JPH08167566A - 半導体露光装置およびレチクル - Google Patents
半導体露光装置およびレチクルInfo
- Publication number
- JPH08167566A JPH08167566A JP33288494A JP33288494A JPH08167566A JP H08167566 A JPH08167566 A JP H08167566A JP 33288494 A JP33288494 A JP 33288494A JP 33288494 A JP33288494 A JP 33288494A JP H08167566 A JPH08167566 A JP H08167566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- alignment
- shot
- reticle
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正確なアライメントが行えるような半導体露
光装置およびレチクルを提供する。 【構成】 半導体露光装置において使用され、１ショッ
トで露光される複数チップのパターンア〜エを有するレ
チクルにおいて、チップ毎にアライメントマークのパタ
ーンａ，ｂを具備する。そして、ステップ・アンド・リ
ピート方式によりウエハ上の複数ショット領域に露光を
行なう半導体露光装置において、このレチクルを用いて
露光を行うとともに、その露光により転写されたチップ
ごとのアライメントマークを用いてウエハとレチクル間
のアライメントを行う。また、その露光により転写され
たチップごとのアライメントマークを用いてチップ倍率
誤差またはチップローテーションを計測し、このチップ
倍率誤差またはチップローテーションを補正する。
光装置およびレチクルを提供する。 【構成】 半導体露光装置において使用され、１ショッ
トで露光される複数チップのパターンア〜エを有するレ
チクルにおいて、チップ毎にアライメントマークのパタ
ーンａ，ｂを具備する。そして、ステップ・アンド・リ
ピート方式によりウエハ上の複数ショット領域に露光を
行なう半導体露光装置において、このレチクルを用いて
露光を行うとともに、その露光により転写されたチップ
ごとのアライメントマークを用いてウエハとレチクル間
のアライメントを行う。また、その露光により転写され
たチップごとのアライメントマークを用いてチップ倍率
誤差またはチップローテーションを計測し、このチップ
倍率誤差またはチップローテーションを補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高精度な露光を行う半
導体露光装置（通称、ステッパ）およびこれに使用され
るレチクルに関する。
導体露光装置（通称、ステッパ）およびこれに使用され
るレチクルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ステッパで用いるレチクルには、
図３に示すように、１枚のレチクル内に１回のショット
で露光される複数チップの回路パターンア、イ、ウ、エ
が描かれており、かつ１ショットにおける露光領域の周
辺部（スクライブ部）に、ｘ方向及びｙ方向の位置を検
出するためのアライメントマークａｓ、ｂｓが配置され
ている。そしてウエハのアライメント方法としては、生
産性とアライメント精度との兼ね合いから、ウエハ内の
数ショット（サンプルショット）におけるアライメント
マークａｓ、ｂｓの計測値からウエハ内の全ショットの
配列位置を求め、これに対してウエハ内全ショットのア
ライメントをする、グローバルアライメントと呼ばれる
方法が用いられている。
図３に示すように、１枚のレチクル内に１回のショット
で露光される複数チップの回路パターンア、イ、ウ、エ
が描かれており、かつ１ショットにおける露光領域の周
辺部（スクライブ部）に、ｘ方向及びｙ方向の位置を検
出するためのアライメントマークａｓ、ｂｓが配置され
ている。そしてウエハのアライメント方法としては、生
産性とアライメント精度との兼ね合いから、ウエハ内の
数ショット（サンプルショット）におけるアライメント
マークａｓ、ｂｓの計測値からウエハ内の全ショットの
配列位置を求め、これに対してウエハ内全ショットのア
ライメントをする、グローバルアライメントと呼ばれる
方法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステッ
パにおける各ショットの露光サイズの大画面化が進んで
いる現在では、ウエハ上でのステップ・アンド・リピー
トの回数（通称、ショット数）が非常に少なくなってき
ており、これが、サンプルショットの選択を制約し、ア
ライメント精度の劣化の要因となっている。
パにおける各ショットの露光サイズの大画面化が進んで
いる現在では、ウエハ上でのステップ・アンド・リピー
トの回数（通称、ショット数）が非常に少なくなってき
ており、これが、サンプルショットの選択を制約し、ア
ライメント精度の劣化の要因となっている。
【０００４】図４、はこのような従来技術における露光
レイアウトを示す。この例では、φ８”（８インチ）ウ
エハ４１に対し、図３で示したレチクルを用い、露光サ
イズを５０ｍｍ角とした場合のレイアウトと各ショット
のアライメントマークａｓ、ｂｓの位置を示している。
この場合、同図に示されるように、ウエハ４１内には１
６ショットしか配列されず、また、ウエハ外周部のショ
ットではレジストの膜厚ばらつきや、ウエハの歪みの影
響等があることを考慮すると、グローバルアライメント
のためのサンプルショットとしては、中心付近の４ショ
ット１ｓ〜４ｓしか選択できないことになる。これで
は、グローバルアライメントにおいて計測するアライメ
ントマーク間のスパンが５０ｍｍ程度と短く、またサン
プルショット数も４つと少ないため、ウエハ内のショッ
ト配列の倍率や回転の計測値の精度劣化を生じてしま
う。
レイアウトを示す。この例では、φ８”（８インチ）ウ
エハ４１に対し、図３で示したレチクルを用い、露光サ
イズを５０ｍｍ角とした場合のレイアウトと各ショット
のアライメントマークａｓ、ｂｓの位置を示している。
この場合、同図に示されるように、ウエハ４１内には１
６ショットしか配列されず、また、ウエハ外周部のショ
ットではレジストの膜厚ばらつきや、ウエハの歪みの影
響等があることを考慮すると、グローバルアライメント
のためのサンプルショットとしては、中心付近の４ショ
ット１ｓ〜４ｓしか選択できないことになる。これで
は、グローバルアライメントにおいて計測するアライメ
ントマーク間のスパンが５０ｍｍ程度と短く、またサン
プルショット数も４つと少ないため、ウエハ内のショッ
ト配列の倍率や回転の計測値の精度劣化を生じてしま
う。
【０００５】また、アライメントマーク間のスパンを長
くとるために、ショット２ｓ、３ｓ、５ｓ、６ｓをサプ
ルショットとすることも考えられるが、その場合、ウエ
ハ中心に対してマーク位置が非対称となり、これが誤差
要因となるため、好ましくない。さらに、ショット毎に
マーク位置を異ならせることも考えられるが、その場合
は、露光光学系のディストーション等により計測誤差が
生じ、これがそのままアライメント精度の劣化原因とな
るため、同様に好ましくない。
くとるために、ショット２ｓ、３ｓ、５ｓ、６ｓをサプ
ルショットとすることも考えられるが、その場合、ウエ
ハ中心に対してマーク位置が非対称となり、これが誤差
要因となるため、好ましくない。さらに、ショット毎に
マーク位置を異ならせることも考えられるが、その場合
は、露光光学系のディストーション等により計測誤差が
生じ、これがそのままアライメント精度の劣化原因とな
るため、同様に好ましくない。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、より正確なアライメントが行えるような半
導体露光装置およびレチクルを提供することにある。
題点に鑑み、より正確なアライメントが行えるような半
導体露光装置およびレチクルを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、半導体露光装置において使用され、１ショ
ットで露光される複数チップのパターンを有するレチク
ルにおいて、チップ毎にアライメントマークのパターン
を具備することを特徴とする。
本発明では、半導体露光装置において使用され、１ショ
ットで露光される複数チップのパターンを有するレチク
ルにおいて、チップ毎にアライメントマークのパターン
を具備することを特徴とする。
【０００８】また、ステップ・アンド・リピート方式に
よりウエハ上の複数ショット領域に露光を行なう半導体
露光装置において、このレチクルを用いて露光を行うと
ともに、その露光により転写されたチップごとのアライ
メントマークを用いてウエハとレチクル間のアライメン
トを行う手段を有することを特徴とする。この装置にお
いてはさらに、各ショット領域内のショット中心に対す
るアライメントマークの位置により生じる位置計測誤差
を予め記憶し、これに基づいてショット中心に対するア
ライメントマーク位置の計測値を補正する手段を有する
のが好ましい。また、露光により転写されたチップごと
のアライメントマークを用いてチップ倍率誤差またはチ
ップローテーションを計測する手段、および、このチッ
プ倍率誤差またはチップローテーションを補正する手段
を具備するのが好ましい。この場合、前記レチクルの各
チップ毎のアライメントマークのパターンは、各チップ
の周囲にそれぞれ相互に対向する位置に設けた２つのｘ
方向検出用のものと、２つのｙ方向検出用のものである
のが好ましい。
よりウエハ上の複数ショット領域に露光を行なう半導体
露光装置において、このレチクルを用いて露光を行うと
ともに、その露光により転写されたチップごとのアライ
メントマークを用いてウエハとレチクル間のアライメン
トを行う手段を有することを特徴とする。この装置にお
いてはさらに、各ショット領域内のショット中心に対す
るアライメントマークの位置により生じる位置計測誤差
を予め記憶し、これに基づいてショット中心に対するア
ライメントマーク位置の計測値を補正する手段を有する
のが好ましい。また、露光により転写されたチップごと
のアライメントマークを用いてチップ倍率誤差またはチ
ップローテーションを計測する手段、および、このチッ
プ倍率誤差またはチップローテーションを補正する手段
を具備するのが好ましい。この場合、前記レチクルの各
チップ毎のアライメントマークのパターンは、各チップ
の周囲にそれぞれ相互に対向する位置に設けた２つのｘ
方向検出用のものと、２つのｙ方向検出用のものである
のが好ましい。
【０００９】
【作用】この構成によれば、チップ毎にアライメントマ
ークのパターンを具備するため１ショット領域が大きな
大画面露光の場合でも、アライメントマークの選択の自
由度が高い。したがって、ショット毎にアライメントマ
ークを有していた従来の場合に比べ、グローバルアライ
メント時に計測するアライメントマークとして、マーク
間の距離が大きく、かつウエハ中心に関してより対称な
位置にあるアライメントマークが選択され使用され、ア
ライメント精度の向上が図られる。この場合、各ショッ
ト領域内のショット中心に対するアライメントマークの
位置により位置計測誤差を生じるため、これを予め記憶
し、これに基づいてショット中心に対するアライメント
マーク位置の計測値を補正することにより、アライメン
ト精度がさらに向上する。
ークのパターンを具備するため１ショット領域が大きな
大画面露光の場合でも、アライメントマークの選択の自
由度が高い。したがって、ショット毎にアライメントマ
ークを有していた従来の場合に比べ、グローバルアライ
メント時に計測するアライメントマークとして、マーク
間の距離が大きく、かつウエハ中心に関してより対称な
位置にあるアライメントマークが選択され使用され、ア
ライメント精度の向上が図られる。この場合、各ショッ
ト領域内のショット中心に対するアライメントマークの
位置により位置計測誤差を生じるため、これを予め記憶
し、これに基づいてショット中心に対するアライメント
マーク位置の計測値を補正することにより、アライメン
ト精度がさらに向上する。
【００１０】また、１ショト内の複数チップのアライメ
ントマーク位置を計測することにより、そのショットに
おける倍率誤差やチップローテーションが計測され、こ
れらを補正することにより、そり正確な露光が行われ
る。以下、実施例を通じて本発明をより具体的に説明す
る。
ントマーク位置を計測することにより、そのショットに
おける倍率誤差やチップローテーションが計測され、こ
れらを補正することにより、そり正確な露光が行われ
る。以下、実施例を通じて本発明をより具体的に説明す
る。
【００１１】
［実施例１］図１は、本発明の一実施例に係るレチクル
の平面図である。このレチクルにおいては、同図に示す
ように、複数チップのパターンア〜エに対し、それぞ
れ、ｘ方向、ｙ方向を計測するアライメントマークａ、
ｂが配置されている。図２は、このレチクルを用い、露
光サイズを５０ｍｍ角としてφ８”ウエハ上に露光する
場合のレイアウト及びアライメントマークａ、ｂの配置
を示す平面図である。
の平面図である。このレチクルにおいては、同図に示す
ように、複数チップのパターンア〜エに対し、それぞ
れ、ｘ方向、ｙ方向を計測するアライメントマークａ、
ｂが配置されている。図２は、このレチクルを用い、露
光サイズを５０ｍｍ角としてφ８”ウエハ上に露光する
場合のレイアウト及びアライメントマークａ、ｂの配置
を示す平面図である。
【００１２】従来は図４に示されるように、グローバル
アライメント用に、中心の４ショットのアライメントマ
ークしかしか使用することができなかったが、本実施例
の場合は、図２に示されるように、チップ１〜８のアラ
イメントマークａ、ｂをサンプルショット（サンプルチ
ップ）として計測することができる。すなわち、ショッ
ト内におけるアライメントマークをチップ単位で選択す
ることができる。したがって、サンプルショット（サン
プルチップ）の数を４点から８点以上とることができ、
加えてアライメントマークのスパンも長くとることが可
能となる。またサンプルチップとしては、チップパター
ンはウエハ外周にけられてしまうがアライメントマーク
ａ、ｂが露光されるチップ９〜１２のアライメントマー
クを計測すれば、さらにアライメントマーク間のスパン
を長くとることができ、精度を向上させることができ
る。
アライメント用に、中心の４ショットのアライメントマ
ークしかしか使用することができなかったが、本実施例
の場合は、図２に示されるように、チップ１〜８のアラ
イメントマークａ、ｂをサンプルショット（サンプルチ
ップ）として計測することができる。すなわち、ショッ
ト内におけるアライメントマークをチップ単位で選択す
ることができる。したがって、サンプルショット（サン
プルチップ）の数を４点から８点以上とることができ、
加えてアライメントマークのスパンも長くとることが可
能となる。またサンプルチップとしては、チップパター
ンはウエハ外周にけられてしまうがアライメントマーク
ａ、ｂが露光されるチップ９〜１２のアライメントマー
クを計測すれば、さらにアライメントマーク間のスパン
を長くとることができ、精度を向上させることができ
る。
【００１３】［実施例２］実施例１において、図２に示
すように、チップ１〜８におけるアライメントマーク
ａ、ｂは、ショット中心に対し、それぞれ異なる位置に
配置されている。例えば、Ｂ行Ｉ列のショットB-I では
中心の左下側にチップ１のアライメントマークａ、ｂが
配置され、ショットA-IIでは中心の右上側にチップ２の
アライメントマークａ、ｂが配置されている。したがっ
て、露光光学系のディストーション等により、ショット
中心に対する各アライメントマーク位置ａ、ｂがショッ
ト毎に異なり、アライメント誤差の要因となってしま
う。
すように、チップ１〜８におけるアライメントマーク
ａ、ｂは、ショット中心に対し、それぞれ異なる位置に
配置されている。例えば、Ｂ行Ｉ列のショットB-I では
中心の左下側にチップ１のアライメントマークａ、ｂが
配置され、ショットA-IIでは中心の右上側にチップ２の
アライメントマークａ、ｂが配置されている。したがっ
て、露光光学系のディストーション等により、ショット
中心に対する各アライメントマーク位置ａ、ｂがショッ
ト毎に異なり、アライメント誤差の要因となってしま
う。
【００１４】そこで、ここでは以下の方法で補正するこ
とにより、アライメント精度の向上を図っている。すな
わち、露光光学系のもつディストーションの量を予め、
テーブルとして記憶しておく。そして、計測したマーク
位置ｘに対し、その位置に対応するディストーションの
量α（％）を前記テーブルから引き出し、αｘを補正量
とする。これにより、アライメントマークがショット内
のどの位置にあっても正確にショット中心を算出するこ
とができ、アライメントの精度を向上させることができ
る。
とにより、アライメント精度の向上を図っている。すな
わち、露光光学系のもつディストーションの量を予め、
テーブルとして記憶しておく。そして、計測したマーク
位置ｘに対し、その位置に対応するディストーションの
量α（％）を前記テーブルから引き出し、αｘを補正量
とする。これにより、アライメントマークがショット内
のどの位置にあっても正確にショット中心を算出するこ
とができ、アライメントの精度を向上させることができ
る。
【００１５】［実施例３］図５は本発明の第３の実施例
に係るレチクルを示す平面図である。一般に、スッテッ
パにおいてステップ・アンド・リピート方式により露光
を行う場合、露光光学系による倍率の誤差（以下、チッ
プ倍率誤差と称す）や、ステージの走りの誤差による回
転（以下、チップローテーションと称す）を生じる。大
画面露光ステッパでは、この２つの誤差要因の影響が特
に大きくなる。そこで、本実施例では、図５に示すよう
に、各チップア〜エの周囲に、ｘ方向位置検出用のアラ
イメントマークａ、ａ’と、ｙ方向位置検出用のアライ
メントマークｂ、ｂ’を配置している。
に係るレチクルを示す平面図である。一般に、スッテッ
パにおいてステップ・アンド・リピート方式により露光
を行う場合、露光光学系による倍率の誤差（以下、チッ
プ倍率誤差と称す）や、ステージの走りの誤差による回
転（以下、チップローテーションと称す）を生じる。大
画面露光ステッパでは、この２つの誤差要因の影響が特
に大きくなる。そこで、本実施例では、図５に示すよう
に、各チップア〜エの周囲に、ｘ方向位置検出用のアラ
イメントマークａ、ａ’と、ｙ方向位置検出用のアライ
メントマークｂ、ｂ’を配置している。
【００１６】図６は、このレチクルを用いて８”ウエハ
に露光する場合のレイアウトを示す平面図である。ショ
ットB-II内においてチップア、イのアライメントマーク
ａ（又はチップウ、エのアライメントマークａ’）、お
よびチップイ、ウのアライメントマークｂ（又はチップ
ア、エのアライメントマークｂ’）のマーク位置を計測
することにより、それぞれｘ方向およびｙ方向のチップ
倍率を算出することができる。一方、チップアのアライ
メントマークｂ’とチップイのアライメントマークｂの
マーク位置（ｙ方向）を計測することによって、チップ
ローテーションを算出することができる。
に露光する場合のレイアウトを示す平面図である。ショ
ットB-II内においてチップア、イのアライメントマーク
ａ（又はチップウ、エのアライメントマークａ’）、お
よびチップイ、ウのアライメントマークｂ（又はチップ
ア、エのアライメントマークｂ’）のマーク位置を計測
することにより、それぞれｘ方向およびｙ方向のチップ
倍率を算出することができる。一方、チップアのアライ
メントマークｂ’とチップイのアライメントマークｂの
マーク位置（ｙ方向）を計測することによって、チップ
ローテーションを算出することができる。
【００１７】チップ倍率誤差は、露光光学系の一部を調
整することによって補正することができる。また、チッ
プローテーションは、ウエハステージをステップアンド
リピートさせる際に、チップローテーションの算出値に
応じて回転させることによって補正することができる。
これによって、大画面露光においても、アライメント精
度をさらに向上させることができる。
整することによって補正することができる。また、チッ
プローテーションは、ウエハステージをステップアンド
リピートさせる際に、チップローテーションの算出値に
応じて回転させることによって補正することができる。
これによって、大画面露光においても、アライメント精
度をさらに向上させることができる。
【００１８】［実施例４］図７は本発明の第４の実施例
に係るレチクルを示す平面図である。また図８はこのレ
チクルを用いて露光を行う場合の露光レイアウトを示す
平面図である。この場合は、各アライメントマークａ、
ｂ、ａ’、ｂ’を露光領域の対角線上の、各チップパタ
ーンの角部に配置しており、チップ倍率やチップローテ
ーションの計測におけるアライメントマーク間のスパン
が実施例３の場合に比べ、大きくなっている。この場合
も、アライメントマークａ、ｂ、ａ’、ｂ’を用いて実
施例３の場合と同様に計測することによりチップ倍率お
よびチップローテーションの補正を行うことができる。
に係るレチクルを示す平面図である。また図８はこのレ
チクルを用いて露光を行う場合の露光レイアウトを示す
平面図である。この場合は、各アライメントマークａ、
ｂ、ａ’、ｂ’を露光領域の対角線上の、各チップパタ
ーンの角部に配置しており、チップ倍率やチップローテ
ーションの計測におけるアライメントマーク間のスパン
が実施例３の場合に比べ、大きくなっている。この場合
も、アライメントマークａ、ｂ、ａ’、ｂ’を用いて実
施例３の場合と同様に計測することによりチップ倍率お
よびチップローテーションの補正を行うことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ップ毎にアライメントマークのパターンを具備するた
め、ショット数が少ない大画面の露光においてウエハ外
周部でショット領域がけられるような場合でも、外周部
のチップに対するアライメントマークの計測が可能であ
り、かつ、ウエハ中心に対して対称な位置のアライメン
トマークを計測することができ、したがって、アライメ
ント精度を向上させることができる。またこの場合、各
ショット領域内のショット中心に対するアライメントマ
ークの位置により生じる位置計測誤差を予め記憶し、こ
れに基づいてショット中心に対するアライメントマーク
位置の計測値を補正することにより、アライメント精度
をさらに向上させることができる。
ップ毎にアライメントマークのパターンを具備するた
め、ショット数が少ない大画面の露光においてウエハ外
周部でショット領域がけられるような場合でも、外周部
のチップに対するアライメントマークの計測が可能であ
り、かつ、ウエハ中心に対して対称な位置のアライメン
トマークを計測することができ、したがって、アライメ
ント精度を向上させることができる。またこの場合、各
ショット領域内のショット中心に対するアライメントマ
ークの位置により生じる位置計測誤差を予め記憶し、こ
れに基づいてショット中心に対するアライメントマーク
位置の計測値を補正することにより、アライメント精度
をさらに向上させることができる。
【００２０】また、１ショト内の複数チップのアライメ
ントマーク位置を計測することにより、そのショットに
おける倍率誤差やチップローテーションを得ることがで
き、これらを補正することにより、より正確な露光を行
うことができる。
ントマーク位置を計測することにより、そのショットに
おける倍率誤差やチップローテーションを得ることがで
き、これらを補正することにより、より正確な露光を行
うことができる。
【図１】 本発明の一実施例に係るレチクルの平面図で
ある。
ある。
【図２】 図１のレチクルを用いていステッパによりウ
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
【図３】 従来例に係るレチクルの平面図である。
【図４】 図３のレチクルを用いていステッパによりウ
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
【図５】 本発明の第３の実施例に係るレチクルを示す
平面図である。
平面図である。
【図６】 図５のレチクルを用いていステッパによりウ
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
【図７】 本発明の第４の実施例に係るレチクルを示す
平面図である。
平面図である。
【図８】 図５のレチクルを用いていステッパによりウ
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
エハ上に露光を行う際のレイアウトを示す図である。
ａ，ｂ，ａ’，ｂ’：アライメントマーク、１〜１２：
チップ、ア，イ，ウ，エ：チップパターン、４１：ウエ
ハ。
チップ、ア，イ，ウ，エ：チップパターン、４１：ウエ
ハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体露光装置において使用され、１シ
ョットで露光される複数チップのパターンを有するレチ
クルにおいて、チップ毎にアライメントマークのパター
ンを具備することを特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 ステップ・アンド・リピート方式により
ウエハ上の複数ショット領域に露光を行なう半導体露光
装置において、請求項１記載のレチクルを用いて露光を
行うとともに、その露光により転写されたチップごとの
アライメントマークを用いてウエハとレチクル間のアラ
イメントを行う手段を有することを特徴とする半導体露
光装置。 - 【請求項３】 各ショット領域内のショット中心に対す
るアライメントマークの位置により生じる位置計測誤差
を予め記憶し、これに基づいてショット中心に対するア
ライメントマーク位置の計測値を補正する手段を有する
ことを特徴とする請求項２記載の半導体露光装置。 - 【請求項４】 前記アライメントはグローバルアライメ
ントであることを特徴とする請求項２記載の半導体露光
装置。 - 【請求項５】 ステップ・アンド・リピート方式により
ウエハ上の複数ショット領域に露光を行なう半導体露光
装置において、請求項１記載のレチクルを用いて露光を
行うとともに、その露光により転写されたチップごとの
アライメントマークを用いてチップ倍率誤差またはチッ
プローテーションを計測する手段、およびこのチップ倍
率誤差またはチップローテーションを補正する手段を具
備することを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項６】 前記レチクルの各チップ毎のアライメン
トマークのパターンは、各チップの周囲にそれぞれ相互
に対向する位置に設けた２つのｘ方向検出用のものと、
２つのｙ方向検出用のものであることを特徴とする請求
項１記載のレチクルまたは請求項５記載の半導体露光装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33288494A JP3372685B2 (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 半導体露光装置 |
| DE69521107T DE69521107T2 (de) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | Ausrichtverfahren und Halbleiterbelichtungsverfahren |
| EP00204674A EP1091256A1 (en) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | Alignment method and semiconductor exposure method |
| EP95308529A EP0715215B1 (en) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | Alignment method and semiconductor exposure method |
| US08/564,615 US5695897A (en) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | Alignment method and semiconductor exposure method |
| KR1019950044594A KR0185453B1 (ko) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | 얼라인먼트방법 및 반도체노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33288494A JP3372685B2 (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167566A true JPH08167566A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3372685B2 JP3372685B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=18259880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33288494A Expired - Fee Related JP3372685B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-12-15 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3372685B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230195A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-24 | Nec Corp | 位置合わせ精度計測マーク |
| KR100611071B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정에서 마크 형성 방법 |
| JP2019152751A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 露光装置、露光方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CN112802771A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-14 | 上海华力微电子有限公司 | 缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统 |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP33288494A patent/JP3372685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230195A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-24 | Nec Corp | 位置合わせ精度計測マーク |
| KR100381881B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2003-04-26 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 얼라인먼트 마크 세트 및 얼라인먼트 정밀도 계측 방법 |
| KR100611071B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정에서 마크 형성 방법 |
| JP2019152751A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 露光装置、露光方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CN112802771A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-14 | 上海华力微电子有限公司 | 缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3372685B2 (ja) | 2003-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0185453B1 (ko) | 얼라인먼트방법 및 반도체노광방법 | |
| JP2661015B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US6963389B2 (en) | Alignment method, exposure apparatus and device fabrication method | |
| US20130258306A1 (en) | Mask pattern alignment method and system | |
| JPH0447968B2 (ja) | ||
| JP3100842B2 (ja) | 半導体露光装置及び露光方法 | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH08167566A (ja) | 半導体露光装置およびレチクル | |
| JP2003282428A (ja) | 工程エラー測定方法及び装置とこれを利用したオーバーレー測定方法及び装置 | |
| JPH10284396A (ja) | アライメント方法及び重ね合わせ精度計測方法 | |
| JP3168590B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPH11195596A (ja) | 露光方法 | |
| JP2626637B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US20010031406A1 (en) | Photomask and exposure method | |
| JP2926331B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2003037038A (ja) | 投影露光方法 | |
| JPH0774094A (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
| KR960011463B1 (ko) | 노광기의 촛점 및 평행도 측정 방법 | |
| JP2663939B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3224182B2 (ja) | 位置合わせ方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH07254558A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS59124127A (ja) | 電子線露光パタ−ンの評価方法 | |
| JPH06188171A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0745500A (ja) | パターン位置合せ方法 | |
| JPH04369825A (ja) | レチクルアライメント方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |