JP2002094218A - 成形回路部品の製造方法 - Google Patents
成形回路部品の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基体から樹脂マスクを効率的に除去す
ること。 【解決手段】 合成樹脂材料により誘電体基体１を形成
(Ａ)し、この誘電体基体のうち導電層４が形成されるべ
き表面部分以外の部分を被覆するようにポリアミド系高
分子群から選択された被覆素材で樹脂マスク２を形成
（Ｂ）し、その後でこの樹脂マスクから露出している表
面を粗面化（Ｃ）し、粗面化した面に無電解メッキに対
する触媒を付与（Ｄ）し、誘電体基体１から樹脂マスク
２を蟻酸で効率的に除去（Ｅ）し、最後に上記触媒が付
与された面に導電層４を無電解メッキにより形成する
（Ｆ）ものである。
ること。 【解決手段】 合成樹脂材料により誘電体基体１を形成
(Ａ)し、この誘電体基体のうち導電層４が形成されるべ
き表面部分以外の部分を被覆するようにポリアミド系高
分子群から選択された被覆素材で樹脂マスク２を形成
（Ｂ）し、その後でこの樹脂マスクから露出している表
面を粗面化（Ｃ）し、粗面化した面に無電解メッキに対
する触媒を付与（Ｄ）し、誘電体基体１から樹脂マスク
２を蟻酸で効率的に除去（Ｅ）し、最後に上記触媒が付
与された面に導電層４を無電解メッキにより形成する
（Ｆ）ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話の
内蔵アンテナやインターフェース用コネクタなどのよう
な立体回路基板のような成形回路部品（ＭＩＤ）の製造
方法に関する。
内蔵アンテナやインターフェース用コネクタなどのよう
な立体回路基板のような成形回路部品（ＭＩＤ）の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から誘電体アンテナなどのような立
体回路基板の製造方法として、第１の例は誘電体材料か
ら成形した所定形状の誘電体基体を形成し、この誘電体
基体の表面のうち、所定パターンの導電層が形成される
べき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆う
ように、成形によりこの誘電体基体に樹脂マスクを一体
的に成形し、この誘電体基体とこの樹脂マスクの一体品
の露出している全表面に無電解メッキにより導電層を形
成し、このメッキされた誘電体基体とこの樹脂マスクと
の一体品からこの樹脂マスクを除去して、この誘電体基
体の表面上に所定パターンの導電層を形成するものであ
る。（例えば特開平１１−１７４４２号の図２）。
体回路基板の製造方法として、第１の例は誘電体材料か
ら成形した所定形状の誘電体基体を形成し、この誘電体
基体の表面のうち、所定パターンの導電層が形成される
べき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆う
ように、成形によりこの誘電体基体に樹脂マスクを一体
的に成形し、この誘電体基体とこの樹脂マスクの一体品
の露出している全表面に無電解メッキにより導電層を形
成し、このメッキされた誘電体基体とこの樹脂マスクと
の一体品からこの樹脂マスクを除去して、この誘電体基
体の表面上に所定パターンの導電層を形成するものであ
る。（例えば特開平１１−１７４４２号の図２）。
【０００３】第２の例として、基体の表面を粗化する工
程と、この粗化面を水溶性高分子材料及び加水分解性高
分子材料からなる群から選ばれた被覆材で部分的に被覆
する工程、被覆面以外の表面にメッキ用触媒を付与する
工程、被覆材を除去する工程、触媒付与面にメッキする
工程の順で立体回路基板を製造する方法である。（特開
２０００−８０４８０）。
程と、この粗化面を水溶性高分子材料及び加水分解性高
分子材料からなる群から選ばれた被覆材で部分的に被覆
する工程、被覆面以外の表面にメッキ用触媒を付与する
工程、被覆材を除去する工程、触媒付与面にメッキする
工程の順で立体回路基板を製造する方法である。（特開
２０００−８０４８０）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、第１の従来
例の被覆材の樹脂マスクはごむ状の弾性を有するエラス
トマーにより形成してあるため、この樹脂マスクの除去
工程では、エラストマーが伸びるためこの樹脂マスクを
人手で基体から引き剥がす作業が必要で煩雑である。こ
の第１の従来例には手作業により簡単に除去することが
できると記載しているが、現実には、誘電体基体と樹脂
マスクとの間にエッチング液が侵入しないように密着し
ており、この樹脂マスクを剥離するのは大変煩雑で、大
量生産には全く不向きである。そればかりでなく、特に
小さな部品や肉薄の品の場合には、この引き剥がす力で
基体が変形してしまい、サイズが規格外になってしまう
こともある。
例の被覆材の樹脂マスクはごむ状の弾性を有するエラス
トマーにより形成してあるため、この樹脂マスクの除去
工程では、エラストマーが伸びるためこの樹脂マスクを
人手で基体から引き剥がす作業が必要で煩雑である。こ
の第１の従来例には手作業により簡単に除去することが
できると記載しているが、現実には、誘電体基体と樹脂
マスクとの間にエッチング液が侵入しないように密着し
ており、この樹脂マスクを剥離するのは大変煩雑で、大
量生産には全く不向きである。そればかりでなく、特に
小さな部品や肉薄の品の場合には、この引き剥がす力で
基体が変形してしまい、サイズが規格外になってしまう
こともある。
【０００５】また、第２の従来例によると、基体の材料
としてポリエステル系の液晶ポリマーを用いる場合、被
覆材として水溶性並びに加水分解性の高分子材料、例え
ばポリ乳酸を用い、この加水分解性の被覆材の場合は、
この被覆材の除去にはアルカリ水溶液や酸液を用いると
記載してある。しかし、アルカリ水溶液により被覆材を
除去する方法では、この被覆材の溶融と同時に液晶ポリ
マーの誘電体基体も溶融してしまう。このことは、誘電
体基体を強アルカリ水溶液で粗化する際に、この被覆材
を薄くデザインしなければならない狭いピッチ、例えば
２００ミクロン程度のコネクタの場合、誘電体基体が粗
化される前に被覆材が溶解して、本来、非メッキ面でな
ければならないところまで粗面化されてしまい、その結
果としてメッキが析出してしまう問題が発生する。
としてポリエステル系の液晶ポリマーを用いる場合、被
覆材として水溶性並びに加水分解性の高分子材料、例え
ばポリ乳酸を用い、この加水分解性の被覆材の場合は、
この被覆材の除去にはアルカリ水溶液や酸液を用いると
記載してある。しかし、アルカリ水溶液により被覆材を
除去する方法では、この被覆材の溶融と同時に液晶ポリ
マーの誘電体基体も溶融してしまう。このことは、誘電
体基体を強アルカリ水溶液で粗化する際に、この被覆材
を薄くデザインしなければならない狭いピッチ、例えば
２００ミクロン程度のコネクタの場合、誘電体基体が粗
化される前に被覆材が溶解して、本来、非メッキ面でな
ければならないところまで粗面化されてしまい、その結
果としてメッキが析出してしまう問題が発生する。
【０００６】このような問題は、アルカリ水溶液で基体
を粗化する必要のある基体の素材は、ポリエステル系樹
脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリブチ
レンテレフタレート（ＰＢＴ）ならびにポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）などにおいて発生するものであ
る。そこで、本発明の目的は誘電体基体から樹脂マスク
を簡単かつ敏速に除去することができる成形回路部品の
製法を提供することにある。
を粗化する必要のある基体の素材は、ポリエステル系樹
脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリブチ
レンテレフタレート（ＰＢＴ）ならびにポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）などにおいて発生するものであ
る。そこで、本発明の目的は誘電体基体から樹脂マスク
を簡単かつ敏速に除去することができる成形回路部品の
製法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明に係る成形回路
部品の製造方法の第１の特徴は、合成樹脂材料からなる
所定形状の誘電体基体の表面上に、導電性材料からなる
所定パターンの導電層が形成されている回路部品の製造
方法において、合成樹脂材料により前記所定形状の誘電
体基体を形成する第１の工程と、この誘電体基体のうち
前記所定パターンの導電層が形成されるべき表面部分を
露出させ、これ以外の部分を被覆するようにこの誘電体
基体にポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で
樹脂マスクを形成する第２の工程と、上記樹脂マスクか
ら露出している上記誘電体基体の表面を粗面化する第３
の工程と、粗面化した面に無電解メッキに対する触媒を
付与する第４の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マ
スクを蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールから
選択されたものにより除去する第５の工程と、上記触媒
が付与された面に所定パターンの導電層を無電解メッキ
により形成する第６の工程を含むところにある。このよ
うに、本発明では誘電体基体を粗面化する工程の前に、
樹脂マスクを形成すること、及びこの樹脂マスクの素材
をポリアミド系高分子群から選択し、この樹脂マスクを
酸やアルコールで除去するものである。
部品の製造方法の第１の特徴は、合成樹脂材料からなる
所定形状の誘電体基体の表面上に、導電性材料からなる
所定パターンの導電層が形成されている回路部品の製造
方法において、合成樹脂材料により前記所定形状の誘電
体基体を形成する第１の工程と、この誘電体基体のうち
前記所定パターンの導電層が形成されるべき表面部分を
露出させ、これ以外の部分を被覆するようにこの誘電体
基体にポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で
樹脂マスクを形成する第２の工程と、上記樹脂マスクか
ら露出している上記誘電体基体の表面を粗面化する第３
の工程と、粗面化した面に無電解メッキに対する触媒を
付与する第４の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マ
スクを蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールから
選択されたものにより除去する第５の工程と、上記触媒
が付与された面に所定パターンの導電層を無電解メッキ
により形成する第６の工程を含むところにある。このよ
うに、本発明では誘電体基体を粗面化する工程の前に、
樹脂マスクを形成すること、及びこの樹脂マスクの素材
をポリアミド系高分子群から選択し、この樹脂マスクを
酸やアルコールで除去するものである。
【０００８】第２の特徴は、無電解メッキに対する触媒
が混入してある触媒入り合成樹脂材料により前記所定形
状の誘電体基体を形成する第１の工程と、この誘電体基
体のうち前記所定パターンの導電層が形成されるべき表
面部分を露出させ、これ以外の部分を被覆するように、
この誘電体基体にポリアミド系高分子群から選択された
被覆素材で樹脂マスクを形成する第２の工程と、上記樹
脂マスクから露出している上記誘電体基体の表面を粗面
化する第３の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マス
クを蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールから選
択されたものにより除去する第４の工程と、上記粗面化
された面に所定パターンの導電層を無電解メッキにより
形成する第５の工程を含むところにある。
が混入してある触媒入り合成樹脂材料により前記所定形
状の誘電体基体を形成する第１の工程と、この誘電体基
体のうち前記所定パターンの導電層が形成されるべき表
面部分を露出させ、これ以外の部分を被覆するように、
この誘電体基体にポリアミド系高分子群から選択された
被覆素材で樹脂マスクを形成する第２の工程と、上記樹
脂マスクから露出している上記誘電体基体の表面を粗面
化する第３の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂マス
クを蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールから選
択されたものにより除去する第４の工程と、上記粗面化
された面に所定パターンの導電層を無電解メッキにより
形成する第５の工程を含むところにある。
【０００９】第３の特徴は、前記誘電体基体はポリエス
テル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、
ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）であるところにある。
テル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、
ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）であるところにある。
【００１０】更に、第４の特徴は、前記ポリアミド系高
分子群から選択された被覆素材はカプロラクタムを主成
分とする共重合ポリアミド樹脂（ＣＯＰＡ）であるとこ
ろにある。
分子群から選択された被覆素材はカプロラクタムを主成
分とする共重合ポリアミド樹脂（ＣＯＰＡ）であるとこ
ろにある。
【００１１】第５の特徴は、前記誘電体基体の表面を粗
面化するのは苛性カリまたは苛性ソーダによることにあ
る。
面化するのは苛性カリまたは苛性ソーダによることにあ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る合成樹脂材料からなる所定形状の誘電体基体の表面上
に、導電性材料からなる所定パターンの導電層が形成さ
れている立体回路基板の製造方法の実施の態様について
説明する。
る合成樹脂材料からなる所定形状の誘電体基体の表面上
に、導電性材料からなる所定パターンの導電層が形成さ
れている立体回路基板の製造方法の実施の態様について
説明する。
【００１３】第１の実施の態様について図１を参照して
説明すると、この図面（Ａ）は合成樹脂材料により所定
形状の誘電体基体（一次成形品）１を形成する第１の工
程を示すもので、この誘電体基体の材料としてポリエス
テル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、
ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）がある。誘電体基体１の
材料の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金
型を閉じた状態でキャビティ内にメッキグレードの熱可
塑性の液晶ポリマーを射出して成形するもので、この熱
可塑性の液晶ポリマーは芳香族系ポリエステル樹脂であ
って、例えばポリプラスチックス社製の「ベクトラ」
（商品名）のメッキグレード＃Ｃ８１０を用いる。さら
に、この工程の詳細に付いては、後で実施例の項におい
て具体的に説明している。
説明すると、この図面（Ａ）は合成樹脂材料により所定
形状の誘電体基体（一次成形品）１を形成する第１の工
程を示すもので、この誘電体基体の材料としてポリエス
テル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣＰ）、
ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）がある。誘電体基体１の
材料の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金
型を閉じた状態でキャビティ内にメッキグレードの熱可
塑性の液晶ポリマーを射出して成形するもので、この熱
可塑性の液晶ポリマーは芳香族系ポリエステル樹脂であ
って、例えばポリプラスチックス社製の「ベクトラ」
（商品名）のメッキグレード＃Ｃ８１０を用いる。さら
に、この工程の詳細に付いては、後で実施例の項におい
て具体的に説明している。
【００１４】図１（Ｂ）は誘電体基体１のうち所定パタ
ーンの導電層が形成されるべき表面部分１ａを露出さ
せ、これ以外の部分を被覆するようにこの誘電体基体に
ポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で樹脂マ
スク２を形成する二次成形品を成形する第２の工程を示
すものである。ポリアミド系高分子群から選択された被
覆素材は、カプロラクタムを主成分とする共重合ポリア
ミド樹脂（ＣＯＰＡ）が望ましく、これは例えばダイセ
ル・ヒュルス社製の「ベスタメルト＃７３２」を用い
る。この誘電体基体１を次の工程で粗面化するが、この
粗面化する前に被覆材で樹脂マスク２を形成するのは、
この被覆材で被覆された面、即ち後で説明する第６の工
程での無電解メッキされない面を疎水性にすることによ
り、製品の汚れや水分の付着を防止することができる。
さらに、この工程の詳細に付いては、後で実施例の項に
おいて具体的に説明している。
ーンの導電層が形成されるべき表面部分１ａを露出さ
せ、これ以外の部分を被覆するようにこの誘電体基体に
ポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で樹脂マ
スク２を形成する二次成形品を成形する第２の工程を示
すものである。ポリアミド系高分子群から選択された被
覆素材は、カプロラクタムを主成分とする共重合ポリア
ミド樹脂（ＣＯＰＡ）が望ましく、これは例えばダイセ
ル・ヒュルス社製の「ベスタメルト＃７３２」を用い
る。この誘電体基体１を次の工程で粗面化するが、この
粗面化する前に被覆材で樹脂マスク２を形成するのは、
この被覆材で被覆された面、即ち後で説明する第６の工
程での無電解メッキされない面を疎水性にすることによ
り、製品の汚れや水分の付着を防止することができる。
さらに、この工程の詳細に付いては、後で実施例の項に
おいて具体的に説明している。
【００１５】図１（Ｃ）は樹脂マスク２から露出してい
る誘電体基体の表面１ａを粗面化した面１ｂにする第３
の工程を示すものである。誘電体基体１の表面を粗面化
するためには苛性カリ（ＫＯＨ）または苛性ソーダ（Ｎ
ａＯＨ）による。例えば、二次成形品を、７０℃に加温
した苛性カリ水溶液（４００ｇ／Ｌ）に４０分間浸漬し
て露出部分を粗化する。
る誘電体基体の表面１ａを粗面化した面１ｂにする第３
の工程を示すものである。誘電体基体１の表面を粗面化
するためには苛性カリ（ＫＯＨ）または苛性ソーダ（Ｎ
ａＯＨ）による。例えば、二次成形品を、７０℃に加温
した苛性カリ水溶液（４００ｇ／Ｌ）に４０分間浸漬し
て露出部分を粗化する。
【００１６】図１（Ｄ）は粗面化した面１ｂに無電解メ
ッキに対する触媒３を付与する第４の工程を示すもので
ある。この触媒付与の方法として、一般的なものとして
キャタリスト→アクセレータ法、センシダイジング→ア
クチベーチング法があり、前者は錫、パラジウム系の混
合触媒液に浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化
し、一次成形品の誘電体基体１の表面にパラジウムを析
出させる方法である。後者の方法は、まず塩化第１錫、
次亜リン酸、塩化ヒドラジンなどの比較的強い還元剤を
この基体の表面に吸着させ、ついで金、パラジウムなど
の貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、誘電体基体１
の粗面化した面１ｂに貴金属を析出させる方法である。
ッキに対する触媒３を付与する第４の工程を示すもので
ある。この触媒付与の方法として、一般的なものとして
キャタリスト→アクセレータ法、センシダイジング→ア
クチベーチング法があり、前者は錫、パラジウム系の混
合触媒液に浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化
し、一次成形品の誘電体基体１の表面にパラジウムを析
出させる方法である。後者の方法は、まず塩化第１錫、
次亜リン酸、塩化ヒドラジンなどの比較的強い還元剤を
この基体の表面に吸着させ、ついで金、パラジウムなど
の貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、誘電体基体１
の粗面化した面１ｂに貴金属を析出させる方法である。
【００１７】図１（Ｅ）は誘電体基体１から樹脂マスク
２を除去する第５の工程を示している。誘電体基体１か
らポリアミド系高分子群から選択された被覆素材の樹脂
マスク２を除去するには、このポリアミド系樹脂がアル
カリには耐腐食性があるが、酸系統の薬品又はアルコー
ルに腐食され易いことから、蟻酸、ベンジルアルコー
ル、メタクレゾールから選択されたものによる。特に、
低分子量（８，０００〜１５，０００）のものは、この
蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールに溶解され
易い。中でも低分子量共重合ポリアミド（例えば、ダイ
セル・ヒュルス社製の「ベスタメルト＃７３２」）は、
蟻酸８７％濃度水溶液を２５℃に加温し、１２０分浸漬
すれば、この共重合ポリアミドの樹脂マスク２は完全に
溶解する。さらに、蟻酸を用いることは、前記した第３
の工程で粗面化したものに第４の工程でパラジウム触媒
を付与している実施の態様では、このパラジウム触媒が
酸化作用で析出不能にならない利点がある。
２を除去する第５の工程を示している。誘電体基体１か
らポリアミド系高分子群から選択された被覆素材の樹脂
マスク２を除去するには、このポリアミド系樹脂がアル
カリには耐腐食性があるが、酸系統の薬品又はアルコー
ルに腐食され易いことから、蟻酸、ベンジルアルコー
ル、メタクレゾールから選択されたものによる。特に、
低分子量（８，０００〜１５，０００）のものは、この
蟻酸、ベンジルアルコール、メタクレゾールに溶解され
易い。中でも低分子量共重合ポリアミド（例えば、ダイ
セル・ヒュルス社製の「ベスタメルト＃７３２」）は、
蟻酸８７％濃度水溶液を２５℃に加温し、１２０分浸漬
すれば、この共重合ポリアミドの樹脂マスク２は完全に
溶解する。さらに、蟻酸を用いることは、前記した第３
の工程で粗面化したものに第４の工程でパラジウム触媒
を付与している実施の態様では、このパラジウム触媒が
酸化作用で析出不能にならない利点がある。
【００１８】図１（Ｆ）は上記触媒が付与された面に所
定パターンの導電層４を無電解メッキにより形成する第
６の工程を示す。この化学メッキ工程では通常銅メッ
キ、ニッケルメッキ、金メッキなどが施されるが、配線
基板の場合には銅メッキが普通である。
定パターンの導電層４を無電解メッキにより形成する第
６の工程を示す。この化学メッキ工程では通常銅メッ
キ、ニッケルメッキ、金メッキなどが施されるが、配線
基板の場合には銅メッキが普通である。
【００１９】次に、図２を参照して第２の実施の態様に
ついて説明する。この実施の態様の特徴は、前記した実
施の態様と同じく、合成樹脂材料からなる所定形状の誘
電体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターン
の導電層が形成されている立体回路基板の製造方法であ
るが、相違する点はこの誘電体基体１０に一次成形の段
階で触媒が既に混入されていることにある。そこで、以
下具体的な工程について説明する。
ついて説明する。この実施の態様の特徴は、前記した実
施の態様と同じく、合成樹脂材料からなる所定形状の誘
電体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターン
の導電層が形成されている立体回路基板の製造方法であ
るが、相違する点はこの誘電体基体１０に一次成形の段
階で触媒が既に混入されていることにある。そこで、以
下具体的な工程について説明する。
【００２０】図２（Ａ）は、無電解メッキに対する触媒
が混入してある触媒入り合成樹脂材料により所定形状、
例えば立方体の一次成形品の誘電体基体１０を形成する
第１の工程を示している。この合成樹脂材料として、ポ
リエステル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣ
Ｐ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）がある。この触媒
入りＬＣＰとしては、例えばドイツのチコナ（Ｔｉｃｏ
ｎａ）社の「ベクトラ」（商品名）（Ｖｅｃｔｒａ＃Ｅ
８２０ｉＰｄ）がある。また、触媒入りＰＢＴとして、
ヒュルス社（ＨＵＬＳ ＬＴＤ）の「ＶＥＳＴＯＤＵＲ
ＲＳ１４１５、またはＶＥＳＴＯＤＵＲ ＲＳ１４１
５」（商品名）があり、これは架橋可能である。
が混入してある触媒入り合成樹脂材料により所定形状、
例えば立方体の一次成形品の誘電体基体１０を形成する
第１の工程を示している。この合成樹脂材料として、ポ
リエステル系樹脂群から選択された液晶ポリマー（ＬＣ
Ｐ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）並びにポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）がある。この触媒
入りＬＣＰとしては、例えばドイツのチコナ（Ｔｉｃｏ
ｎａ）社の「ベクトラ」（商品名）（Ｖｅｃｔｒａ＃Ｅ
８２０ｉＰｄ）がある。また、触媒入りＰＢＴとして、
ヒュルス社（ＨＵＬＳ ＬＴＤ）の「ＶＥＳＴＯＤＵＲ
ＲＳ１４１５、またはＶＥＳＴＯＤＵＲ ＲＳ１４１
５」（商品名）があり、これは架橋可能である。
【００２１】図２（Ｂ）は、誘電体基体のうち所定パタ
ーンの導電層４（Ｅ図参照）が形成されるべき表面部分
１０ａを露出させ、これ以外の部分を被覆材で被覆する
ように、この誘電体基体にポリアミド系高分子群から選
択された被覆素材で樹脂マスク２を形成し、二次成形品
を成形する第２の工程を示している。この工程は、前記
した第１の実施の態様の第２の工程と実質的に同一であ
る。
ーンの導電層４（Ｅ図参照）が形成されるべき表面部分
１０ａを露出させ、これ以外の部分を被覆材で被覆する
ように、この誘電体基体にポリアミド系高分子群から選
択された被覆素材で樹脂マスク２を形成し、二次成形品
を成形する第２の工程を示している。この工程は、前記
した第１の実施の態様の第２の工程と実質的に同一であ
る。
【００２２】図２（Ｃ）は、樹脂マスク２から露出して
いる誘電体基体１０の表面１０ａを粗面化した面１０
ｂ、つまりエッチングする第３の工程を示している。こ
の工程は、前記した第１の実施の態様の第３の工程と実
質的に同一である。
いる誘電体基体１０の表面１０ａを粗面化した面１０
ｂ、つまりエッチングする第３の工程を示している。こ
の工程は、前記した第１の実施の態様の第３の工程と実
質的に同一である。
【００２３】図２（Ｄ）は、誘電体基体１０から樹脂マ
スク２を除去する第４の工程を示している。この工程
は、前記した第１の実施の態様の第５の工程と実質的に
同一である。
スク２を除去する第４の工程を示している。この工程
は、前記した第１の実施の態様の第５の工程と実質的に
同一である。
【００２４】図２（Ｅ）は、粗面化された面に所定パタ
ーンの導電層４を無電解メッキにより形成する第５の工
程を示している。この工程は、前記した第１の実施の態
様の第６の工程とほぼ同一である。このように、粗面化
した誘電体基体１０の表面１０ｂには、この基体に混入
されている触媒が露出して無電解メッキが析出可能であ
る。しかし、粗面化されていない面１０ｃには、誘電体
基体１０の成形時に樹脂スキン層が形成されているの
で、この基体の表面に触媒の露出がなく、そのため無電
解メッキが析出しない。このように、粗化処理されてい
ない面１０ｃ、即ち、絶縁面には触媒が露出しないので
表面固有抵抗が高く、信頼性の高い製品を得ることがで
きる。
ーンの導電層４を無電解メッキにより形成する第５の工
程を示している。この工程は、前記した第１の実施の態
様の第６の工程とほぼ同一である。このように、粗面化
した誘電体基体１０の表面１０ｂには、この基体に混入
されている触媒が露出して無電解メッキが析出可能であ
る。しかし、粗面化されていない面１０ｃには、誘電体
基体１０の成形時に樹脂スキン層が形成されているの
で、この基体の表面に触媒の露出がなく、そのため無電
解メッキが析出しない。このように、粗化処理されてい
ない面１０ｃ、即ち、絶縁面には触媒が露出しないので
表面固有抵抗が高く、信頼性の高い製品を得ることがで
きる。
【００２５】
【実施例】第１の実施の態様において、誘電体基体の成
形工程、つまり一次成形品の形成工程と、この一次成形
品の一部を被覆素材で被覆する樹脂マスクを形成した二
次成形品を成形する工程の実施例を示すと、次の通りで
ある。 一次成形 材料：液晶ポリマー（ポリプラスチックス社製「ベクト
ラ＃Ｃ８１０」） 成形機：東洋機械金属株式会社製の「型式 Ｔ１３０Ｇ
２」 シリンダ温度：３４０℃ 射出圧力：８００ｋｇ／ｃｍ２ 成形サイクル：１５秒 金型温度：１１０℃ 二次成形 材料：共重合ポリアミド（ダイセル・ヒュルス社製の
「ベスタメルト＃７３２」） 成形機：住友重機械工業株式会社製の「型式 １５Ｖ／
２５」 射出圧力：１２００ｋｇ／ｃｍ２ 成形サイクル：３０秒 金型温度：２２℃
形工程、つまり一次成形品の形成工程と、この一次成形
品の一部を被覆素材で被覆する樹脂マスクを形成した二
次成形品を成形する工程の実施例を示すと、次の通りで
ある。 一次成形 材料：液晶ポリマー（ポリプラスチックス社製「ベクト
ラ＃Ｃ８１０」） 成形機：東洋機械金属株式会社製の「型式 Ｔ１３０Ｇ
２」 シリンダ温度：３４０℃ 射出圧力：８００ｋｇ／ｃｍ２ 成形サイクル：１５秒 金型温度：１１０℃ 二次成形 材料：共重合ポリアミド（ダイセル・ヒュルス社製の
「ベスタメルト＃７３２」） 成形機：住友重機械工業株式会社製の「型式 １５Ｖ／
２５」 射出圧力：１２００ｋｇ／ｃｍ２ 成形サイクル：３０秒 金型温度：２２℃
【００２６】
【発明の効果】本発明によると、誘電体基体を部分的に
ポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で樹脂マ
スクが形成してあるため、酸またはアルコールによりこ
の樹脂マスクの除去が効率的かつ完全に行うことがで
き、そのため導電層が設計通りに形成されるので信頼性
の高い製品を提供することができる。また、粗面化する
前に被覆材で樹脂マスクを形成しているので、この被覆
材で被覆された面、即ち無電解メッキされない面を疎水
性にすることができ、そのため製品の汚れや水分の付着
を防止することができる。これは例えば、インターフェ
ースのコネクタを具備する携帯電話では露出しているコ
ネクタ面の汚れ防止に有効である。
ポリアミド系高分子群から選択された被覆素材で樹脂マ
スクが形成してあるため、酸またはアルコールによりこ
の樹脂マスクの除去が効率的かつ完全に行うことがで
き、そのため導電層が設計通りに形成されるので信頼性
の高い製品を提供することができる。また、粗面化する
前に被覆材で樹脂マスクを形成しているので、この被覆
材で被覆された面、即ち無電解メッキされない面を疎水
性にすることができ、そのため製品の汚れや水分の付着
を防止することができる。これは例えば、インターフェ
ースのコネクタを具備する携帯電話では露出しているコ
ネクタ面の汚れ防止に有効である。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、
（Ｆ）は、第１の実施の態様における製造工程をそれぞ
れ示す断面図である。
（Ｆ）は、第１の実施の態様における製造工程をそれぞ
れ示す断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、
第２の実施の態様における製造工程をそれぞれ示す断面
図である。
第２の実施の態様における製造工程をそれぞれ示す断面
図である。
１ 誘電体基体 １ａ 導電層が形成されるべき面 １ｂ 粗化した面 ２ 樹脂マスク ３ 触媒が付与された面 ４ 導電層 １０ 誘電体基体 １０ａ 導電層が形成されるべき面 １０ｂ 粗化した面
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 18/31 Ｃ２３Ｃ 18/31 Ａ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｗ 3/38 3/38 Ａ Ｆターム(参考） 4K022 AA13 AA16 AA37 AA41 AA42 BA03 BA08 BA14 BA18 BA35 CA02 CA06 CA08 CA16 CA18 CA21 CA22 CA23 CA27 DA01 EA03 5E343 AA16 AA35 CC24 CC33 CC44 CC50 CC61 CC71 DD33 EE37 ER11 GG11
Claims (5)
- 【請求項１】 合成樹脂材料からなる所定形状の誘電
体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの
導電層が形成されている回路部品の製造方法において、 合成樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成す
る第１の工程と、 この誘電体基体のうち前記所定パターンの導電層が形成
されるべき表面部分を露出させ、これ以外の部分を被覆
するようにこの誘電体基体にポリアミド系高分子群から
選択された被覆素材で樹脂マスクを形成する第２の工程
と、 上記樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の表面
を粗面化する第３の工程と、 粗面化した面に無電解メッキに対する触媒を付与する第
４の工程と、 上記誘電体基体から上記樹脂マスクを蟻酸、ベンジルア
ルコール、メタクレゾールから選択されたものにより除
去する第５の工程と、 上記触媒が付与された面に所定パターンの導電層を無電
解メッキにより形成する第６の工程を含むことを特徴と
する成形回路部品の製造方法。 - 【請求項２】 合成樹脂材料からなる所定形状の誘電
体基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの
導電層が形成されている回路部品の製造方法において、 無電解メッキに対する触媒が混入してある触媒入り合成
樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する第
１の工程と、 この誘電体基体のうち前記所定パターンの導電層が形成
されるべき表面部分を露出させ、これ以外の部分を被覆
するように、この誘電体基体にポリアミド系高分子群か
ら選択された被覆素材で樹脂マスクを形成する第２の工
程と、 上記樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の表面
を粗面化する第３の工程と、 上記誘電体基体から上記樹脂マスクを蟻酸、ベンジルア
ルコール、メタクレゾールから選択されたものにより除
去する第４の工程と、 上記粗面化された面に所定パターンの導電層を無電解メ
ッキにより形成する第５の工程を含むことを特徴とする
成形回路部品の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記誘電
体基体はポリエステル系樹脂群から選択された液晶ポリ
マー（ＬＣＰ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢ
Ｔ）並びにポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であ
ることを特徴とする成形回路部品の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２において、前記ポリ
アミド系高分子群から選択された被覆素材はカプロラク
タムを主成分とする共重合ポリアミド樹脂（ＣＯＰＡ）
であること特徴とする成形回路部品の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１または２において、前記誘電
体基体の表面を粗面化するのは苛性カリまたは苛性ソー
ダによることを特徴とする成形回路部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281398A JP2002094218A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 成形回路部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281398A JP2002094218A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 成形回路部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002094218A true JP2002094218A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18766061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000281398A Pending JP2002094218A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 成形回路部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002094218A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003091477A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Agency For Science, Technology And Research | Method for electroless deposition of a metal layer on selected portions of a substrate |
| WO2008023666A1 (fr) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Cluster Technology Co., Ltd. | Procédé de fabrication d'une carte de connexion et carte de connexion correspondante |
| JP2009302081A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Sulfur Chemical Institute Inc | 成形回路部品の製造方法 |
| JP2010504438A (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-12 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． | 部品のメタライズ方法 |
| WO2013107065A1 (zh) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 光宏精密股份有限公司 | 线路基板结构及其制作方法 |
| JP2014004709A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| KR101626295B1 (ko) * | 2016-01-07 | 2016-06-13 | 심교권 | 선택적 무전해 도금을 이용한 센서 스트립 제조 방법 |
| CN113645764A (zh) * | 2020-04-27 | 2021-11-12 | 苏州硕贝德创新技术研究有限公司 | 一种塑料件表面的金属化加工方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5579437A (en) * | 1978-12-11 | 1980-06-14 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyamide resin composition |
| JPH05106056A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-27 | Okuno Seiyaku Kogyo Kk | 部分めつき方法 |
| JPH06297168A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-25 | Matsushita Electric Works Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに立体回路の形成方法、表面処理方法、粉末付着方法 |
| JP2000080480A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-03-21 | Akira Ito | 基体の部分的メッキ方法 |
-
2000
- 2000-09-18 JP JP2000281398A patent/JP2002094218A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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