KR20010082113A - 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재 - Google Patents

수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재 Download PDF

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KR20010082113A
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Abstract

1매의 배선기재의 한 면에 복수의 반도체소자를 본딩하고, 이들 반도체소자를 단일의 공동내에 수납하여 일괄해서 수지봉지하는 트랜스퍼몰드기술에 있어서, 금형내에 감금된, 배선기재의 금형표면으로부터의 부상에 기인하는 불량을 유효하게 방지하고, 내부적으로도 외관적으로도 양호한 반도체패키지를 수율 좋게 제조가능한 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재를 제공한다.
하부금형(22)에 흡착용공(45)을 설치하고, 배선기판(11)의 이면에 흡착용홈을 설치하였다. 이들을 연결하여 진공흡인하여, 배선기재(11)의 이면에 작용하는 부압값을 배선기재(11)의 표면에 작용하는 부압값보다 크게 설정하였다.

Description

수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재{Resin-molding method, molding dies and circuit board}
본 발명은 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재에 관한 것으로, 1매의 배선기재의 한 면에 복수의 반도체소자를 본딩하고, 이들 반도체소자를 단일의 공동(cavity)내에 넣어 일괄해서 수지봉지하는 트랜스퍼몰드기술에 속한다.
트랜스퍼몰드는 현재, 반도체소자의 수지봉지방법으로서 가장 널리 사용되고 있는 것으로, 금형의 공동부에 기판타입이나 테입타입 등의 배선기재에 본딩된 반도체소자를 배치하고, 용융한 수지를 플랜저로 가압하여 공동에 충전함으로써 반도체소자를 수지봉지하는 방법이다, 복수의 반도체패키지분의 반도체소자(반도체칩)를 1매의 배선기재에 매트릭스형상으로 본딩하고, 이것을 수지봉지하는 방법으로는, 개별봉지방법과 일괄봉지방법이 있다. 개별봉지방법이 실시되는 중, 생산성의 향상, 나아가서는 비용절감을 목적으로 일괄봉지방법이 개발되었다. 현재, 일괄봉지방법 쪽이 비용면, 생산성에 있어서 보다 우수한 것으로 되어 있다.
개별봉지방법은 하나의 반도체패키지분의 반도체소자와 다른 반도체패키지분의 반도체소자를 따로따로 다른 공동내에 넣고 개별적으로 수지봉지하는 방법이다. 따라서, 개별봉지방법으로는, 봉지수지의 측면은 금형에 의해서 성형되어, 봉지공정시점에서 봉지수지가 개개의 패키지마다 독립되어 있다. 따라서, 봉지공정 후,패키지를 개편화하기 위해서는, 봉지수지를 절단할 필요는 없고, 배선기재 및 절단라인상에 배선층, 솔다레지스트층 등이 존재하는 경우에는 그들 층을 절단하기만 하면 된다.
한편, 일괄봉지방법은 복수의 반도체패키지분의 반도체소자를, 단일의 공동내에 넣어서 일괄해서 수지봉지하는 방법이다. 일괄봉지방법으로는, 봉지수지가 복수의 반도체패키지분의 반도체소자를 내포하는 일체적인 평판형상이 된다. 이것을 패키지패널이라고 부르는 경우가 있다. 그 후, 이 패키지패널을 개편으로 분리하는 패키지다이싱을 실행하여, 개개의 반도체패키지를 얻는다. 따라서, 일괄봉지방법에 의해서 제조된 반도체패키지의 측면은, 개별봉지방법과 같이 금형에 의해 성형되는 것이 아니고, 다이싱에 의한 절단면으로서 성형된다.
이하에, 도 8을 참조하여, 일괄봉지방법에 의한 반도체장치의 제조방법, 수지몰드방법, 수지몰드장치, 몰드성형용금형 및 배선기재의 종래의 일례에 관하여 설명한다. 트랜스퍼몰드를 실행할 때, 릴리스필름을 사용하는 경우와, 사용하지 않는 경우가 있다. 도 8은 종래 예의 릴리스필름을 사용하는 타입의 금형(120)의 각 공정마다의 단면도이다.
먼저, 금형(120) 및 수지몰드장치(도시하지 않음)의 구성에 대해 설명한다.
도 8에 나타낸 바와 같이 종래의 금형(120)은, 상부금형(121)과 하부금형(122)으로 이루어진다.
금형(120)에 있어서의 상부금형(121) 및 하부금형(l22)은 각각 몇 개의 블럭에 의해서 구성되어 있다.
상부금형(121)은 상부금형중심블럭(24)을 가지고 있다. 하부금형(122)은 하부금형중심블럭(25)과 배선기재탑재블럭(142)을 가진다.
하부금형중심블럭(25)에는, 수지(26)를 장전하는 포트(27)가 설치되어 있다. 이 포트(27)에는 수지(26)가 장전되고, 또한 수지(26)에 가압력을 주는 플랜저(28)가 삽입된다.
한편, 상부금형중심블럭(24)에는 칼(29)이 포트(27)에 대향하는 위치에 설치되어 있다.
이 칼(29)의 양측에는 공동(23a)측에 용융수지(26)를 유입하는 유로가 되는 런너(30)가 형성되어 있다.
상기 중심블럭의 양측의 각각에 있어, 상부금형(121)은 공동(23a)을 형성하고 있다. 공동(23a)은 배선기재(111)상에 본딩된 반도체소자(l2)를 내포하여, 수지의 충전을 받아, 이들 반도체소자(12)를 덮는 봉지수지를 성형하는 것이다. 칼(29)의 양측에 형성된 런너(30)는 이 공동(23a)의 상부금형중심블럭(24)측의 변에 접속되어 있다. 이 런너(30)가 접속하는 공동(23a)의 변과 반대측의 변에는, 수지충전 시에 공동(23a)내의 가스(공기)를 도망하게 하기 위한 에어벤트(l46)가 설치되어 있다. 이 에어벤트(146)는 상부금형(121)의 크램프면에 형성된 줄기형상의 홈에 의해서 구성된다.
이 공동(23a)에 대향하는 위치에 있어서, 하부금형(122)은 공동(23b)을 형성하고 있다. 공동(23b)은 배선기재(111)를 수용하기 위한 것이다.
금형(l20)은 공동(23a)과 공동(23b)에 의해 배선기재(1l1) 및반도체소자(12)를 밀폐하는 공동을 형성하고 있다.
배선기재탑재블럭(142)은 배선기재(1l1)가 탑재되는 부분이다. 배선기재탑재블럭(142)은 그 주위의 블럭보다 낮게됨으로써 배선기재(111)를 수용하는 공동(23b)을 형성하고 있다.
또한, 배선기재탑재블럭(142)은 스프링(43)을 이용한 플로팅기구에 의해 상하동가능하게 지지되어 있고, 이러한 상하움직임에 의해 공동(23b)의 깊이를 변동시킬 수 있다.
이러한 플로팅기구는 반도체패키지의 배선기재(1l1)로서 비교적 두께에 변동이 생기는 기판타입의 것을 사용하는 경우에 필요하다. 왜냐하면, 상기 플로팅기구를 채용하지 않는 경우는 공동(23b)의 깊이가 일정하게 된다. 또한, 비교적 두께에 변동이 생기는 기판을 배선기재탑재블럭(142)에 탑재해 버리면, 기판표면의 위치에 변동이 생긴다. 공동(23b)의 깊이에 대하여 두꺼운 기판을 공동(23b)에 배치하고, 상하의 금형(121, l22)으로 클램프하는 경우에는, 과잉된 클램프압력이 발생하여 기판을 흠내는 폐해가 생기기 때문이다. 한편, 공동(23b)의 깊이에 대하여 엷은 기판을 공동(23b)에 배치하여, 상하의 금형(121, l22)을 클램프하는 경우에는, 클램프가 불충분하여 빈틈이 생기고, 수지가 누출하는 불량이 생기기 때문이다. 이 같은 폐해를 플로팅기구를 채용함으로써 해결하고 있다. 그러나, 배선기재(111)로서 테이프재를 사용하는 경우는, 이러한 플로팅기구를 필요로 하지 않는다. 테이프재는 엷고, 기판타입의 것에 비하여 두께의 변동이 작기 때문에 플로팅기구를 채용하지 않더라도 상술한 바와 같은 폐해는 발생하지 않기 때문이다.
상부금형(121)은 릴리스필름을 진공흡착하기 위한 흡착용공(44)을 가진다. 흡착용공(44)은 공동(23a) 등의 표면에 개구부(44a)를 배치하고 있고, 그 한쪽에서, 금형(120)의 외부의 진공원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또, 릴리스필름을 사용하지 않는 금형에서는 흡착용공(44)은 필요하지 않다.
이 금형(120)을 장비하는 수지몰드장치는 상부금형(l21)을 지지하는 상부베이스(도시하지 않음)와, 하부금형(122)을 지지하는 하부베이스(도시하지 않음)와, 금형(120)을 가열하는 히터(도시하지 않음)와, 상술한 진공원이 되는 진공펌프(도시하지 않음)와, 형조임기구(도시하지 않음)와, 사출기구(도시하지 않음)와, 플랜저(28)를 구비한다. 상하부금형(121, 122)은 플레이트나 볼트(도시하지 않음) 등을 이용하여 상하부베이스에 고정된다. 상부베이스 또는 하부베이스는 금형(120)을 개폐동작 시키기 위해서 형조임기구에 의해서 승강가능하게 구성되어 있다.
다음에, 도 8을 참조하여 종래의 일괄봉지방법에 의한 반도체장치의 수지몰드방법 내지 반도체장치의 제조방법에 관하여 설명한다.
[본딩공정]
수지몰드공정의 이전공정으로서, 본딩공정을 실행한다. 본딩공정에서는 복수의 반도체패키지분의 반도체소자(12)를 1매의 배선기재(11l)의 주표면상에 매트릭스형상으로 배열하여 탑재·접합한다. 또한, 와이어본딩기술 등에 의해 배선의 내부접속을 한다. 도 8에는 일례로서 반도체소자(12)가 본딩와이어(16)에 의해 내부접속된 상태를 나타내었다. 기타, 내부접속용의 금속범프를 사용하여 반도체소자(12)를 접속하는 와이어레스본딩법이 있다.
[형조임 이전공정(도 8a)]
다음에, 수지몰드공정을 실행한다. 먼저, 형조임 전의 공정을 도 8a를 참조하여 설명한다.
하부금형(122)의 배선기재탑재블럭(142)에 배선기재(111)를 탑재한다. 또한, 상부금형(121)의 공동(23a) 및 칼(29), 런너(30)를 덮도록 릴리스필름(41)을 배치함과 동시에, 릴리스필름(41)을 공동(23a)의 표면에 진공흡착하여 상부금형(121)의 내면형상에 따르도록 배치한다. 이 때 흡착용공(44)의 개구부(44a)는 릴리스필름(4l)에 의해서 막힐 수 있다. 그러나, 릴리스필름(4l)은 가스를 투과시키는 성질을 가지기 때문에 릴리스필름(41)을 투과한 다소의 가스(공기)가 흡착용공(44)으로 계속 흡입된다. 따라서, 릴리스필름(41)에 의해 흡착용공(44)으로의 가스의 흐름이 완전히 차단되는 것은 아니다.
또한, 릴리스필름(41)은 수지(26)의 이형을 용이하게 하기 위한 것이다. 릴리스필름(41)을 사용하지 않은 경우에는, 몰드부에 핀을 배치하여 이젝트기구에 의해 상기 핀을 눌러서 이형 시키는 방법을 취하고, 상부금형(121)의 내면의 수지(26)가 침입하는 부분에 이형제를 정기적으로 사용하여 이형을 보다 확실히 해준다.
배선기재(111) 및 릴리스필름(41)은 히터(도시하지 않음)에 의해 미리 가열되어 있는 금형(120)에 접촉함으로써 가열된다. 배선기재(111)는 그 이면에서 가열되기 때문에, 배선기재탑재블럭에 탑재된 직후에는 이면측에서 보다 큰 열팽창이 생겨 전체에 휘어짐이 생기는 경우가 있다. 이 배선기재(1l1)의 휘어짐은 열평형열이 진행됨에 따라서 감소한다. 따라서, 적어도 생산상 불량인 휘어짐이 소멸될 때까지 수지충전을 기다릴 필요가 있다.
다음에, 하부금형(122)의 포트(27)내에 정제상의 수지(26)(수지타블렛)를 장전한다.
[형조임(도 8b)]
그 후, 수지몰드장치를 동작시켜 상부금형(121)과 하부금형(122)을 접합시키고, 금형(120)을 형조임한다. 이때 배선기재(111)의 바깥엣지부는 상부금형(12l)과 하부금형(122)에 따라서 끼워 클램프된다. 배선기재(111)의 중앙의 반도체소자(12)가 배열되어 있는 영역은 직접 클램프되는 일 없이 공동(23a)내에 감금된다.
[수지사출·충전(도 8c 및 도 8d) ]
다음에, 수지(26)를 용융시켜 용융한 수지(26)를 플랜저(28)로 밀어 올림으로써 사출하여, 칼(29), 런너(30)를 통해서 공동(23a)까지 유입시켜, 수지(26)를 금형(120)내에 충전한다. 수지(26)의 유입 전에 공동(23a)내에 존재한 가스(공기)는 수지(26)의 유입에 따라서 수지류의 전방으로 밀려 에어벤트(146)로부터 배출된다.
[수지경화]
수지(26)에는 열경화성수지가 사용된다. 수지(26)를 금형(120)내에 충전한 후, 수지(26)를 소성하여 경화시킨다.
이상의 공정에 의해 패키지패널이 완성된다. 그 후는 금형(l20)을 열어 패키지패널을 취출하고 패키지패널로부터 릴리스필름(4l)을 이탈시킨다.
[외부단자형성]
다음에, 외부단자를 형성해야 하는 경우에는 외부단자형성공정으로 보낸다. BGA패키지를 생산하는 경우는, 배선기재(l11)의 이면에 납땜볼을 부설하여 이것을 외부단자로 한다.
[패키지다이싱]
다음에, 패키지다이싱공정을 시행한다. 패키지다이싱은 원형블레이드의 회전에 의해 지립가공절단을 하는 다이싱장치(도시하지 않음)를 사용하여 행한다. 원형블레이드에 의해 패키지패널을 절단하고, 개개의 반도체패키지에 개편화한다. 이렇게 하여 하나의 패키지패널로부터 복수의 반도체패키지를 얻을 수 있다. 또, 각 반도체패키지의 측면은 원형블레이드에 의한 절단면으로서 성형된다.
이상의 종래기술에서는, 이하와 같은 문제가 있었다.
도 8b에 나타낸 바와 같이 금형(120)을 형조임하고, 배선기재(111)가 금형(120)내에 감금 될 때에 흡착용공(44)의 부압이 릴리스필름(41)을 투과하여 배선기재(1ll)에 작용하여, 배선기재(111)가 상부금형(l2l)쪽으로 끌려들어, 배선기재(111)의 중앙부가 배선기재탑재블럭(l42)의 표면에서 부상하는 현상이 일어난다. 배선기재(111)의 중앙부가 부상하여 본딩와이어(16)의 루프부 등의 가장 높은 위치에 있는 부분이 릴리스필름(41)에 접촉하는 경우(이 경우를 모드(1)로 한다)가 있었다.
또한, 도 8c에 나타낸 바와 같이 용융한 수지(26)를 공동(23a)내에 압입해 갈 때에, 배선기재(111)의 수지유입종단부분이 꼬여서 부상한다. 그리고 본딩와이어(16)의 루프부 등의 가장 높은 위치에 있는 부분이 릴리스필름(41)에 접촉하는 경우(이 경우를 모드(2)로 한다)가 있었다.
본출원 발명자의 검증에 의해, 배선기재(111)가 기판타입의 경우에는 주로 전자(모드 (1))의 형태의 접촉이 생기고, 배선기재(111)가 테이프타입의 경우에는 주로 후자(모드 (2))의 형태의 접촉이 생기는 것이 확인되었다.
이러한 릴리스필름(41)에의 접촉이 생기면, 본딩와이어(16) 등에 스트레스를 주고, 부적당한 변형을 발생시킨다는 문제가 발생한다.
또한, 접촉흔적이 릴리스필름(41)에 남아, 그대로 수지봉지를 행하면 반도체패키지의 수지표면에 릴리스필름(41)의 접촉흔적이 전사된다고 하는 외관불량이 발생한다. 이러한 외관불량이 생긴 반도체패키지는 외관검사에 있어서 불량품으로서 생산라인에서 제거될 수밖에 없다. 예컨대, 본딩와이어(16)의 접촉흔적이 전사된 반도체패키지는 본딩와이어가 노출되어 적정하게 수지봉지되어 있지 않다고 오인한 결과, 생산라인으로부터 제거되는 경우가 있다. 본딩와이어(16)가 노출하고 있는 것이 아니고 본딩와이어(16)의 접촉흔적이 전사되어 있다고 인식되더라도, 그와 같은 반도체패키지는, 수지내부에 있어 본딩다와이어(16)에 결함이 생기고 있는 가능성이 높기 때문에 생산라인으로부터 제거하는 선택을 하지 않을 수 없는 경우가 있다. 또한, 가령 정상적으로 동작하는 것이라도 외관불량이 있는 반도체패키지는 제품으로서 고객에게 납품하기 어려운 문제가 있다.
기판의 부상을 방지하기 위해서, 일본특개평8-142l06호에 개시된 수지몰드장치와 같이 배선기재를 진공흡착하는 방법을 생각할 수 있다.
그러나, 본출원 발명자는 배선기재를 진공흡착하는 방법을 취하더라도, 릴리스필름의 흡착수단에 의해서 배선기재표면에 작용하는 부압이 배선기재흡착수단에 의해서 배선기재이면에 작용하는 부압보다 큰 경우에는, 모드(1)과 같은 배선기재의 부상이 발생하는 것을 발견하였다.
배선기재(111)를 기판타입으로 하는 경우에는, 배선기재탑재블럭(142)을 플로팅동작 시키기 위해서, 배선기재탑재블럭(142)과 이에 인접하는 다른 블럭과의 사이에 일정한 틈을 마련하지 않으면 안 된다. 이러한 틈이 진공누설의 원인이 되어 기판이면의 흡착력을 저하시키는 결과, 모드(1)과 같은 배선기재의 부상을 발생시킨다.
또한, 일본특개평8-142l06호는 이 공보의 단락 0016에 있는 바와 같이 개편으로 절단한 기판에 본딩된 반도체소자를 수지봉지하는 장치를 예시하고 있다. 개편으로 절단한 기판에 본딩된 반도체소자를 수지봉지하는 경우, 반도체소자의 주위의 기판을 클램프하여 유지하면, 진공흡인수단에 의해서 배선기재표리에 차압이 생기더라도, 반도체소자나 본딩와이어가 릴리스필름에 접촉할 만큼 상하로 변동하는 일은 없다. 즉, 상술한 바와같은 문제는 발생하지 않는다.
또한, 특개평8-142106호에 개시되는 수지몰드장치가 배선기재를 진공흡착하는 것은 형조임 전에 배선기재를 상부금형에 흡인탑재하기 위함이라고 추찰되고, 형조임 후에 있어서 배선기재를 유지하기 위함이라는 기재는 없다.
따라서, 특개평8-142l06호는, 본 출원과 같이 1매의 배선기재에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자를 본딩하여 일괄봉지하는 기술에 있어서, 상기 문제를 해결하는 수단 또는 실마리를 개시하고 있지 않아 상기 문제는 해결할 수 없다.
또한, 기판을 개편으로 절단하지 않고, 1매의 배선기재에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자를 본딩한 것을 수지봉지하는 경우이어도, 개별봉지방법을 채용하면, 각 공동사이에서 기판을 클램프할 수가 있기 때문에, 상술한 바와 같은 문제는 발생하지 않는다.
본 발명은 이상의 종래기술에 있어서의 문제에 비추어 이루어 진 것으로, 1매의 배선기재의 한 면에 복수의 반도체소자를 본딩하고, 이들 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하여 일괄해서 수지봉지하는 트랜스퍼몰드기술에 있어서, 금형내에 감금된 배선기재의 금형표면으로부터의 부상에 기인하는 불량을 유효하게 방지하고, 내부적으로도 외관적으로도 양호한 반도체패키지를 수율 좋게 제조가능한 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1a는 본 발명의 실시형태1의 배선기판(l1)의 표면도, 도 1b는 A-A 단면도, 및 도 1c는 A-A 배면도;
도 2a는 본 발명의 실시형태1에 있어서의 금형(20)의 I-I 단면도, 도 1b는 상부금형(2l)의 요부평면도, 및 도 1c는 배선기재탑재블럭(42)의 평면도;
도 3은 본 발명의 실시형태1의 수지몰드방법에 있어서의 각 공정마다의 금형(20)의 단면도들;
도 4a는 발명의 실시형태1에 있어서의 패키지패널(18)의 평면도, 및 도 1b는 절단라인(71)과 개편화된 반도체패키지(10)를 나타내고;
도 5는 원형블레이드(19)에 의해서 패키지패널(18)이 절단되는 모양을 나타내는 사시도;
도 6a 본 발명의 실시형태1에 의해서 제조된 반도체패키지(1O)의 부분단면도이고, 도 b는 그 배면도;
도 7은 본 발명의 실시형태2에 있어서의 기재탑재블럭의 평면도들; 및
도 8은 종래 예의 릴리스필름(41)을 사용하는 타입의 금형(l20)의 각 공정마다의 단면도들이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 반도체패키지 1l : 배선기판
12 : 반도체소자 13 : 봉지수지
16 : 본딩와이어 18 : 패키지패널
19 : 원형블레이드(절단수단) 20 : 금형
21 : 상부금형 22 : 하부금형
23a, 23b :공동 24 : 상부금형중심블럭
25 : 하부금형중심블럭 26 :수지
27 : 포트 28 : 플랜저
29 : 칼 30 : 런너
3l : 게이트 32 : 더미공동
41 : 릴리스필름 42 : 배선기재탑재블럭
43 : 스프링 44 : 흡착용공
45 : 흡착용공 45a, 45b : 개구부
50 : 절단후의 패키지의 외주 51 : 절연기판
52 : 스루홀 53 : 구리배선
54 : 솔다레지스트 55 : 납땜볼
56 : 접합재 60 : 배선기판유니트
61 : 와이어본딩부 62 : 외부단자접합용랜드부
63 : 흡착용홈 73 : 솔다레지스트의 외주
120 : 금형 121 : 상부금형
122 : 하부금형 142 : 배선기재탑재블럭
상기 과제를 해결하는 본 출원 제1발명은, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 설치된 배선기재탑재면에, 표면에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자가 본딩된 테입형상 또는 판형상의 배선기재를 탑재하고,
형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하여, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재의 표면에 작용하는 압력값을 상기 배선기재의 이면에 작용하는 압력값 보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
따라서 본 출원 제l발명의 수지몰드방법에 의하면, 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재의 표면에 작용하는 압력값을 상기 배선기재의 이면에 작용하는 압력값보다 높게 설정하기 때문에, 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면로부터 부상하는 일이 없고, 본딩와이어의 루프부 등의 가장 높은 위치에 있는 부분이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손해를 주지 않고, 또한, 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있는 이점이 있다. 또, 테이프형상의 배선기재로서는, 폴리이미드필름 등의 절연필름에 동박 등의 금속박에 의한 배선패턴을 부설한 테이프캐리어(필름캐리어)가 해당된다. 판형상의 배선기재로는 유리·에폭시판 등의 절연기판에 동박 등의 금속박에 의한 배선패턴을 부설한 배선기판이 해당된다.
상기 과제를 해결하는 본 출원 제2발명은, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하여, 상부금형 및 하부금형 중 한 쪽의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기공동내에 수지를 충전하는 것에 있어서,
상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재의 이면에 작용하는 부압값을 상기 배선기재의 표면에 작용하는 부압값 보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
따라서 본 출원 제2발명의 수지몰드방법에 의하면, 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 배선기재의 이면에 작용하는 부압값을 배선기재의 표면에 작용하는 부압값보다 크게 설정하기 때문에, 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면에서 부상하는 일이 없고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 데미지를 주지 않고, 또한, 외관이 양호한 수지패키지가 얻어 진다고 하는 이점이 있다.
또한 본 출원 제3발명은, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하여, 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착 시키고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재를 흡인하는 하나의진공원의 부압값을 상기 릴리스필름을 흡인하는 다른 진공원의 부압값 보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
배선기재의 표리에 작용하는 부압값을 검출하는 일은 간단하지 않기 때문에, 진공원의 부압값을 검출하여 제어하는 것이 간편한 해결수단이 된다. 본 발명자에 의해서, 배선기재를 흡인하는 하나의 진공원의 부압값을 릴리스필름을 흡인하는 다른 진공원의 부압값보다 크게 설정하는 것으로, 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면에서 부상하는 일이 없고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없는 것이 확인되었다.
따라서, 본 출원 제3발명의 수지몰드방법에 의하면, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 상해를 주지 않고, 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있다는 이점이 있다.
또한 본 출원 제4발명은, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하여,
상부금형 및 하부금형 중 한족의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고,
다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고,
형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에,
상기 배선기재를 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값을,
상기 릴리스필름을 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값보다 크게 설정하는 것을 특징으로하는 수지몰드방법이다.
배선기재의 표리에 작용하는 부압값을 검출하는 것은 간단한 일이 아니기 때문에, 진공원의 부압값을 검출하여 제어하는 것이 간편한 해결수단이 된다. 그러나, 하나의 진공원의 출력을 분배하여 배선기재 및 릴리스필름을 흡인하는 경우는 배선기재를 흡인하는 진공원과 릴리스필름을 흡인하는 진공원이 동일하기 때문에, 진공원의 부압값을 검출해도 의미가 없다. 또한, 진공원의 부압값 보다, 배선기재 또는 릴리스필름을 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이들의 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값 쪽이 실효값(배선기재의 표리에 작용하는 부압값)에 가깝다고 할 수 있다. 본 발명자에 의해서, 배선기재를 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값을, 릴리스필름을 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값보다 크게 설정하는 것으로, 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면으로부터 부상하는 일이 없고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없는 것이 확인되었다.
따라서 본 출원 제4발명의 수지몰드방법에 의하면, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손상을 주지 않고, 또한, 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있는 이점이 있다.
또한 본 출원 제5발명은, 공동표면에 개구하는 통기공을 가지는 몰드성형용금형을 사용하여, 상기 몰드성형용금형의 공동내에, 표면에 복수의 반도체패키지분의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 설치하고, 형조임하여 상기 배선기재의 엣지부를 상기 몰드성형용금형의 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 하나의 공동내에 감금하고, 상기 통기공으로부터 공동내로 가스를 압입하고 이 가스의 압력에 의해 상기 배선기재를 공동표면에 압압하여 지지하면서, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
따라서 본 출원 제5발명의 수지몰드방법에 의하면, 상기 통기공으로부터 공동내에 가스를 압입하여 이 가스의 압력에 의해 상기 배선기재를 공동표면에 압압하여 지지하기 때문에, 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면으로부터 부상하는 일이 없고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손상을 주지 않고, 또한, 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 본 출원 제5발명의 수지몰드방법에 의하면, 상기 통기공으로부터 공동내로 가스를 압입하여 이 가스의 압력에 의해 상기 배선기재를 공동표면에 압압하여 지지하면서, 상기 공동내에 수지를 충전하기 때문에, 공동내에 유입하는 수지도 공동내에 압입된 가스의 압력을 받는다. 이 가스압에 의해 수지의 충전을 균일하게 행할 수 있는 이점이 있다.
상기 통기공으로는, 종래의 금형에 설치되어 있는 기존의 에어벤트(air vent)를 사용할 수 있다. 또한, 공동내에 가스를 압입하고, 이 가스의 압력에 의해 배선기재를 공동표면에 압압하여 지지하기 때문에, 배선기재탑재블럭에 배선기재의 지지수단으로서의 흡착용공을 설치할 필요는 없다. 따라서, 현재 있는 설비를 이용하여 본 출원 제5발명의 수지몰드방법을 실시할 수가 있다.
또한 본 출원 제6발명은, 본 출원 제1발명으로부터 본 출원 제5발명 중 어느 하나의 발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 배선기재를 판형상의 배선기재(배선기판)로 하여, 상기 몰드성형용금형을, 배선기재탑재블록이 플로팅기구에 의해 상하동가능하게 지지되어 이루어지는 몰드성형용금형으로 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 출원 제6발명의 수지지몰드방법에 의하면, 플로팅기구에 의해 받는 이익을 유지하면서, 플로팅기구를 채용함으로써 생기는 진공누출에 기인한 불이익을 본 출원 제2발명 내지 본 출원 제5발명 중 어느 하나의 발명의 기술적 수단에 의해 해소할 수가 있다는 이점이 있다.
배선기재를 기판타입으로 하는 경우에는, 배선기재탑재블럭을 플로팅동작시키기 위해서, 배선기재탑재블럭과 이에 인접하는 다른 블럭과의 사이에 일정한 틈을 마련하지 않으면 안 된다. 이러한 틈이 진공누설의 원인이 되어, 기판이면의 흡착력을 저하시키는 결과, 모드(1)같은 배선기재의 부상을 발생시킨다는 문제가 있다.
그러나, 본 출원 제2발명 내지 본 출원 제4발명의 어느 하나의 발명에 의해서도, 기재표면에 작용하는 부압보다 기판이면에 작용하는 부압을 높이도록 압력을 조정하기 때문에, 배선기재탑재블럭과 이것에 인접하는 다른 블럭과의 틈으로부터의 진공누설이 기판이면의 흡착력을 저하시키는 것에 기인되는 모드(1)의 기판의 부상의 발생을 방지할 수가 있다.
또한, 본 출원 제5발명에 의하면, 배선기재탑재블럭에 배선기재의 지지수단으로서의 흡착용홈을 설치하지 않아도, 공동내에 압입된 가스의 압력에 의해 배선기재가 공동표면에 압압되어 충분한 지지력이 얻어 지기 때문에, 근본적으로 진공누설은 발생하지 않아 상기 문제는 소멸된다.
또한, 본 출원 제7발명은, 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 구성하고, 상기 각 배선기재유니트의 표면에 반도체소자를 본딩하고, 한쪽에 있어서, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형의 배선기재탑재면에 개구부를 가지는 흡착용공을, 상기 개구부가 상기 배선기재의 이면상의 상기 배선기재유니트밖이 되는 영역에 대향하고, 또한, 다른 쪽의 형의 공동에 대향하도록 형성하고, 그 후, 상기 배선기재의 이면을 상기 배선기재탑재면에 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하고, 상기 흡착용공을 부압으로하여 상기 배선기재를 상기 배선기재탑재면에 흡착·지지하면서, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
배선기재탑재블럭에 흡착용공을 설치하면 배선기재이면에 흡착흔적을 남긴다. 따라서 개개의 반도체패키지로 되는 제품부분에 접촉하는 위치에 흡착용공의 개구부를 설치하면 제품에 상처를 남겨버린다.
그러나, 본 출원 제7발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용공의 개구부가 상기 배선기재의 이면상의 상기 배선기재유니트밖이 되는 영역에 대향하도록 배치되기 때문에, 그와 같은 흡착흔적을 배선기재유니트 이면, 즉, 제품화 후의 반도체패키지의 이면에 붙이는 일이 없다는 이점이 있다. 또한, 흡착용공의 개구부를 다른 쪽의 형의 공동에 대향하도록 배치한다. 공동범위내에서는 배선기재가 클램프되지 않고, 부상이 발생 할 가능성이 있기 때문에 그와 같은 위치에 개구부를 설치하는 것으로 배선기재의 부상을 유효하게 억제할 수 있기 때문이다.
또한, 본 출원 제8발명은, 본 출원 제7발명의 수지몰드방법에 있어서 상기 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 한다.
배선기재주연영역이란 배선기재의 전역 중 배선기재유니트배열영역의 주위의 영역을 말한다.
단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수 구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 구성할 때는, 배선기재의 외형치수를 일정하게 하고, 이 배선기재내에 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 매트릭스형상으로 레이아웃하여 설계한다. 그 때문에, 반도체패키지의 외형치수에 따라 그 레이아웃이 다르고, 배선기재유니트의 배열영역내에서 배선기재유니트밖이 되는 영역도 반도체패키지의 외형치수마다 달라진다.
따라서, 배선기재유니트의 배열영역내에서 배선기재유니트밖이 되는 영역에 대향하는 위치에 흡착용공의 개구부를 배치하는 방법에서는, 하나의 금형을 다종의 제품(반도체패키지)에 공통하여 사용할 수 있도록 설계하는 일은 간단하지 않다.
그러나, 출원 제8발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용공의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하기 때문에, 하나의 금형을 다종의 제품(반도체패키지)에 공통하여 사용할 수 있도록 설계하는 것이 용이해지고, 제조설비의 공통화가 도모된다는 이점이 있다.
또한, 배선기재주연영역에는 비교적 많은 개구부를 제약없이 설치할 수 있기 때문에, 배선기재의 크기에 따라, 필요수의 개구부를 설치하여, 충분한 지지력을 얻을 수 있어 배선기재의 부상을 유효하게 방지할 수 있다는 이점이 있다.
그러나, 흡착용공의 개구부를 배선기재주연영역에만 대향하도록 배치하여 배선기재의 중앙부를 직접흡착지지하지 않는 구성의 경우는, 배선기판이 어는 정도 대형이 되면, 배선기재의 중앙부에 대한 유지력에 한계가 생기는 경우가 있다. 그와 같은 경우에는, 배선기재의 부상의 발생이나 그에 따른 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품의 접촉이 발생할 염려가 있다.
따라서, 본 출원 제9발명은, 본 출원 제7발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 개구부를 상기 배선기재유니트사이의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 출원 제10발명은, 본 출원 제7발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 개구부를 복수로 하여, 그 중 몇 개의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하고, 다른 개구부를 상기 배선기재유니트간의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 출원 제9발명 또는 본 출원 제l0발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용공의 개구부를 상기 배선기재유니트간의 영역에 대향하도록 배치하기 때문에, 배선기재유니트간의 영역에서 배선기재중앙부를 직접흡착·유지하여, 비교적 대형의 배선기재를 사용하는 경우라도, 배선기재의 부상을 유효하게 방지할 수가 있다는 이점이 있다.
또한, 본 출원 제l0발명의 수지몰드방법에 있어서, 배선기재주연영역에 비교적 다수의 개구부를 설치하고, 배선기재유니드간의 영역에 비교적 소수의 개구부를 설치하고, 상기 소수의 개구부의 배치를 궁리함으로써, 배선기재의 유지와, 금형의 공용화와의 균형이 최적인 금형을 구성할 수 있다.
그 궁리의 일례가 되는 본 출원 제11발명을 다음에 개시한다.
즉, 본 출원 제11발명은, 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수 구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 탑재하고, 다른 쪽의 형의 단일의 공동에서 복수의 반도체패키지를 몰드성형하는 몰드성형용금형에 있어서,
상기 한쪽의 형의 배선기재탑전면에, 상기 다른 쪽의 형의 공동에 대향하는 범위내에서 복수의 개구부를 가지는 흡착용공이 설치되고, 그 중 몇 개의 개구부가상기 배선기재탑재면의 주연영역에 배치되고, 다른 개구부가 상기 배선기재탑재면의 폭방향 또는 길이방향의 거의 중심축상에 배치되어 이루어 지는 것을 특징으로 하는 몰드성형용금형이다.
따라서, 본 출원 제1l발명의 몰드성형용금형에 의하면, 개구부가 배선기재탑재면의 주연영역과 배선기재탑재면의 폭방향 또는 길이방향의 거의 중심축상에 배치되어 있기 때문에, 상기 중심축의 양측에 배선기재유니트가 동수열 배치되도록 배선기재의 레이아웃을 설정하는 것이 가능하고, 그 결과, 상기 중심축방향의 배선기재유니트의 열이 짝수인 배선기부에 관해서, 유리하게 금형을 공용화할 수가 있다는 이점이 있다.
다음에, 본 출원 제7발명의 수지몰드방법을 실시하기 위해서 유효한 본 출원 제l2발명의 몰드성형용금형를 개시한다.
즉 본 출원 제12발명은, 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 탑재하고, 다른 쪽의 형의 단일의 공동에서 복수의 반도체패키지를 몰드성형하는 몰드성형용금형에 있어서,
상기 한쪽의 형의 배선기재탑재면에, 상기 다른 쪽의 형의 공동에 대향하는 범위내에서 개구부를 가지는 흡착용공이 설치되고, 상기 개구부의 위치가, 상기 배선기재탑재면 중 상기 배선기재유니트가 탑재되는 영역을 제외한 영역내인 것을 특징으로 하는 몰드성형용금형이다.
다음에, 배선기재의 전역의 흡착지지력의 강화와 금형의 공통화를 양립하기위하여 보다 유효한 해결수단이 되는 발명을 개시한다. 그 요점은 배선기재의 이면에 흡착용홈을 설치하는 것이다.
즉, 본 출원의 제13발명은, 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 테이프상 또는 판상의 배선기재의 이면에 흡착용홈을 형성하고,
상기 각 배선기재유니트의 표면에 반도체소자를 본딩하고, 한편에 있어서, 몰드성형용금형에, 그 배선기재탑재면에 개구부를 가지는 흡착용공을, 상기 개구부가 상기 흡착용홈에 대향하도록 형성하고, 그 후, 상기 배선기재의 이면을 상기 배선기재탑재면에 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하여, 상기 진공원에 의해서 상기 흡착용공 및 상기 흡착용홈내를 부압으로 하여 상기 배선기재를 상기 배선기재탑재면에 흡착·지지하면서, 금형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법이다.
따라서 본 출원 제13발명의 수지몰드방법에 의하면, 배선기재의 이면에 흡착용홈을 형성하여, 흡착용공의 개구부를 상기 흡착용홈에 대향하도록 형성하기 때문에, 흡착용공과 흡착용홈이 연결하여, 흡착용공에 접속된 진공원에 의해 흡착용공 및 상기 흡착용홈내를 부압하도록 하기 때문에 배선기재이면의 흡착용홈형성영역에 흡착력이 발생하여, 이에 의해 배선기재를 배선기재탑재면에 유지할 수 있다는 이점이 있다. 따라서, 흡착용홈을 가능한 배선기재전역에 걸쳐 균등하게 형성하는 것이 바람직하다.
또, 흡착용공과 흡착용홈이 대향하여, 흡착용공이 직접기판이면에 접촉하는 일이 없기 때문에, 기판이면에 흡착흔적을 붙이는 일이 없다는 이점이 있다.
더욱이, 흡착용홈을, 흡착용공과 대향위치 뿐만 아니라, 흡착용공의 대향위치로부터 연속하여 기판이면의 다른 영역에 연설하는 것에 의해, 흡착용홈을 기판전역에 걸쳐 균등하게 형성하여, 기판전체면의 흡착력을 높일 수 있다.
또, 흡착용홈은 배선기재에 형성되기때문에, 배선기재에 배열되는 배선기재유니트의 패턴설계에 따라, 흡착용홈의 형성위치를 설정할 수가 있다.
또한, 배선기재의 주연부 등의 배선기재유니트가 배치되지 않은 영역을 이용하여, 흡착용홈을 많은 종류의 배선기재에 공통된 위치에 연설하면, 이러한 위치에 흡착용공의 개구부를 설정한 몰드성형용금형을 많은 종류의 배선기재에 공통으로 사용할 수가 있다. 이에 의해 배선기재전역의 흡착 지지력의 강화와 금형의 공통화를 양립시킬 수가 있다.
본 출원 제14발명은, 본 출원 제13발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역에 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 출원 제14발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역에 형성하기 때문에, 흡착용홈을 기판전역에 걸쳐 균등에 형성하여, 기판전체면의 흡착력을 높일 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 배선기재유니트사이, 즉, 제품때에 반도체패키지의 일부가 되지 않은 영역을 흡착용홈형성영역으로서 이용하기 때문에, 외부단자형성 등의 배선기재유니트의 이면의 설계에 제약을 주는 일이 없다.
본 출원 제15발명은, 본 출원 제13발명의 수지몰드방법에 있어, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역에서 배선기재주연영역까지 연설하고, 상기 개구부를 상기 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 출원 제l5발명의 수지몰드방법에 의하면, 배선기재주연영역에 연설된 흡착용홈에 흡착용공의 개구부가 접속되어, 배선기재유니트의 배열영역내에 흡착용공을 설정하지 않고도 배선기재유니트사이에 연설된 흡착용홈이 흡착력을 발생하기 때문에, 배선기재전역의 흡착지지력의 강화와 금형의 공통화를 양립시킬 수가 있다고 하는 이점이 있다.
또한 본 출원 제16발명은, 본 출원 제13발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트 사이의 영역에서 배선기재주연영역까지 연속하여 형성하여, 상기 개구부를 복수로 하여, 그 중 몇 개의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하여, 다른 개구부를 상기 배선기재유니트사이의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 한다.
배선기판이 어느 정도 대형이 되면, 흡착용공의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하는 것만으로는, 배선기재의 중심부근에 연설된 흡착용홈의 진공도가 진공누설(진공실내에 외부에서 가스가 유입하는 것)에 의해 저하되어, 충분한 흡착력을 발휘할 수 없는 우려가 있다.
하지만 본 출원 제16발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용공의 개구부를 복수로 하여, 그 중 몇 개의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하고, 다른 개구부를 상기 배선기재유니트사이의 영역에 대향하도록 배치하기 때문에, 개구부를 배선기재주연영역에만 배치하는 구성에 비교하여, 비교적 대형의 배선기재를 사용하는 경우이더라도, 배선기재의 중심부근에 연설된 흡착용홈의 진공도를 고수준으로 유지할 수가 있다고 하는 이점이 있다. 따라서, 상기 다른 개구부 중 하나 또는 둘 이상의 개구부를 배선기재의 중심부 내지 중앙영역에 대향하도록 배치하는 것이 바람직하다.
또한 본 출원의 제17발명은, 본 출원 제13발명의 수지몰드방법에 있어서, 상기 배선기재 이면에 솔다레지스트를 선택적으로 부설하는 것에 의해 상기 흡착용홈을 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 출원 제17발명의 수지몰드방법에 의하면, 흡착용홈은 솔다레지스트의 비부설부로서 형성된다. 배선기재의 이면에 배선이나 외부단자랜드 등의 도전층을 형성하고, 이를 솔다레지스트로 절연피복하는 반도체패키지가 널리 사용되고 있다. 본 출원 제17발명의 수지몰드방법에 의하면, 그러한 솔다레지스트를 이용하여 흡착용홈을 형성하기 때문에, 흡착용홈을 형성하기 위해서 새로운 자재를 필요로 하지 않고, 제조프로세스면에서도 유리하고 저비용으로 실시할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한 본 출원 제18발명은, 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 배선기재이고 그 이면에 솔다레지스트가 선택적으로 부설되고, 솔다레지스트 개구부로서 형성되는 홈이 상기 배선기재유니트사이의 영역에서 배선기재주연영역까지 연속하여 형성되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선기재이다.
따라서 본 출원 제l8발명의 배선기재에 의하면, 상술한 바와 같이 이면에 형성된 홈을 흡착용홈으로서 이용하는 것에 의해, 기판전역에서 흡착력을 얻어 수지몰드 시에 기판의 부상이 방지되어, 내부적으로도 외관적으로도 양호한 반도체패키지를 수율 좋게 하여 잘 제조할 수가 있다고 하는 이점이 있다.
실시형태1
이하에 본 발명의 실시형태1의 수지몰드방법, 몰드형성용금형 및 배선기재에관하여 도면을 참조하여 설명한다. 설명은 배선기판(1l)의 구성, 금형(20)의 구성, 수지몰드장치, 제조공정의 순으로 행한다.
본 실시형태에서는, 배선기재로서 유리·에폭시판에 동박 등의 금속박에 의한 배선패턴을 부설한 배선기판(11)을 채용한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태의 배선기판(l1)의 표면도(a), A-A 단면도(b) 및 이면도(c)이다.
도 1b에는 부분확대도를 붙였다. 이 부분확대도에 나타낸 바와 같이 본 실시형태에 있어서의 배선기판(l1)은 유리·에폭시로 이루어지는 절연기판(51)과, 구리배선(53)과, 솔다레지스트(54)를 구비하여 구성된다. 절연기판(51)에는 스루홀(52)이 설치되어 있고, 절연기판(51)의 표면측과 이면측이 스루홀(52)을 개재하여 연통한다. 절연기판(51)의 표면, 이면 및 스루홀(52)의 내면에는 소정의 패턴으로 구리배선(53)이 부설되고, 구리배선(53)의 와이어본딩부(61)와 외부단자접합용랜드부(62)가 전기적으로 도통가능하게 되어있다.
배선기판(11)의 표면측은, 구리배선(53)의 와이어본딩부(61)를 제외하고,솔다레지스트(54)에 의해서 피복되어 있다. 또한, 도 1a, b에 나타낸 바와 같이 배선기판(11)의 표면측에는 반도체소자(12)가 본딩된다. 즉, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 배선기판(11)의 표면측의 다이본드영역에 접합재(56) 등을 개재하여 반도체소자(12)가 탑재, 접합되고, 본딩와이어(l6)에 의해 반도체소자의 전극(도시하지 않음)과 구리배선(53)의 와이어본딩부(6l)가 전기적으로 접속된다.
한편, 배선기판(l1)의 이면은, 구리배선(53)의 외부단자접합용랜드부(62) 및 흡착용홈(63)을 제외하고 솔다레지스트(54)에 의해서 피복되어 있다. 외부단자접합용랜드부(62)는, 솔다레지스트(54)의 개구부에 의해서 구리배선(53)이 노출하여 형성된다. 흡착용홈(63)은 솔다레지스트(54)의 개구부에 의해서 절연기판(51)이 노출되어 형성된다. 즉, 흡착용홈(63)은 저면을 절연기판(51)의 이면으로 하여, 솔다레지스트(54)의 층두께몫을 깊이로 한 홈으로 형성된다. 이렇게 하여, 절연기판(51)및 구리배선(53)은 선택적으로 솔다레지스트(54)에 의해서 피복된다.
이 배선기판(11)은 절단 후의 패키지의 외주(50)에 의해서 둘러싸이는 단일의 반도체패키지분의 배선기판유니트(60)를 소정간격으로 매트릭스형위에 배열하여 구비하고 있다. 각 배선기판유니트(60)에는 같은 배선패턴이 구리배선(53)에 의해 반복 형성되어 있다. 도 la 및 1c에 나타내는 일점쇄선(64)은, 배선기판유니트(60)의 배열영역과 그 주위의 배선기재주연영역과의 경계선이다. 일점쇄선(64)안이 배선기판유니트(60)의 배열영역이고, 일점쇄선(64)밖이 배선기재주연영역이다. 또한, 도 1a, c에 나타내는 일점쇄선(65)의 외측의 엣지부는 금형(20)의 상부금형(21)과 하부금형(22)으로 클램프된다. 이를 클램프영역이라고 부른다.또, 일점쇄선(65)의 내측은 상부금형(21)의 게이트(31), 공동(23a) 및 더미공동(32)로 이루어지는 공동범위내에 수용되어 수지몰드된다. 이를 몰드영역이라고 부른다. 즉 일점쇄선(65)은 클램프영역과 몰드영역의 경계선이다. 이들의 일점쇄선(64,65)을 도 2c 및 도 7의 대응위치에도 붙였다.
배선기판유니트(60)의 이면에 부설된 솔다레지스트(54)의 외주는, 절단 후의 패키지의 외주(50)보다 내측에 위치한다. 배선기판유니트(60)의 배열영역에서는, 솔다레지스트(54)의 외주와 절단 후의 패키지의 외주(50)와의 사이의 영역 및 절단 후의 패키지의 외주(50)보다 외측의 영역에는 솔다레지스트가 도포되어 있지 않고, 절연기판(5l)이 노출되어 있다. 그 결과, 배선기판유니트(60)는 그 이면에, 솔다레지스트가 도포되지 않고, 절연기판(51)이 노출되어 있는 주연부를 가진다. 이것은 패키지다이싱절단 시에 블레이드가 배선기판(11)의 이면의 솔다레지스트(54)에 접촉하지 않도록 하기 위해서이다. 블레이드가 배선기판(11)의 이면의 솔다레지스트(54)에 접촉하지않기 때문에, 솔다레지스트(54)에 균열, 결흠 등의 크랙이 발생할 우려가 없다.
본 실시형태에 있어서는, 각 배선기판유니트(60) 주위의 솔다레지스트개구부에 의해서 절연기판(51)이 노출되어 형성되는 홈을 흡착용홈(63)으로 이용한다. 또한, 배선기재주연영역에도 연속하여 흡착용홈(63)을 형성하고 있다. 배선기판유니트(60)의 배열영역내의 레이아웃은 배선기판유니트(60)의 외형치수에 의해서 달라지지만, 배선기재주연영역에 형성된 흡착용홈(63)은 항상 같은 위치에 설치하도록 하여, 표준화를 도모한다.
다음에, 도 2를 참조하여 금형(20)의 구성에 관하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 한 실시형태에 있어서 금형(20)의 I-I 단면도(a), 상부금형(21)의 요부평면도(b) 및 배선기재탑재블럭(42)의 평면도(c)이다.
금형(20)은 트랜스퍼몰드형성용금형에 있어서, 도 2a에 나타낸 바와 같이 상부금형(21)과 하부금형(22)으로 이루어진다. 금형(20)에 있어서의 상부금형(21)및 하부금형(22)은 각각 몇 개의 블럭에 의해서 구성되어 있다. 상부금형(21)은 상부금형 중심블럭(24)을 가진다. 하부금형(22)은 하부금형중심블럭(25)과, 배선기재탑재블럭(42)을 가진다.
하부금형중심블록(25) 및 상부금형중심블럭(24)의 구성에 관하여는, 앞에서 서술한 종래의 금형(120)의 구성과 동일하다.
하부금형중심블럭(25)에는, 수지(26)를 장전하는 포트(27)가 설치되어 있다. 이 포트(27)에는 수지(26)가 장전되고, 또한, 그 위에 수지(26)에 가압력을 주는 플랜저(28)가 삽입된다.
상부금형중심블럭(24)에는 칼(29)이 포트(27)에 대향하는 위치에 설치되고 있다.
이 칼(29)의 양측에는 공동(23a) 측에 용융수지(26)를 유입하는 유로가 되는 런너(30)가 형성되어 있다.
상기 중심블럭의 양측의 각각에 있어, 상부금형(21)은 게이트(31), 공동(23a) 및 더미공동(32)을 형성하고 있다. 따라서, 칼(29), 런너(30), 게이트(31), 공동(23a), 더미공동(32)의 순으로 연속하여 형성되어 있다.
공동(23a)은 배선기판(11)상에 본딩된 반도체소자(12)를 내포하여, 수지의 충전을 받아, 이들의 반도체소자(12)를 덮는 봉지수지를 성형하는 것이다.
게이트(31)는 공동(23a)에의 주입구이고, 런너(30)가 접속되어 있다. 면방향(폭방향 및 깊이 방향)으로 넓이를 갖는 공동(23a)에 대하여 용융수지(26)를 전체면에 걸쳐 균일하게 유입시켜 충전하기 위해서, 공동(23a)의 장변부분을 따라 그 길이와 거의 동등하게 또한 길이 방향으로 연속되는 평행한 틈(31a)을 가지는 게이트(31)를 설치하고 있다.
이러한 게이트(31)를 사용하면 포트(27)로부터 칼(29), 런너(30)를 개재하여 공급되어 오는 용융수지(26)를 일단 비축하여, 사출압력이 이 용융수지(26)에 작용함과 동시에 공동(23a)의 장변부분의 전역에서 공동(23a) 내로 거의 균일하게 주입되어, 공동(23a)의 전체면에 걸쳐 거의 균일하게 충전할 수가 있다.
따라서, 배선기판(l1)상의 반도체소자(12)의 배치에 의한 영향을 받는 일이 없이 공동(23a) 내에의 용융수지(26)의 충전을 균일하게 행할 수 있다.
금형(20)에 의하면, 배선기판(11)의 사이즈를 통일하면, 반도체소자의 수나 크기가 다른 반도체패키지의 제조에 있어서도 이 성형용금형(20)을 공용화할 수가 있다.
또, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 이 게이트(31)의 길이방향(폭방향)에 대하여, 복수의 런너(30)를 분배하여 접속하고 있다. 또, 이 실시형태에 의하면, 복수개의 포트(27)와 이에 대향하는 복수개의 칼(29)을 상기 게이트(31)의 길이방향을 따라 등간격으로 배설하고, 각각의 포트(27)〔칼(29)〕로부터 2개씩의 런너(30,30)를 상기 게이트(31)의 길이방향에 대하여 등배치시킨 상태로 연결되어 있다.
이와 같이 복수의 런너(30)를 게이트(31)의 길이방향에 대하여 거의 등배치된 위치에 연결하는 것에 의해, 장척인 게이트(31)의 전체에 걸쳐서의 용융수지(26)의 주입을 거의 균일하게 하여 이 게이트(31)에서의 공동(23a)에 균일한 주입을 적절하게 하는 것이 가능하게 된다.
더욱이, 이 실시형태에서는, 상술한 공동(23a)의 장척인 게이트(31)와 반대측의 장변부분에, 더미공동(32)을 설치하고 있다. 상기 공동(23a)과 이 더미공동(32)과의 사이에는, 상기 공동(23a)의 장변부분을 따라 그 길이와 거의 동등하며 길이 방향으로 연속하는 평행된 빈틈(32a)을 설치하고 있다.
이러한 더미공동(32)을 설치하면, 공동(23a) 내에 게이트(31)로부터 충전되는 용융한 수지(26)가 충전의 종말에 있어서 더미공동(32)내로 들어간다. 그 때문에, 공동(23a)에의 수지(26)의 되돌아옴이 없이 원활하게 흐른다. 그 때문에, 공동(23a) 내의 전체면에 걸쳐 수지(26)의 거의 균일한 충전을 보다 확실하게 행할 수 있다. 따라서, 수지봉지 시에 있어서, 배선기판(11)상에 본딩된 반도체소자(12)나 본딩와이어(16)에 의해 수지의 흐름이 차단되거나, 미충전, 혹은 와이어흐름 등의 문제는 없다.
이러한 더미공동(32)이 없으면 게이트(3l)의 대향변부분에 먼저 도달한 수지가 되돌아 수지의 충전이 늦어져 있는 부분에 역류하여, 정규의 흐름과 충돌한 곳에서 와이어변형이나 보이드가 발생하는 것을 피할 수 없다. 그러나 더미공동(32)을 설치하면 이러한 문제를 해소할 수가 있다.
더미공동(32)측에는, 수지충전 시에 공동(23a) 내의 가스(공기)를 도망가게하기 위한 에어밴드(46)가 설치되어 있다. 이 에어밴드(46)는 상부금형(21)의 클램프면에 형성된 줄기형상의 홈에 의해서 구성된다.
이 게이트(31), 공동(23a) 및 더미공동(32)에 대향하는 위치에 있어서, 하부금형(22)은 공동(23b)을 형성하고 있다. 공동(23b)은 배선기판(11)을 수용하기 위한 것이다.
금형(20)은 공동(23a)과 공동(23b)에 의해 배선기재(11) 및 반도체소자(12)를 밀폐하는 공동을 형성하고 있다.
배선기재탑재블럭(42)은 배선기판(11)이 탑재되는 부분이다. 배선기재탑재블럭(42)은 그 주위의 블럭보다 낮게 되어 있음으로써 배선기판(1l)을 수용하는 공동(23b)을 형성하고 있다.
또한, 배선기재탑재블럭(42)은 스프링(43)을 이용한 플로팅기구에 의해 상하동이 가능하게 지지되어 있고, 이러한 상하동에 의해 공동(23b)의 깊이를 변동시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, 그러한 플로팅기구는 반도체패키지의 배선기판(l1)으로서 비교적 두껍게 변동이 생기는 기판타입의 것을 사용하는 경우에 필요하게 되고, 배선기판(l1)으로서 테이프재를 사용하는 경우에는 필요하지 않다.
상부금형(21)에는, 릴리스필름을 진공흡착하기 위한 흡착용공(44)이 설치되어 있다. 흡착용공(44)은 공동(23a) 등의 표면에 개구부(44a)를 배치하고 있고, 그 한쪽에서, 금형(20)의 외부의 진공원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 릴리스필름을 사용하지 않은 금형에서는, 흡착용공(44)은 필요하지 않다.
하부금형(22)에는, 배선기판(11)을 진공흡착하기 위한 흡착용공(45)이 설치되고 있다. 흡착용공(45)은 한편에 있어서 금형(20)의 외부의 진공원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 다른 쪽에 있어서 배선기재탑재블럭(42)내부로 연설되어 배선기재탑재블럭(42)의 배선기재탑재면의 소정 개소에 개구부(45a)를 배치하고 있다.
도 2c에 나타낸 바와 같이, 개구부(45a)는 배선기판(l1)의 이면상의 배선기판유니트(60)밖이 되는 영역에 대향하며, 또한, 일점쇄선(65)내로 되는 상부금형(21)의 공동(게이트(31), 공동(23a), 더미공동(32))에 대향하는 위치에 배치되고, 더욱이, 일점쇄선(64)밖이 되는 배선기재주연영역에 대향하는 위치이며, 또한, 흡착용홈(63)에 대향하는 위치에 배치된다. 따라서, 배선기판(11)을 배선기재탑재블럭(42)에 설치하면, 개구부(45a)가 배선기재주연영역에 형성된 흡착용홈(63)에 접속된다.
개구부(45a)의 직경은 대향하는 흡착용홈(63)의 폭보다 작게 한다. 흡착에 의해 솔다레지스트(54)를 다치지 않도록 하기 위해서 이다.
이 금형(20)을 장비하는 수지몰드장치는 상부금형(21)을 지지하는 상부베이스(도시하지 않음)와, 하부금형(22)을 지지하는 하부베이스(도시하지 않음)와, 금형(20)을 가열하는 히터(도시하지 않음)와, 상술한 진공원이 되는 진공펌프(도시하지 않음)와, 금형을 조이는 기구(도시하지 않음)와, 사출기구(도시하지 않음)와, 플랜저(28)를 구비한다. 상하부금형(21,22)은 플레이트나 볼트(도시하지 않음) 등을 이용하여 상하부베이스에 고정된다. 상부베이스 또는 하부베이스는, 금형(20)을개폐동작 시키기 위하여 금형을 조이는 기구에 의해 승강가능하게 구성되어 있다.
다음에, 도 1, 도 2, 도 3을 참조하여 본 실시형태의 반도체장치의 수지몰드방법 내지 반도체장치의 제조방법에 관하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 한 실시형태의 수지몰드방법에 있어서의 각 공정마다의 금형(20)의 단면도이다.
[본딩공정]
수지몰드공정의 앞공정으로서, 본딩공정을 행한다. 본딩공정에서는, 도 1a, b에 나타낸 바와 같이 복수의 반도체패키지분의 반도체소자(12)를 1매의 배선기판(11)의 주표면(표면)상에 매트릭스형상으로 배열하여 탑재·접합한다. 또한, 와이어본딩기술 등에 의해 배선의 내부접속을 한다. 본 실시형태에서는 반도체소자(12)를 본딩와이어(16)에 의해 내부접속하였다. 기타, 내부접속용의 금속펌프를 사용하여 반도체소자(12)를 접속하는 와이어레스본딩법이 있다.
[금형조이기 전의 공정(도 3a)]
다음에, 수지몰드공정을 행한다. 먼저, 금형조이기 전의 공정을 도 3a를 참조하여 설명한다.
하부금형(22)의 배선기재탑재블럭(42)에 배선기판(11)을 탑재한다. 이에 의해 배선기판의 이면에 설치된 흡착용홈(63)과 흡착용공(45)의 개구부(45a)가 접속된다. 즉, 흡착용홈(63)과 흡착용공(45)이 연결된다. 또한, 배선기판(l1)의 탑재와 동시에 또는 그 후에 있어서, 흡착용공(45)을 진공빼냄을 한다.
그러면 흡착용공(45)과 이에 연결된, 흡착용홈(63)내가 부압으로 되고, 배선기판(11)이 배선기재탑재면에 흡착지지된다. 도 1c에 나타낸 바와 같이흡착용홈(63)은 몰드영역에 있어서, 종횡으로 거의 등간격으로 설치되고 있기 때문에, 흡착용홈(63)내가 부압됨으로써 배선기판(l1)의 전역에 걸쳐 균일한 흡착력을 얻을 수 있다.
또한, 상부금형(21)의 더미공동(32), 공동(23a), 게이트(31), 칼(29) 및 런너(30)를 덮도록, 릴리스필름(41)을 배치함과 동시에, 흡착용공(44)에 의해 릴리스필름(41)을 공동표면에 진공흡착시켜 상부금형(21)의 내면형상을 따르도록 배치한다. 이때 흡착용공(44)의 폐구부(44a)는 릴리스필름(41)에 의해서 막힌다. 그러나, 릴리스필름(41)은 가스를 투과시키는 성질을 가지고 있어서, 릴리스필름(41)을 투과한 다소의 가스(공기)가 흡착용공(44)으로 계속 빨아 들여지기를 계속한다. 따라서, 릴리스필름(41)에 의해서 흡착용공(44)에의 가스의 흐름이 완전히 차단되는 것은 아니다.
또, 릴리스필름(41)은 수지(26)의 금형이탈을 쉽게 하기 위한 것이다. 릴리스필름(41)을 사용하지 않는 경우에는, 몰드부에 핀을 배치하여, 이젝트기구에 의해 상기 핀을 미리 붙여서 이형 시키는 방법이 사용되고, 상부금형(21)의 내면의 수지(26)가 침입하는 부분에 이형제를 정기적으로 사용하여, 이형을 보다 확실하게 하고 있다.
본 실시형태에서는, 배선기판(11)의 부상을 막기 위해서, 금형(20)이 닫힌 상태인 때에, 배선기재(l1)의 표면에 작용하는 압력값을 배선기판(11)의 이면에 작용하는 압력값 보다 높게 설정한다. 본 실시형태에서는 부압으로 제어하기 때문에, 바꿔 말하면, 금형(20)이 닫힌 상태인 때에, 배선기판(11)의 이면에 작용하는 부압값을 배선기판(11)의 표면에 작용하는 부압값보다 크게 설정한다는 것이 된다. 따라서 금형을 조이기 전에, 흡착용공(44)을 진공빼냄하는 진공펌프의 출력이나 진공도를 조절하는 밸브, 흡착용공(45)을 진공빼냄하는 진공펌프의 출력이나 진공도를 조절하는 밸브를 조작하여, 금형(20)이 닫힌상태인 때에, 배선기판(11)의 이면에 작용하는 부압값이 배선기판(11)의 표면에 작용하는 부압값 보다 크도록 제어한다.
배선기판(11)의 표리에 작용하는 압력값을 직접 검출하는 것이 곤란한 경우에는, 배선기판(11)을 흡인하는 하나의 진공원의 부압값과, 릴리스필름(41)을 흡인하는 다른 진공원의 부압값을 검출하여 전자를 후자보다 크게 설정하던지, 배선기판(1l)을 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로를 따라 금형(20)에 최직근의 밸브에서의 부압값과, 릴리스필름(41)을 흡인하는 유로에 설치된 밸브로 이 유로를 따라 금형(20)에 최직근의 밸브에서의 부압값을 검출하여, 전자를 후자보다 크게 설정한다.
이에 의해, 금형(20)내에 감금되어 있었던 배선기판(ll)이 금형표면에서 부상하는 일이 없어지고, 본딩와이어 등의 배선기판표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기판표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손상을 주지 않으며, 또한, 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있다고 하는 이점이 있다.
배선기판(11)및 릴리스필름(41)은, 히터(도시하지 않음)에 의해 미리 가열되어 있는 금형(20)에 접촉함으로써 가열된다. 배선기판(11)은 그 이면에서 가열되기 때문에, 배선기판탑재블럭에 탑재된 직후에 있어서는 이면측에서보다 큰 열팽창이생겨 전체적으로 휘임이 생기는 경우가 있다. 이 배선기판(11)의 휘임은 열평형열이 진행됨에 따라서 감소된다. 따라서, 적어도 생산상 부적당한 휘임이 소멸될 때까지 수지충전을 보류할 필요가 있다.
다음에, 하부금형(22)의 포트(27)내에 정제형상의 수지(26)(수지타블렛)을 장전한다.
[금형조임(도 3b)]
그 후, 수지몰드장치를 작동시켜 상부금형(21)과 하부금형(22)을 접합시키고, 금형(20)을 조인다. 이 때 배선기판(11)의 바깥 엣지부는 상부금형(21)과 하부금형(22)에 의하여 삽지되어 클램프된다. 배선기판(11)의 중앙의 반도체소자(12)가 배열되어 있는 영역은 직접클램프되는 것 없이 공동(23)내에 감금된다.
종래의 수지몰드방법에서는 도 8b에 나타낸 바와 같이, 배선기재(111)가 금형(l20)내에 가두어질 때에 흡착용공(44)의 부압이 릴리스필름(41)을 투과하여 배선기재(l11)에 작용하여, 배선기재(1l1)가 상부금형(121)쪽으로 당겨지고, 배선기재(111)의 중앙부가 배선기재탑재블럭(142)의 표면에서 부상하는 현상이 일어났다.
그러나 본 실시형태의 수지몰드방법에서는, 금형(20)이 닫힌상태인 때에, 배선기판(11)의 이면에 작용하는 부압값이 배선기판(11)의 표면에 작용하는 부압값보다 커지도록 제어하고 있기 때문에, 그러한 부상은 일어나지 않는다.
〔수지사출·충전(도 3c 및 3d)]
다음에, 수지(26)를 용융시켜, 용융한 수지(26)를 플랜저(28)로 밀어 올림으로써 사출하여, 칼(29), 런너(30)을 통해서 공동(23)까지 유입시켜, 수지(26)를 금형(20)내에 충전한다. 수지(26)의 유입전에 공동(23)내에 존재한 가스(공기)는, 수지(26)의 유입에 따라서 수지흐름의 전방으로 밀려나서, 에어벤트(46)로부터 배출된다.
종래의 수지몰드방법에서는 도 8c에 나타낸 바와 같이, 용융한 수지(26)를 공동(23a)내로 압입하여 갈 때에, 배선기재(111)의 수지유입종단부분이 꼬여서 부상하는 현상이 일어났다.
그러나, 본 실시형태의 수지몰드방법에서는, 흡착용공(45) 및 흡착용홈(63)에 의해 배선기판(1l)을 기판탑재면에 흡착시키기 때문에, 그러한 부상은 일어나지 않는다.
[수지경화]
수지(20)에는, 에폭시계수지 등의 열경화성수지가 사용된다. 수지(26)를 금형(20)내에 충전한 후, 수지(26)를 소성하여 경화시킨다.
그 후는 금형(20)을 열어 배선기판(11)을 빼내고, 봉지수지로부터 릴리스필름(41)을 이탈시킨다.
이상의 공정에 의해, 도 4a에 나타내는 바와 같은 패키지패널(18)이 완성된다. 도 4는 본 발명의 일실시형태에 있어서의 패키지패널(l8)의 평면도(a 및 b)이고, 도 4b에는 절단라인(71)과, 개편화된 반도체패키지(10)를 나타냈다.
[외부단자형성]
다음에, 외부단자형성공정으로 이송한다. 본 실시형태에서는 BGA패키지를 생산한다. 따라서, 배선기판(11)의 이면에 납땜볼(55)(도 6 참조)을 부설하여 이를외부단자로 한다.
[패키지다이싱]
다음에, 패키지다이싱공정을 시행한다. 패지키다이싱은 도 5에 나타내는 바와 같은 원형블레이드(l9)의 회전에 의해 지립가공절단을 행하는 다이싱장치(도시하지 않음)를 사용하여 행한다. 도 5는 원형블레이드(19)에 의해서 패키지패널(18)이 절단되는 모양을 나타내는 사시도이다.
도 4b에 나타내는 바와 같은 절단라인(71)을 따라 원형블레이드(19)에 의해 패키지패널(18)을 절단하여, 개개의 반도체패키지(10)로 개편화한다. 원형블레이드(19)는 도 1b의 부분확대도면에 나타내는 파선(50, 50)사이를 절삭한다. 도 l에 나타낸 바와 같이 본 실시형태의 배선기판(l1)은 배선기판유니트(60)가, 4 ×16으로 배열되어 설치되고 있기 때문에, 64개의 BGA형의 반도체패키지(10)를 얻을 수 있다.
반도체패키지(10)의 구조를 도 6에 나타내었다. 도 6은 본 발명의 일실시형태에 의해서 제조된 반도체패키지(lO)의 부분단면도(6a) 및 이면도(6b)이다.
반도체패키지(10)는 스루홀(52)을 가지는 절연기판(51)과, 절연기판(51)의 표면, 이면 및 스루홀(52)에 형성된 구리배선(53)과, 그 위를 절연피복하는 소정의 개구부를 가지는 솔다레지스트(54)로 구성되는 배선기판유니트(60)를 구비하고, 또한, 이 배선기판유니트(60)의 표면에 도포되는 접합재(다이본드재)(56)와, 접합재(56)를 개재하여 배선기판유니트(60)의 표면에 접착되는 반도체소자(12)와, 반도체소자(12)의 전극패드(72)와 구리배선(53)의 와이어본딩부(61)와의 사이를 배선하는 본딩와이어(16)와 반도체소자(12)와 본딩와이어(16)가 부설된 배선기판유니트(60)의 표면을 봉지하는 봉지수지(l3)와, 외부단자접합용랜드부(62)에 부설된 납땜볼(55)을 구비하여 구성되는 일괄봉지·패키지다이싱절단방식의 반도체장치이다.
또, 솔다레지스트(54)는 배선간이나, 외부단자간, 배선과 반도체칩간을 절연하는 작용이 있는 것이다. 접합재(다이본드재)(56)에는, 공정합금이나 납땜수지 등이 사용된다. 봉지수지(13)에는 주로 에폭시수지가 사용된다.
도 6b에 나타낸 바와 같이, 반도체패키지(l0)의 이면을 관찰하면, 솔다레지스트(54)의 외주(73)가 절단 후의 패키지의 외주(50)보다 내측으로 설치되어 있다. 즉, 반도체패키지(10)는 그 이면에 솔다레지스트가 도포되지 않고, 절연기판(51)이 노출되어 있는 엣지부를 갖는다.
여기서, 발명자가 행한 검증을 개시한다. 금형외부의 압력계에 의해 압력을 측정하여, 배선기판(11)에 대한 흡착압력값(부압값)을 52kPa (기압 24kPa)로 일정으로 하고, 릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)을 20, 30, 40, 50, 70kPa (기압 56, 46, 36, 26, 6kPa)로 순차바꾸어 수지봉지공정을 행하였다. 그 결과 얻어진 패키지패널의 수지표면을 외관검사하여, 와이어전사불량의 발생의 유무를 조사했다. 와이어전사불량이란 배선기판(11)이 부상하여 본딩와이어(l6)가 릴리스필름(4l)에 접촉하여 접촉흔적을 야기하고, 이러한 접촉흔적이 봉지수지(13)표면에 전사되는 불량을 말한다.
릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)을 20, 30, 40, 50kPa로 하였을 때는, 와이어전사불량은 발생하지 않았다. 그러나, 릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)을 70kPa로 하였을 때는 와이어전사불량이 발생하였다.
따라서, 와이어전사불량의 발생을 저지하기 위해서는, 배선기판(11)에 대한 흡착압력값(부압값)을 릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)보다 크게 할 필요가 있다는 것이 확인되었다. 릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)을 배선기판(11)에 대한 흡착압력값(부압값)보다 크게 하면 와이어전사불량이 발생한다.
와이어전사불량이 발생한다는 것은, 배선기판(11)이 부상했다는 증거이다. 따라서, 배선기판(l1)의 부상을 방지하기 위해서는, 배선기판(1l)에 대한 흡착압력값(부압값)을 릴리스필름(41)에 대한 흡착압력값(부압값)보다 크게 하는 것이 바람직하다.
실시형태2
다음에, 본 발명의 실시형태2의 몰드성형용금형에 관하여 도 7을 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 몰드성형용금형은 비교적 대형의 배선기재에 관해서 금형표면으로부터의 부상의 방지와 금형의 공용화를 최적으로 하는 기술에 관련한다.
본 실시형태의 몰드성형용금형은 실시형태l의 몰드성형용금형에 대하여, 배선기재탑재블럭(42)에 천설된 흡착용공의 개구부위치가 다른 것이다.
도 7a 내지 도 7d에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 몰드성형용금형에 의한 배선기재탑재블럭(42a, 42b, 42c, 42d)에는, 실시형태1의 몰드성형용금형과 동일하게 배선기재탑재면의 주연영역에 흡착용공(45)의 개구부(45a)가 배설되어 있다.
그러나 실시형태1과 달리, 배선기재탑재블럭(42a, 42b, 42c, 42d)에는, 일점쇄선(64)내가 되는 배선기판유니트(60)의 배열영역에 대향하는 위치에 흡착용공(45)의 개구부(45b)가 배설되어 있다.
도 7a에 나타내는 배선기재탑재블럭(42a)은 배선기재탑재면의 길이방향(도면상 좌우방향)의 중심축(도시하지 않음)상에 개구부(45b)를 2개 배치한 것이다. 배선기재탑재블럭(42a)에서의 개구부(45b)는 이 중심축이 일점쇄선(64)으로 절취되는 선분의 3 등분선점상에 거의 일치해서 거의 균등간격으로 배치되어 있다.
도 7b에 나타내는 배선기재탑재블럭(42b)은 배선기재탑재면의 길이방향(도면상 좌우방향)의 중심축(도시하지 않음)상에 개구부(45b)를 4개 배치한 것이다. 배선기재탑재블럭(42b)에서의 개구부(45b)는 이 중심축이 일점쇄선(64)으로 절취되는 선분의 5 등분선점상에 거의 일치해서 거의 균등간격으로 배치되어 있다.
도 7c에 나타내는 배선기재탑재블럭(42c)은 배선기재탑재면의 폭방향(도면상 상하방향)의 중심축(도시하지 않음)상에 개구부(45b)를 3개 배치한 것이다. 배선기재탑재블럭(42c)에서의 개구부(45b)는 이 중심축이 일점쇄선(64)으로 절취되는 선분의 4 등분선점상에 거의 일치해서 거의 균등간격으로 배치되어 있다.
도 7d에 나타내는 배선기재탑재블럭(42d)은 일점쇄선(64)내가 되는 배선기판유니트(60)의 배열영역내에 4개의 개구부(45b)를 거의 균등하게 분산하여 배치한 것이다.
배선기재탑재블럭(42a, 42b, 42c, 42d)을 사용하면, 배선기판에 흡착용홈을 설치하는 경우이어도 설치하지 않는 경우이어도, 개구부(45b)에 의해서 비교적 대형의 배선기판의 전체면에 대하여, 충분한 흡착지지력을 얻는 것이 가능하다. 그와 동시에, 제품이 되는 배선기재유니트를 개구부(45b)에 닿지 않도록 배선기판을 설계하는 것이 지극히 용이하도록 개구부(45b)의 위치를 정했기 때문에, 금형의 공용화까지도 추진할 수가 있다.
그 밖의 금형의 구성이나 수지몰드방법에 관하여는 실시형태1의 수지몰드방법, 몰드성형용금형과 동일하다.
실시형태3
다음에, 본 발명의 실시형태3의 수지몰드방법에 대해 설명한다.
본 실시형태는 실시형태1과 같이 배선기판(11)을 흡착하지 않고, 에어벤트(46)로부터 공동내에 가스를 압입하여 이 가스의 압력에 의해 배선기판(l1)을 배선기재탑재블럭(42)의 기재탑재면에 압압하여 지지하면서, 상기 공동내에 수지를 충전하는 수지몰드방법이다. 따라서 실시형태l과 같이 흡착용공(45), 흡착용홈(63)을 필요로 하지 않는다. 릴리스필름(41)은 사용해도 사용하지 않아도 좋다.
본 실시형태의 수지몰드방법에 있어서는 실시형태1의 수지몰드방법과 동일하게 하여 본딩공정, 금형조임 전의 이전공정을 행한 후, 금형을 조이고, 에어벤트(46)로부터 공동내에 가스를 압입한다.
본 실시형태의 수지몰드방법에 의하면, 금형(20)내에 감금된 배선기판(l1)이 배선기재탑재블럭(42)의 기재탑재면으로부터 부상하는 일이 없고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 없다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손상을 주지 않으며, 또한 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있다.
또한, 공동내에 유입하는 수지도 공동내에 압입된 가스의 압력을 받는다. 이 가스압에 의해 수지의 충전을 균일하게 행할 수 있다.
〔실시예〕
다음에, 각부의 치수의 일례를 나타낸다.
도 1에 나타내는 배선기판(11)의 외형치수를, 폭 65㎜, 길이 190㎜로 하였다. 반도체패키지(l0)(배선기판유니트(60))의 외형치수를 10㎜ 각으로 하였다.
원형 플레이트(19)의 절단칼의 날폭은 약 350㎛ 정도였기 때문에, 도 1b의 부분확대도면에 나타내는 파선(50, 50)사이의 절단몫의 폭을 약 0.35㎜로 하였다. 배선기판유니트(60)사이에에 있어서의 흡착용홈(63)은 폭 0.5㎜, 깊이 0.03㎜로 제작하였다. 기판주연영역에서의 흡착용홈(63)은 폭 1.2㎜, 깊이 0.03㎜로 제작하였다.
흡착용공(45)의 개구부(45a)의 직경은 1.0㎜, 개구부(45b)의 직경은 0.3㎜로 제작하였다.
이상의 치수의 경우, 배선기판유니트(60)의 배열영역에 흡착용공(45)의 개구부(45b)를 설치하지 않은 실시형태1의 몰드성형용금형에 의해서, 충분하게 배선기판(1l)을 공동(23b) 내로 유지할 수 있고, 반도체패키지에 내부적 및 외관적 불량을 주는 일없이 양호하게 제조할 수가 있다.
이상과 같이 본 발명은, 기판기재를 금형표면에 지지하는 수단을 구비하기 때문에 금형내에 감금된 배선기재가 금형표면으로부터 부상하는 것이 방지되고, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품이 릴리스필름에 접촉하는 일이 방지된다는 효과가 있다. 그 결과, 본딩와이어 등의 배선기재표면에 부설된 부품에 접촉에 의한 손상을 주지 않으며, 또한, 와이어전사불량 등의 외관불량이 없는 외관이 양호한 수지패키지를 얻을 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 마련된 배선기재탑재면에, 표면에 복수의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 탑재하고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
    상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재의 표면에 작용하는 압력값을 상기 배선기재의 이면에 작용하는 압력값 보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  2. 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하고, 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형과로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
    상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재의 이면에 작용하는 부압값을 상기 배선기재의 표면에 작용하는 부압값 보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  3. 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하고, 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시켜, 다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형과로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
    상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재를 흡인하는 하나의 진공원의 부압값을 상기 릴리스필름을 흡인하는 다른 진공원의 부압값보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  4. 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형에 공동표면에 개구하는 흡착용공을 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하여, 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 릴리스필름을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 다른 쪽의 형에, 표면에 복수의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면을 상기 흡착용공으로 흡인하여 진공흡착시키고, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형 과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금, 상기 공동내에 수지를 충전함에 있어서,
    상기 몰드성형용금형이 닫힌 상태인 때에, 상기 배선기재를 흡인하는 유로에 설치된 밸브로 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값을 상기 릴리스필름을 흡인하는 유로에 설치된 밸브에 있어서 이 유로에 따라 금형에 최직근의 밸브에서의 부압값 보다 크게 설정하는 것을 특징으로하는 수지몰드방법.
  5. 공동표면에 개구하는 통기공을 가지는 몰드성형용금형을 사용하고, 상기 몰드성형용금형의 공동내에, 표면에 복수의 반도체소자가 본딩된 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 설치하여, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상기 몰드성형용금형의 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 통기공으로부터 공동내로 가스를 압입하여 이 가스의 압력에 의해 상기 배선기재를 공동표면에 압압하여 지지하면서, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선기재를 판형상의 배선기재(배선기판)로 하고, 상기 몰드성형용금형을, 배선기재탑재블럭이 플로팅기구에 의해 상하동가능하게 지지되어 이루어지는 몰드성형용금형으로 하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  7. 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수 구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 구성하고, 상기 각 배선기재유니트의 표면에반도체소자를 본딩하고, 한편에 있어서, 몰드성형용금형의 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형의 배선기재탑재면에 개구부를 가지는 흡착용공을, 상기 개구부가 상기 배선기재의 이면상의 상기 배선기재유니트 밖이 되는 영역에 대향하여, 또한, 다른 쪽의 형의 공동에 대향하도록 형성하고, 그 후, 상기 배선기재의 이면을 상기 배선기재탑재면에 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하고, 상기 흡착용공을 부압으로 하여 상기 배선기재를 상기 배선기재탑재면에 흡착·지지하면서, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형 과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금하고, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 개구부를 상기 배선기재유니트간의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 개구부를 복수로 하여, 그 중 몇 개의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하고, 다른 개구부를 상기 배선기재유니크간의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로하는 수지몰드방법.
  11. 단일의 반도체 패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수 구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 탑재하고, 다른 쪽의 형의 단일의 공동에서 복수의 반도체패키지를 몰드성형하는 몰드성형용금형에 있어서,
    상기 한쪽의 형의 배선기재탑재면에, 상기 다른 쪽의 형의 공동에 대향하는 범위내에서 복수의 개구부를 가지는 흡착용공이 설치되고,
    그 중 몇 개의 개구부가 상기 배선기재탑재면의 주연영역에 배치되고, 다른 개구부가 상기 배선기재탑재면의 폭방향 또는 길이방향의 거의 중심축상에 배치되어 이루어 지는 것을 특징으로 하는 몰드성형용금형.
  12. 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재를 상부금형 및 하부금형 중 한쪽의 형에 탑재하고, 다른 쪽의 형의 단일의 공동에서 복수의 반도체패키지를 몰드성형하는 몰드성형용금형에 있어서,
    상기 한편의 형의 배선기재탑재면에 상기 다른 쪽의 형의 공동에 대향하는 범위내에서 개구부를 가지는 흡착용공이 설치되고,
    상기 개구부의 위치가, 상기 배선기재탑재면 중 상기 배선기재유니트가 탑재되는 영역을 제외하는 영역내인 것을 특징으로 하는 몰드성형용금형.
  13. 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수구비하는 테이프형상 또는 판형상의 배선기재의 이면에 흡착용홈을 형성하고, 상기 각 배선기재유니트의 표면에 반도체소자를 본딩하고, 한 쪽에 있어서, 몰드성형용금형에, 그 배선기재탑재면에 개구부를 가지는 흡착용공을, 상기 개구부가 상기 흡착용홈에 대향하도록 형성하고, 그 후, 상기 배선기재의 이면을 상기 배선기재탑재면에 설치하고, 상기 흡착용공을 진공원에 접속하고, 상기 진공원에 의해서 상기 흡작용공 및 상기 흡착용홈내를 부압으로 하여 상기 배선기재를 상기 배선기재탑재면에 흡착지지하면서, 형을 조여서 상기 배선기재의 엣지부를 상부금형과 하부금형으로 클램프함과 동시에 상기 반도체소자를 단일의 공동내에 감금, 상기 공동내에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역으로부터 배선기재주연영역까지 연설하고, 상기 개구부를 상기 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 흡착용홈을 상기 배선기재유니트간의 영역에서 배선기재주연영역까지 연속하여 형성하고, 상기 개구부를 복수로 하고, 그 중 몇 개의 개구부를 배선기재주연영역에 대향하도록 배치하고, 다른 개구부를 상기 배선기재유니트간의 영역에 대향하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 배선기재의 이면에 솔다레지스트를 선택적으로 부설함으로써 상기 흡착용홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 수지몰드방법.
  18. 단일의 반도체패키지분의 배선기재유니트를 소정간격으로 복수 구비하는 배선기재에 있어서, 그 이면에 솔다레지스트가 선택적으로 부설되고, 솔다레지스트개구부로서 형성되는 홈이 상기 배선기재유니트간의 영역에서 배선기재주연영역까지 연속하여 형성되어 되는 것을 특징으로 하는 배선기재.
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