JP2001223229A - 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材 - Google Patents
樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材Info
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】一枚の配線基材の片面に複数の半導体素子をボ
ンディングし、これらの半導体素子を、単一のキャビテ
ィ内に収めて一括して樹脂封止するトランスファモール
ド技術において、金型内に閉じ込められた配線基材の金
型表面からの浮き上がりに起因する不具合を有効に防止
し、内部的にも外観的にも良好な半導体パッケージを歩
留まり良く製造可能な樹脂モールド方法、モールド成形
用金型及び配線基材を提供する。 【解決手段】下型２２に吸着用孔４５を設け、配線基板
１１の裏面に吸着用溝を設けた。これらを連結して真空
吸引し、配線基材１１の裏面に作用する負圧値を配線基
材１１の表面に作用する負圧値より大きく設定した。
ンディングし、これらの半導体素子を、単一のキャビテ
ィ内に収めて一括して樹脂封止するトランスファモール
ド技術において、金型内に閉じ込められた配線基材の金
型表面からの浮き上がりに起因する不具合を有効に防止
し、内部的にも外観的にも良好な半導体パッケージを歩
留まり良く製造可能な樹脂モールド方法、モールド成形
用金型及び配線基材を提供する。 【解決手段】下型２２に吸着用孔４５を設け、配線基板
１１の裏面に吸着用溝を設けた。これらを連結して真空
吸引し、配線基材１１の裏面に作用する負圧値を配線基
材１１の表面に作用する負圧値より大きく設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂モールド方
法、モールド成形用金型及び配線基材に関するものであ
り、一枚の配線基材の片面に複数の半導体素子をボンデ
ィングし、これらの半導体素子を、単一のキャビティ内
に収めて一括して樹脂封止するトランスファモールド技
術に属する。
法、モールド成形用金型及び配線基材に関するものであ
り、一枚の配線基材の片面に複数の半導体素子をボンデ
ィングし、これらの半導体素子を、単一のキャビティ内
に収めて一括して樹脂封止するトランスファモールド技
術に属する。
【０００２】
【従来の技術】トランスファモールドは、現在、半導体
素子の樹脂封止方法として最も広く用いられているもの
であり、金型のキャビティ部に基板タイプやテープタイ
プ等の配線基材にボンディングされた半導体素子を配置
し、溶融した樹脂をプランジャで加圧してキャビティに
充填することにより、半導体素子を樹脂封止する方法で
ある。複数の半導体パッケージ分の半導体素子（半導体
チップ）を一枚の配線基材にマトリクス状にボンディン
グし、これを樹脂封止する方法としては、個別封止方法
と一括封止方法とがある。個別封止方法が実施される
中、生産性の向上、ひいてはコストダウンを目的に一括
封止方法が開発された。現状、一括封止方法の方がコス
ト面、生産性においてより優れるものとなっている。
素子の樹脂封止方法として最も広く用いられているもの
であり、金型のキャビティ部に基板タイプやテープタイ
プ等の配線基材にボンディングされた半導体素子を配置
し、溶融した樹脂をプランジャで加圧してキャビティに
充填することにより、半導体素子を樹脂封止する方法で
ある。複数の半導体パッケージ分の半導体素子（半導体
チップ）を一枚の配線基材にマトリクス状にボンディン
グし、これを樹脂封止する方法としては、個別封止方法
と一括封止方法とがある。個別封止方法が実施される
中、生産性の向上、ひいてはコストダウンを目的に一括
封止方法が開発された。現状、一括封止方法の方がコス
ト面、生産性においてより優れるものとなっている。
【０００３】個別封止方法は、一の半導体パッケージ分
の半導体素子と他の半導体パッケージ分の半導体素子と
を別々に異なるキャビティ内に収めて個別に樹脂封止す
る方法である。したがって、個別封止方法では、封止樹
脂の側面は、金型によって成形され、封止工程時点から
封止樹脂が個々のパッケージ毎に独立している。したが
って、封止工程後、パッケージを個片化するためには、
封止樹脂を切断する必要はなく、配線基材及び切断ライ
ン上に配線層、ソルダーレジスト層などが存在する場合
にはそれらの層を切断しさえすればよい。一方、一括封
止方法は、複数の半導体パッケージ分の半導体素子を、
単一のキャビティ内に収めて一括して樹脂封止する方法
である。一括封止方法では、封止樹脂が複数の半導体パ
ッケージ分の半導体素子を内包する一体的な平板状にな
る。これをパッケージパネルと呼ぶ場合がある。その
後、このパッケージパネルを個片に分離するパッケージ
ダイシングを行い、個々の半導体パッケージを得る。し
たがって、一括封止方法によって製造された半導体パッ
ケージの側面は、個別封止方法のように金型により成形
されるのではなく、ダイシングによる切断面として成形
される。
の半導体素子と他の半導体パッケージ分の半導体素子と
を別々に異なるキャビティ内に収めて個別に樹脂封止す
る方法である。したがって、個別封止方法では、封止樹
脂の側面は、金型によって成形され、封止工程時点から
封止樹脂が個々のパッケージ毎に独立している。したが
って、封止工程後、パッケージを個片化するためには、
封止樹脂を切断する必要はなく、配線基材及び切断ライ
ン上に配線層、ソルダーレジスト層などが存在する場合
にはそれらの層を切断しさえすればよい。一方、一括封
止方法は、複数の半導体パッケージ分の半導体素子を、
単一のキャビティ内に収めて一括して樹脂封止する方法
である。一括封止方法では、封止樹脂が複数の半導体パ
ッケージ分の半導体素子を内包する一体的な平板状にな
る。これをパッケージパネルと呼ぶ場合がある。その
後、このパッケージパネルを個片に分離するパッケージ
ダイシングを行い、個々の半導体パッケージを得る。し
たがって、一括封止方法によって製造された半導体パッ
ケージの側面は、個別封止方法のように金型により成形
されるのではなく、ダイシングによる切断面として成形
される。
【０００４】以下に、図８を参照して、一括封止方法に
よる半導体装置の製造方法、樹脂モールド方法、樹脂モ
ールド装置、モールド成形用金型及び配線基材の従来の
一例につき説明する。トランスファモールドを行う際、
リリースフィルムを使用する場合と、使用しない場合と
がある。図８は、従来例のリリースフィルムを使用する
タイプの金型１２０の各工程毎の断面図である。
よる半導体装置の製造方法、樹脂モールド方法、樹脂モ
ールド装置、モールド成形用金型及び配線基材の従来の
一例につき説明する。トランスファモールドを行う際、
リリースフィルムを使用する場合と、使用しない場合と
がある。図８は、従来例のリリースフィルムを使用する
タイプの金型１２０の各工程毎の断面図である。
【０００５】まず、金型１２０及び樹脂モールド装置
（図示せず）の構成につき説明する。図８に示すように
従来の金型１２０は、上型１２１と下型１２２とからな
る。金型１２０における上型１２１及び下型１２２はそ
れぞれいくつかのブロックによって構成されている。上
型１２１は上型センタブロック２４を有する。下型１２
２は下型センタブロック２５と、配線基材搭載ブロック
１４２を有する。下型センタブロック２５には、樹脂２
６を装填するポット２７が設けられている。このポット
２７には樹脂２６が装填され、さらに樹脂２６に加圧力
を与えるプランジャ２８が挿入される。一方、上型セン
タブロック２４にはカル２９がポット２７に対向する位
置に設けられている。このカル２９の両側にはキャビテ
ィ２３ａ側に溶融樹脂２６を流し込む流路となるランナ
３０が形成されている。
（図示せず）の構成につき説明する。図８に示すように
従来の金型１２０は、上型１２１と下型１２２とからな
る。金型１２０における上型１２１及び下型１２２はそ
れぞれいくつかのブロックによって構成されている。上
型１２１は上型センタブロック２４を有する。下型１２
２は下型センタブロック２５と、配線基材搭載ブロック
１４２を有する。下型センタブロック２５には、樹脂２
６を装填するポット２７が設けられている。このポット
２７には樹脂２６が装填され、さらに樹脂２６に加圧力
を与えるプランジャ２８が挿入される。一方、上型セン
タブロック２４にはカル２９がポット２７に対向する位
置に設けられている。このカル２９の両側にはキャビテ
ィ２３ａ側に溶融樹脂２６を流し込む流路となるランナ
３０が形成されている。
【０００６】上記センタブロックの両側のそれぞれにお
いて、上型１２１はキャビティ２３ａを形成している。
キャビティ２３ａは配線基材１１１上にボンディングさ
れた半導体素子１２を内包し、樹脂の充填を受け、これ
らの半導体素子１２を覆う封止樹脂を成形するものであ
る。カル２９の両側に形成されたランナ３０はこのキャ
ビティ２３ａの上型センタブロック２４側の辺に接続し
ている。このランナ３０が接続するキャビティ２３ａの
辺と反対側の辺には、樹脂充填時にキャビティ２３ａ内
のガス（空気）を逃がすためのエアベント１４６が設け
られている。このエアベント１４６は、上型１２１のク
ランプ面に形成された筋状の溝によって構成される。こ
のキャビティ２３ａに対向する位置において、下型１２
２はキャビティ２３ｂを形成している。キャビティ２３
ｂは配線基材１１１を収めるためのものである。金型１
２０はキャビティ２３ａとキャビティ２３ｂにより配線
基材１１１及び半導体素子１２を密閉するキャビティを
形成している。
いて、上型１２１はキャビティ２３ａを形成している。
キャビティ２３ａは配線基材１１１上にボンディングさ
れた半導体素子１２を内包し、樹脂の充填を受け、これ
らの半導体素子１２を覆う封止樹脂を成形するものであ
る。カル２９の両側に形成されたランナ３０はこのキャ
ビティ２３ａの上型センタブロック２４側の辺に接続し
ている。このランナ３０が接続するキャビティ２３ａの
辺と反対側の辺には、樹脂充填時にキャビティ２３ａ内
のガス（空気）を逃がすためのエアベント１４６が設け
られている。このエアベント１４６は、上型１２１のク
ランプ面に形成された筋状の溝によって構成される。こ
のキャビティ２３ａに対向する位置において、下型１２
２はキャビティ２３ｂを形成している。キャビティ２３
ｂは配線基材１１１を収めるためのものである。金型１
２０はキャビティ２３ａとキャビティ２３ｂにより配線
基材１１１及び半導体素子１２を密閉するキャビティを
形成している。
【０００７】配線基材搭載ブロック１４２は、配線基材
１１１が搭載される部分である。配線基材搭載ブロック
１４２は、その周囲のブロックより低くなることにより
配線基材１１１を収めるキャビティ２３ｂを形成してい
る。また、配線基材搭載ブロック１４２は、バネ４３を
利用したフローティング機構により上下動可能に支持さ
れており、かかる上下動によりキャビティ２３ｂの深さ
を変動させることができる。かかるフローティング機構
は、半導体パッケージの配線基材１１１として比較的厚
みにバラツキの生じる基板タイプのものを用いる場合に
必要となる。なぜなら、上記フローティング機構を採用
しない場合はキャビティ２３ｂの深さが一定となる。そ
の上で、比較的厚みにバラツキの生じる基板を配線基材
搭載ブロック１４２に搭載してしまうと、基板表面の位
置にバラツキが生じる。キャビティ２３ｂの深さに対し
て厚い基板をキャビティ２３ｂに配置し、上下の金型１
２１、１２２でクランプする場合には、過剰なクランプ
圧力が生じて基板を傷付けるという不都合が生じるから
である。一方、キャビティ２３ｂの深さに対して薄い基
板をキャビティ２３ｂに配置し、上下の金型１２１、１
２２でクランプする場合には、クランプが不十分で隙間
が生じ、樹脂が漏れ出るという不都合が生じるからであ
る。このような不都合をフローティング機構を採用する
ことにより解決している。しかし、配線基材１１１とし
てテープ材を用いる場合は、かかるフローティング機構
を要しない。テープ材は薄く、基板タイプのものに比較
して厚みのバラツキが小さいため、フローティング機構
を採用しなくとも上述のような不都合は生じないからで
ある。
１１１が搭載される部分である。配線基材搭載ブロック
１４２は、その周囲のブロックより低くなることにより
配線基材１１１を収めるキャビティ２３ｂを形成してい
る。また、配線基材搭載ブロック１４２は、バネ４３を
利用したフローティング機構により上下動可能に支持さ
れており、かかる上下動によりキャビティ２３ｂの深さ
を変動させることができる。かかるフローティング機構
は、半導体パッケージの配線基材１１１として比較的厚
みにバラツキの生じる基板タイプのものを用いる場合に
必要となる。なぜなら、上記フローティング機構を採用
しない場合はキャビティ２３ｂの深さが一定となる。そ
の上で、比較的厚みにバラツキの生じる基板を配線基材
搭載ブロック１４２に搭載してしまうと、基板表面の位
置にバラツキが生じる。キャビティ２３ｂの深さに対し
て厚い基板をキャビティ２３ｂに配置し、上下の金型１
２１、１２２でクランプする場合には、過剰なクランプ
圧力が生じて基板を傷付けるという不都合が生じるから
である。一方、キャビティ２３ｂの深さに対して薄い基
板をキャビティ２３ｂに配置し、上下の金型１２１、１
２２でクランプする場合には、クランプが不十分で隙間
が生じ、樹脂が漏れ出るという不都合が生じるからであ
る。このような不都合をフローティング機構を採用する
ことにより解決している。しかし、配線基材１１１とし
てテープ材を用いる場合は、かかるフローティング機構
を要しない。テープ材は薄く、基板タイプのものに比較
して厚みのバラツキが小さいため、フローティング機構
を採用しなくとも上述のような不都合は生じないからで
ある。
【０００８】上型１２１は、リリースフィルムを真空吸
着するための吸着用孔４４を有する。吸着用孔４４はキ
ャビティ２３ａ等の表面に開口部４４ａを配置してお
り、その一方で、金型１２０の外部の真空源（図示せ
ず）に接続されている。なお、リリースフィルム使用し
ない金型では、吸着用孔４４は必要ない。
着するための吸着用孔４４を有する。吸着用孔４４はキ
ャビティ２３ａ等の表面に開口部４４ａを配置してお
り、その一方で、金型１２０の外部の真空源（図示せ
ず）に接続されている。なお、リリースフィルム使用し
ない金型では、吸着用孔４４は必要ない。
【０００９】この金型１２０を装備する樹脂モールド装
置は、上型１２１を支持する上ベース（図示せず）と、
下型１２２を支持する下ベース（図示せず）と、金型１
２０を加熱するヒータ（図示せず）と、上述の真空源と
なる真空ポンプ（図示せず）と、型締め機構（図示せ
ず）と、射出機構（図示せず）と、プランジャー２８と
を備える。上下型１２１、１２２はプレートやボルト
（図示せず）等を利用して上下ベースに固定される。上
ベース又は下ベースは、金型１２０を開閉動作させるた
めに型締め機構によって昇降可能に構成されている。
置は、上型１２１を支持する上ベース（図示せず）と、
下型１２２を支持する下ベース（図示せず）と、金型１
２０を加熱するヒータ（図示せず）と、上述の真空源と
なる真空ポンプ（図示せず）と、型締め機構（図示せ
ず）と、射出機構（図示せず）と、プランジャー２８と
を備える。上下型１２１、１２２はプレートやボルト
（図示せず）等を利用して上下ベースに固定される。上
ベース又は下ベースは、金型１２０を開閉動作させるた
めに型締め機構によって昇降可能に構成されている。
【００１０】次に、図８を参照して従来の一括封止方法
による半導体装置の樹脂モールド方法乃至半導体装置の
製造方法につき説明する。
による半導体装置の樹脂モールド方法乃至半導体装置の
製造方法につき説明する。
【００１１】［ボンディング工程］樹脂モールド工程の
前工程として、ボンディング工程を行う。ボンディング
工程では、複数の半導体パッケージ分の半導体素子１２
を一枚の配線基材１１１の主面上にマトリクス上に配列
して搭載・接合する。また、ワイヤボンディング技術等
により配線の内部接続を行う。図８には一例として半導
体素子１２がボンディングワイヤ１６により内部接続さ
れた状態を示した。その他、内部接続用の金属バンプを
使用して半導体素子１２を接続するワイヤレスボンディ
ング法がある。
前工程として、ボンディング工程を行う。ボンディング
工程では、複数の半導体パッケージ分の半導体素子１２
を一枚の配線基材１１１の主面上にマトリクス上に配列
して搭載・接合する。また、ワイヤボンディング技術等
により配線の内部接続を行う。図８には一例として半導
体素子１２がボンディングワイヤ１６により内部接続さ
れた状態を示した。その他、内部接続用の金属バンプを
使用して半導体素子１２を接続するワイヤレスボンディ
ング法がある。
【００１２】［型締め前工程（図８（ａ））］次に、樹
脂モールド工程を行う。まず、型締め前の工程を図８
（ａ）を参照して説明する。下型１２２の配線基材搭載
ブロック１４２に、配線基材１１１を搭載する。また、
上型１２１のキャビティ２３ａ及びカル２９、ランナ３
０を覆うように、リリースフィルム４１を配置するとと
もに、リリースフィルム４１をキャビティ２３ａの表面
に真空吸着して上型１２１の内面形状に沿うように配置
する。このとき吸着用孔４４の開口部４４ａは、リリー
スフィルム４１によって塞がれる。しかし、リリースフ
ィルム４１はガスを透過させる性質を有するため、リリ
ースフィルム４１を透過した多少のガス（空気）が吸着
用孔４４へと吸い込まれ続ける。したがって、リリース
フィルム４１によって吸着用孔４４へのガスの流れが完
全に遮断されるわけではない。なお、リリースフィルム
４１は樹脂２６の離型を容易にするためのものである。
リリースフィルム４１を使用しない場合には、モールド
部にピンを配置し、イジェクト機構により前記ピンを押
し当てて離型させる方法がとられ、上型１２１の内面の
樹脂２６が侵入する部分に離型剤を定期的に使用し、離
型をより確実にすることが行われる。
脂モールド工程を行う。まず、型締め前の工程を図８
（ａ）を参照して説明する。下型１２２の配線基材搭載
ブロック１４２に、配線基材１１１を搭載する。また、
上型１２１のキャビティ２３ａ及びカル２９、ランナ３
０を覆うように、リリースフィルム４１を配置するとと
もに、リリースフィルム４１をキャビティ２３ａの表面
に真空吸着して上型１２１の内面形状に沿うように配置
する。このとき吸着用孔４４の開口部４４ａは、リリー
スフィルム４１によって塞がれる。しかし、リリースフ
ィルム４１はガスを透過させる性質を有するため、リリ
ースフィルム４１を透過した多少のガス（空気）が吸着
用孔４４へと吸い込まれ続ける。したがって、リリース
フィルム４１によって吸着用孔４４へのガスの流れが完
全に遮断されるわけではない。なお、リリースフィルム
４１は樹脂２６の離型を容易にするためのものである。
リリースフィルム４１を使用しない場合には、モールド
部にピンを配置し、イジェクト機構により前記ピンを押
し当てて離型させる方法がとられ、上型１２１の内面の
樹脂２６が侵入する部分に離型剤を定期的に使用し、離
型をより確実にすることが行われる。
【００１３】配線基材１１１及びリリースフィルム４１
は、ヒータ（図示せず）により予めを加熱されている金
型１２０に接触することにより加熱される。配線基材１
１１はその裏面から加熱されるため、配線基材搭載ブロ
ックに搭載された直後においては裏面側でより大きな熱
膨張が生じ全体として反りが生じる場合がある。この配
線基材１１１の反りは熱平衡熱が進むに従って減少す
る。したがって、少なくとも生産上不都合な反りが消滅
するまで樹脂充填を待つ必要がある。次に、下型１２２
のポット２７内に錠剤状の樹脂２６（樹脂タブレット）
を装填する。
は、ヒータ（図示せず）により予めを加熱されている金
型１２０に接触することにより加熱される。配線基材１
１１はその裏面から加熱されるため、配線基材搭載ブロ
ックに搭載された直後においては裏面側でより大きな熱
膨張が生じ全体として反りが生じる場合がある。この配
線基材１１１の反りは熱平衡熱が進むに従って減少す
る。したがって、少なくとも生産上不都合な反りが消滅
するまで樹脂充填を待つ必要がある。次に、下型１２２
のポット２７内に錠剤状の樹脂２６（樹脂タブレット）
を装填する。
【００１４】［型締め（図８（ｂ））］その後、樹脂モ
ールド装置を動作させて上型１２１と下型１２２を接合
させ、金型１２０を型締めする。このとき配線基材１１
１の外縁部は上型１２１と下型１２２とによって挟み込
まれクランプされる。配線基材１１１の中央の半導体素
子１２が配列している領域は直接クランプされることな
くキャビティ２３ａ内に閉じ込められる。
ールド装置を動作させて上型１２１と下型１２２を接合
させ、金型１２０を型締めする。このとき配線基材１１
１の外縁部は上型１２１と下型１２２とによって挟み込
まれクランプされる。配線基材１１１の中央の半導体素
子１２が配列している領域は直接クランプされることな
くキャビティ２３ａ内に閉じ込められる。
【００１５】［樹脂射出・充填（図８（ｃ）、
（ｄ））］次に、樹脂２６を溶融させ、溶融した樹脂２
６をプランジャ２８で押し上げることにより射出し、カ
ル２９、ランナ３０を通してキャビティ２３ａまで流入
させ、樹脂２６を金型１２０内に充填する。樹脂２６の
流入前にキャビティ２３ａ内に存在したガス（空気）
は、樹脂２６の流入に従って樹脂流の前方に押しやら
れ、エアベント１４６から排出される。
（ｄ））］次に、樹脂２６を溶融させ、溶融した樹脂２
６をプランジャ２８で押し上げることにより射出し、カ
ル２９、ランナ３０を通してキャビティ２３ａまで流入
させ、樹脂２６を金型１２０内に充填する。樹脂２６の
流入前にキャビティ２３ａ内に存在したガス（空気）
は、樹脂２６の流入に従って樹脂流の前方に押しやら
れ、エアベント１４６から排出される。
【００１６】［樹脂硬化］樹脂２６には、熱硬化性樹脂
が用いられる。樹脂２６を金型１２０内に充填した後、
樹脂２６を焼成し硬化させる。以上の工程によりパッケ
ージパネルが完成する。その後は金型１２０を開いてパ
ッケージパネルを取り出し、パッケージパネルからリリ
ースフィルム４１を離脱させる。 ［外部端子形成］次に、外部端子を形成する必要がある
場合には外部端子形成工程へと送り出す。ＢＧＡパッケ
ージを生産する場合は、配線基材１１１の裏面に半田ボ
ールを付設してこれを外部端子とする。 ［パッケージダイシング］次に、パッケージダイシング
工程を施す。パッケージダイシングは、円形ブレードの
回転により砥粒加工切断を行うダイシング装置（図示せ
ず）を用いて行う。円形ブレードによりパッケージパネ
ルを切断し、個々の半導体パッケージに個片化する。こ
のようにして一のパッケージパネルから複数の半導体パ
ッケージが得られる。なお、各半導体パッケージの側面
は円形ブレードによる切断面として成形される。
が用いられる。樹脂２６を金型１２０内に充填した後、
樹脂２６を焼成し硬化させる。以上の工程によりパッケ
ージパネルが完成する。その後は金型１２０を開いてパ
ッケージパネルを取り出し、パッケージパネルからリリ
ースフィルム４１を離脱させる。 ［外部端子形成］次に、外部端子を形成する必要がある
場合には外部端子形成工程へと送り出す。ＢＧＡパッケ
ージを生産する場合は、配線基材１１１の裏面に半田ボ
ールを付設してこれを外部端子とする。 ［パッケージダイシング］次に、パッケージダイシング
工程を施す。パッケージダイシングは、円形ブレードの
回転により砥粒加工切断を行うダイシング装置（図示せ
ず）を用いて行う。円形ブレードによりパッケージパネ
ルを切断し、個々の半導体パッケージに個片化する。こ
のようにして一のパッケージパネルから複数の半導体パ
ッケージが得られる。なお、各半導体パッケージの側面
は円形ブレードによる切断面として成形される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来技術では、
以下のような問題があった。図８（ｂ）に示すように金
型１２０を型締めし、配線基材１１１が金型１２０内に
閉じ込められた際に吸着用孔４４の負圧がリリースフィ
ルム４１を透過して配線基材１１１に作用し、配線基材
１１１が上型１２１の方へ引き寄せられ、配線基材１１
１の中央部が配線基材搭載ブロック１４２の表面から浮
き上がる現象が起こる。配線基材１１１の中央部が浮き
上がってボンディングワイヤ１６のループ部等の一番高
い位置にある部分がリリースフィルム４１に接触する場
合（この場合をモード１とする）があった。また、図８
（c）に示すように溶融した樹脂２６をキャビティ２３
ａ内に圧入して行く際に、配線基材１１１の樹脂流入終
端部分がよれて浮き上がる。そしてボンディングワイヤ
１６のループ部等の一番高い位置にある部分がリリース
フィルム４１に接触する場合（この場合をモード２とす
る）があった。本出願発明者の検証により、配線基材１
１１が基板タイプの場合には主に前者（モード１）の態
様の接触が生じ、配線基材１１１がテープタイプの場合
には主に後者（モード２）の態様の接触が生じることを
確認されている。
以下のような問題があった。図８（ｂ）に示すように金
型１２０を型締めし、配線基材１１１が金型１２０内に
閉じ込められた際に吸着用孔４４の負圧がリリースフィ
ルム４１を透過して配線基材１１１に作用し、配線基材
１１１が上型１２１の方へ引き寄せられ、配線基材１１
１の中央部が配線基材搭載ブロック１４２の表面から浮
き上がる現象が起こる。配線基材１１１の中央部が浮き
上がってボンディングワイヤ１６のループ部等の一番高
い位置にある部分がリリースフィルム４１に接触する場
合（この場合をモード１とする）があった。また、図８
（c）に示すように溶融した樹脂２６をキャビティ２３
ａ内に圧入して行く際に、配線基材１１１の樹脂流入終
端部分がよれて浮き上がる。そしてボンディングワイヤ
１６のループ部等の一番高い位置にある部分がリリース
フィルム４１に接触する場合（この場合をモード２とす
る）があった。本出願発明者の検証により、配線基材１
１１が基板タイプの場合には主に前者（モード１）の態
様の接触が生じ、配線基材１１１がテープタイプの場合
には主に後者（モード２）の態様の接触が生じることを
確認されている。
【００１８】このようなリリースフィルム４１への接触
が生じると、ボンディングワイヤ１６等にストレスを与
え、不都合な変形を発生させるという問題が起こる。ま
た、接触痕がリリースフィルム４１に残り、そのまま樹
脂封止を行うと半導体パッケージの樹脂表面にリリース
フィルム４１の接触痕が転写されるという外観不良が発
生する。かかる外観不良の生じた半導体パッケージは外
観検査において不良品として生産ラインから除去せざる
を得ない。例えば、ボンディングワイヤ１６の接触痕が
転写された半導体パッケージは、ボンディングワイヤが
露出して適正に樹脂封止されていないと誤認した結果、
生産ラインから除去される場合がある。また、ボンディ
ングワイヤ１６が露出しているのではなくボンディング
ワイヤ１６の接触痕が転写されていると認識できても、
そのような半導体パッケージは、樹脂内部においてボン
ディングワイヤ１６に欠陥が生じている可能性が高いの
で生産ラインから除去するという選択をせざるを得ない
場合がある。また、たとえ正常に動作するものであって
も外観不良のある半導体パッケージは製品として顧客に
納品しがたいという問題がある。
が生じると、ボンディングワイヤ１６等にストレスを与
え、不都合な変形を発生させるという問題が起こる。ま
た、接触痕がリリースフィルム４１に残り、そのまま樹
脂封止を行うと半導体パッケージの樹脂表面にリリース
フィルム４１の接触痕が転写されるという外観不良が発
生する。かかる外観不良の生じた半導体パッケージは外
観検査において不良品として生産ラインから除去せざる
を得ない。例えば、ボンディングワイヤ１６の接触痕が
転写された半導体パッケージは、ボンディングワイヤが
露出して適正に樹脂封止されていないと誤認した結果、
生産ラインから除去される場合がある。また、ボンディ
ングワイヤ１６が露出しているのではなくボンディング
ワイヤ１６の接触痕が転写されていると認識できても、
そのような半導体パッケージは、樹脂内部においてボン
ディングワイヤ１６に欠陥が生じている可能性が高いの
で生産ラインから除去するという選択をせざるを得ない
場合がある。また、たとえ正常に動作するものであって
も外観不良のある半導体パッケージは製品として顧客に
納品しがたいという問題がある。
【００１９】基板の浮き上がりを防止するために、特開
平８−１４２１０６号に開示される樹脂モールド装置の
ように配線基材を真空吸着する方法が考えられる。しか
し本出願発明者は、配線基材を真空吸着する方法をとっ
ても、リリースフィルムの吸着手段によって配線基材表
面に作用する負圧が、配線基材吸着手段によって配線基
材裏面に作用する負圧より勝る場合には、モード１のよ
うな配線基材の浮き上がりが発生することを発見した。
配線基材１１１を基板タイプとする場合には、配線基材
搭載ブロック１４２をフローティング動作させるため、
配線基材搭載ブロック１４２とこれに隣接する他のブロ
ックとの間に一定の隙間を設けなくてはならない。かか
る隙間が真空漏れの原因となり、基板裏面の吸着力を低
下させる結果、モード１のような配線基材の浮き上がり
を発生させる。
平８−１４２１０６号に開示される樹脂モールド装置の
ように配線基材を真空吸着する方法が考えられる。しか
し本出願発明者は、配線基材を真空吸着する方法をとっ
ても、リリースフィルムの吸着手段によって配線基材表
面に作用する負圧が、配線基材吸着手段によって配線基
材裏面に作用する負圧より勝る場合には、モード１のよ
うな配線基材の浮き上がりが発生することを発見した。
配線基材１１１を基板タイプとする場合には、配線基材
搭載ブロック１４２をフローティング動作させるため、
配線基材搭載ブロック１４２とこれに隣接する他のブロ
ックとの間に一定の隙間を設けなくてはならない。かか
る隙間が真空漏れの原因となり、基板裏面の吸着力を低
下させる結果、モード１のような配線基材の浮き上がり
を発生させる。
【００２０】また、特開平８−１４２１０６号は、この
公報の段落００１６にあるように個片に切断した基板に
ボンディングされた半導体素子を樹脂封止する装置を例
示している。個片に切断した基板にボンディングされた
半導体素子を樹脂封止する場合、半導体素子の周囲の基
板をクランプして保持すれば、真空吸引手段によって配
線基材表裏に差圧が生じても、半導体素子やボンディン
グワイヤがリリースフィルムに接触するほど上下に変動
することは無い。すなわち上述のような問題は発生しな
い。また、特開平８−１４２１０６号に開示される樹脂
モールド装置が配線基材を真空吸着するのは、型締め前
に配線基材を上型に吸引搭載するためであると推察さ
れ、型締め後において配線基材を保持するためとの記載
はない。したがって、特開平８−１４２１０６号は、本
出願のように一枚の配線基材に複数の半導体パッケージ
分の半導体素子をボンディングし一括封止する技術にお
いて、上記問題を解決する手段又は手がかりを開示して
おらず、上記問題は解決できない。また、基板を個片に
切断せずに、一枚の配線基材に複数の半導体パッケージ
分の半導体素子をボンディングしたものを樹脂封止する
場合であっても、個別封止方法を採用すれば、各キャビ
ティ間で基板をクランプすることができるので、上述の
ような問題は発生しない。
公報の段落００１６にあるように個片に切断した基板に
ボンディングされた半導体素子を樹脂封止する装置を例
示している。個片に切断した基板にボンディングされた
半導体素子を樹脂封止する場合、半導体素子の周囲の基
板をクランプして保持すれば、真空吸引手段によって配
線基材表裏に差圧が生じても、半導体素子やボンディン
グワイヤがリリースフィルムに接触するほど上下に変動
することは無い。すなわち上述のような問題は発生しな
い。また、特開平８−１４２１０６号に開示される樹脂
モールド装置が配線基材を真空吸着するのは、型締め前
に配線基材を上型に吸引搭載するためであると推察さ
れ、型締め後において配線基材を保持するためとの記載
はない。したがって、特開平８−１４２１０６号は、本
出願のように一枚の配線基材に複数の半導体パッケージ
分の半導体素子をボンディングし一括封止する技術にお
いて、上記問題を解決する手段又は手がかりを開示して
おらず、上記問題は解決できない。また、基板を個片に
切断せずに、一枚の配線基材に複数の半導体パッケージ
分の半導体素子をボンディングしたものを樹脂封止する
場合であっても、個別封止方法を採用すれば、各キャビ
ティ間で基板をクランプすることができるので、上述の
ような問題は発生しない。
【００２１】本発明は以上の従来技術における問題に鑑
みてなされたものであって、一枚の配線基材の片面に複
数の半導体素子をボンディングし、これらの半導体素子
を、単一のキャビティ内に収めて一括して樹脂封止する
トランスファモールド技術において、金型内に閉じ込め
られた配線基材の金型表面からの浮き上がりに起因する
不具合を有効に防止し、内部的にも外観的にも良好な半
導体パッケージを歩留まり良く製造可能な樹脂モールド
方法、モールド成形用金型及び配線基材を提供すること
を課題とする。
みてなされたものであって、一枚の配線基材の片面に複
数の半導体素子をボンディングし、これらの半導体素子
を、単一のキャビティ内に収めて一括して樹脂封止する
トランスファモールド技術において、金型内に閉じ込め
られた配線基材の金型表面からの浮き上がりに起因する
不具合を有効に防止し、内部的にも外観的にも良好な半
導体パッケージを歩留まり良く製造可能な樹脂モールド
方法、モールド成形用金型及び配線基材を提供すること
を課題とする。
【００２２】
【００２３】前記課題を解決する本出願第１の発明は、
モールド成型用金型の上型及び下型のうち一方の型に設
けられた配線基材搭載面に、表面に複数の半導体パッケ
ージ分の半導体素子がボンディングされたテープ状又は
板状の配線基材を搭載し、型締めして前記配線基材の縁
部を上型と下型とでクランプするとともに前記半導体素
子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内
に樹脂を充填するに際して、前記モールド成型用金型が
閉状態である時に、前記配線基材の表面に作用する圧力
値を前記配線基材の裏面に作用する圧力値より高く設定
することを特徴とする樹脂モールド方法である。
モールド成型用金型の上型及び下型のうち一方の型に設
けられた配線基材搭載面に、表面に複数の半導体パッケ
ージ分の半導体素子がボンディングされたテープ状又は
板状の配線基材を搭載し、型締めして前記配線基材の縁
部を上型と下型とでクランプするとともに前記半導体素
子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内
に樹脂を充填するに際して、前記モールド成型用金型が
閉状態である時に、前記配線基材の表面に作用する圧力
値を前記配線基材の裏面に作用する圧力値より高く設定
することを特徴とする樹脂モールド方法である。
【００２４】したがって本出願第１の発明の樹脂モール
ド方法によれば、モールド成型用金型が閉状態である時
に、前記配線基材の表面に作用する圧力値を前記配線基
材の裏面に作用する圧力値より高く設定するので、金型
内に閉じ込められた配線基材が金型表面からの浮き上が
ることが無く、ボンディングワイヤのループ部等の一番
高い位置にある部分がリリースフィルムに接触すること
が無い。その結果、ボンディングワイヤ等の配線基材表
面に付設された部品に接触によるダメージを与えず、か
つ、外観良好な樹脂パッケージが得られるという利点が
ある。なお、テープ状の配線基材としては、ポリイミド
フィルム等の絶縁フィルムに銅箔等の金属箔による配線
パターンを付設したテープキャリア（フィルムキャリ
ア）が該当する。板状の配線基材としてはガラス・エポ
キシ板等の絶縁基板に銅箔等の金属箔による配線パター
ンを付設した配線基板が該当する。
ド方法によれば、モールド成型用金型が閉状態である時
に、前記配線基材の表面に作用する圧力値を前記配線基
材の裏面に作用する圧力値より高く設定するので、金型
内に閉じ込められた配線基材が金型表面からの浮き上が
ることが無く、ボンディングワイヤのループ部等の一番
高い位置にある部分がリリースフィルムに接触すること
が無い。その結果、ボンディングワイヤ等の配線基材表
面に付設された部品に接触によるダメージを与えず、か
つ、外観良好な樹脂パッケージが得られるという利点が
ある。なお、テープ状の配線基材としては、ポリイミド
フィルム等の絶縁フィルムに銅箔等の金属箔による配線
パターンを付設したテープキャリア（フィルムキャリ
ア）が該当する。板状の配線基材としてはガラス・エポ
キシ板等の絶縁基板に銅箔等の金属箔による配線パター
ンを付設した配線基板が該当する。
【００２５】前記課題を解決する本出願第２の発明は、
モールド成型用金型の上型及び下型にキャビティ表面に
開口する吸着用孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続
し、上型及び下型のうち一方の型にリリースフィルムを
前記吸着用孔で吸引して真空吸着させ、他方の型に、表
面に複数の半導体パッケージ分の半導体素子がボンディ
ングされたテープ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸
着用孔で吸引して真空吸着させ、型締めして前記配線基
材の縁部を上型と下型とでクランプするとともに前記半
導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビ
ティ内に樹脂を充填するに際して、前記モールド成型用
金型が閉状態である時に、前記配線基材の裏面に作用す
る負圧値を前記配線基材の表面に作用する負圧値より大
きく設定することを特徴とする樹脂モールド方法であ
る。
モールド成型用金型の上型及び下型にキャビティ表面に
開口する吸着用孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続
し、上型及び下型のうち一方の型にリリースフィルムを
前記吸着用孔で吸引して真空吸着させ、他方の型に、表
面に複数の半導体パッケージ分の半導体素子がボンディ
ングされたテープ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸
着用孔で吸引して真空吸着させ、型締めして前記配線基
材の縁部を上型と下型とでクランプするとともに前記半
導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビ
ティ内に樹脂を充填するに際して、前記モールド成型用
金型が閉状態である時に、前記配線基材の裏面に作用す
る負圧値を前記配線基材の表面に作用する負圧値より大
きく設定することを特徴とする樹脂モールド方法であ
る。
【００２６】したがって本出願第２の発明の樹脂モール
ド方法によれば、モールド成型用金型が閉状態である時
に、配線基材の裏面に作用する負圧値を配線基材の表面
に作用する負圧値より大きく設定するので、金型内に閉
じ込められた配線基材が金型表面からの浮き上がること
が無く、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設さ
れた部品がリリースフィルムに接触することが無い。そ
の結果、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設さ
れた部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観良
好な樹脂パッケージが得られるという利点がある。
ド方法によれば、モールド成型用金型が閉状態である時
に、配線基材の裏面に作用する負圧値を配線基材の表面
に作用する負圧値より大きく設定するので、金型内に閉
じ込められた配線基材が金型表面からの浮き上がること
が無く、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設さ
れた部品がリリースフィルムに接触することが無い。そ
の結果、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設さ
れた部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観良
好な樹脂パッケージが得られるという利点がある。
【００２７】また本出願第３の発明は、モールド成型用
金型の上型及び下型にキャビティ表面に開口する吸着用
孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続し、上型及び下
型のうち一方の型にリリースフィルムを前記吸着用孔で
吸引して真空吸着させ、他方の型に、表面に複数の半導
体パッケージ分の半導体素子がボンディングされたテー
プ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔で吸引し
て真空吸着させ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填するに際して、前記モールド成型用金型が閉状態で
ある時に、前記配線基材を吸引する一の真空源の負圧値
を前記リリースフィルムを吸引する他の真空源の負圧値
より大きく設定することを特徴とする樹脂モールド方法
である。
金型の上型及び下型にキャビティ表面に開口する吸着用
孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続し、上型及び下
型のうち一方の型にリリースフィルムを前記吸着用孔で
吸引して真空吸着させ、他方の型に、表面に複数の半導
体パッケージ分の半導体素子がボンディングされたテー
プ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔で吸引し
て真空吸着させ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填するに際して、前記モールド成型用金型が閉状態で
ある時に、前記配線基材を吸引する一の真空源の負圧値
を前記リリースフィルムを吸引する他の真空源の負圧値
より大きく設定することを特徴とする樹脂モールド方法
である。
【００２８】配線基材の表裏に作用する負圧値を検出す
ることは簡単ではないため、真空源の負圧値を検出して
制御することが簡便な解決手段となる。本発明者によっ
て、配線基材を吸引する一の真空源の負圧値をリリース
フィルムを吸引する他の真空源の負圧値より大きく設定
することで、金型内に閉じ込められた配線基材が金型表
面からの浮き上がることが無く、ボンディングワイヤ等
の配線基材表面に付設された部品がリリースフィルムに
接触することが無いことが確認された。したがって本出
願第３の発明の樹脂モールド方法によれば、ボンディン
グワイヤ等の配線基材表面に付設された部品に接触によ
るダメージを与えず、かつ、外観良好な樹脂パッケージ
が得られるという利点がある。
ることは簡単ではないため、真空源の負圧値を検出して
制御することが簡便な解決手段となる。本発明者によっ
て、配線基材を吸引する一の真空源の負圧値をリリース
フィルムを吸引する他の真空源の負圧値より大きく設定
することで、金型内に閉じ込められた配線基材が金型表
面からの浮き上がることが無く、ボンディングワイヤ等
の配線基材表面に付設された部品がリリースフィルムに
接触することが無いことが確認された。したがって本出
願第３の発明の樹脂モールド方法によれば、ボンディン
グワイヤ等の配線基材表面に付設された部品に接触によ
るダメージを与えず、かつ、外観良好な樹脂パッケージ
が得られるという利点がある。
【００２９】また本出願第４の発明は、モールド成型用
金型の上型及び下型にキャビティ表面に開口する吸着用
孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続し、上型及び下
型のうち一方の型にリリースフィルムを前記吸着用孔で
吸引して真空吸着させ、他方の型に、表面に複数の半導
体パッケージ分の半導体素子がボンディングされたテー
プ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔で吸引し
て真空吸着させ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填するに際して、前記モールド成型用金型が閉状態で
ある時に、前記配線基材を吸引する流路に設けられたバ
ルブであってこの流路に沿って金型に最直近のバルブで
の負圧値を、前記リリースフィルムを吸引する流路に設
けられたバルブであってこの流路に沿って金型に最直近
のバルブでの負圧値より大きく設定することを特徴とす
る樹脂モールド方法である。
金型の上型及び下型にキャビティ表面に開口する吸着用
孔を設け、前記吸着用孔を真空源に接続し、上型及び下
型のうち一方の型にリリースフィルムを前記吸着用孔で
吸引して真空吸着させ、他方の型に、表面に複数の半導
体パッケージ分の半導体素子がボンディングされたテー
プ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔で吸引し
て真空吸着させ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填するに際して、前記モールド成型用金型が閉状態で
ある時に、前記配線基材を吸引する流路に設けられたバ
ルブであってこの流路に沿って金型に最直近のバルブで
の負圧値を、前記リリースフィルムを吸引する流路に設
けられたバルブであってこの流路に沿って金型に最直近
のバルブでの負圧値より大きく設定することを特徴とす
る樹脂モールド方法である。
【００３０】配線基材の表裏に作用する負圧値を検出す
ることは簡単ではないため、真空源の負圧値を検出して
制御することが簡便な解決手段となる。しかし、一の真
空源の出力を分配して配線基材及びリリースフィルムを
吸引する場合は配線基材を吸引する真空源とリリースフ
ィルムを吸引する真空源とが同一であるため、真空源の
負圧値を検出しても意味がない。また、真空源の負圧値
より、配線基材又はリリースフィルムを吸引する流路に
設けられたバルブであってこれらの流路に沿って金型に
最直近のバルブでの負圧値の方が実効値（配線基材の表
裏に作用する負圧値）に近いといえる。本発明者によっ
て、配線基材を吸引する流路に設けられたバルブであっ
てこの流路に沿って金型に最直近のバルブでの負圧値
を、リリースフィルムを吸引する流路に設けられたバル
ブであってこの流路に沿って金型に最直近のバルブでの
負圧値より大きく設定することで、金型内に閉じ込めら
れた配線基材が金型表面からの浮き上がることが無く、
ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品
がリリースフィルムに接触することが無いことが確認さ
れた。したがって本出願第４の発明の樹脂モールド方法
によれば、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設
された部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観
良好な樹脂パッケージが得られるという利点がある。
ることは簡単ではないため、真空源の負圧値を検出して
制御することが簡便な解決手段となる。しかし、一の真
空源の出力を分配して配線基材及びリリースフィルムを
吸引する場合は配線基材を吸引する真空源とリリースフ
ィルムを吸引する真空源とが同一であるため、真空源の
負圧値を検出しても意味がない。また、真空源の負圧値
より、配線基材又はリリースフィルムを吸引する流路に
設けられたバルブであってこれらの流路に沿って金型に
最直近のバルブでの負圧値の方が実効値（配線基材の表
裏に作用する負圧値）に近いといえる。本発明者によっ
て、配線基材を吸引する流路に設けられたバルブであっ
てこの流路に沿って金型に最直近のバルブでの負圧値
を、リリースフィルムを吸引する流路に設けられたバル
ブであってこの流路に沿って金型に最直近のバルブでの
負圧値より大きく設定することで、金型内に閉じ込めら
れた配線基材が金型表面からの浮き上がることが無く、
ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品
がリリースフィルムに接触することが無いことが確認さ
れた。したがって本出願第４の発明の樹脂モールド方法
によれば、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設
された部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観
良好な樹脂パッケージが得られるという利点がある。
【００３１】また本出願第５の発明は、キャビティ表面
に開口する通気孔を有するモールド成型用金型を用い、
前記モールド成型用金型のキャビティ内に、表面に複数
の半導体パッケージ分の半導体素子がボンディングされ
たテープ状又は板状の配線基材を設置し、型締めして前
記配線基材の縁部を前記モールド成型用金型の上型と下
型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一のキ
ャビティ内に閉じ込め、前記通気孔からキャビティ内に
ガスを圧入してこのガスの圧力により前記配線基材をキ
ャビティ表面に押圧して支持しつつ、前記キャビティ内
に樹脂を充填することを特徴とする樹脂モールド方法で
ある。
に開口する通気孔を有するモールド成型用金型を用い、
前記モールド成型用金型のキャビティ内に、表面に複数
の半導体パッケージ分の半導体素子がボンディングされ
たテープ状又は板状の配線基材を設置し、型締めして前
記配線基材の縁部を前記モールド成型用金型の上型と下
型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一のキ
ャビティ内に閉じ込め、前記通気孔からキャビティ内に
ガスを圧入してこのガスの圧力により前記配線基材をキ
ャビティ表面に押圧して支持しつつ、前記キャビティ内
に樹脂を充填することを特徴とする樹脂モールド方法で
ある。
【００３２】したがって本出願第５の発明の樹脂モール
ド方法によれば、前記通気孔からキャビティ内にガスを
圧入してこのガスの圧力により前記配線基材をキャビテ
ィ表面に押圧して支持するので、金型内に閉じ込められ
た配線基材が金型表面からの浮き上がることが無く、ボ
ンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品が
リリースフィルムに接触することが無い。その結果、ボ
ンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品に
接触によるダメージを与えず、かつ、外観良好な樹脂パ
ッケージが得られるという利点がある。また、本出願第
５の発明の樹脂モールド方法によれば、前記通気孔から
キャビティ内にガスを圧入してこのガスの圧力により前
記配線基材をキャビティ表面に押圧して支持しつつ、前
記キャビティ内に樹脂を充填するので、キャビティ内に
流入する樹脂もキャビティ内に圧入されたガスの圧力を
受ける。このガス圧により樹脂の充填を均一に行うこと
ができるという利点がある。
ド方法によれば、前記通気孔からキャビティ内にガスを
圧入してこのガスの圧力により前記配線基材をキャビテ
ィ表面に押圧して支持するので、金型内に閉じ込められ
た配線基材が金型表面からの浮き上がることが無く、ボ
ンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品が
リリースフィルムに接触することが無い。その結果、ボ
ンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された部品に
接触によるダメージを与えず、かつ、外観良好な樹脂パ
ッケージが得られるという利点がある。また、本出願第
５の発明の樹脂モールド方法によれば、前記通気孔から
キャビティ内にガスを圧入してこのガスの圧力により前
記配線基材をキャビティ表面に押圧して支持しつつ、前
記キャビティ内に樹脂を充填するので、キャビティ内に
流入する樹脂もキャビティ内に圧入されたガスの圧力を
受ける。このガス圧により樹脂の充填を均一に行うこと
ができるという利点がある。
【００３３】前記通気孔として、従来の金型に設けられ
ている既存のエアベント（air vent）を用いることがで
きる。また、キャビティ内にガスを圧入してこのガスの
圧力により配線基材をキャビティ表面に押圧して支持す
るので、配線基材搭載ブロックに配線基材の支持手段と
しての吸着用孔を設ける必要は無い。したがって、現有
の設備を利用して本出願第５の発明の樹脂モールド方法
を実施することができる。
ている既存のエアベント（air vent）を用いることがで
きる。また、キャビティ内にガスを圧入してこのガスの
圧力により配線基材をキャビティ表面に押圧して支持す
るので、配線基材搭載ブロックに配線基材の支持手段と
しての吸着用孔を設ける必要は無い。したがって、現有
の設備を利用して本出願第５の発明の樹脂モールド方法
を実施することができる。
【００３４】また本出願第６の発明は、本出願第１の発
明から本出願第５の発明のうちいずれか一の発明の樹脂
モールド方法において、前記配線基材を板状の配線基材
（配線基板）とし、前記モールド成型用金型を、配線基
材搭載ブロックがフローティング機構により上下動可能
に支持されてなるモールド成型用金型とすることを特徴
とする。
明から本出願第５の発明のうちいずれか一の発明の樹脂
モールド方法において、前記配線基材を板状の配線基材
（配線基板）とし、前記モールド成型用金型を、配線基
材搭載ブロックがフローティング機構により上下動可能
に支持されてなるモールド成型用金型とすることを特徴
とする。
【００３５】したがって本出願第６の発明の樹脂モール
ド方法によれば、フローティング機構による受ける利益
を維持しつつ、フローティング機構を採用したことによ
り生じる真空漏れに起因した不利益を、本出願第２の発
明から本出願第５の発明のうちいずれか一の発明の技術
的手段により解消することができるという利点がある。
ド方法によれば、フローティング機構による受ける利益
を維持しつつ、フローティング機構を採用したことによ
り生じる真空漏れに起因した不利益を、本出願第２の発
明から本出願第５の発明のうちいずれか一の発明の技術
的手段により解消することができるという利点がある。
【００３６】配線基材を基板タイプとする場合には、配
線基材搭載ブロックをフローティング動作させるため、
配線基材搭載ブロックとこれに隣接する他のブロックと
の間にの一定の隙間を設けなくてはならない。かかる隙
間が真空漏れの原因となり、基板裏面の吸着力を低下さ
せる結果、モード１のような配線基材の浮き上がりを発
生させるという問題がある。しかし、本出願第２の発明
から本出願第４の発明のいずれの発明によっても、基材
表面に作用する負圧より基板裏面に作用する負圧を高め
るように圧力を調整するので、配線基材搭載ブロックと
これに隣接する他のブロックとの隙間からの真空漏れが
基板裏面の吸着力を低下させることに起因するモード１
の基板の浮き上がりの発生を防止することができる。ま
た、本出願第５の発明によれば、配線基材搭載ブロック
に配線基材の支持手段としての吸着用溝を設けなくと
も、キャビティ内に圧入されたガスの圧力により配線基
材がキャビティ表面に押圧されて十分な支持力が得られ
ので、根本的に真空漏れは発生せず、上記問題は消滅す
る。
線基材搭載ブロックをフローティング動作させるため、
配線基材搭載ブロックとこれに隣接する他のブロックと
の間にの一定の隙間を設けなくてはならない。かかる隙
間が真空漏れの原因となり、基板裏面の吸着力を低下さ
せる結果、モード１のような配線基材の浮き上がりを発
生させるという問題がある。しかし、本出願第２の発明
から本出願第４の発明のいずれの発明によっても、基材
表面に作用する負圧より基板裏面に作用する負圧を高め
るように圧力を調整するので、配線基材搭載ブロックと
これに隣接する他のブロックとの隙間からの真空漏れが
基板裏面の吸着力を低下させることに起因するモード１
の基板の浮き上がりの発生を防止することができる。ま
た、本出願第５の発明によれば、配線基材搭載ブロック
に配線基材の支持手段としての吸着用溝を設けなくと
も、キャビティ内に圧入されたガスの圧力により配線基
材がキャビティ表面に押圧されて十分な支持力が得られ
ので、根本的に真空漏れは発生せず、上記問題は消滅す
る。
【００３７】また本出願第７の発明は、単一の半導体パ
ッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数備える
テープ状又は板状の配線基材を構成し、前記各配線基材
ユニットの表面に半導体素子をボンディングし、一方に
おいて、モールド成型用金型の上型及び下型のうち一方
の型の配線基材搭載面に開口部を有する吸着用孔を、前
記開口部が前記配線基材の裏面上の前記配線基材ユニッ
ト外となる領域に対向し、かつ、他方の型のキャビティ
に対向するように、形成し、その後、前記配線基材の裏
面を前記配線基材搭載面に設置し、前記吸着用孔を真空
源に接続し、前記吸着用孔を負圧にして前記配線基材を
前記配線基材搭載面に吸着支持しつつ、型締めして前記
配線基材の縁部を上型と下型とでクランプするとともに
前記半導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記
キャビティ内に樹脂を充填することを特徴とする樹脂モ
ールド方法である。
ッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数備える
テープ状又は板状の配線基材を構成し、前記各配線基材
ユニットの表面に半導体素子をボンディングし、一方に
おいて、モールド成型用金型の上型及び下型のうち一方
の型の配線基材搭載面に開口部を有する吸着用孔を、前
記開口部が前記配線基材の裏面上の前記配線基材ユニッ
ト外となる領域に対向し、かつ、他方の型のキャビティ
に対向するように、形成し、その後、前記配線基材の裏
面を前記配線基材搭載面に設置し、前記吸着用孔を真空
源に接続し、前記吸着用孔を負圧にして前記配線基材を
前記配線基材搭載面に吸着支持しつつ、型締めして前記
配線基材の縁部を上型と下型とでクランプするとともに
前記半導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込め、前記
キャビティ内に樹脂を充填することを特徴とする樹脂モ
ールド方法である。
【００３８】配線基材搭載ブロックに吸着用孔を設ける
と配線基材裏面に吸着痕を残す。したがって個々の半導
体パッケージとなる製品部分に接触する位置に吸着用孔
の開口部を設けると、製品に傷を残してしまう。しか
し、本出願第７の発明の樹脂モールド方法によれば、吸
着用孔の開口部が前記配線基材の裏面上の前記配線基材
ユニット外となる領域に対向するように配置されるの
で、そのような吸着痕を配線基材ユニット裏面、すなわ
ち、製品化後の半導体パッケージの裏面に付けることが
ないという利点がある。また、吸着用孔の開口部を他方
の型のキャビティに対向するように配置する。キャビテ
ィ範囲内では配線基材がクランプされず、浮き上がりが
発生する可能性があるため、そのような位置に開口部を
設けることで配線基材の浮き上がりを有効に抑止できる
からである。
と配線基材裏面に吸着痕を残す。したがって個々の半導
体パッケージとなる製品部分に接触する位置に吸着用孔
の開口部を設けると、製品に傷を残してしまう。しか
し、本出願第７の発明の樹脂モールド方法によれば、吸
着用孔の開口部が前記配線基材の裏面上の前記配線基材
ユニット外となる領域に対向するように配置されるの
で、そのような吸着痕を配線基材ユニット裏面、すなわ
ち、製品化後の半導体パッケージの裏面に付けることが
ないという利点がある。また、吸着用孔の開口部を他方
の型のキャビティに対向するように配置する。キャビテ
ィ範囲内では配線基材がクランプされず、浮き上がりが
発生する可能性があるため、そのような位置に開口部を
設けることで配線基材の浮き上がりを有効に抑止できる
からである。
【００３９】また本出願第８の発明は、本出願第７の発
明の樹脂モールド方法において、前記開口部を配線基材
周縁領域に対向するように配置することを特徴とする。
明の樹脂モールド方法において、前記開口部を配線基材
周縁領域に対向するように配置することを特徴とする。
【００４０】配線基材周縁領域とは、配線基材の全域の
うち配線基材ユニットの配列領域の周囲の領域をいう。
単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間
隔で複数備えるテープ状又は板状の配線基材を構成する
際には、配線基材の外形寸法を一定とし、この配線基材
内に単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットをマ
トリックス状にレイアウトして設計する。そのため、半
導体パッケージの外形寸法によってそのレイアウトが異
なり、配線基材ユニットの配列領域内で配線基材ユニッ
ト外となる領域も半導体パッケージの外形寸法ごとに異
なってくる。したがって、配線基材ユニットの配列領域
内で配線基材ユニット外となる領域に対向する位置に吸
着用孔の開口部を配置する方法では、一の金型を多種の
製品（半導体パッケージ）に共通して使用できるように
設計することは簡単ではない。しかし、本出願第８の発
明の樹脂モールド方法によれば、吸着用孔の開口部を配
線基材周縁領域に対向するように配置するので、一の金
型を多種の製品（半導体パッケージ）に共通して使用で
きるように設計することが容易となり、製造設備の共通
化が図られるという利点がある。また、配線基材周縁領
域には比較的多くの開口部を制約なく設けることができ
るので、配線基材の大きさに応じ、必要数の開口部を設
け、十分な支持力を得ることができ、配線基材の浮き上
がりを有効に防止でできるという利点がある。
うち配線基材ユニットの配列領域の周囲の領域をいう。
単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間
隔で複数備えるテープ状又は板状の配線基材を構成する
際には、配線基材の外形寸法を一定とし、この配線基材
内に単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットをマ
トリックス状にレイアウトして設計する。そのため、半
導体パッケージの外形寸法によってそのレイアウトが異
なり、配線基材ユニットの配列領域内で配線基材ユニッ
ト外となる領域も半導体パッケージの外形寸法ごとに異
なってくる。したがって、配線基材ユニットの配列領域
内で配線基材ユニット外となる領域に対向する位置に吸
着用孔の開口部を配置する方法では、一の金型を多種の
製品（半導体パッケージ）に共通して使用できるように
設計することは簡単ではない。しかし、本出願第８の発
明の樹脂モールド方法によれば、吸着用孔の開口部を配
線基材周縁領域に対向するように配置するので、一の金
型を多種の製品（半導体パッケージ）に共通して使用で
きるように設計することが容易となり、製造設備の共通
化が図られるという利点がある。また、配線基材周縁領
域には比較的多くの開口部を制約なく設けることができ
るので、配線基材の大きさに応じ、必要数の開口部を設
け、十分な支持力を得ることができ、配線基材の浮き上
がりを有効に防止でできるという利点がある。
【００４１】しかし、吸着用孔の開口部を配線基材周縁
領域のみに対向するように配置し配線基材の中央部を直
接吸着支持しない構成の場合は、配線基板がある程度大
型になると、配線基材の中央部に対する保持力に限界が
生じる場合がある。そのような場合には、配線基材の浮
き上がりの発生や、それに伴うボンディングワイヤ等の
配線基材表面に付設された部品の接触の発生のおそれが
ある。そこで本出願第９の発明は、本出願第７の発明の
樹脂モールド方法において、前記開口部を前記配線基材
ユニット間の領域に対向するように配置することを特徴
とする。
領域のみに対向するように配置し配線基材の中央部を直
接吸着支持しない構成の場合は、配線基板がある程度大
型になると、配線基材の中央部に対する保持力に限界が
生じる場合がある。そのような場合には、配線基材の浮
き上がりの発生や、それに伴うボンディングワイヤ等の
配線基材表面に付設された部品の接触の発生のおそれが
ある。そこで本出願第９の発明は、本出願第７の発明の
樹脂モールド方法において、前記開口部を前記配線基材
ユニット間の領域に対向するように配置することを特徴
とする。
【００４２】また本出願第１０の発明は、本出願第７の
発明の樹脂モールド方法において、前記開口部を複数と
し、そのうちいくつかの開口部を配線基材周縁領域に対
向するように配置し、他の開口部を前記配線基材ユニッ
ト間の領域に対向するように配置することを特徴とす
る。
発明の樹脂モールド方法において、前記開口部を複数と
し、そのうちいくつかの開口部を配線基材周縁領域に対
向するように配置し、他の開口部を前記配線基材ユニッ
ト間の領域に対向するように配置することを特徴とす
る。
【００４３】したがって本出願第９の発明又は本出願第
１０の発明の樹脂モールド方法によれば、吸着用孔の開
口部を前記配線基材ユニット間の領域に対向するように
配置するので、配線基材ユニット間の領域で配線基材中
央部を直接吸着保持し、比較的大型の配線基材を使用す
る場合であっても、配線基材の浮き上がりを有効に防止
することができるという利点がある。また、本出願第１
０の発明の樹脂モールド方法において、配線基材周縁領
域に比較的多数の開口部を設け、配線基材ユニット間の
領域に比較的少数の開口部を設け、前記少数の開口部の
配置を工夫することにより、配線基材の保持と、金型の
共用化との均衡が最適な金型を構成することができる。
その工夫の一例となる本出願第１１の発明を次に開示す
る。
１０の発明の樹脂モールド方法によれば、吸着用孔の開
口部を前記配線基材ユニット間の領域に対向するように
配置するので、配線基材ユニット間の領域で配線基材中
央部を直接吸着保持し、比較的大型の配線基材を使用す
る場合であっても、配線基材の浮き上がりを有効に防止
することができるという利点がある。また、本出願第１
０の発明の樹脂モールド方法において、配線基材周縁領
域に比較的多数の開口部を設け、配線基材ユニット間の
領域に比較的少数の開口部を設け、前記少数の開口部の
配置を工夫することにより、配線基材の保持と、金型の
共用化との均衡が最適な金型を構成することができる。
その工夫の一例となる本出願第１１の発明を次に開示す
る。
【００４４】すなわち、本出願第１１の発明は、単一の
半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複
数備えるテープ状又は板状の配線基材を上型及び下型の
うち一方の型に搭載し、他方の型の単一のキャビティで
複数の半導体パッケージをモールド成形するモールド成
型用金型であって、前記一方の型の配線基材搭載面に、
前記他方の型のキャビティに対向する範囲内で複数の開
口部を有する吸着用孔が設けられ、そのうちいくつかの
開口部が前記配線基材搭載面の周縁領域に配置され、他
の開口部が前記配線基材搭載面の幅方向又は長手方向の
ほぼ中心軸上に配置されてなることを特徴とするモール
ド成型用金型である。
半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複
数備えるテープ状又は板状の配線基材を上型及び下型の
うち一方の型に搭載し、他方の型の単一のキャビティで
複数の半導体パッケージをモールド成形するモールド成
型用金型であって、前記一方の型の配線基材搭載面に、
前記他方の型のキャビティに対向する範囲内で複数の開
口部を有する吸着用孔が設けられ、そのうちいくつかの
開口部が前記配線基材搭載面の周縁領域に配置され、他
の開口部が前記配線基材搭載面の幅方向又は長手方向の
ほぼ中心軸上に配置されてなることを特徴とするモール
ド成型用金型である。
【００４５】したがって本出願第１１の発明のモールド
成型用金型によれば、開口部が配線基材搭載面の周縁領
域と配線基材搭載面の幅方向又は長手方向のほぼ中心軸
上に配置されているので、前記中心軸の両側に配線基材
ユニットが同数列配置されるように配線基材上のレイア
ウトを設定することができ、その結果、前記中心軸方向
の配線基材ユニットの列が偶数である配線基材につい
て、有利に金型を共用化することができるという利点が
ある。
成型用金型によれば、開口部が配線基材搭載面の周縁領
域と配線基材搭載面の幅方向又は長手方向のほぼ中心軸
上に配置されているので、前記中心軸の両側に配線基材
ユニットが同数列配置されるように配線基材上のレイア
ウトを設定することができ、その結果、前記中心軸方向
の配線基材ユニットの列が偶数である配線基材につい
て、有利に金型を共用化することができるという利点が
ある。
【００４６】次に、本出願第７の発明の樹脂モールド方
法を実施するために有効な本出願第１２の発明のモール
ド成型用金型を開示する。すなわち本出願第１２の発明
は、単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所
定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配線基材を上型
及び下型のうち一方の型に搭載し、他方の型の単一のキ
ャビティで複数の半導体パッケージをモールド成形する
モールド成型用金型であって、前記一方の型の配線基材
搭載面に、前記他方の型のキャビティに対向する範囲内
で開口部を有する吸着用孔が設けられ、前記開口部の位
置が、前記配線基材搭載面のうち前記配線基材ユニット
が搭載される領域を除く領域内であることを特徴とする
モールド成型用金型である。
法を実施するために有効な本出願第１２の発明のモール
ド成型用金型を開示する。すなわち本出願第１２の発明
は、単一の半導体パッケージ分の配線基材ユニットを所
定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配線基材を上型
及び下型のうち一方の型に搭載し、他方の型の単一のキ
ャビティで複数の半導体パッケージをモールド成形する
モールド成型用金型であって、前記一方の型の配線基材
搭載面に、前記他方の型のキャビティに対向する範囲内
で開口部を有する吸着用孔が設けられ、前記開口部の位
置が、前記配線基材搭載面のうち前記配線基材ユニット
が搭載される領域を除く領域内であることを特徴とする
モールド成型用金型である。
【００４７】次に、配線基材の全域の吸着支持力の強化
と金型の共通化とを両立するためにより有効な解決手段
となる発明を開示する。その要点は配線基材の裏面に吸
着用溝を設けることである。
と金型の共通化とを両立するためにより有効な解決手段
となる発明を開示する。その要点は配線基材の裏面に吸
着用溝を設けることである。
【００４８】すなわち本出願第１３の発明は、単一の半
導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数
備えるテープ状又は板状の配線基材の裏面に吸着用溝を
形成し、前記各配線基材ユニットの表面に半導体素子を
ボンディングし、一方において、モールド成型用金型
に、その配線基材搭載面に開口部を有する吸着用孔を、
前記開口部が前記吸着用溝に対向するように形成し、そ
の後、前記配線基材の裏面を前記配線基材搭載面に設置
し、前記吸着用孔を真空源に接続し、前記真空源によっ
て前記吸着用孔及び前記吸着用溝内を負圧にして前記配
線基材を前記配線基材搭載面に吸着支持しつつ、型締め
して前記配線基材の縁部を上型と下型とでクランプする
とともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込
め、前記キャビティ内に樹脂を充填することを特徴とす
る樹脂モールド方法である。
導体パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数
備えるテープ状又は板状の配線基材の裏面に吸着用溝を
形成し、前記各配線基材ユニットの表面に半導体素子を
ボンディングし、一方において、モールド成型用金型
に、その配線基材搭載面に開口部を有する吸着用孔を、
前記開口部が前記吸着用溝に対向するように形成し、そ
の後、前記配線基材の裏面を前記配線基材搭載面に設置
し、前記吸着用孔を真空源に接続し、前記真空源によっ
て前記吸着用孔及び前記吸着用溝内を負圧にして前記配
線基材を前記配線基材搭載面に吸着支持しつつ、型締め
して前記配線基材の縁部を上型と下型とでクランプする
とともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に閉じ込
め、前記キャビティ内に樹脂を充填することを特徴とす
る樹脂モールド方法である。
【００４９】したがって本出願第１３の発明の樹脂モー
ルド方法によれば、配線基材の裏面に吸着用溝を形成
し、吸着用孔の開口部を前記吸着用溝に対向するように
形成するので、吸着用孔と吸着用溝が連結し、吸着用孔
に接続された真空源によって吸着用孔及び前記吸着用溝
内を負圧にするので、配線基材裏面の吸着用溝形成領域
に吸着力が発生し、これにより配線基材を配線基材搭載
面に保持することができるという利点がある。したがっ
て、吸着用溝をできるだけ配線基材全域にわたって均等
に形成することが好ましい。また、吸着用孔と吸着用溝
が対向し、吸着用孔が直接基板裏面に接触することがな
いので、基板裏面に吸着痕を付けることがないという利
点がある。さらに、吸着用溝を、吸着用孔と対向位置だ
けでなく、吸着用孔の対向位置から連続して基板裏面の
他の領域に延設することにより、吸着用溝を基板全域に
わたって均等に形成し、基板全面の吸着力を高めること
ができる。また、吸着用溝は配線基材に形成されるの
で、配線基材に配列される配線基材ユニットのパターン
設計に応じて、吸着用溝の形成位置を設定することがで
きる。また、配線基材の周縁部等の配線基材ユニットが
配置されない領域を利用して、吸着用溝を多種類の配線
基材に共通な位置に延設すれば、かかる位置に吸着用孔
の開口部を設定したモールド成型用金型を多種類の配線
基材に共通に使用することができる。これにより配線基
材全域の吸着支持力の強化と金型の共通化とを両立する
ことができる。
ルド方法によれば、配線基材の裏面に吸着用溝を形成
し、吸着用孔の開口部を前記吸着用溝に対向するように
形成するので、吸着用孔と吸着用溝が連結し、吸着用孔
に接続された真空源によって吸着用孔及び前記吸着用溝
内を負圧にするので、配線基材裏面の吸着用溝形成領域
に吸着力が発生し、これにより配線基材を配線基材搭載
面に保持することができるという利点がある。したがっ
て、吸着用溝をできるだけ配線基材全域にわたって均等
に形成することが好ましい。また、吸着用孔と吸着用溝
が対向し、吸着用孔が直接基板裏面に接触することがな
いので、基板裏面に吸着痕を付けることがないという利
点がある。さらに、吸着用溝を、吸着用孔と対向位置だ
けでなく、吸着用孔の対向位置から連続して基板裏面の
他の領域に延設することにより、吸着用溝を基板全域に
わたって均等に形成し、基板全面の吸着力を高めること
ができる。また、吸着用溝は配線基材に形成されるの
で、配線基材に配列される配線基材ユニットのパターン
設計に応じて、吸着用溝の形成位置を設定することがで
きる。また、配線基材の周縁部等の配線基材ユニットが
配置されない領域を利用して、吸着用溝を多種類の配線
基材に共通な位置に延設すれば、かかる位置に吸着用孔
の開口部を設定したモールド成型用金型を多種類の配線
基材に共通に使用することができる。これにより配線基
材全域の吸着支持力の強化と金型の共通化とを両立する
ことができる。
【００５０】本出願第１４の発明は、本出願第１３の発
明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前記配
線基材ユニット間の領域に形成することを特徴とする。
明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前記配
線基材ユニット間の領域に形成することを特徴とする。
【００５１】したがって本出願第１４の発明の樹脂モー
ルド方法によれば、吸着用溝を前記配線基材ユニット間
の領域に形成するので、吸着用溝を基板全域にわたって
均等に形成し、基板全面の吸着力を高めることができる
という利点がある。また、配線基材ユニット間、すなわ
ち、製品時に半導体パッケージの一部とならない領域を
吸着用溝形成領域として利用するので、外部端子形成等
の配線基材ユニットの裏面の設計に制約を与えることが
ない。
ルド方法によれば、吸着用溝を前記配線基材ユニット間
の領域に形成するので、吸着用溝を基板全域にわたって
均等に形成し、基板全面の吸着力を高めることができる
という利点がある。また、配線基材ユニット間、すなわ
ち、製品時に半導体パッケージの一部とならない領域を
吸着用溝形成領域として利用するので、外部端子形成等
の配線基材ユニットの裏面の設計に制約を与えることが
ない。
【００５２】本出願第１５の発明は、本出願第１３の発
明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前記配
線基材ユニット間の領域から配線基材周縁領域まで延設
し、前記開口部を前記配線基材周縁領域に対向するよう
に配置することを特徴とする。
明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前記配
線基材ユニット間の領域から配線基材周縁領域まで延設
し、前記開口部を前記配線基材周縁領域に対向するよう
に配置することを特徴とする。
【００５３】したがって本出願第１５の発明の樹脂モー
ルド方法によれば、配線基材周縁領域に延設された吸着
用溝に吸着用孔の開口部が接続され、配線基材ユニット
の配列領域内に吸着用孔を設定せずとも配線基材ユニッ
ト間に延設された吸着用溝が吸着力を発生させるので、
配線基材全域の吸着支持力の強化と金型の共通化とを両
立することができるという利点がある。
ルド方法によれば、配線基材周縁領域に延設された吸着
用溝に吸着用孔の開口部が接続され、配線基材ユニット
の配列領域内に吸着用孔を設定せずとも配線基材ユニッ
ト間に延設された吸着用溝が吸着力を発生させるので、
配線基材全域の吸着支持力の強化と金型の共通化とを両
立することができるという利点がある。
【００５４】また本出願第１６の発明は、本出願第１３
の発明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前
記配線基材ユニット間の領域から配線基材周縁領域まで
連続して形成し、前記開口部を複数とし、そのうちいく
つかの開口部を配線基材周縁領域に対向するように配置
し、他の開口部を前記配線基材ユニット間の領域に対向
するように配置することを特徴とする。
の発明の樹脂モールド方法において、前記吸着用溝を前
記配線基材ユニット間の領域から配線基材周縁領域まで
連続して形成し、前記開口部を複数とし、そのうちいく
つかの開口部を配線基材周縁領域に対向するように配置
し、他の開口部を前記配線基材ユニット間の領域に対向
するように配置することを特徴とする。
【００５５】配線基板がある程度大型になると、吸着用
孔の開口部を配線基材周縁領域に対向するように配置す
るのみでは、配線基材の中心付近に延設された吸着用溝
の真空度が真空漏れ（真空室内に外部からガスが流入す
ること）により低下し、十分な吸着力を発揮できないお
それがある。しかし本出願第１６の発明の樹脂モールド
方法によれば、吸着用孔の開口部を複数とし、そのうち
いくつかの開口部を配線基材周縁領域に対向するように
配置し、他の開口部を前記配線基材ユニット間の領域に
対向するように配置するので、開口部を配線基材周縁領
域のみに配置する構成に比較して、比較的大型の配線基
材を使用する場合であっても、配線基材の中心付近に延
設された吸着用溝の真空度を高水準に維持することがで
きるという利点がある。したがって、前記他の開口部の
うち一又は二以上の開口部を配線基材の中心部乃至中央
領域に対向するように配置することが好ましい。
孔の開口部を配線基材周縁領域に対向するように配置す
るのみでは、配線基材の中心付近に延設された吸着用溝
の真空度が真空漏れ（真空室内に外部からガスが流入す
ること）により低下し、十分な吸着力を発揮できないお
それがある。しかし本出願第１６の発明の樹脂モールド
方法によれば、吸着用孔の開口部を複数とし、そのうち
いくつかの開口部を配線基材周縁領域に対向するように
配置し、他の開口部を前記配線基材ユニット間の領域に
対向するように配置するので、開口部を配線基材周縁領
域のみに配置する構成に比較して、比較的大型の配線基
材を使用する場合であっても、配線基材の中心付近に延
設された吸着用溝の真空度を高水準に維持することがで
きるという利点がある。したがって、前記他の開口部の
うち一又は二以上の開口部を配線基材の中心部乃至中央
領域に対向するように配置することが好ましい。
【００５６】また本出願第１７の発明は、本出願第１３
の発明の樹脂モールド方法において、前記配線基材の裏
面にソルダーレジストを選択的に付設することにより前
記吸着用溝を形成することを特徴とする。
の発明の樹脂モールド方法において、前記配線基材の裏
面にソルダーレジストを選択的に付設することにより前
記吸着用溝を形成することを特徴とする。
【００５７】したがって本出願第１７の発明の樹脂モー
ルド方法によれば、吸着用溝はソルダーレジストの非付
設部として形成される。配線基材の裏面に配線や外部端
子ランドなどの導電層を形成し、これをソルダーレジス
トで絶縁被覆する半導体パッケージが汎用されている。
本出願第１７の発明の樹脂モールド方法によれば、かか
るソルダーレジストを利用して吸着用溝を形成するの
で、吸着用溝を形成するために新たな資材を要さず、製
造プロセス面でも有利で低コストに実施できるという利
点がある。
ルド方法によれば、吸着用溝はソルダーレジストの非付
設部として形成される。配線基材の裏面に配線や外部端
子ランドなどの導電層を形成し、これをソルダーレジス
トで絶縁被覆する半導体パッケージが汎用されている。
本出願第１７の発明の樹脂モールド方法によれば、かか
るソルダーレジストを利用して吸着用溝を形成するの
で、吸着用溝を形成するために新たな資材を要さず、製
造プロセス面でも有利で低コストに実施できるという利
点がある。
【００５８】また本出願第１８の発明は、単一の半導体
パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数備え
る配線基材であって、その裏面にソルダーレジストが選
択的に付設され、ソルダーレジスト開口部として形成さ
れる溝が前記配線基材ユニット間の領域から配線基材周
縁領域まで連続して形成されてなることを特徴とする配
線基材である。
パッケージ分の配線基材ユニットを所定間隔で複数備え
る配線基材であって、その裏面にソルダーレジストが選
択的に付設され、ソルダーレジスト開口部として形成さ
れる溝が前記配線基材ユニット間の領域から配線基材周
縁領域まで連続して形成されてなることを特徴とする配
線基材である。
【００５９】したがって本出願第１８の発明の配線基材
によれば、上述のように裏面に形成された溝を吸着用溝
として利用することにより、基板全域で吸着力を得て樹
脂モールド時に基板の浮き上がりが防止され、内部的に
も外観的にも良好な半導体パッケージを歩留まり良く製
造することができるという利点がある。
によれば、上述のように裏面に形成された溝を吸着用溝
として利用することにより、基板全域で吸着力を得て樹
脂モールド時に基板の浮き上がりが防止され、内部的に
も外観的にも良好な半導体パッケージを歩留まり良く製
造することができるという利点がある。
【００６０】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 以下に本発明の実施の形態１の樹脂モールド方法、モー
ルド成形用金型及び配線基材につき図面を参照して説明
する。説明は、配線基板１１の構成、金型２０の構成、
樹脂モールド装置、製造工程の順で行う。
ルド成形用金型及び配線基材につき図面を参照して説明
する。説明は、配線基板１１の構成、金型２０の構成、
樹脂モールド装置、製造工程の順で行う。
【００６１】本実施形態では、配線基材としてガラス・
エポキシ板に銅箔等の金属箔による配線パターンを付設
した配線基板１１を採用する。図１は本発明の一実施形
態の配線基板１１の表面図（ａ）、Ａ−Ａ断面図（ｂ）
及び裏面図（ｃ）である。
エポキシ板に銅箔等の金属箔による配線パターンを付設
した配線基板１１を採用する。図１は本発明の一実施形
態の配線基板１１の表面図（ａ）、Ａ−Ａ断面図（ｂ）
及び裏面図（ｃ）である。
【００６２】図１（ｂ）には部分拡大図を付けた。この
部分拡大図に示すように本実施形態における配線基板１
１は、ガラス・エポキシからなる絶縁基板５１と、銅配
線５３と、ソルダーレジスト５４とを備えて構成され
る。絶縁基板５１にはスルーホール５２が設けられてお
り、絶縁基板５１の表面側と裏面側とがスルーホール５
２を介して連通する。絶縁基板５１の表面、裏面及びス
ルーホール５２の内面には所定のパターンをもって銅配
線５３が付設され、銅配線５３のワイヤボンディング部
６１と外部端子接合用ランド部６２とが電気的に導通可
能にされている。
部分拡大図に示すように本実施形態における配線基板１
１は、ガラス・エポキシからなる絶縁基板５１と、銅配
線５３と、ソルダーレジスト５４とを備えて構成され
る。絶縁基板５１にはスルーホール５２が設けられてお
り、絶縁基板５１の表面側と裏面側とがスルーホール５
２を介して連通する。絶縁基板５１の表面、裏面及びス
ルーホール５２の内面には所定のパターンをもって銅配
線５３が付設され、銅配線５３のワイヤボンディング部
６１と外部端子接合用ランド部６２とが電気的に導通可
能にされている。
【００６３】配線基板１１の表面側は、銅配線５３のワ
イヤボンディング部６１を除いて、ソルダーレジスト５
４によって被覆されている。また、図１（ａ）、（ｂ）
に示すように配線基板１１の表面側には半導体素子１２
がボンディングされる。すなわち、図１（ｂ）に示すよ
うに、配線基板１１の表面側のダイボンド領域に接合材
５６を介して半導体素子１２が搭載、接合され、ボンデ
ィングワイヤ１６によって半導体素子の電極（図示せ
ず）と銅配線５３のワイヤボンディング部６１とが電気
的に接続される。
イヤボンディング部６１を除いて、ソルダーレジスト５
４によって被覆されている。また、図１（ａ）、（ｂ）
に示すように配線基板１１の表面側には半導体素子１２
がボンディングされる。すなわち、図１（ｂ）に示すよ
うに、配線基板１１の表面側のダイボンド領域に接合材
５６を介して半導体素子１２が搭載、接合され、ボンデ
ィングワイヤ１６によって半導体素子の電極（図示せ
ず）と銅配線５３のワイヤボンディング部６１とが電気
的に接続される。
【００６４】一方、配線基板１１の裏面は、銅配線５３
の外部端子接合用ランド部６２及び吸着用溝６３を除い
てソルダーレジスト５４によって被覆されている。外部
端子接合用ランド部６２は、ソルダーレジスト５４の開
口部によって銅配線５３が露出して形成される。吸着用
溝６３は、ソルダーレジスト５４の開口部によって絶縁
基板５１が露出して形成される。すなわち、吸着用溝６
３は底面を絶縁基板５１の裏面とし、ソルダーレジスト
５４の層厚分を深さとした溝として形成される。このよ
うにして、絶縁基板５１及び銅配線５３は選択的にソル
ダーレジスト５４によって被覆される。
の外部端子接合用ランド部６２及び吸着用溝６３を除い
てソルダーレジスト５４によって被覆されている。外部
端子接合用ランド部６２は、ソルダーレジスト５４の開
口部によって銅配線５３が露出して形成される。吸着用
溝６３は、ソルダーレジスト５４の開口部によって絶縁
基板５１が露出して形成される。すなわち、吸着用溝６
３は底面を絶縁基板５１の裏面とし、ソルダーレジスト
５４の層厚分を深さとした溝として形成される。このよ
うにして、絶縁基板５１及び銅配線５３は選択的にソル
ダーレジスト５４によって被覆される。
【００６５】この配線基板１１は、切断後のパッケージ
の外周５０によって囲まれる単一の半導体パッケージ分
の配線基板ユニット６０を所定間隔でマトリクス上に配
列して備えている。各配線基板ユニット６０には同様の
配線パターンが銅配線５３によって繰り返し形成されて
いる。図１（ａ）（ｃ）に示す一点鎖線６４は、配線基
板ユニット６０の配列領域とその周囲の配線基材周縁領
域との境界線である。一点鎖線６４内が、配線基板ユニ
ット６０の配列領域であり、一点鎖線６４外が配線基材
周縁領域である。 また、図１（ａ）（ｃ）に示す一点
鎖線６５の外側の縁部は金型２０の上型２１と下型２２
とでクランプされる。これをクランプ領域と呼ぶ。ま
た、一点鎖線６５の内側は上型２１のゲート３１、キャ
ビティ２３ａ及びダミーキャビティ３２からなるキャビ
ティ範囲内に収められて樹脂モールドされる。これをモ
ールド領域と呼ぶ。すなわち一点鎖線６５は、クランプ
領域とモールド領域の境界線である。これらの一点鎖線
６４、６５を図２（ｃ）及び図７の対応位置にも付し
た。
の外周５０によって囲まれる単一の半導体パッケージ分
の配線基板ユニット６０を所定間隔でマトリクス上に配
列して備えている。各配線基板ユニット６０には同様の
配線パターンが銅配線５３によって繰り返し形成されて
いる。図１（ａ）（ｃ）に示す一点鎖線６４は、配線基
板ユニット６０の配列領域とその周囲の配線基材周縁領
域との境界線である。一点鎖線６４内が、配線基板ユニ
ット６０の配列領域であり、一点鎖線６４外が配線基材
周縁領域である。 また、図１（ａ）（ｃ）に示す一点
鎖線６５の外側の縁部は金型２０の上型２１と下型２２
とでクランプされる。これをクランプ領域と呼ぶ。ま
た、一点鎖線６５の内側は上型２１のゲート３１、キャ
ビティ２３ａ及びダミーキャビティ３２からなるキャビ
ティ範囲内に収められて樹脂モールドされる。これをモ
ールド領域と呼ぶ。すなわち一点鎖線６５は、クランプ
領域とモールド領域の境界線である。これらの一点鎖線
６４、６５を図２（ｃ）及び図７の対応位置にも付し
た。
【００６６】配線基板ユニット６０の裏面に付設された
ソルダーレジスト５４の外周は、切断後のパッケージの
外周５０より内側に位置する。配線基板ユニット６０の
配列領域においては、ソルダーレジスト５４の外周と切
断後のパッケージの外周５０との間の領域及び切断後の
パッケージの外周５０より外側の領域にはソルダーレジ
ストが塗布されておらず、絶縁基板５１が露出してい
る。その結果、配線基板ユニット６０はその裏面に、ソ
ルダーレジストが塗布されず、絶縁基板５１が露出して
いる周縁部を有する。これは、パッケージダイシング切
断時にブレードが配線基板１１の裏面のソルダーレジス
ト５４に接触しないようにするためである。ブレードが
配線基板１１の裏面のソルダーレジスト５４に接触しな
いので、ソルダーレジスト５４に亀裂、欠け等のクラッ
クが発生するおそれがない。
ソルダーレジスト５４の外周は、切断後のパッケージの
外周５０より内側に位置する。配線基板ユニット６０の
配列領域においては、ソルダーレジスト５４の外周と切
断後のパッケージの外周５０との間の領域及び切断後の
パッケージの外周５０より外側の領域にはソルダーレジ
ストが塗布されておらず、絶縁基板５１が露出してい
る。その結果、配線基板ユニット６０はその裏面に、ソ
ルダーレジストが塗布されず、絶縁基板５１が露出して
いる周縁部を有する。これは、パッケージダイシング切
断時にブレードが配線基板１１の裏面のソルダーレジス
ト５４に接触しないようにするためである。ブレードが
配線基板１１の裏面のソルダーレジスト５４に接触しな
いので、ソルダーレジスト５４に亀裂、欠け等のクラッ
クが発生するおそれがない。
【００６７】本実施形態においては、各配線基板ユニッ
ト６０の周囲のソルダーレジスト開口部によって絶縁基
板５１が露出して形成される溝を吸着用溝６３として利
用する。また、配線基材周縁領域にも連続して吸着用溝
６３を形成している。配線基板ユニット６０の配列領域
内のレイアウトは、配線基板ユニット６０の外形寸法に
よって異なってくるが、配線基材周縁領域に形成された
吸着用溝６３は常に同じ位置に設けるようにし、標準化
を図る。
ト６０の周囲のソルダーレジスト開口部によって絶縁基
板５１が露出して形成される溝を吸着用溝６３として利
用する。また、配線基材周縁領域にも連続して吸着用溝
６３を形成している。配線基板ユニット６０の配列領域
内のレイアウトは、配線基板ユニット６０の外形寸法に
よって異なってくるが、配線基材周縁領域に形成された
吸着用溝６３は常に同じ位置に設けるようにし、標準化
を図る。
【００６８】次に、図２を参照して金型２０の構成につ
き説明する。図２は、本発明の一実施の形態における金
型２０のＩ−Ｉ断面図（ａ）、上型２１の要部平面図
（ｂ）及び配線基材搭載ブロック４２の平面図（ｃ）で
ある。金型２０はトランスファモールド成型用金型であ
って、図２（ａ）に示すように上型２１と下型２２とか
らなる。金型２０における上型２１及び下型２２はそれ
ぞれいくつかのブロックによって構成されている。上型
２１は上型センタブロック２４を有する。下型２２は下
型センタブロック２５と、配線基材搭載ブロック４２を
有する。下型センタブロック２５及び上型センタブロッ
ク２４の構成については、上述した従来の金型１２０の
構成と同様である。下型センタブロック２５には、樹脂
２６を装填するポット２７が設けられている。このポッ
ト２７には樹脂２６が装填され、さらに樹脂２６に加圧
力を与えるプランジャ２８が挿入される。一方、上型セ
ンタブロック２４にはカル２９がポット２７に対向する
位置に設けられている。このカル２９の両側にはキャビ
ティ２３ａ側に溶融樹脂２６を流し込む流路となるラン
ナ３０が形成されている。
き説明する。図２は、本発明の一実施の形態における金
型２０のＩ−Ｉ断面図（ａ）、上型２１の要部平面図
（ｂ）及び配線基材搭載ブロック４２の平面図（ｃ）で
ある。金型２０はトランスファモールド成型用金型であ
って、図２（ａ）に示すように上型２１と下型２２とか
らなる。金型２０における上型２１及び下型２２はそれ
ぞれいくつかのブロックによって構成されている。上型
２１は上型センタブロック２４を有する。下型２２は下
型センタブロック２５と、配線基材搭載ブロック４２を
有する。下型センタブロック２５及び上型センタブロッ
ク２４の構成については、上述した従来の金型１２０の
構成と同様である。下型センタブロック２５には、樹脂
２６を装填するポット２７が設けられている。このポッ
ト２７には樹脂２６が装填され、さらに樹脂２６に加圧
力を与えるプランジャ２８が挿入される。一方、上型セ
ンタブロック２４にはカル２９がポット２７に対向する
位置に設けられている。このカル２９の両側にはキャビ
ティ２３ａ側に溶融樹脂２６を流し込む流路となるラン
ナ３０が形成されている。
【００６９】上記センタブロックの両側のそれぞれにお
いて、上型２１は、ゲート３１、キャビティ２３ａ及び
ダミーキャビティ３２を形成している。したがって、カ
ル２９、ランナ３０、ゲート３１、キャビティ２３ａ、
ダミーキャビティ３２の順で連続して形成されている。
キャビティ２３ａは配線基板１１上にボンディングされ
た半導体素子１２を内包し、樹脂の充填を受け、これら
の半導体素子１２を覆う封止樹脂を成形するものであ
る。
いて、上型２１は、ゲート３１、キャビティ２３ａ及び
ダミーキャビティ３２を形成している。したがって、カ
ル２９、ランナ３０、ゲート３１、キャビティ２３ａ、
ダミーキャビティ３２の順で連続して形成されている。
キャビティ２３ａは配線基板１１上にボンディングされ
た半導体素子１２を内包し、樹脂の充填を受け、これら
の半導体素子１２を覆う封止樹脂を成形するものであ
る。
【００７０】ゲート３１はキャビティ２３ａへの注入口
であり、ランナ３０が接続されている。面方向（幅方向
および奥行き方向）に広がりをもつキャビティ２３ａに
対して溶融樹脂２６を全面にわたって均一に流入させて
充填するために、キャビティ２３ａの長辺部分に沿って
その長さとほぼ等しくかつ長さ方向に連続する平行な隙
間３１ａを有するゲート３１を設けている。
であり、ランナ３０が接続されている。面方向（幅方向
および奥行き方向）に広がりをもつキャビティ２３ａに
対して溶融樹脂２６を全面にわたって均一に流入させて
充填するために、キャビティ２３ａの長辺部分に沿って
その長さとほぼ等しくかつ長さ方向に連続する平行な隙
間３１ａを有するゲート３１を設けている。
【００７１】このようなゲート３１を用いると、ポット
２７からカル２９、ランナ３０を介して供給されてくる
溶融樹脂２６を一旦蓄え、射出圧力がこの溶融樹脂２６
に作用すると同時にキャビティ２３ａの長辺部分の全域
からキャビティ２３ａ内にほぼ均一に注入され、キャビ
ティ２３ａの全面にわたってほぼ均一に充填することが
できる。したがって、配線基板１１上の半導体素子１２
の配置による影響を受けることがなくキャビティ２３ａ
内への溶融樹脂２６の充填を均一に行うことができる。
金型２０によれば、配線基板１１のサイズを統一すれ
ば、半導体素子の数や大きさが異なっている半導体パッ
ケージの製造にあたっても、この成形用金型２０を共用
化することができる。
２７からカル２９、ランナ３０を介して供給されてくる
溶融樹脂２６を一旦蓄え、射出圧力がこの溶融樹脂２６
に作用すると同時にキャビティ２３ａの長辺部分の全域
からキャビティ２３ａ内にほぼ均一に注入され、キャビ
ティ２３ａの全面にわたってほぼ均一に充填することが
できる。したがって、配線基板１１上の半導体素子１２
の配置による影響を受けることがなくキャビティ２３ａ
内への溶融樹脂２６の充填を均一に行うことができる。
金型２０によれば、配線基板１１のサイズを統一すれ
ば、半導体素子の数や大きさが異なっている半導体パッ
ケージの製造にあたっても、この成形用金型２０を共用
化することができる。
【００７２】また、図２（ｂ）に示すように、このゲー
ト３１の長手方向（幅方向）に対して複数のランナ３０
を分配して接続している。なお、この実施の形態によれ
ば、複数個のポット２７とこれに対向する複数個のカル
２９とを前記ゲート３１の長手方向に沿って等間隔に配
設し、それぞれのポット２７（カル２９）から二本ずつ
のランナ３０，３０を前記ゲート３１の長手方向に対し
て等配させた状態で連結している。
ト３１の長手方向（幅方向）に対して複数のランナ３０
を分配して接続している。なお、この実施の形態によれ
ば、複数個のポット２７とこれに対向する複数個のカル
２９とを前記ゲート３１の長手方向に沿って等間隔に配
設し、それぞれのポット２７（カル２９）から二本ずつ
のランナ３０，３０を前記ゲート３１の長手方向に対し
て等配させた状態で連結している。
【００７３】このように複数のランナ３０をゲート３１
の長手方向に対してほぼ等配させた位置に連結すること
により、長尺なゲート３１の全体にわたっての溶融樹脂
２６の注入をほぼ均一に行なえ、このゲート３１からの
キャビティ２３ａへの均一な注入を適切に行うことが可
能となる。
の長手方向に対してほぼ等配させた位置に連結すること
により、長尺なゲート３１の全体にわたっての溶融樹脂
２６の注入をほぼ均一に行なえ、このゲート３１からの
キャビティ２３ａへの均一な注入を適切に行うことが可
能となる。
【００７４】さらに、この実施の形態では、上述したキ
ャビティ２３ａの長尺なゲート３１と反対側の長辺部分
に、ダミーキャビティ３２を設けている。前記キャビテ
ィ２３ａとこのダミーキャビティ３２との間には、前記
キャビティ２３ａの長辺部分に沿ってその長さとほぼ等
しくかつ長さ方向に連続する平行な隙間３２ａを設けて
いる。
ャビティ２３ａの長尺なゲート３１と反対側の長辺部分
に、ダミーキャビティ３２を設けている。前記キャビテ
ィ２３ａとこのダミーキャビティ３２との間には、前記
キャビティ２３ａの長辺部分に沿ってその長さとほぼ等
しくかつ長さ方向に連続する平行な隙間３２ａを設けて
いる。
【００７５】このようなダミーキャビティ３２を設ける
と、キャビティ２３ａ内にゲート３１から充填される溶
融した樹脂２６が、充填の終末においてダミーキャビテ
ィ３２内に入る。そのため、キャビティ２３ａへの樹脂
２６の眺ね返りがなく円滑に流れる。そのため、キャビ
ティ２３ａ内の全面にわたっての樹脂２６のほぼ均一な
充填をより確実に行うことができる。したがって、樹脂
封止時において、配線基板１１上にボンディングされた
半導体素子１２やボンディングワイヤ１６によって樹脂
の流れが遮られたり、未充填、あるいはワイヤ流れ等の
間題はない。このようなダミーキャビテイ３２がないと
ゲート３１の対向辺部分に先に到達した樹脂が跳ね返っ
て樹脂の充填が遅れている部分に逆流し、正規の流れと
衝突したところでワイヤ変形やボイドが発生することを
避けられない。しかし、ダミーキャビティ３２を設ける
とこのような間題を解消することができる。
と、キャビティ２３ａ内にゲート３１から充填される溶
融した樹脂２６が、充填の終末においてダミーキャビテ
ィ３２内に入る。そのため、キャビティ２３ａへの樹脂
２６の眺ね返りがなく円滑に流れる。そのため、キャビ
ティ２３ａ内の全面にわたっての樹脂２６のほぼ均一な
充填をより確実に行うことができる。したがって、樹脂
封止時において、配線基板１１上にボンディングされた
半導体素子１２やボンディングワイヤ１６によって樹脂
の流れが遮られたり、未充填、あるいはワイヤ流れ等の
間題はない。このようなダミーキャビテイ３２がないと
ゲート３１の対向辺部分に先に到達した樹脂が跳ね返っ
て樹脂の充填が遅れている部分に逆流し、正規の流れと
衝突したところでワイヤ変形やボイドが発生することを
避けられない。しかし、ダミーキャビティ３２を設ける
とこのような間題を解消することができる。
【００７６】ダミーキャビテイ３２側には、樹脂充填時
にキャビティ２３ａ内のガス（空気）を逃がすためのエ
アベント４６が設けられている。このエアベント４６
は、上型２１のクランプ面に形成された筋状の溝によっ
て構成される。このゲート３１、キャビティ２３ａ及び
ダミーキャビティ３２に対向する位置において、下型２
２はキャビティ２３ｂを形成している。キャビティ２３
ｂは配線基板１１を収めるためのものである。金型２０
はキャビティ２３ａとキャビティ２３ｂにより配線基材
１１及び半導体素子１２を密閉するキャビティを形成し
ている。
にキャビティ２３ａ内のガス（空気）を逃がすためのエ
アベント４６が設けられている。このエアベント４６
は、上型２１のクランプ面に形成された筋状の溝によっ
て構成される。このゲート３１、キャビティ２３ａ及び
ダミーキャビティ３２に対向する位置において、下型２
２はキャビティ２３ｂを形成している。キャビティ２３
ｂは配線基板１１を収めるためのものである。金型２０
はキャビティ２３ａとキャビティ２３ｂにより配線基材
１１及び半導体素子１２を密閉するキャビティを形成し
ている。
【００７７】配線基材搭載ブロック４２は、配線基板１
１が搭載される部分である。配線基材搭載ブロック４２
は、その周囲のブロックより低くなることにより配線基
板１１を収めるキャビティ２３ｂを形成している。ま
た、配線基材搭載ブロック４２は、バネ４３を利用した
フローティング機構により上下動可能に支持されてお
り、かかる上下動によりキャビティ２３ｂの深さを変動
させることができる。上述のように、かかるフローティ
ング機構は半導体パッケージの配線基板１１として比較
的厚みにバラツキの生じる基板タイプのものを用いる場
合に必要となり、配線基板１１としてテープ材を用いる
場合は要しない。
１が搭載される部分である。配線基材搭載ブロック４２
は、その周囲のブロックより低くなることにより配線基
板１１を収めるキャビティ２３ｂを形成している。ま
た、配線基材搭載ブロック４２は、バネ４３を利用した
フローティング機構により上下動可能に支持されてお
り、かかる上下動によりキャビティ２３ｂの深さを変動
させることができる。上述のように、かかるフローティ
ング機構は半導体パッケージの配線基板１１として比較
的厚みにバラツキの生じる基板タイプのものを用いる場
合に必要となり、配線基板１１としてテープ材を用いる
場合は要しない。
【００７８】上型２１には、リリースフィルムを真空吸
着するための吸着用孔４４が設けられている。吸着用孔
４４はキャビティ２３ａ等の表面に開口部４４ａを配置
しており、その一方で、金型２０の外部の真空源（図示
せず）に接続されている。なお、リリースフィルムを使
用しない金型では、吸着用孔４４は必要ない。
着するための吸着用孔４４が設けられている。吸着用孔
４４はキャビティ２３ａ等の表面に開口部４４ａを配置
しており、その一方で、金型２０の外部の真空源（図示
せず）に接続されている。なお、リリースフィルムを使
用しない金型では、吸着用孔４４は必要ない。
【００７９】下型２２には、配線基板１１を真空吸着す
るための吸着用孔４５が設けられている。吸着用孔４５
は一方において金型２０の外部の真空源（図示せず）に
接続しており、他方において配線基材搭載ブロック４２
内部に延設され配線基材搭載ブロック４２の配線基材搭
載面の所定箇所に開口部４５ａを配置している。図２
（ｃ）に示すように、開口部４５ａは配線基板１１の裏
面上の配線基板ユニット６０外となる領域に対向し、か
つ、一点鎖線６５内となる上型２１のキャビティ（ゲー
ト３１、キャビティ２３ａ、ダミーキャビティ３２）に
対向する位置に配置され、さらに、一点鎖線６４外とな
る配線基材周縁領域に対向する位置で、かつ、吸着用溝
６３に対向する位置に配置される。従って、配線基板１
１を配線基材搭載ブロック４２に設置すれば、開口部４
５ａが配線基材周縁領域に形成された吸着用溝６３に接
続される。開口部４５ａの直径は対向する吸着用溝６３
の幅より小さくする。吸着によりソルダーレジスト５４
を傷付けないようにするためである。
るための吸着用孔４５が設けられている。吸着用孔４５
は一方において金型２０の外部の真空源（図示せず）に
接続しており、他方において配線基材搭載ブロック４２
内部に延設され配線基材搭載ブロック４２の配線基材搭
載面の所定箇所に開口部４５ａを配置している。図２
（ｃ）に示すように、開口部４５ａは配線基板１１の裏
面上の配線基板ユニット６０外となる領域に対向し、か
つ、一点鎖線６５内となる上型２１のキャビティ（ゲー
ト３１、キャビティ２３ａ、ダミーキャビティ３２）に
対向する位置に配置され、さらに、一点鎖線６４外とな
る配線基材周縁領域に対向する位置で、かつ、吸着用溝
６３に対向する位置に配置される。従って、配線基板１
１を配線基材搭載ブロック４２に設置すれば、開口部４
５ａが配線基材周縁領域に形成された吸着用溝６３に接
続される。開口部４５ａの直径は対向する吸着用溝６３
の幅より小さくする。吸着によりソルダーレジスト５４
を傷付けないようにするためである。
【００８０】この金型２０を装備する樹脂モールド装置
は、上型２１を支持する上ベース（図示せず）と、下型
２２を支持する下ベース（図示せず）と、金型２０を加
熱するヒータ（図示せず）と、上述の真空源となる真空
ポンプ（図示せず）と、型締め機構（図示せず）と、射
出機構（図示せず）と、プランジャー２８とを備える。
上下型２１、２２はプレートやボルト（図示せず）等を
利用して上下ベースに固定される。上ベース又は下ベー
スは、金型２０を開閉動作させるために型締め機構によ
って昇降可能に構成されている。
は、上型２１を支持する上ベース（図示せず）と、下型
２２を支持する下ベース（図示せず）と、金型２０を加
熱するヒータ（図示せず）と、上述の真空源となる真空
ポンプ（図示せず）と、型締め機構（図示せず）と、射
出機構（図示せず）と、プランジャー２８とを備える。
上下型２１、２２はプレートやボルト（図示せず）等を
利用して上下ベースに固定される。上ベース又は下ベー
スは、金型２０を開閉動作させるために型締め機構によ
って昇降可能に構成されている。
【００８１】次に、図１、図２、図３を参照して本実施
形態の半導体装置の樹脂モールド方法乃至半導体装置の
製造方法につき説明する。図３は、本発明の一実施の形
態の樹脂モールド方法における各工程毎の金型２０の断
面図である。
形態の半導体装置の樹脂モールド方法乃至半導体装置の
製造方法につき説明する。図３は、本発明の一実施の形
態の樹脂モールド方法における各工程毎の金型２０の断
面図である。
【００８２】［ボンディング工程］樹脂モールド工程の
前工程として、ボンディング工程を行う。ボンディング
工程では、図１（ａ）（ｂ）に示すように複数の半導体
パッケージ分の半導体素子１２を一枚の配線基板１１の
主面（表面）上にマトリクス上に配列して搭載・接合す
る。また、ワイヤボンディング技術等により配線の内部
接続を行う。本実施形態では半導体素子１２をボンディ
ングワイヤ１６により内部接続した。その他、内部接続
用の金属バンプを使用して半導体素子１２を接続するワ
イヤレスボンディング法がある。
前工程として、ボンディング工程を行う。ボンディング
工程では、図１（ａ）（ｂ）に示すように複数の半導体
パッケージ分の半導体素子１２を一枚の配線基板１１の
主面（表面）上にマトリクス上に配列して搭載・接合す
る。また、ワイヤボンディング技術等により配線の内部
接続を行う。本実施形態では半導体素子１２をボンディ
ングワイヤ１６により内部接続した。その他、内部接続
用の金属バンプを使用して半導体素子１２を接続するワ
イヤレスボンディング法がある。
【００８３】［型締め前工程（図３（ａ））］次に、樹
脂モールド工程を行う。まず、型締め前の工程を図３
（ａ）を参照して説明する。下型２２の配線基材搭載ブ
ロック４２に、配線基板１１を搭載する。これにより配
線基板の裏面に設けられた吸着用溝６３と吸着用孔４５
の開口部４５ａとが接続する。すなわち、吸着用溝６３
と吸着用孔４５とが連結する。また、配線基板１１の搭
載とともに又はその後において、吸着用孔４５を真空引
きする。すると、吸着用孔４５とこれに連結された吸着
用溝６３内が負圧になり、配線基板１１が配線基材搭載
面に吸着支持される。図１（ｃ）に示すように吸着用溝
６３はモールド領域において、縦横にほぼ等間隔に設け
られているので、吸着用溝６３内が負圧になることによ
り配線基板１１の全域において均一な吸着力を得ること
ができる。
脂モールド工程を行う。まず、型締め前の工程を図３
（ａ）を参照して説明する。下型２２の配線基材搭載ブ
ロック４２に、配線基板１１を搭載する。これにより配
線基板の裏面に設けられた吸着用溝６３と吸着用孔４５
の開口部４５ａとが接続する。すなわち、吸着用溝６３
と吸着用孔４５とが連結する。また、配線基板１１の搭
載とともに又はその後において、吸着用孔４５を真空引
きする。すると、吸着用孔４５とこれに連結された吸着
用溝６３内が負圧になり、配線基板１１が配線基材搭載
面に吸着支持される。図１（ｃ）に示すように吸着用溝
６３はモールド領域において、縦横にほぼ等間隔に設け
られているので、吸着用溝６３内が負圧になることによ
り配線基板１１の全域において均一な吸着力を得ること
ができる。
【００８４】また、上型２１のダミーキャビティ３２、
キャビティ２３ａ、ゲート３１、カル２９及びランナ３
０を覆うように、リリースフィルム４１を配置するとと
もに、吸着用孔４４によりリリースフィルム４１をキャ
ビティ表面に真空吸着して上型２１の内面形状に沿うよ
うに配置する。このとき吸着用孔４４の開口部４４ａ
は、リリースフィルム４１によって塞がれる。しかし、
リリースフィルム４１はガスを透過させる性質を有する
ため、リリースフィルム４１を透過した多少のガス（空
気）が吸着用孔４４へと吸い込まれ続ける。したがっ
て、リリースフィルム４１によって吸着用孔４４へのガ
スの流れが完全に遮断されるわけではない。なお、リリ
ースフィルム４１は樹脂２６の離型を容易にするための
ものである。リリースフィルム４１を使用しない場合に
は、モールド部にピンを配置し、イジェクト機構により
前記ピンを押し当てて離型させる方法がとられ、上型２
１の内面の樹脂２６が侵入する部分に離型剤を定期的に
使用し、離型をより確実にすることが行われる。
キャビティ２３ａ、ゲート３１、カル２９及びランナ３
０を覆うように、リリースフィルム４１を配置するとと
もに、吸着用孔４４によりリリースフィルム４１をキャ
ビティ表面に真空吸着して上型２１の内面形状に沿うよ
うに配置する。このとき吸着用孔４４の開口部４４ａ
は、リリースフィルム４１によって塞がれる。しかし、
リリースフィルム４１はガスを透過させる性質を有する
ため、リリースフィルム４１を透過した多少のガス（空
気）が吸着用孔４４へと吸い込まれ続ける。したがっ
て、リリースフィルム４１によって吸着用孔４４へのガ
スの流れが完全に遮断されるわけではない。なお、リリ
ースフィルム４１は樹脂２６の離型を容易にするための
ものである。リリースフィルム４１を使用しない場合に
は、モールド部にピンを配置し、イジェクト機構により
前記ピンを押し当てて離型させる方法がとられ、上型２
１の内面の樹脂２６が侵入する部分に離型剤を定期的に
使用し、離型をより確実にすることが行われる。
【００８５】本実施形態では、配線基板１１の浮き上が
りを防ぐために、金型２０が閉状態である時に、配線基
材１１の表面に作用する圧力値を配線基板１１の裏面に
作用する圧力値より高く設定する。本実施形態では負圧
で制御するので、言い換えれば、金型２０が閉状態であ
る時に、配線基板１１の裏面に作用する負圧値を配線基
板１１の表面に作用する負圧値より大きく設定するとい
うことになる。したがって型締め前に、吸着用孔４４を
真空引きする真空ポンプの出力や真空度を調節するバル
ブ、また、吸着用孔４５を真空引きする真空ポンプの出
力や真空度を調節するバルブを操作して、金型２０が閉
状態である時に、配線基板１１の裏面に作用する負圧値
が配線基板１１の表面に作用する負圧値より大きくなる
ように制御する。配線基板１１の表裏に作用する圧力値
を直接検出することが困難な場合には、配線基板１１を
吸引する一の真空源の負圧値と、リリースフィルム４１
を吸引する他の真空源の負圧値とを検出し、前者を後者
より大きく設定するか、配線基板１１を吸引する流路に
設けられたバルブであってこの流路に沿って金型２０に
最直近のバルブでの負圧値と、リリースフィルム４１を
吸引する流路に設けられたバルブであってこの流路に沿
って金型２０に最直近のバルブでの負圧値とを検出し、
前者を後者より大きく設定する。これにより、金型２０
内に閉じ込められた配線基板１１が金型表面からの浮き
上がることが無く、ボンディングワイヤ等の配線基板表
面に付設された部品がリリースフィルムに接触すること
が無い。その結果、ボンディングワイヤ等の配線基板表
面に付設された部品に接触によるダメージを与えず、か
つ、外観良好な樹脂パッケージが得られるという利点が
ある。
りを防ぐために、金型２０が閉状態である時に、配線基
材１１の表面に作用する圧力値を配線基板１１の裏面に
作用する圧力値より高く設定する。本実施形態では負圧
で制御するので、言い換えれば、金型２０が閉状態であ
る時に、配線基板１１の裏面に作用する負圧値を配線基
板１１の表面に作用する負圧値より大きく設定するとい
うことになる。したがって型締め前に、吸着用孔４４を
真空引きする真空ポンプの出力や真空度を調節するバル
ブ、また、吸着用孔４５を真空引きする真空ポンプの出
力や真空度を調節するバルブを操作して、金型２０が閉
状態である時に、配線基板１１の裏面に作用する負圧値
が配線基板１１の表面に作用する負圧値より大きくなる
ように制御する。配線基板１１の表裏に作用する圧力値
を直接検出することが困難な場合には、配線基板１１を
吸引する一の真空源の負圧値と、リリースフィルム４１
を吸引する他の真空源の負圧値とを検出し、前者を後者
より大きく設定するか、配線基板１１を吸引する流路に
設けられたバルブであってこの流路に沿って金型２０に
最直近のバルブでの負圧値と、リリースフィルム４１を
吸引する流路に設けられたバルブであってこの流路に沿
って金型２０に最直近のバルブでの負圧値とを検出し、
前者を後者より大きく設定する。これにより、金型２０
内に閉じ込められた配線基板１１が金型表面からの浮き
上がることが無く、ボンディングワイヤ等の配線基板表
面に付設された部品がリリースフィルムに接触すること
が無い。その結果、ボンディングワイヤ等の配線基板表
面に付設された部品に接触によるダメージを与えず、か
つ、外観良好な樹脂パッケージが得られるという利点が
ある。
【００８６】配線基板１１及びリリースフィルム４１
は、ヒータ（図示せず）により予めを加熱されている金
型２０に接触することにより加熱される。配線基板１１
はその裏面から加熱されるため、配線基板搭載ブロック
に搭載された直後においては裏面側でより大きな熱膨張
が生じ全体として反りが生じる場合がある。この配線基
板１１の反りは熱平衡熱が進むに従って減少する。した
がって、少なくとも生産上不都合な反りが消滅するまで
樹脂充填を待つ必要がある。次に、下型２２のポット２
７内に錠剤状の樹脂２６（樹脂タブレット）を装填す
る。
は、ヒータ（図示せず）により予めを加熱されている金
型２０に接触することにより加熱される。配線基板１１
はその裏面から加熱されるため、配線基板搭載ブロック
に搭載された直後においては裏面側でより大きな熱膨張
が生じ全体として反りが生じる場合がある。この配線基
板１１の反りは熱平衡熱が進むに従って減少する。した
がって、少なくとも生産上不都合な反りが消滅するまで
樹脂充填を待つ必要がある。次に、下型２２のポット２
７内に錠剤状の樹脂２６（樹脂タブレット）を装填す
る。
【００８７】［型締め（図３（ｂ））］その後、樹脂モ
ールド装置を動作させて上型２１と下型２２を接合さ
せ、金型２０を型締めする。このとき配線基板１１の外
縁部は上型２１と下型２２とによって挟み込まれクラン
プされる。配線基板１１の中央の半導体素子１２が配列
している領域は直接クランプされることなくキャビティ
２３内に閉じ込められる。
ールド装置を動作させて上型２１と下型２２を接合さ
せ、金型２０を型締めする。このとき配線基板１１の外
縁部は上型２１と下型２２とによって挟み込まれクラン
プされる。配線基板１１の中央の半導体素子１２が配列
している領域は直接クランプされることなくキャビティ
２３内に閉じ込められる。
【００８８】従来の樹脂モールド方法では図８（ｂ）に
示したように、配線基材１１１が金型１２０内に閉じ込
められた際に吸着用孔４４の負圧がリリースフィルム４
１を透過して配線基材１１１に作用し、配線基材１１１
が上型１２１の方へ引き寄せられ、配線基材１１１の中
央部が配線基材搭載ブロック１４２の表面から浮き上が
る現象が起こった。しかし、本実施形態の樹脂モールド
方法では、金型２０が閉状態である時に、配線基板１１
の裏面に作用する負圧値が配線基板１１の表面に作用す
る負圧値より大きくなるように制御しているので、かか
る浮き上がりは起こらない。
示したように、配線基材１１１が金型１２０内に閉じ込
められた際に吸着用孔４４の負圧がリリースフィルム４
１を透過して配線基材１１１に作用し、配線基材１１１
が上型１２１の方へ引き寄せられ、配線基材１１１の中
央部が配線基材搭載ブロック１４２の表面から浮き上が
る現象が起こった。しかし、本実施形態の樹脂モールド
方法では、金型２０が閉状態である時に、配線基板１１
の裏面に作用する負圧値が配線基板１１の表面に作用す
る負圧値より大きくなるように制御しているので、かか
る浮き上がりは起こらない。
【００８９】［樹脂射出・充填（図３（ｃ）、
（ｄ））］次に、樹脂２６を溶融させ、溶融した樹脂２
６をプランジャ２８で押し上げることにより射出し、カ
ル２９、ランナ３０を通してキャビティ２３まで流入さ
せ、樹脂２６を金型２０内に充填する。樹脂２６の流入
前にキャビティ２３内に存在したガス（空気）は、樹脂
２６の流入に従って樹脂流の前方に押しやられ、エアベ
ント４６から排出される。
（ｄ））］次に、樹脂２６を溶融させ、溶融した樹脂２
６をプランジャ２８で押し上げることにより射出し、カ
ル２９、ランナ３０を通してキャビティ２３まで流入さ
せ、樹脂２６を金型２０内に充填する。樹脂２６の流入
前にキャビティ２３内に存在したガス（空気）は、樹脂
２６の流入に従って樹脂流の前方に押しやられ、エアベ
ント４６から排出される。
【００９０】従来の樹脂モールド方法では図８（ｃ）に
示したように、溶融した樹脂２６をキャビティ２３ａ内
に圧入して行く際に、配線基材１１１の樹脂流入終端部
分がよれて浮き上がる現象が起こった。しかし、本実施
形態の樹脂モールド方法では、吸着用孔４５及び吸着用
溝６３により配線基板１１を基板搭載面に吸着させるの
で、かかる浮き上がりは起こらない。
示したように、溶融した樹脂２６をキャビティ２３ａ内
に圧入して行く際に、配線基材１１１の樹脂流入終端部
分がよれて浮き上がる現象が起こった。しかし、本実施
形態の樹脂モールド方法では、吸着用孔４５及び吸着用
溝６３により配線基板１１を基板搭載面に吸着させるの
で、かかる浮き上がりは起こらない。
【００９１】［樹脂硬化］樹脂２６には、エポキシ系樹
脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。樹脂２６を金型２０
内に充填した後、樹脂２６を焼成し硬化させる。その後
は金型２０を開いて配線基板１１を取り出し、封止樹脂
からリリースフィルム４１を離脱させる。以上の工程に
より、図４（ａ）に示すようなパッケージパネル１８が
完成する。図４は、本発明の一実施の形態におけるパッ
ケージパネル１８平面図（ａ）及び（ｂ）であり、図
（ｂ）には切断ライン７１と、個片化された半導体パッ
ケージ１０を示した。
脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。樹脂２６を金型２０
内に充填した後、樹脂２６を焼成し硬化させる。その後
は金型２０を開いて配線基板１１を取り出し、封止樹脂
からリリースフィルム４１を離脱させる。以上の工程に
より、図４（ａ）に示すようなパッケージパネル１８が
完成する。図４は、本発明の一実施の形態におけるパッ
ケージパネル１８平面図（ａ）及び（ｂ）であり、図
（ｂ）には切断ライン７１と、個片化された半導体パッ
ケージ１０を示した。
【００９２】［外部端子形成］次に、外部端子形成工程
へと送り出す。本実施形態ではＢＧＡパッケージを生産
する。したがって、配線基板１１の裏面に半田ボール５
５（図６参照）を付設してこれを外部端子とする。［パ
ッケージダイシング］次に、パッケージダイシング工程
を施す。パッケージダイシングは、図５に示すような円
形ブレード１９の回転により砥粒加工切断を行うダイシ
ング装置（図示せず）を用いて行う。図５は、円形ブレ
ード１９によってパッケージパネル１８が切断される様
子を示す斜視図である。図４（ｂ）に示すような切断ラ
イン７１に沿って円形ブレード１９によりパッケージパ
ネル１８を切断し、個々の半導体パッケージ１０に個片
化する。円形ブレード１９は、図１（ｂ）の部分拡大図
に示す破線５０、５０間を切削する。図１に示すように
本実施形態の配線基板１１は配線基板ユニット６０が、
４×１６で配列して設けられているので、６４個のＢＧ
Ａ型の半導体パッケージ１０が得られる。
へと送り出す。本実施形態ではＢＧＡパッケージを生産
する。したがって、配線基板１１の裏面に半田ボール５
５（図６参照）を付設してこれを外部端子とする。［パ
ッケージダイシング］次に、パッケージダイシング工程
を施す。パッケージダイシングは、図５に示すような円
形ブレード１９の回転により砥粒加工切断を行うダイシ
ング装置（図示せず）を用いて行う。図５は、円形ブレ
ード１９によってパッケージパネル１８が切断される様
子を示す斜視図である。図４（ｂ）に示すような切断ラ
イン７１に沿って円形ブレード１９によりパッケージパ
ネル１８を切断し、個々の半導体パッケージ１０に個片
化する。円形ブレード１９は、図１（ｂ）の部分拡大図
に示す破線５０、５０間を切削する。図１に示すように
本実施形態の配線基板１１は配線基板ユニット６０が、
４×１６で配列して設けられているので、６４個のＢＧ
Ａ型の半導体パッケージ１０が得られる。
【００９３】半導体パッケージ１０の構造を図６に示し
た。図６は本発明の一実施の形態によって製造された半
導体パッケージ１０の部分断面図（ａ）及び裏面図
（ｂ）である。半導体パッケージ１０は、スルーホール
５２を有する絶縁基板５１と、絶縁基板５１の表面、裏
面及びスルーホール５２に形成された銅配線５３と、そ
の上を絶縁被覆する所定の開口部を有するソルダーレジ
スト５４とにより構成される配線基板ユニット６０を備
え、また、この配線基板ユニット６０の表面に塗布され
る接合材（ダイボンド材）５６と、接合材５６を介して
配線基板ユニット６０の表面に接着される半導体素子１
２と、半導体素子１２の電極パッド７２と銅配線５３の
ワイヤボンディング部６１との間を配線するボンディン
グワイヤ１６と、半導体素子１２とボンディングワイヤ
１６が付設された配線基板ユニット６０の表面を封止す
る封止樹脂１３と、外部端子接合用ランド部６２に付設
された半田ボール５５とを備えて構成される一括封止・
パッケージダイシング切断方式の半導体装置である。な
お、ソルダーレジスト５４は配線間や、外部端子間、配
線と半導体チップ間を絶縁する作用があるものである。
接合材（ダイボンド材）５６には、共晶合金や、半田、
樹脂等が用いられる。封止樹脂１３には主にエポキシ樹
脂が用いられる。
た。図６は本発明の一実施の形態によって製造された半
導体パッケージ１０の部分断面図（ａ）及び裏面図
（ｂ）である。半導体パッケージ１０は、スルーホール
５２を有する絶縁基板５１と、絶縁基板５１の表面、裏
面及びスルーホール５２に形成された銅配線５３と、そ
の上を絶縁被覆する所定の開口部を有するソルダーレジ
スト５４とにより構成される配線基板ユニット６０を備
え、また、この配線基板ユニット６０の表面に塗布され
る接合材（ダイボンド材）５６と、接合材５６を介して
配線基板ユニット６０の表面に接着される半導体素子１
２と、半導体素子１２の電極パッド７２と銅配線５３の
ワイヤボンディング部６１との間を配線するボンディン
グワイヤ１６と、半導体素子１２とボンディングワイヤ
１６が付設された配線基板ユニット６０の表面を封止す
る封止樹脂１３と、外部端子接合用ランド部６２に付設
された半田ボール５５とを備えて構成される一括封止・
パッケージダイシング切断方式の半導体装置である。な
お、ソルダーレジスト５４は配線間や、外部端子間、配
線と半導体チップ間を絶縁する作用があるものである。
接合材（ダイボンド材）５６には、共晶合金や、半田、
樹脂等が用いられる。封止樹脂１３には主にエポキシ樹
脂が用いられる。
【００９４】図６（ｂ）に示すように、半導体パッケー
ジ１０の裏面を観察すると、ソルダーレジスト５４の外
周７３が切断後のパッケージの外周５０より内側に設け
られている。すなわち、半導体パッケージ１０は、その
裏面に、ソルダーレジストが塗布されず、絶縁基板５１
が露出している周縁部を有する。
ジ１０の裏面を観察すると、ソルダーレジスト５４の外
周７３が切断後のパッケージの外周５０より内側に設け
られている。すなわち、半導体パッケージ１０は、その
裏面に、ソルダーレジストが塗布されず、絶縁基板５１
が露出している周縁部を有する。
【００９５】ここで、発明者の行った検証を開示する。
金型外部の圧力計により圧力を測定し、配線基板１１に
ついての吸着圧力値（負圧値）を５２ｋＰａ（気圧２４
ｋＰａ）と一定とし、リリースフィルム４１についての
吸着圧力値（負圧値）を２０，３０，４０，５０，７０
ｋＰａ（気圧５６，４６，３６，２６，６ｋＰａ）と順
次変えて樹脂封止工程を行なった。その結果得られたパ
ッケージパネルの樹脂表面を外観検査し、ワイヤー転写
不良の発生の有無を調査した。ワイヤー転写不良とは、
配線基板１１が浮き上がりボンディングワイヤ１６がリ
リースフィルム４１に接触して接触痕を付け、かかる接
触痕が封止樹脂１３表面に転写される不良をいう。
金型外部の圧力計により圧力を測定し、配線基板１１に
ついての吸着圧力値（負圧値）を５２ｋＰａ（気圧２４
ｋＰａ）と一定とし、リリースフィルム４１についての
吸着圧力値（負圧値）を２０，３０，４０，５０，７０
ｋＰａ（気圧５６，４６，３６，２６，６ｋＰａ）と順
次変えて樹脂封止工程を行なった。その結果得られたパ
ッケージパネルの樹脂表面を外観検査し、ワイヤー転写
不良の発生の有無を調査した。ワイヤー転写不良とは、
配線基板１１が浮き上がりボンディングワイヤ１６がリ
リースフィルム４１に接触して接触痕を付け、かかる接
触痕が封止樹脂１３表面に転写される不良をいう。
【００９６】リリースフィルム４１についての吸着圧力
値（負圧値）を２０，３０，４０，５０ｋＰａとしたと
きは、ワイヤー転写不良は発生しなかった。しかし、リ
リースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧値）を
７０ｋＰａとしたときは、ワイヤー転写不良が発生し
た。したがって、ワイヤー転写不良の発生を阻止するた
めには、配線基板１１についての吸着圧力値（負圧値）
をリリースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧
値）より大きくすることが必要であることが確かめられ
た。リリースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧
値）を配線基板１１についての吸着圧力値（負圧値）よ
り大きくするとワイヤー転写不良が発生する。ワイヤー
転写不良が発生したということは、配線基板１１が浮き
上がったということの証しである。したがって、配線基
板１１の浮き上がりを防止するためには、配線基板１１
についての吸着圧力値（負圧値）をリリースフィルム４
１についての吸着圧力値（負圧値）より大きくするのが
好ましい。
値（負圧値）を２０，３０，４０，５０ｋＰａとしたと
きは、ワイヤー転写不良は発生しなかった。しかし、リ
リースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧値）を
７０ｋＰａとしたときは、ワイヤー転写不良が発生し
た。したがって、ワイヤー転写不良の発生を阻止するた
めには、配線基板１１についての吸着圧力値（負圧値）
をリリースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧
値）より大きくすることが必要であることが確かめられ
た。リリースフィルム４１についての吸着圧力値（負圧
値）を配線基板１１についての吸着圧力値（負圧値）よ
り大きくするとワイヤー転写不良が発生する。ワイヤー
転写不良が発生したということは、配線基板１１が浮き
上がったということの証しである。したがって、配線基
板１１の浮き上がりを防止するためには、配線基板１１
についての吸着圧力値（負圧値）をリリースフィルム４
１についての吸着圧力値（負圧値）より大きくするのが
好ましい。
【００９７】実施の形態２ 次に、本発明の実施の形態２のモールド成形用金型につ
き図７を参照して説明する。本実施形態のモールド成形
用金型は、比較的大型の配線基材について金型表面から
の浮き上がりの防止と金型の共用化とを最適にする技術
に係る。本実施形態のモールド成形用金型は実施の形態
１のモールド成形用金型に対して、配線基材搭載ブロッ
ク４２に穿設された吸着用孔の開口位置が異なるもので
ある。
き図７を参照して説明する。本実施形態のモールド成形
用金型は、比較的大型の配線基材について金型表面から
の浮き上がりの防止と金型の共用化とを最適にする技術
に係る。本実施形態のモールド成形用金型は実施の形態
１のモールド成形用金型に対して、配線基材搭載ブロッ
ク４２に穿設された吸着用孔の開口位置が異なるもので
ある。
【００９８】図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施
形態のモールド成形用金型に係る配線基材搭載ブロック
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄには、実施の形態１の
モールド成形用金型と同様に配線基材搭載面の周縁領域
に吸着用孔４５の開口部４５ａが配設されている。しか
し実施の形態１と異なり、配線基材搭載ブロック４２
ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄには、一点鎖線６４内とな
る配線基板ユニット６０の配列領域に対向する位置に吸
着用孔４５の開口部４５ｂが配設されている。図７
（ａ）に示す配線基材搭載ブロック４２ａは、配線基材
搭載面の長手方向（図上左右方向）の中心軸（図示せ
ず）上に開口部４５ｂを２つ配備したものである。配線
基材搭載ブロック４２ａにおける開口部４５ｂはこの中
心軸が一点鎖線６４で切り取られる線分の３等分線点上
にほぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７
（ｂ）に示す配線基材搭載ブロック４２ｂは、配線基材
搭載面の長手方向（図上左右方向）の中心軸（図示せ
ず）上に開口部４５ｂを４つ配備したものである。配線
基材搭載ブロック４２ｂにおける開口部４５ｂはこの中
心軸が一点鎖線６４で切り取られる線分の５等分線点上
にほぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７
（ｃ）に示す配線基材搭載ブロック４２ｃは、配線基材
搭載面の幅方向（図上上下方向）の中心軸（図示せず）
上に開口部４５ｂを３つ配備したものである。配線基材
搭載ブロック４２ｃにおける開口部４５ｂはこの中心軸
が一点鎖線６４で切り取られる線分の４等分線点上にほ
ぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７（ｄ）
に示す配線基材搭載ブロック４２ｄは、一点鎖線６４内
となる配線基板ユニット６０の配列領域内に４つの開口
部４５ｂをほぼ均等に分散して配備したものである。
形態のモールド成形用金型に係る配線基材搭載ブロック
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄには、実施の形態１の
モールド成形用金型と同様に配線基材搭載面の周縁領域
に吸着用孔４５の開口部４５ａが配設されている。しか
し実施の形態１と異なり、配線基材搭載ブロック４２
ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄには、一点鎖線６４内とな
る配線基板ユニット６０の配列領域に対向する位置に吸
着用孔４５の開口部４５ｂが配設されている。図７
（ａ）に示す配線基材搭載ブロック４２ａは、配線基材
搭載面の長手方向（図上左右方向）の中心軸（図示せ
ず）上に開口部４５ｂを２つ配備したものである。配線
基材搭載ブロック４２ａにおける開口部４５ｂはこの中
心軸が一点鎖線６４で切り取られる線分の３等分線点上
にほぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７
（ｂ）に示す配線基材搭載ブロック４２ｂは、配線基材
搭載面の長手方向（図上左右方向）の中心軸（図示せ
ず）上に開口部４５ｂを４つ配備したものである。配線
基材搭載ブロック４２ｂにおける開口部４５ｂはこの中
心軸が一点鎖線６４で切り取られる線分の５等分線点上
にほぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７
（ｃ）に示す配線基材搭載ブロック４２ｃは、配線基材
搭載面の幅方向（図上上下方向）の中心軸（図示せず）
上に開口部４５ｂを３つ配備したものである。配線基材
搭載ブロック４２ｃにおける開口部４５ｂはこの中心軸
が一点鎖線６４で切り取られる線分の４等分線点上にほ
ぼ一致してほぼ均等間隔で配置されている。図７（ｄ）
に示す配線基材搭載ブロック４２ｄは、一点鎖線６４内
となる配線基板ユニット６０の配列領域内に４つの開口
部４５ｂをほぼ均等に分散して配備したものである。
【０９９】配線基材搭載ブロック４２ａ、４２ｂ、４２
ｃ、４２ｄを用いれば、配線基板に吸着用溝を設ける場
合であっても設けない場合であっても、開口部４５ｂに
よって、比較的大型の配線基板の全面に対して、十分な
吸着支持力を得るとことが可能である。それとともに、
製品となる配線基材ユニットを開口部４５ｂに当てない
ように配線基板を設計することが極力容易になるよう
に、開口部４５ｂの位置を決めたので、金型の共用化を
も推進することができる。
ｃ、４２ｄを用いれば、配線基板に吸着用溝を設ける場
合であっても設けない場合であっても、開口部４５ｂに
よって、比較的大型の配線基板の全面に対して、十分な
吸着支持力を得るとことが可能である。それとともに、
製品となる配線基材ユニットを開口部４５ｂに当てない
ように配線基板を設計することが極力容易になるよう
に、開口部４５ｂの位置を決めたので、金型の共用化を
も推進することができる。
【０１００】その他の金型の構成や樹脂モールド方法に
ついては実施の形態１の樹脂モールド方法、モールド成
形用金型と同様である。
ついては実施の形態１の樹脂モールド方法、モールド成
形用金型と同様である。
【０１０１】実施の形態３ 次に、本発明の実施の形態３の樹脂モールド方法につき
説明する。本実施形態は実施の形態１のように配線基板
１１を吸着せず、エアベント４６からキャビティ内にガ
スを圧入してこのガスの圧力により配線基板１１を配線
基材搭載ブロック４２の基材搭載面に押圧して支持しつ
つ、前記キャビティ内に樹脂を充填する樹脂モールド方
法である。したがって、実施の形態１のように吸着用孔
４５、吸着用溝６３を要しない。リリースフィルム４１
は用いても用いなくても良い。
説明する。本実施形態は実施の形態１のように配線基板
１１を吸着せず、エアベント４６からキャビティ内にガ
スを圧入してこのガスの圧力により配線基板１１を配線
基材搭載ブロック４２の基材搭載面に押圧して支持しつ
つ、前記キャビティ内に樹脂を充填する樹脂モールド方
法である。したがって、実施の形態１のように吸着用孔
４５、吸着用溝６３を要しない。リリースフィルム４１
は用いても用いなくても良い。
【０１０２】本実施形態の樹脂モールド方法においては
実施の形態１の樹脂モールド方法と同様にしてボンディ
ング工程、型締め前工程を行った後、型締めし、エアベ
ント４６からキャビティ内にガスを圧入する。
実施の形態１の樹脂モールド方法と同様にしてボンディ
ング工程、型締め前工程を行った後、型締めし、エアベ
ント４６からキャビティ内にガスを圧入する。
【０１０３】本実施形態の樹脂モールド方法によれば、
金型２０内に閉じ込められた配線基板１１が配線基材搭
載ブロック４２の基材搭載面からの浮き上がることが無
く、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品がリリースフィルムに接触することが無い。その結
果、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観良好な
樹脂パッケージが得られる。また、キャビティ内に流入
する樹脂もキャビティ内に圧入されたガスの圧力を受け
る。このガス圧により樹脂の充填を均一に行うことがで
きる。
金型２０内に閉じ込められた配線基板１１が配線基材搭
載ブロック４２の基材搭載面からの浮き上がることが無
く、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品がリリースフィルムに接触することが無い。その結
果、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品に接触によるダメージを与えず、かつ、外観良好な
樹脂パッケージが得られる。また、キャビティ内に流入
する樹脂もキャビティ内に圧入されたガスの圧力を受け
る。このガス圧により樹脂の充填を均一に行うことがで
きる。
【０１０４】
【実施例】次に、各部の寸法の一例を示す。図１に示す
配線基板１１の外形寸法を、幅６５ｍｍ、長さ１９０ｍ
ｍとした。半導体パッケージ１０（配線基板ユニット６
０）の外形寸法を１０ｍｍ角とした。円形ブレード１９
の切断刃の刃幅は約３５０μｍ程度であったため、図１
（ｂ）の部分拡大図に示す破線５０、５０間の切断代の
幅を約０．３５ｍｍとした。配線基板ユニット６０間に
おける吸着用溝６３は、幅０．５ｍｍ、深さ０．０３ｍ
ｍに作製した。基板周縁領域における吸着用溝６３は、
幅１．２ｍｍ、深さ０．０３ｍｍに作製した。吸着用孔
４５の開口部４５ａの直径は１．０ｍｍ、開口部４５ｂ
の直径は０．３ｍｍに作製した。以上の寸法の場合、配
線基板ユニット６０の配列領域に吸着用孔４５の開口部
４５ｂを設けない実施の形態１のモールド成型用金型に
よって、十分に配線基板１１をキャビティ２３ｂ内に保
持するとことができ、半導体パッケージに内部的及び外
観的不良を与えることなく良好に製造することができ
る。
配線基板１１の外形寸法を、幅６５ｍｍ、長さ１９０ｍ
ｍとした。半導体パッケージ１０（配線基板ユニット６
０）の外形寸法を１０ｍｍ角とした。円形ブレード１９
の切断刃の刃幅は約３５０μｍ程度であったため、図１
（ｂ）の部分拡大図に示す破線５０、５０間の切断代の
幅を約０．３５ｍｍとした。配線基板ユニット６０間に
おける吸着用溝６３は、幅０．５ｍｍ、深さ０．０３ｍ
ｍに作製した。基板周縁領域における吸着用溝６３は、
幅１．２ｍｍ、深さ０．０３ｍｍに作製した。吸着用孔
４５の開口部４５ａの直径は１．０ｍｍ、開口部４５ｂ
の直径は０．３ｍｍに作製した。以上の寸法の場合、配
線基板ユニット６０の配列領域に吸着用孔４５の開口部
４５ｂを設けない実施の形態１のモールド成型用金型に
よって、十分に配線基板１１をキャビティ２３ｂ内に保
持するとことができ、半導体パッケージに内部的及び外
観的不良を与えることなく良好に製造することができ
る。
【０１０５】
【発明の効果】以上のように本発明は、配線基材を金型
表面に支持する手段を備えるので、金型内に閉じ込めら
れた配線基材が金型表面からの浮き上がることが防止さ
れ、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品がリリースフィルムに接触することが防止されると
いう効果がある。その結果、ボンディングワイヤ等の配
線基材表面に付設された部品に接触によるダメージを与
えず、かつ、ワイヤ転写不良等の外観不良の無い、外観
良好な樹脂パッケージが得られるという効果がある。
表面に支持する手段を備えるので、金型内に閉じ込めら
れた配線基材が金型表面からの浮き上がることが防止さ
れ、ボンディングワイヤ等の配線基材表面に付設された
部品がリリースフィルムに接触することが防止されると
いう効果がある。その結果、ボンディングワイヤ等の配
線基材表面に付設された部品に接触によるダメージを与
えず、かつ、ワイヤ転写不良等の外観不良の無い、外観
良好な樹脂パッケージが得られるという効果がある。
【図１】 図１は本発明の実施の形態１の配線基板１１
の表面図（ａ）、Ａ−Ａ断面図（ｂ）及び裏面図（ｃ）
である。
の表面図（ａ）、Ａ−Ａ断面図（ｂ）及び裏面図（ｃ）
である。
【図２】 図２は、本発明の実施の形態１における金型
２０のＩ−Ｉ断面図（ａ）、上型２１の要部平面図
（ｂ）及び配線基材搭載ブロック４２の平面図（ｃ）で
ある。
２０のＩ−Ｉ断面図（ａ）、上型２１の要部平面図
（ｂ）及び配線基材搭載ブロック４２の平面図（ｃ）で
ある。
【図３】 図３は、本発明の実施の形態１の樹脂モール
ド方法における各工程毎の金型２０の断面図である。
ド方法における各工程毎の金型２０の断面図である。
【図４】 図４は、本発明の実施の形態１におけるパッ
ケージパネル１８平面図（ａ）及び（ｂ）であり、図
（ｂ）には切断ライン７１と、個片化された半導体パッ
ケージ１０を示した。
ケージパネル１８平面図（ａ）及び（ｂ）であり、図
（ｂ）には切断ライン７１と、個片化された半導体パッ
ケージ１０を示した。
【図５】 図５は、円形ブレード１９によってパッケー
ジパネル１８が切断される様子を示す斜視図である。
ジパネル１８が切断される様子を示す斜視図である。
【図６】 図６は本発明の実施の形態１によって製造さ
れた半導体パッケージ１０の部分断面図（ａ）及び裏面
図（ｂ）である。
れた半導体パッケージ１０の部分断面図（ａ）及び裏面
図（ｂ）である。
【図７】 図７は本発明の実施の形態２における基材搭
載ブロックの平面図である。
載ブロックの平面図である。
【図８】 図８は、従来例のリリースフィルム４１を使
用するタイプの金型１２０の各工程毎の断面図である。
用するタイプの金型１２０の各工程毎の断面図である。
１０…半導体パッケージ １１…配線基板 １２…半導
体素子 １３…封止樹脂 １６…ボンディングワイヤ １８…パッケージパネル
１９…円形ブレード（切断手段） ２０…金型 ２１…
上型 ２２…下型 ２３ａ，２３ｂ…キャビティ ２４…上型センタブロック ２５…下型センタブロック
２６…樹脂 ２７…ポット ２８…プランジャ ２９…カル ３０…
ランナ ３１…ゲート ３２…ダミーキャビティ ４１…リリースフィルム ４２…配線基材搭載ブロック ４３…バネ ４４…吸着
用孔 ４５…吸着用孔 ４５ａ、４５ｂ…開口部 ５０…切断後のパッケージの
外周 ５１…絶縁基板 ５２…スルーホール ５３…銅配線 ５４…ソルダーレ
ジスト ５５…半田ボール ５６…接合材 ６０…配線基板ユニ
ット ６１…ワイヤボンディング部 ６２…外部端子接合用ラ
ンド部 ６３…吸着用溝 ７３…ソルダーレジストの外周 １２０…金型 １２１
…上型 １２２…下型 １４２…配線基材搭載ブロック
体素子 １３…封止樹脂 １６…ボンディングワイヤ １８…パッケージパネル
１９…円形ブレード（切断手段） ２０…金型 ２１…
上型 ２２…下型 ２３ａ，２３ｂ…キャビティ ２４…上型センタブロック ２５…下型センタブロック
２６…樹脂 ２７…ポット ２８…プランジャ ２９…カル ３０…
ランナ ３１…ゲート ３２…ダミーキャビティ ４１…リリースフィルム ４２…配線基材搭載ブロック ４３…バネ ４４…吸着
用孔 ４５…吸着用孔 ４５ａ、４５ｂ…開口部 ５０…切断後のパッケージの
外周 ５１…絶縁基板 ５２…スルーホール ５３…銅配線 ５４…ソルダーレ
ジスト ５５…半田ボール ５６…接合材 ６０…配線基板ユニ
ット ６１…ワイヤボンディング部 ６２…外部端子接合用ラ
ンド部 ６３…吸着用溝 ７３…ソルダーレジストの外周 １２０…金型 １２１
…上型 １２２…下型 １４２…配線基材搭載ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鶴田 久幸 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 4F202 AD05 AD08 AD19 AH33 CA12 CB01 CB12 CK41 CK85 CM72 CP01 CP06 4F206 AD05 AD08 AD19 AH37 JA02 JB12 JB17 JF05 JN25 JQ81 5F061 AA01 BA03 CA21 DA06 DA08
Claims (18)
- 【請求項１】 モールド成型用金型の上型及び下型のう
ち一方の型に設けられた配線基材搭載面に、表面に複数
の半導体素子がボンディングされたテープ状又は板状の
配線基材を搭載し、 型締めして前記配線基材の縁部を上型と下型とでクラン
プするとともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に
閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を充填するに際し
て、 前記モールド成型用金型が閉状態である時に、前記配線
基材の表面に作用する圧力値を前記配線基材の裏面に作
用する圧力値より高く設定することを特徴とする樹脂モ
ールド方法。 - 【請求項２】 モールド成型用金型の上型及び下型にキ
ャビティ表面に開口する吸着用孔を設け、前記吸着用孔
を真空源に接続し、上型及び下型のうち一方の型にリリ
ースフィルムを前記吸着用孔で吸引して真空吸着させ、 他方の型に、表面に複数の半導体素子がボンディングさ
れたテープ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔
で吸引して真空吸着させ、 型締めして前記配線基材の縁部を上型と下型とでクラン
プするとともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に
閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を充填するに際し
て、 前記モールド成型用金型が閉状態である時に、前記配線
基材の裏面に作用する負圧値を前記配線基材の表面に作
用する負圧値より大きく設定することを特徴とする樹脂
モールド方法。 - 【請求項３】 モールド成型用金型の上型及び下型にキ
ャビティ表面に開口する吸着用孔を設け、前記吸着用孔
を真空源に接続し、上型及び下型のうち一方の型にリリ
ースフィルムを前記吸着用孔で吸引して真空吸着させ、 他方の型に、表面に複数の半導体素子がボンディングさ
れたテープ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔
で吸引して真空吸着させ、 型締めして前記配線基材の縁部を上型と下型とでクラン
プするとともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に
閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を充填するに際し
て、 前記モールド成型用金型が閉状態である時に、 前記配線基材を吸引する一の真空源の負圧値を前記リリ
ースフィルムを吸引する他の真空源の負圧値より大きく
設定することを特徴とする樹脂モールド方法。 - 【請求項４】 モールド成型用金型の上型及び下型にキ
ャビティ表面に開口する吸着用孔を設け、前記吸着用孔
を真空源に接続し、上型及び下型のうち一方の型にリリ
ースフィルムを前記吸着用孔で吸引して真空吸着させ、 他方の型に、表面に複数の半導体素子がボンディングさ
れたテープ状又は板状の配線基材の裏面を前記吸着用孔
で吸引して真空吸着させ、 型締めして前記配線基材の縁部を上型と下型とでクラン
プするとともに前記半導体素子を単一のキャビティ内に
閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を充填するに際し
て、 前記モールド成型用金型が閉状態である時に、 前記配線基材を吸引する流路に設けられたバルブであっ
てこの流路に沿って金型に最直近のバルブでの負圧値
を、前記リリースフィルムを吸引する流路に設けられた
バルブであってこの流路に沿って金型に最直近のバルブ
での負圧値より大きく設定することを特徴とする樹脂モ
ールド方法。 - 【請求項５】 キャビティ表面に開口する通気孔を有す
るモールド成型用金型を用い、前記モールド成型用金型
のキャビティ内に、表面に複数の半導体素子がボンディ
ングされたテープ状又は板状の配線基材を設置し、型締
めして前記配線基材の縁部を前記モールド成型用金型の
上型と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を
単一のキャビティ内に閉じ込め、 前記通気孔からキャビティ内にガスを圧入してこのガス
の圧力により前記配線基材をキャビティ表面に押圧して
支持しつつ、前記キャビティ内に樹脂を充填することを
特徴とする樹脂モールド方法。 - 【請求項６】 前記配線基材を板状の配線基材（配線基
板）とし、前記モールド成型用金型を、配線基材搭載ブ
ロックがフローティング機構により上下動可能に支持さ
れてなるモールド成型用金型とすることを特徴とする請
求項１から請求項５のうちいずれか一に記載の樹脂モー
ルド方法。 - 【請求項７】 単一の半導体パッケージ分の配線基材ユ
ニットを所定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配線
基材を構成し、前記各配線基材ユニットの表面に半導体
素子をボンディングし、一方において、モールド成型用
金型の上型及び下型のうち一方の型の配線基材搭載面に
開口部を有する吸着用孔を、前記開口部が前記配線基材
の裏面上の前記配線基材ユニット外となる領域に対向
し、かつ、他方の型のキャビティに対向するように、形
成し、その後、前記配線基材の裏面を前記配線基材搭載
面に設置し、前記吸着用孔を真空源に接続し、前記吸着
用孔を負圧にして前記配線基材を前記配線基材搭載面に
吸着支持しつつ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填することを特徴とする樹脂モールド方法。 - 【請求項８】 前記開口部を配線基材周縁領域に対向す
るように配置することを特徴とする請求項７に記載の樹
脂モールド方法。 - 【請求項９】 前記開口部を前記配線基材ユニット間の
領域に対向するように配置することを特徴とする請求項
７に記載の樹脂モールド方法。 - 【請求項１０】 前記開口部を複数とし、そのうちいく
つかの開口部を配線基材周縁領域に対向するように配置
し、他の開口部を前記配線基材ユニット間の領域に対向
するように配置することを特徴とする請求項７に記載の
樹脂モールド方法。 - 【請求項１１】 単一の半導体パッケージ分の配線基材
ユニットを所定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配
線基材を上型及び下型のうち一方の型に搭載し、他方の
型の単一のキャビティで複数の半導体パッケージをモー
ルド成形するモールド成型用金型であって、前記一方の
型の配線基材搭載面に、前記他方の型のキャビティに対
向する範囲内で複数の開口部を有する吸着用孔が設けら
れ、そのうちいくつかの開口部が前記配線基材搭載面の
周縁領域に配置され、他の開口部が前記配線基材搭載面
の幅方向又は長手方向のほぼ中心軸上に配置されてなる
ことを特徴とするモールド成型用金型。 - 【請求項１２】 単一の半導体パッケージ分の配線基材
ユニットを所定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配
線基材を上型及び下型のうち一方の型に搭載し、他方の
型の単一のキャビティで複数の半導体パッケージをモー
ルド成形するモールド成型用金型であって、前記一方の
型の配線基材搭載面に前記他方の型のキャビティに対向
する範囲内で開口部を有する吸着用孔が設けられ、前記
開口部の位置が、前記配線基材搭載面のうち前記配線基
材ユニットが搭載される領域を除く領域内であることを
特徴とするモールド成型用金型。 - 【請求項１３】 単一の半導体パッケージ分の配線基材
ユニットを所定間隔で複数備えるテープ状又は板状の配
線基材の裏面に吸着用溝を形成し、前記各配線基材ユニ
ットの表面に半導体素子をボンディングし、一方におい
て、モールド成型用金型に、その配線基材搭載面に開口
部を有する吸着用孔を、前記開口部が前記吸着用溝に対
向するように形成し、その後、前記配線基材の裏面を前
記配線基材搭載面に設置し、前記吸着用孔を真空源に接
続し、前記真空源によって前記吸着用孔及び前記吸着用
溝内を負圧にして前記配線基材を前記配線基材搭載面に
吸着支持しつつ、型締めして前記配線基材の縁部を上型
と下型とでクランプするとともに前記半導体素子を単一
のキャビティ内に閉じ込め、前記キャビティ内に樹脂を
充填することを特徴とする樹脂モールド方法。 - 【請求項１４】 前記吸着用溝を前記配線基材ユニット
間の領域に形成することを特徴とする請求項１３に記載
の樹脂モールド方法。 - 【請求項１５】 前記吸着用溝を前記配線基材ユニット
間の領域から配線基材周縁領域まで延設し、前記開口部
を前記配線基材周縁領域に対向するように配置すること
を特徴とする請求項１３に記載の樹脂モールド方法。 - 【請求項１６】 前記吸着用溝を前記配線基材ユニット
間の領域から配線基材周縁領域まで連続して形成し、前
記開口部を複数とし、そのうちいくつかの開口部を配線
基材周縁領域に対向するように配置し、他の開口部を前
記配線基材ユニット間の領域に対向するように配置する
ことを特徴とする請求項１３に記載の樹脂モールド方
法。 - 【請求項１７】 前記配線基材の裏面にソルダーレジス
トを選択的に付設することにより前記吸着用溝を形成す
ることを特徴とする請求項１３に記載の樹脂モールド方
法。 - 【請求項１８】 単一の半導体パッケージ分の配線基材
ユニットを所定間隔で複数備える配線基材であって、そ
の裏面にソルダーレジストが選択的に付設され、ソルダ
ーレジスト開口部として形成される溝が前記配線基材ユ
ニット間の領域から配線基材周縁領域まで連続して形成
されてなることを特徴とする配線基材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000033380A JP3510554B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材 |
| KR10-2001-0006530A KR100417182B1 (ko) | 2000-02-10 | 2001-02-09 | 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재 |
| US09/781,789 US6676885B2 (en) | 2000-02-10 | 2001-02-12 | Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies |
| TW090103079A TW503497B (en) | 2000-02-10 | 2001-02-12 | Resin-molding method, molding dies and circuit base member |
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|---|---|---|---|
| JP2000033380A JP3510554B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材 |
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|---|---|
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| JP3510554B2 JP3510554B2 (ja) | 2004-03-29 |
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ID=18557871
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000033380A Expired - Fee Related JP3510554B2 (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JP3510554B2 (ja) |
| KR (1) | KR100417182B1 (ja) |
| TW (1) | TW503497B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002254481A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Nec Corp | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| JP2005150458A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Towa Corp | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
| US7288440B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-10-30 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7465609B2 (en) | 2004-08-31 | 2008-12-16 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US10262879B2 (en) | 2016-03-11 | 2019-04-16 | Toshiba Memory Corporation | Mold device |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747345B1 (en) * | 2000-03-01 | 2004-06-08 | Todd O. Bolken | Exposed die molding apparatus |
| TW486793B (en) * | 2001-05-29 | 2002-05-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Packaging method for preventing a low viscosity encapsulant from flashing |
| JP2004134591A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2004179345A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体用基板シート材及びその製造方法、及び基板シート材を用いたモールド方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2005150350A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20050104251A1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-05-19 | Lingsen Precision Industries, Ltd. | Integrated circuit chip packaging process |
| US7147447B1 (en) * | 2005-07-27 | 2006-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Plastic semiconductor package having improved control of dimensions |
| US7618249B2 (en) * | 2006-09-22 | 2009-11-17 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Memory card molding apparatus and process |
| CN103737849A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-04-23 | 苏州市旭正模具厂 | 一种旋转锁扣成型塑胶模 |
| KR102376487B1 (ko) | 2015-02-12 | 2022-03-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 제조 장치 및 그 제조 방법 |
| US9947561B2 (en) * | 2016-03-07 | 2018-04-17 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Semiconductor encapsulation system comprising a vacuum pump and a reservoir pump |
| JP6721525B2 (ja) | 2017-03-03 | 2020-07-15 | キオクシア株式会社 | 金型 |
| US11114313B2 (en) * | 2019-05-16 | 2021-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer level mold chase |
| DE102023100284A1 (de) | 2023-01-09 | 2024-07-11 | Infineon Technologies Ag | Package mit Vakuumsaugen verstärkender Vertiefung auf der Rückseite eines Trägers |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618932A (ja) | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| US4944908A (en) * | 1988-10-28 | 1990-07-31 | Eaton Corporation | Method for forming a molded plastic article |
| JPH02297945A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体素子パッケージの製造方法 |
| US5147821A (en) * | 1990-09-28 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation |
| JPH06232193A (ja) | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Hitachi Ltd | モールド装置およびそれを用いたモールド方法 |
| JP2524955B2 (ja) * | 1993-04-22 | 1996-08-14 | トーワ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP3214788B2 (ja) | 1994-11-21 | 2001-10-02 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
| EP0730937B1 (en) * | 1994-11-21 | 1998-02-18 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| MY114536A (en) * | 1994-11-24 | 2002-11-30 | Apic Yamada Corp | A resin molding machine and a method of resin molding |
| US5846477A (en) * | 1994-12-08 | 1998-12-08 | Nitto Denko Corporation | Production method for encapsulating a semiconductor device |
| JP3631308B2 (ja) | 1995-10-25 | 2005-03-23 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
| US6048483A (en) * | 1996-07-23 | 2000-04-11 | Apic Yamada Corporation | Resin sealing method for chip-size packages |
| KR19980058464A (ko) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 패키지의 몰딩방법 |
| JP2971834B2 (ja) * | 1997-06-27 | 1999-11-08 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP3017470B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2000-03-06 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 |
| JPH1140593A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 |
| TW421833B (en) * | 1998-07-10 | 2001-02-11 | Apic Yamada Corp | Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine |
| US6439869B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for molding semiconductor components |
-
2000
- 2000-02-10 JP JP2000033380A patent/JP3510554B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-09 KR KR10-2001-0006530A patent/KR100417182B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2001-02-12 TW TW090103079A patent/TW503497B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002254481A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Nec Corp | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| JP4658353B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法 |
| US7288440B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-10-30 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7445969B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-11-04 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2005150458A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Towa Corp | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
| JP4583020B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-11-17 | Ｔｏｗａ株式会社 | 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型 |
| US7465609B2 (en) | 2004-08-31 | 2008-12-16 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device |
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