JPH0864933A - 射出成形回路基板の製造方法 - Google Patents
射出成形回路基板の製造方法Info
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- JPH0864933A JPH0864933A JP19976594A JP19976594A JPH0864933A JP H0864933 A JPH0864933 A JP H0864933A JP 19976594 A JP19976594 A JP 19976594A JP 19976594 A JP19976594 A JP 19976594A JP H0864933 A JPH0864933 A JP H0864933A
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- molded
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Abstract
(57)【要約】
【目的】下地めっきの表面を平滑化し、ボンディング性
を向上させる射出成形回路基板の製造方法の提供。 【構成】無電解めっき用触媒を配合した配合樹脂を電気
回路のパターンに応じたパターン面を突出させて射出成
形して一次射出成形体を形成した後、前記パターン面を
除く一次射出成形体の周りに、無電解めっき用触媒を配
合していない非配合樹脂を射出成形して二次射出成形体
を形成する射出成形工程と、該一次射出成形体の表面を
化学的に粗化する湿式処理工程と、該湿式処理後の一次
射出成形体の表面に、無電解めっき法により下地めっき
を形成する下地めっき工程と、該下地めっきの表面をサ
ンドブラスト法により機械的に平滑化するサンドブラス
ト工程と、該サンドブラストを行った下地めっき上に、
上めっきを施す上めっき工程とからなる。
を向上させる射出成形回路基板の製造方法の提供。 【構成】無電解めっき用触媒を配合した配合樹脂を電気
回路のパターンに応じたパターン面を突出させて射出成
形して一次射出成形体を形成した後、前記パターン面を
除く一次射出成形体の周りに、無電解めっき用触媒を配
合していない非配合樹脂を射出成形して二次射出成形体
を形成する射出成形工程と、該一次射出成形体の表面を
化学的に粗化する湿式処理工程と、該湿式処理後の一次
射出成形体の表面に、無電解めっき法により下地めっき
を形成する下地めっき工程と、該下地めっきの表面をサ
ンドブラスト法により機械的に平滑化するサンドブラス
ト工程と、該サンドブラストを行った下地めっき上に、
上めっきを施す上めっき工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面にパターン状金属
層を有する射出成形回路基板の製造方法に関するもので
ある。
層を有する射出成形回路基板の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】表面に電気回路パターン等として利用さ
れるパターン状金属層を有する射出成形回路基板、例え
ば、ＭＣＢ（molded circuit board）、ＭＷＢ（molded
wiring board）、ＭＩＤ（molded interconnection boa
rd）が、三次元化、配線工数低減、軽量化、スペース節
減及びコスト低下等の諸要求に沿うものとして注目され
ている。
れるパターン状金属層を有する射出成形回路基板、例え
ば、ＭＣＢ（molded circuit board）、ＭＷＢ（molded
wiring board）、ＭＩＤ（molded interconnection boa
rd）が、三次元化、配線工数低減、軽量化、スペース節
減及びコスト低下等の諸要求に沿うものとして注目され
ている。
【０００３】上記射出成形回路基板は、例えば、特開昭
６３−５０４８２号公報に示されているように、金属め
っきが付着し難い樹脂（以下、単に「難めっき性樹脂」
という）と、金属めっきが付着し易い樹脂（以下、単に
「易めっき性樹脂」という）を利用した、いわゆる、２
ショット成形品であり、易めっき性樹脂を所定のパター
ンで二次成形し、その表面に金属めっきを施すことによ
り所定の回路パターンを形成する。
６３−５０４８２号公報に示されているように、金属め
っきが付着し難い樹脂（以下、単に「難めっき性樹脂」
という）と、金属めっきが付着し易い樹脂（以下、単に
「易めっき性樹脂」という）を利用した、いわゆる、２
ショット成形品であり、易めっき性樹脂を所定のパター
ンで二次成形し、その表面に金属めっきを施すことによ
り所定の回路パターンを形成する。
【０００４】この射出成形回路基板を製造する場合に
は、図２の（ａ）のように、形成される電気回路のパタ
ーンに応じたパターン面４を突出させた一次射出成形体
１を易めっき性樹脂で成形した後、二次成形において図
２の（ｂ）のように、パターン面４を除く一次射出成形
体１の周りを難めっき性樹脂で包囲して二次射出成形体
２を形成し、これによって射出成形品３を成形する。そ
の後、薬品により粗化処理されたパターン面４に無電解
めっき処理を行う。この際、図２の（ｄ）のように難め
っき性樹脂２の部分には金属が付着せず、易めっき性樹
脂であるパターン面４にのみ下地めっき６が形成され
る。さらに、パターン面の表面保護やワイヤのボンディ
ング性向上を図るため、このようにして形成された下地
めっき６の上に、例えばニッケル、金などを上めっき８
として施し、当該金属めっき部分を利用して種々の回路
を形成していた。
は、図２の（ａ）のように、形成される電気回路のパタ
ーンに応じたパターン面４を突出させた一次射出成形体
１を易めっき性樹脂で成形した後、二次成形において図
２の（ｂ）のように、パターン面４を除く一次射出成形
体１の周りを難めっき性樹脂で包囲して二次射出成形体
２を形成し、これによって射出成形品３を成形する。そ
の後、薬品により粗化処理されたパターン面４に無電解
めっき処理を行う。この際、図２の（ｄ）のように難め
っき性樹脂２の部分には金属が付着せず、易めっき性樹
脂であるパターン面４にのみ下地めっき６が形成され
る。さらに、パターン面の表面保護やワイヤのボンディ
ング性向上を図るため、このようにして形成された下地
めっき６の上に、例えばニッケル、金などを上めっき８
として施し、当該金属めっき部分を利用して種々の回路
を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た下地めっきは、一般に、無電解めっき法により銅めっ
きを行っていたため、その表面は非常に荒れたものとな
り、表面粗さパラメータを示すＲｍａｘ（ＪＩＳ：断面
曲線の最高山頂と最深谷底の間隔）で３０〜５０μｍで
あった。さらに、該下地めっき上に、無電解めっき法に
比べて平滑性に富む電解めっき法により、銅、ニッケル
等の上めっきを厚く行った場合でも、該上めっきの表面
は荒れたものとなり、その値はＲｍａｘで１０〜２０μ
ｍであった。
た下地めっきは、一般に、無電解めっき法により銅めっ
きを行っていたため、その表面は非常に荒れたものとな
り、表面粗さパラメータを示すＲｍａｘ（ＪＩＳ：断面
曲線の最高山頂と最深谷底の間隔）で３０〜５０μｍで
あった。さらに、該下地めっき上に、無電解めっき法に
比べて平滑性に富む電解めっき法により、銅、ニッケル
等の上めっきを厚く行った場合でも、該上めっきの表面
は荒れたものとなり、その値はＲｍａｘで１０〜２０μ
ｍであった。
【０００６】めっきの表面がこのように荒れていると、
上めっき上にワイヤ特に直径２０μｍ程度の細いワイヤ
をボールボンダーによりボンディングすることは非常に
困難であり、従来、その成功率は５０〜７０％程度でし
かなく、実用性に難があった。
上めっき上にワイヤ特に直径２０μｍ程度の細いワイヤ
をボールボンダーによりボンディングすることは非常に
困難であり、従来、その成功率は５０〜７０％程度でし
かなく、実用性に難があった。
【０００７】このため、ボンディングの成功率を向上さ
せるべく、下地めっきの表面粗さの改善が望まれてい
た。
せるべく、下地めっきの表面粗さの改善が望まれてい
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題に
鑑み、下地めっきの表面を平滑化しボンディング性を向
上させる射出成形回路基板の製造方法を提供することを
目的としてなされたものである。
鑑み、下地めっきの表面を平滑化しボンディング性を向
上させる射出成形回路基板の製造方法を提供することを
目的としてなされたものである。
【０００９】上記目的を達成するために、本発明に係る
射出成形回路基板の製造方法は、無電解めっき用触媒を
配合した配合樹脂を電気回路のパターンに応じたパター
ン面を突出させて射出成形して一次射出成形体を形成し
た後、前記パターン面を除く一次射出成形体の周りに、
無電解めっき用触媒を配合していない非配合樹脂を射出
成形して二次射出成形体を形成する射出成形工程と、該
一次射出成形体の表面を化学的に粗化する湿式処理工程
と、該湿式処理後の一次射出成形体の表面に、無電解め
っき法により下地めっきを形成する下地めっき工程と、
該下地めっきの表面をサンドブラスト法により機械的に
平滑化するサンドブラスト工程と、該サンドブラストを
行った下地めっき上に、上めっきを施す上めっき工程と
から構成されるものである。
射出成形回路基板の製造方法は、無電解めっき用触媒を
配合した配合樹脂を電気回路のパターンに応じたパター
ン面を突出させて射出成形して一次射出成形体を形成し
た後、前記パターン面を除く一次射出成形体の周りに、
無電解めっき用触媒を配合していない非配合樹脂を射出
成形して二次射出成形体を形成する射出成形工程と、該
一次射出成形体の表面を化学的に粗化する湿式処理工程
と、該湿式処理後の一次射出成形体の表面に、無電解め
っき法により下地めっきを形成する下地めっき工程と、
該下地めっきの表面をサンドブラスト法により機械的に
平滑化するサンドブラスト工程と、該サンドブラストを
行った下地めっき上に、上めっきを施す上めっき工程と
から構成されるものである。
【００１０】上記構成のうち、無電解めっき用触媒を配
合した配合樹脂としてはポリエステル系合成樹脂が採用
され、熱可塑性樹脂として芳香族系ポリエステル樹脂で
ある液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢ
Ｔ）、またポリエーテルサルフォン、（ＰＥＳ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＥＩ）、あるいは芳香族ポリアミド
等があげられるが、特にこれらに限定されるものではな
い。
合した配合樹脂としてはポリエステル系合成樹脂が採用
され、熱可塑性樹脂として芳香族系ポリエステル樹脂で
ある液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢ
Ｔ）、またポリエーテルサルフォン、（ＰＥＳ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＥＩ）、あるいは芳香族ポリアミド
等があげられるが、特にこれらに限定されるものではな
い。
【００１１】また、無電解めっき用触媒としてはパラジ
ウム、ルテニウムが用いられる。
ウム、ルテニウムが用いられる。
【００１２】一方、非配合樹脂としては、ポリフェニレ
ンスルフィド（ＰＰＳ）が適しているが、特にこれに限
定されるものではなく、配合樹脂の粗化に用いる薬品に
対する耐性を有するものであれば良い。例えば、配合樹
脂として芳香族系ポリエステル樹脂を用いた場合には、
ＰＰＳのほか、アルカリに強いＰＥＳ、ＰＥＩ等が使用
できる。
ンスルフィド（ＰＰＳ）が適しているが、特にこれに限
定されるものではなく、配合樹脂の粗化に用いる薬品に
対する耐性を有するものであれば良い。例えば、配合樹
脂として芳香族系ポリエステル樹脂を用いた場合には、
ＰＰＳのほか、アルカリに強いＰＥＳ、ＰＥＩ等が使用
できる。
【００１３】一次射出成形及び二次射出成形は、金型等
を用いて行う。
を用いて行う。
【００１４】次に、サンドブラスト工程は、上記二次射
出成形体の表面に施された下地めっきを平滑化させるた
めに行う一方、めっきが施されていない部分を傷めた
り、また、下地めっきと二次射出成形体との密着性を損
なわないように行わなければならない。
出成形体の表面に施された下地めっきを平滑化させるた
めに行う一方、めっきが施されていない部分を傷めた
り、また、下地めっきと二次射出成形体との密着性を損
なわないように行わなければならない。
【００１５】このため、サンドブラストに用いる投射材
は、スチールショット等の金属の素材ではなく、非金属
の素材であることが望ましい。また、効率よく下地めっ
きの表面を平滑化させるためには球状のものであること
が望ましく、従って、これらの条件を満足するものとし
ては、ガラスビーズが適当である。
は、スチールショット等の金属の素材ではなく、非金属
の素材であることが望ましい。また、効率よく下地めっ
きの表面を平滑化させるためには球状のものであること
が望ましく、従って、これらの条件を満足するものとし
ては、ガラスビーズが適当である。
【００１６】また、該投射材を投射する際の空気圧とし
ては、ケージ圧力において２．５kgf/cm2 とすると前記
したような損傷及び剥がれが生じてしまうため、２kgf/
cm2以下が好ましい。
ては、ケージ圧力において２．５kgf/cm2 とすると前記
したような損傷及び剥がれが生じてしまうため、２kgf/
cm2以下が好ましい。
【００１７】さらに、本発明において行うサンドブラス
ト工程は、下地めっき表面の微小な凸部を押しつぶすこ
とにより平滑化させるものであるから、前記投射材は一
定以上の粒径が要求される。例えば、粒径を６０〜９０
μｍとすると平滑化の効果はごく僅かなものである。従
って、投射材の粒径は１００μｍ以上、特に１００〜３
００μｍ程度が好ましい。
ト工程は、下地めっき表面の微小な凸部を押しつぶすこ
とにより平滑化させるものであるから、前記投射材は一
定以上の粒径が要求される。例えば、粒径を６０〜９０
μｍとすると平滑化の効果はごく僅かなものである。従
って、投射材の粒径は１００μｍ以上、特に１００〜３
００μｍ程度が好ましい。
【００１８】上めっき工程については、電解めっき法、
無電解めっき法のいずれによって行っても良い。
無電解めっき法のいずれによって行っても良い。
【００１９】
【作用】本発明は、下地めっき後、上めっきを施す前に
サンドブラストを行うことにより、めっきの表面粗さが
改善し平滑化が図れることから、表１に示すように、め
っき部（パターン部）に直径２０μｍ程度のワイヤを９
９％以上の成功率でボンディングすることができるよう
になる。
サンドブラストを行うことにより、めっきの表面粗さが
改善し平滑化が図れることから、表１に示すように、め
っき部（パターン部）に直径２０μｍ程度のワイヤを９
９％以上の成功率でボンディングすることができるよう
になる。
【００２０】また、めっき表面の平滑性が向上するた
め、表面が繰り返して擦られるコネクター等の摺動部に
用いた場合、抵抗が小さくなるため、めっきの剥がれを
防止することができる。
め、表面が繰り返して擦られるコネクター等の摺動部に
用いた場合、抵抗が小さくなるため、めっきの剥がれを
防止することができる。
【００２１】
（実施例１）以下、本発明に係る射出成形回路基板の製
造方法の好適実施例及び比較例を、図１(a) 〜(f) を用
いて説明する。
造方法の好適実施例及び比較例を、図１(a) 〜(f) を用
いて説明する。
【００２２】まず、無電解めっき用触媒を配合した配合
樹脂、すなわち触媒としてパラジウムを練りこんだＬＣ
Ｐ（液晶ポリマー）を、金型を用いて電気回路のパター
ンに応じたパターン面４を突出させて射出成形し、一次
射出成形体１を形成した。次に、無電解めっき用触媒を
配合していない非配合樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレ
ンスルフィド）を、前記パターン面を除く一次射出成形
体１の周りに射出成形し、二次射出成形体２を形成し
た。
樹脂、すなわち触媒としてパラジウムを練りこんだＬＣ
Ｐ（液晶ポリマー）を、金型を用いて電気回路のパター
ンに応じたパターン面４を突出させて射出成形し、一次
射出成形体１を形成した。次に、無電解めっき用触媒を
配合していない非配合樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレ
ンスルフィド）を、前記パターン面を除く一次射出成形
体１の周りに射出成形し、二次射出成形体２を形成し
た。
【００２３】そして、上記一次射出成形体１及び上記二
次射出成形体２からなる射出成形品３の表面を湿式処
理、具体的には、１１mol/l 、温度７０℃の水酸化カリ
ウム溶液中で３０分間粗化した後、塩化水素で中和処理
を実施し、この湿式処理後の射出成形品３を無電解銅め
っき浴中に浸漬させ、パターン部４に対応する形状の配
合樹脂の表面に、無電解めっき法により電気導体被膜と
して下地めっき（銅めっき）６を２０μｍ形成した。
次射出成形体２からなる射出成形品３の表面を湿式処
理、具体的には、１１mol/l 、温度７０℃の水酸化カリ
ウム溶液中で３０分間粗化した後、塩化水素で中和処理
を実施し、この湿式処理後の射出成形品３を無電解銅め
っき浴中に浸漬させ、パターン部４に対応する形状の配
合樹脂の表面に、無電解めっき法により電気導体被膜と
して下地めっき（銅めっき）６を２０μｍ形成した。
【００２４】次に、この下地めっき６の表面をサンドブ
ラスト法により機械的に平滑化するサンドブラスト工程
を行った。具体的には、投射材として粒径が１００〜２
００μｍのガラスビーズを用い、投射圧力１．５kgf/cm
2 、投射距離１０cm、投射時間０．５秒／cm2 にて行っ
た。そして、該サンドブラストを終えた前記下地めっき
７上に、電解めっき法によりＣｕめっき１０μｍ、Ｎｉ
めっき１０μｍ、Ａｕめっき０．３μｍからなる上めっ
き８を順次形成した。
ラスト法により機械的に平滑化するサンドブラスト工程
を行った。具体的には、投射材として粒径が１００〜２
００μｍのガラスビーズを用い、投射圧力１．５kgf/cm
2 、投射距離１０cm、投射時間０．５秒／cm2 にて行っ
た。そして、該サンドブラストを終えた前記下地めっき
７上に、電解めっき法によりＣｕめっき１０μｍ、Ｎｉ
めっき１０μｍ、Ａｕめっき０．３μｍからなる上めっ
き８を順次形成した。
【００２５】このようにして形成した射出成形回路基板
は、下地めっきの表面粗さをＲｍａｘで１０〜２０μ
ｍ、上めっきの表面粗さを同５〜１０μｍに抑えること
ができたため、横断面径が２０μｍ程度の金ワイヤをめ
っき面（パターン面）４にボンディングする際のボンデ
ィング成功率は９９％以上となった。
は、下地めっきの表面粗さをＲｍａｘで１０〜２０μ
ｍ、上めっきの表面粗さを同５〜１０μｍに抑えること
ができたため、横断面径が２０μｍ程度の金ワイヤをめ
っき面（パターン面）４にボンディングする際のボンデ
ィング成功率は９９％以上となった。
【００２６】（実施例２）上記上めっき工程を除いて、
実施例１と同様にして射出成形回路基板を形成し、サン
ドブラストを終えた下地めっき７上に、無電解めっき法
によりＮｉめっきを１０μｍ、Ａｕめっきを０．２μｍ
からなる上めっき８を形成した。上めっきの表面粗さは
Ｒｍａｘで１０〜１５μｍ程度になり、上記金ワイヤを
めっき面（パターン面）４にボンディングする際のボン
ディング成功率は、実施例１の場合とほぼ同様であっ
た。
実施例１と同様にして射出成形回路基板を形成し、サン
ドブラストを終えた下地めっき７上に、無電解めっき法
によりＮｉめっきを１０μｍ、Ａｕめっきを０．２μｍ
からなる上めっき８を形成した。上めっきの表面粗さは
Ｒｍａｘで１０〜１５μｍ程度になり、上記金ワイヤを
めっき面（パターン面）４にボンディングする際のボン
ディング成功率は、実施例１の場合とほぼ同様であっ
た。
【００２７】（比較例１）サンドブラスト工程を除い
て、実施例１と同様にして射出成形回路基板を形成した
が、下地めっきの表面粗さがＲｍａｘで３０〜５０μ
ｍ、上めっきの表面粗さが同１０〜２０μｍであったた
め、ボンディング成功率は５０〜７０％にとどまった。
て、実施例１と同様にして射出成形回路基板を形成した
が、下地めっきの表面粗さがＲｍａｘで３０〜５０μ
ｍ、上めっきの表面粗さが同１０〜２０μｍであったた
め、ボンディング成功率は５０〜７０％にとどまった。
【００２８】（比較例２）サンドブラスト工程を除い
て、実施例２と同様にして射出成形回路基板を形成した
が、下地めっきの表面粗さがＲｍａｘで３０〜５０μ
ｍ、上めっきの表面粗さが同１５〜２５μｍであったた
め、ボンディング成功率は極めて低い数字にとどまっ
た。
て、実施例２と同様にして射出成形回路基板を形成した
が、下地めっきの表面粗さがＲｍａｘで３０〜５０μ
ｍ、上めっきの表面粗さが同１５〜２５μｍであったた
め、ボンディング成功率は極めて低い数字にとどまっ
た。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、下地めっき後、上めっきを施
す前にサンドブラストを行うことにより、めっきの表面
粗さが改善し平滑化が図れることから、表１に示すよう
に、めっき部（パターン部）に直径２０μｍ程度のワイ
ヤを９９％以上の成功率でボンディングすることができ
るようになる。
す前にサンドブラストを行うことにより、めっきの表面
粗さが改善し平滑化が図れることから、表１に示すよう
に、めっき部（パターン部）に直径２０μｍ程度のワイ
ヤを９９％以上の成功率でボンディングすることができ
るようになる。
【００３０】また、めっき表面の平滑性が向上するた
め、表面が繰り返して擦られるコネクター等の摺動部に
用いた場合、抵抗が小さくなるため、めっきの剥がれを
防止することができる。
め、表面が繰り返して擦られるコネクター等の摺動部に
用いた場合、抵抗が小さくなるため、めっきの剥がれを
防止することができる。
【図１】本発明の射出成形回路基板の製造工程を示す横
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】従来の射出成形回路基板の製造工程を示す横断
面説明図である。
面説明図である。
１ 一次射出成形体 ２ 二次射出成形体 ３ 射出成形品 ４ パターン面 ６ 下地めっき ７ サンドブラスト後の下地めっき ８ 上めっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｂ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｗ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】無電解めっき用触媒を配合した配合樹脂を
電気回路のパターンに応じたパターン面を突出させて射
出成形して一次射出成形体を形成した後、前記パターン
面を除く一次射出成形体の周りに、無電解めっき用触媒
を配合していない非配合樹脂を射出成形して二次射出成
形体を形成する射出成形工程と、該一次射出成形体の表
面を化学的に粗化する湿式処理工程と、該湿式処理後の
一次射出成形体の表面に、無電解めっき法により下地め
っきを形成する下地めっき工程と、該下地めっきの表面
をサンドブラスト法により機械的に平滑化するサンドブ
ラスト工程と、該サンドブラストを行った下地めっき上
に、上めっきを施す上めっき工程とからなる射出成形回
路基板の製造方法。 - 【請求項２】上記上めっきは、電解めっき法により行う
ことを特徴とする請求項１記載の射出成形回路基板の製
造方法。 - 【請求項３】上記上めっきは、無電解めっき法により行
うことを特徴とする請求項１記載の射出成形回路基板の
製造方法。 - 【請求項４】上記サンドブラスト工程における投射材と
して、ガラスビーズを用いることを特徴とする請求項１
記載の射出成形回路基板の製造方法。 - 【請求項５】上記サンドブラスト工程において、上記ガ
ラスビーズの粒径が１００μｍ以上、上記投射材の投射
圧力が２kgf/cm2 以下であることを特徴とする請求項１
記載の射出成形回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19976594A JPH0864933A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 射出成形回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19976594A JPH0864933A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 射出成形回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864933A true JPH0864933A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16413251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19976594A Pending JPH0864933A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 射出成形回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1092339A4 (en) * | 1998-07-02 | 2004-09-29 | Motorola Inc | MONOBLOCK HEAT WELL MOLD HOUSING |
| JP2006219752A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
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1994
- 1994-08-24 JP JP19976594A patent/JPH0864933A/ja active Pending
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