JP2001230195A - 位置合わせ精度計測マーク - Google Patents
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェハの露光領域７に形成される位置合
わせ精度の計測マ−ク１，２，３および４を有する位置
合わせ精度計測マ−クにおいて、露光後の現像やエッチ
ングによる計測マ−クの測定対象となる辺を崩すこと無
くこれら計測マ−クの位置を正確に測定する 【解決手段】一露光領域内の複数の位置合わせ精度計測
マ−ク１，２，３，４を隣合う露光領域７おいて、互い
に隣接させない位置に配置し、現像およびエッチングな
どにより測定基準となる計測マ−ク１，２，３，４の燐
接する辺の崩れを無くしている。
わせ精度の計測マ−ク１，２，３および４を有する位置
合わせ精度計測マ−クにおいて、露光後の現像やエッチ
ングによる計測マ−クの測定対象となる辺を崩すこと無
くこれら計測マ−クの位置を正確に測定する 【解決手段】一露光領域内の複数の位置合わせ精度計測
マ−ク１，２，３，４を隣合う露光領域７おいて、互い
に隣接させない位置に配置し、現像およびエッチングな
どにより測定基準となる計測マ−ク１，２，３，４の燐
接する辺の崩れを無くしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ工程
における下地回路パタ−ンと上地回路パタ−ンとの重ね
合せ精度を測定するための位置合わせ精度計測マ−クに
関する。
における下地回路パタ−ンと上地回路パタ−ンとの重ね
合せ精度を測定するための位置合わせ精度計測マ−クに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置における回路及び素子
の形成の微細化に伴って、機能素子を形成する層や配線
を形成する層あるいはコンタクトを形成する層などの複
数の層を層間絶縁膜を介して積み重ねて集積回路が形成
された半導体装置を製造していた。
の形成の微細化に伴って、機能素子を形成する層や配線
を形成する層あるいはコンタクトを形成する層などの複
数の層を層間絶縁膜を介して積み重ねて集積回路が形成
された半導体装置を製造していた。
【０００３】これらの層に回路の機能素子や配線網を形
成するには、リソグラフィ技術が用いられている。この
リソグラフィ技術においては、如何に微細なパタ−ンを
忠実に半導体ウェハに転写するかという課題の他に如何
に下地のパタ−ンと上地のパタ−ンと正確に重ね合わせ
るかの課題があった。すなわち、リソグラフィ工程にお
いては、下地回路パタ−ンにレジストで形成された上地
回路パタ−ンを精度良く重ね合わせることが重要となっ
ていた。
成するには、リソグラフィ技術が用いられている。この
リソグラフィ技術においては、如何に微細なパタ−ンを
忠実に半導体ウェハに転写するかという課題の他に如何
に下地のパタ−ンと上地のパタ−ンと正確に重ね合わせ
るかの課題があった。すなわち、リソグラフィ工程にお
いては、下地回路パタ−ンにレジストで形成された上地
回路パタ−ンを精度良く重ね合わせることが重要となっ
ていた。
【０００４】図４は重ね合わせ精度計測マ−クの一例を
説明するための図である。通常、重ね合わせするのに
は、回路パタ−ンとは別に重ね合わせ精度計測マ−クを
形成している。例えば、図４に示すように、下地回路パ
タ−ンと同時に形成された計測マ−ク１９と上層回路パ
タ−ンと上地回路パタ−ンと同時に形成されかつ計測マ
−ク１９の中心と中心を合わせて形成される上地の計測
マ−ク１８を有している。
説明するための図である。通常、重ね合わせするのに
は、回路パタ−ンとは別に重ね合わせ精度計測マ−クを
形成している。例えば、図４に示すように、下地回路パ
タ−ンと同時に形成された計測マ−ク１９と上層回路パ
タ−ンと上地回路パタ−ンと同時に形成されかつ計測マ
−ク１９の中心と中心を合わせて形成される上地の計測
マ−ク１８を有している。
【０００５】そして、これら計測マ−ク１８および１９
の中心位置を測定し、ｄ１とｄ２を求め、ｄ１とｄ２が
等しければ、上層パタ−ンと下層パタ−ンと一致したも
のとして、次工程に進み多層構造の半導体集積回路を形
成していた。
の中心位置を測定し、ｄ１とｄ２を求め、ｄ１とｄ２が
等しければ、上層パタ−ンと下層パタ−ンと一致したも
のとして、次工程に進み多層構造の半導体集積回路を形
成していた。
【０００６】図５（ａ）および（ｂ）は半導体ウェハの
一露光領域と半導体ウェハの面とに形成された位置合わ
せ精度計測マ−クの位置を示す図である。また、位置合
わせ精度用の計測マ−ク１０，１１，１２，１３は、図
５（ａ）に示すように、ワンショット露光される露光領
域７のＸ軸１４上またはＹ軸１５上にあって、隣合う露
光領域境界線７ａに寄せて形成されていた。
一露光領域と半導体ウェハの面とに形成された位置合わ
せ精度計測マ−クの位置を示す図である。また、位置合
わせ精度用の計測マ−ク１０，１１，１２，１３は、図
５（ａ）に示すように、ワンショット露光される露光領
域７のＸ軸１４上またはＹ軸１５上にあって、隣合う露
光領域境界線７ａに寄せて形成されていた。
【０００７】一方、半導体ウェハ面においては、図５
（ｂ）に示すように、ワンショットで形成される露光領
域７の計測マ−ク１０，１１，１２，１３が露光領域毎
に同じ位置に形成されていた。
（ｂ）に示すように、ワンショットで形成される露光領
域７の計測マ−ク１０，１１，１２，１３が露光領域毎
に同じ位置に形成されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６は従来の精度計測
マ−クの課題を説明するための一計測マ−クの断面図で
ある。しかしながら、図６に示すように露光後の現像な
どにより計測マ−ク１８の輪郭を形成するレジスト層２
０の角部が崩れて傾斜した状態になる。形成される計測
マ−ク１８の辺の面において、外郭を示す上地の計測マ
−ク１８の輪郭線は、正確に形成されず、下地の計測マ
−ク１９の輪郭線から上地の計測マ−ク１８の輪郭線の
距離ｄ１´あるいはｄ２´として測定され、距離ｄ１´
と距離ｄ２´とが等しくなく、（距離ｄ１´−距離ｄ２
´）／２の位置ずれ誤差が生じる。
マ−クの課題を説明するための一計測マ−クの断面図で
ある。しかしながら、図６に示すように露光後の現像な
どにより計測マ−ク１８の輪郭を形成するレジスト層２
０の角部が崩れて傾斜した状態になる。形成される計測
マ−ク１８の辺の面において、外郭を示す上地の計測マ
−ク１８の輪郭線は、正確に形成されず、下地の計測マ
−ク１９の輪郭線から上地の計測マ−ク１８の輪郭線の
距離ｄ１´あるいはｄ２´として測定され、距離ｄ１´
と距離ｄ２´とが等しくなく、（距離ｄ１´−距離ｄ２
´）／２の位置ずれ誤差が生じる。
【０００９】また、下地の計測マ−ク１９にもエッチン
グやマ−ク形成後の熱処理などにより計測マ−クの変形
が起きることもある。例えば、図５（ｂ）に示すよう
に、境界線７ａに接近し隣合う計測マ−ク１６および１
７において、計測マ−ク１０と１２および１１と１３に
おける隣接する辺が露光後の現像などにより崩れ測定基
準となるマ−クの輪郭線が曖昧になる。従って、計測さ
れる精度が不正確になり、次工程に進むことができない
という問題がある。
グやマ−ク形成後の熱処理などにより計測マ−クの変形
が起きることもある。例えば、図５（ｂ）に示すよう
に、境界線７ａに接近し隣合う計測マ−ク１６および１
７において、計測マ−ク１０と１２および１１と１３に
おける隣接する辺が露光後の現像などにより崩れ測定基
準となるマ−クの輪郭線が曖昧になる。従って、計測さ
れる精度が不正確になり、次工程に進むことができない
という問題がある。
【００１０】従って、本発明の目的は、マ−クの辺の輪
郭線を崩すこと無く複数の計測マ−クを有しこれら計測
マ−クの位置を正確に測定できる位置合わせ精度計測マ
−クを提供することにある。
郭線を崩すこと無く複数の計測マ−クを有しこれら計測
マ−クの位置を正確に測定できる位置合わせ精度計測マ
−クを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ウェハ上に縦横に並べ配置される複数の露光領域のそれ
ぞれに下地回路パタ−ンと同時に形成され位置を計測す
べく複数の下地の計測マ−クと、前記露光領域のそれぞ
れに重ねて露光し上地回路パタ−ンと同時に形成される
とともに前記下地の計測マ−クの中心と中心を合わせて
形成されかつ前記下地の計測マ−クに相似でより小さい
計測すべき複数の上地の計測パタ−ンとを有する位置合
わせ精度計測マ−クにおいて、隣合う前記露光領域のそ
れぞれに有する前記位置合わせ精度計測マ−クが隣接し
ない位置合わせ精度計測マ−クである。
ウェハ上に縦横に並べ配置される複数の露光領域のそれ
ぞれに下地回路パタ−ンと同時に形成され位置を計測す
べく複数の下地の計測マ−クと、前記露光領域のそれぞ
れに重ねて露光し上地回路パタ−ンと同時に形成される
とともに前記下地の計測マ−クの中心と中心を合わせて
形成されかつ前記下地の計測マ−クに相似でより小さい
計測すべき複数の上地の計測パタ−ンとを有する位置合
わせ精度計測マ−クにおいて、隣合う前記露光領域のそ
れぞれに有する前記位置合わせ精度計測マ−クが隣接し
ない位置合わせ精度計測マ−クである。
【００１２】また、一前記露光領域に前記位置合わせ精
度計測マ−クは、四個あることが望ましい。さらに、前
記四個の位置合わせ精度計測マ−クは、前記隣合う露光
領域の境界線に沿って配置されるか、あるいは、前記露
光領域の中心部に寄せて配置されることが望ましい。そ
して、前記一露光領域の中心部に寄せて配置する場合
は、前記位置合わせ精度計測マ−クは互いに所定の距離
に離れた位置にあることが望ましい。より好ましくは、
前記位置合わせ精度計測マ−クの形状は正方形にすこと
である。
度計測マ−クは、四個あることが望ましい。さらに、前
記四個の位置合わせ精度計測マ−クは、前記隣合う露光
領域の境界線に沿って配置されるか、あるいは、前記露
光領域の中心部に寄せて配置されることが望ましい。そ
して、前記一露光領域の中心部に寄せて配置する場合
は、前記位置合わせ精度計測マ−クは互いに所定の距離
に離れた位置にあることが望ましい。より好ましくは、
前記位置合わせ精度計測マ−クの形状は正方形にすこと
である。
【００１３】一方、本発明の他の特徴は、半導体ウェハ
上に縦横に並べ配置される複数の露光領域のそれぞれに
下地回路パタ−ンと同時に形成され位置を計測すべく複
数の下地の計測マ−クと、前記露光領域のそれぞれに重
ねて露光し上地回路パタ−ンと同時に形成されるととも
に前記下地の計測マ−クの中心と中心を合わせて形成さ
れかつ前記下地の計測マ−クに相似でより小さい計測す
べき複数の上地の計測パタ−ンとを有する位置合わせ精
度計測マ−クにおいて、複数の正方形状の前記位置合わ
せ精度計測マ−クが隣合う前記露光領域の境界線に対称
に燐接して配置されるとともに前記位置合わせ精度計測
マ−クの互いに隣接する辺の輪郭線を計測すべき対象と
しない位置合わせ精度計測マ−クである。
上に縦横に並べ配置される複数の露光領域のそれぞれに
下地回路パタ−ンと同時に形成され位置を計測すべく複
数の下地の計測マ−クと、前記露光領域のそれぞれに重
ねて露光し上地回路パタ−ンと同時に形成されるととも
に前記下地の計測マ−クの中心と中心を合わせて形成さ
れかつ前記下地の計測マ−クに相似でより小さい計測す
べき複数の上地の計測パタ−ンとを有する位置合わせ精
度計測マ−クにおいて、複数の正方形状の前記位置合わ
せ精度計測マ−クが隣合う前記露光領域の境界線に対称
に燐接して配置されるとともに前記位置合わせ精度計測
マ−クの互いに隣接する辺の輪郭線を計測すべき対象と
しない位置合わせ精度計測マ−クである。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１５】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
の形態における位置合わせ精度計測マ−クを説明するた
めの図である。この位置合わせ精度計測マ−クは、図１
（ａ）に示すように、一露光領域７に複数の計測マ−ク
１，２，３および４を互いに離れた位置に配置したこと
である。
の形態における位置合わせ精度計測マ−クを説明するた
めの図である。この位置合わせ精度計測マ−クは、図１
（ａ）に示すように、一露光領域７に複数の計測マ−ク
１，２，３および４を互いに離れた位置に配置したこと
である。
【００１６】例えば、計測マ−ク１および３を境界線７
ａに近くＹ軸６に沿って配置し、計測マ−ク２，４を境
界線７ａに近くＸ軸５に沿って配置すれば、図１（ｂ）
に示すように、半導体ウェハにワンショットで形成され
る各露光領域７における位置合わせ精度計測用の計測マ
−ク２と４は隣合わない計測マ−ク８となる。また、各
露光領域７における計測マ−ク１と３も、隣り合わない
計測マ−ク９となる。このように全ての露光領域７にお
いて、計測マ−ク１，２，３および４は互いに離れた位
置に配置される。
ａに近くＹ軸６に沿って配置し、計測マ−ク２，４を境
界線７ａに近くＸ軸５に沿って配置すれば、図１（ｂ）
に示すように、半導体ウェハにワンショットで形成され
る各露光領域７における位置合わせ精度計測用の計測マ
−ク２と４は隣合わない計測マ−ク８となる。また、各
露光領域７における計測マ−ク１と３も、隣り合わない
計測マ−ク９となる。このように全ての露光領域７にお
いて、計測マ−ク１，２，３および４は互いに離れた位
置に配置される。
【００１７】このことにより、現像処理およびエッチン
グ処理などによる計測マ−ク１．２，３，４の各辺の輪
郭線の形崩れは無くなる。また、これら計測マ−ク１，
２，３，４は、重ね合わせ精度測定器で測定し易いよう
に、全て同一形状の正方形であることが望ましい。
グ処理などによる計測マ−ク１．２，３，４の各辺の輪
郭線の形崩れは無くなる。また、これら計測マ−ク１，
２，３，４は、重ね合わせ精度測定器で測定し易いよう
に、全て同一形状の正方形であることが望ましい。
【００１８】図２は図１の位置合わせ精度計測マ−クの
一変形例を説明するための図である。この位置合わせ精
度計測マ−クは、図２（ａ）に示すように、一露光領域
７の中心部に寄せて複数の位置合わせ精度計測用の計測
マ−ク１，２，３および４を配置したことである。
一変形例を説明するための図である。この位置合わせ精
度計測マ−クは、図２（ａ）に示すように、一露光領域
７の中心部に寄せて複数の位置合わせ精度計測用の計測
マ−ク１，２，３および４を配置したことである。
【００１９】また、この実施例では、例えば、図２
（ｂ）に示すように、計測マ−ク１，３をＹ軸６上にあ
って露光領域７の中心部に寄せ配置されるともに半導体
ウェハの隣接する露光領域２２においても所定の距離だ
け互いに離れている。一方、これら計測マ−ク２，４
は、Ｘ軸５上にあって露光領域７の中心部に寄せ配置さ
れるともに半導体ウェハの隣接する露光領域２１におい
ても所定の距離だけ互いに離れている。ここで、必要な
ことは、一露光領域内および隣接する各露光領域の計測
マ−ク１，２，３，４の互いに離れる所定の距離は、少
なくとも１００ミクロンメ−タあることが望ましい。
（ｂ）に示すように、計測マ−ク１，３をＹ軸６上にあ
って露光領域７の中心部に寄せ配置されるともに半導体
ウェハの隣接する露光領域２２においても所定の距離だ
け互いに離れている。一方、これら計測マ−ク２，４
は、Ｘ軸５上にあって露光領域７の中心部に寄せ配置さ
れるともに半導体ウェハの隣接する露光領域２１におい
ても所定の距離だけ互いに離れている。ここで、必要な
ことは、一露光領域内および隣接する各露光領域の計測
マ−ク１，２，３，４の互いに離れる所定の距離は、少
なくとも１００ミクロンメ−タあることが望ましい。
【００２０】図３（ａ）および（ｂ）は本発明の他の実
施の形態における位置合わせ精度計測マ−クを説明する
ための図である。通常、露光領域に形成されるパタ−ン
は露光領域の中央部に集中する。従って、図３（ａ）に
示すように、一露光領域７における計測マ−ク１，３は
Ｙ軸６上にあって、かつ一露光領域７の境界線７ａに近
づけて配置されている。また、計測マ−ク２，４は、Ｘ
軸５上にあって、境界線７ａに近づけて配置される。
施の形態における位置合わせ精度計測マ−クを説明する
ための図である。通常、露光領域に形成されるパタ−ン
は露光領域の中央部に集中する。従って、図３（ａ）に
示すように、一露光領域７における計測マ−ク１，３は
Ｙ軸６上にあって、かつ一露光領域７の境界線７ａに近
づけて配置されている。また、計測マ−ク２，４は、Ｘ
軸５上にあって、境界線７ａに近づけて配置される。
【００２１】この隣合う計測マ−ク１７に配置された計
測マ−ク１，３は、図３（ｂ）に示すように、従来技術
で述べたように互いに一辺が隣接しＸ軸に平行の辺の計
測マ−ク１と計測マ−ク３の辺が崩れる恐れがあるか
ら、Ｙ軸６の方向の計測に使用しないことである。
測マ−ク１，３は、図３（ｂ）に示すように、従来技術
で述べたように互いに一辺が隣接しＸ軸に平行の辺の計
測マ−ク１と計測マ−ク３の辺が崩れる恐れがあるか
ら、Ｙ軸６の方向の計測に使用しないことである。
【００２２】また、隣合う計測マ−ク１６においては、
互いに一辺が隣接しＹ軸に平行の辺の計測マ−ク２と計
測マ−ク４の辺が崩れる恐れがあるから、Ｘ軸６方向の
計測に使用しないことである。
互いに一辺が隣接しＹ軸に平行の辺の計測マ−ク２と計
測マ−ク４の辺が崩れる恐れがあるから、Ｘ軸６方向の
計測に使用しないことである。
【００２３】そこで、位置合わせするには、計測マ−ク
１、２、３および４のそれぞれの辺が隣接しない辺を使
用して計測すれば、正確な重ね合わせ精度を求めること
ができる。例えば、図３（ｂ）に示す計測マ−ク１と３
のＹ軸６に平行な辺をＸ軸５の方向の計測に、計測マ−
ク２と４のＸ軸５に平行な辺をＹ軸６の方向の計測に適
用すれば良い。
１、２、３および４のそれぞれの辺が隣接しない辺を使
用して計測すれば、正確な重ね合わせ精度を求めること
ができる。例えば、図３（ｂ）に示す計測マ−ク１と３
のＹ軸６に平行な辺をＸ軸５の方向の計測に、計測マ−
ク２と４のＸ軸５に平行な辺をＹ軸６の方向の計測に適
用すれば良い。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一露光領
域内の複数の位置合わせ精度計測マ−クを隣合う露光領
域おいて、隣接させない位置に配置することにより、現
像およびエッチングなどによる計測マ−クの外郭辺の崩
れが無くなり、正確に計測精度が得られ、重ね合わせの
歩留まりが向上するという効果がある。
域内の複数の位置合わせ精度計測マ−クを隣合う露光領
域おいて、隣接させない位置に配置することにより、現
像およびエッチングなどによる計測マ−クの外郭辺の崩
れが無くなり、正確に計測精度が得られ、重ね合わせの
歩留まりが向上するという効果がある。
【００２５】また、隣接する計測マ−クが有っても、互
いに隣接する辺の輪郭線が崩れる恐れがある辺があるの
で、計測の対象にしないで、計測マ−クが隣接しても離
間した辺の輪郭線を計測の対象にすることによって、前
述と同様の効果が得られる。
いに隣接する辺の輪郭線が崩れる恐れがある辺があるの
で、計測の対象にしないで、計測マ−クが隣接しても離
間した辺の輪郭線を計測の対象にすることによって、前
述と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における位置合わせ精度
計測マ−クを説明するための図である。
計測マ−クを説明するための図である。
【図２】図１の位置合わせ精度計測マ−クの一変形例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】本発明の他の実施の形態における位置合わせ精
度計測マ−クを説明するための図である。
度計測マ−クを説明するための図である。
【図４】重ね合わせ精度計測マ−クの一例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図５】半導体ウェハの一露光領域と半導体ウェハの面
とに形成された位置合わせ精度計測マ−クの位置を示す
図である。
とに形成された位置合わせ精度計測マ−クの位置を示す
図である。
【図６】従来の精度計測マ−クの課題を説明するための
一計測マ−クの断面図である。
一計測マ−クの断面図である。
１，２，３，４，１０，１１，１２，１３、１８、１９
計測マ−ク ５，１４ Ｘ軸 ６，１５ Ｙ軸 ７ 露光領域 ８，９ 隣合わない計測マ−ク １６，１７ 隣合う計測マ−ク ２０ レジスト層 ２１，２２ 隣接する露光領域
計測マ−ク ５，１４ Ｘ軸 ６，１５ Ｙ軸 ７ 露光領域 ８，９ 隣合わない計測マ−ク １６，１７ 隣合う計測マ−ク ２０ レジスト層 ２１，２２ 隣接する露光領域
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上に縦横に並べ配置される
複数の露光領域のそれぞれに下地回路パタ−ンと同時に
形成され位置を計測すべく複数の下地の計測マ−クと、
前記露光領域のそれぞれに重ねて露光し上地回路パタ−
ンと同時に形成されるとともに前記下地の計測マ−クの
中心と中心を合わせて形成されかつ前記下地の計測マ−
クに相似でより小さい計測すべき複数の上地の計測パタ
−ンとを有する位置合わせ精度計測マ−クにおいて、隣
合う前記露光領域のそれぞれに有する前記位置合わせ精
度計測マ−クが隣接しないことを特徴とする位置合わせ
精度計測マ−ク。 - 【請求項２】 一前記露光領域に前記位置合わせ精度計
測マ−クは、四個あることを特徴とする請求項１記載の
位置合わせ精度計測マーク。 - 【請求項３】 前記四個の位置合わせ精度計測マ−ク
は、前記隣合う露光領域の境界線に沿って配置されるこ
とを特徴とする請求項２記載の位置合わせ精度計測マ−
ク。 - 【請求項４】 前記四個の位置合わせ精度計測マ−ク
は、前記露光領域の中心部に寄せて配置されることを特
徴とする請求項２記載の位置合わせ精度計測マ−ク。 - 【請求項５】 前記四個の位置合わせ精度計測マ−ク
は、互いに所定の距離に離れた位置にあることを特徴と
する請求項４記載の位置合わせ精度計測マ−ク。 - 【請求項６】 前記位置合わせ精度計測マ−クの形状
は、正方形であることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の位置合わせ精度計測マ−ク。 - 【請求項７】 半導体ウェハ上に縦横に並べ配置される
複数の露光領域のそれぞれに下地回路パタ−ンと同時に
形成され位置を計測すべく複数の下地の計測マ−クと、
前記露光領域のそれぞれに重ねて露光し上地回路パタ−
ンと同時に形成されるとともに前記下地の計測マ−クの
中心と中心を合わせて形成されかつ前記下地の計測マ−
クに相似でより小さい計測すべき複数の上地の計測パタ
−ンとを有する位置合わせ精度計測マ−クにおいて、複
数の正方形状の前記位置合わせ精度計測マ−クが隣合う
前記露光領域の境界線に対称に燐接して配置されるとと
もに前記位置合わせ精度計測マ−クの互いに隣接する辺
の輪郭線を計測すべき対象としないことを特徴とする位
置合わせ精度計測マ−ク。
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