KR19980058464A - 반도체 패키지의 몰딩방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 컴파운드의 소모를 최소화할 수 있는 반도체 패키지의 몰딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

이와같은 본 발명은, 반도체 패키지를 밀봉하기 위하여, 소정의 컴파운드를 몰딩 장치의 주입구를 통하여 주입하는 반도체 패키지의 몰딩 방법에 있어서, 상기 컴파운드를 주입하는 공정이후, 컴파운드가 주입되는 주입구 부분을 소정의 압력 및 온도로 조성한 다음, 불황성 가스를 주입하고, 가스가 주입되는 압력을 점차적으로 증대시키는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 패키지의 몰딩방법.

본 발명은 반도체 패키지의 몰딩 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 패키지의 몰딩 공정시, 몰딩 장치의 분기점에 컴파운드(compound)가 존재하지 않게 하는 반도체 패키지의 몰딩방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 마지막 단계는 소정의 단위 공정을 거쳐 제조된 다이를 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 EMC(epoxy molding compound)등과 같은 수지를 이용하여 밀봉하는 팩키지 공정이다. 이러한 팩키지 공정은 웨이퍼 상의 각 칩을 분리하는 소잉(sawing) 공정과, 상기 소잉된 칩을 리드프레임의 다이 부착용 패드(die attachment pad)에 부착, 고정하는 다이 본딩 공정과, 다이 본딩된 다이 부착용 패드와 리드 프레임의 인너 리드(inner lead)를 와이어를 이용하여 전기적으로 접속시키는 와이어 본딩 공정과, 상기 칩과 리드 프레임의 인너 리드를 포함하는 일정 면적을 에폭시 수지로 밀봉하는 몰딩(molding) 공정과, 리드 프레임의 각 리드를 연결하고 있는 댐바(dam bar), 섹션바(section bar), 서포트바(support bat)를 절단하여 개개의 팩키지로 분리하는 트림(trim) 공정과, 마지막으로 팩키지의 각 아웃리드(out lead)를 소정 형태로 절곡(折曲)하는 포밍(forming) 공정 및 마킹(marking) 공정의 순으로 진행된다.

여기서, 밀봉 공정은, 도 1에 도시된 바와 같이, 소정의 밀봉 장치는 컴파운드 주입부(1)에서 여러가닥으로 분기된 노즐(2)을 통하여, 각각의 캐비티(3)에 에폭시 수지와 같은 컴파운드(10)를 분사함으로써 달성된다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의하면, 몰딩 공정시, 컴파운드 주입부로 부터 여러가닥의 노즐이 연결된 분기점(이하 컬부분)에 컴파운드와 완전히 전달되지 않고, 소정 부분 남아있게 된다.

이로 인하여, 컴파운드 소모가 증가되는 문제점이 발생하게 된다.

따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 컴파운드의 소모를 최소화 할 수 있는 반도체 소자의 몰딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 종래의 반도체 패키지의 몰딩장치를 개략적으로 나타낸 도면.

도 2A 내지 도 2C는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 몰딩방법을 설명하기 위한 도면

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 컴파운드 주입구, 2 : 노즐, 3 : 캐비티, 10 : 컴파운드, 11 : 불황성 가스

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 반도체 패키지를 밀봉하기 위하여, 소정의 컴파운드를 몰딩 장치의 주입구를 통하여 주입하는 반도체 패키지의 몰딩 방법에 있어서, 상기 컴파운드를 주입하는 공정이후, 컴파운드가 주입되는 주입구 부분을 소정의 압력 및 온도로 조성한 다음, 불황성 가스를 주입하고, 가스가 주입되는 압력을 점차적으로 증대시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 반도체 몰딩 장치의 컴파운드 주입구 부분에 컴파운드를 주입하고, 그 후에 불황성 가스를 소정 압력하에 주입하므로서, 몰딩 장치의 컬 부분에 잔류하는 컴파운드를 제거할 수 있다.

[실시예]

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.

첨부한 도면 도 2A 내지 2C는 반도체 패키지의 몰딩방법을 설명하기 위한 도면이 도시되어 있다. 본 발명에서는 반도체 패키지의 몰딩 장치중 컴파운드 주입구만을 확대하여 도시하고, 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 번호를 부여하도록 한다.

먼저, 도 2A를 참조하여, 예열된 컴파운드를 먼저 주입한 후, 러너(runner)를 통해 주입된 컴파운드(10)가 흘러들어간다. 그후에, 주입구 상부에는 캡(5)에 의하여 주입부를 밀폐한 다음, 소정의 압력을 가하게 된다. 여기서, 상기 가스 주입 공정은 몰딩 트랜스퍼의 압력하에서 진행되도록 한다.

이어서, 도 2B에 도시된 바와 같이, 컴파운드 주입구(1) 부분에는 소정의 가스주입구(1a)를 통하여, 불활성 가스(11)가 주입된다. 이때, 가스 주입구(1a)는 컴파운드 주입구(1) 부분의 측벽부에 위치하도록 한다. 여기서, 주입된 불활성 가스(11)는 몰딩시의 온도하에서 점점 팽창되어, 주입구 (1)부분에 잔류하는 컴파운드(10)를 노즐(2) 부분으로 밀어내게 된다.

그리고 나서, 도 2C는 상기 불활성 가스(11)가 완전히 팽창되어, 주입구 부분에 잔류하는 컴파운드가 존재하지 않는 도면으로, 컴파운드 주입구(1) 상부의 캡(5)에 소정의 힘을 가하여, 컴파운드 주입구(1) 내부의 압력을 점차적으로 증가시키면서, 컴파운드 주입구(1)에는 컴파운드(10)가 존재하지 않고, 팽창된 불활성 가스(11)만이 존재한다.

이때, 상기 불활성 가스(11)는 노즐에 연결된 첫번재 캐비티에는 도달되지 않을 만큼 주입된다.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 몰딩 장치의 컴파운드 주입구 부분에 컴파운드를 주입하고, 그 후에 불활성 가스를 소정 압력하에 주입하므로서, 몰딩 장치의 컬 부분에 잔류하는 컴파운드를 제거할 수 있다.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (2)

1. 반도체 패키지를 밀봉하기 위하여, 소정의 컴파운드를 몰딩 장치의 주입구를 통하여 주입하는 반도체 패키지의 몰딩 방법에 있어서,

   상기 컴파운드를 주입하는 공정이후, 컴파운드가 주입되는 주입구 부분을 소정의 압력 및 온도로 조성한 다음, 불활성 가스를 주입하고, 가스가 주입되는 압력을 점차적으로 증대시키는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰딩방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 불활성 가스가 주입되는 온도는, 상기 불활성 가스가 팽창 가능한 온도인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰딩방법.