕本発明におけるメッキ用
触媒（以下、単に触媒と記すこともある）としては、公
知のものが使用でき、中でもＰｄやＰｔを含むものが好
ましく、これらは、例えば、塩化物等の無機塩として使
用される。メッキ用触媒の付与は、上記の無機塩を基体
に付着させた後、アクセレータ処理により上記の触媒金
属を析出させることで行われる。無機塩を基体に付着さ
せるには、無機塩の溶液と基体とを接触させればよく、
例えば、無機塩の溶液中に基体を浸漬したり、この水溶
液を基体に塗布する等して行われるが、本発明では、上
記の粗化工程と同様に、基体を入れた上記のような容器
を無機塩の溶液中に浸漬し、該溶液中で該容器を回転し
たり、揺動する等して行う。具体的な条件は、基体の材
料、メッキの材料、メッキ用触媒の材料、無機塩の付着
方法等により種々異なり一概には決められないが、メッ
キ用触媒の塩として塩化パラジウムを使用し、浸漬法を
採用する場合を例にとれば、一例として次のようなもの
が挙げられる。
触媒（以下、単に触媒と記すこともある）としては、公
知のものが使用でき、中でもＰｄやＰｔを含むものが好
ましく、これらは、例えば、塩化物等の無機塩として使
用される。メッキ用触媒の付与は、上記の無機塩を基体
に付着させた後、アクセレータ処理により上記の触媒金
属を析出させることで行われる。無機塩を基体に付着さ
せるには、無機塩の溶液と基体とを接触させればよく、
例えば、無機塩の溶液中に基体を浸漬したり、この水溶
液を基体に塗布する等して行われるが、本発明では、上
記の粗化工程と同様に、基体を入れた上記のような容器
を無機塩の溶液中に浸漬し、該溶液中で該容器を回転し
たり、揺動する等して行う。具体的な条件は、基体の材
料、メッキの材料、メッキ用触媒の材料、無機塩の付着
方法等により種々異なり一概には決められないが、メッ
キ用触媒の塩として塩化パラジウムを使用し、浸漬法を
採用する場合を例にとれば、一例として次のようなもの
が挙げられる。
【００２１】触媒塩溶液組成 ＰｄＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：０．１〜０．３ｇ／ｄｍ３ ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：１０〜２０ｇ／ｄｍ３ ＨＣｌ ：１５０〜２５０ｃｍ３／ｄｍ３ 浸漬条件 温度：２０〜４５℃ 時間：１〜１０分
【００２２】なお、メッキ用触媒塩溶液の溶媒として
は、上記の塩酸以外に、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール等の、上記した水溶性又は加水分解
性高分子材料からなる被覆材を完全には溶出させない
（一部は溶出してもよい）有機溶剤を用いることもでき
る。
は、上記の塩酸以外に、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール等の、上記した水溶性又は加水分解
性高分子材料からなる被覆材を完全には溶出させない
（一部は溶出してもよい）有機溶剤を用いることもでき
る。
【００２３】上記のようなメッキ用触媒塩の付着の後、
水洗し、アクセレータ処理してメッキ用触媒（金属）を
基体上に析出させる。アクセレータ処理は、一般には、
アクセレータ（促進液）と触媒塩付与後の基体とを、浸
漬あるいは塗布等により接触させて行うが、本発明で
は、触媒塩付与後の基体を入れた容器をアクセレータ液
中に浸漬し、回転あるいは揺動する等して行う（なお、
本発明では、上記のメッキ用触媒塩の付着、水洗、及び
アクセレータ処理の全てを、基体を同一の容器に入れた
ままで行う）。この促進液としては、硫酸、塩酸、水酸
化ナトリウム、アンモニア等の無機溶液が用いられる。
上記組成の触媒塩溶液を用い、上記条件での浸漬で触媒
塩が付与されている場合は、水洗により、基体表面に付
着しているＳｎ２＋−Ｐｄ２＋の錯体が加水分解され、
Ｓｎ２＋はＳｎ（ＯＨ）Ｃｌとなって沈殿し、続いて行
うアクセレータ処理により、Ｓｎ（ＯＨ）Ｃｌが溶解
し、既に錯体状態が解かれているＰｄ２＋と酸化還元反
応を生起して、金属Ｐｄが基体上で生成する。この金属
Ｐｄがメッキ用触媒として作用する。
水洗し、アクセレータ処理してメッキ用触媒（金属）を
基体上に析出させる。アクセレータ処理は、一般には、
アクセレータ（促進液）と触媒塩付与後の基体とを、浸
漬あるいは塗布等により接触させて行うが、本発明で
は、触媒塩付与後の基体を入れた容器をアクセレータ液
中に浸漬し、回転あるいは揺動する等して行う（なお、
本発明では、上記のメッキ用触媒塩の付着、水洗、及び
アクセレータ処理の全てを、基体を同一の容器に入れた
ままで行う）。この促進液としては、硫酸、塩酸、水酸
化ナトリウム、アンモニア等の無機溶液が用いられる。
上記組成の触媒塩溶液を用い、上記条件での浸漬で触媒
塩が付与されている場合は、水洗により、基体表面に付
着しているＳｎ２＋−Ｐｄ２＋の錯体が加水分解され、
Ｓｎ２＋はＳｎ（ＯＨ）Ｃｌとなって沈殿し、続いて行
うアクセレータ処理により、Ｓｎ（ＯＨ）Ｃｌが溶解
し、既に錯体状態が解かれているＰｄ２＋と酸化還元反
応を生起して、金属Ｐｄが基体上で生成する。この金属
Ｐｄがメッキ用触媒として作用する。
【００２４】なお、上記のアクセレータ処理の際に水溶
性又は加水分解性の高分子材料からなる被覆材が溶出す
ることもあるため、アクセレータ処理と同時に被覆材の
除去を行ってもよいし、被覆材を除去した後にアクセレ
ータ処理を行ってもよい。もちろん、被覆材が完全に溶
出する前に、アクセレータ処理を終了することもでき
る。
性又は加水分解性の高分子材料からなる被覆材が溶出す
ることもあるため、アクセレータ処理と同時に被覆材の
除去を行ってもよいし、被覆材を除去した後にアクセレ
ータ処理を行ってもよい。もちろん、被覆材が完全に溶
出する前に、アクセレータ処理を終了することもでき
る。
【００２５】水溶性又は加水分解性の高分子材料による
被覆材の厚さが１０〜１０００μｍ程度、好ましくは１
０〜５００μｍ程度と薄い場合には、上記したメッキ用
触媒塩の付着（例えば、上記Ｓｎ２＋−Ｐｄ２＋錯体の
付着）、水洗（該錯体の加水分解により、Ｓｎ（ＯＨ）
Ｃｌの沈殿生成）、アクセレータ処理（Ｓｎ（ＯＨ）Ｃ
ｌが溶解し、水洗の際に錯体状態が解かれたＰｄ２＋と
酸化還元反応して金属Ｐｄを生成）と言う一連の操作か
らなるメッキ用触媒の付与工程において、被覆材が完全
に溶出することもあり、メッキ用触媒の付与と同時に、
被覆材の除去を行うことができる。この場合、アクセレ
ータ処理を、促進剤の温度を４０〜８０℃程度とし、該
促進剤との接触時間を３０〜１２０分間程度とすること
が好ましい。また、基体の粗面化後に、基体を型の一部
とする射出成形法により被覆材を設ける場合にあって
は、基体と型とを密に接触させると、基体に設けた凹凸
（粗面）が消失する懸念があるため、基体と型との間に
微小な隙間を空けて射出成形型を構成し、この微小な隙
間（本来的には被覆材を必要としない部分）にも被覆材
を成形（すなわち、バリを形成）することがある。この
微小な隙間の被覆材（バリ）は、極めて薄いため、上記
のメッキ用触媒の付与工程中において、被覆材が完全に
溶出させることができる。以上のように、メッキ用触媒
の付与工程と被覆材の除去工程とを同時に行うことは、
工程面での効果のみならず、基体の粗面化面の保護、延
いては高精度でのメッキ施工と言った効果をも得ること
ができる。
被覆材の厚さが１０〜１０００μｍ程度、好ましくは１
０〜５００μｍ程度と薄い場合には、上記したメッキ用
触媒塩の付着（例えば、上記Ｓｎ２＋−Ｐｄ２＋錯体の
付着）、水洗（該錯体の加水分解により、Ｓｎ（ＯＨ）
Ｃｌの沈殿生成）、アクセレータ処理（Ｓｎ（ＯＨ）Ｃ
ｌが溶解し、水洗の際に錯体状態が解かれたＰｄ２＋と
酸化還元反応して金属Ｐｄを生成）と言う一連の操作か
らなるメッキ用触媒の付与工程において、被覆材が完全
に溶出することもあり、メッキ用触媒の付与と同時に、
被覆材の除去を行うことができる。この場合、アクセレ
ータ処理を、促進剤の温度を４０〜８０℃程度とし、該
促進剤との接触時間を３０〜１２０分間程度とすること
が好ましい。また、基体の粗面化後に、基体を型の一部
とする射出成形法により被覆材を設ける場合にあって
は、基体と型とを密に接触させると、基体に設けた凹凸
（粗面）が消失する懸念があるため、基体と型との間に
微小な隙間を空けて射出成形型を構成し、この微小な隙
間（本来的には被覆材を必要としない部分）にも被覆材
を成形（すなわち、バリを形成）することがある。この
微小な隙間の被覆材（バリ）は、極めて薄いため、上記
のメッキ用触媒の付与工程中において、被覆材が完全に
溶出させることができる。以上のように、メッキ用触媒
の付与工程と被覆材の除去工程とを同時に行うことは、
工程面での効果のみならず、基体の粗面化面の保護、延
いては高精度でのメッキ施工と言った効果をも得ること
ができる。
【００２６】〔メッキ〕本発明におけるメッキ方法は、
公知のメタライジング方法（無電解メッキ方法や電気メ
ッキ方法）が採用できる。メッキ金属としては、銅、
錫、鉛、ニッケル、金、その他各種の金属が挙げられ
る。メッキ工程は、多数回に分けて行うこともできる
し、１回で一度に行うこともできる。なお、触媒付与工
程の後に、予備メッキ工程を設けることもできる。予備
メッキも、公知のメタライジング法で行うことができ、
好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属も、上記
のいわゆる本メッキ工程での金属と同様のものが使用で
きる。この予備メッキ工程を設けることにより、本メッ
キ工程でのメッキ品質を一層良好なものとすることがで
きる。また、後メッキ工程を設けることもできる。後メ
ッキ工程も、公知のメタライジング法で行うことがで
き、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属は、
本メッキ工程での金属と同種であってもよいが、異種の
ものであってもよい。
公知のメタライジング方法（無電解メッキ方法や電気メ
ッキ方法）が採用できる。メッキ金属としては、銅、
錫、鉛、ニッケル、金、その他各種の金属が挙げられ
る。メッキ工程は、多数回に分けて行うこともできる
し、１回で一度に行うこともできる。なお、触媒付与工
程の後に、予備メッキ工程を設けることもできる。予備
メッキも、公知のメタライジング法で行うことができ、
好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属も、上記
のいわゆる本メッキ工程での金属と同様のものが使用で
きる。この予備メッキ工程を設けることにより、本メッ
キ工程でのメッキ品質を一層良好なものとすることがで
きる。また、後メッキ工程を設けることもできる。後メ
ッキ工程も、公知のメタライジング法で行うことがで
き、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属は、
本メッキ工程での金属と同種であってもよいが、異種の
ものであってもよい。
【００２７】〔メッキ材の除去〕メッキ材の除去は、上
記のようなメッキ金属を除去することができる手法であ
れば、どのような方法によってもよいが、一般には、塩
化第二鉄、塩化第二銅などの無機塩の溶液と、メッキ施
工面とを、浸漬あるいは塗布等により接触させて行う
が、本発明では、上記の粗化工程やメッキ用触媒付与工
程と同様に、メッキ後の基体を入れた上記のような容器
を無機塩の溶液中に浸漬し、回転あるいは揺動する等し
て行うことが好ましい。 〔アニール処理〕本発明では、以上の各工程が終了した
後、アニール処理を行うこともできる。このアニール処
理により、メッキ被膜の密着力を更に向上させることが
できる。アニール処理の条件は、１６０〜１７５℃で、
１〜５時間保持の後、室温まで徐々に冷却することが好
ましい。
記のようなメッキ金属を除去することができる手法であ
れば、どのような方法によってもよいが、一般には、塩
化第二鉄、塩化第二銅などの無機塩の溶液と、メッキ施
工面とを、浸漬あるいは塗布等により接触させて行う
が、本発明では、上記の粗化工程やメッキ用触媒付与工
程と同様に、メッキ後の基体を入れた上記のような容器
を無機塩の溶液中に浸漬し、回転あるいは揺動する等し
て行うことが好ましい。 〔アニール処理〕本発明では、以上の各工程が終了した
後、アニール処理を行うこともできる。このアニール処
理により、メッキ被膜の密着力を更に向上させることが
できる。アニール処理の条件は、１６０〜１７５℃で、
１〜５時間保持の後、室温まで徐々に冷却することが好
ましい。
【００２８】
【実施例】実施例１ 〔基体の成形工程〕芳香族系ポリエステル（液晶ポリマ
ー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を
使用》）により、１次金型を用いて、図１（Ａ）（斜視
図），（Ｂ）（（Ａ）の一部切欠図）に示す形状の基体
（単品）１を成形した。この基体１は、５０×３０×５
（ｍｍ）の外形寸法を有し、図示するように、天面の対
角線上の位置に、２個の貫通孔（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｈｏ
ｌｅ）２，２を有している。この基体１の複数個を多数
の孔を穿設したポリプロピレン製のバレル状容器に入
れ、この容器を回転させつつ、６０℃に加熱した脱脂液
（奥野製薬社製商品名“エースクリーンＡ２２０”５０
ｇ／リットル《以下、リットルをＬと、ミリリットルを
ｍＬと記す》水溶液）に１０分間浸漬した後、水洗して
脱脂した。
ー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を
使用》）により、１次金型を用いて、図１（Ａ）（斜視
図），（Ｂ）（（Ａ）の一部切欠図）に示す形状の基体
（単品）１を成形した。この基体１は、５０×３０×５
（ｍｍ）の外形寸法を有し、図示するように、天面の対
角線上の位置に、２個の貫通孔（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｈｏ
ｌｅ）２，２を有している。この基体１の複数個を多数
の孔を穿設したポリプロピレン製のバレル状容器に入
れ、この容器を回転させつつ、６０℃に加熱した脱脂液
（奥野製薬社製商品名“エースクリーンＡ２２０”５０
ｇ／リットル《以下、リットルをＬと、ミリリットルを
ｍＬと記す》水溶液）に１０分間浸漬した後、水洗して
脱脂した。
【００２９】〔基体表面の粗化工程〕メチルアルコール
１Ｌに金属Ｎａ３５０〜５００ｇ（本例では４３０ｇ）
を溶解したアルカリ溶液を９０℃に加熱し、この加熱溶
液中に、上記脱脂後の基体１の複数個を、上記のバレル
状容器に入れたままで浸漬し回転しながら、３０〜８０
分間（本例では４０分間）保持して、基体１の表面を粗
化した。なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコ
ール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条
件で粗化することができた。また、メチルアルコールに
変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を
使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、
この溶液に上記脱脂後の基体１の複数個を上記のバレル
状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保持
の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５４
ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状容
器のままで回転しながら入れることにより、粗化するこ
とができた。更に、水１ＬにＮａＯＨ３５０〜５００ｇ
（本例では４００ｇ）を溶解したアルカリ溶液を使用し
た場合は、上記のメチルアルコールを使用した場合と同
様の条件で粗化することができた。
１Ｌに金属Ｎａ３５０〜５００ｇ（本例では４３０ｇ）
を溶解したアルカリ溶液を９０℃に加熱し、この加熱溶
液中に、上記脱脂後の基体１の複数個を、上記のバレル
状容器に入れたままで浸漬し回転しながら、３０〜８０
分間（本例では４０分間）保持して、基体１の表面を粗
化した。なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコ
ール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条
件で粗化することができた。また、メチルアルコールに
変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を
使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、
この溶液に上記脱脂後の基体１の複数個を上記のバレル
状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保持
の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５４
ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状容
器のままで回転しながら入れることにより、粗化するこ
とができた。更に、水１ＬにＮａＯＨ３５０〜５００ｇ
（本例では４００ｇ）を溶解したアルカリ溶液を使用し
た場合は、上記のメチルアルコールを使用した場合と同
様の条件で粗化することができた。
【００３０】〔基体の被覆工程〕表面粗化後の基体１を
セットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次
金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加
熱した被覆材３としての水溶性高分子材（ポリビニルア
ルコール《以下、ＰＶＡ》《クラレ社製商品名“ポバー
ル”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ
２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜
視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。この成形
品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとした。
セットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次
金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加
熱した被覆材３としての水溶性高分子材（ポリビニルア
ルコール《以下、ＰＶＡ》《クラレ社製商品名“ポバー
ル”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ
２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜
視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。この成形
品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとした。
【００３１】〔メッキ用触媒の付与工程および被覆材の
除去工程〕メチルアルコールに、メッキ用触媒塩として
の塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原
ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を
２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、
この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記
と同様のバレル状容器に入れ、この容器を３〜５分間
（本例では４分間）回転しながら浸漬した後、水洗し、
６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸
漬（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３
以外の部分にメッキ用触媒を付与すると共に、被覆材３
の溶解除去を行った。被覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５
ｍｍの何れの場合も、メッキ用触媒の付与と被覆材３の
除去とが同時に良好に行われた。
除去工程〕メチルアルコールに、メッキ用触媒塩として
の塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原
ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を
２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、
この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記
と同様のバレル状容器に入れ、この容器を３〜５分間
（本例では４分間）回転しながら浸漬した後、水洗し、
６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸
漬（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３
以外の部分にメッキ用触媒を付与すると共に、被覆材３
の溶解除去を行った。被覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５
ｍｍの何れの場合も、メッキ用触媒の付与と被覆材３の
除去とが同時に良好に行われた。
【００３２】〔メッキ工程〕被覆材３除去後の基体１の
複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表１に示
す組成の銅メッキ浴中に浸漬し回転させながら、表２に
示すメッキ条件で、該基体１に厚さ０．３〜２０．０μ
ｍ（本例では１０μｍ）となるように、無電解銅メッキ
を施した後、１７０℃で１時間保持し、室温まで徐冷す
るというアニール処理を行って図３に示す態様のものを
得た。また、無電解銅メッキを０．５μｍ厚さとなるよ
うに施した後、上記のバレル状容器に入れたままで、電
気銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施し、次いで
上記と同様のアニール処理を行った場合も、同様の態様
のものを得た。なお、図３中、符号４で示す部分が銅メ
ッキが施された部分であり、図３に示すように、この銅
メッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に
示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通
孔２内の表面に施されていた。
複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表１に示
す組成の銅メッキ浴中に浸漬し回転させながら、表２に
示すメッキ条件で、該基体１に厚さ０．３〜２０．０μ
ｍ（本例では１０μｍ）となるように、無電解銅メッキ
を施した後、１７０℃で１時間保持し、室温まで徐冷す
るというアニール処理を行って図３に示す態様のものを
得た。また、無電解銅メッキを０．５μｍ厚さとなるよ
うに施した後、上記のバレル状容器に入れたままで、電
気銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施し、次いで
上記と同様のアニール処理を行った場合も、同様の態様
のものを得た。なお、図３中、符号４で示す部分が銅メ
ッキが施された部分であり、図３に示すように、この銅
メッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に
示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通
孔２内の表面に施されていた。
【００３３】
【表１】銅メッキ浴組成 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．０４モル／Ｌ ＨＣＨＯ ：０．１モル／Ｌ ＮａＯＨ ：０．２モル／Ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：０．０８モル／Ｌ α，α′−ジピリジル：５〜１０ｐｐｍ ＰＥＧ−１０００＊１ ：５０〜１００ｐｐｍ ＊１ＰＥＧ−１０００：安定剤（荏原ユージライト社製
商品名）
商品名）
【００３４】
【表２】メッキ条件 浴温度 ：６０〜７０℃ エア攪拌：０．１Ｌ／Ｌ・分 浴 ：０〜１ｄｍ２／Ｌ
【００３５】比較例１ 〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして図４に示す形
状の基体（単品）１１を成形した。１２は貫通孔を示
し、１１′は基体１１の凹部を示す。
状の基体（単品）１１を成形した。１２は貫通孔を示
し、１１′は基体１１の凹部を示す。
【００３６】〔基体表面の粗化工程〕この基体１１を実
施例１と同様にして粗化した。
施例１と同様にして粗化した。
【００３７】〔メッキ用触媒の付与工程〕濃度が１５０
ｍＬ／Ｌの濃硫酸中に、メッキ用触媒塩として実施例１
と同様の荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣ
Ｔ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合で混合し、３０℃に保持
した溶液中に、表面粗化した１次成形品１１を、実施例
１と同様にして、３分間浸漬した後、水洗し、濃度が８
０ｍＬ／Ｌの硫酸からなるアクセレータ液を５０℃に保
持し、この液中に４分間浸漬し、水洗して、基体１１の
全面にメッキ用触媒を付与した。
ｍＬ／Ｌの濃硫酸中に、メッキ用触媒塩として実施例１
と同様の荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣ
Ｔ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合で混合し、３０℃に保持
した溶液中に、表面粗化した１次成形品１１を、実施例
１と同様にして、３分間浸漬した後、水洗し、濃度が８
０ｍＬ／Ｌの硫酸からなるアクセレータ液を５０℃に保
持し、この液中に４分間浸漬し、水洗して、基体１１の
全面にメッキ用触媒を付与した。
【００３８】〔基体の被覆工程〕メッキ用触媒付与後の
基体１１を２次金型内にセットし、基体１１と同じ樹脂
により、図５に示す態様の部分的被覆成形品（図４の凹
部１１′に基体１１と同じ樹脂による被覆材１３が成形
されたもの）を得た。
基体１１を２次金型内にセットし、基体１１と同じ樹脂
により、図５に示す態様の部分的被覆成形品（図４の凹
部１１′に基体１１と同じ樹脂による被覆材１３が成形
されたもの）を得た。
【００３９】〔メッキ工程〕この部分的被覆成形品に、
実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。この銅
メッキは、基体１１と被覆材１３の密着が不良であるた
め、この界面のメッキ用触媒付与面が覗いている部分に
も、施されていることが視認できた。
実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。この銅
メッキは、基体１１と被覆材１３の密着が不良であるた
め、この界面のメッキ用触媒付与面が覗いている部分に
も、施されていることが視認できた。
【００４０】実施例２ 〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして実施例１と同
様の基体１を成形した。
様の基体１を成形した。
【００４１】〔基体表面の粗化工程〕この基体１を実施
例１と同様にして粗化した。
例１と同様にして粗化した。
【００４２】〔基体の被覆工程〕表面粗化後の基体１を
セットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次
金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加
熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸
樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）
を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３
５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜視図）に示す態
様の部分被覆３成形品を得た。この成形品の被覆材３の
厚さは１．５ｍｍであった。
セットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次
金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加
熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸
樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）
を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３
５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜視図）に示す態
様の部分被覆３成形品を得た。この成形品の被覆材３の
厚さは１．５ｍｍであった。
【００４３】〔メッキ用触媒の付与工程〕水に、メッキ
用触媒塩として実施例１と同様の荏原ユージライト社製
商品名“エニレックスＣＴ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合
で添加し、更にＨＣｌを１５０ｍＬ／Ｌの割合で添加
し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の部分
的被覆成形品を、実施例１と同様にして、３〜５分間
（本例では４分間）浸漬した後、水洗し、３０℃に加温
した塩酸（５〜１０％、本例では８％）中に４分間浸漬
（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３以
外の部分にメッキ用触媒を付与した。
用触媒塩として実施例１と同様の荏原ユージライト社製
商品名“エニレックスＣＴ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合
で添加し、更にＨＣｌを１５０ｍＬ／Ｌの割合で添加
し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の部分
的被覆成形品を、実施例１と同様にして、３〜５分間
（本例では４分間）浸漬した後、水洗し、３０℃に加温
した塩酸（５〜１０％、本例では８％）中に４分間浸漬
（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３以
外の部分にメッキ用触媒を付与した。
【００４４】〔被覆材の除去工程〕メッキ用触媒を付与
した後の基体１を、実施例１と同様にして、濃度７ｗｔ
％で３０℃のＮａＯＨ水溶液中に４０分間浸漬して、被
覆材３を除去した。
した後の基体１を、実施例１と同様にして、濃度７ｗｔ
％で３０℃のＮａＯＨ水溶液中に４０分間浸漬して、被
覆材３を除去した。
【００４５】なお、ポリ乳酸による被覆材３の厚さを実
施例１と同じ１ｍｍと、０．５ｍｍとした場合は、いず
れの場合も、上記のメッキ用触媒の付与工程において、
メッキ用触媒の付与と同時に被覆材３の除去を行うこと
ができた。
施例１と同じ１ｍｍと、０．５ｍｍとした場合は、いず
れの場合も、上記のメッキ用触媒の付与工程において、
メッキ用触媒の付与と同時に被覆材３の除去を行うこと
ができた。
【００４６】〔メッキ工程〕この部分的被覆成形品に、
実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。また、
実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電
気銅メッキを施した。いずれの場合も、実施例１と同様
に、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被
覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の
表面に、銅メッキ４が施されていた。
実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。また、
実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電
気銅メッキを施した。いずれの場合も、実施例１と同様
に、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被
覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の
表面に、銅メッキ４が施されていた。
【００４７】実施例３ 〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして実施例１と同
様の基体１を成形した。
様の基体１を成形した。
【００４８】〔基体の被覆工程〕この基体１をセット
し、実施例２と同様にして加水分解性樹脂を射出し、実
施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
し、実施例２と同様にして加水分解性樹脂を射出し、実
施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
【００４９】〔基体表面の粗化工程〕上記の部分的被覆
成形品を、３５〜６０℃（本例では５０℃）に加温した
濃度６０〜８０％（本例では５０％）のジメチルホルム
アミド溶液に、実施例１と同様にして、５〜１２０分間
（本例では６０分間）浸漬して、被覆材３以外の部分す
なわち基体１の表面を膨潤させた後、水洗し、次いで７
０〜７５℃（本例では７０℃）に加熱した濃硫酸（６０
０ｃｍ３／ｄｍ３）・８９％リン酸（１００ｃｍ３／ｄ
ｍ３）・クロム酸（３０ｇ／ｄｍ３）に３０〜１２０分
間（本例では７０分間）浸漬して、この膨潤部分を粗化
した。
成形品を、３５〜６０℃（本例では５０℃）に加温した
濃度６０〜８０％（本例では５０％）のジメチルホルム
アミド溶液に、実施例１と同様にして、５〜１２０分間
（本例では６０分間）浸漬して、被覆材３以外の部分す
なわち基体１の表面を膨潤させた後、水洗し、次いで７
０〜７５℃（本例では７０℃）に加熱した濃硫酸（６０
０ｃｍ３／ｄｍ３）・８９％リン酸（１００ｃｍ３／ｄ
ｍ３）・クロム酸（３０ｇ／ｄｍ３）に３０〜１２０分
間（本例では７０分間）浸漬して、この膨潤部分を粗化
した。
【００５０】〔メッキ用触媒の付与工程〕エチルアルコ
ールに、メッキ用触媒塩としての塩化パラジウム（奥野
製薬社製）を３０ｍＬ／Ｌの割合で添加した溶液を、５
０〜９０℃（本例では６０℃）に加熱し、この溶液中
に、実施例１と同様にして、上記の表面粗化後の成形品
を１５〜１００分間（本例では６０分間）浸漬した後、
水洗して、上記の表面粗化部分、すなわち被覆材３以外
の部分にメッキ用触媒を付与した。
ールに、メッキ用触媒塩としての塩化パラジウム（奥野
製薬社製）を３０ｍＬ／Ｌの割合で添加した溶液を、５
０〜９０℃（本例では６０℃）に加熱し、この溶液中
に、実施例１と同様にして、上記の表面粗化後の成形品
を１５〜１００分間（本例では６０分間）浸漬した後、
水洗して、上記の表面粗化部分、すなわち被覆材３以外
の部分にメッキ用触媒を付与した。
【００５１】〔被覆材の除去工程〕触媒付与後の成形品
を、実施例１と同様にして、２０〜８０℃（本例では５
０℃）の５〜２０％（本例では５％）苛性ソーダ溶液に
４０〜８０分間（本例では６０分間）浸漬し、被覆材３
を加水分解して除去した。
を、実施例１と同様にして、２０〜８０℃（本例では５
０℃）の５〜２０％（本例では５％）苛性ソーダ溶液に
４０〜８０分間（本例では６０分間）浸漬し、被覆材３
を加水分解して除去した。
【００５２】〔メッキ工程〕実施例１と同様にして無電
解銅メッキ４を施した。この銅メッキ４は、実施例１の
場合と同様に、被覆材３で覆われていた部分以外の部分
と、貫通孔２内の表面に施されていた。
解銅メッキ４を施した。この銅メッキ４は、実施例１の
場合と同様に、被覆材３で覆われていた部分以外の部分
と、貫通孔２内の表面に施されていた。
【００５３】実施例４ 〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして実施例１と同
様の基体１を成形した。
様の基体１を成形した。
【００５４】〔基体表面の粗化工程〕実施例１と同様に
して基体１の全面を粗化した。
して基体１の全面を粗化した。
【００５５】〔メッキ用触媒の付与工程〕実施例１と同
様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
【００５６】〔メッキ工程〕アニール処理を行わない以
外は実施例１と同様にして、厚さ５μｍの無電解銅メッ
キを施した。
外は実施例１と同様にして、厚さ５μｍの無電解銅メッ
キを施した。
【００５７】〔被覆工程〕メッキを施した後の基体に、
実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実
施例１と同様にして、部分的被覆（メッキを残す部分へ
の被覆）成形品を得た。
実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実
施例１と同様にして、部分的被覆（メッキを残す部分へ
の被覆）成形品を得た。
【００５８】〔メッキ材の除去工程〕塩化第二鉄又は塩
化第二銅（２８〜４２ｗｔ％《本例では４０ｗｔ％》）
溶液中に、実施例１と同様にして、被覆工程後の成形品
を浸漬して、被覆されていない部分のメッキ材を除去し
た。
化第二銅（２８〜４２ｗｔ％《本例では４０ｗｔ％》）
溶液中に、実施例１と同様にして、被覆工程後の成形品
を浸漬して、被覆されていない部分のメッキ材を除去し
た。
【００５９】〔被覆材の除去工程〕実施例２と同様にし
て被覆材を加水分解して除去した後、実施例１と同様の
アニール処理を行った。
て被覆材を加水分解して除去した後、実施例１と同様の
アニール処理を行った。
【００６０】実施例５ 〔基体の成形工程〕実施例１と同様にして実施例１と同
様の基体１を成形した。
様の基体１を成形した。
【００６１】〔基体表面の粗化工程〕実施例１と同様に
して基体１の全面を粗化した。
して基体１の全面を粗化した。
【００６２】〔メッキ用触媒の付与工程〕実施例１と同
様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
【００６３】〔基体の被覆工程〕実施例２で用いたもの
と同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様にして、
実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
と同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様にして、
実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
【００６４】〔メッキ工程〕アニール処理を行わない以
外は実施例１と同様にして、厚さ１〜５μｍの無電解銅
メッキを施した。
外は実施例１と同様にして、厚さ１〜５μｍの無電解銅
メッキを施した。
【００６５】〔被覆材の除去工程〕６０〜９０℃の４〜
２５％苛性ソーダ溶液に、実施例１と同様にして、１〜
３時間浸漬し、被覆材を加水分解して除去した。
２５％苛性ソーダ溶液に、実施例１と同様にして、１〜
３時間浸漬し、被覆材を加水分解して除去した。
【００６６】〔後メッキ工程〕無電解銅メッキが施され
た成形品の全面に、再度、実施例１と同様にして、厚さ
１〜２０μｍの無電解銅メッキを施した。
た成形品の全面に、再度、実施例１と同様にして、厚さ
１〜２０μｍの無電解銅メッキを施した。
【００６７】実施例６ 被覆材としてＰＶＡを使用すること、メッキを塩化アル
ミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロ
フラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例
では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、
実施例４を繰り返した。
ミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロ
フラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例
では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、
実施例４を繰り返した。
【００６８】実施例７ 〔基体の成形工程〕芳香族系ポリエステル（液晶ポリマ
ー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を
使用》）により、１次金型を用いて、図６（斜視図）に
示す形状の基体（集合基体）２１を成形した。この基体
２１の外形寸法は、ａ≒４０ｍｍ、ｂ≒５ｍｍ、ｃ≒４
ｍｍ、ｄ≒７ｍｍ、ｅ≒２ｍｍであり、図示するよう
に、天面に、２本の直線状に、複数個の貫通孔（Ｔｈｒ
ｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ）２，２，・・・を有している。こ
の集合基体２１の複数個を多数の孔を穿設したポリプロ
ピレン製のバレル状容器に入れ、この容器を回転させつ
つ、６０℃に加熱した脱脂液（奥野製薬社製商品名“エ
ースクリーンＡ２２０”５０ｇ／Ｌ水溶液）に１０分間
浸漬した後、水洗して脱脂した。
ー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を
使用》）により、１次金型を用いて、図６（斜視図）に
示す形状の基体（集合基体）２１を成形した。この基体
２１の外形寸法は、ａ≒４０ｍｍ、ｂ≒５ｍｍ、ｃ≒４
ｍｍ、ｄ≒７ｍｍ、ｅ≒２ｍｍであり、図示するよう
に、天面に、２本の直線状に、複数個の貫通孔（Ｔｈｒ
ｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ）２，２，・・・を有している。こ
の集合基体２１の複数個を多数の孔を穿設したポリプロ
ピレン製のバレル状容器に入れ、この容器を回転させつ
つ、６０℃に加熱した脱脂液（奥野製薬社製商品名“エ
ースクリーンＡ２２０”５０ｇ／Ｌ水溶液）に１０分間
浸漬した後、水洗して脱脂した。
【００６９】〔基体表面の粗化工程〕メチルアルコール
１Ｌに金属Ｎａ４３０ｇを溶解したアルカリ溶液を９０
℃に加熱し、この加熱溶液中に、上記脱脂後の基体２１
の複数個を、上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し
回転しながら、４０分間保持して、基体２１の表面を粗
化した。なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコ
ール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条
件で粗化することができた。また、メチルアルコールに
変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を
使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、
この溶液に上記脱脂後の基体２１の複数個を上記のバレ
ル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保
持の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５
４ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状
容器のままで回転しながら入れることにより、粗化する
ことができた。更に、水１ＬにＮａＯＨ４００ｇを溶解
したアルカリ溶液を使用した場合は、上記のメチルアル
コールを使用した場合と同様の条件で粗化することがで
きた。
１Ｌに金属Ｎａ４３０ｇを溶解したアルカリ溶液を９０
℃に加熱し、この加熱溶液中に、上記脱脂後の基体２１
の複数個を、上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し
回転しながら、４０分間保持して、基体２１の表面を粗
化した。なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコ
ール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条
件で粗化することができた。また、メチルアルコールに
変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を
使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、
この溶液に上記脱脂後の基体２１の複数個を上記のバレ
ル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保
持の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５
４ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状
容器のままで回転しながら入れることにより、粗化する
ことができた。更に、水１ＬにＮａＯＨ４００ｇを溶解
したアルカリ溶液を使用した場合は、上記のメチルアル
コールを使用した場合と同様の条件で粗化することがで
きた。
【００７０】〔基体の被覆工程〕表面粗化後の基体２１
をセットし１０℃に保持した２次金型内に、１９０℃に
加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳
酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）
を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２で射出し、図７（Ａ）
（全体斜視図），（Ｂ）（図７（Ａ）のα−α線切断部
の説明図），（Ｃ）（図７（Ｂ）の一部切欠図）に示す
態様の部分被覆３成形品（集合成形品）を得た。この成
形品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとし
た。
をセットし１０℃に保持した２次金型内に、１９０℃に
加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳
酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）
を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２で射出し、図７（Ａ）
（全体斜視図），（Ｂ）（図７（Ａ）のα−α線切断部
の説明図），（Ｃ）（図７（Ｂ）の一部切欠図）に示す
態様の部分被覆３成形品（集合成形品）を得た。この成
形品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとし
た。
【００７１】〔メッキ用触媒の付与工程および被覆材の
除去工程〕メチルアルコールに、メッキ用触媒塩として
の塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原
ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を
２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、
この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記
と同様のバレル状容器に入れ、この容器を４分間回転し
ながら浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５
０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）
し、部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触
媒を付与すると共に、被覆材３の溶解除去を行った。被
覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５ｍｍの何れの場合も、メ
ッキ用触媒の付与と被覆材３の除去とが同時に良好に行
われた。
除去工程〕メチルアルコールに、メッキ用触媒塩として
の塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原
ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を
２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、
この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記
と同様のバレル状容器に入れ、この容器を４分間回転し
ながら浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５
０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）
し、部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触
媒を付与すると共に、被覆材３の溶解除去を行った。被
覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５ｍｍの何れの場合も、メ
ッキ用触媒の付与と被覆材３の除去とが同時に良好に行
われた。
【００７２】〔メッキ工程〕被覆材３除去後の基体２１
の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表３に
示す組成の予備メッキ浴中に浸漬し回転させながら、同
表に示すメッキ条件で、該基体２１に厚さ０．５〜１．
５μｍ（本例では１μｍ）となるように、無電解銅メッ
キを施した後、表４に示す組成の本メッキ浴中に浸漬し
回転させながら、同表に示すメッキ条件で、上記の予備
メッキ上に厚さ９．５〜８．５μｍ（本例では９μｍ）
となるように、無電解銅メッキを施し、全体のメッキ厚
さ１０μｍとした。なお、この銅メッキの後、無電解Ｎ
ｉメッキ・無電解Ａｕメッキ、あるいは電気Ｎｉメッキ
・電気Ａｕメッキ等の後メッキを施すこともできるし、
最終工程として実施例１と同様のアニール処理を行うこ
ともできる。図８の断面図に、本例でメッキが施された
部分を概略的に示す。図８中、符号４で示す部分が銅メ
ッキ（あるいは銅メッキ後に、Ｎｉメッキ・Ａｕメッキ
等の後メッキ）が施された部分であり、同図に示すよう
に、このメッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわ
ち図７（Ａ）〜（Ｃ）に示した被覆材３で覆われていた
部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。
の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表３に
示す組成の予備メッキ浴中に浸漬し回転させながら、同
表に示すメッキ条件で、該基体２１に厚さ０．５〜１．
５μｍ（本例では１μｍ）となるように、無電解銅メッ
キを施した後、表４に示す組成の本メッキ浴中に浸漬し
回転させながら、同表に示すメッキ条件で、上記の予備
メッキ上に厚さ９．５〜８．５μｍ（本例では９μｍ）
となるように、無電解銅メッキを施し、全体のメッキ厚
さ１０μｍとした。なお、この銅メッキの後、無電解Ｎ
ｉメッキ・無電解Ａｕメッキ、あるいは電気Ｎｉメッキ
・電気Ａｕメッキ等の後メッキを施すこともできるし、
最終工程として実施例１と同様のアニール処理を行うこ
ともできる。図８の断面図に、本例でメッキが施された
部分を概略的に示す。図８中、符号４で示す部分が銅メ
ッキ（あるいは銅メッキ後に、Ｎｉメッキ・Ａｕメッキ
等の後メッキ）が施された部分であり、同図に示すよう
に、このメッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわ
ち図７（Ａ）〜（Ｃ）に示した被覆材３で覆われていた
部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。
【００７３】
【表３】予備（銅）メッキ浴組成・条件 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ：０．０４モル／Ｌ ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．３モル／Ｌ ＮａＯＨ ：ｐＨ１２．２ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：０．１０モル／Ｌ 安定剤＊１ ：若干 浴温度 ：３５℃ ＊１安定剤：金属（メタルイオン）系
【００７４】
【表４】本（銅）メッキ浴組成・条件 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ：０．０４モル／Ｌ ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．０６モル／Ｌ ＮａＯＨ ：ｐＨ１２ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：０．１モル／Ｌ 安定剤＊１ ：若干 浴温度 ：６５℃ メッキ速度 ：２．５μｍ／ｈｒ
【００７５】その後、図６に点線で示す仮想線に沿って
カットし、図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得
た。
カットし、図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得
た。
【００７６】実施例８ 実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例３と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例３と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
【００７７】実施例９ 実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例４と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例４と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
【００７８】実施例１０ 実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例５と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴
組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする
以外は、実施例５と同様の工程に沿ってメッキを施した
後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に
示す形状のチップ部品を得た。
【００７９】実施例１１ 被覆材としてＰＶＡを使用すること、メッキを塩化アル
ミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロ
フラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例
では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、
実施例９を繰り返した。
ミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロ
フラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例
では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、
実施例９を繰り返した。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、従来のレジストの塗布
・硬化・除去工程を省略することができ、従って有機溶
剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮すること
もできる。また、寸法精度が高く、かつ導電率の高い、
高品質の電子・電気部品を提供することができる。
・硬化・除去工程を省略することができ、従って有機溶
剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮すること
もできる。また、寸法精度が高く、かつ導電率の高い、
高品質の電子・電気部品を提供することができる。
【図１】本発明の実施例で用いた基体の形状の一例を示
す図で、（Ａ）が斜視図、（Ｂ）が（Ａ）の一部切欠図
である。
す図で、（Ａ）が斜視図、（Ｂ）が（Ａ）の一部切欠図
である。
【図２】図１の基体に被覆材を施した状態の一例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】図１のものに無電解メッキを施した状態の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】本発明の比較例で用いた基体の一例を示す図で
ある。
ある。
【図５】図４の基体に被覆材を施した状態の一例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例で用いた集合基体の形状の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図７】図６の集合基体に被覆材を施した状態の一例を
示す図であり、（Ａ）がその全体の斜視図、（Ｂ）が
（Ａ）のα−α線切断部の説明図、（Ｃ）が（Ｂ）の一
部切欠図である。
示す図であり、（Ａ）がその全体の斜視図、（Ｂ）が
（Ａ）のα−α線切断部の説明図、（Ｃ）が（Ｂ）の一
部切欠図である。
【図８】図７の被覆材を施した場合の図６の集合基体に
メッキを施した状態を示す一部断面図である。
メッキを施した状態を示す一部断面図である。
【図９】図８の状態でメッキが施された集合メッキ製品
を各チップ部品にカットした状態を示す斜視図である。
を各チップ部品にカットした状態を示す斜視図である。
１，１１，２１ 基体 ２，１２ 孔 ３，１３ 被覆材 ４ メッキ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA13 AA16 AA37 AA42 BA07 CA02 CA06 DA01 DA06 DA07 DB01 EA02 EA03 4K024 AA09 AB08 BA14 BB11 BB12 BC10 CA03 CA04 DA04 DA07 DA08 DB09 EA07 FA07 FA08
Claims (8)
- 【請求項１】 メッキ用触媒を用いて基体を部分的にメ
ッキする方法であって、基体を入れた容器をメッキ用触
媒液中に浸漬して行うメッキ用触媒の付与工程の前又は
後に、メッキ施工面又はメッキ施工面以外の部分に水溶
性高分子材料及び加水分解性高分子材料から選ばれる被
覆材で部分的に被覆する工程を設けることを特徴とする
基体の部分的メッキ方法。 - 【請求項２】 基体が、基体を多数集合させた集合基体
であることを特徴とする請求項１記載の基体の部分的メ
ッキ方法。 - 【請求項３】 （１）基体の表面を粗化する工程、
（２）粗化面を水溶性高分子材料及び加水分解性高分子
材料からなる群から選ばれる被覆材で部分的に被覆する
工程、（３）被覆面以外の表面にメッキ用触媒を付与す
る工程、（４）被覆材を除去する工程、（５）触媒付与
面にメッキする工程、をこの順で経ることを特徴とする
請求項１又は２記載の基体の部分的メッキ方法。 - 【請求項４】 （１）基体の表面を水溶性高分子材料及
び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれる被覆材
で部分的に被覆する工程、（２）被覆面以外の表面を粗
化する工程、（３）粗化面にメッキ用触媒を付与する工
程、（４）被覆材を除去する工程、（５）触媒付与面に
メッキする工程、をこの順で経ることを特徴とする請求
項１又は２記載の基体の部分的メッキ方法。 - 【請求項５】 メッキ用触媒の付与工程と被覆材の除去
工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３又は４記
載の基体の部分的メッキ方法。 - 【請求項６】 （１）基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、（３）水溶性高分
子材料及び加水分解性高分子材料からなる群から選ばれ
る被覆材で部分的に被覆する工程、（４）被覆面以外の
表面をメッキする工程、（５）被覆材を除去する工程、
をこの順で経ることを特徴とする請求項１又は２記載の
基体の部分的メッキ方法。 - 【請求項７】 （１）基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、（３）メッキする
工程、（４）水溶性高分子材料及び加水分解性高分子材
料からなる群から選ばれる被覆材で部分的に被覆する工
程、（５）被覆面以外の面のメッキ材を除去する工程、
（６）被覆材を除去する工程、をこの順で経ることを特
徴とする請求項１又は２記載の基体の部分的メッキ方
法。 - 【請求項８】 被覆材が、ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主
体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体で
あることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の基
体の部分的メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386348A JP4610079B2 (ja) | 1999-12-21 | 2000-12-20 | 基体の部分的メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36333699 | 1999-12-21 | ||
| JP11-363336 | 1999-12-21 | ||
| JP2000386348A JP4610079B2 (ja) | 1999-12-21 | 2000-12-20 | 基体の部分的メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001240975A true JP2001240975A (ja) | 2001-09-04 |
| JP4610079B2 JP4610079B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=26581472
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000386348A Expired - Fee Related JP4610079B2 (ja) | 1999-12-21 | 2000-12-20 | 基体の部分的メッキ方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4610079B2 (ja) |
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| JP2009062609A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-26 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
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| KR101121388B1 (ko) * | 2008-12-22 | 2012-03-09 | 윤숙규 | 부분도금제품의 제조방법 및 이에 의해 제조된 부분도금제품 |
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| KR102210873B1 (ko) * | 2019-02-01 | 2021-02-02 | 주식회사 익스톨 | 수동부품 도금 방법 |
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2000
- 2000-12-20 JP JP2000386348A patent/JP4610079B2/ja not_active Expired - Fee Related
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