JPS62183533A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPS62183533A JPS62183533A JP2612686A JP2612686A JPS62183533A JP S62183533 A JPS62183533 A JP S62183533A JP 2612686 A JP2612686 A JP 2612686A JP 2612686 A JP2612686 A JP 2612686A JP S62183533 A JPS62183533 A JP S62183533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の樹脂封止方法に関し、さらに詳
しくは、集積回路、トランジスタ、ダイオード、混成集
積回路、抵抗体、コンデンサなどの半導体装置に対する
樹脂封止方法の改良に係るものである。
しくは、集積回路、トランジスタ、ダイオード、混成集
積回路、抵抗体、コンデンサなどの半導体装置に対する
樹脂封止方法の改良に係るものである。
従来例によるこの種の樹脂刺止型半導体装置の概要構成
を第４図に示す。
を第４図に示す。
すなわち、この第４図において、符号１は半導体チップ
、２はこの半導体チップ１をグイポンディングするグイ
パッド、３は複数本のリード、４は前記半導体チップｌ
の各端子とこれらの各り−ド３とをそれぞれにワイヤポ
ンディング接続する線径２０川程度のポンディングワイ
ヤ、７は前記半導体チップ１．グイパッド２．各ポンデ
ィングワイヤ３、それに各リード３の一部を含んで、こ
れらの全体を樹脂封止する熱硬化性樹脂による封止樹脂
である。
、２はこの半導体チップ１をグイポンディングするグイ
パッド、３は複数本のリード、４は前記半導体チップｌ
の各端子とこれらの各り−ド３とをそれぞれにワイヤポ
ンディング接続する線径２０川程度のポンディングワイ
ヤ、７は前記半導体チップ１．グイパッド２．各ポンデ
ィングワイヤ３、それに各リード３の一部を含んで、こ
れらの全体を樹脂封止する熱硬化性樹脂による封止樹脂
である。
こ−で、この従来例構成の場合での樹脂封止手順として
は、まず、グイパッド２上に半導体チップ１を、半田付
けなどによりグイポンディングして固定させると共に、
この半導体チップ１の各端子と各リード３とを、ポンデ
ィングワイヤ４によりそれぞれにワイヤポンディング接
続して配線させ、ついでこのように組上げた各部品を、
適宜。
は、まず、グイパッド２上に半導体チップ１を、半田付
けなどによりグイポンディングして固定させると共に、
この半導体チップ１の各端子と各リード３とを、ポンデ
ィングワイヤ４によりそれぞれにワイヤポンディング接
続して配線させ、ついでこのように組上げた各部品を、
適宜。
ｔｅｏ℃程度に加熱した成形金型（図示省略）内に装着
させた上で、熱硬化性合成樹脂を用いたトランスファ成
形法により樹脂封止して成形させ、かつその後、封止樹
脂７の硬化を待って成形金型から取り出し、後工程での
加工を行なうようにしている。
させた上で、熱硬化性合成樹脂を用いたトランスファ成
形法により樹脂封止して成形させ、かつその後、封止樹
脂７の硬化を待って成形金型から取り出し、後工程での
加工を行なうようにしている。
しかしながら、前記構成による従来例の樹脂封止型半導
体装置では、よく知られているように、その熱硬化性樹
脂による樹脂封止時にあって、半導体チップ１と封止樹
脂７との熱膨張率の差、また封止樹脂７の硬化収縮に伴
ない、その時点での応力が半導体チップｌに加えられて
、チップ自体に割れなどの破損を生じたり、あるいは表
面に配線したボンディングワイヤ４が断線する惧れがあ
るなどの問題点を有していた。
体装置では、よく知られているように、その熱硬化性樹
脂による樹脂封止時にあって、半導体チップ１と封止樹
脂７との熱膨張率の差、また封止樹脂７の硬化収縮に伴
ない、その時点での応力が半導体チップｌに加えられて
、チップ自体に割れなどの破損を生じたり、あるいは表
面に配線したボンディングワイヤ４が断線する惧れがあ
るなどの問題点を有していた。
この発明は、従来例装置でのこのような問題点を改善す
るためになされたもので、その目的とするところは、熱
硬化性合成樹脂を用いたトランスファ成形法による半導
体装置の樹脂封止手段にあって、樹脂封止の際の半導体
チップの破損、ボンディングワイヤの断線などを解消し
た樹脂封止方法を提供することである。
るためになされたもので、その目的とするところは、熱
硬化性合成樹脂を用いたトランスファ成形法による半導
体装置の樹脂封止手段にあって、樹脂封止の際の半導体
チップの破損、ボンディングワイヤの断線などを解消し
た樹脂封止方法を提供することである。
前記目的を達成させるために、この発明に係る半導体装
置の樹脂封止方法は、各部品を所定通りに組上げた半導
体装置の周囲を、発泡材により発泡被覆させるか、ある
いは発泡された発泡材により被覆させた状態で、この発
泡材の融点以下の温度で熱硬化性樹脂により樹脂封止さ
せ、その後。
置の樹脂封止方法は、各部品を所定通りに組上げた半導
体装置の周囲を、発泡材により発泡被覆させるか、ある
いは発泡された発泡材により被覆させた状態で、この発
泡材の融点以下の温度で熱硬化性樹脂により樹脂封止さ
せ、その後。
発泡材の融点以上の温度に加熱して、樹脂封止内部に空
洞部を形成させたものである。
洞部を形成させたものである。
従ってこの発明方法においては、組上げた半導体装置の
周囲を、予め発泡材により被覆させた状態で、この発泡
材の融点以下の温度で樹脂封止させるから、半導体装置
に対して樹脂封止時に発生する応力の影響を及ぼす惧れ
がなく、またこの樹脂封止後９発泡材の融点以上の温度
に加熱して、樹脂封止内部に空洞部を形成させるので、
同空洞部が保護空間を構成して、封止樹脂の外部から加
えられる衝撃などを絶縁、もしくは緩和し得るのである
。
周囲を、予め発泡材により被覆させた状態で、この発泡
材の融点以下の温度で樹脂封止させるから、半導体装置
に対して樹脂封止時に発生する応力の影響を及ぼす惧れ
がなく、またこの樹脂封止後９発泡材の融点以上の温度
に加熱して、樹脂封止内部に空洞部を形成させるので、
同空洞部が保護空間を構成して、封止樹脂の外部から加
えられる衝撃などを絶縁、もしくは緩和し得るのである
。
以下、この発明に係る半導体装置の樹脂封止方法の一実
施例につき、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明
する。
施例につき、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明
する。
第１図ないし第３図はこの実施例による樹脂封止方法を
工程順に示すそれぞれ断面図である。これらの実施例各
図において、前記第１図従来例と同一符号は同一または
相当部分を示しており、また５は加熱により体積膨張す
る合成樹脂発泡材、６はこの発泡材５の溶融破壊により
体積収縮して形成された空洞部である。
工程順に示すそれぞれ断面図である。これらの実施例各
図において、前記第１図従来例と同一符号は同一または
相当部分を示しており、また５は加熱により体積膨張す
る合成樹脂発泡材、６はこの発泡材５の溶融破壊により
体積収縮して形成された空洞部である。
こ−で、前記合成樹脂発泡材５は、熱可塑性合成樹脂と
して、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリ
プロピレン、発泡塩化ビニール。
して、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリ
プロピレン、発泡塩化ビニール。
発泡塩化ビニリデン、発泡ＡＢＳ、発泡エ発泡エチレン
酢酸ビニール共重合体９イ泡ナイロン熱硬化性合成樹脂
として、発泡ユリア９発泡フェノール、発泡シリコン、
発泡ポリウレタン、発泡ラバーなど、またエポキシ樹脂
、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などに有機溶剤９発
泡剤、水を混合して発泡させる材料などの発泡性高分子
材料をそれぞれに用いることができる。
酢酸ビニール共重合体９イ泡ナイロン熱硬化性合成樹脂
として、発泡ユリア９発泡フェノール、発泡シリコン、
発泡ポリウレタン、発泡ラバーなど、またエポキシ樹脂
、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などに有機溶剤９発
泡剤、水を混合して発泡させる材料などの発泡性高分子
材料をそれぞれに用いることができる。
しかして、この実施例方法での樹脂封止手順においても
、当初は従来例と同様に、グイパッド２上への半導体チ
ップｌのグイボンディング、そしてこの半導体チップ１
の各端子と各リード３とのボンディングワイヤ４による
ワイヤボンディング接続をなして組上げた状態とし、こ
の状態で、まず、このように組上げた半導体チップ１と
グイパッド２の周囲に合成樹脂発泡材５を付着させ、こ
れを加熱発泡させることにより、この合成樹脂発泡材５
が元の体積の４０〜５０倍に膨張されて、これらの組上
げられた各部品の周囲を、その膨張された独立気泡で密
実に包囲、かつ被覆させる（第１図）。
、当初は従来例と同様に、グイパッド２上への半導体チ
ップｌのグイボンディング、そしてこの半導体チップ１
の各端子と各リード３とのボンディングワイヤ４による
ワイヤボンディング接続をなして組上げた状態とし、こ
の状態で、まず、このように組上げた半導体チップ１と
グイパッド２の周囲に合成樹脂発泡材５を付着させ、こ
れを加熱発泡させることにより、この合成樹脂発泡材５
が元の体積の４０〜５０倍に膨張されて、これらの組上
げられた各部品の周囲を、その膨張された独立気泡で密
実に包囲、かつ被覆させる（第１図）。
ご覧で組上げられた各部品に対する合成樹脂発泡材５の
包囲、被覆では、その加熱発泡が自由発泡として特に考
慮すべき応力を伴なわずになされることから、各部品に
何等の影響も責らすことがない。
包囲、被覆では、その加熱発泡が自由発泡として特に考
慮すべき応力を伴なわずになされることから、各部品に
何等の影響も責らすことがない。
ついで、このように合成樹脂発泡材５によって被覆され
た各部品を、適宜、１６０℃程度に加熱した成形金型（
図示省略）内に装着させた上で、熱硬化性合成樹脂、す
なわちこ−では、例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂な
どの封止樹脂７を用いたトランスファ成形法により、合
成樹脂発泡材５の融点以下の温度で樹脂封止して、同様
に全体を成形させる（第２図）。
た各部品を、適宜、１６０℃程度に加熱した成形金型（
図示省略）内に装着させた上で、熱硬化性合成樹脂、す
なわちこ−では、例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂な
どの封止樹脂７を用いたトランスファ成形法により、合
成樹脂発泡材５の融点以下の温度で樹脂封止して、同様
に全体を成形させる（第２図）。
従ってこの樹脂封止成形に際しては、当初に組りげられ
た各部品を合成樹脂発泡材５によって包囲、被覆させで
あるために、この合成樹脂発泡材５が一種の緩衝材とし
て作用し、従来例方法の場合におけるような、半導体チ
ップｌと封止樹脂７との熱膨張率の差、および封止樹脂
７の硬化収縮を原因とする半導体チップ１の破損、ポン
ディングワイヤ４の断線などを完全に解消できるのであ
る。
た各部品を合成樹脂発泡材５によって包囲、被覆させで
あるために、この合成樹脂発泡材５が一種の緩衝材とし
て作用し、従来例方法の場合におけるような、半導体チ
ップｌと封止樹脂７との熱膨張率の差、および封止樹脂
７の硬化収縮を原因とする半導体チップ１の破損、ポン
ディングワイヤ４の断線などを完全に解消できるのであ
る。
さらにその後、封止樹脂７の硬化を待って、この樹脂封
止成形された各部品を成形金型から取り出し、かつその
全体を別に合成樹脂発泡材５の融点以上の温度で加熱さ
せることによって、内部の合成樹脂発泡材５が溶融状態
になり、その独立気泡が破壊されて相互に融着し合うと
共に、元の体積状態に収縮されて封止樹脂７の内面に貼
付き、結果的には、組上げられた各部品を密実に包囲。
止成形された各部品を成形金型から取り出し、かつその
全体を別に合成樹脂発泡材５の融点以上の温度で加熱さ
せることによって、内部の合成樹脂発泡材５が溶融状態
になり、その独立気泡が破壊されて相互に融着し合うと
共に、元の体積状態に収縮されて封止樹脂７の内面に貼
付き、結果的には、組上げられた各部品を密実に包囲。
被覆していた合成樹脂発泡材５の部分、つまりこの各部
品の周囲に充分な容積の空洞部８．ひいては保護空間を
生じさせ得て、半導体チップｌおよびダイパッド２と封
止樹脂７との接触を絶つことができるのである（第３図
）。
品の周囲に充分な容積の空洞部８．ひいては保護空間を
生じさせ得て、半導体チップｌおよびダイパッド２と封
止樹脂７との接触を絶つことができるのである（第３図
）。
そしてこの場合にも、合成樹脂発泡材５は、その占有空
間内で単に溶融収縮されるだけであるために、ご覧でも
各部品に何等の影響も責らす惧れがなく、また爾後、封
止樹脂７の外部から加えられる衝撃などから、半導体チ
ップｌ、ポンディングワイヤ４などを保護し得るのであ
る。
間内で単に溶融収縮されるだけであるために、ご覧でも
各部品に何等の影響も責らす惧れがなく、また爾後、封
止樹脂７の外部から加えられる衝撃などから、半導体チ
ップｌ、ポンディングワイヤ４などを保護し得るのであ
る。
なお、前記実施例方法では、第１図工程において、組上
げた半導体チップｌとダイパッド２の周囲に、合成樹脂
発泡材５を付着して加熱発泡させるようにしているが、
既発泡の合成樹脂発泡材５で被覆させても同様な作用、
効果を得られることは勿論である。
げた半導体チップｌとダイパッド２の周囲に、合成樹脂
発泡材５を付着して加熱発泡させるようにしているが、
既発泡の合成樹脂発泡材５で被覆させても同様な作用、
効果を得られることは勿論である。
以上詳述したようにこの発明方法によれば、各部品を所
定通りに組上げた半導体装置の周囲を、予め発泡材によ
り発泡被覆させるか、あるいは発泡された発泡材により
被覆させた状態で、この発泡材の融点以下の温度で熱硬
化性樹脂により樹脂封止させるようにしたので、被覆発
泡材が緩衝材になって、半導体チップと封止樹脂との熱
膨張率の差、それに封止樹脂の硬化収縮などを原因とす
る半導体チップの破損、ポンディングワイヤの断線など
を完全に解消でき、またこの樹脂封止後。
定通りに組上げた半導体装置の周囲を、予め発泡材によ
り発泡被覆させるか、あるいは発泡された発泡材により
被覆させた状態で、この発泡材の融点以下の温度で熱硬
化性樹脂により樹脂封止させるようにしたので、被覆発
泡材が緩衝材になって、半導体チップと封止樹脂との熱
膨張率の差、それに封止樹脂の硬化収縮などを原因とす
る半導体チップの破損、ポンディングワイヤの断線など
を完全に解消でき、またこの樹脂封止後。
発泡材の融点以上の温度に加熱し、樹脂封止内部に空洞
部を形成させて、半導体チップ、ダイパ、ンドと封止樹
脂とが直接々触することのないようにしたので、この空
洞部が保護空間を構成し、封止樹脂の外部から加えられ
る衝撃などをも絶縁、もしくは緩和できて、半導体チッ
プを充分に防護し得られ、信頼性に富むこの種の樹脂封
止型半導体装置を提供できるなどの優れた特長を発揮し
得るものである。
部を形成させて、半導体チップ、ダイパ、ンドと封止樹
脂とが直接々触することのないようにしたので、この空
洞部が保護空間を構成し、封止樹脂の外部から加えられ
る衝撃などをも絶縁、もしくは緩和できて、半導体チッ
プを充分に防護し得られ、信頼性に富むこの種の樹脂封
止型半導体装置を提供できるなどの優れた特長を発揮し
得るものである。
第１図ないし第３図はこの発明の一実施例による半導体
装置の樹脂封止方法をＴ程順に示すそれぞれ断面図であ
り、また第４図は従来例による樹脂封止した半導体装置
の概要構成を示す断面図である。 １・・・・半導体チップ、２・・・・ダイパッド、３・
・・・リード、４・・・・ポンディングワイヤ、５・・
・・合成樹脂発泡材、６・・・・空洞部、７・・・・封
止樹脂。
装置の樹脂封止方法をＴ程順に示すそれぞれ断面図であ
り、また第４図は従来例による樹脂封止した半導体装置
の概要構成を示す断面図である。 １・・・・半導体チップ、２・・・・ダイパッド、３・
・・・リード、４・・・・ポンディングワイヤ、５・・
・・合成樹脂発泡材、６・・・・空洞部、７・・・・封
止樹脂。
Claims (1)
- （１）各部品を所定通りに組上げた半導体装置の周囲に
対し、まず発泡性高分子材料からなる発泡材を付着させ
て発泡被覆させるか、あるいは発泡された発泡材により
被覆させ、ついで熱硬化性樹脂を用い、前記発泡材の融
点以下の温度で樹脂封止させ、その後、発泡材の融点以
上の温度に加熱して、樹脂封止内部に空洞部を形成させ
ることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2612686A JPS62183533A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2612686A JPS62183533A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183533A true JPS62183533A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12184867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2612686A Pending JPS62183533A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183533A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245531A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置のパッケージ構造およびその製造方法 |
| FR2688940A1 (fr) * | 1992-03-23 | 1993-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | Appareil semiconducteur portatif et son procede de fabrication. |
| JP2012234867A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | コイル部品 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP2612686A patent/JPS62183533A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245531A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置のパッケージ構造およびその製造方法 |
| FR2688940A1 (fr) * | 1992-03-23 | 1993-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | Appareil semiconducteur portatif et son procede de fabrication. |
| JP2012234867A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | コイル部品 |
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